本發(fā)明涉及氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件、氮化物半導(dǎo)體晶體管元件、氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以及氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法。

背景技術(shù)：
因為含氮的III-V族化合物半導(dǎo)體(III族氮化物半導(dǎo)體)具有相當(dāng)于具有從紅外線到紫外線區(qū)域波長光能的帶隙，所以，作為發(fā)出為具有從紅外線到紫外線區(qū)域波長的光的發(fā)光元件和接受具有該區(qū)域波長的光的受光元件的材料是有用的。而且，III族氮化物半導(dǎo)體因為構(gòu)成III族氮化物半導(dǎo)體的原子間的鍵合強，絕緣擊穿電壓高，飽和電子速度大，所以作為耐高溫、高輸出、高頻晶體管等電子器件的材料也是有用的。進而，III族氮化物半導(dǎo)體幾乎不會危害環(huán)境，所以作為便于處理的材料也備受矚目。為了使用如上所述的良好材料即III族氮化物半導(dǎo)體制作實用的氮化物半導(dǎo)體元件，需要在規(guī)定的基板上層積由III族氮化物半導(dǎo)體的薄膜形成的III族氮化物半導(dǎo)體層，從而形成規(guī)定的元件結(jié)構(gòu)。在此，作為基板，使用由具有能夠在基板上使III族氮化物半導(dǎo)體直接生長的晶格系數(shù)及熱膨脹系數(shù)的III族氮化物半導(dǎo)體形成的基板是最合適的，作為由III族氮化物半導(dǎo)體形成的基板，例如優(yōu)選使用氮化鎵(GaN)基板等。然而，GaN基板在現(xiàn)有狀況下，其尺寸較小，直徑為2英寸以下，而且價格昂貴，所以是不實用的。因此，在現(xiàn)有狀況下，作為用于制作氮化物半導(dǎo)體元件的基板，可以使用與III族氮化物半導(dǎo)體的晶格系數(shù)差及熱膨脹系數(shù)差大的藍(lán)寶石基板、碳化硅(SiC)基板等。在藍(lán)寶石基板與典型的III族氮化物半導(dǎo)體即GaN之間存在大約16％左右的晶格系數(shù)差。而且，在SiC基板與GaN之間存在大約6％左右的晶格系數(shù)差。在基板和在該基板上生長的III族氮化物半導(dǎo)體之間存在這樣大的晶格系數(shù)差的情況下，通常在基板上難以使由III族氮化物半導(dǎo)體形成的晶體外延生長。例如，在藍(lán)寶石基板上使GaN晶體直接外延生長的情況下，無法避免GaN晶體在三維上的生長，存在不能得到具有平坦表面的GaN晶體的問題。因此，在基板與III族氮化物半導(dǎo)體之間，一般都形成用來消除基板與III族氮化物半導(dǎo)體之間的晶格系數(shù)差的、被稱為所謂緩沖層的層。例如，在專利文獻1(日本專利第3026087號公報)中記述一種方法，即在藍(lán)寶石基板上通過MOVPE法形成AlN的緩沖層后，使由AlxGa1-xN形成的III族氮化物半導(dǎo)體生長。然而，在專利文獻1中所述的方法中，也難以再現(xiàn)性良好地得到具有平坦表面的AlN的緩沖層。這可以認(rèn)為是因為在通過MOVPE法形成AlN的緩沖層的情況下，作為原料氣體所使用的三甲基鋁(TMA)氣體和氨氣(NH3)容易在氣相中發(fā)生反應(yīng)。因此，在專利文獻1所述的方法中，難以在AlN的緩沖層上使由表面平坦、且缺陷密度小的高品質(zhì)AlxGa1-xN形成的III族氮化物半導(dǎo)體再現(xiàn)性良好地生長。而且，例如在專利文獻2(日本特公平5-86646號公報)中公開了在藍(lán)寶石基板上通過施加直流偏壓的高頻濺射法形成AlxGa1-xN(0＜x≦1)緩沖層的方法。然而，利用專利文獻2所述的方法在AlxGa1-xN(0＜x≦1)緩沖層上所形成的III族氮化物半導(dǎo)體如專利文獻3的段落[0004]及專利文獻4的段落[0004]所述，不具有良好的結(jié)晶度。因此，在專利文獻3(日本專利第3440873號公報)中提出在氫氣和氨氣的混合氣體環(huán)境下對由DC磁控濺射法所形成的III族氮化物半導(dǎo)體形成的緩沖層進行熱處理的方法，而且在專利文獻4(日本專利第3700492號公報)中提出在升溫至400℃以上的藍(lán)寶石基板上通過DC磁控濺射法形成膜厚為50埃以上、3000埃以下的、由III族氮化物半導(dǎo)體形成的緩沖層的方法。此外，在專利文獻5(日本特開2008-34444號公報)中提出了在加熱至750℃的藍(lán)寶石基板上、通過高頻濺射法形成由AlN的柱狀晶體形成的緩沖層的方法。而且，在專利文獻6(日本專利第3950471號公報)中記述，為了使晶體缺陷較少的III族氮化物半導(dǎo)體生長，在基板表面上設(shè)置凹凸結(jié)構(gòu)，并且在其上使III族氮化物半導(dǎo)體橫向生長。進而，在專利文獻7(日本特開2006-352084號公報)的段落[0043]及[0044]中記述了由下述步驟形成的兩個階段的生長，即在設(shè)有凹凸結(jié)構(gòu)的基板上，“為使GaN層形成為在斜面上具有與藍(lán)寶石基板11的主表面傾斜的小平面的等腰三角形的剖面形狀，而使GaN層12生長”的步驟；以及“接著，將生長條件設(shè)定為橫向生長為主導(dǎo)的條件，繼續(xù)生長…使GaN層12橫向生長，直至其表面成為與藍(lán)寶石基板11的主表面平行的平坦面”的步驟?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：(日本)特許第3026087號公報專利文獻2：(日本)特公平5-86646號公報專利文獻3：(日本)特許第3440873號公報專利文獻4：(日本)特許第3700492號公報專利文獻5：(日本)特開2008-34444號公報專利文獻6：(日本)特許第3950471號公報專利文獻7：(日本)特開2006-352084號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：
發(fā)明要解決的問題然而，利用上述專利文獻3～5所述的方法，形成由III族氮化物半導(dǎo)體形成的緩沖層，即使在該緩沖層上已形成III族氮化物半導(dǎo)體層的情況下，也不能夠再現(xiàn)性良好地形成具有良好結(jié)晶度的III族氮化物半導(dǎo)體層，其結(jié)果為，不能夠再現(xiàn)性良好地制作出具有良好特性的氮化物半導(dǎo)體元件。而且，利用上述專利文獻6所述的方法，在凹凸基板上利用上述專利文獻5所述的方法形成由III氮化物半導(dǎo)體形成的緩沖層，即使在該緩沖層上進而利用上述專利文獻7所述的橫向生長、形成III族氮化物半導(dǎo)體層的情況下，也不能再現(xiàn)性良好地形成作為目標(biāo)的、具有良好結(jié)晶度的III族氮化物半導(dǎo)體層。進而，基板尺寸越從2英寸增大為3英寸、4英寸、6英寸及8英寸，就越難以在基板面內(nèi)形成均勻的、具有良好結(jié)晶度的III族氮化物半導(dǎo)體層。本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，目的在于提供在其上方能夠再現(xiàn)性良好地形成具有良好結(jié)晶度的氮化物層的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件、氮化物半導(dǎo)體晶體管元件、氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以及氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法。解決問題的技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的第一方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其具有：在表面具有凹部和設(shè)置于凹部之間的凸部的基板、設(shè)置在基板上的氮化物半導(dǎo)體中間層、設(shè)置在氮化物半導(dǎo)體中間層的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層、以及設(shè)置在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層，基板由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層具有在凸部的外側(cè)環(huán)繞凸部的至少六個第一小斜面，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的下表面與第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的第一小斜面相接，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的上表面平坦。在此，在本發(fā)明的第一方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，第一小斜面優(yōu)選相對于形成六方晶結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體的m軸傾斜。而且，在本發(fā)明的第一方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，凸部優(yōu)選沿基板的〈11-20〉方向排列。此外，在本發(fā)明的第一方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，在通過基板表面俯視時的凸部中心的剖視中，凸部優(yōu)選為具有前端部的形狀。而且，在本發(fā)明的第一方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，氮化物半導(dǎo)體中間層優(yōu)選由式AlN或AlxGa1-xN(0.5＜x≦1)所表示的氮化物半導(dǎo)體形成。此外，在本發(fā)明的第一方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，基板優(yōu)選為藍(lán)寶石基板。另外，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其具有：上述任一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、設(shè)置在氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層、設(shè)置在第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層上的氮化物半導(dǎo)體活性層、設(shè)置在氮化物半導(dǎo)體活性層上的第二導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層，與第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層相接的第一電極、與第二導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層相接的第二電極。而且，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體晶體管元件，其具有：上述任一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、設(shè)置在氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層、設(shè)置在第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層上的第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體電子供給層、以及設(shè)置在第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體電子供給層上的電極。此外，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其具有：在c面或與c面傾斜5°以內(nèi)范圍內(nèi)的表面上具有凹部和設(shè)置于凹部之間的凸部的藍(lán)寶石基板、設(shè)置在藍(lán)寶石基板上的氮化物半導(dǎo)體中間層、經(jīng)由氮化物半導(dǎo)體中間層設(shè)置在凹部上的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層、設(shè)置在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層，凸部沿藍(lán)寶石基板的〈11-20〉方向排列，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層具有在凸部的外側(cè)環(huán)繞凸部的第一小斜面，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的下表面與第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的第一小斜面相接，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的上表面平坦。另外，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括：準(zhǔn)備由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成且具有c面或與c面傾斜5°以內(nèi)范圍內(nèi)的表面的基板的工序；在基板的表面形成凹部和設(shè)置于凹部之間的凸部的工序；在形成有凹部和凸部的基板的表面上形成氮化物半導(dǎo)體中間層的工序；在氮化物半導(dǎo)體中間層上形成具有以凸部為中心、在凸部的外側(cè)環(huán)繞凸部的至少六個第一小斜面的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序；在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上形成上表面平坦的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序。在此，在本發(fā)明的第一方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序及形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序分別為利用MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition：金屬有機物化學(xué)氣相沉積)法的生長工序，優(yōu)選為滿足從下述的(i-1)、(ii-1)及(iii-1)中所選擇的至少一個條件而進行：(i-1)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的生長溫度低于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的生長溫度。(ii-1)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的壓力高于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的壓力。(iii-1)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時所供給的氣體的V/III比高于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時所供給的氣體的V/III比。而且，在本發(fā)明的第一方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，氮化物半導(dǎo)體中間層優(yōu)選通過濺射法形成。此外，在本發(fā)明的第一方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，第一小斜面優(yōu)選為相對于形成六方晶結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體的m軸傾斜的面。另外，在本發(fā)明的第一方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，凸部優(yōu)選沿基板的〈11-20〉方向排列。而且，在本發(fā)明的第一方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，在通過基板表面俯視時的凸部中心的剖視中，凸部優(yōu)選為具有前端部的形狀。進而，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法，其包括：準(zhǔn)備由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成且具有c面或與c面傾斜5°以內(nèi)范圍內(nèi)的表面的基板的工序；在基板的表面形成凹部和設(shè)置于凹部之間的凸部的工序；在形成有凹部和凸部的基板的表面上形成氮化物半導(dǎo)體中間層的工序；在氮化物半導(dǎo)體中間層上形成具有以凸部為中心、在凸部的外側(cè)環(huán)繞凸部的至少六個第一小斜面的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序；在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上形成上表面平坦的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序；在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上形成至少一層的氮化物半導(dǎo)體層的工序。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其具有：在表面具有凹部和設(shè)置于凹部之間的凸部的基板、設(shè)置在基板上的氮化物半導(dǎo)體中間層、至少設(shè)置在凹部的氮化物半導(dǎo)體中間層上的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層、至少設(shè)置在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層、至少設(shè)置在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層，基板由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面具有第三小斜面和第三平坦區(qū)域，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的第三小斜面的面積比例小于第三平坦區(qū)域的面積比例，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層具有環(huán)繞凸部的第一小斜面，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的下表面與第一小斜面相接，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的上表面平坦。在此，在本發(fā)明的第二方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，第一小斜面優(yōu)選具有相對于形成六方晶結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體的m軸傾斜的面。而且，在本發(fā)明的第二方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，凸部優(yōu)選沿基板的〈11-20〉方向排列。此外，在本發(fā)明的第二方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，在通過基板表面俯視時的凸部中心的剖視中，凸部優(yōu)選為具有前端部的形狀。而且，在本發(fā)明的第二方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，氮化物半導(dǎo)體中間層優(yōu)選由通過式AlN或AlxGa1-xN(0.5＜x≦1)所表示的氮化物半導(dǎo)體形成。此外，在本發(fā)明的第二方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，基板優(yōu)選為藍(lán)寶石基板。另外，根據(jù)本發(fā)明的第二方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其具有：在c面或與c面傾斜5°以內(nèi)范圍內(nèi)的表面上具有凹部和設(shè)置于凹部之間的凸部的藍(lán)寶石基板、設(shè)置在藍(lán)寶石基板上的氮化物半導(dǎo)體中間層、至少設(shè)置在凹部的氮化物半導(dǎo)體中間層上的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層、至少設(shè)置在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層、至少設(shè)置在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層，凸部沿藍(lán)寶石基板的〈11-20〉方向排列，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面具有第三小斜面和第三平坦區(qū)域，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的第三小斜面的面積比例小于第三平坦區(qū)域的面積比例，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層具有環(huán)繞凸部的第一小斜面和第一平坦區(qū)域，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層俯視時的第一小斜面的面積比例大于第一平坦區(qū)域的面積比例，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的下表面與第一小斜面相接，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的上表面平坦。而且，根據(jù)本發(fā)明的第二方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其具有：上述所述的任一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、設(shè)置在氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層、設(shè)置在第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層上的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光層、設(shè)置在氮化物半導(dǎo)體發(fā)光層上的第二導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層、與第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層相接的第一電極、與第二導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層相接的第二電極。此外，根據(jù)本發(fā)明的第二方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體晶體管元件，其具有：上述所述的任一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、設(shè)置在氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層、設(shè)置在第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層上的第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體電子供給層、設(shè)置在第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體電子供給層上的電極。另外，根據(jù)本發(fā)明的第二方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括：準(zhǔn)備由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成且具有c面或與c面傾斜5°以內(nèi)范圍內(nèi)的表面的基板的工序；在基板的表面形成凹部和設(shè)置于凹部之間的凸部的工序；在形成有凹部和凸部的基板的表面上形成氮化物半導(dǎo)體中間層的工序；至少在凹部的氮化物半導(dǎo)體中間層上形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序；至少在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序；至少在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序。形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序是在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面具有第三小斜面和第三平坦區(qū)域、并且第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的第三小斜面的面積比例小于第三平坦區(qū)域的面積比例的條件下進行的。形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序是在形成環(huán)繞凸部的第一小斜面的條件下進行的。形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序是在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的下表面與第一小斜面相接、并且第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的上表面平坦的條件下進行的。在此，在本發(fā)明的第二方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序優(yōu)選在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的粗糙面區(qū)域的面積比例為5％以下的條件下進行。而且，在本發(fā)明的第二方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層及第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序優(yōu)選為滿足從(i-2)使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的生長溫度高于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的生長溫度、(ii-2)使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的壓力低于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的壓力、以及(iii-2)使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時供給的氣體的V/III比低于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時供給的氣體的V/III比的(i-2)、(ii-2)、以及(iii-2)所選擇的至少一個條件而進行。此外，在本發(fā)明的第二方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序優(yōu)選為滿足從(I-3)使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的生長溫度高于第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的生長溫度、(II-3)使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的壓力低于第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的壓力、以及(III-3)使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時供給的氣體的V/III比低于第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時供給的氣體的V/III比的(I-3)、(II-3)、以及(III-3)中所選擇的至少一個條件而進行，并且為滿足從(a-3)使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的生長溫度高于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的生長溫度、(b-3)使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的壓力低于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的壓力、以及(c-3)使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時供給的氣體的V/III比低于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時供給的氣體的V/III比的(a-3)、(b-3)、以及(c-3)中所選擇的至少一個條件而進行。另外，在本發(fā)明的第二方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，氮化物半導(dǎo)體中間層優(yōu)選通過濺射法形成。而且，在本發(fā)明的第二方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，第一小斜面優(yōu)選具有相對于形成六方晶結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體的m軸傾斜的面。此外，在本發(fā)明的第二方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，凸部優(yōu)選沿基板的〈11-20〉方向排列。另外，在本發(fā)明的第二方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，在通過基板表面俯視時的凸部中心的剖視中，凸部優(yōu)選為具有前端部的形狀。進而，根據(jù)本發(fā)明的第二方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法，其包括：形成上述所述的任一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工序、在氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成至少一層的氮化物半導(dǎo)體層的工序。