一種節(jié)約材料的磁芯的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種節(jié)約材料的磁芯，包括均為磁體的磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛，所述心柱磁芯位于所述磁芯上軛、磁芯下軛之間，所述心柱磁芯的頂端與所述磁芯上軛相接觸，所述心柱磁芯的底端與所述磁芯下軛相接觸，所述磁芯上軛、磁芯下軛相平行，所述心柱磁芯垂直于所述磁芯上軛、磁芯下軛，所述磁芯上軛的側(cè)邊棱角設(shè)有上缺口，所述磁芯下軛的側(cè)邊棱角設(shè)有下缺口。本實(shí)用新型的有益效果是：分別在磁芯上軛的側(cè)邊棱角設(shè)置上缺口，在磁芯下軛的側(cè)邊棱角設(shè)置下缺口，由于磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛在上缺口、下缺口部分并不能形成閉合磁路，因此，該部分的材料對(duì)整個(gè)磁路不構(gòu)成影響，設(shè)置上缺口、下缺口可節(jié)約材料。
【專利說(shuō)明】 一種節(jié)約材料的磁芯
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及磁芯，尤其涉及一種節(jié)約材料的磁芯。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的磁芯存在材料浪費(fèi)的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種節(jié)約材料的磁芯。
[0004]本實(shí)用新型提供了一種節(jié)約材料的磁芯，包括均為磁體的磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛，所述心柱磁芯位于所述磁芯上軛、磁芯下軛之間，所述心柱磁芯的頂端與所述磁芯上軛相接觸，所述磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛形成閉合磁路，所述心柱磁芯的底端與所述磁芯下軛相接觸，所述磁芯上軛、磁芯下軛相平行，所述心柱磁芯垂直于所述磁芯上軛、磁芯下軛，所述磁芯上軛的側(cè)邊棱角設(shè)有上缺口，所述磁芯下軛的側(cè)邊棱角設(shè)有下缺□。
[0005]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述上缺口位于所述心柱磁芯在所述磁芯上軛的垂直投影之外。
[0006]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述下缺口位于所述心柱磁芯在所述磁芯下軛的垂直投影之外。
[0007]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述心柱磁芯為圓柱體。
[0008]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述心柱磁芯至少有二個(gè)并平行設(shè)置。
[0009]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述磁芯上軛為長(zhǎng)方體，所述上缺口有四個(gè)并分別位于所述磁芯上軛的四條側(cè)邊棱角。
[0010]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述上缺口為直角缺口。
[0011]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述磁芯下軛為長(zhǎng)方體，所述下缺口有四個(gè)并分別位于所述磁芯下軛的四條側(cè)邊棱角。
[0012]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述下缺口為直角缺口。
[0013]本實(shí)用新型的有益效果是:通過(guò)上述方案，分別在磁芯上軛的側(cè)邊棱角設(shè)置上缺口，在磁芯下軛的側(cè)邊棱角設(shè)置下缺口，由于磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛在上缺口、下缺口部分并不能形成閉合磁路，因此，該部分的材料對(duì)整個(gè)磁路不構(gòu)成影響，設(shè)置上缺口、下缺口可節(jié)約材料。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是本實(shí)用新型一種節(jié)約材料的磁芯的主視圖；
[0015]圖2是本實(shí)用新型一種節(jié)約材料的磁芯的俯視圖；
[0016]圖3是本實(shí)用新型一種節(jié)約材料的磁芯的右視圖。【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】及【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。
