多層陶瓷電容器及其制造方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2013年4月8日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?0-2013-0038320的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容通過(guò)參考并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種多層陶瓷電容器及其制造方法，更具體地，本發(fā)明涉及一種具有優(yōu)良的可靠性的高電容多層陶瓷電容器及其制造方法。

背景技術(shù)：
通常，使用陶瓷材料的電子部件(例如電容器、感應(yīng)器、壓電元件、變阻器、熱敏電阻器等)包括由陶瓷材料形成的陶瓷主體、在陶瓷主體中形成的內(nèi)部電極和在陶瓷主體的外表面上安裝以與內(nèi)部電極連接的外部電極。在陶瓷電子部件中，多層陶瓷電容器設(shè)置為包括多個(gè)堆疊的介電層、其間具有介電層的彼此面對(duì)設(shè)置的內(nèi)部電極和與內(nèi)部電極電連接的外部電極。由于其優(yōu)點(diǎn)(例如小尺寸、高電容、容易安裝等)，多層陶瓷電容器廣泛用作計(jì)算機(jī)和移動(dòng)通訊設(shè)備中的部件，例如個(gè)人數(shù)字助理(PDAs)、移動(dòng)電話等。近來(lái)，由于電子產(chǎn)品已微型化和多功能化，芯片部件也傾向于微型化和多功能化。結(jié)果是，需要使多層陶瓷電容器微型化并提高其電容。為了提高多層陶瓷電容器的電容，已考慮使介電層變薄、堆疊變薄的介電層和改進(jìn)內(nèi)部電極的覆蓋度的方法。此外，已考慮改進(jìn)用于形成電容的重疊的內(nèi)部電極的面積的方法?？偟膩?lái)說(shuō)，如下制造多層陶瓷電容器。首先，制備陶瓷生片，并在陶瓷生片上印刷傳導(dǎo)糊膏，以形成內(nèi)部電極。具有在其上形成的內(nèi)部電極的陶瓷生片以幾十層至幾百層的量堆疊，以制造生陶瓷多層主體。隨后，在高溫和高壓的條件下壓制生陶瓷多層主體，以制造硬的生陶瓷多層主體，并在陶瓷多層主體上實(shí)施切割過(guò)程，以制造生芯片。接著，將生芯片煅燒和燒結(jié)，在其上形成外部電極，以完成多層陶瓷電容器。在通過(guò)上述制造方法制造多層陶瓷電容器的情況下，由于難以顯著降低在其上不形成內(nèi)部電極的介電層的邊緣部分區(qū)域，在增加內(nèi)部電極的重疊面積方面存在限制。此外，由于形成的多層陶瓷電容器的邊緣的邊緣部分比在其它區(qū)域中的邊緣部分厚，在煅燒和燒結(jié)時(shí)不容易從中除去碳。為了解決上述問(wèn)題，已考慮形成邊緣部分區(qū)域的方法，在前面制造的陶瓷多層主體中在邊緣部分區(qū)域上不形成內(nèi)部電極，但是，由于在陶瓷多層主體的覆蓋區(qū)域之間和邊緣部分的邊界表面中產(chǎn)生孔，陶瓷多層主體可能不耐沖擊。在以下相關(guān)的技術(shù)文件中公開(kāi)了控制覆蓋區(qū)域的孔隙率的陶瓷多層主體，但是未解決上述問(wèn)題。[相關(guān)的技術(shù)文件]日本專利公開(kāi)號(hào)2005-159056

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的一方面提供了一種具有優(yōu)良的可靠性的高電容多層陶瓷電容器及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種多層陶瓷電容器，所述電容器包括：具有彼此相反的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面以及將第一側(cè)表面和第二側(cè)表面彼此連接的第三末端表面和第四末端表面的陶瓷主體；在陶瓷主體中形成并且具有其一個(gè)末端暴露于所述第三末端表面或第四末端表面的多個(gè)內(nèi)部電極；和形成的第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分，使得從第一側(cè)表面和第二側(cè)表面到內(nèi)部電極的邊緣的平均厚度為18μm或更小，其中，當(dāng)通過(guò)連接在內(nèi)部電極的邊緣之間的距離的中點(diǎn)與從內(nèi)部電極延伸的線接觸第一側(cè)表面或第二側(cè)表面的點(diǎn)得到的虛擬線，將第一側(cè)邊緣部分或第二側(cè)邊緣部分分成兩個(gè)區(qū)域時(shí)，在其中與內(nèi)部電極相鄰的區(qū)域定義為S1并且S1的孔隙率定義為P1的情況下，P1在1-20的范圍內(nèi)(1≤P1≤20)。第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分可由陶瓷漿料形成。內(nèi)部電極可包括第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極，該第一內(nèi)部電極具有其一個(gè)末端暴露于第三末端表面，而形成另一個(gè)末端使得與第四末端表面具有預(yù)定的間隔，該第二內(nèi)部電極具有其一個(gè)末端暴露于第四末端表面，而形成另一個(gè)末端使得與第三末端表面具有預(yù)定的間隔。