而且，根據(jù)本發(fā)明的第三方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括：準(zhǔn)備在表面具有凹部和設(shè)置于凹部之間的凸部的基板的工序；在基板上形成氮化物半導(dǎo)體中間層的工序；在氮化物半導(dǎo)體中間層上形成具有以凸部為中心、在凸部的外側(cè)環(huán)繞凸部的至少六個第一小斜面的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序。形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序包括使基板旋轉(zhuǎn)、并通過基于使用含有氫氣的載氣的立式MOCVD裝置的MOCVD法使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長的工序，基板單位時間的旋轉(zhuǎn)數(shù)為400RPM以上、1000RPM以下，氫氣相對于載氣的整體體積的體積比為0.7以上、1以下。在此，本發(fā)明的第三方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序，形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序及形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序分別為使基板旋轉(zhuǎn)、并且通過使用含有氫氣的載氣的MOCVD法使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長的工序，優(yōu)選為滿足從下述(i-3)、(ii-3)、(iii-3)、(iv-3)以及(v-3)中所選擇的至少一個條件而進行。(i-3)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的生長溫度低于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的生長溫度；(ii-3)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的壓力高于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的壓力；(iii-3)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時供給的原料氣體的V/III比高于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時供給的原料氣體的V/III比；(iv-3)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時基板單位時間的旋轉(zhuǎn)數(shù)小于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時基板單位時間的旋轉(zhuǎn)數(shù)；(v-3)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時氫氣相對于載氣的整體體積的體積比為第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時氫氣相對于載氣的整體體積的體積比以上。而且，在本發(fā)明的第三方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，準(zhǔn)備基板的工序優(yōu)選包括在基板的c面或與c面傾斜5°以內(nèi)范圍內(nèi)的表面上形成凸部及凹部的工序。此外，在本發(fā)明的第三方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，基板優(yōu)選由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成。而且，在本發(fā)明的第三方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，凸部優(yōu)選沿基板的〈11-20〉方向排列。此外，在本發(fā)明的第三方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，在通過基板表面俯視時的凸部中心的剖視中，凸部優(yōu)選為具有前端部的形狀。另外，在本發(fā)明的第三方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，形成氮化物半導(dǎo)體中間層的工序優(yōu)選包括通過濺射法形成氮化物半導(dǎo)體中間層的工序。而且，在本發(fā)明的第三方面的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，氮化物半導(dǎo)體中間層優(yōu)選由通過式AlN或AlxGa1-xN(0.5＜x≦1)所表示的氮化物半導(dǎo)體形成。進而，根據(jù)本發(fā)明的第三方面，能夠提供一種氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法，其包括在利用上述氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法所制造的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面上形成氮化物半導(dǎo)體層的工序。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供在其上方能夠再現(xiàn)性良好地形成具有良好結(jié)晶度的氮化物層的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件、氮化物半導(dǎo)體晶體管元件、氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以及氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法。附圖說明圖1是實施方式的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件的剖面示意圖；圖2是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的工序的一部分進行圖解的剖面示意圖；圖3是圖2所示的基板表面的一例的俯視放大示意圖；圖4是沿通過圖3所示的凸部中心的B-B線的剖面放大示意圖；圖5是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖6是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖7是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的工序的其他部件進行圖解的剖面示意圖；圖8是圖6所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的一例的俯視放大示意圖；圖9是圖6所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的另一例的俯視放大示意圖；圖10是圖6所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的另一例的俯視放大示意圖；圖11是圖6所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的另一例的俯視放大示意圖；圖12是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖13是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖14是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖15是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖16是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖17是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖18是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖19是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖20是使用實施方式的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件的發(fā)光裝置的一例的剖面示意圖；圖21是實施方式的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件的剖面示意圖；圖22是實施方式的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件的剖面示意圖；圖23是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的制造工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖24是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的制造工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖25是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的制造工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖26是針對實施方式氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件制造方法的一例的制造工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖27是形成實施方式的氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層各層后的晶片一例的剖面示意圖；圖28是形成實施方式的氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層各層后的晶片一例的剖面示意圖；圖29是第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的一例的俯視放大示意圖；圖30是第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的另一例的俯視放大示意圖；圖31是沿圖30的B-B的剖面示意圖；圖32是第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的另一例的俯視放大示意圖；圖33是形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層后生長的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的一例的俯視放大示意圖；圖34是沿圖33的B-B的剖面示意圖；圖35是形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層后生長的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的另一例的俯視放大示意圖；圖36是使用實施方式的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件的發(fā)光裝置一例的剖面示意圖；圖37是實施方式的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件的剖面示意圖；圖38是針對實施方式的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造方法的制造工序的一部分進行圖解的剖面示意圖；圖39是針對實施方式的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造方法的制造工序的其他部分進行圖解的剖面示意圖；圖40是實施方式的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件的剖面示意圖；圖41是實施方式的發(fā)光裝置的剖面示意圖；圖42是實施方式的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件的剖面示意圖；圖43是生長在第一樣品的晶片表面上的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像；圖44是生長在第二樣品的晶片表面上的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像；圖45是生長在第三樣品的晶片表面上的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像；圖46是生長在第四樣品的晶片表面上的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像；圖47是生長在第五樣品的晶片表面上的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像；圖48是生長在第六樣品的晶片表面上的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像；圖49是表示第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長溫度T1與第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面GaN(004)面上XRC的半峰寬度(arcsec)的關(guān)系的示意圖；圖50是表示第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長溫度T1(℃)與第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時晶片的翹曲(μm)的關(guān)系的示意圖；圖51是第一實施例生長初期的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像；圖52是第一實施例生長后的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像；圖53是第一比較例生長初期的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像；圖54是第一比較例生長后的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像；圖55是第二比較例生長后的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像。具體實施方式下面說明本發(fā)明的實施方式。另外，需要說明的是，在本發(fā)明的附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分或相應(yīng)的部分。〈藍(lán)寶石基板及氮化物半導(dǎo)體晶體的晶體取向〉(AlGaIn)N類的氮化物半導(dǎo)體晶體的結(jié)晶類是普通的六方晶，而且藍(lán)寶石的結(jié)晶類雖然為三方晶剛玉，但可以用六方晶的表示法進行表示。因此，在藍(lán)寶石基板及氮化物半導(dǎo)體晶體中都將c軸向表示為[0001]，將a1軸向表示為[-2110]，將a2軸向表示為[1-210]，將a3軸向表示為[11-20]，將a1軸向、a2軸向及a3軸向這三個方向合并表示為a軸向或〈11-20〉方向。而且，將與c軸向及〈11-20〉方向垂直且等價的三個方向表示為m軸向(最典型的為〈1-100〉方向)。另外，需要說明的是，在表示結(jié)晶面及方向時，本來是應(yīng)該在必要的數(shù)字上面附加橫線來表現(xiàn)的，但由于受到表現(xiàn)方法的限制，在本說明書中，在必要的數(shù)字前面附加“-”取代在必要的數(shù)字上面附加橫線來進行表現(xiàn)。例如，在根據(jù)結(jié)晶學(xué)的符號記法將1的反向記為在1的上面附加橫線的地方，為方便起見表示為“-1”。基板的結(jié)晶方向與基板上的氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶方向不同，所以需要注意基板的結(jié)晶軸與氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶軸的關(guān)系。在本說明書中，對基板的結(jié)晶方向附注“sub”，對氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶方向附注“l(fā)ayer”。例如，在基板為藍(lán)寶石單晶的情況下，基板的a(sub)軸向與氮化物半導(dǎo)體層的m(layer)軸向一致，基板的m(sub)軸向與氮化物半導(dǎo)體層的a(layer)軸向一致。另一方面，在基板為AlN單晶或GaN單晶的情況下，基板的a(sub)軸向與氮化物半導(dǎo)體層的a(layer)軸向一致，基板的m(sub)軸向與氮化物半導(dǎo)體層的m(layer)軸向一致?！淳翟诒菊f明書中，“晶片”是指分割前的基板或在分割前的基板上形成氮化物半導(dǎo)體各層、電極或其他氮化物半導(dǎo)體元件所需要的單元而形成的部件?！绰N曲〉接著，定義本說明書中晶片的“翹曲”。晶片的“翹曲”主要因基板與氮化物半導(dǎo)體各層的熱膨脹率之差引起的應(yīng)力而產(chǎn)生。在此，將形成氮化物半導(dǎo)體層的一側(cè)的面作為晶片的上表面，將未形成氮化物半導(dǎo)體層的一側(cè)的面作為晶片的下表面，考慮晶片翹曲凸向上面?zhèn)鹊那闆r、以及晶片翹曲凸向下面?zhèn)鹊那闆r。在晶片翹曲凸向上面?zhèn)鹊那闆r下，通過使晶片的上表面為上方并在平坦面設(shè)置晶片的下表面時的平坦面垂直的方向上，晶片的下表面與設(shè)置面的間隔(高低差)的最大值來表示晶片的翹曲量，其符號為正。另一方面，在晶片翹曲凸向下面?zhèn)鹊那闆r下，通過使使晶片的上表面為上并在平坦面設(shè)置晶片下表面時的平坦面垂直的方向上、與晶片上表面周緣相接的虛擬平面與晶片上表面的間隔(高低差)的最大值來表示晶片的翹曲量，其符號為負(fù)。另外，晶片翹曲的大小也依賴于晶片口徑，晶片口徑越大，晶片的翹曲越大。特別在晶片口徑大約為4英寸以上的大口徑晶片中，晶片因晶片的翹曲而易于產(chǎn)生開裂，所以晶片不開裂也是至關(guān)重要的。而且，優(yōu)選裂紋不進入使氮化物半導(dǎo)體各層生長在基板上之后的晶片的表面。進而，晶片翹曲的大小也依賴于基板的厚度。例如，4英寸口徑的藍(lán)寶石基板的厚度為0.9mm，6英寸口徑的藍(lán)寶石基板的厚度為1.3mm。優(yōu)選形成有氮化物半導(dǎo)體層的晶片的翹曲量小到能夠順利進行光刻工序或研磨/拋光工序等的程度。〈評估方法〉氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶度能夠通過X射線搖擺曲線的半值寬度、例如GaN(004)面(等同于六方晶標(biāo)記的(0004)面)的X射線搖擺曲線的半值寬度等進行評估。X射線搖擺曲線的半值寬度小的結(jié)晶度接近于單晶，因而優(yōu)選之。在本說明書中，在沒有特殊說明的情況下，X射線搖擺曲線的半值寬度表示為在晶片中心部所測量的值。而且，氮化物半導(dǎo)體層的晶體缺陷能夠通過陰極發(fā)光(CathodeLuminescence：CL)法或腐蝕坑密度(EtchPitDensity：EPD)等進行評估。晶體缺陷密度較低的氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶度良好，因而優(yōu)選之?！磳嵤┓绞?-1〉圖1表示本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體元件的一例即實施方式1-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件的剖面示意圖。實施方式1-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100具有：基板1、與基板1的表面相接設(shè)置的氮化物半導(dǎo)體中間層2、與氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面相接設(shè)置的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、分別與氮化物半導(dǎo)體中間層2及第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面相接設(shè)置的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5、與第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的表面相接設(shè)置的n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7、與n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的表面相接設(shè)置的n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9、與n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9的表面相接設(shè)置的氮化物半導(dǎo)體活性層11、與氮化物半導(dǎo)體活性層11的表面相接設(shè)置的p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13、與p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13的表面相接設(shè)置的p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15、與p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15的表面相接設(shè)置的透光性電極層19。氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100具有：與n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的露出表面相接設(shè)置的n側(cè)電極20、與透光性電極層19的表面相接設(shè)置的p側(cè)電極21。由SiO2等絕緣保護膜23覆蓋透光性電極層19的表面、以及p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15、p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13、氮化物半導(dǎo)體活性層11、n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9及n型氮化物半導(dǎo)體接觸7的各個露出端面?；?由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成，在表面具有凹部1b、以及設(shè)置在凹部1b之間的凸部1a。第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4在基板1的凸部1a的外側(cè)至少具有六個環(huán)繞凸部1a的第一小斜面4r，并且具有上表面4c。第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的下表面5b與第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r相接，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a平坦。在本說明書中，“平坦”的概念不僅包括第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a是完全平坦的情況，也包括第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a實質(zhì)上是平坦的情況。例如，平坦的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a的表面粗糙程度Ra(日本JISB0601：2001)為0.1μm以下。下面針對實施方式1-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100的制造方法的一例進行說明。首先，準(zhǔn)備由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成的基板1。作為由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成的基板1，例如可以使用由藍(lán)寶石(Al2O3)單晶、AlN單晶或GaN單晶等形成的基板。而且，基板1的主表面(形成凸部1a及凹部1b前的表面)可以為c面或與c面具有5°以內(nèi)傾斜的表面，傾斜的方向例如可以只是m(sub)軸(〈1-100〉)方向、只是a(sub)軸(〈11-20〉)方向、或上述兩方向合成的方向。更具體地說，作為基板1，可以準(zhǔn)備基板1的主表面(形成凸部1a及凹部1b前的表面)從c面(法線為c軸的面)向基板的m(sub)軸〈1-100〉方向傾斜0.15°～0.35°的基板等。此外，雖然沒有特別限定基板1的口徑，但例如可以為150mm(約6英寸)。作為基板1，以前通常使用50.8mm(2英寸)左右口徑的基板，但為了提高生產(chǎn)性，優(yōu)選使用大口徑的基板。然而，在使用大口徑基板1的情況下，因為在基板1上形成氮化物半導(dǎo)體層后積累形變，所以易于使基板1開裂或在氮化物半導(dǎo)體層的表面產(chǎn)生裂紋。本發(fā)明如后所述，在使用100mm(約4英寸)以上大口徑的基板1的情況下，也能夠抑制基板1開裂及在氮化物半導(dǎo)體層的表面上產(chǎn)生裂紋。接著，如圖2的剖面示意圖所示，在基板1的表面形成凹部1b以及設(shè)置在凹部1b之間的凸部1a。例如能夠通過形成規(guī)定基板1上凸部1a的平面配置的掩模的構(gòu)圖工序、以及利用通過該構(gòu)圖工序而形成的掩模、對基板1的表面進行蝕刻而形成凹部1b的工序來形成上述基板1表面的凸部1a及凹部1b。在此，構(gòu)圖工序能夠通過普通的光刻工序進行，蝕刻工序例如能夠通過干式蝕刻法或濕式蝕刻法進行。然而，為了使凸部1a的形狀為后述的具有前端部的形狀，優(yōu)選通過易于控制凸部1a形狀的干式蝕刻法來進行。圖3表示圖2所示的基板1表面的一例的俯視放大示意圖。在圖3所示的基板1的表面的俯視中，平面形狀為圓形的凸部1a例如分別位于虛擬三角形1t的頂點，排列在虛擬三角形1t三邊的各個邊的方向上。在本例中，凸部1a排列在基板1表面的a(sub)軸向(〈11-20〉方向)上，并且分別排列在與基板1表面的a(sub)軸向形成+60°傾斜的方向及與基板1表面的a(sub)軸向形成－60°傾斜的方向上。另外，在本說明書中，在基板1的表面的俯視中，分別將與a(sub)軸向形成+60°傾斜的方向及與a(sub)軸向形成－60°傾斜的方向稱為u方向。另外，凸部1a的平面形狀即圓形圓的中心不必與三角形1t的頂點完全一致，實質(zhì)上最好為一致。具體地說，在圓中心偏離其圓半徑以下的情況下，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4具有在比凸部1a的區(qū)域更穩(wěn)定的凹部1b區(qū)域上開始生長的傾向。而且，如果第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4進一步生長，則第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4具有能夠形成以凸部1a為中心、在凸部1a的外側(cè)環(huán)繞凸部1a的至少六個第一小斜面4r的傾向。凸部1a底面的平面形狀不限于圓形，例如也可以是六角形及/或三角形等的多角形。而且，在基板1表面的俯視中，在頂點配置有凸部1a的虛擬三角形1t各內(nèi)角的角度優(yōu)選為50°以上、70°以下。在該情況下，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4具有在比凸部1a的區(qū)域更穩(wěn)定的凹部1b的區(qū)域上開始生長的傾向。而且，如果第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4進一步生長，則第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4具有能夠形成以凸部1a為中心、在凸部1a的外側(cè)環(huán)繞凸部1a的至少六個第一小斜面4r的傾向。此外，在基板1的表面的俯視中，相鄰的凸部1a的間隔優(yōu)選為0.2μm以上、7μm以下，更優(yōu)選為1μm以上、3μm以下。在相鄰的凸部1a的間隔為0.2μm以上、7μm以下的情況下，具有減少工序上的問題的傾向。作為工序上的問題，例如可以舉出用來增加凸部1a高度的干式蝕刻時間增長、使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a至完全平坦所需要的生長時間過長等問題。另外，在本說明書中，相鄰的凸部1a的間隔表示相鄰的凸部1a之間的最短距離。而且，在基板1的表面的俯視中，凸部1a的圓形圓的直徑優(yōu)選為相鄰?fù)共?a的間隔的1/2以上、3/4以下。例如，在相鄰的凸部1a的間隔為2μm的情況下，凸部1a的圓形圓的直徑進而優(yōu)選為1.2μm左右。在凸部1a的圓形圓的直徑為相鄰?fù)共?a的間隔的1/2以上、3/4以下的情況下，特別是在為1.2μm左右的情況下，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4具有在比凸部1a的區(qū)域更穩(wěn)定的凹部1b的區(qū)域上開始生長的傾向。而且，如果第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4進一步生長，則第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4具有能夠形成以凸部1a為中心、在凸部1a的外側(cè)環(huán)繞凸部1a的至少六個小斜面4r的傾向。此外，凸部1a的高度優(yōu)選為凸部1a的圓形圓直徑的1/4以上、1以下。例如，在凸部1a的圓形圓直徑為1.2μm的情況下，凸部1a的高度進而優(yōu)選為0.6μm左右。在該情況下，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4具有在比凸部1a的區(qū)域更穩(wěn)定的凹部1b的區(qū)域上開始生長的傾向。而且，如果第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4進一步生長，則第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4具有能夠形成以凸部1a為中心、在凸部1a的外側(cè)環(huán)繞凸部1a的至少六個第一小斜面4r的傾向。圖4表示沿通過圖3所示的凸部中心的B-B線的剖面放大示意圖。如圖4所示，在通過基板1表面俯視時的凸部1a中心的剖視中，凸部1a優(yōu)選為具有前端部1c的形狀。另外，在本說明書中，所謂的凸部1a為具有前端部1c的形狀，表示在通過基板1表面俯視時的凸部1a中心的剖視中，凸部1a的上表面為不平坦的形狀。