一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，其在外延生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層前，先采用光刻工藝將襯底表面分割成若干個(gè)方格子，而后在分割成的方格子四周用激光劃出一定深度的溝道，大尺寸襯底通過這樣的處理后，再進(jìn)行外延層生長(zhǎng)時(shí)，外延層被彼此相互隔開，都是在獨(dú)立的方格子上生長(zhǎng)，這樣就有利于襯底應(yīng)力的釋放，襯底就不會(huì)再受到外延層的拉扯應(yīng)力，從而避免了大尺寸襯底芯片制作過程中，外延生長(zhǎng)時(shí)翹曲嚴(yán)重問題的發(fā)生，進(jìn)而使外延層襯底受熱均勻，芯片的光電性能大幅提高。
【專利說明】一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及用于大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管具有體積小、效率高和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，在交通指示、戶外全色顯示等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。尤其是利用大功率發(fā)光二極管可能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體固態(tài)照明，引起人類照明史的革命，從而逐漸成為目前電子學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
[0003]中國(guó)逐步淘汰白熾燈路線圖:淘汰目標(biāo)是普通照明用白熾燈，包括E14、E27螺口型和B22卡口型。第一步:2011年10月1日，發(fā)布中國(guó)淘汰白熾燈政府公告及路線圖，并將2011年10月1日至2012年9月30日設(shè)為過渡期。第二步:2012年10月1日起，禁止銷售和進(jìn)口 100瓦及以上普通照明用白熾燈。第三步:2014年10月1日起，禁止銷售和進(jìn)口 60瓦及以上普通照明用白熾燈；依據(jù)能效標(biāo)準(zhǔn)，禁止生產(chǎn)、銷售和進(jìn)口光效低于能效限定值的低效鹵鎢燈。第四步:2015年10月1日至2016年9月30日，對(duì)前期政策進(jìn)行評(píng)估，調(diào)整后續(xù)政策。第五步:2016年10月1日起，禁止銷售和進(jìn)口 15瓦及以上普通照明用白熾燈。
[0004]目前LED照明燈單價(jià)相對(duì)其他形式的燈還較高，所以生產(chǎn)者必須想辦法降低制造成本，以至于消費(fèi)者能夠接受，從而推動(dòng)LED照明發(fā)展。目前2英寸藍(lán)寶石襯底LED芯片制造工藝較成熟，而能夠有效的降低制造成本的方式是使用大尺寸的藍(lán)寶石襯底來制造LED芯片，比如4英寸、6英寸，其降低制造成本的效用不言而知。
[0005]但是，使用大尺寸藍(lán)寶石襯底制造LED芯片的工藝尚不成熟，有些技術(shù)難點(diǎn)還需攻克，尤其是在外延生長(zhǎng)方面更是技術(shù)難點(diǎn)，由于外延生長(zhǎng)時(shí)需要不斷的升降溫，而外延層與藍(lán)寶石襯底的熱膨脹系數(shù)有所差異，所以在外延生長(zhǎng)時(shí)襯底翹曲會(huì)很嚴(yán)重，從而導(dǎo)致外延層襯底受熱不均勻，使得其光電參數(shù)不均勻、參數(shù)異常。
[0006]鑒于此，實(shí)有必要提供一種適合外延生長(zhǎng)的大尺寸圖形藍(lán)寶石襯底芯片的制作方法，以解決大尺寸藍(lán)寶石襯底外延生長(zhǎng)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，用于解決現(xiàn)有大尺寸襯底芯片制備技術(shù)中由于在外延生長(zhǎng)過程中，生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層和量子阱層時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的內(nèi)應(yīng)力，從而造成襯底發(fā)生嚴(yán)重的翹曲，進(jìn)而使得外延層襯底受熱不均勻，其光電參數(shù)不均勻、參數(shù)異常的問題。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，所述大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法至少包括以下步驟:
[0009]1)提供一圖形化襯底，在所述襯底上生長(zhǎng)緩沖層；
[0010]2)在所述緩沖層上生長(zhǎng)氧化硅薄膜；[0011]3)光刻步驟2)得到的襯底，將其表面分割成若干個(gè)方格子，并暴露出緩沖層；
[0012]4)在所述方格子四周的緩沖層中形成溝道；
[0013]5)對(duì)所述形成的溝道進(jìn)行清洗；
[0014]6)去除所述方格子表面的氧化硅薄膜；