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種多層陶瓷電容器，所述電容器包括：具有彼此相反的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面以及將第一側(cè)表面和第二側(cè)表面彼此連接的第三末端表面和第四末端表面的陶瓷主體；在陶瓷主體中形成并且具有其一個(gè)末端暴露于所述第三末端表面或第四末端表面的多個(gè)內(nèi)部電極；和形成的第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分，使得從第一側(cè)表面和第二側(cè)表面到內(nèi)部電極的邊緣的平均厚度為18μm或更小，其中，當(dāng)通過(guò)連接在內(nèi)部電極的邊緣之間的距離的中點(diǎn)與從內(nèi)部電極延伸的線接觸第一側(cè)表面或第二側(cè)表面的點(diǎn)得到的虛擬線，將第一側(cè)邊緣部分或第二側(cè)邊緣部分分成兩個(gè)區(qū)域時(shí)，在其中與內(nèi)部電極相鄰的區(qū)域定義為S1，與第一側(cè)表面或第二側(cè)表面相鄰的區(qū)域定義為S2，S1的孔隙率定義為P1，并且S2的孔隙率定義為P2的情況下，P1/P2大于2(P1/P2＞2)。第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分可由陶瓷漿料形成。內(nèi)部電極可包括第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極，該第一內(nèi)部電極具有其一個(gè)末端暴露于第三末端表面，而形成另一個(gè)末端使得與第四末端表面具有預(yù)定的間隔，該第二內(nèi)部電極具有其一個(gè)末端暴露于第四末端表面，而形成另一個(gè)末端使得與第三末端表面具有預(yù)定的間隔。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種制造多層陶瓷電容器的方法，所述方法包括：制備第一陶瓷生片和第二陶瓷生片，在第一陶瓷生片上形成的多個(gè)條形第一內(nèi)部電極圖案使得多個(gè)條形第一內(nèi)部電極圖案之間具有預(yù)定的間隔，在第二陶瓷生片上形成的多個(gè)條形第二內(nèi)部電極圖案使得多個(gè)條形第二內(nèi)部電極圖案之間具有預(yù)定的間隔；通過(guò)堆疊第一陶瓷生片和第二陶瓷生片而形成陶瓷生片多層主體，使得條形第一內(nèi)部電極圖案和第二內(nèi)部電極圖案交替堆疊；切割陶瓷生片多層主體，同時(shí)橫斷條形第一內(nèi)部電極圖案和條形第二內(nèi)部電極圖案，使得第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極具有預(yù)定的寬度，并且所述陶瓷生片多層主體具有側(cè)表面，第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣沿寬度方向暴露于該側(cè)表面；和通過(guò)使用陶瓷漿料，在側(cè)表面上形成第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分，第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣暴露于該側(cè)表面，其中，形成第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分，使得從第一側(cè)表面和第二側(cè)表面到內(nèi)部電極的邊緣的平均厚度為18μm或更小，并且當(dāng)通過(guò)連接在內(nèi)部電極的邊緣之間的距離的中點(diǎn)與從內(nèi)部電極延伸的線接觸第一側(cè)表面或第二側(cè)表面的點(diǎn)得到的虛擬線，將第一側(cè)邊緣部分或第二側(cè)邊緣部分分成兩個(gè)區(qū)域時(shí)，在其中與內(nèi)部電極相鄰的區(qū)域定義為S1并且S1的孔隙率定義為P1的情況下，P1在1-20的范圍內(nèi)(1≤P1≤20)。在形成陶瓷生片多層主體中，可將陶瓷生片堆疊，使得條形第一內(nèi)部電極圖案的中心部分和條形第二內(nèi)部電極圖案之間的預(yù)定的間隔彼此重疊。切割陶瓷生片多層主體可包括：將陶瓷生片多層主體切割成為具有側(cè)表面的棒形多層主體，第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣暴露于該側(cè)表面；和在形成第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分之后，沿著相同的切割線，通過(guò)第一內(nèi)部電極的中心部分切割和通過(guò)在第二內(nèi)部電極之間的預(yù)定的間隔切割，以形成具有第三末端表面或第四末端表面的多層主體，第一內(nèi)部電極或第二內(nèi)部電極的一個(gè)末端分別暴露于第三末端表面或第四末端表面。切割陶瓷生片多層主體可包括：將陶瓷生片多層主體切割成為具有側(cè)表面的棒形多層主體，第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣暴露于該側(cè)表面；和切割棒形多層主體，使得沿著相同的切割線切割通過(guò)第二內(nèi)部電極之間的預(yù)定的間隔切割的第一內(nèi)部電極的中心部分，以形成具有第三末端表面或第四末端表面的多層主體，第一內(nèi)部電極或第二內(nèi)部電極的一個(gè)末端暴露于第三末端表面或第四末端表面，在棒形多層主體中，沿著相同的切割線通過(guò)第一內(nèi)部電極的中心部分切割和通過(guò)在第二內(nèi)部電極之間的預(yù)定的間隔切割，以形成具有第三末端表面或第四末端表面的多層主體，第一內(nèi)部電極或第二內(nèi)部電極的一個(gè)末端分別暴露于第三末端表面或第四末端表面，和可在多層主體上實(shí)施形成第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分?？赏ㄟ^(guò)將陶瓷漿料施用于側(cè)表面，實(shí)施形成第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分，第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣暴露于該側(cè)表面?？