在凸部1a的上表面平坦的情況下，后述的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4不僅在凹部1b上生長，也在凸部1a的平坦上表面上生長。另一方面，在凸部1a為具有前端部1c的形狀的情況下，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4從凹部1b開始生長，在凸部1a的前端部1c的上方與緊接著生長的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5會合，所以可以認(rèn)為能夠限制產(chǎn)生晶體缺陷的區(qū)域，減少整體的缺陷數(shù)量。在形成氮化物半導(dǎo)體中間層2之前也能夠進行基板1表面的前處理。作為基板1表面的前處理的一例，例如能夠舉出通過進行RCA清洗(依次進行稀釋的氫氟酸溶液(HF)處理、氨(NH4OH)+過氧化氫(H2O2)處理、鹽酸(HCl)+過氧化氫(H2O2)處理、超純水清洗的清洗)、使基板1的表面氫終端化(水素終端化)的處理。由此，具有能夠在基板1的表面上再現(xiàn)性良好地層積具有良好結(jié)晶度的氮化物半導(dǎo)體中間層2的傾向。而且，作為基板1表面的前處理的另一例，可以舉出將基板1的表面暴露于氮氣的等離子體中的處理。由此，具有能夠除去附著于基板1表面的有機物、氧化物等異物、整理基板1的表面狀態(tài)的傾向。特別是在基板1為藍(lán)寶石基板的情況下，通過將基板1的表面暴露于氮氣的等離子體中，氮化基板1的表面，從而具有容易在面內(nèi)均勻地形成層積于基板1的表面上的氮化物半導(dǎo)體中間層2的傾向。接著，如圖5的剖面示意圖所示，在基板1的表面上形成氮化物半導(dǎo)體中間層2。在此，例如能夠在N2與Ar的混合環(huán)境中通過濺射Al靶材的反應(yīng)性濺射法形成氮化物半導(dǎo)體中間層2。作為氮化物半導(dǎo)體中間層2，例如可以層積由式Alx0Gay0N(0≦x01、0≦y0≦1、x0+y0≠0)所表示的氮化物半導(dǎo)體形成的層。其中，作為氮化物半導(dǎo)體中間層2，優(yōu)選層積由式AlN(氮化鋁)或Alx1Ga1-x1N(0.5＜x1≦1)所表示的氮化物半導(dǎo)體(氮化鋁鎵)形成的層。在該情況下，具有能夠獲得在基板1表面的法線方向上延伸的、由晶粒整齊的柱狀晶體集合體形成的、具有良好結(jié)晶度的氮化物半導(dǎo)體中間層2的傾向。氮化物半導(dǎo)體中間層2也可以含有微量的氧。氮化物半導(dǎo)體中間層2的厚度優(yōu)選為5nm以上、100nm以下。在氮化物半導(dǎo)體中間層2的厚度為5nm以上的情況下，氮化物半導(dǎo)體中間層2具有充分發(fā)揮作為緩沖層的作用的傾向。在氮化物半導(dǎo)體中間層2的厚度為100nm以下的情況下，具有提高作為緩沖層的作用、并且縮短氮化物半導(dǎo)體中間層2的形成時間的傾向。而且，氮化物半導(dǎo)體中間層2的厚度更優(yōu)選為10nm以上、50nm以下。在該情況下，具有能夠在面內(nèi)均勻地發(fā)揮氮化物半導(dǎo)體中間層2作為緩沖層的作用的傾向。作為氮化物半導(dǎo)體中間層2的一例，能夠以約25nm的厚度形成含有少量氧的AlN膜。形成氮化物半導(dǎo)體中間層2時的基板1的溫度優(yōu)選為300℃以上、1000℃以下。在形成氮化物半導(dǎo)體中間層2時的基板1的溫度為300℃以上的情況下，氮化物半導(dǎo)體中間層2具有覆蓋基板1的整個表面的傾向。而且，在層積氮化物半導(dǎo)體中間層2時的基板1的溫度為1000℃以下的情況下，原料在基板1的表面的遷移變得不太活躍，形成由柱狀晶體的集合體形成的氮化物半導(dǎo)體中間層2，從而具有提高氮化物半導(dǎo)體中間層2作為緩沖層的作用。接著，如圖6的剖面示意圖所示，在氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4，如圖7的剖面示意圖所示，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面上形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。在此，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5能夠分別通過例如MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition：金屬有機物化學(xué)氣相沉積)法，依次形成于氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上。第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4在形成有第一小斜面4r的小面生長模式下生長，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5在填埋第一小斜面4r、形成平坦上表面5a的填埋生長模式下生長。由此，能夠形成具有晶體缺陷少且結(jié)晶度高的平坦上表面5a的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。另外，圖6所示的參照標(biāo)記4c表示第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的上表面。圖8表示圖6所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的一例的俯視放大示意圖。如圖8所示，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4在凸部1a的外側(cè)具有環(huán)繞凸部1a的六個第一小斜面4r。在圖8所示的俯視中，在a(sub)軸向上出現(xiàn)兩個第一小斜面4r，在與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向(都為u方向)上分別兩個兩個地出現(xiàn)第一小斜面4r(該情況為事例1-1)。而且，出現(xiàn)在沿圖8的B-B線的剖面上的第一小斜面4r是在第一小斜面4r存在的范圍內(nèi)、即使在該剖面的內(nèi)側(cè)方向上也同樣出現(xiàn)的面。而且，通過第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的上表面4c連接環(huán)繞一個凸部1a的第一小斜面4r和環(huán)繞另一個凸部1a的第一小斜面4r。第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r從第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的上表面4c向基板1的凸部1a傾斜下降。在此，在六個第一小斜面4r中，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的俯視中，出現(xiàn)在a(sub)軸向上的兩個第一小斜面4r相對于a(sub)軸向(〈11-20〉方向)向斜上方傾斜，小面在其傾斜方向上伸展。而且，同樣地，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的俯視中，分別兩個兩個地出現(xiàn)在與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向上的第一小斜面4r也分別相對于與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向，向斜上方傾斜，小面在該傾斜方向上伸展。此外，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r在氮化物半導(dǎo)體中間層2上，形成為以凸部1a為中心、在凸部1a的外側(cè)環(huán)繞凸部1a的六個小面。而且，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的俯視中，優(yōu)選幾乎不出現(xiàn)除了在a(sub)軸向及u方向上出現(xiàn)的第一小斜面4r以外的其他小面。更具體地說，優(yōu)選通過下述式(1)所表示的第一小斜面4r的面積比率為80％以上，更優(yōu)選為90％以上。在第一小斜面4r的面積比率為80％以上的情況下，特別是在90％以上的情況下，在層積于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5上表面5a上的氮化物半導(dǎo)體層的生長中以及之后的處理中，具有能夠抑制晶片開裂及產(chǎn)生裂紋的傾向。而且，也具有能夠提高由X射線搖擺曲線的半值寬度等表示的氮化物半導(dǎo)體層結(jié)晶度的傾向。進而，也具有減少能夠通過陰極發(fā)光(CathodeLuminescence：CL)法或腐蝕坑密度(EtchPitDendity：EPD)等進行評估的缺陷密度的傾向。具體地說，GaN基礎(chǔ)層的(004)面的X射線搖擺曲線的半值寬度(arcsec)為30～40arcsec，進而，通過CL法得到的暗斑密度(DarkSpotDensity)為2×108cm-3以下。100×(在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的俯視中第一小斜面4r所占第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的面積)/(在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的俯視中除第一小斜面4r及上表面4c以外其他的區(qū)域所占第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的面積)…(1)而且，隨著第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的生長增厚，第一小斜面4r也增大，所以上表面4c的面積所占第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的整個面積的比例減少。上表面4c的面積所占第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的整個面積的比例優(yōu)選為20％以下，進而優(yōu)選為10％以下。在上述的上表面4c的面積比例為20％以下的情況下，特別是在10％以下的情況下，在層積于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5上表面5a上的氮化物半導(dǎo)體層的生長中以及之后的處理中，具有能夠抑制晶片開裂及產(chǎn)生裂紋的傾向。而且，也能夠提高由X射線搖擺曲線的半值寬度等表示的氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶度。進而，也具有減少可通過CL法或EPD法等進行評估的缺陷密度的傾向。但是，不需要連續(xù)地進行小面生長模式直至第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的上表面4c完全消失。出現(xiàn)上述第一小斜面4r的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的小面生長模式能夠通過滿足從下述的(i-1)、(iii-1)以及(iii-1)所選擇的至少一個條件來實現(xiàn)。(i-1)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的生長溫度低于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的生長溫度。(ii-1)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的壓力高于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的壓力。(iii-1)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時所供給的氣體的V/III比(在供給的氣體中V族元素相對于III族元素的摩爾比)高于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時所供給的氣體的V/III比。上述的(i-1)、(ii-1)以及(iii-1)的各自的具體條件例如如下所述。(i-1)相對于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的基板1的1000℃溫度，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的基板1的溫度為1080℃。(ii-1)相對于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的環(huán)境壓力66.6kPa，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的環(huán)境壓力為17.3kPa。(iii-1)相對于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時所供給的氣體的V/III比1165，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時所供給的氣體的V/III比為676。通過滿足從上述的(i-1)、(ii-1)以及(iii-1)所選擇的至少一個條件，能夠使晶片內(nèi)大量形成的半導(dǎo)體發(fā)光元件的靜電耐壓測試(ESD(ElectrostaticDischarge：靜電放電)測試)的成功率為80％以上。另外，ESD測試是在反向電壓為1kV的HBM(人體模型)條件下進行的。另外，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的厚度在上述基板1表面的俯視時，分別優(yōu)選為相鄰?fù)共?a的間隔的0.7倍以上、4倍以下。在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的厚度分別為相鄰?fù)共?a的間隔的0.7倍以上的情況下，具有能夠填埋凸部1a的傾向，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的厚度分別為相鄰?fù)共?a的間隔的4倍以下的情況下，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5具有分別形成晶體缺陷少且具有良好結(jié)晶度的膜的傾向。而且，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的厚度在上述基板1的表面的俯視中，優(yōu)選為相鄰?fù)共?a的間隔的0.5倍以上、2倍以下。在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的厚度為相鄰?fù)共?a的間隔的0.5倍以上、2倍以下的情況，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5具有分別形成晶體缺陷少且具有良好結(jié)晶度的膜的傾向。另一方面，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的厚度在上述基板1表面的俯視中，優(yōu)選為相鄰?fù)共?a的間隔的1倍以上、4倍以下。在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的厚度為相鄰?fù)共?a的間隔的1倍以上的情況下，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5具有填埋凸部1a、使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a平坦的傾向。在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的厚度厚于相鄰?fù)共?a的間隔的4倍的情況下，因為第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a已經(jīng)平坦，所以具有只單純延長第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的生長時間的傾向。圖9表示圖6所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的另一例的俯視放大示意圖。在圖9中，表示了在基板1表面的凸部1a分別排列在與a(sub)軸向傾斜+30°的方向及與a(sub)軸向傾斜－30°的方向上的情況下(事例1-2)的氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r與上表面4c的位置關(guān)系。在形成了六個第一小斜面4r的小面模式下使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長的情況下，氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r及上表面4c分別易于受到凸部1a的排列的影響。在事例1-2中，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的俯視中，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的上表面4c的形狀為與三角形連接的形狀，在改變?yōu)榈诙锇雽?dǎo)體基礎(chǔ)層5的生長模式即填埋生長模式后，在上表面4c上形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。上表面4c有時會延續(xù)其基礎(chǔ)的晶體缺陷，所以，在事例1-2情況下，凸部1a的配置上的生長一方在形成于其上的氮化物半導(dǎo)體膜中具有晶體缺陷增多若干的傾向。在事例1-2中，在晶片內(nèi)大量形成的半導(dǎo)體發(fā)光元件的ESD測試的成功率約為20％，但是ESD測試是在反向電壓為1kV的HBM條件下進行的。圖10表示圖6所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的另一例的俯視放大示意圖。在圖10中，基板1的凸部1a的排列與上述事例1-1的情況相同，表示在與事例1-1的情況不同的小面生長模式下使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長情況(事例1-3)的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面。事例1-3的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的生長條件例如為使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的基板1的溫度1000℃升高至與第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的基板1的溫度相同的1080℃這一點上。事例1-3的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4在圖10所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的俯視時，除了分別出現(xiàn)于a(sub)軸向及u方向上的六個第一小斜面4r以外，還形成分別出現(xiàn)于與a(sub)軸向傾斜+30℃的方向、與a(sub)軸向傾斜－30℃的方向、以及m(sub)軸向上的六個第一小斜面4n的12面小面。在事例1-3中，在晶片內(nèi)大量形成的半導(dǎo)體發(fā)光元件的ESD測試的成功率約為70％，但是ESD測試是在反向電壓為1kV的HBM條件下進行的。另外，在事例1-3中，在MOCVD生長中以及之后的處理中，通過由溫度變化引起的晶片整體的翹曲發(fā)生變化，四枚晶片中三枚開裂，不能進行測量。可知在上述第一小斜面4r和第一小斜面4n都出現(xiàn)的情況下，晶片易于開裂。作為相對于該現(xiàn)象的假設(shè)，在第一小斜面4r上生長的膜與在第一小斜面4n上生長的面的結(jié)晶配向發(fā)生微妙的偏離，所以在上述兩者的界面上產(chǎn)生線缺陷，沿連接該線彼此之間的線、膜裂開的結(jié)果為，在該部分集中伴隨著膜與基板1的熱膨脹差而產(chǎn)生的形變，可以認(rèn)為晶片是開裂的。圖11表示圖6所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的另一例的俯視放大示意圖。在圖11中，表示了在凸部1a的排列與事例1-2相同、并且生長條件與事例1-3相同時，使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長的情況(事例1-4)下的氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面。事例1-4的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4在圖11所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的俯視中，除了分別出現(xiàn)于a(sub)軸向及u方向上六個的第一小斜面4r以外，還形成分別出現(xiàn)于與a(sub)軸向傾斜±30°的方向、以及m(sub)軸向上的六個第一小斜面4n的12面的小面。在事例1-4中，晶片內(nèi)大量形成的半導(dǎo)體發(fā)光元件的ESD測試的成功率約為30％，但是，ESD測試是在反向電壓為1kV的HBM條件下進行的。另外，在事例1-4中，也與事例1-3相同，在MOCVD生長中以及之后的處理中，四枚晶片中三枚開裂。通過上述結(jié)果，推導(dǎo)出下述的(a-1)～(c-1)事項。(a-1)控制性地出現(xiàn)第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r、且難以出現(xiàn)第一小斜面4n的小面生長模式能夠減少晶片開裂，且能夠在ESD測試中獲得高的成功率，因而是適合的。(b-1)在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的俯視中，減小第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的上表面4c的面積在ESD測試中能夠獲得高的成功率這一點上是適合的。(c-1)可以認(rèn)為在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的上表面4c上大量存在從第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的下表面向上方延伸的線缺陷，并且可以認(rèn)為在生長于小面4c上的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5上也延續(xù)該缺陷。另外，作為第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4，例如能夠使由式Alx2Gay2Inz2N(0≦x2≦1、0≦y2≦1、0≦z2≦1、x2+y2+z2≠0)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成的層生長。而且，作為第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5，例如能夠使由式Alx3Gay3Inz3N(0≦x3≦1、0≦y3≦1、0≦z3≦1、x3+y3+z3≠0)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成的層生長。作為第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5，為了不分別延續(xù)由柱狀晶體的集合體形成的氮化物半導(dǎo)體中間層2中的位錯等晶體缺陷，優(yōu)選使用含有作為III族元素的Ga的氮化物半導(dǎo)體層。雖然為了不延續(xù)氮化物半導(dǎo)體中間層2中的位錯而需要在與氮化物半導(dǎo)體中間層2的界面附近使位錯成環(huán)，但在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4由含有Ga的III族氮化物半導(dǎo)體形成的情況下，位錯容易成環(huán)。因此，通過分別使用由含有Ga的III族氮化物半導(dǎo)體形成的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4以及含有Ga的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5，在與氮化物半導(dǎo)體中間層2的界面附近使位錯成環(huán)而閉鎖，從而具有能夠抑制位錯從氮化物半導(dǎo)體中間層2向第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4延續(xù)的傾向。例如，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4由式Alx2Gay2N(0≦x2＜1、0＜y2＜1)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成、第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5由式Alx3Gay3N(0≦x3＜1、0＜y3＜1)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成的情況下，特別是在第一氮化物半導(dǎo)體層4以及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5分別由GaN形成的情況下，在與氮化物半導(dǎo)體中間層2的界面附近能夠使位錯成環(huán)而閉鎖，所以具有能夠獲得位錯密度小、且具有良好結(jié)晶度的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的傾向。而且，可以在剛剛形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4之前對氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面進行熱處理。通過該熱處理，具有能夠提高氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面清潔度和結(jié)晶度的傾向。該熱處理例如可以在使用MOCVD法的MOCVD裝置內(nèi)進行，作為進行熱處理時的環(huán)境氣體，例如可以使用氫氣、氮氣等。此外，為了防止在進行上述熱處理時氮化物半導(dǎo)體中間層2分解，也可以在進行熱處理時的環(huán)境氣體中混入氨氣。另外，上述熱處理例如可以在900℃以上、1250℃以下的溫度下進行例如1分鐘以上、60分鐘以下的時間。雖然也可以在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5中例如在1×1017cm-3以上、1×1019cm-3以下的范圍內(nèi)摻雜n型摻雜劑，但從維持良好結(jié)晶度的觀點出發(fā)，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5分別優(yōu)選為無摻雜。作為摻雜在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5中的n型摻雜劑，例如可以使用從硅、鍺及錫中所選擇的至少一種等，其中優(yōu)選使用硅。在n型摻雜劑中使用硅的情況下，作為n型摻雜氣體，優(yōu)選使用硅烷或乙硅烷。第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5各自生長時的基板1的溫度優(yōu)選為800℃以上、1250℃以下，更優(yōu)選為900℃以上、1150℃以下。在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5各自生長時的基板1的溫度為800℃以上、1250℃以下的情況下，特別是在900℃以上、1150℃以下的情況下，具有能夠使晶體缺陷少、且結(jié)晶度良好的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長的傾向。接著，如圖12的剖面示意圖所示，例如通過MOCVD法，在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的表面上形成n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7。作為n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7，例如可以形成在由式Alx4Gay4Inz4N(0≦x4≦1、0≦y4≦1、0≦z4≦1、x4+y4+z4≠0)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成的層中摻雜了n型摻雜劑的層等。其中，作為n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7，雖然是在由式Alx4Ga1-x4N(0≦x4≦1、優(yōu)選為0≦x4≦0.5、更優(yōu)選為0≦x4≦0.1)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體中摻雜有作為n型摻雜劑的硅的氮化物半導(dǎo)體層，但因為不處理易揮發(fā)的In而能夠使生長溫度升高，因而優(yōu)選之。n型摻雜劑向n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7中摻雜的濃度優(yōu)選為5×1017cm-3以上、5×1019cm-3以下。在該情況下，具有能夠維持n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7與n側(cè)電極20的良好的歐姆接觸、抑制n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7中產(chǎn)生裂紋以及維持n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的良好結(jié)晶度的傾向。第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5、以及n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的厚度總和優(yōu)選為4μm以上、20μm以下，更優(yōu)選為4μm以上、15μm以下，進而優(yōu)選為6μm以上、15μm以下。在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5、以及n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的厚度總和不足4μm的情況下，可能將使這些層的結(jié)晶度惡化，或者在這些層的表面產(chǎn)生凹坑(pit)。另一方面，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5、以及n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的厚度總和超過15μm的情況下，可能基板1的翹曲增大，導(dǎo)致元件的產(chǎn)量降低。而且，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5、以及n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的厚度總和為4μm以上、15μm以下的情況下，特別是在6μm以上、15μm以下的情況下，具有能夠使這些層的結(jié)晶度良好、并且能夠有效地防止因基板1的翹曲增大而導(dǎo)致元件產(chǎn)量降低的傾向。