[0015]7)在步驟6)得到的襯底上依次生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層、量子阱層及P型半導(dǎo)體層。
[0016]優(yōu)選地，步驟2)中所述氧化硅薄膜的厚度為800?8000埃。
[0017]優(yōu)選地，步驟4)中形成所述溝道的工藝為光刻和刻蝕或激光劃片工藝。
[0018]優(yōu)選地，步驟4)中所述溝道將圖形化襯底表面分割成若干個(gè)和最終芯片完全一樣尺寸的小區(qū)間。
[0019]優(yōu)選地，步驟4)中所述溝道的深度h為10?25 μ m。
[0020]優(yōu)選地，步驟4)中所述溝道的深度h為20 μ m。
[0021]可選地，步驟1)中所述圖形化襯底為Si襯底、SiC襯底或藍(lán)寶石襯底。
[0022]可選地，步驟5)中使用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿溶液對(duì)所述形成的溝道進(jìn)行清洗。
[0023]優(yōu)選地，步驟5)中使用加熱至200?350°C的強(qiáng)酸或強(qiáng)堿溶液對(duì)所述形成的溝道進(jìn)行清洗。
[0024]如上所述，本發(fā)明的一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，具有以下有益效果:
[0025]在外延生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層前,先米用光刻工藝將襯底表面分割成若干個(gè)方格子，而后在分割成的方格子四周用激光劃出一定深度的溝道，大尺寸襯底通過這樣的處理后，再進(jìn)行外延層生長(zhǎng)時(shí)，外延層被彼此相互隔開，都是在獨(dú)立的方格子上生長(zhǎng)，這樣就有利于襯底應(yīng)力的釋放，襯底就不會(huì)再受到外延層的拉扯應(yīng)力，從而避免了大尺寸襯底芯片制作過程中，外延生長(zhǎng)時(shí)翹曲嚴(yán)重問題的發(fā)生，進(jìn)而使外延層襯底受熱均勻，芯片的光電性能大巾畐提聞。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1顯示為本發(fā)明的一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法的在圖形化襯底上生長(zhǎng)緩沖層的示意圖；
[0027]圖2顯示為本發(fā)明的一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法的在緩沖層上生長(zhǎng)氧化硅薄膜的示意圖；
[0028]圖3?4顯示為本發(fā)明的一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法的光刻步驟2)得到的襯底，將其表面分割成若干個(gè)方格子的示意圖，其中圖4為圖3的俯視圖；
[0029]圖5?6顯示為本發(fā)明的一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法的在所述方格子四周的緩沖層中形成溝道的示意圖，其中圖6為圖5的俯視圖；
[0030]圖7?8顯示為本發(fā)明的一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法的去除所述方格子表面的氧化硅薄膜的示意圖，其中圖8為圖7的俯視圖；
[0031]圖9顯示為本發(fā)明的一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法的在步驟6)得到的襯底上依次生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層、量子阱層及P型半導(dǎo)體層的示意圖。
[0032]元件標(biāo)號(hào)說明
[0033]1圖形化襯底[0034]2緩沖層
[0035]3氧化硅薄膜
[0036]4方格子
[0037]5溝道
[0038]6N型半導(dǎo)體層
[0039]7量子阱層
[0040]8P型半導(dǎo)體層
[0041]h溝道的深度
【具體實(shí)施方式】
[0042]以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0043]請(qǐng)參閱圖1至圖9，需要說明的是，本實(shí)施`例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，雖圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0044]如圖1至圖9所示，本發(fā)明提供一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，所述方法至少包括:
[0045]1)提供一圖形化襯底1，在所述襯底上生長(zhǎng)緩沖層2 ；
[0046]2)在所述緩沖層2上生長(zhǎng)氧化硅薄膜3 ；
[0047]3)光刻步驟2)得到的襯底，將其表面分割成若干個(gè)方格子4，并暴露出緩沖層2 ；
[0048]4)在所述方格子4四周的緩沖層中形成溝道5 ；
[0049]5)對(duì)所述形成的溝道5進(jìn)行清洗；
[0050]6)去除所述方格子4表面的氧化硅薄膜3 ；