赏ㄟ^(guò)在陶瓷漿料中浸漬側(cè)表面，實(shí)施形成第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分，第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣暴露于該側(cè)表面。當(dāng)通過(guò)連接在內(nèi)部電極的邊緣之間的距離的中點(diǎn)與從內(nèi)部電極延伸的線接觸第一側(cè)表面或第二側(cè)表面的點(diǎn)得到的虛擬線，將第一側(cè)邊緣部分或第二側(cè)邊緣部分分成兩個(gè)區(qū)域時(shí)，在其中與第一側(cè)表面或第二側(cè)表面相鄰的區(qū)域定義為S2，并且S2的孔隙率定義為P2的情況下，P1/P2可大于2(P1/P2＞2)。附圖說(shuō)明結(jié)合附圖，由以下詳細(xì)說(shuō)明，可以更清楚地理解本發(fā)明的以上和其它方面、特征和其它優(yōu)點(diǎn)，其中：圖1為顯示根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的多層陶瓷電容器的示意性透視圖；圖2為沿著圖1的線B-B’的橫截面圖；圖3圖2的部分Q的放大圖；圖4為沿著圖1的線A-A’的橫截面圖，和圖5為顯示構(gòu)成示于圖1的多層陶瓷電容器的一個(gè)介電層的上平面圖；和圖6A至圖6F為示意性說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施方式制造多層陶瓷電容器的方法的橫截面圖和透視圖。具體實(shí)施方式下文中，將參考附圖來(lái)更詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以許多不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)看作是局限于本文描述的實(shí)施方式。而是，提供這些實(shí)施方式，使得本公開(kāi)充分和完整，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。圖1為顯示根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的多層陶瓷電容器的示意性透視圖。圖2為沿著圖1的線B-B’的橫截面圖。圖3圖2的部分Q的放大圖。圖4為沿著圖1的線A-A’的橫截面圖，和圖5為顯示構(gòu)成示于圖1的多層陶瓷電容器的一個(gè)介電層的上平面圖。參考圖1至圖5，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多層陶瓷電容器可包括陶瓷主體110；在陶瓷主體中形成的多個(gè)內(nèi)部電極121和122；和在陶瓷主體的外表面上形成的外部電極131和132。陶瓷主體110可具有彼此相反的第一側(cè)表面1和第二側(cè)表面2以及連接第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的第三末端表面3和第四末端表面4。不特別限制陶瓷主體110的形狀，但是可為如圖1所示的長(zhǎng)方體形狀。在陶瓷主體110中形成的多個(gè)內(nèi)部電極121和122可具有其一個(gè)末端暴露于陶瓷主體的第三末端表面3或第四末端表面4。內(nèi)部電極可作為一對(duì)具有不同極性的第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122形成。第一內(nèi)部電極121的一個(gè)末端可暴露于第三末端表面3，而第二內(nèi)部電極122的一個(gè)末端可暴露于第四末端表面4。第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122的另一個(gè)末端可形成使得與第三末端表面3或第四末端表面4間隔開(kāi)預(yù)定的間隔。以下將提供其詳細(xì)說(shuō)明。第一外部電極131和第二外部電極132可在陶瓷主體的第三末端表面3和第四末端表面4上形成，從而與內(nèi)部電極電連接。多個(gè)內(nèi)部電極可在陶瓷主體中形成，并且從多個(gè)內(nèi)部電極的每個(gè)邊緣到第一側(cè)表面或第二側(cè)表面的距離d1可為18μm或更小。這可指d1從多個(gè)內(nèi)部電極的邊緣到第一側(cè)表面或第二側(cè)表面的平均距離可為18μm或更小。內(nèi)部電極的邊緣可指與陶瓷主體的第一側(cè)表面1或第二側(cè)表面2相鄰的內(nèi)部電極的一個(gè)區(qū)域。從內(nèi)部電極的邊緣到第一側(cè)表面或第二側(cè)表面的區(qū)域可稱為第一側(cè)邊緣部分113或第二側(cè)邊緣部分114。在多個(gè)內(nèi)部電極中，從內(nèi)部電極的邊緣到第一側(cè)表面1或第二側(cè)表面2的距離d1可具有輕微差別，但是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，距離d1沒(méi)有偏差或有輕微偏差。通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式制造多層陶瓷電容器的方法，可更清楚地理解該特征。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，陶瓷主體110可由其中將多個(gè)介電層112堆疊的多層主體111和在多層主體111的兩個(gè)側(cè)表面處形成的第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114構(gòu)成。