另外，在這些層的厚度總和中n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的厚度的上限未特別限定。接著，如圖13的剖面示意圖所示，例如通過MOCVD法，在n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的表面上形成n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9。作為n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9，例如可以形成在由式Alx5Gay5Inz5N(0≦x5≦1、0≦y5≦1、0≦z5≦1、x5+y5+z5≠0)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成的層中摻雜n型摻雜劑的層等。而且，n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9也可以是由III族氮化物半導(dǎo)體形成的多個氮化物半導(dǎo)體層的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)或超晶格結(jié)構(gòu)。雖然未特別限定n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9的厚度，但優(yōu)選為0.005μm以上、0.5μm以下，更優(yōu)選為0.005μm以上、0.1μm以下。至于n型摻雜劑向n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9中摻雜的濃度，優(yōu)選為1×1017cm-3以上、1×1020cm-3以下，更優(yōu)選為1×1018cm-3以上、1×1019cm-3以下。在該情況下，具有能夠維持n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9的良好結(jié)晶度、且降低元件的動作電壓的傾向。接著，如圖14的剖面示意圖所示，例如通過MOCVD法，在n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9的表面上形成氮化物半導(dǎo)體活性層11。在氮化物半導(dǎo)體活性層11例如具有單一量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)的情況下，作為氮化物半導(dǎo)體活性層11，例如可以使用由式Ga1-z6Inz6N(0＜z6＜0.4)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成的層作為量子阱層。雖然未特別限定氮化物半導(dǎo)體活性層11的厚度，但優(yōu)選為1nm以上、10nm以下，更優(yōu)選為1nm以上、6nm以下。在氮化物半導(dǎo)體活性層11的厚度為1nm以上、10nm以下的情況下，特別是在1nm以上、6nm以下的情況下，具有能夠提高氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100的發(fā)光輸出的傾向。在氮化物半導(dǎo)體活性層11例如具有由式Ga1-z6Inz6N(0＜z6＜0.4)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成的層作為量子阱層的單一量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)的情況下，能夠為使氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100的發(fā)光波長為所希望的發(fā)光波長而控制氮化物半導(dǎo)體活性層11的In組成及厚度。然而，如果形成氮化物半導(dǎo)體活性層11時的基板1的溫度低，則可能會使結(jié)晶度惡化，而另一方面，如果形成氮化物半導(dǎo)體活性層11時的基板1的溫度高，則InN的升華顯著，In向固相中的吸收效率降低，可能會使In組成變化。因此，在由式Ga1-z6Inz6N(0＜z6＜0.4)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成的層作為量子阱層的、形成由單一量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)形成的氮化物半導(dǎo)體活性層11時的基板1的溫度優(yōu)選為700℃以上、900℃以下，更優(yōu)選為750℃以上、850℃以下。而且，作為氮化物半導(dǎo)體活性層11，例如也可以使用具有多層量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)的層，該多層量子阱結(jié)構(gòu)是將由式Ga1-z6Inz6N(0＜z6＜0.4)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成的量子阱層、以及帶隙大于該量子阱層的、由式Alx7Gay7Inz7N(0≦x7≦1、0≦y7≦1、0≦z7≦1、x7+y7+z7≠0)所表示的III氮化物半導(dǎo)體形成的量子勢壘層逐層交替層積而形成的。另外，也可以在上述量子阱層及/或量子勢壘層中摻雜n型或p型摻雜劑。接著，如圖15的剖面示意圖所示，例如通過MOCVD法，在氮化物半導(dǎo)體活性層11的表面上形成p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13。作為p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13，例如可以層積在由式Alx8Gay8Inz8N(0≦x8≦1、0≦y8≦1、0≦z8≦1、x8+y8+z8≠0)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體中摻雜p型摻雜劑的層等。其中，作為p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13，優(yōu)選層積在由式Alx8Ga1-x8N(0＜x8≦0.4、優(yōu)選為0.1≦x8≦0.3)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體中摻雜p型摻雜劑的層。另外，作為p型摻雜劑，例如可以使用鎂等。從對氮化物半導(dǎo)體活性層11進行光封閉的觀點出發(fā)，p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13的帶隙優(yōu)選大于氮化物半導(dǎo)體活性層11的帶隙。雖然未特別限定p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13的厚度，但優(yōu)選為0.01μm以上、0.4μm以下，更優(yōu)選為0.02μm以上、0.1μm以下。p型摻雜劑向p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13中摻雜的濃度優(yōu)選為1×1018cm-3以上、1×1021cm-3以下，更優(yōu)選為1×1019cm-3以上、1×1020cm-3以下。在p型摻雜劑向p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13中摻雜的濃度為1×1018cm-3以上、1×1021cm-3以下的情況下，特別是在1×1019cm-3以上、1×1020cm-3以下的情況下，具有能夠獲得良好結(jié)晶度的p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13的傾向。接著，如圖16的剖面示意圖，例如通過MOCVD法，在p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13的表面上形成p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15。作為p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15，例如可以層積在由式Alx9Gay9Inz9N(0≦x9≦1、0≦y9≦1、0≦z9≦1、x9+y9+z9≠0)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體中摻雜p型摻雜劑的層等。其中，作為p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15，優(yōu)選使用向GaN層摻雜p型摻雜劑的層。在該情況下，具有能夠維持p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15的良好結(jié)晶度、且獲得與透光性電極層19良好的歐姆接觸的傾向。p型摻雜劑向p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15中摻雜的濃度優(yōu)選為1×1018cm-3以上、1×1021cm-3以下，更優(yōu)選為5×1019cm-3以上、5×1020cm-3以下。在p型摻雜劑向p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15中摻雜的濃度為1×1018cm-3以上、1×1021cm-3以下的情況下，特別是在5×1019cm-3以上、5×1020cm-3以下的情況下，具有能夠維持與透光性電極層19的良好的歐姆接觸、抑制p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15產(chǎn)生裂紋、以及維持p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15的良好結(jié)晶度的傾向。雖然未特別限定p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15的厚度，但優(yōu)選為0.01μm以上、0.5μm以下，更優(yōu)選為0.05μm以上、0.2μm以下。在p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15的厚度為0.01μm以上、0.5μm以下的情況下，特別是在0.05μm以上、0.2μm以下的情況下，具有能夠提高氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100的發(fā)光輸出的傾向。另外，在分別由III族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7、n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9、氮化物半導(dǎo)體活性層11、p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13及p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15的情況下，能夠分別通過例如使用下述氣體的MOCVD法來層積上述這些層。即向MOCVD裝置的反應(yīng)爐內(nèi)部提供例如從三甲基鎵(TMG)、三甲基鋁(TMA)及三甲基銦(TMI)中所選擇的至少一種III族元素的有機金屬原料氣體、以及例如氨等氮原料氣體，對這些氣體進行熱分解，使之反應(yīng)，由此能夠分別層積上述這些層。而且，在摻雜n型摻雜劑即硅的情況下，除了作為摻雜氣體的上述原料氣體以外，還向MOCVD裝置的反應(yīng)爐內(nèi)部提供例如硅烷(SiH4)或乙硅烷(Si2H6)，由此能夠摻雜硅。此外，在摻雜p型摻雜劑即鎂的情況下，除了作為摻雜氣體的上述原料氣體以外，還向MOCVD裝置的反應(yīng)爐內(nèi)部提供例如二茂鎂(ビスシクロペンタジエニルマグネシウム)(CP2Mg)，由此能夠摻雜鎂。接著，如圖17的剖面示意圖所示，在p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15的表面上形成例如由ITO(IndiumTinOxide：氧化銦錫)形成的透光性電極層19后，在透光性電極層19的表面上形成p側(cè)電極21。作為p側(cè)電極21，例如能夠形成鎳層、鋁層、鈦層及金層的層積膜。接著，如圖18的剖面示意圖所示，通過蝕刻除去p側(cè)電極21形成后的層積體的一部分，由此露出n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的表面的一部分。接著，如圖19的剖面示意圖所示，在n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7露出的表面上形成n側(cè)電極20。作為n側(cè)電極20，例如能夠形成鎳層、鋁層、鈦層及金層的層積膜。之后，在n側(cè)電極20形成后的層積體的整個表面形成SiO2等絕緣保護膜23，為使p側(cè)電極21及n側(cè)電極20露出而在絕緣保護膜23設(shè)有開口部，并且將形成了多個氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100的晶片分割成單個的元件，由此能夠制作出實施方式1-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100。在此，例如對在基板1上形成上述結(jié)構(gòu)的晶片的背面進行研磨及拋光而形成鏡狀面后，將晶片分割成280μm×550μm的長方形狀的芯片，由此能夠?qū)M行分割。在按照上述方法制作的實施方式1-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100中，在伸展于基板1表面的法線方向(垂直方向)上的、由晶粒整齊的柱狀晶體集合體形成的、具有良好結(jié)晶度的氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上依次層積第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5、n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7、n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9、氮化物半導(dǎo)體活性層11、p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13及p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15。因此，對于層積在晶體缺陷少且結(jié)晶度高的平坦的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5上表面5a上的n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7、n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9、氮化物半導(dǎo)體活性層11、p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13及p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15來說，位錯密度降低，具有良好的結(jié)晶度。因此，由具有這樣的良好結(jié)晶度的氮化物半導(dǎo)體層所形成的實施方式1-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100是動作電壓低、發(fā)光輸出高的元件。另外，將在事例1-1的條件下制成的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100作為用來評估裸芯片(未進行后述的樹脂密封)的元件，在10個元件中通過30mA電流時，確認(rèn)能夠得到平均光輸出為39mW、動作電壓為3.0V及發(fā)光波長為455nm的動作電壓低且發(fā)光輸出高的元件。圖20表示使用了實施方式1-1氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100的發(fā)光裝置的一例的剖面示意圖。在此，發(fā)光裝置110具有將實施方式1-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100設(shè)置在第二引線框架31上的結(jié)構(gòu)。而且，通過第一金屬線33電連接氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100的p側(cè)電極21與第一引線框架30，并且通過第二金屬線34電連接氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100的n側(cè)電極20與第二引線框架31。進而，通過透明成型樹脂35模制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100，由此，發(fā)光裝置110形成為炮彈狀。圖20所示結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置110使用了實施方式1-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件100，所以能夠成為動作電壓低、發(fā)光輸出高的發(fā)光裝置?！磳嵤┓绞?-2〉實施方式1-2的特征為，是使用實施方式1-1的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(基板1、氮化物半導(dǎo)體中間層2、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的層積結(jié)構(gòu))的電子器件即氮化物半導(dǎo)體晶體管元件。圖21表示實施方式1-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件300的剖面示意圖。氮化物半導(dǎo)體晶體管元件300具有氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的構(gòu)成為：由將在等價的三個a(sub)軸向上配置凸部1a的c面作為主表面的藍(lán)寶石基板形成的基板1、在基板1的表面上依次層積的由AlN等形成的氮化物半導(dǎo)體中間層2、由無摻雜GaN等形成的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、由無摻雜GaN等形成的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。而且，在晶體缺陷少且具有良好結(jié)晶度的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的平坦表面上層積由無摻雜GaN等形成的氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71，在氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71的表面上層積由n型AlGaN等形成的n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73。在n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73的表面上設(shè)置柵極77，在柵極77的兩側(cè)設(shè)置由n型GaN等形成的源極接觸層75S和漏極接觸層75D。而且，在源極接觸層75S上設(shè)置源極78S，在漏極接觸層75D上設(shè)置漏極78D。下面針對實施方式1-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件300的制造方法的一例進行說明。首先，與實施方式1-1相同，在具有凸部1a及凹部1b的基板1的表面上通過反應(yīng)性濺射法形成由AlN形成的氮化物半導(dǎo)體中間層2。接著，通過MOCVD法，在氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上使由無摻雜GaN形成的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長。在此，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的俯視中，在出現(xiàn)于a(sub)軸向上的兩個第一小斜面4r、以及兩個兩個分別出現(xiàn)于與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向上的第一小斜面4r都出現(xiàn)的條件(例如事例1-1的條件)下，使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長。然后，通過MOCVD法，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面上使由無摻雜GaN形成的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長。在此，在填埋第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r而出現(xiàn)大致為平坦的上表面5a的條件下，使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長。接著，通過MOCVD法，在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的大致平坦的上表面5a上層積由n型AlxGa1-xN形成的氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71，在氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71的表面上層積n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73。之后，如圖21所示，在n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73的表面上形成源極接觸層75S及漏極接觸層75D后，分別形成源極78S、漏極78D及柵極77。由此，能夠制作出實施方式1-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件300。在實施方式1-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件300中，也與實施方式1-1相同，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的俯視中，在出現(xiàn)于a(sub)軸向上的兩個第一小斜面4r、以及兩個兩個分別出現(xiàn)于與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向上的第一小斜面4r都出現(xiàn)的條件下，使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長。由此，因為能夠特別減少氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71最上面的二維電子傳輸區(qū)域的晶體缺陷，所以能夠提高電子的移動度。因此，在實施方式1-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件300中，也能夠使層積于氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上的各層為位錯密度低、結(jié)晶度良好的層，所以能夠成為提高電子移動度等特性的元件。如上所述，根據(jù)本實施方式，控制層積在具有凸部1a及凹部1b的基板1表面上的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的形狀，由此，在層積在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5上表面5a上的氮化物半導(dǎo)體層通過MOCVD法的生長中以及之后的處理中，能夠抑制晶片開裂及產(chǎn)生裂紋，同時能夠提高由氮化物半導(dǎo)體層的X射線半值寬度等所表示的結(jié)晶度，并且能夠降低由CL法或EPD等所表示的缺陷密度，所以，能夠提供提高由發(fā)光效率及電子移動度等所表示的器件特性的氮化物半導(dǎo)體元件及成為氮化物半導(dǎo)體元件基礎(chǔ)的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)?！磳嵤┓绞?-1〉圖22表示本發(fā)明氮化物半導(dǎo)體元件的另一例即實施方式2-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件的剖面示意圖。實施方式2-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200的特征在于，具有：主要與凹部1b的氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面相接而設(shè)置的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、至少與第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3相接而設(shè)置的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、至少與第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面相接而設(shè)置的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5(由下層5A及上層5B形成)、設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的表面上的n型氮化物半導(dǎo)體超晶格層92。第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3設(shè)置在基板1的凹部1b上，在基板1的凸部1a的外側(cè)具有環(huán)繞凸部1a的第三小斜面3f和連接第三小斜面3f的第三平坦區(qū)域3c。而且，在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面上，第三小斜面3f的面積比例小于第三平坦區(qū)域3c的面積比例。第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4在基板1的凸部1a的外側(cè)至少具有六個環(huán)繞凸部1a的第一小斜面4r，并且具有連接第一小斜面4r的第一平坦區(qū)域4c。第一小斜面4r具有與采用六方晶結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體層的m(layer)軸向傾斜的面，第一平坦區(qū)域4c為與采用六方晶結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體層的m(layer)軸向垂直的面。另外，可以設(shè)置第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4，使其至少一部分與第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3相接。第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的下表面(下層5A的下表面)5L與第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r相接，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面(上層5B的上表面)5U平坦。而且，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的下層5A的上表面(上層5B的下表面)5M也平坦。另外，可以設(shè)置第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5，使其至少一部分與第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面相接。例如，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的下層5A的上表面5M、以及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5U的表面粗糙度Ra(日本JISB0601：2001)分別為0.1μm以下。下面針對實施方式2-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200的制造方法的一例進行說明。首先，準(zhǔn)備由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成的基板1。作為由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成的基板1，例如可以使用由藍(lán)寶石(Al2O3)單晶、AlN單晶或GaN單晶等形成的基板。而且，雖然未特別限定基板1的口徑，但例如可以為150mm(約6英寸)。作為基板1，以往通常使用50.8mm(2英寸)左右的、較小口徑的基板，但為了提高生產(chǎn)性，優(yōu)選使用大口徑的基板。然而，在使用大口徑的基板1的情況下，主要起因于基板1與氮化物半導(dǎo)體層的熱膨脹率差的應(yīng)力所導(dǎo)致的翹曲進一步增大，其結(jié)果為存在基板1容易開裂或容易在氮化物半導(dǎo)體層的表面上產(chǎn)生裂紋的問題。本發(fā)明如后所述，即使在使用100mm(約4英寸)以上大口徑的基板1的情況下，也能夠抑制基板1開裂或在氮化物半導(dǎo)體層的表面上產(chǎn)生裂紋。接著，如圖2的剖面示意圖所示，在基板1的表面形成凹部1b和設(shè)置在凹部1b之間的凸部1a。圖3表示圖2所示的基板1表面的一例的俯視放大示意圖。在此，在基板1的表面的俯視中，在頂點配置凸部1a的虛擬三角形1t各內(nèi)角的角度優(yōu)選為50°以上、70°以下。在該情況下，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3具有在凹部1b的區(qū)域更穩(wěn)定、并開始生長的傾向。而且，如果形成于第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3上的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4進一步生長，則第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4具有能夠形成以凸部1a為中心、在凸部1a的外側(cè)環(huán)繞凸部1a的至少六個第一小斜面4r的傾向。而且，在基板1的表面的俯視中，相鄰?fù)共?a的間隔優(yōu)選為0.2μm以上、7μm以下，更優(yōu)選為1μm以上、3μm以下，進而優(yōu)選為2μm左右。在相鄰?fù)共?a的間隔為0.2μm以上、7μm以下的情況下，具有工序上的問題減少的傾向。作為工序上的問題，例如可舉出用來增加凸部1a的高度的干式蝕刻時間增長、直至第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5U完全平坦所需要的生長時間過長等問題。另外，在本說明書中，相鄰?fù)共?a的間隔表示相鄰?fù)共?a之間的最短距離。此外，在基板1的表面的俯視中，凸部1a的圓形圓的直徑優(yōu)選為相鄰?fù)共?a的間隔的1/2以上、3/4以下。