一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置，將薄膜晶體管中源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域設(shè)計(jì)為彎曲的形狀，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域?yàn)橹本€，可以在不增加薄膜晶體管所占面積的情況下，增長(zhǎng)源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度，從而改善了關(guān)態(tài)電流急增的問(wèn)題。并且，在薄膜晶體管所占面積相同的情況下，增加了源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度，這樣可以在保證關(guān)態(tài)電流的情況下，盡量減小薄膜晶體管所占面積，尤其是在應(yīng)用于高分辨率顯示時(shí)，可以保證具有較大的開口率。
【專利說(shuō)明】—種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，液晶顯示面板(LCD,Liquid Crystal Display)、電致發(fā)光(EL,electroluminescence)顯示面板以及電子紙等顯示裝置已為人所熟知。在這些顯示裝置中具有控制各像素開關(guān)的薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)，其中TFT按結(jié)構(gòu)的不同可以分為:頂柵型TFT和底柵型TFT。
[0003]以底柵型為例，薄膜晶體管如圖1所示，由依次設(shè)置在襯底基板上的柵極1、有源層3、源極4和漏極5組成；其中，柵極I與有源層3之間設(shè)置有柵絕緣層2，源極4和漏極5同層設(shè)置且相對(duì)而置，源極4和漏極5分別與有源層3電性相連，在源極4和漏極5之上設(shè)置有鈍化層6，漏極5通過(guò)鈍化層6中的過(guò)孔與像素電極7電性相連。一種陣列基板如圖2a和圖2b所示，柵極I 一般與柵線10電性相連，源極4 一般與數(shù)據(jù)線9電性相連，在柵極I加載柵掃描信號(hào)時(shí)，在柵極I上方的有源層3會(huì)從半導(dǎo)體狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)體狀態(tài)，在源極4和漏極5之間的有源層3內(nèi)與柵極I正對(duì)的區(qū)域會(huì)形成一條電流通道，通過(guò)該電流通道可以將數(shù)據(jù)線9加載到源極4的數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)漏極5傳輸?shù)较袼仉姌O7上，使像素電極7處于工作狀態(tài)。
[0004]在將現(xiàn) 有的薄膜晶體管具體應(yīng)用于陣列基板時(shí)，如圖2a和圖2b所示，位于源極4與漏極5之間的有源層區(qū)域8有兩種設(shè)計(jì)方式:其中一種設(shè)計(jì)方式如圖2a所示，位于源極4與漏極5之間的有源層區(qū)域8的延伸方向與柵線10相互平行，這種設(shè)計(jì)的空間利用率較高，但是在應(yīng)用于高分辨率顯示時(shí)，由于每個(gè)像素所占面積比較小，且為了避免短路現(xiàn)象需要保證漏極5與數(shù)據(jù)線9之間的距離大于5.0 μ m，這就會(huì)限制了位于源極4與漏極5之間的有源層區(qū)域8的長(zhǎng)度；而位于源極4與漏極5之間的有源層區(qū)域8的長(zhǎng)度與TFT的開態(tài)電流(1n)和關(guān)態(tài)電流(1ff)均有關(guān)系，位于源極4與漏極5之間的有源層區(qū)域8的長(zhǎng)度過(guò)小，會(huì)引起關(guān)態(tài)電流急增的問(wèn)題。另外一種設(shè)計(jì)方式如圖2b所示，位于源極4與漏極5之間的有源層區(qū)域8的延伸方向與柵線10相互垂直，這種設(shè)計(jì)雖然可以避免漏極5和數(shù)據(jù)線9之間的短路問(wèn)題，但是空間利用率較低，不能保證高分辨率顯示時(shí)各像素具有較高的開口率。
[0005]因此，如何在保證空間利用率的基礎(chǔ)上，增加位于源極與漏極之間的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度，從而避免關(guān)態(tài)電流急增的問(wèn)題，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的薄膜晶體管的源極和漏極之間的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度受限導(dǎo)致的關(guān)態(tài)電流急增的問(wèn)題。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，包括位于襯底基板之上的柵極、有源層、源極和漏極，其中，所述源極和所述漏極相對(duì)而置且分別與所述有源層電性相連:
[0008]所述源極和所述漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域在所述襯底基板上的正投影的形狀為彎曲形狀。
[0009]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管，將源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域設(shè)計(jì)為彎曲的形狀，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域?yàn)橹本€，可以在不增加薄膜晶體管所占面積的情況下，增長(zhǎng)源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度，從而改善了關(guān)態(tài)電流急增的問(wèn)題。
[0010]在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述源極和所述漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域在所述襯底基板上的正投影的形狀為折線型或曲線型。
[0011 ] 在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述源極和漏極與所述有源層之間具有絕緣層，所述源極和漏極分別與所述有源層通過(guò)所述絕緣層中的過(guò)孔電性相連；或，
[0012]所述源極和漏極直接位于所述有源層的上層，所述源極和漏極直接與所述有源層電性相連。
[0013]在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述有源層的材料為半導(dǎo)體氧化物材料。
[0014]在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述薄膜晶體管為頂柵型或底柵型。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管，與所述薄膜晶體管中的 柵極電性相連的柵線、與所述薄膜晶體管中的源極電性相連的數(shù)據(jù)線，以及與所述薄膜晶體管中的漏極電性相連的像素電極。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，將薄膜晶體管中源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域設(shè)計(jì)為彎曲的形狀，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域?yàn)橹本€，在薄膜晶體管所占面積相同的情況下，增加了源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度，這樣可以在保證關(guān)態(tài)電流的情況下，盡量減小薄膜晶體管所占面積，尤其是在應(yīng)用于高分辨率顯示時(shí)，可以保證具有較大的開口率。