在這種情況下，通過(guò)第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114形成的從多個(gè)內(nèi)部電極的每個(gè)邊緣到第一側(cè)表面或第二側(cè)表面的距離d1相應(yīng)于第一側(cè)邊緣部分113或第二側(cè)邊緣部分114的厚度。構(gòu)成多層主體111的多個(gè)介電層112可為燒結(jié)狀態(tài)并且可集成，使得不容易確定相鄰的介電層之間的邊界。多層主體111的長(zhǎng)度可相應(yīng)于陶瓷主體110的長(zhǎng)度，并且陶瓷主體110的長(zhǎng)度可相應(yīng)于陶瓷主體的第三末端表面3和第四末端表面4之間的距離。也就是，陶瓷主體110的第三末端表面和第四末端表面可認(rèn)為是多層主體111的第三末端表面和第四末端表面?？赏ㄟ^(guò)堆疊多個(gè)介電層112形成多層主體111，并且介電層112的長(zhǎng)度可與陶瓷主體的第三末端表面3和第四末端表面4之間的距離相同。雖然不局限于此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，陶瓷主體的長(zhǎng)度可為400-1400μm。更詳細(xì)地，陶瓷主體的長(zhǎng)度可為400-800μm或600-1400μm。內(nèi)部電極121和122可在介電層上形成，并且通過(guò)燒結(jié)在陶瓷主體中形成，其間具有一個(gè)介電層。參考圖5，第一內(nèi)部電極121可在介電層112上形成。第一內(nèi)部電極121沿介電層的長(zhǎng)度方向不完全形成。也就是，可形成第一內(nèi)部電極121的一個(gè)末端以與陶瓷主體的第四末端表面4具有預(yù)定的間隔d2，并且可形成第一內(nèi)部電極121的另一個(gè)末端直到第三末端表面3，從而另一個(gè)末端暴露于第三末端表面3。暴露于多層主體的第三末端表面3的第一內(nèi)部電極的另一個(gè)末端可與第一外部電極131連接。與第一內(nèi)部電極不同，可形成第二內(nèi)部電極122的一個(gè)末端以與第三末端表面3具有預(yù)定的間隔，并且第二內(nèi)部電極122的另一個(gè)末端可暴露于第四末端表面4，從而與第二外部電極132連接。介電層112可具有與第一內(nèi)部電極121相同的寬度。也就是，可沿介電層112的寬度方向在介電層112上完全形成第一內(nèi)部電極121。介電層的寬度和內(nèi)部電極的寬度可基于陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面。雖然不特別限制，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，介電層的寬度和內(nèi)部電極的寬度可為100-900μm。更詳細(xì)地，介電層的寬度和內(nèi)部電極的寬度可為100-500μm或100-900μm。當(dāng)陶瓷主體微型化時(shí)，側(cè)邊緣部分的厚度可對(duì)多層陶瓷電容器的電性質(zhì)具有影響。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可形成側(cè)邊緣部分，以具有18μm或更小的厚度，從而改進(jìn)微型化的多層陶瓷電容器的性質(zhì)。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，通過(guò)同時(shí)切割形成內(nèi)部電極和介電層，使得內(nèi)部電極的寬度可等于介電層的寬度。以下將描述其更詳細(xì)的說(shuō)明。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，內(nèi)部電極的寬度等于介電層的寬度，使得內(nèi)部電極的邊緣可暴露于多層主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面。內(nèi)部電極的邊緣暴露于的多層主體的兩個(gè)側(cè)表面可形成有第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114。如上所述，從多個(gè)內(nèi)部電極的每個(gè)邊緣到第一側(cè)表面或第二側(cè)表面的距離d1可相應(yīng)于第一側(cè)邊緣部分113或第二側(cè)邊緣部分114的厚度。第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114的厚度可為18μm或更小。當(dāng)?shù)谝粋?cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114的厚度降低時(shí)，在陶瓷主體中形成的內(nèi)部電極之間的重疊部分的面積可相對(duì)變寬。不特別限制第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114的厚度，只要可防止暴露于多層主體111的側(cè)表面的內(nèi)部電極短路。例如，第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114的厚度可為2μm或更大。當(dāng)?shù)谝粋?cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分的厚度小于2μm時(shí)，針對(duì)外部沖擊的機(jī)械強(qiáng)度可劣化，并且當(dāng)?shù)谝粋?cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分的厚度大于18μm時(shí)，在內(nèi)部電極之間的重疊部分的面積可相對(duì)降低，使得可難以在多層陶瓷電容器中確保高電容。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114可由陶瓷漿料形成。