例如，在相鄰?fù)共?a的間隔為2μm的情況下，凸部1a的圓形圓的直徑更優(yōu)選為1.2μm左右。在凸部1a的圓形圓的直徑為相鄰?fù)共?a的間隔的1/2以上、3/4以下的情況下，特別是在1.2μm左右的情況，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3具有在凹部1b的區(qū)域比在凸部1a的區(qū)域更穩(wěn)定、并開始生長的傾向。此外，凸部1a的高度優(yōu)選在基板1的表面俯視中為凸部1a的圓形圓的直徑的1/4以上、1以下。例如在凸部1a的圓形圓的直徑為1.2μm的情況下，凸部1a的高度更優(yōu)選為0.6μm左右。在該情況下，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3具有在凹部1b的區(qū)域上比在凸部1a的區(qū)域更穩(wěn)定、并開始生長的傾向。另外，例如如沿通過圖3所示的凸部中心的B-B線的剖面放大示意圖即圖4所示，凸部1a的形狀優(yōu)選為具有前端部1c的形狀。在凸部1a的上表面平坦的情況下，后述的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3不僅只在凹部1b上生長，在凸部1a的平坦上表面上也生長。另一方面，在凸部1a為具有前端部1c的形狀的情況下，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3及第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4從凹部1b選擇性地生長，與延續(xù)生長的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5在凸部1a的前端部1c的上方會合，所以可以認(rèn)為能夠限制產(chǎn)生晶體缺陷的區(qū)域，減少在整體上缺陷的數(shù)量。接著，如圖5的剖面示意圖所示，在基板1的表面上形成氮化物半導(dǎo)體中間層2。在此，氮化物半導(dǎo)體中間層2例如能夠向腔中導(dǎo)入N2和Ar，在N2與Ar的混合環(huán)境中通過濺射Al靶材的反應(yīng)性濺射法而形成。Ar也可以不導(dǎo)入腔。而且，作為導(dǎo)入氣體，也可以添加微量的O2，通過使用含有微量O2的導(dǎo)入氣體，能夠獲得質(zhì)量比含有來源于腔內(nèi)殘留水分的氧的氮化物半導(dǎo)體中間層2好的膜。接著，如圖23的剖面示意圖所示，在氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3，如圖24的剖面示意圖所示，在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面上形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4。而且，如圖25的剖面示意圖所示，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面上形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的下層5A，如圖26的剖面示意圖所示，在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的下層5A的表面上形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上層5B。在此，分別通過例如MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition：金屬有機物化學(xué)氣相沉積)法，能夠在氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上依次形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、以及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5(下層5A及上層5B)。更具體地說，如圖27的剖面示意圖所示，首先，主要在凹部1b的氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3(例如厚度t3＝300nm)，然后，至少在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面上形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4(例如厚度t4＝1400nm)，之后，至少在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面上形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。在此，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5由未摻雜的下層5A(例如厚度t5A＝4000nm)和n型摻雜的上層5B(例如厚度t5B＝3000nm)的層積體形成。接著，參照圖28的剖面示意圖，針對晶體缺陷少且具有平坦上表面5U的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的制造方法、特別是生長模式進行說明。[氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長模式]首先，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5(以下稱為“氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層各層”)分別選擇適合的生長模式生長。下面，在本說明中，如下所示方便地定義生長模式。二維生長模式：易于獲得平坦表面的生長模式三維生長模式：易于形成小斜面的生長模式二維半生長模式：介于二維生長模式和三維生長模式的中間生長模式[氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長模式與生長參數(shù)的關(guān)系]接著，通過適當(dāng)?shù)剡x擇(A-2)生長溫度、(B-2)生長壓力、以及(C-2)V/III比這三個生長參數(shù)，能夠分別對氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層各層的生長所使用的生長模式進行切換。具體地說，能夠通過下面的(A-2)、(B-2)及(C-2)的至少一個生長參數(shù)或組合來實現(xiàn)各生長模式的切換。在此，本發(fā)明的發(fā)明者們專心研究的結(jié)果為，能夠得知這三個生長參數(shù)分別與氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長模式的關(guān)系。(A-2)生長溫度生長溫度越高，則越容易成為二維生長模式，生長溫度越低，則越容易成為三維生長模式。(B-2)生長壓力生長壓力越低則越容易成為二維生長模式，生長壓力越高則越容易為三維生長模式。(C-2)V/III比V/III比越小則越容易成為二維生長模式，V/III比越大則越容易成為三維生長模式。另外，V/III比是氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時單位時間所提供的V族原料氣體的摩爾量與單位時間所提供的III族原料氣體的摩爾量之比。因此，為了形成晶體缺陷少、結(jié)晶度高且具有平坦上表面50的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5，首先，使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3在介于能獲得平坦表面的“二維生長模式”與小斜面的晶體面優(yōu)先出現(xiàn)的“三維生長模式”之間的中間生長模式即“二維半生長模式”下生長。由此，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面具有第三小斜面3f和第三平坦區(qū)域3c。而且，各個第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3表面上的第三小斜面3f的面積比例小于第三平坦區(qū)域3c的面積比例。第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4在“三維生長模式”下生長，以形成第一小斜面4r。由此，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面具有第一小斜面4r和第一平坦區(qū)域4c。而且，在各個第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的俯視中，第一小斜面4r的面積比例大于第一平坦區(qū)域4c的面積比例。進而，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5為了填埋第一小斜面4r、形成平坦上表面5U而在“二維生長模式”下生長。由此，能夠形成晶體缺陷少、結(jié)晶度良好且具有平坦上表面5U的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。即通過在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面設(shè)置第三小斜面3f，將在氮化物半導(dǎo)體層的c(layer)軸向上延伸的位錯向第三小斜面3f的方向翹曲，由此減少位錯的數(shù)量。而且，通過設(shè)置第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的俯視中面積比例大于第一平坦區(qū)域4c的第一小斜面4r，將在氮化物半導(dǎo)體層的c(layer)軸向上延伸的位錯向第一小斜面4r的方向彎曲，從而進一步減少位錯的數(shù)量。像這樣在減少了于氮化物半導(dǎo)體層的c(layer)軸向上延伸的位錯數(shù)量的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面上，在促進具有平坦表面的氮化物半導(dǎo)體層生長的二維生長模式下使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長，由此能夠形成晶體缺陷少、結(jié)晶度良好且具有平坦上表面5U的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。另外，雖然第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5由下層5A與上層5B的層積體形成，但下層5A為未摻雜層，上層5B能夠通過在保持與下層5A基本相同的生長不變條件下進行n型摻雜而生長。總結(jié)上述結(jié)果，那么形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3及第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的工序優(yōu)選為滿足從下面的(i-2)、(ii-2)及(iii-2)中所選擇的至少一個條件而進行。由此，具有能夠得到難以生成裂紋、X射線搖擺曲線的半值寬度狹窄的氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的傾向。(i-2)使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3生長時的生長溫度高于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的生長溫度。(ii-2)使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3生長時的壓力低于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的壓力。(iii-2)使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3生長時所供給的氣體的V/III比低于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時所供給的氣體的V/III比。而且，形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的工序優(yōu)選為滿足從下面的(I-2)、(II-2)及(III-3)中所選擇的至少一個條件而進行，并且優(yōu)選為滿足從下面的(a-2)、(b-2)及(c-2)中所選擇的至少一個條件而進行。由此，具有能夠得到難以產(chǎn)生裂紋、X射線搖擺曲線的半值寬度狹窄的氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的傾向。(I-2)使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的生長溫度高于第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3生長時的生長溫度。(II-2)使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的壓力低于第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3生長時的壓力。(III-2)使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時所供給的氣體的V/III比低于第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3生長時所供給的氣體的V/III比。(a-2)使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的生長溫度高于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的生長溫度。(b-2)使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的壓力低于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的壓力。(c-2)使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時所供給的氣體的V/III比低于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時所供給的氣體的V/III比。圖29表示第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面的一例的俯視放大示意圖。如圖29所示，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3在凸部1a的外側(cè)具有環(huán)繞凸部1a的第三小斜面3f。而且，環(huán)繞一個凸部1a的第三小斜面3f與環(huán)繞另一個凸部1a的第三小斜面3f通過第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的第三平坦區(qū)域3c連接。第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的第三小斜面3f從第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的第三平坦區(qū)域3c向基板1的凸部1a傾斜下降。圖30表示第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面的另一例的俯視放大示意圖。在圖30所示的實例中，其特征為，由第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的第三平坦區(qū)域3c均勻地覆蓋基板1凹部1b的幾乎整個面，在凸部1a的周圍略微形成第三小斜面3f。即在圖30所示的實例中，與圖29所示的實例相比，在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面上，第三平坦區(qū)域3c所占的面積比例大于第三小斜面3f所占的面積比例。圖31表示沿圖30的B-B的剖面示意圖。第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3從基板1的凹部1b的上方區(qū)域選擇性地進行生長。而且，隨著第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的生長的進行，由第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的第三平坦區(qū)域3c均勻地覆蓋基板1的凹部1b上方區(qū)域的幾乎整個面，在基板1的凸部1a的周圍略微形成第三小斜面3f。圖32表示第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面的另一例的俯視放大示意圖。在圖32所示的實例中，其特征為，在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面形成粗糙面區(qū)域3d。在此，即使在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3具有60nm以上的層厚的情況下，在凹部上方區(qū)域的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面上也混合存在第三平坦區(qū)域3c、以及比第三平坦區(qū)域3c粗糙的粗糙面區(qū)域3d。在該情況下，如果在該粗糙面區(qū)域3d的表面上生長第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4，則第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面容易形成更大的粗糙面，進而出現(xiàn)在其上方生長的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的表面難以平坦的問題。第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3優(yōu)選在粗糙面區(qū)域3d占第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面的面積比例為5％以下的條件下生長。在該情況下，生長于第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面上的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5分別具有形成晶體缺陷少且結(jié)晶度良好的膜的傾向。圖33表示形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3后所生長的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的一例的俯視放大示意圖。第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4在基板1的凸部1a的外側(cè)具有環(huán)繞凸部1a的六個第一小斜面4r。在圖33所示的俯視中，第一小斜面4r在a(sub)軸向上出現(xiàn)兩個，在與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向(都是u方向)上分別兩個兩個地出現(xiàn)(將該情況作為“事例2-1”)。更具體地說，在六個第一小斜面4r中，在圖33所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的俯視中，出現(xiàn)在a(sub)軸向上的兩個第一小斜面4r相對a(sub)軸向(〈11-20〉方向)向斜上方傾斜，第一小斜面4r在其傾斜方向上伸展。而且同樣地，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的俯視中，兩個兩個分別出現(xiàn)在與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向(都是u方向)上的第一小斜面4r也相對于與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向分別向斜上方傾斜，第一小斜面4r在其傾斜方向上伸展。圖34表示沿圖33的B-B的剖面示意圖。出現(xiàn)在圖34中的第一小斜面4r是在第一小斜面4r所存在的范圍內(nèi)、在其剖面的內(nèi)側(cè)方向上也同樣出現(xiàn)的面。而且，環(huán)繞一個凸部1a的第一小斜面4r與環(huán)繞另一個凸部1a的第一小斜面4r通過第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的上表面4c連接。在此，環(huán)繞凸部1a外周的六個第一小斜面4r分別通過從凸部1a向斜上方伸展而傾斜。圖35表示第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3形成后所生長的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的另一例的俯視放大示意圖。在圖35所示的實例中，表示在基板1表面的凸部1a分別排列在與a(sub)軸向傾斜+30°的方向及與a(sub)軸向傾斜－30°的方向上的情況下、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r與第一平坦區(qū)域4c的位置關(guān)系(將該情況作為“事例2-2”)。在形成六個第一小斜面4r的三維生長模式下使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長的情況下，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r及第一平坦區(qū)域4c分別容易受到基板1凸部1a的排列的影響。在事例2-2中，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的俯視中，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一平坦區(qū)域4c的形狀為連接的三角形形狀，在切換為第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的生長模式即二維生長模式后，在第一平坦區(qū)域4c上形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。由于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一平坦區(qū)域4c的晶體缺陷具有向第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5延續(xù)傳播的傾向，所以，第一平坦區(qū)域4c所占第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的面積較小的事例2-1的情況與事例2-2的情況相比，事例2-1具有在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5上形成晶體缺陷少且結(jié)晶度良好的膜的傾向。圖27所示的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的厚度t3優(yōu)選為60nm以上、凸部1a的高度以下(例如凸部1a的高度為0.6μm的情況下為600nm以下)。在厚度t3為60nm以上的情況下，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3覆蓋凹部1b的氮化物半導(dǎo)體中間層2的整體區(qū)域，所以其結(jié)果為，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5具有分別形成晶體缺陷少且結(jié)晶度良好的膜的傾向。在厚度t3為凸部1a的高度以下的情況下，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時易于形成第一小斜面4r，所以，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5分別具有易于形成晶體缺陷少且具有良好結(jié)晶度的膜的傾向。而且，將圖27所示的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3與第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4合并的膜的最厚部分的厚度t34優(yōu)選為在基板1表面的俯視中相鄰?fù)共?a的間隔的0.5倍以上、2倍以下。例如在基板1的表面的俯視中相鄰?fù)共?a的間隔為2μm的情況下，厚度t34優(yōu)選為1μm以上、4μm以下。在厚度t34在基板1的表面的俯視中為相鄰?fù)共?a的間隔的0.5倍以上的情況下，因為第一小斜面4r在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的面積比例進一步大于第一平坦區(qū)域4c的面積比例，所以第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5分別具有易于形成晶體缺陷少且具有良好結(jié)晶度的膜的傾向。而且，在厚度t34在基板1的表面的俯視中為相鄰?fù)共?a的間隔的2倍以下的情況下，因為在形成有第一小斜面4r的狀態(tài)下填埋凸部1a的傾向減小，所以具有在凸部1a的上方難以留下晶體缺陷的傾向。第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的厚度(下層5A的厚度t5A與上層5B的厚度t5B的厚度總和)優(yōu)選為凸部1a高度的2倍以上，例如在凸部1a的高度為0.6μm的情況下，優(yōu)先為1.2μm以上。在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的厚度為凸部1a高度的2倍以上的情況下，能夠在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的下層5A填埋凸部1a的傾向增大，所以第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5下層5A的上表面5M平坦的傾向增大。另外，作為第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3，例如能夠使用由式Alx10Gay10Inz10N(0≦x10≦1、0≦y10≦1、0≦z10≦1、x10+y10+z10≠0)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成的層。而且，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5作為材料為相同組成，優(yōu)選只改變生長條件。在從第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3生長時的生長模式切換為第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的生長模式、并且從第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的生長模式切換為第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的生長模式時，雖然優(yōu)選分別設(shè)置例如2秒～60秒左右的生長中斷時間，并且在其間改變生長條件，但也可以連續(xù)地改變條件。作為第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5，為了不延續(xù)由柱狀晶體的集合體形成的氮化物半導(dǎo)體中間層2中的位錯等晶體缺陷，分別優(yōu)選使用含有作為III族元素的Ga的氮化物半導(dǎo)體層。雖然為了不延續(xù)氮化物半導(dǎo)體中間層2中的位錯而需要在與氮化物半導(dǎo)體中間層2的界面附近使位錯成環(huán)，但在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3由含有Ga的III族氮化物半導(dǎo)體形成的情況下，位錯容易成環(huán)。因此，通過分別使用由含有Ga的III族氮化物半導(dǎo)體形成的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、以及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5，在與氮化物半導(dǎo)體中間層2的界面附近使位錯成環(huán)而閉鎖，從而具有能夠抑制位錯從氮化物半導(dǎo)體中間層2向第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4延續(xù)的傾向。而且，可以對形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3之前的氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面進行熱處理，通過該熱處理，具有能夠謀求氮化物半導(dǎo)體中間層2表面的清潔化與結(jié)晶度的提高的傾向。該熱處理例如能夠在MOCVD法所使用的MOCVD裝置內(nèi)進行，作為進行熱處理時的環(huán)境氣體，例如可以使用氫氣或氮氣等。此外，為了防止在上述熱處理時氮化物半導(dǎo)體中間層2分解，也可以在進行熱處理時的環(huán)境氣體中混入氨氣。而且，上述熱處理例如可以在900℃以上、1250℃以下的溫度下進行例如1分鐘以上、60分鐘以下的時間。雖然優(yōu)選第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、以及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的下層5A分別為無摻雜，在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上層5B為n型摻雜，但第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的下層5A也可以分別為n型摻雜。在為n型摻雜的情況下，n型摻雜劑可以在1×1017cm-3以上、1×1019cm-3以下的范圍內(nèi)摻雜。作為n型摻雜劑，例如可以使用從硅、鍺及錫中所選擇的至少一種元素等，其中優(yōu)選使用硅。在n型摻雜劑中使用硅的情況下，作為n型摻雜氣體，優(yōu)選使用硅烷氣或乙硅烷氣。第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5分別生長時的基板1的溫度優(yōu)選為800℃以上、1250℃以下，更優(yōu)選為900℃以上、1150℃以下。在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5分別生長時的基板1的溫度為800℃以上、1250℃以下的情況，特別是在900℃以上、1150℃以下的情況下，具有能夠使晶體缺陷少且結(jié)晶度良好的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長的傾向。接著，例如通過MOCVD法，在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的表面上形成n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7。