[0017]在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述薄膜晶體管中的源極和漏極沿著所述柵線的延伸方向排列。
[0018]在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述薄膜晶體管中的漏極與最鄰近的數(shù)據(jù)線之間的間隙大于5.0 μ m。
[0019]在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述薄膜晶體管中的漏極與所述像素電極之間具有鈍化層，所述漏極與所述像素電極通過(guò)所述鈍化層中的過(guò)孔電性相連；或，
[0020]所述像素電極直接位于所述薄膜晶體管中的漏極的上層，所述漏極直接與所述像素電極電性相連。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2a和圖2b分別為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的俯視圖；
[0024]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4a、圖4b和圖4c分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的具體結(jié)構(gòu)示意圖之
[0026]圖5a、圖5b和圖5c分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的具體結(jié)構(gòu)示意圖之-* ;
[0027]圖6a、圖6b和圖6c分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的具體結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
[0029]附圖中各膜層的厚度和區(qū)域的大小形狀不反映薄膜晶體管各部件的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管，如圖3所示，包括:位于襯底基板之上的柵極01、有源層02、源極03和漏極04 ;源極03和漏極04相對(duì)而置且分別與有源層02電性相連；
[0031]如圖4a至圖4c所示，源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a在襯底基板上的正投影的形狀為彎曲形狀，即在襯底基板上的正投影的形狀為非直線形狀。
[0032]在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，將源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a設(shè)計(jì)為彎曲的形狀，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域?yàn)橹本€，可以在不增加薄膜晶體管所占面積的情況下，增長(zhǎng)源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a的長(zhǎng)度，從而改善了關(guān)態(tài)電流急增的問(wèn)題。
[0033]進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管在具體實(shí)施時(shí)，可以將源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a，在襯底基板上的正投影的形狀具體設(shè)置為折線型或曲線型等形狀，在此不作限定。具體地，源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a可以設(shè)置為Z字折線形，如圖4a和圖5a所示；源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a也可以設(shè)置為弧線Z字形，如圖4b和圖5b所示；源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a還可以設(shè)置為有夾角的折線型，如圖4c和圖5c所示。上述圖形形狀僅是舉例說(shuō)明，不限于此，在具體實(shí)施時(shí)，可以根據(jù)構(gòu)圖工藝的精度設(shè)計(jì)具體圖形，在此不做限定。這樣，由于將源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a設(shè)計(jì)成彎曲的形狀，有效地增加了源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a的長(zhǎng)度，改善了薄膜晶體管的關(guān)態(tài)電流急增的問(wèn)題。
[0034]在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，在源極03和漏極04與有源層02之間還可以設(shè)置有絕緣層，具體地，源極03和漏極04與有源層02可以通過(guò)絕緣層中的過(guò)孔電性相連，如圖5a至圖5c所示；或者，在本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管中的源極03和漏極04可以直接位于有源層02的上層，這樣源極03和漏極04可以直接與有源層02電性相連，如圖4a至圖4c所示。這樣，在采用上述兩種源極03和漏極04與有源層02之間連接方式設(shè)計(jì)薄膜晶體管時(shí)，均將源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a設(shè)計(jì)成彎曲的形狀，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域?yàn)橹本€，可以在不增加薄膜晶體管所占面積的情況下，增長(zhǎng)源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度，從而改善了關(guān)態(tài)電流急增的問(wèn)題。
[0035]具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中的有源層02可以采用半導(dǎo)體氧化物材料制作，也可以采用非晶硅材料制備，在此不做限定。當(dāng)薄膜晶體管的有源層02采用半導(dǎo)體氧化物材料制作時(shí)，更利于利用構(gòu)圖工藝形成彎曲形狀，因此可以通過(guò)增長(zhǎng)源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度的方式，改善關(guān)態(tài)電流急增的問(wèn)題。
[0036]具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管在具體實(shí)施時(shí)可以采用頂柵型，也可以采用底柵型，在此不作限定。本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管均是以底柵型薄膜晶體管為例進(jìn)行說(shuō)明的，如圖3所示，在底柵型TFT中在柵極01和有源層02之間一般還設(shè)置有柵絕緣層05。在本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管應(yīng)用于底柵型或頂柵型結(jié)構(gòu)時(shí)，均可將源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a設(shè)計(jì)成彎曲的形狀，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域?yàn)橹本€，可以在不增加薄膜晶體管所占面積的情況下，增長(zhǎng)源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度，從而改善了關(guān)態(tài)電流急增的問(wèn)題。