通過(guò)控制陶瓷漿料的量，可容易控制第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114的厚度，并且可薄地形成為18μm或更小。第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114的厚度可為每個(gè)邊緣部分的平均厚度?？捎蓤D像測(cè)量第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114的平均厚度，該圖像使用掃描電子顯微鏡(SEM)，通過(guò)沿寬度方向掃描陶瓷主體110的橫截面而得到，如圖2所示。例如，如圖2所示，關(guān)于從圖像無(wú)規(guī)取樣的第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114，可測(cè)量沿陶瓷主體的厚度方向隨機(jī)選擇的上、中和下部分的厚度，該圖像使用掃描電子顯微鏡(SEM)，通過(guò)在寬度-厚度(W-T)方向掃描陶瓷主體110的橫截面而得到，從而測(cè)量平均值。為了顯著提高多層陶瓷電容器的電容，已提出使介電層變薄的方法、高度堆疊變薄的介電層的方法和提高內(nèi)部電極的覆蓋度的方法等。此外，已提出在形成電容的內(nèi)部電極之間增加重疊部分的面積的方法。為了增加在內(nèi)部電極之間的重疊部分的面積，需要顯著降低在其上不形成內(nèi)部電極的邊緣部分的區(qū)域。特別是，當(dāng)多層陶瓷電容器微型化時(shí)，需要顯著降低邊緣部分的區(qū)域，以便增加在內(nèi)部電極之間的重疊部分的面積。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，沿寬度方向在整個(gè)介電層上形成內(nèi)部電極，并且側(cè)邊緣部分的厚度設(shè)定為18μm或更小，使得在內(nèi)部電極之間的重疊部分的面積可相對(duì)變寬。通常，當(dāng)介電層高度堆疊時(shí)，介電層和內(nèi)部電極的厚度降低。因此，可頻繁出現(xiàn)內(nèi)部電極短路的現(xiàn)象。此外，當(dāng)僅在一部分介電層上形成內(nèi)部電極時(shí)，由于通過(guò)內(nèi)部電極的步驟，可劣化絕緣電阻的加速壽命或可靠性。然而，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，雖然形成薄的內(nèi)部電極和薄的介電層，由于沿寬度方向在介電層上完全形成內(nèi)部電極，在內(nèi)部電極之間的重疊部分的面積可增加愛(ài)，從而增大多層陶瓷電容器的電容。此外，可降低通過(guò)內(nèi)部電極的步驟，使得可改進(jìn)絕緣電阻的加速壽命，從而提供具有優(yōu)良的電容特性和可靠性的多層陶瓷電容器。同時(shí)，在多層主體111和在陶瓷主體110中的第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114之間的邊界表面中，可產(chǎn)生孔p。特別是，由于在覆蓋層C與在陶瓷主體110中的側(cè)邊緣部分之間的邊界表面中產(chǎn)生的孔p，多層陶瓷電容器可能不耐沖擊。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，當(dāng)通過(guò)連接在內(nèi)部電極的邊緣121和122之間的距離的中點(diǎn)和從內(nèi)部電極121和122延伸的線接觸第一側(cè)表面1或第二側(cè)表面2的點(diǎn)得到的虛擬線，將第一側(cè)邊緣部分113或第二側(cè)邊緣部分114分成兩個(gè)區(qū)域時(shí)，在其中與內(nèi)部電極121和122相鄰的區(qū)域定義為S1并且S1的孔隙率定義為P1的情況下，P1可在1-20范圍(1≤P1≤20)。通過(guò)控制S1的孔隙率P1在1-20范圍(1≤P1≤20)，可緩解外部沖擊，例如熱沖擊、電沖擊等，從而實(shí)現(xiàn)高可靠性和高電容的多層陶瓷電容器。不特別限制控制S1的孔隙率P1在1-20范圍(1≤P1≤20)的方法，但是，例如，通過(guò)控制加入到形成區(qū)域S1的陶瓷糊膏的玻璃的含量，可實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。S1的孔隙率P1可定義為孔的面積和與內(nèi)部電極相鄰的區(qū)域S1的面積的比率?？捎蓤D像測(cè)量S1的孔隙率P1，該圖像使用掃描電子顯微鏡(SEM)，通過(guò)沿寬度-厚度(W-T)方向掃描陶瓷主體110的橫截面而得到，如圖2所示。例如，如圖2所示，關(guān)于從圖像無(wú)規(guī)取樣的第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114，可在與內(nèi)部電極相鄰的區(qū)域S1中測(cè)量孔隙率，該圖像使用掃描電子顯微鏡(SEM)，沿著外部電極131的中心部分，通過(guò)沿寬度-厚度(W-T)方向掃描陶瓷主體110的橫截面而得到。在其中S1的孔隙率P1小于1的情況下，可產(chǎn)生熱沖擊和燒結(jié)裂縫，并且在其中孔隙率大于20的情況下，耐濕性質(zhì)可劣化，并且陶瓷主體的強(qiáng)度可降低。在根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施方式的多層陶瓷電容器中，與根據(jù)本發(fā)明的前面提及的實(shí)施方式的以上提及的多層陶瓷電容器類似，通過(guò)連接在內(nèi)部電極121和122的邊緣之間的距離的中點(diǎn)和從內(nèi)部電極121和122延伸的線接觸第一側(cè)表面1或第二側(cè)表面2的點(diǎn)得到的虛擬線，當(dāng)將第一側(cè)邊緣部分113或第二側(cè)邊緣部分114分成兩個(gè)區(qū)域時(shí)，在其中與第一側(cè)表面1或第二側(cè)表面3相鄰的區(qū)域定義為S2并且S2的孔隙率定義為P2的情況下，P1/P2可大于2(P1/P2＞2)。