[0051]7)在步驟6)得到的襯底上依次生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層6、量子阱層7及P型半導(dǎo)體層8。
[0052]在步驟1)中，請(qǐng)參閱圖1，提供一圖形化襯底1，在所述襯底上生長(zhǎng)緩沖層2。所述圖形化襯底1可以為Si襯底、SiC襯底或藍(lán)寶石襯底等，本實(shí)施例中優(yōu)選藍(lán)寶石襯底。所述圖形化襯底1的尺寸應(yīng)在2英寸以上，本發(fā)明對(duì)大尺寸襯底的有益效果會(huì)更為明顯，本實(shí)施例中采用8英寸的生長(zhǎng)襯底，實(shí)際上襯底尺寸越大，可同時(shí)制備更多的芯片，有利于節(jié)約生產(chǎn)成本。
[0053]所述緩沖層2為GaN材料，形成所述緩沖層2的方法為化學(xué)氣相沉積法。
[0054]在步驟2)中，請(qǐng)參閱圖2，在所述緩沖層2上生長(zhǎng)氧化硅薄膜3。所述氧化硅薄膜的厚度為800~8000埃。
[0055]在步驟3)中，請(qǐng)參閱圖3和圖4，其中，圖4為圖3的俯視圖，光刻步驟2)得到的襯底，將其表面分割成若干個(gè)方格子4，并暴露出緩沖層2。具體的，通過光刻工藝，去除每個(gè)預(yù)設(shè)定方格子4周圍的氧化硅薄膜3，將所述襯底表面分割成若干個(gè)比芯片小的方格子4。
[0056]在步驟4)中，請(qǐng)參閱圖5和圖6，其中，圖6是圖5的俯視圖，在所述方格子4四周的緩沖層中形成溝道5。形成所述溝道5的方法可以為先通過光刻工藝在光刻膠掩膜層上形成溝道圖形，而后采用刻蝕工藝在襯底中形成所需深度的溝道或激光劃片的方法，由于激光劃片工藝具有精準(zhǔn)的方向性，工藝簡(jiǎn)單合理，激光劃刻速度快、工藝時(shí)間段、成本低，所以，本實(shí)施例中優(yōu)選激光劃片工藝。
[0057]所述溝道5將圖形化襯底1表面分割成若干個(gè)和最終芯片完全一樣尺寸的小區(qū)間。需要說明的是，所述每個(gè)小區(qū)間生長(zhǎng)外延并經(jīng)過后續(xù)加工后，形成各個(gè)芯片的初始結(jié)構(gòu)，在裂片工藝前，各個(gè)芯片的初始結(jié)構(gòu)時(shí)相連的，經(jīng)過裂片工藝后，各個(gè)芯片分離。因此，上述所指的尺寸相同，并非是完全意義上的尺寸絲毫不差，而是指小區(qū)間的尺寸基本決定了芯片的尺寸，由研磨、背減薄、裂片等造成的最終芯片尺寸與所述小區(qū)間的尺寸之間的微小差距是可以忽略的。
[0058]所述溝道5位于方格子四周，優(yōu)選地，溝道5位于相鄰方格子之間的中心線上。
[0059]所述溝道5的深度h為10?25 μ m，優(yōu)選地，所述溝道5的深度h為20 μ m。
[0060]在外延生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層6前，先米用光刻工藝將圖形化襯底1表面分割成若干個(gè)方格子4，而后在分割成的方格子4四周用激光劃出一定深度的溝道5，將圖形化襯底1表面分割成若干個(gè)和最終芯片完全一樣尺寸的小區(qū)間，大尺寸圖形化襯底通過這樣的處理后，再進(jìn)行外延層生長(zhǎng)時(shí)，，外延層無法在所述溝道4上生長(zhǎng)，外延層被彼此相互隔開，都是在獨(dú)立的方格子上生長(zhǎng)，這樣就有利于襯底應(yīng)力的釋放，襯底就不會(huì)再受到外延層的拉扯應(yīng)力，從而避免了大尺寸襯底芯片制作過程中，外延生長(zhǎng)時(shí)翹曲嚴(yán)重問題的發(fā)生，進(jìn)而使外延層襯底受熱均勻，芯片的光電性能大幅提高。
[0061]又由于外延生長(zhǎng)時(shí)選擇性的特點(diǎn)，外延層無法在所述溝道4上生長(zhǎng)，這就保證了在外延生長(zhǎng)過程中，外延層被彼此相互隔開，都是在獨(dú)立的方格子上生長(zhǎng)，這樣襯底就不會(huì)再受到外延層的拉扯應(yīng)力，從而能夠改善尺寸藍(lán)寶石襯底外延生長(zhǎng)時(shí)翹曲嚴(yán)重的問題。
[0062]需要說明的是，為了防止步驟4)產(chǎn)生的雜質(zhì)對(duì)后續(xù)外延工藝造成污染，需要在步驟4)之后執(zhí)行步驟5)，即對(duì)所形成的溝道5進(jìn)行清洗的步驟，以去除步驟4)生成的溝道中的贓物。本實(shí)施例中使用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿溶液對(duì)所述溝道5進(jìn)行清洗，所述強(qiáng)酸溶液可以為硫酸、磷酸，或者他們的混合溶液，所述強(qiáng)堿溶液可以為氫氧化鉀、氫氧化鈉，或者他們的混合溶液。為了達(dá)到最好的腐蝕效果，一般都使用加熱至200?350°C的強(qiáng)酸或強(qiáng)堿溶液，優(yōu)選地，本實(shí)施例中所使用的腐蝕微小圖形包11的溶液為加熱至200?350°C的強(qiáng)酸溶液，更為優(yōu)選的，使用的溶液為加熱至200?350°C的硫酸與磷酸的混合溶液。
[0063]此外，還可采用激光清洗的方法，通常激光清洗可以利用激光清洗裝置來完成，與傳統(tǒng)的濕法清洗相比，激光清洗能有效去除亞微米級(jí)的污染顆粒、有機(jī)物、油污等，對(duì)襯底不損傷、無污染。例如，可利用248nm、30ns的KrF準(zhǔn)分子激光對(duì)襯底進(jìn)行清洗。
