專利名稱：一種低彈跳真空滅弧室結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種低彈跳真空滅弧室結構，屬于電力開關設備技術領域。
背景技術：
真空滅弧室在合閘過程中，真空滅弧室的動觸頭與靜觸頭在剛接觸直至觸頭穩(wěn)定接觸瞬間為止，這期間會出現(xiàn)動觸頭與靜觸頭反復的分合過程，即彈跳現(xiàn)象。現(xiàn)目前使用的真空滅弧室在合閘過程中，兩個觸頭間由于剛性碰撞而產(chǎn)生彈跳，彈跳時間長、彈跳幅度大，無法滿足真空斷路器的機械參數(shù)要求。這種彈跳現(xiàn)象不僅影響真空滅弧室的穩(wěn)定性和可靠性，而且在合閘過程中，由于動觸頭與靜觸頭斷開距離小，電弧不會熄滅，真空滅弧室內(nèi)電弧能量迅速累積，容易產(chǎn)生觸頭發(fā)熱、熔焊現(xiàn)象，導致觸頭電磨損加重，嚴重影響真空滅弧室的開斷性能和使用壽命，同時，觸頭合閘彈跳時間過長，會使真空滅弧室的波紋管受強迫振動而出現(xiàn)裂紋，危害波紋管使用壽命，導致真空滅弧室漏氣，從而影響真空滅弧室的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種低彈跳真空滅弧室結構，解決現(xiàn)有真空滅弧室彈跳時間長、彈跳幅度大，容易產(chǎn)生觸頭發(fā)熱、熔焊現(xiàn)象等問題。本發(fā)明的技術方案一種低彈跳真空滅弧室結構，包括有杯托，杯托內(nèi)側面分別與靜觸頭、動觸頭連接，杯托連接的內(nèi)側面上設有環(huán)形槽，環(huán)形槽環(huán)繞的內(nèi)圈為中間受力部分，加強筋一端連接杯托上 的中間受力部分。上述的低彈跳真空滅弧室結構，所述環(huán)形槽環(huán)繞的中間受力部分上設有定位槽。上述的低彈跳真空滅弧室結構，所述環(huán)形槽的深度為2 20mm。上述的低彈跳真空滅弧室結構，所述中間受力部分的直徑d為15 60mm。上述的低彈跳真空滅弧室結構，所述杯托分別與靜導電桿和動導電桿連接，靜導電桿、動導電桿上設有凹槽。上述的低彈跳真空滅弧室結構，所述靜導電桿上的凹槽的寬度為L1、深度為H1，動導電桿上的凹槽的寬度為L2、深度為H2，L1、L2大小為2 50mm，Hl大小為對應開槽處動導電桿直徑dl的1/2 1/4倍，H2大小為對應開槽處靜導電桿直徑d2的1/2 1/4倍。本發(fā)明的有益效果在合閘過程中，動觸頭與靜觸頭相接觸，接觸后，觸頭將反作用力通過加強筋傳遞給杯托上的中間受力部分以及開設有凹槽的導電桿，開設有環(huán)形槽的杯托受力面積變小，中間受力部分在受到500kg左右反作用力的作用下易產(chǎn)生微量塑性變形，變形過程中吸收消除反作用力，開設有凹槽的導電桿強度降低，在受力過程中容易發(fā)生微量塑性變形，也吸收消除部分反作用力，作用力降低，從而導致彈跳時間縮短、彈跳幅度減小，降低了觸頭發(fā)熱、熔焊現(xiàn)象出現(xiàn)的概率，避免了觸頭電磨損加重，延長了真空滅弧室的使用壽命。


附圖1為本發(fā)明的結構示意附圖2為本發(fā)明的零件結構示意圖附圖3為本發(fā)明的零件結構示意圖附圖4為本發(fā)明的零件結構示意圖1-靜導電桿，2-靜觸頭,3-加強筋,4-動觸頭,5-杯托,6-動導電桿，7-環(huán)形槽,
8-定位槽,9-中間受力部分，10-凹槽t
