一種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及出片電性測試【技術(shù)領域】，公開了一種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，包括測試臺盤，還包括設于測試臺盤上用于對背凹超減薄晶圓進行限位的晶圓限位裝置，設于測試臺盤上對背凹超減薄晶圓背面進行吸附的真空槽，設于測試臺盤內(nèi)的導腔管道，設于導腔上并與測試臺盤上表面連通的多個孔道，設于導腔管道上的二位三通閥，與二位三通閥連通的真空泵和U型管，以及填充于U型管內(nèi)的導電材料，并且所述二位三通閥還與真空槽連通。本實用新型實現(xiàn)了背凹超減薄晶圓的出片電性測試并獲取測試參數(shù)，可用于指導制程的改善，提高了背凹超減薄晶圓的合格率。
【專利說明】 —種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置
【技術(shù)領域】
[0001]本實用新型涉及出片電性測試【技術(shù)領域】，更具體的說，特別涉及一種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]超薄芯片是指芯片厚度小于ΙΟΟμπι的芯片，目前6英寸的設備只能做到150-180um,其對于120um以下的芯片的破片率超過30%。而在280-350 μ m厚度的6英寸預減薄晶圓背面中心，減薄出一個5英寸直徑的圓,該圓的內(nèi)部晶圓達到60-90 μ m厚度,保留圓外的晶圓材料，支撐晶圓不變形，稱其為背凹超減薄晶圓。
[0003]背凹超減薄片基本避免了各種原因造成的內(nèi)部應力和脆性損傷的問題，但是其是以浪費近28%的晶圓面積和材料為代價，完全避免了減薄破片。由于圓片背面形貌的變化，導致無法進行WAT測試(wafer accept test,即出片電性測試),無法校正工藝制程。因此，在加工完成后將直接封測，存在以下幾個問題:一、無法取得晶圓的WAT測試參數(shù)，也無法校正工藝制程，導致超減薄區(qū)域的合格率僅為70%-80% ;二、晶圓直接封測，增加20%-30%的封裝成本，由于無法監(jiān)控WAT測試參數(shù)，容易產(chǎn)生工藝波動，影響成品質(zhì)量，降低了客戶的滿意度。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型的目的在于提供一種可獲得出片電性測試參數(shù)并且封裝成本低、合格率高的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置。
[0005]為了解決以上提出的問題，本實用新型采用的技術(shù)方案為:一種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，包括測試臺盤，還包括設于測試臺盤上用于對背凹超減薄晶圓進行限位的晶圓限位裝置，設于測試臺盤上對背凹超減薄晶圓背面進行吸附的真空槽，設于測試臺盤內(nèi)的導腔管道，設于導腔上并與測試臺盤上表面連通的多個孔道，設于導腔管道上的二位三通閥，與二位三通閥連通的真空泵和U型管，以及填充于U型管內(nèi)的導電材料，并且所述二位三通閥還與真空槽連通。
[0006]根據(jù)本實用新型的一優(yōu)選實施例:所述晶圓限位裝置包括設于測試臺盤上的兩個晶圓限位塊。
[0007]根據(jù)本實用新型的一優(yōu)選實施例:所述導電材料為水銀。
[0008]根據(jù)本實用新型的一優(yōu)選實施例:所述背凹超減薄晶圓的外徑為6英寸，所述真空槽的外徑為5.5英寸，寬度為1mm。
[0009]根據(jù)本實用新型的一優(yōu)選實施例:所述孔道的數(shù)量為九個，其中一個孔道設置于測試臺盤的中心位置，其中八個孔道均勻設置于以測試臺盤的中心為圓心、半徑為50_的位置，并且每個孔道的直徑均為1mm。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果在于:
[0011]1、本實用新型實現(xiàn)了背凹超減薄晶圓的出片電性測試并獲取測試參數(shù)，可用于指導制程的改善，提高了背凹超減薄晶圓的合格率；
[0012]2、實現(xiàn)了對不合格的背凹超減薄晶圓事先剔除，降低了封裝成本，同時還避免了工藝波動對產(chǎn)品的影響。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置的側(cè)視圖。
[0014]圖2為本實用新型的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置的俯視圖。
[0015]附圖標記說明:1、測試臺盤，2、真空槽，3、孔道，4、導腔管道，5、二位三通閥，6、真空栗，7、U型管，8、導電材料，9、背凹超減薄晶圓，10、晶圓限位塊，11、晶圓外輪廊，12、晶圓內(nèi)輪廓。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合實施例及附圖對本實用新型作進一步詳細的描述，但本實用新型的實施方式不限于此。