S2的孔隙率P2可定義為孔的面積和與第一側(cè)表面1或第二側(cè)表面2相鄰的區(qū)域S2的面積的比率。通過(guò)控制S2的孔隙率P2，使得P1/P2大于2(P1/P2＞2)，可緩解外部沖擊，例如熱沖擊、電沖擊等，從而實(shí)現(xiàn)高可靠性和高電容多層陶瓷電容器。在其中P1/P2為2或更小的情況下，可產(chǎn)生熱沖擊和燒結(jié)裂縫。由于根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施方式的多層陶瓷電容器具有與根據(jù)本發(fā)明的前面提及的實(shí)施方式的以上提及的多層陶瓷電容器相同的特征，將省略對(duì)相同特征的詳細(xì)描述。下文中，現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施方式制造多層陶瓷電容器的方法。圖6A至圖6F為示意性說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施方式制造多層陶瓷電容器的方法的橫截面圖和透視圖。如圖6A所示，可在陶瓷生片212a上形成多個(gè)條形第一內(nèi)部電極圖案221a，其間具有預(yù)定的間隔d4。多個(gè)條形第一內(nèi)部電極圖案221a可彼此平行形成。預(yù)定的間隔d4，是為了使內(nèi)部電極與具有不同極性的外部電極絕緣的距離，可認(rèn)為是示于圖5的d2×2的距離。陶瓷生片212a可由含有陶瓷粉末、有機(jī)溶劑和有機(jī)粘合劑的陶瓷糊膏形成。陶瓷粉末為具有高介電常數(shù)的材料，例如，可使用基于鈦酸鋇(BaTiO3)的材料、基于鉛復(fù)合鈣鈦礦的材料、基于鈦酸鍶(SrTiO3)的材料等，但是本發(fā)明不局限于此。其中，可使用鈦酸鋇(BaTiO3)粉末。當(dāng)將陶瓷生片212a燒結(jié)時(shí)，其可變?yōu)闃?gòu)成陶瓷主體的介電層112。條形第一內(nèi)部電極圖案221a可由含有導(dǎo)電金屬的內(nèi)部電極糊膏形成。導(dǎo)電金屬可為Ni、Cu、Pd或其合金，但是不局限于此。不特別限制在陶瓷生片212a上形成條形第一內(nèi)部電極圖案221a的方法。例如，可使用印刷方法，例如絲網(wǎng)印刷方法或凹版印刷方法。此外，雖然未在附圖中顯示，可在另一個(gè)陶瓷生片212a上形成多個(gè)條形第二內(nèi)部電極圖案222a，其間具有預(yù)定的間隔。下文中，在其上形成第一內(nèi)部電極圖案221a的陶瓷生片可稱為第一陶瓷生片，而在其上形成第二內(nèi)部電極圖案222a的陶瓷生片可稱為第二陶瓷生片。接著，如圖6B所示，第一陶瓷生片和第二陶瓷生片可交替堆疊，使得條形第一內(nèi)部電極圖案221a和條形第二內(nèi)部電極圖案222a交替堆疊。隨后，條形第一內(nèi)部電極圖案221a可形成第一內(nèi)部電極121，而條形第二內(nèi)部電極圖案222a可形成第二內(nèi)部電極122。圖6C為顯示陶瓷生片多層主體210的橫截面圖，其中根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式將第一陶瓷生片和第二陶瓷生片堆疊，和圖6D為顯示陶瓷生片多層主體210的透視圖，其中將第一陶瓷生片和第二陶瓷生片堆疊。參考圖6C和圖6D，在其上印刷多個(gè)平行的條形第一內(nèi)部電極圖案221a的第一陶瓷生片和在其上印刷多個(gè)平行的條形第二內(nèi)部電極圖案222a的第二陶瓷生片可交替堆疊。更詳細(xì)地，第一陶瓷生片和第二陶瓷生片可堆疊，使得在第一陶瓷生片上印刷的條形第一內(nèi)部電極圖案221a的中心部分和在第二陶瓷生片上印刷的條形第二內(nèi)部電極圖案222a之間的間隔d4彼此重疊。隨后，如圖6D所示，可切割陶瓷生片多層主體210，以橫斷多個(gè)條形第一內(nèi)部電極圖案221a和第二內(nèi)部電極圖案222a。也就是，可沿著切割線C1-C1將陶瓷生片多層主體210切割成為棒形多層主體220。更詳細(xì)地，條形第一內(nèi)部電極圖案221a和條形第二內(nèi)部電極圖案222a可沿長(zhǎng)度方向切割，以分成多個(gè)具有預(yù)定的寬度的內(nèi)部電極。在這種情況下，堆疊的陶瓷生片還可與內(nèi)部電極圖案共同切割。結(jié)果是，可形成介電層，以具有與內(nèi)部電極相同的寬度。第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣可暴露于棒形多層主體220的切割表面。棒形多層主體的切割表面可分別稱為棒形多層主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面。在將陶瓷生片多層主體燒結(jié)后，可將燒結(jié)的陶瓷生片多層主體切割成為棒形多層主體。此外，在陶瓷生片切割成為棒形多層主體之后，可在其上實(shí)施燒結(jié)。雖然不局限于此，燒結(jié)可在1100-1300℃下在N2-H2氣氛下實(shí)施。接著，如圖6E所示，棒形多層主體220的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面可分別提供有第一側(cè)邊緣部分213a和第二側(cè)邊緣部分214a。第二側(cè)邊緣部分214a未清楚地顯示，但是其輪廓作為虛線顯示。棒形多層主體220的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面可認(rèn)為是相應(yīng)于示于圖7C的多層主體111的第一側(cè)表面1和第二側(cè)表面2的表面。