另外，可以設(shè)置n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7，使其至少一部分與第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的表面相接。第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5、以及n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的厚度總和優(yōu)選為4μm以上、20μm以下，更優(yōu)選為4μm以上、15μm以下。在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5、以及n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的厚度總和為4μm以上的情況下，具有這些層的結(jié)晶度良好、在這些層的表面上難以產(chǎn)生凹坑(pit)的傾向。另一方面，在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5、以及n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的厚度總和為15μm以下的情況下，具有基板1的翹曲不會增大、晶片難以開裂或在晶片的光刻加工時難以出現(xiàn)曝光不均、元件的產(chǎn)量增高的傾向。而且，在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5、以及n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的厚度總和特別為4μm以上、15μm以下的情況下，能夠使這些層的結(jié)晶度良好、并且能夠抑制基板1產(chǎn)生翹曲、能夠有效防止元件的產(chǎn)量降低的傾向進一步增大。另外，在這些層的厚度總和中，未特別限定n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的厚度上限。接著，例如通過MOCVD法，在n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的表面上形成n型氮化物半導(dǎo)體超晶格層92。n型氮化物半導(dǎo)體超晶格層92的主要作用為，利用構(gòu)成n型氮化物半導(dǎo)體超晶格層92的超晶格的各層間的界面，抑制從n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的下方向上方延伸的晶體缺陷延伸至氮化物半導(dǎo)體活性層11。作為n型氮化物半導(dǎo)體超晶格層92，例如能夠使用將由厚度為2.5nm的Inx11Ga1-x11N(0＜x11≦1，例如x11＝0.02)形成的低帶隙層、以及例如由厚度為2.5nm的GaN形成的高帶隙層交替層積十對而形成的超晶格結(jié)構(gòu)，但低帶隙層與高帶隙層的組成不限于此。低帶隙層在組成中含有揮發(fā)性In，所以對于n型氮化物半導(dǎo)體超晶格層92整體或者至少低帶隙層來說，優(yōu)選使生長溫度低于n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7。雖然生長溫度可以固定，但也可以例如在低帶隙層中以低溫生長，在高帶隙中以高溫生長。另外，也可以省略n型氮化物半導(dǎo)體超晶格層92，在n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7上形成氮化物半導(dǎo)體活性層11。在該情況下，因為元件結(jié)構(gòu)簡單，所以具有減少特性差異的傾向。在n型氮化物半導(dǎo)體超晶格層92中的低帶隙層、高帶隙層的任意一層或兩層中優(yōu)選進行n型摻雜，至于n型摻雜劑的摻雜濃度，優(yōu)選為1×1017cm-3以上、1×1020cm-3以下，更優(yōu)選為1×1018cm-3以上、1×1019cm-3以下，進而優(yōu)選為2×1018cm-3以上、4×1018cm-3以下。在該情況下，具有能夠維持n型氮化物半導(dǎo)體超晶格層92的良好結(jié)晶度、并且能夠降低元件的動作電壓的傾向。接著，例如通過MOCVD法，在n型氮化物半導(dǎo)體超晶格層92的表面上依次形成氮化物半導(dǎo)體活性層11、p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13、以及p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15。然后，在p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15的表面上形成例如由ITO(IndiumTinOxide：氧化銦錫)形成的透光性電極層19。接著，通過蝕刻除去p側(cè)電極21形成后的層積體的一部分，由此露出n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的表面的一部分。然后，在透光性電極19的表面上和在n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7露出的表面上分別同時形成p側(cè)電極21和n側(cè)電極20。作為p側(cè)電極21及n側(cè)電極20，例如能夠形成鎳層、鋁層、鈦層及金層的層積膜。另外，也可以不同時形成p側(cè)電極21及n側(cè)電極20，而以其他方式形成，在該情況下，改變兩電極的材料，由此能夠選擇最適合的材料分別作為p側(cè)電極21及n側(cè)電極20。之后，在n側(cè)電極20形成后的層積體的整個表面形成SiO2等絕緣保護膜23，為露出p側(cè)電極21及n側(cè)電極20而在絕緣保護膜23設(shè)有開口部，將形成了多個氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200的晶片分割成單個的元件，由此能夠制作出實施方式2-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200。在按照上述方法制作的實施方式2-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200中，在設(shè)置于基板1的表面的氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上以二維半生長模式使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3生長，以三維生長模式使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長，以二維生長模式使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長。在由此而得到的X射線搖擺曲線半值寬度狹小的、具有良好結(jié)晶度且平坦的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5U上依次層積n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7、n型氮化物半導(dǎo)體超晶格層92、氮化物半導(dǎo)體活性層11、p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13及p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15。因此，氮化物半導(dǎo)體活性層11等的氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上的各層的位錯密度降低，具有良好的結(jié)晶度。因此，由具有這樣良好結(jié)晶度的氮化物半導(dǎo)體層所形成的實施方式2-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200是動作電壓低、發(fā)光輸出高的元件。將實施方式2-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200作為用來評估裸芯片(未進行后述的樹脂密封)的元件，在10個元件中通過30mA電流時，確認(rèn)能夠得到平均光輸出為41mW、動作電壓為3.0V及發(fā)光波長為445nm的動作電壓低且發(fā)光輸出高的元件。圖36表示使用實施方式2-1氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200的發(fā)光裝置210的一例的剖面示意圖。在此，發(fā)光裝置210具有將實施方式2-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200設(shè)置在第二引線框架31上的結(jié)構(gòu)。而且，通過第一金屬線33電連接氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200的p側(cè)電極21和第一引線框架30，并且通過第二金屬線34電連接氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200的n側(cè)電極20和第二引線框架31。進而，通過透明成型樹脂35模制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200，由此，發(fā)光裝置210成為炮彈狀的形狀。圖36所示結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置210使用了實施方式2-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件200，所以能夠成為動作電壓低且發(fā)光輸出高的發(fā)光裝置?！磳嵤┓绞?-2〉第二實施方式的特征為，是使用了第一實施方式的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(基板1、氮化物半導(dǎo)體中間層2、第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4以及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的層積結(jié)構(gòu))的電子器件即氮化物半導(dǎo)體晶體管元件。圖37表示實施方式2-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件400的剖面示意圖。氮化物半導(dǎo)體晶體管元件400具有氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為，由將在等價的三個a(sub)軸向上配置凸部1a的c面作為主表面的藍(lán)寶石基板形成的基板1、在基板1的表面上依次層積的由AlN等形成的氮化物半導(dǎo)體中間層2、由無摻雜GaN等形成的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3、由無摻雜GaN等形成的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、由無摻雜GaN等形成的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。而且，在晶體缺陷少且具有良好結(jié)晶度的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的平坦表面5U上層積由無摻雜GaN等形成的氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71，在氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71的表面上層積由n型AlGaN等形成的n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73。在n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73的表面上設(shè)置柵極77，在柵極77的兩側(cè)設(shè)置由n型GaN等形成的源極接觸層75S和漏極接觸層75D。而且，在源極接觸層75S上設(shè)置源極78S，在漏極接觸層75D上設(shè)置漏極78D。下面針對實施方式2-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件400的制造方法的一例進行說明。首先，與實施方式2-1相同，在具有凸部1a及凹部1b的基板1的表面上通過反應(yīng)性濺射法形成由AlN形成的氮化物半導(dǎo)體中間層2。接著，通過MOCVD法，在氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上，在出現(xiàn)第三小斜面3f和第三平坦區(qū)域3c的二維半生長模式下使由無摻雜GaN形成的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3生長，在三維生長模式下使由無摻雜GaN形成的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長。在此，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的俯視中，在出現(xiàn)于a(sub)軸向上的兩個第一小斜面4r、以及兩個兩個分別出現(xiàn)于與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向上的第一小斜面4r都出現(xiàn)的條件下，使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長。然后，通過MOCVD法，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面上以二維生長模式使由無摻雜GaN形成的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長。在此，在填埋第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r且出現(xiàn)平坦上表面5U的條件下，使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長。接著，通過MOCVD法，在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的平坦上表面5U上層積由n型AlxGa1-xN形成的氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71，在氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71的表面上層積n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73。之后，如圖37所示，在n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73的表面上形成源極接觸層75S及漏極接觸層75D后，分別形成源極78S、漏極78D及柵極77。由此，能夠制作出實施方式2-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件400。在實施方式2-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件400中，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的俯視中，在出現(xiàn)于a(sub)軸向上的兩個第一小斜面4r、以及兩個兩個分別出現(xiàn)于與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向上的第一小斜面4r都出現(xiàn)的條件下，使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長。由此，因為能夠特別減少氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71最上面的二維電子傳輸區(qū)域的晶體缺陷，所以能夠提高電子的移動度。因此，在實施方式2-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件400中，因為層積于氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上的各層是位錯密度低、結(jié)晶度良好的層，所以能夠成為提高電子移動度等特性的元件。如上所述，根據(jù)本實施方式，在具有凸部1a及凹部1b的基板1的表面上，首先在二維半生長模式下使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3生長，然后，在三維生長模式下使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長，之后，在二維生長模式下使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長，使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5成為位錯密度低且結(jié)晶度良好的基礎(chǔ)層。由此，在層積于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5上表面5U上的氮化物半導(dǎo)體層通過MOCVD法的生長中以及之后的工序中，能夠抑制晶片開裂及產(chǎn)生裂紋，并且能夠提高由氮化物半導(dǎo)體層的X射線搖擺曲線的半值寬度所表示的結(jié)晶度，同時，因為能夠降低由CL法、EPD等所表示的缺陷密度，所以能夠提供提高了由發(fā)光效率及電子移動度等所表示的器件特性的氮化物半導(dǎo)體元件以及成為氮化物半導(dǎo)體元件的基礎(chǔ)的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。另外，雖然只記述了通過濺射法而形成氮化物半導(dǎo)體中間層2，但該方法不限于此，例如也可以為使用MOCVD法、在低溫下形成的所謂低溫緩沖層。而且，作為基板1，在使用GaN基板的情況下也可以省略氮化物半導(dǎo)體中間層2。另外，實施方式2-1及2-2除了上述以外的說明，其他方面與實施方式1-1及1-2相同，因此省略其說明?！磳嵤┓绞?-1〉下面，針對實施方式3-1的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法進行說明。實施方式3-1的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的特征在于，旋轉(zhuǎn)基板的同時，通過基于使用含有氫氣的載氣的立式MOCVD裝置的MOCVD法，使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長，限制基板單位時間的旋轉(zhuǎn)數(shù)以及氫氣相對于載氣的整個體積的體積比。而且，在本實施方式的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，當(dāng)然也可以在后述的各工序之間包括其他的工序。首先，如圖38所示的剖面示意圖，進行準(zhǔn)備基板1的工序。在此，作為基板1，例如可以準(zhǔn)備由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成的基板1。作為由三方晶剛玉或六方晶的晶體形成的基板1，例如可以使用由藍(lán)寶石(Al2O3)單晶、AlN單晶或GaN單晶等形成的基板。而且，基板1的表面40可以為c面或與c面具有5°以內(nèi)傾斜的表面，傾斜的方向例如可以只是m(sub)軸(〈1-100〉)方向、只是a(sub)軸(〈11-20〉)方向、或上述兩方向合成的方向。更具體地說，作為基板1，可以準(zhǔn)備基板1的表面40從c面(法線為c軸的面)向基板的m(sub)軸〈1-100〉方向傾斜0.15°～0.35°的基板等。然后，如圖39的剖面示意圖所示，在基板1的表面40形成凹部1b和設(shè)置在凹部1b之間的凸部1a。例如，能夠通過包含在基板1的表面40上形成規(guī)定凸部1a的平面配置的掩模的構(gòu)圖工序和利用通過該構(gòu)圖工序而形成的掩模、對基板1的表面40進行蝕刻而形成凹部1b的工序，來形成上述基板1表面的凸部1a及凹部1b。在此，構(gòu)圖工序能夠通過普通的光刻工序進行，蝕刻工序例如能夠通過干式蝕刻法或濕式蝕刻法進行。然而，為了使凸部1a的形狀為具有后述的前端部的形狀，優(yōu)選通過易于控制凸部1a形狀的干式蝕刻法來進行。接著，如圖5的剖面示意圖所示，在基板1的表面上形成氮化物半導(dǎo)體中間層2。然后，如圖6的剖面示意圖所示，在氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4，如圖7的剖面示意圖所示，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面上形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。在此，例如旋轉(zhuǎn)形成氮化物半導(dǎo)體中間層2后的基板1的同時，供給含有氫氣的載氣、以及含有III族原料氣體和V族原料氣體的原料氣體，使用立式MOCVD裝置的MOCVD法，由此能夠在氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上分別依次形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4在形成有第一小斜面4r的小面生長模式下生長，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5在為使第一小斜面4r與下表面5b相接而填埋第一小斜面4r并形成平坦上表面5a的填埋生長模式下生長。由此，能夠形成晶體缺陷少、結(jié)晶度高且具有平坦上表面5a的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。圖8表示圖6所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的一例的俯視放大示意圖。如圖8所示，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4在凸部1a的外側(cè)具有環(huán)繞凸部1a的六個第一小斜面4r。在圖8所示的俯視中，在a(sub)軸向上出現(xiàn)兩個第一小斜面4r，在與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向(都為u方向)上分別兩個兩個地出現(xiàn)第一小斜面4r(該情況為事例3-1)。而且，在沿圖8的B-B線的剖面上出現(xiàn)的第一小斜面4r是在第一小斜面4r存在的范圍內(nèi)、在該剖面的內(nèi)側(cè)方向上也同樣出現(xiàn)的面。而且，通過第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的上表面4c連接環(huán)繞一個凸部1a的第一小斜面4r和環(huán)繞另一個凸部1a的第一小斜面4r。第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r從第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的上表面4c向基板1的凸部1a傾斜下降。在此，在六個第一小斜面4r中，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的俯視中，出現(xiàn)在a(sub)軸向上的兩個第一小斜面4r相對于a(sub)軸向(〈11-20〉方向)向斜上方傾斜，小面在該傾斜方向上伸展。而且同樣地，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面的俯視中，分別兩個兩個地出現(xiàn)在與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向上的第一小斜面4r也分別相對于與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向向斜上方傾斜，小面在該傾斜方向上伸展。此外，在氮化物半導(dǎo)體中間層2上，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r為以凸部1a為中心、在凸部1a的外側(cè)成為環(huán)繞凸部1a的六個小面。而且，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的俯視中，優(yōu)選除了在a(sub)軸向及u方向上出現(xiàn)的第一小斜面4r以外，其他小面幾乎不出現(xiàn)。更具體地說，優(yōu)選由上述公式(1)所表示的第一小斜面4r的面積比率為80％以上，更優(yōu)選為90％以上。在第一小斜面4r的面積比率為80％以上的情況下，特別是在90％以上的情況下，在層積于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a上的氮化物半導(dǎo)體層的生長中以及之后的工序中，具有能夠抑制晶片開裂及產(chǎn)生裂紋的傾向。而且，也具有能夠提高由X射線搖擺曲線的半值寬度等所表示的氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶度的傾向。進而，也具有減少能夠通過陰極發(fā)光法或腐蝕坑密度等進行評估的缺陷密度的傾向。具體地說，GaN基礎(chǔ)層的(004)面的X射線搖擺曲線的半值寬度(arcsec)可以為30～40arcsec，而且通過CL法而得到的暗斑密度為2×108cm-3以下。使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4通過使用立式MOCVD裝置的MOCVD法生長時的基板1單位時間的旋轉(zhuǎn)數(shù)為400RPM以上、1000RPM以下，并且使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4通過MOCVD法生長時所供給的氫氣相對于載氣整體體積的體積比為0.7以上、1以下，由此能夠?qū)崿F(xiàn)上述第一小斜面4r出現(xiàn)的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的小面生長模式。這是通過本發(fā)明的發(fā)明者專心研究的結(jié)果得出的結(jié)論，研究結(jié)果為，在形成于具有凸部和凹部的基板1的表面上的氮化物半導(dǎo)體中間層2上、通過使用立式MOCVD裝置的MOCVD法、使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時，使基板1單位時間的旋轉(zhuǎn)數(shù)為400RPM以上、1000RPM以下，并且使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時所供給的氫氣相對于載氣的整體體積的體積比為0.7以上、1以下，由此，能夠使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4形成均勻性較高的、表面相連的連接膜。在上述連接膜即第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面上通過MOCVD法使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長的情況下，能夠得到晶體缺陷少、具有高結(jié)晶度且具有高平坦性的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a。因此，在本實施方式中，在具有上述高結(jié)晶度及高平坦性的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a上能夠再現(xiàn)性良好地形成具有良好結(jié)晶度的氮化物層。另外，“RPM”為“RotationPerMinute”的縮略語，是基板1一分鐘范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)數(shù)。而且“立式MOCVD裝置”是在實質(zhì)上與基板面垂直的方向上供給原料氣體的反應(yīng)爐。出現(xiàn)上述第一小斜面4r的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的小面生長模式、以及填埋第一小斜面4r且形成平坦性較高的上表面5a的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的填埋生長模式優(yōu)選分別為滿足從下述的(i-3)、(ii-3)、(iii-3)、(iv-3)及(v-3)中所選擇的至少一個條件而進行，進而優(yōu)選為滿足下述的(i-3)、(ii-3)、(iii-3)、(iv-3)及(v-3)的所有條件而進行。在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的小面生長模式及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的填埋生長模式在滿足下述的(i-3)～(v-3)的至少一個條件下進行的情況下，特別是在滿足(i-3)～(v-3)的所有條件下進行的情況下，因為能夠得到具有更高結(jié)晶度及平坦性的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a，所以，在其上方具有能夠進一步再現(xiàn)性良好地形成具有更良好結(jié)晶度的氮化物層的傾向。(i-3)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的生長溫度低于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的生長溫度。(ii-3)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的壓力高于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的壓力。(iii-3)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時所供給的原料氣體的V/III比(原料氣體中V族元素相對于III族元素的摩爾比)高于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時所供給的原料氣體的V/III比。(iv-3)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的基板1單位時間的旋轉(zhuǎn)數(shù)小于第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的基板1單位時間的旋轉(zhuǎn)數(shù)。(v-3)使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時氫氣相對于載氣的整體體積的體積比為第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時氫氣相對于載氣的整體體積的體積比以上。上述(i-3)、(ii-3)、(iii-3)、(iv-3)及(v-3)的各自的具體條件例如如下所示。(i-3)相對于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時基板1的溫度1000℃，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時基板1的溫度為1080℃。(ii-3)相對于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時的環(huán)境壓力66.6kPa，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時的環(huán)境壓力為17.3kPa。