[0017]參閱圖1和圖2所示，本實用新型提供一種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，包括測試臺盤1，還包括設于測試臺盤I上用于對背凹超減薄晶圓9進行限位的晶圓限位裝置，設于測試臺盤I上對背凹超減薄晶圓9背面進行吸附的真空槽2，設于測試臺盤I內(nèi)的導腔管道4，設于導腔4上并與測試臺盤I上表面連通的多個孔道3，設于導腔管道4上的二位三通閥5，與二位三通閥5連通的真空泵6和U型管7，以及填充于U型管7內(nèi)的導電材料8，并且所述二位三通閥5還與真空槽2連通。
[0018]在本實用新型中，所述的晶圓限位裝置包括設于測試臺盤I上的兩個晶圓限位塊10，其采用的是特氟龍材料。
[0019]在本實用新型中，所述的導電材料8優(yōu)選為水銀。
[0020]在本實用新型中，所述背凹超減薄晶圓9的外徑為6英寸，所述真空槽2的外徑為
5.5英寸，寬度為1_，同時孔道3的數(shù)量為九個，其中一個孔道3設置于測試臺盤I的中心位置，其中八個孔道3均勻設置于以測試臺盤I的中心為圓心、半徑為50mm的位置，并且每個孔道3的直徑均為1mm。
[0021]本實用新型的使用流程為:首先在測試臺盤I的6英寸位置畫上晶圓外輪廓線，而兩個晶圓限位塊10是設置在外輪廓線上部的，可以保證背凹超減薄晶圓9的圓心定位，并且輪廓線的平邊可保證平邊的對準；采用不銹鋼鑷子夾取背凹超減薄晶圓9，并將其放置在測試臺盤I上，上方貼緊兩個晶圓限位塊10，開啟真空泵6并使二位三通閥5與真空槽2連通，真空泵6使真空槽2處于真空狀態(tài)并吸附固定住背凹超減薄晶圓9，再使二位三通閥5與孔道3連通，真空泵6使孔道3、背凹超減薄晶圓9的背面凹槽處于真空狀態(tài)，然后關(guān)閉真空泵6，由于連通器的原理，U型管7內(nèi)的水銀面與背凹超減薄晶圓9等高，此時背凹超減薄晶圓9的背面充滿了導電材料，也就是水銀，即可采用測試儀器(例如:采用lOOOThou級別的分析測試針架)進行WAT (wafer accept test出片電性測試)手動測試,待測試完畢后，導通內(nèi)部真空、降低U型管7的水銀面高度使孔道3、背凹超減薄晶圓9背面內(nèi)的水銀退出，再充入空氣，同時使真空槽2沖入空氣，再采用不銹鋼鑷子取回背凹超減薄晶圓9，即完成了對背凹超減薄晶圓9的出片電性測試。[0022]上述實施例為本實用新型較佳的實施方式，但本實用新型的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本實用新型的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應為等效的置換方式，都包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，包括測試臺盤(1)，其特征在于:還包括設于測試臺盤(I)上用于對背凹超減薄晶圓(9 )進行限位的晶圓限位裝置，設于測試臺盤(I)上對背凹超減薄晶圓(9)背面進行吸附的真空槽(2)，設于測試臺盤(I)內(nèi)的導腔管道(4)，設于導腔(4)上并與測試臺盤(I)上表面連通的多個孔道(3)，設于導腔管道(4)上的二位三通閥(5)，與二位三通閥(5)連通的真空泵(6)和U型管(7)，以及填充于U型管(7)內(nèi)的導電材料(8 )，并且所述二位三通閥(5 )還與真空槽(2 )連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，其特征在于:所述晶圓限位裝置包括設于測試臺盤(I)上的兩個晶圓限位塊(10)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，其特征在于:所述導電材料(8)為水銀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，其特征在于:所述背凹超減薄晶圓(9)的外徑為6英寸，所述真空槽(2)的外徑為5.5英寸，寬度為1mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，其特征在于:所述孔道(3)的數(shù)量為九個，其中一個孔道(3)設置于測試臺盤(I)的中心位置，其中八個孔道(3)均勻設置于以測試臺盤(I)的中心為圓心、半徑為50mm的位置，并且每個孔道(3)的直徑均為 Imm0
【文檔編號】H01L21/66GK203733763SQ201420000853
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年1月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月1日
【發(fā)明者】李磊, 鄧丹 申請人:長沙創(chuàng)芯集成電路有限公司