[0018]圖1至圖3中的附圖標(biāo)號(hào)為:磁芯上軛I ;上缺口 11 ;磁芯下軛2 ;下缺口 21 ;心柱磁芯3。
[0019]如圖1至圖3所示，一種節(jié)約材料的磁芯，包括均為磁體材料制成的的磁芯上軛1、心柱磁芯3和磁芯下軛2，所述心柱磁芯3位于所述磁芯上軛1、磁芯下軛2之間，所述心柱磁芯3的頂端與所述磁芯上軛I相接觸，所述心柱磁芯3的底端與所述磁芯下軛2相接觸，所述磁芯上軛1、磁芯下軛2相平行，所述心柱磁芯3垂直于所述磁芯上軛1、磁芯下軛2，所述磁芯上軛I的側(cè)邊棱角設(shè)有上缺口 11，所述磁芯下軛2的側(cè)邊棱角設(shè)有下缺口 21，所述磁芯上軛1、心柱磁芯3和磁芯下軛I形成閉合磁路。
[0020]如圖1至圖3所示,所述上缺口 11位于所述心柱磁芯3在所述磁芯上軛I的垂直投影之外。
[0021]如圖1至圖3所示，所述下缺口 21位于所述心柱磁芯3在所述磁芯下軛2的垂直投影之外。
[0022]如圖1至圖3所示，所述心柱磁芯3為圓柱體。
[0023]如圖1至圖3所示，所述心柱磁芯3有二個(gè)并平行設(shè)置。
[0024]如圖1至圖3所示，所述磁芯上軛I為長(zhǎng)方體，所述上缺口 11有四個(gè)并分別位于所述磁芯上軛I的四條側(cè)邊棱角。
[0025]如圖1至圖3所示，所述上缺口 I為直角缺口。
[0026]如圖1至圖3所示，所述磁芯下軛2為長(zhǎng)方體，所述下缺口 21有四個(gè)并分別位于所述磁芯下軛2的四條側(cè)邊棱角。
[0027]如圖1至圖3所示，所述下缺口 21為直角缺口。
[0028]本實(shí)用新型提供的一種節(jié)約材料的磁芯，分別在磁芯上軛I的側(cè)邊棱角設(shè)置上缺口 11，在磁芯下軛2的側(cè)邊棱角設(shè)置下缺口 21，由于磁芯上軛1、心柱磁芯3和磁芯下軛2在上缺口 11、下缺口 21部分并不能形成閉合磁路，因此，該部分的材料對(duì)整個(gè)磁路不構(gòu)成影響，設(shè)置上缺口 11、下缺口 21可節(jié)約材料。
[0029]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種節(jié)約材料的磁芯，其特征在于:包括均為磁體的磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛，所述心柱磁芯位于所述磁芯上軛、磁芯下軛之間，所述心柱磁芯的頂端與所述磁芯上軛相接觸，所述心柱磁芯的底端與所述磁芯下軛相接觸，所述磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛形成閉合磁路，所述磁芯上軛、磁芯下軛相平行，所述心柱磁芯垂直于所述磁芯上軛、磁芯下軛，所述磁芯上軛的側(cè)邊棱角設(shè)有上缺口，所述磁芯下軛的側(cè)邊棱角設(shè)有下缺口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的節(jié)約材料的磁芯，其特征在于:所述上缺口位于所述心柱磁芯在所述磁芯上軛的垂直投影之外。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的節(jié)約材料的磁芯，其特征在于:所述下缺口位于所述心柱磁芯在所述磁芯下軛的垂直投影之外。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的節(jié)約材料的磁芯，其特征在于:所述心柱磁芯為圓柱體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的節(jié)約材料的磁芯，其特征在于:所述心柱磁芯至少有二個(gè)并平行設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的節(jié)約材料的磁芯，其特征在于:所述磁芯上軛為長(zhǎng)方體，所述上缺口有四個(gè)并分別位于所述磁芯上軛的四條側(cè)邊棱角。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的節(jié)約材料的磁芯，其特征在于:所述上缺口為直角缺口。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的節(jié)約材料的磁芯，其特征在于:所述磁芯下軛為長(zhǎng)方體，所述下缺口有四個(gè)并分別位于所述磁芯下軛的四條側(cè)邊棱角。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的節(jié)約材料的磁芯，其特征在于:所述下缺口為直角缺口。
【文檔編號(hào)】H01F27/26GK203406143SQ201320462969
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日
【發(fā)明者】羅濤 申請(qǐng)人:深圳市鉑科磁材有限公司