[0037]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，由于該陣列基板解決問(wèn)題的原理與前述薄膜晶體管相似，因此該陣列基板的實(shí)施可以參見薄膜晶體管的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，如圖6a至圖6c所示，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管，與 薄膜晶體管中的柵極01電性相連的柵線06、與薄膜晶體管中的源極03電性相連的數(shù)據(jù)線07，以及與薄膜晶體管中的漏極04電性相連的像素電極08。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，將薄膜晶體管中源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a設(shè)計(jì)為彎曲的形狀，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域?yàn)橹本€，在薄膜晶體管所占面積相同的情況下，增加了源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度，這樣可以在保證關(guān)態(tài)電流的情況下，盡量減小薄膜晶體管所占面積，尤其是在應(yīng)用于高分辨率顯示時(shí)，可以保證具有較大的開口率。
[0040]在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖6a至圖6c所示，一般將薄膜晶體管的源極03和漏極04沿著柵線的延伸方向排列，這樣的排列方式更有利于提高陣列基板中各像素的空間利用率，尤其是應(yīng)用于高分辨率顯示時(shí)，可以保證具有較大的開口率。
[0041]進(jìn)一步地，在將薄膜晶體管的源極03和漏極04沿著柵線的延伸方向排列時(shí)，為了避免漏極和鄰近的數(shù)據(jù)線之間的短路問(wèn)題，一般將薄膜晶體管中的漏極04與最鄰近的數(shù)據(jù)線之間的間隙設(shè)計(jì)為大于5.0 μ m，這樣，可以有效避免短路的問(wèn)題。
[0042]進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，薄膜晶體管中的漏極04與像素電極08之間的連接關(guān)系可以采用下述兩種方式:第一種，可以在漏極04和像素電極08之間設(shè)置鈍化層，漏極04與像素電極08通過(guò)鈍化層中的過(guò)孔電性相連；第二種，像素電極08可以直接位于薄膜晶體管中的漏極04的上層，漏極04直接與像素電極08電性相連，如圖6a至圖6c所示。
[0043]采用上述兩種連接方式的薄膜晶體管，均可以將源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域a設(shè)計(jì)成彎曲的形狀，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域?yàn)橹本€，在不增加薄膜晶體管所占面積的情況下，增長(zhǎng)了源極03和漏極04之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度，從而改善了關(guān)態(tài)電流急增的問(wèn)題。
[0044]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板可以應(yīng)用于液晶顯示面板，也可以應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，在此不做限定。
[0045]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，該顯示裝置可以是顯示器、手機(jī)、電視、筆記本、一體機(jī)等，對(duì)于顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0046]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置，將薄膜晶體管中源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域設(shè)計(jì)為彎曲的形狀，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域?yàn)橹本€，可以在不增加薄膜晶體管所占面積的情況下，增長(zhǎng)源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度，從而改善了關(guān)態(tài)電流急增的問(wèn)題。并且，在薄膜晶體管所占面積相同的情況下，增加了源極和漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域的長(zhǎng)度，這樣可以在保證關(guān)態(tài)電流的情況下，盡量減小薄膜晶體管所占面積，尤其是在應(yīng)用于高分辨率顯示時(shí)，可以保證具有較大的開口率。
[0047] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管，包括:位于襯底基板之上的柵極、有源層、源極和漏極，其中，所述源極和所述漏極相對(duì)而置且分別與所述有源層電性相連，其特征在于: 所述源極和所述漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域在所述襯底基板上的正投影的形狀為彎曲形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和所述漏極之間的間隙處對(duì)應(yīng)的有源層區(qū)域在所述襯底基板上的正投影的形狀為折線型或曲線型。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和漏極所在膜層與所述有源層之間具有絕緣層，所述源極和漏極通過(guò)所述絕緣層中的過(guò)孔分別與所述有源層電性相連；或， 所述源極和所述漏極所在膜層直接位于所述有源層的上層，所述源極和漏極分別直接與所述有源層電性相連。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的材料為半導(dǎo)體氧化物材料。
5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型或底柵型。
6.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，與所述薄膜晶體管中的柵極電性相連的柵線、與所述薄膜晶體管中的源極電性相連的數(shù)據(jù)線，以及與所述薄膜晶體管 中的漏極電性相連的像素電極。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管中的源極和漏極沿著所述柵線的延伸方向排列。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管中的漏極與最鄰近的數(shù)據(jù)線之間的間隙大于5.0 μ m。
9.如權(quán)利要求6-8任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管中的漏極與所述像素電極之間具有鈍化層，所述漏極與所述像素電極通過(guò)所述鈍化層中的過(guò)孔電性相連；或， 所述像素電極直接位于所述薄膜晶體管中的漏極的上層，所述漏極直接與所述像素電極電性相連。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/02GK104022157SQ201410225263
【公開日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年5月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月26日
【發(fā)明者】嚴(yán)允晟, 王孝林, 姚星, 王海燕 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司