(iii-3)相對于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時所供給的原料氣體的V/III比1165，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時所供給的原料氣體的V/III比為676。(iv-3)相對于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時基板1單位時間的旋轉(zhuǎn)數(shù)600RPM，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時基板1單位時間的旋轉(zhuǎn)數(shù)為1200RPM。(v-3)相對于第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時氫氣相對于載氣的整體體積的體積比((氫氣的體積)/(載氣的整體體積))1，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長時氫氣相對于載氣的整體體積的體積比為0.7以上、1以下。在此，在使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4通過使用立式MOCVD裝置的MOCVD法生長時的基板1單位時間的旋轉(zhuǎn)數(shù)為400RPM以上、1000RPM以下、且使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長時所供給的氫氣相對于載氣的整體體積的體積比為0.7以上、1以下、并且滿足從由(i-3)、(ii-3)、(iii-3)、(iv-3)及(v-3)中所選擇的至少一個條件的情況下，具有能夠進一步提高第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的靜電耐壓測試(ESD測試)的成功率的傾向。另外，ESD測試是在反向電壓為1kV的HBM(人體模型)條件下進行的測試。下面，參照圖12～圖18，針對實施方式3-1的氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法進行說明。另外，在下面的說明中，在后述的工序之間當(dāng)然也可以包括其他的工序。首先，如圖12所示，例如通過MOCVD法，在按照上述方法制作的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a上形成n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7。然后，如圖13所示，例如通過MOCVD法，在n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的表面上形成n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9。接著，如圖14所示，例如通過MOCVD法，在n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9的表面上形成氮化物半導(dǎo)體活性層11。然后，如圖15所示，例如通過MOCVD法，在氮化物半導(dǎo)體活性層11的表面上形成p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13。另外，作為p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13，如上所述，例如可以使用在由式Alx8Gay8Inz8N(0≦x8≦1、0≦y8≦1、0≦z8≦1、x8+y8+z8≠0)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體中摻雜p型摻雜劑的層等，但也可以使用具有將由式Alx8aGa1-x8aN(0＜x8a≦0.4、優(yōu)選為0.1≦x8a≦0.3)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成的層(A層)、以及由帶隙小于A層的、式Alx8bGay8bInz8bN(0≦x8b≦1、0≦y8b≦1、0≦z8b≦1、x8b+y8b+z8b≠0)所表示的III族氮化物半導(dǎo)體形成的層(B層)交替逐層層積的超晶格結(jié)構(gòu)的層。另外，在該超晶格結(jié)構(gòu)中，可以分別在A層及B層摻雜p型摻雜劑，也可以只在A層或B層摻雜p型摻雜劑。接著，如圖16所示，例如通過MOCVD法，在p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13的表面上形成p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15。然后，如圖17所示，在p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15的表面上形成例如由ITO(IndiumTinOxide：氧化銦錫)形成的透光性電極層19后，在透光性電極層19的表面上形成p側(cè)電極21。接著，如圖18所示，通過蝕刻除去p側(cè)電極21形成后的層積體的一部分，由此露出n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7的表面的一部分。接著，如圖19所示，在n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7露出的表面上形成n側(cè)電極20。之后，如圖40的剖面示意圖所示，在n側(cè)電極20形成后的層積體的整個表面形成SiO2等絕緣保護膜23，為使p側(cè)電極21及n側(cè)電極20露出而在絕緣保護膜23設(shè)有開口部，將形成了多個氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件500的晶片分割成單個的元件，由此能夠制作出圖40所示的實施方式3-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件500。在按照上述方法制作的實施方式3-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件500中，在均勻性高的表面相連的連接膜即第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面上的、具有高結(jié)晶度及高平坦性的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a上，依次層積n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7、n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9、氮化物半導(dǎo)體活性層11、p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13及p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15。因此，對于層積在晶體缺陷少且結(jié)晶度高的平坦的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a上的n型氮化物半導(dǎo)體接觸層7、n型氮化物半導(dǎo)體包覆層9、氮化物半導(dǎo)體活性層11、p型氮化物半導(dǎo)體包覆層13及p型氮化物半導(dǎo)體接觸層15來說，位錯密度降低，并且具有良好的結(jié)晶度。因此，由具有上述良好結(jié)晶度的氮化物半導(dǎo)體層形成的實施方式3-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件500為動作電壓低、發(fā)光輸出高的元件。另外，將在事例3-1的條件下制成的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件500作為用來評估裸芯片(未進行后述的樹脂密封)的元件，在10個元件中通過30mA電流時，確認(rèn)能夠得到平均光輸出為39mW、動作電壓為3.0V及發(fā)光波長為455nm的動作電壓低且發(fā)光輸出高的元件。此外，也可以使用實施方式3-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件500，制造圖41所示結(jié)構(gòu)的實施方式3-1的發(fā)光裝置510。在此，實施方式3-1的發(fā)光裝置510例如將實施方式3-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件500設(shè)置在第二引線框架31上，通過第一金屬線33電連接氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件500的p側(cè)電極21和第一引線框架30，并且通過第二金屬線34電連接氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件500的n側(cè)電極20和第二引線框架31。然后，通過透明成型樹脂35模制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件500，由此，發(fā)光裝置510成為炮彈狀的形狀。圖41所示結(jié)構(gòu)的實施方式3-1的發(fā)光裝置510使用實施方式3-1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件500，所以能夠形成為動作電壓低且發(fā)光輸出高的發(fā)光裝置。〈實施方式3-2〉實施方式3-2的特征在于，是使用了按照實施方式3-1所制造的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(基板1、氮化物半導(dǎo)體中間層2、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的層積結(jié)構(gòu))的電子器件即氮化物半導(dǎo)體晶體管元件。圖42表示實施方式3-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件600的剖面示意圖。氮化物半導(dǎo)體晶體管元件600具有氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的構(gòu)成為：由將在等價的三個a(sub)軸向上配置凸部1a的c面作為主表面的藍(lán)寶石基板形成的基板1、依次層積在基板1的表面上的由AlN等形成的氮化物半導(dǎo)體中間層2、由無摻雜GaN等形成的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4、由無摻雜GaN等形成的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5。而且，在晶體缺陷少且具有良好結(jié)晶度的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的平坦上表面5a上層積由無摻雜GaN等形成的氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71，在氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71的表面上層積由n型AlGaN等形成的n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73。在n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73的表面上設(shè)置柵極77，在柵極77的兩側(cè)設(shè)置由n型GaN等形成的源極接觸層75S和漏極接觸層75D。而且，在源極接觸層75S上設(shè)置源極78S，在漏極接觸層75D上設(shè)置漏極78D。下面針對實施方式3-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件600的制造方法的一例進行說明。首先，與實施方式3-1相同，在具有凸部1a及凹部1b的基板1的表面上通過反應(yīng)性濺射法形成由AlN形成的氮化物半導(dǎo)體中間層2。然后，通過與實施方式3-1相同條件的MOCVD法，在氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上使由無摻雜GaN形成的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長。在此，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面的俯視中，在出現(xiàn)于a(sub)軸向上的兩個第一小斜面4r、以及兩個兩個分別出現(xiàn)于與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向上的第一小斜面4r都出現(xiàn)的條件(例如事例3-1的條件)下，使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4生長。接著，通過與第一實施方式相同條件的MOCVD法，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面上使由無摻雜GaN形成的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長。在此，在填埋第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的第一小斜面4r且出現(xiàn)大致為平坦的上表面5a的條件下使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5生長。接著，通過MOCVD法，在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的大致平坦的上表面5a上層積由n型AlxGa1-xN形成的氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71，在氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71的表面上層積n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73。之后，如圖42所示，在n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73的表面上形成源極接觸層75S及漏極接觸層75D后，分別形成源極78S、漏極78D及柵極77。由此，能夠制作出實施方式3-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件600。在實施方式3-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件600中，也與實施方式3-1相同，在均勻性較高的表面相連的連接膜即第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4表面上的、具有高結(jié)晶度及高平坦性的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a上層積氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71及n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層73等的氮化物半導(dǎo)體層。由此，因為能夠特別減少氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層71最上面的二維電子傳輸區(qū)域的晶體缺陷，所以能夠提高電子的移動度。因此，在實施方式3-2的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件600中，因為層積于氮化物半導(dǎo)體中間層2的表面上的各層可以為位錯密度低且結(jié)晶度良好的層，所以可以為提高電子移動度等特性的元件。如上所述，根據(jù)本實施方式，通過在具有凸部1a及凹部1b的基板1上形成均勻性較高的表面相連的連續(xù)膜即第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面，得到具有高結(jié)晶度及高平坦性的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5的上表面5a。在層積在上述第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5上表面5a上的氮化物半導(dǎo)體層通過MOCVD法的生長中以及之后的工序中，能夠抑制晶片開裂及產(chǎn)生裂紋，同時能夠提高由氮化物半導(dǎo)體層的X射線半值寬度等所表示的結(jié)晶度，并且能夠降低由CL法或EPD等所表示的缺陷密度，所以，能夠提供使由發(fā)光效率及電子移動度等表示的器件特性提高的氮化物半導(dǎo)體元件及成為氮化物半導(dǎo)體半導(dǎo)體元件的基礎(chǔ)的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。另外，實施方式3-1及3-2除上述以外的其他說明都與實施方式1-1、1-2、2-1及2-2相同，所以省略其說明。實施例[第一實施例]首先，準(zhǔn)備由口徑為4英寸、厚度為0.9mm的藍(lán)寶石單晶形成的基板。然后，在該基板上形成規(guī)定圖3所示的凸部的平面配置的掩模，利用該掩模干式蝕刻基板的表面，從而在圖3所示的平面配置上形成凹部。由此，基板表面的凸部排列在基板表面的a(sub)軸向(〈11-20〉方向)上，并且分別排列在與基板表面的a(sub)軸向形成+60°傾斜的方向及與基板表面的a(sub)軸向形成－60°傾斜的方向(都為u方向)上。在此，在基板的表面的俯視中，凸部分別位于圖3所示的虛擬三角形1t的頂點，周期性地排列在虛擬三角形的三邊的各邊方向上。進而，凸部底面的平面形狀為圓形。而且，在基板的表面的俯視中，相鄰?fù)共康拈g隔為2μm，凸部底面的平面形狀即圓形圓的直徑為1.2μm左右，凸部的高度為0.6μm左右。進而，基板表面的凸部及凹部分別具有圖4所示的剖面，凸部具有前端部。接著，對形成凸部及凹部后的基板表面進行RCA清洗，然后，在腔中設(shè)置上述RCA清洗后的基板，導(dǎo)入N2和Ar，將基板加熱至650℃，在N2和Ar的混合環(huán)境中，通過濺射Al靶材的反應(yīng)性濺射法，在具有凸部及凹部的基板的表面上形成基板表面的法線方向上伸展的、通過由晶粒整齊的柱狀晶體集合體形成的AlN晶體而形成的厚度為25nm的氮化物半導(dǎo)體中間層。準(zhǔn)備六個按照上述方式形成至氮化物半導(dǎo)體中間層的晶片，分別作為第一～第六樣品。然后，分別將第一～第六樣品的晶片設(shè)置在MOCVD裝置內(nèi)，向MOCVD裝置內(nèi)供給氨氣作為V族原料氣體，并且供給TMG(三甲基鎵)作為III族原料氣體，在下面的表1所示的生長溫度(生長時的基板溫度)、生長時間、生長壓力(生長時MOCVD裝置內(nèi)的壓力)以及V/III比(單位時間內(nèi)所供給的V族原料氣體的摩爾數(shù)/單位時間內(nèi)所供給的III族原料氣體的摩爾數(shù))的條件下，通過MOCVD法，使由未摻雜GaN晶體形成的、厚度為300nm的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。在此，向MOCVD裝置內(nèi)供給TMG，使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長速度大約為2～3μm/h。然后，分別通過SEM(ScanningElectronMicroscope：掃描式電子顯微鏡)觀察生長在第一～第二樣品的晶片表面上的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面。圖43～圖48分別表示第一～第六樣品的晶片表面上的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的SEM像?？刂频谌锇雽?dǎo)體基礎(chǔ)層的生長模式的生長參數(shù)可以舉出生長溫度、生長壓力及V/III比等，但其中可以認(rèn)為主要控制生長模式的生長參數(shù)為生長溫度。因此，在下面針對改變第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長溫度時的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長模式的變化進行更詳細(xì)的說明。表1生長溫度(℃)生長時間(分鐘)生長壓力(KPa)V/III比SEM像第一樣品960166.71165圖43第二樣品960566.71165圖44第三樣品1050166.71165圖45第四樣品1050566.71165圖46第五樣品1100166.71165圖47第六樣品1100566.71165圖48(1)生長溫度為960℃的情況最初，針對生長溫度為960℃的情況下的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長模式進行研究。首先，通過比較圖43、圖45以及圖47可知，在生長時間為一分鐘的情況下，在基板表面的凹部上方的區(qū)域上易于形成均勻的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層是在生長溫度最低為960℃的情況。然后，通過圖44可知，在生長時間為五分鐘的情況下，形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的第三小斜面，以環(huán)繞基板凸部的外周。如圖43及圖44所示，能夠確認(rèn)基板的凹部被第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的第三平坦區(qū)域和第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的第三小斜面覆蓋，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的第三平坦區(qū)域的面積比例大于第一小斜面的面積比例。而且，如圖43及圖44所示，也能夠確認(rèn)在基板的凸部幾乎未形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層。由此，能夠確認(rèn)第一及第二樣品的晶片表面上的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長模式為三維生長模式。之后，在分別如圖43及圖44所示的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面上，在三維生長模式下使由未摻雜GaN晶體形成的、厚度為1400nm的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長后，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面上，在二維生長模式下使通過由未摻雜GaN晶體形成的厚度為4000nm的下層、以及由Si摻雜n型GaN晶體形成的厚度為3000nm的上層形成的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。另外，作為上層生長時所使用的n型摻雜劑氣體，使用了硅烷氣體。另外，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層各自生長時的生長溫度、生長壓力以及V/III比的關(guān)系如下所述。生長溫度：第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層＞第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層＞第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長壓力：第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層＜第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層＜第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層V/III比：第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層＜第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層＜第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層通過測量X射線搖擺曲線(XRC)的半值寬度評估按照上述方法而生長的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的結(jié)晶度。具體地說，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的GaN(004)面的XRC的半值寬度(arcsec)為30～40arcsec，GaN(102)面的XRC的半值寬度為110～120arcsec，能夠確認(rèn)結(jié)晶度比以往有所提高。而且，通過CL法或EPD法等評估第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的晶體缺陷密度，能夠確認(rèn)缺陷密度比以往有所降低。具體地說，通過表示第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的晶體缺陷密度的CL法而得到的暗斑密度為2×108cm-3以下。(2)生長溫度為1050℃的情況接著，針對生長溫度為1050℃的情況下的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長模式進行探討。首先，如圖45所示，可知在生長時間為一分鐘的情況下，在基板表面的凹部上方區(qū)域的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面混合存在第三平坦區(qū)域和凹坑較多的粗糙面(粗糙面區(qū)域)。然后，如圖46所示，可知在生長時間為五分鐘的情況下，由第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的第三平坦區(qū)域均勻地覆蓋基板凹部的幾乎整個面，在基板凸部的周圍略微形成第三小斜面。在此，可知第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層從基板的凹部開始選擇性地進行生長，在第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層從開始生長至經(jīng)過5分鐘的時刻，第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的第三平坦區(qū)域均勻地覆蓋基板凹部上方的幾乎整個區(qū)域，僅在基板凸部的周圍略微形成第三小斜面。通過測量XRC的半值寬度對按照上述方法生長的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的結(jié)晶度進行評估。具體地說，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的GaN(004)面的XRC的半值寬度(arcsec)為30～40arcsec，GaN(102)面的XRC的半值寬度為110～120arcsec，能夠確認(rèn)結(jié)晶度比目前有所提高。而且，通過CL法或EPD等評估第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的晶體缺陷密度，能夠確認(rèn)缺陷密度也比目前有所降低。具體地說，通過表示第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的晶體缺陷密度的CL法而得到的暗斑密度為2×108cm-3以下。進而，形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層后的晶片的翹曲約為100～110μm，直至第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5都未在晶片表面產(chǎn)生裂紋。(3)生長溫度為1100℃的情況進而，針對生長溫度為1100℃情況下的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長模式進行研討。首先，如圖47所示，可知在生長時間為一分鐘的情況下，在基板表面的凹部上方區(qū)域的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面上混合存在第三平坦區(qū)域和凹坑較多的粗糙面(粗糙面區(qū)域)。接著，如圖48所示，可知生長時間為五分鐘的情況也與生長時間為一分鐘的圖47一樣，在基板表面的凹部上方區(qū)域的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面上混合存在第三平坦區(qū)域和凹坑較多的粗糙面(粗糙面區(qū)域)。通過測量XRC的半值寬度對按照上述方法生長的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的結(jié)晶度進行評估。具體地說，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的GaN(004)面的XRC的半值寬度(arcsec)為40～50arcsec，GaN(102)面的XRC的半值寬度為110～120arcsec。而且，通過CL法或EPD等評估第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的晶體缺陷密度，能夠確認(rèn)缺陷密度也比目前有所降低。具體地說，通過表示第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的晶體缺陷密度的CL法而得到的暗斑密度為3×108cm-3以下。進而，形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層后的晶片的翹曲約為120μm。(4)第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層在圖46所示的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面上，以三維生長模式使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。觀察第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面，第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層在基板凸部的外側(cè)具有環(huán)繞凸部的六個第一小斜面。在此，如圖33所示的俯視，在a(sub)軸向上出現(xiàn)兩個第一小斜面，在與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向以及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向(都為u方向)上分別兩個兩個地出現(xiàn)第一小斜面。而且，第一小斜面具有圖34所示的截面，是在第一小斜面所存在的范圍內(nèi)、在圖34所示的截面的內(nèi)側(cè)方向也同樣出現(xiàn)的面。此外，通過第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的第一平坦區(qū)域連接環(huán)繞一個凸部的第一小斜面和環(huán)繞另一個凸部的第一小斜面。