具體實施例方式本發(fā)明的實施例1 :如附圖1和附圖2所不,包括有杯托5,杯托5外側面與靜導電桿1、動導電桿6連接，觸頭座5內(nèi)側面與靜觸頭2、動觸頭4連接，杯托5連接的內(nèi)側面上設有環(huán)形槽7，環(huán)形槽7環(huán)繞的內(nèi)圈為中間受力部分9，環(huán)形槽7環(huán)繞的中間受力部分9上設有定位槽8，加強筋3 —端卡入中間受力部分9上的定位槽處，另一端與靜觸頭2、動觸頭4連接，靜導電桿1、動導電桿6上各設有一凹槽10。真空滅弧室在合閘過程中，動觸頭4與靜觸頭2相接觸，產(chǎn)生一定的反作用力，動觸頭4和靜觸頭2通過加強筋3將反作用力傳遞給杯托5后，再傳遞給動導電桿6和靜導電桿I?，F(xiàn)有的真空滅弧室由于杯托5，動導電桿6與靜導電桿I的銅桿尺寸較粗，受力面積較大，在受到反作用力的作用后，難以發(fā)生變形，反作用力難以被吸收消除，反作用力反之作用于動觸頭4與靜觸頭2上，兩個觸頭間由于剛性碰撞而產(chǎn)生彈跳，由于作用力難以消除，故彈跳時間長、彈跳幅度大。本發(fā)明所提供的低彈跳真空滅弧室結構，其杯托5可單獨制作為一個獨立結構，也可與靜導電桿I或者動導電桿6制作成為一體，在杯托5上開設有環(huán)形槽7，且加強筋3卡在定位槽8上，定位槽8設在環(huán)形槽7環(huán)繞的中間受力部分9上，由于加強筋3在合閘過程中主要起傳遞力的作用，即與加強筋3連接的中間受力部分9為受力面積，使得杯托5上的受力面積變小。杯托5上的中間受力部分9在受到合閘過程中產(chǎn)生的500kg左右的作用力的作用下，容易產(chǎn)生微量的塑性變形，而變形的過程中均會吸收消除掉部分反作用力，使得兩個觸頭之間的接觸由剛性接觸轉(zhuǎn)變?yōu)閺椥越佑|，靜導電桿1、動導電桿6在彈跳過程中也會受到反作用力的作用，通過在靜導電桿1、動導電桿6上各自開設凹槽10，降低導電桿的強度，使其在受力過程中容易發(fā)生微量塑性變形，從而吸收消除部分反作用力。通過在接觸過程中中間受力面積9以及動導電桿6、靜導電桿I的微量塑性變形，使得反作用力不斷被吸收消除，故降低了真空滅弧室的彈跳時間，減弱了其彈跳幅度，延長了真空滅弧室的使用壽命，滿足國家對相關產(chǎn)品的機械參數(shù)要求。本發(fā)明即是在壓力不變的情況下，通過改變受力面積，從而增大壓強，促使工件在高壓強的作用下發(fā)生微量塑性變形，吸收消除掉作用力。在開設環(huán)形槽7時，若開設的環(huán)形槽7深度過淺、或者過于遠離杯托5的圓心處，就難以改變其受力面積的大小，在受到反作用力的作用時，杯托5難以發(fā)生變形，也就不能吸收消除掉作用力；若開設的環(huán)形槽7深度過深、或者過于靠近杯托5的圓心處，在受到反作用力的作用時，杯托5在作用力的作用下發(fā)生塑性變形過大，改變了整個機構的性能。因此在開設環(huán)形槽7時應保證中間受力部分的直徑d的大小為15 60mm之間，而環(huán)形槽7的深度應為2 20mm之間，寬度不宜過寬，過寬將會影響靜導電桿I和動導電桿6的導電性能。開設凹槽10時，若其深度過深，在受力時易發(fā)生變形過大的情況，深度過小，難以引起微量塑性變形，故對凹槽10的尺寸也有一定的要求。動導電桿6上的凹槽10對應的寬度為LI，靜導電桿I上的凹槽10對應的寬度為L2，L1、L2的范圍為2 50mm，動導電桿6上的凹槽10的深度Hl為對應開槽處的動導電桿直徑dl的1/2 1/4倍，靜導電桿I上的凹槽10的深度H2為對應開槽處的靜導電桿直徑d2的1/2 1/4倍。