第一側(cè)邊緣部分213a和第二側(cè)邊緣部分214a可由含有陶瓷粉末的陶瓷漿料在棒形多層主體220上形成。陶瓷漿料可含有陶瓷粉末、有機(jī)粘合劑和有機(jī)溶劑，并且可控制陶瓷漿料的量，使得第一側(cè)邊緣部分213a和第二側(cè)邊緣部分214a具有期望的所需的厚度。通過(guò)向棒形多層主體220的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面施用陶瓷漿料，可形成第一側(cè)邊緣部分213a和第二側(cè)邊緣部分214a。不特別限制施用陶瓷漿料的方法。例如，陶瓷漿料可通過(guò)噴灑方法來(lái)噴灑或可使用輥機(jī)來(lái)施用。此外，通過(guò)在陶瓷漿料中浸漬棒形多層主體，可在棒形多層主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面上形成第一側(cè)邊緣部分213a和第二側(cè)邊緣部分214a。如上所述，可形成第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分，以具有18μm或更小的厚度。第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分的厚度可由內(nèi)部電極的邊緣暴露于的棒形多層主體的第一側(cè)表面或第二側(cè)表面限定。接著，如圖6E和圖6F所示，可沿著切割線C2-C2切割包括其中形成的第一側(cè)邊緣部分213a和第二側(cè)邊緣部分214a的棒形多層主體220，以滿足單個(gè)芯片尺寸。可參考圖6C來(lái)確定切割線C2-C2的位置。通過(guò)切割棒形多層主體220至芯片尺寸，可形成具有多層主體111和在多層主體的兩個(gè)側(cè)表面上形成的第一側(cè)邊緣部分113和第二側(cè)邊緣部分114的陶瓷主體。當(dāng)沿著切割線C2-C2切割棒形多層主體220時(shí)，第一內(nèi)部電極的中心部分和彼此重疊的第二內(nèi)部電極之間形成的預(yù)定的間隔d4可在彼此相同的切割線上切割。在其它方面，第二內(nèi)部電極的中心和在第一內(nèi)部電極之間的預(yù)定的間隔可沿著相同的切割線切割。因此，第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的一端可沿著切割線C2-C2交替暴露于切割表面。第一內(nèi)部電極暴露于的表面可認(rèn)為是示于圖5的多層主體的第三末端表面3，而第二內(nèi)部電極暴露于的表面可認(rèn)為是示于圖5的多層主體的第四末端表面4。當(dāng)沿著切割線C2-C2切割棒形多層主體220時(shí)，可將在條形第一內(nèi)部電極圖案221a之間的預(yù)定的間隔d4切割成為一半，使得在第一內(nèi)部電極121的一個(gè)末端與第四末端表面之間可形成預(yù)定的間隔d2。此外，在第二內(nèi)部電極122的一個(gè)末端與第三末端表面之間可形成預(yù)定的間隔。隨后，第三末端表面和第四末端表面可提供有分別與第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的一端連接的外部電極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，當(dāng)在棒形多層主體220上形成第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分，并且將多層主體切割以具有芯片尺寸時(shí)，通過(guò)一次性過(guò)程，可在多個(gè)多層主體111中形成側(cè)邊緣部分。此外，雖然在附圖中未顯示，在形成第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分之前，可將棒形多層主體切割以具有芯片尺寸，以形成多個(gè)多層主體。也就是，可切割棒形多層主體，使得第一內(nèi)部電極的中心部分和彼此重疊的在第二內(nèi)部電極之間的預(yù)定的間隔可沿著相同的切割線切割。因此，第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的一端可交替暴露于切割表面。隨后，多層主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面可形成有第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分。形成第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分的方法如上所述。此外，第一內(nèi)部電極暴露于的多層主體的第三末端表面和第二內(nèi)部電極暴露于的多層主體的第四末端表面可分別形成有外部電極。根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施方式，第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣可暴露于多層主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面?？蓪⒍鄠€(gè)堆疊的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極同時(shí)切割，使得其邊緣可在直線上布置。隨后，多層主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面可同時(shí)形成有第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分。陶瓷主體通過(guò)多層主體和第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分形成。