在此，在凸部的外周，環(huán)繞凸部的六個第一小斜面的傾斜方向分別從凸部的外周面向斜上方伸展。具體地說，在六個第一小斜面中，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的俯視中，出現(xiàn)在a(sub)軸向的兩個第一小斜面相對于a(sub)軸向(〈11-20〉方向)向斜上方傾斜，小面在該傾斜方向上伸展。而且同樣地，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的俯視中，分別兩個兩個地出現(xiàn)在與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向以及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向上的第一小斜面也分別相對于與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向以及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向向斜上方傾斜，小面在該傾斜方向上伸展。(5)第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層進而，在上述第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面上以二維生長模式使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長，該第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層通過由無摻雜GaN晶體形成的、厚度為4000nm的下層以及由Si摻雜n型GaN晶體形成的、厚度為3000nm的上層形成。另外，作為上層生長時所使用的n型摻雜劑氣體，使用了硅烷氣體。然后，使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長溫度為T1，調(diào)查與第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的特性的關(guān)系。圖49表示T1與第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的GaN(004)面中XRC的半值寬度(arcsec)的關(guān)系，圖49的橫軸表示T1(℃)，圖49的縱軸表示第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上表面的GaN(004)面的XRC的半值寬度(arcsec)。圖50表示T1(℃)與第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的晶片的翹曲(μm)的關(guān)系。在此，生長時的晶片翹曲是指第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長剛剛完成之前的晶片的翹曲。圖50的橫軸表示T1(℃)，圖50的縱軸表示晶片的翹曲(μm)。如圖49及圖50所示，在T1低為940℃的情況下，裂紋進入晶片表面的膜，記載圖49及圖50的“裂紋”的數(shù)據(jù)相當(dāng)于此。另一方面，在T1高為1100℃的情況下，在生長中、或生長完成后，晶片會開裂，記載圖49及圖50的“開裂”的數(shù)據(jù)相當(dāng)于此。而且，如圖49所示，能夠確認(rèn)如果T1降低則XRC的半值寬度減小，具有能夠得到晶體缺陷少且具有良好表面的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的傾向。此外，如圖50所示，如果T1過低，則第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的翹曲增大。這可以推測為裂紋進入第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的原因。另一方面，如果T1過高，則如圖15所示，在凹部上方區(qū)域的第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層3的表面上易于混合存在第三平坦區(qū)域3c、以及比第三平坦區(qū)域3c粗糙的粗糙面區(qū)域3d。因此，如果在該粗糙面區(qū)域3d的表面上生長第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4，則第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的表面易于形成更大的粗糙面，進而具有在其上方生長的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層5在基板面內(nèi)難以得到質(zhì)地均勻的膜質(zhì)、進而難以使其表面平坦的傾向。這可以推測為第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層在生長中及生長后易于開裂的原因。因此，通過將T1設(shè)定為裂紋不會進入晶片的程度，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層能夠得到由XRC的半值寬度所表示的、結(jié)晶度良好的良質(zhì)膜。將T1設(shè)定為例如1050℃左右適當(dāng)?shù)闹?、將第一氮化物半?dǎo)體基礎(chǔ)層的生長溫度T2設(shè)定為例如1000℃左右適當(dāng)?shù)闹担喈?dāng)于將第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長模式由上述第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長模式即“二維半生長模式”切換為“三維生長模式”。因此，可以認(rèn)為通過改變生長溫度以外的參數(shù)即生長壓力及V/III比也能夠得到相同的效果。下面表示第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層、第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層及第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層各自生長時的(α)生長溫度、(β)生長壓力以及(γ)V/III比的各自生長參數(shù)的一例，而且，表2表示生長參數(shù)的設(shè)定值與氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長模式的關(guān)系。(α)生長溫度：使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層在平坦表面即第三平坦區(qū)域和第三小斜面同時出現(xiàn)的二維半生長模式、例如1050℃的生長溫度下生長。然后，使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層在主要出現(xiàn)第一小斜面的三維生長模式、例如生長溫度降低為960℃下生長。進而，第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層填埋第一小斜面，在出現(xiàn)平坦上表面的二維生長模式、例如生長溫度升高為1080℃下生長。(β)生長壓力：在平坦的表面即第三平坦區(qū)域和第三小斜面同時出現(xiàn)的二維半生長模式、例如350Torr(46.7kPa)的生長壓力下使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。然后，在主要出現(xiàn)第一小斜面的三維生長模式、例如提高生長壓力為壓力500Torr(66.7kPa)下使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。進而，在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層填埋第一小斜面且出現(xiàn)平坦上表面的二維生長模式、例如降低生長壓力為壓力200Torr(26.7kPa)下使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。(γ)V/III比：在平坦表面即第三平坦區(qū)域和第三小斜面同時出現(xiàn)的二維半生長模式、例如920的V/III比下使第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。然后，在主要出現(xiàn)第一小斜面的三維生長模式、例如提高V/III比為1165下使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。進而，在第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層填埋第一小斜面且出現(xiàn)平坦上表面的二維生長模式、例如降低V/III比為676下使第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。[表2]生長參數(shù)第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長溫度[℃]10509601080生長壓力[kPa]46.766.726.7V/III比9201165676生長模式二維半生長模式三維生長模式二維生長模式上述生長參數(shù)與生長模式的關(guān)系只是一例，根據(jù)各種條件的組合以及裝置依賴性，生長模式有所不同。[第二實驗例]〈第一實施例〉首先，準(zhǔn)備口徑為4英寸的、由厚度為0.9mm藍(lán)寶石單晶形成的基板。然后，在該基板上形成規(guī)定圖3所示的凸部的平面配置的掩模，利用該掩模對基板的表面進行干式蝕刻，在圖3所示的平面配置上形成凹部。由此，在基板表面的a(sub)軸向(〈11-20〉方向)上排列基板表面的凸部，并且在與基板表面的a(sub)軸向形成+60°傾斜的方向以及與基板表面的a(sub)軸向形成－60°傾斜的方向(都為u方向)上分別排列基板表面的凸部。在此，在基板表面的俯視中，凸部分別位于圖3所示的虛擬三角形1t的頂點，周期性地排列在虛擬三角形三邊的各邊方向上。進而，凸部底面的平面形狀為圓形。而且，在基板表面的俯視中，相鄰?fù)共康拈g隔為2μm，凸部底面的平面形狀即圓形圓的直徑為1.2μm左右，凸部的高度為0.6μm左右。進而，基板表面的凸部及凹部分別具有圖4所示的截面，凸部具有前端部。接著，對形成凸部及凹部后的基板表面進行RCA清洗，然后在腔中設(shè)置上述RCA清洗后的基板，導(dǎo)入N2與Ar，將基板加熱至650℃，通過在N2與Ar的混合環(huán)境中濺射Al靶材的反應(yīng)性濺射法，在具有凸部及凹部的基板的表面上形成在基板表面的法線方向上伸展的、通過由晶粒整齊的柱狀晶體集合體形成的AlN晶體形成的、厚度為25nm的氮化物半導(dǎo)體中間層。將按照上述方法形成至氮化物半導(dǎo)體中間層的晶片設(shè)置在立式MOCVD裝置內(nèi)，將晶片基板的溫度加熱至1000℃，同時在以轉(zhuǎn)速為600RPM下旋轉(zhuǎn)晶片基板、使立式MOCVD裝置內(nèi)的環(huán)境壓力為66.6kPa的狀態(tài)下，向立式MOCVD裝置內(nèi)供給V族原料氣體即氨氣和III族原料氣體即TMG(三甲基鎵)的混合氣體作為原料氣體，并且只供給氫氣(流量：129slm)作為載氣，由此，通過MOCVD法，使無摻雜GaN晶體生長二十五分鐘，形成厚度為60nm的、第一實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層。在此，以原料氣體的V/III比為1165來供給原料氣體。另外，因為只供給氫氣作為載氣，所以可以明確第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的氫氣相對載氣的整體體積的體積比為1。然后，通過SEM(ScanningElectronMicroscope：掃描式電子顯微鏡)觀察第一實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面。圖51表示厚度為60nm的第一實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像。之后，繼續(xù)以與上述相同的條件，使無摻雜GaN晶體進一步生長，形成厚度為300nm的第一實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層。然后，通過SEM觀察第一實施例的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面，圖52表示厚度為300nm的第一實施例的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像?！吹诙嵤├党讼蛄⑹組OCVD裝置內(nèi)供給氫氣(流量：129slm)和氮氣(流量：27slm)的混合氣體作為載氣以外，其他情況都與第一實施例相同，使厚度為60nm的第二實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。在此，第二實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的氫氣相對于載氣的整體體積的體積比為0.83。然后，通過SEM觀察厚度為60nm的第二實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面。其結(jié)果為，在厚度為60nm的第二實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面，也能夠得到與圖51所示的厚度為60nm的第一實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像相同的SEM像。之后，繼續(xù)以與上述相同的條件，使無摻雜GaN晶體進一步生長，形成厚度為300nm的第二實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層。然后，通過SEM觀察厚度為300nm的第二實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面。其結(jié)果為，在厚度為300nm的第二實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面，也能夠得到與圖52所示的厚度為300nm的第一實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像相同的SEM像?！吹谌龑嵤├党讼蛄⑹組OCVD裝置內(nèi)供給氫氣(流量：129slm)和氮氣(流量：54slm)的混合氣體作為載氣以外，其他情況都與第一實施例相同，使厚度為60nm的第三實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。在此，第三實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時的氫氣相對于載氣的整體體積的體積比為0.7。然后，通過SEM觀察厚度為60nm的第三實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面。其結(jié)果為，在厚度為60nm的第三實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面，也能夠得到與圖51所示的、厚度為60nm的第三實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像相同的SEM像。之后，繼續(xù)以與上述相同的條件，使無摻雜GaN晶體進一步生長，形成厚度為300nm的第三實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層。然后，通過SEM觀察厚度為300nm的第三實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面。其結(jié)果為，在厚度為300nm的第三實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面，也能夠得到與圖52所示的、厚度為300nm的第一實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像相同的SEM像。〈第四實施例〉除了基板的轉(zhuǎn)速為400RPM以外，其他情況都與第一實施例相同，使厚度為60nm的第四實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。然后，通過SEM觀察厚度為60nm的第四實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面。其結(jié)果為，在厚度為60nm的第四實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面，也能夠得到與圖51所示的、厚度為60nm的第一實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像相同的SEM像。之后，繼續(xù)以與上述相同的條件，使無摻雜GaN晶體進一步生長，形成厚度為300nm的第四實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層。然后，通過SEM觀察厚度為300nm的第四實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面。其結(jié)果為，在厚度為300nm的第四實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面，也能夠得到與圖52所示的、厚度為300nm的第一實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像相同的SEM像?！吹谖鍖嵤├党嘶宓霓D(zhuǎn)速為1000RPM以外，其他情況都與第一實施例相同，使厚度為60nm的第五實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。然后，通過SEM觀察厚度為60nm的第五實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面。其結(jié)果為，在厚度為60nm的第五實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面，也能夠得到與圖51所示的、厚度為60nm的第一實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像相同的SEM像。之后，繼續(xù)以與上述相同的條件，使無摻雜GaN晶體進一步生長，形成厚度為300nm的第五實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層。然后，通過SEM觀察厚度為300nm的第五實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面。其結(jié)果為，在厚度為300nm的第五實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面，也能夠得到與圖52所示的、厚度為300nm的第一實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像相同的SEM像。〈第一比較例〉除了向立式MOCVD裝置內(nèi)供給氫氣(流量：129slm)和氮氣(流量：78slm)的混合氣體作為載氣以外，其他情況都與第一實施例相同，使厚度為60nm的第一比較例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。在此，厚度為60nm的第一比較例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長時氫氣相對于載氣的整體體積的體積比為0.62。然后，通過SEM觀察厚度為60nm的第一比較例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面，圖53表示厚度為60nm的第一比較例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像。之后，繼續(xù)以與上述相同的條件，使無摻雜GaN晶體進一步生長，形成厚度為300nm的第一比較例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層。然后，通過SEM觀察厚度為300nm的第一比較例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面，圖54表示厚度為300nm的第一比較例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像?！吹诙容^例〉除了基板的轉(zhuǎn)速為1200RPM以外，其他情況都與第一實施例相同，使厚度為300nm的第二比較例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長。然后，通過SEM觀察厚度為300nm的第二比較例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面，圖55表示厚度為300nm的第二比較例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的SEM像?！丛u估〉(生長初期)(1)第一小斜面如圖51及圖52所示，在第一～第五實施例及第一比較例中，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長初期(厚度為60nm)，只由r面的第一小斜面形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面。另外，例如如圖8所示，r面為在a(sub)軸向上出現(xiàn)兩個、在與a(sub)軸向傾斜+60°角度的方向以及與a(sub)軸向傾斜－60°角度的方向上分別兩個兩個出現(xiàn)的第一小斜面。(2)表面狀態(tài)如圖51所示，能夠確認(rèn)第一～第五實施例的厚度為60nm的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層為均勻性較高的表面相連的連續(xù)膜。另一方面，如圖53所示，能夠確認(rèn)第一比較例的厚度為60nm的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層為具有不均勻表面的不連續(xù)膜。(3)ESD成功率進而，對第一～第五實施例及第一比較例的厚度為60nm的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層進行ESD測試。其結(jié)果為，第一～第五實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層ESD測試的成功率為90％以上，另一方面，第一比較例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層ESD測試的成功率為20％。另外，ESD測試是在反向電壓為1kV的HBM條件下進行的。這樣，作為第一比較例的ESD測試的成功率降低的原因可以認(rèn)為為以下原因，即在第一比較例生長初期的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層為不連續(xù)膜的情況下，在之后的GaN晶體的生長中，在膜不連續(xù)的位置上產(chǎn)生晶體缺陷。能夠確認(rèn)在驅(qū)動氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件時該晶體缺陷為電流泄漏的根源。其結(jié)果為，可以認(rèn)為在ESD測試中，在該晶體缺陷附近電流集中，從而成為使ESD成功率降低的原因。這樣的晶體缺陷可以認(rèn)為是垂直地傳播于稱為微管的GaN晶體生長面上的晶體缺陷。(生長后)(1)第一小斜面如圖52及圖54所示，在第一～第五實施例及第一比較例中，只由r面形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長后(厚度為300nm)的第一小斜面。另一方面，如圖55所示，在第二比較例中，在第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長后(厚度為300nm)的第一小斜面上混合存在r面、n面以及c面。另外，n面是在與a(sub)軸向傾斜+30°的方向、與a(sub)軸向傾斜－30°的方向、以及m(sub)軸向上分別兩個兩個出現(xiàn)的第一小斜面。而且，c面是第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層4的上表面。(2)基板的開裂在第一～第五實施例及第一比較例中，在厚度為300nm的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長后，基板未開裂。另一方面，在第二比較例中，在厚度為300nm的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長后，基板發(fā)生了開裂。在第二比較例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長初期(厚度為60nm)，在第一小斜面上除了r面外，還混合存在n面和c面。這樣，可知在r面和n面的第一小斜面都出現(xiàn)的情況下，在生長后(厚度為300nm)，基板易于開裂。作為與上述現(xiàn)象相對的假設(shè)，因為生長于第一小斜面即r面上的膜與生長于第一小斜面即n面上的膜的結(jié)晶配向發(fā)生微妙的錯位，所以在上述這些膜的界面上產(chǎn)生線缺陷。而且，沿連接其線缺陷的線而膜開裂的結(jié)果為，伴隨著膜與基板的熱膨脹差而出現(xiàn)的形變集中在該部分上，可以認(rèn)為基板發(fā)生了開裂。(3)XRC的半值寬度通過測量X射線搖擺曲線(XRC)的半值寬度，對第一～第五實施例的厚度為300nm的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的結(jié)晶度進行評估。其結(jié)果為，具體地說，能夠確認(rèn)第一～第五實施例的厚度為300nm的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層表面的GaN(004)面及GaN(102)面各自的XRC半值寬度變窄，具有較高的結(jié)晶度。由此，能夠確認(rèn)第一～第五實施例的厚度為300nm的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的結(jié)晶度高于第一比較例的厚度為300nm的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的結(jié)晶度。(4)ESD成功率進而，對第一～第五實施例及第一比較例的厚度為300nm的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層進行ESD測試，其結(jié)果為，第一～第五實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層ESD測試的成功率為90％以上，另一方面，第一比較例的厚度為300nm的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層ESD測試的成功率為20％。另外，ESD測試是在反向電壓為1kV的HBM條件下進行的?！唇Y(jié)論〉根據(jù)上述結(jié)果，在基板以400RPM以上、1000RPM以下的單位時間的旋轉(zhuǎn)數(shù)進行旋轉(zhuǎn)的同時，通過使用含有氫氣相對載氣整體體積的體積比為0.7以上、1以下氫氣的載氣的立式MOCVD裝置的MOCVD法使第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長的情況下，如第一～第五實施例所示，為具有均勻表面的連續(xù)膜，并且能夠得到只由第一小斜面即r面形成的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面。因此，可以認(rèn)為通過填埋生長模式，能夠在第一～第五實施例的質(zhì)地良好的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面上使具有高結(jié)晶度和高平坦性上表面的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長，在這樣的第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的上表面上，能夠在其上方再現(xiàn)性良好地形成具有良好結(jié)晶度的氮化物層。其結(jié)果為，可以認(rèn)為具有第一～第五實施例的第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件、氮化物半導(dǎo)體激光元件以及氮化物半導(dǎo)體晶體管元件等氮化物半導(dǎo)體元件具有良好的特性。本次所公開的實施方式及實施例在所有方面都是例示而不應(yīng)該認(rèn)為是限制。本發(fā)明的范圍不是上述的說明而是由權(quán)利要求范圍來表示，目的在于包括與權(quán)利要求范圍等同的含義和范圍內(nèi)的所有變更。工業(yè)實用性本發(fā)明能夠應(yīng)用在氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件、氮化物半導(dǎo)體晶體管元件、氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以及氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法中。特別是本發(fā)明能夠適當(dāng)?shù)貞?yīng)用在照明、液晶背光及顯示等中所使用的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件、光盤及投影儀等中所使用的氮化物半導(dǎo)體激光元件、以及手機、超高速光通信及電力控制等中所使用的氮化物半導(dǎo)體晶體管元件等中。附圖標(biāo)記說明1基板；1a凸部；1b凹部；1c前端部；1t三角形；2氮化物半導(dǎo)體中間層；3第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層；3c第三平坦區(qū)域；3f第三小斜面；4第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層；4c上表面；4n，4r第一小斜面；5第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層；5A下層；5B上層；5L下表面；5M，5U上表面；5a上表面；5b下表面；7n型氮化物半導(dǎo)體接觸層；9n型氮化物半導(dǎo)體包覆層；11氮化物半導(dǎo)體活性層；13p型氮化物半導(dǎo)體包覆層；15p型氮化物半導(dǎo)體接觸層；19透光性電極層；20n側(cè)電極；21p側(cè)電極；23絕緣保護膜；30第一引線框架；31第二引線框架；33第一金屬線；34第二金屬線；35成型樹脂；40表面；71氮化物半導(dǎo)體電子傳輸層；73n型氮化物半導(dǎo)體電子供給層；75S源極接觸層；75D漏極接觸層；77柵極；78S源極；78D漏極；92n型氮化物半導(dǎo)體超晶格層；100，200，500氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管元件；110，210，510發(fā)光裝置；300，400，600氮化物半導(dǎo)體晶體管元件。