本發(fā)明的實施例2 :該低彈跳真空滅弧室的結構位置以及其工作原理如實施例1所述，為保證中間受力部分9在受到反作用力作用時，其能夠發(fā)生微量塑性變形且能保證其變形不會過大，以至于改變整個機構的性能，因此在開設環(huán)形槽7時，可使中間受力部分9的直徑d的大小為30mm，而環(huán)形槽7的深度為10mm。開設凹槽10時，動導電桿6上的凹槽10對應的寬度為LI，靜導電桿I上的凹槽10對應的寬度為L2，L1、L2的范圍為2 50mm，動導電桿6上的凹槽10的深度Hl為對應開槽處的動導電桿直徑dl的1/2 1/4倍，靜導電桿I上的凹槽10的深度H2為對應開槽處的靜導電桿直徑d2的1/2 1/4倍。本發(fā)明的實施例3 :開設環(huán)形槽7時，可使中間受力部分9的直徑d的大小為45mm，而環(huán)形槽7的深度為15mm。開設凹槽10時，動導電桿6上的凹槽10對應的寬度為LI,靜導電桿I上的凹槽10對應的寬度為L2，L1、L2的范圍為2 50mm，動導電桿6上的凹槽10的深度Hl為對應開槽處的動導電桿直徑dl的1/3倍，靜導電桿I上的凹槽10的深度H2為對應開槽處的 靜導電桿直徑d2的1/3倍。
權利要求
1.一種低彈跳真空滅弧室結構，其特征在于包括有杯托(5)，杯托(5)內(nèi)側面分別與靜觸頭(2)、動觸頭(4)連接，杯托(5)連接的內(nèi)側面上設有環(huán)形槽(7)，環(huán)形槽(7)環(huán)繞的內(nèi)圈為中間受力部分(9)，加強筋(3)—端連接杯托(5)上的中間受力部分(9)。
2.根據(jù)權利要求1所述的低彈跳真空滅弧室結構，其特征在于所述環(huán)形槽(7)環(huán)繞的中間受力部分(9)上設有定位槽(8)。
3.根據(jù)權利要求1所述的低彈跳真空滅弧室結構，其特征在于所述環(huán)形槽(7)的深度為2 20mm。
4.根據(jù)權利要求1所述的低彈跳真空滅弧室結構，其特征在于所述中間受力部分(9) 的直徑d為15 60mm。
5.根據(jù)權利要求1所述的低彈跳真空滅弧室結構，其特征在于杯托(5)分別與靜導電桿(I)和動導電桿(6)連接，靜導電桿(I)、動導電桿(6)上設有凹槽(10)。
6.根據(jù)權利要求5所述的低彈跳真空滅弧室結構，其特征在于靜導電桿(I)上的凹槽 (10)的寬度為L1、深度為H1，動導電桿(6)上的凹槽的寬度為L2、深度為H2，L1、L2大小為 2 50mm，Hl大小為對應開槽處動導電桿(6)直徑dl的1/2 1/4倍，H2大小為對應開槽處靜導電桿(I)直徑d2的1/2 1/4倍。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低彈跳真空滅弧室結構，特征在于包括有杯托(5)，杯托(5)內(nèi)側面分別與靜觸頭(2)、動觸頭(4)連接，杯托(5)連接的內(nèi)側面上設有環(huán)形槽(7)，環(huán)形槽(7)環(huán)繞的內(nèi)圈為中間受力部分(9)，加強筋(3)一端連接杯托(5)上的中間受力部分(9)。本發(fā)明即是在壓力不變的情況下，通過改變受力面積，從而增大壓強，促使工件在高壓強的作用下發(fā)生微量塑性變形，吸收消除掉作用力。作用力降低，從而導致彈跳時間縮短、彈跳幅度減小，降低了觸頭發(fā)熱、熔焊現(xiàn)象出現(xiàn)的概率，避免了觸頭電磨損加重，延長了真空滅弧室的使用壽命。
文檔編號H01H33/664GK103050332SQ20131002611
公開日2013年4月17日 申請日期2013年1月21日 優(yōu)先權日2013年1月21日
發(fā)明者張毅, 陳志會, 周吉冰 申請人:中國振華電子集團宇光電工有限公司(國營第七七一廠)