[0064]在步驟6 )中，請(qǐng)參閱圖7和圖8，其中，圖8是圖7的俯視圖，去除所述方格子4表面的氧化硅薄膜3。由圖8可以看出，去除方格子4表面的氧化硅薄膜3以后，圖形化襯底1的表面被溝道5分割成若干個(gè)獨(dú)立的小區(qū)間，這就保證了后續(xù)工藝外延層生長(zhǎng)過程中各區(qū)域的獨(dú)立性而不受影響。
[0065]在步驟7)中，請(qǐng)參閱圖9，在步驟6)得到的襯底上依次生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層6、量子阱層7及P型半導(dǎo)體層8。
[0066]在本實(shí)施例中，采用化學(xué)氣相沉積法于所述緩沖層2的表面上依次形成N型半導(dǎo)體層6、量子阱層7及P型半導(dǎo)體層8。所述N型半導(dǎo)體層6為N型GaN層，所述量子阱層7為多重量子阱，其材料可為In摻雜的GaN，所述P型半導(dǎo)體層8為P型GaN層。
[0067]由于在所述襯底的表面已經(jīng)被溝道5分割成了若干個(gè)獨(dú)立的小區(qū)間，所以GaN等半導(dǎo)體材料在外延生長(zhǎng)過程中無法在溝道5上生長(zhǎng)，所以，該步驟中其可外延自發(fā)生長(zhǎng)成被所述溝道5向上延伸形成的深溝道分割的各個(gè)單體芯片結(jié)構(gòu)。
[0068]綜上所述，本發(fā)明提供的一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，其在外延生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層前，先采用光刻工藝將襯底表面分割成若干個(gè)方格子，而后在分割成的方格子四周用激光劃出一定深度的溝道，大尺寸襯底通過這樣的處理后，再進(jìn)行外延層生長(zhǎng)時(shí)，夕卜延層被彼此相互隔開，都是在獨(dú)立的方格子上生長(zhǎng)，這樣就有利于襯底應(yīng)力的釋放，襯底就不會(huì)再受到外延層的拉扯應(yīng)力，從而避免了大尺寸襯底芯片制作過程中，外延生長(zhǎng)時(shí)翹曲嚴(yán)重問題的發(fā)生，進(jìn)而使外延層襯底受熱均勻，芯片的光電性能大幅提高。
[0069]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟:1)提供一圖形化襯底，在所述襯底上生長(zhǎng)緩沖層；2)在所述緩沖層上生長(zhǎng)氧化硅薄膜；3)光刻步驟2)得到的襯底，將其表面分割成若干個(gè)方格子，并暴露出緩沖層；4)在所述方格子四周的緩沖層內(nèi)形成溝道；5)對(duì)所述形成的溝道進(jìn)行清洗；6)去除所述方格子表面的氧化硅薄膜；7)在步驟6)得到的襯底上依次生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層、量子阱層及P型半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，其特征在于:步驟2)中生長(zhǎng)的所述氧化硅薄膜的厚度為800?8000埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，其特征在于:步驟4)中形成所述溝道的工藝為光刻和刻蝕或激光劃片工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，其特征在于:步驟4)中所述溝道將圖形化襯底表面分割成若干個(gè)和最終芯片尺寸完全一樣的小區(qū)間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，其特征在于:步驟4)中所述溝道的深度h為10?25 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，其特征在于:步驟4)中所述溝道的深度h為20 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，其特征在于:步驟1)中所述圖形化襯底為Si襯底、SiC襯底或藍(lán)寶石襯底。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，其特征在于:步驟5)中使用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿溶液對(duì)所述形成的溝道進(jìn)行清洗。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的大尺寸圖形化襯底芯片的制作方法，其特征在于:步驟5)中使用加熱至200?350°C的強(qiáng)酸或強(qiáng)堿溶液對(duì)所述形成的溝道進(jìn)行清洗。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK103746046SQ201310629169
【公開日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】袁根如, 郝茂盛, 陶淳, 邢志剛, 陳耀, 李振毅 申請(qǐng)人:上海藍(lán)光科技有限公司