技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明為具有隔離溝道的FINFET器件。盡管有FinFET和應(yīng)變硅器件的改進(jìn)，晶體管仍然繼續(xù)隨著器件尺度縮減而遭受性能下降。這些性能下降具體包括在半傳導(dǎo)溝道與襯底之間的電荷泄漏。隔離溝道FinFET器件通過在溝道(鰭)與襯底之間插入絕緣層來防止溝道到襯底泄漏。絕緣層物理和電隔離鰭與襯底。為了形成隔離FinFET器件，可以在氮化物柱之間從硅表面外延生長雙層鰭陣列，這些氮化物柱提供在相鄰鰭之間的局部化絕緣。然后可以去除下鰭層而留下上鰭層，因此產(chǎn)生在硅表面上方懸置的氮化物柱和半傳導(dǎo)鰭的交錯(cuò)陣列。然后可以用氧化物填充在上鰭層下面的所得間隙以隔離鰭溝道陣列與襯底。

技術(shù)研發(fā)人員：N·勞貝特;P·卡雷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體公司
文檔號(hào)碼：201310459266
技術(shù)研發(fā)日：2013.09.26
技術(shù)公布日：2017.05.10