也就是，第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分可形成陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可恒定形成從多個(gè)內(nèi)部電極的邊緣到陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離。此外，可形成由陶瓷糊膏形成的第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分，以具有薄的厚度。此外，控制加入到形成陶瓷電容器的第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分的陶瓷糊膏的玻璃的含量，使得S1的孔隙率P1可在1-20范圍(1≤P1≤20)，并且S1的孔隙率P1和S2的孔隙率P2可滿足P1/P2＞2。因此，可緩解外部沖擊，例如熱沖擊、電沖擊等，從而可實(shí)現(xiàn)高可靠性和高電容的多層陶瓷電容器。下表1為其中比較多層陶瓷電容器的可靠性的表，取決于S1的孔隙率P1和S1的孔隙率P1與S2的孔隙率P2的比率(P1/P2)，根據(jù)多層陶瓷電容器的側(cè)邊緣部分的平均厚度。[表1]參考表1，可理解，在其中側(cè)邊緣部分的平均厚度為18μm或更小的樣品1-3中，當(dāng)S1的孔隙率P1和S1的孔隙率P1與S2的孔隙率P2的比率(P1/P2)在本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)值范圍之外時(shí)，可產(chǎn)生關(guān)于可靠性的問(wèn)題。在其中側(cè)邊緣部分的平均厚度大于18μm的樣品4-6中，雖然S1的孔隙率P1和S1的孔隙率P1與S2的孔隙率P2的比率(P1/P2)在本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)值范圍之外，在可靠性的評(píng)價(jià)中得到良好的結(jié)果。因此，從以下描述的說(shuō)明可以理解，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多層陶瓷電容器中，當(dāng)側(cè)邊緣部分的平均厚度為18μm或更小時(shí)，可改進(jìn)可靠性。下表2為其中當(dāng)側(cè)邊緣部分的平均厚度為18μm或更小的表，比較耐濕性質(zhì)和多層陶瓷電容器的可靠性，取決于S1的孔隙率P1和S1的孔隙率P1與S2的孔隙率P2的比率(P1/P2)。[表2]*：對(duì)比實(shí)施例在表2中，在基材上安裝200個(gè)芯片之后，在85℃溫度和85%濕度的8585的條件下，實(shí)施耐濕性質(zhì)的評(píng)價(jià)，并且在將芯片拋光之后通過(guò)觀察在破壞分析時(shí)是否產(chǎn)生裂縫來(lái)實(shí)施可靠性的評(píng)價(jià)。更具體地，在將芯片在320℃的鉛浴中浸沒(méi)2秒后，觀察當(dāng)施用熱沖擊時(shí)是否產(chǎn)生裂縫。在表2中，其中耐濕性質(zhì)良好的情況用“○”表示，而其中耐濕性質(zhì)差的情況用“×”表示。如表2所示，可理解，在其中S1的孔隙率P1在1-20范圍(1≤P1≤20)，并且S1的孔隙率P1與S2的孔隙率P2的比率(P1/P2)大于2(P1/P2＞2)的情況下，可改進(jìn)耐濕性質(zhì)和可靠性。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，控制多層陶瓷電容器中的第一側(cè)邊緣部分或第二側(cè)邊緣部分的孔隙率，使得可緩解外部沖擊，例如熱沖擊、電沖擊等，從而實(shí)現(xiàn)高可靠性和高電容的多層陶瓷電容器。此外，在多層陶瓷電容器中，從內(nèi)部電極的邊緣到第一側(cè)表面或第二側(cè)表面的距離可相對(duì)縮短。因此，在陶瓷主體中形成的內(nèi)部電極的重疊部分的面積可相對(duì)增大。此外，從在最外的部分處(也就是，可相對(duì)難以除去殘余的碳的角落部分)設(shè)置的內(nèi)部電極的邊緣到第一側(cè)表面或第二側(cè)表面的距離可顯著縮短，從而容易除去殘余的碳。因此，殘余的碳的濃度分布可降低，從而保持相同的精細(xì)結(jié)構(gòu)并改進(jìn)內(nèi)部電極的連通性。此外，從在最外的部分處設(shè)置的內(nèi)部電極的邊緣到第一側(cè)表面或第二側(cè)表面的最短距離可確保在預(yù)定的厚度，從而確保耐濕性質(zhì)并降低內(nèi)部缺陷。此外，可降低在形成外部電極時(shí)產(chǎn)生輻射裂縫的可能性，并且可確保針對(duì)外部沖擊的機(jī)械強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可將多個(gè)堆疊的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極和陶瓷生片同時(shí)切割，使得內(nèi)部電極的邊緣可在直線上布置。隨后，第一側(cè)邊緣部分和第二側(cè)邊緣部分可在內(nèi)部電極的邊緣暴露于的表面上形成。根據(jù)陶瓷漿料的量，可容易控制側(cè)邊緣部分的厚度。內(nèi)部電極可沿介電層的寬度方向在介電層上完全形成，從而容易形成內(nèi)部電極之間的重疊部分的面積，并且降低由于內(nèi)部電極的步驟的發(fā)生。雖然已結(jié)合實(shí)施方式顯示和描述了本發(fā)明，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，在不偏離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍下，可以進(jìn)行修改和變化。