研磨材料和研磨用組合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種含有研磨材料和水的研磨用組合物。研磨材料含有氧化鋯顆粒。根據(jù)利用粉末X射線衍射法測定的2θ為28.0°附近的衍射X射線強度和31.0°附近的衍射X射線強度算出的氧化鋯顆粒的微晶尺寸均為以上，且氧化鋯顆粒的平均一次粒徑為0.2μm以上。或者，氧化鋯顆粒的平均二次粒徑為1.0μm以下，且將氧化鋯顆粒的平均二次粒徑除以氧化鋯顆粒的平均一次粒徑得到的值為1.5以下。研磨用組合物用于例如研磨藍(lán)寶石等硬脆材料的用途。
【專利說明】研磨材料和研磨用組合物
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在研磨藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化鎵、神化鎵、神化銦、磷化銦等硬脆材料的用途中使用的研磨材料和研磨用組合物。本發(fā)明還涉及硬脆材料的研磨方法和硬脆材料基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對于在研磨硬盤用玻璃基板、液晶顯不面板的玻璃基板、光掩模用合成石英基板等基板的用途中使用的研磨用組合物，為了提高研磨后的基板的品質(zhì)，強烈要求研磨后的基板的表面粗糙度小以及研磨后的基板上如劃痕那樣的表面缺陷少。另外，為了縮短研磨操作所耗費的時間，還要求基板的研磨速度(去除速度)高。
[0003]在研磨玻璃基板的用途中，以往使用氧化鈰系的研磨材料(專利文獻I)。然而，在日本，現(xiàn)在以鈰為首的稀土元素依賴從國外的進ロ。因此，存在稀土元素由于國際形勢而供給不足、隨之產(chǎn)生價格上升的擔(dān)心。所以，期望開發(fā)基于不需要稀土元素的代替材料的研磨材料。
[0004]另ー方面，在與研磨玻璃基板的用途不同的用途中，使用例如專利文獻2中記載的研磨用組合物。專利文獻2的研磨用組合物是包含氧化鋯微粒和研磨促進劑的物質(zhì)。然而，將專利文獻2中記載的研磨用組合物用于研磨玻璃基板等硬脆材料的用途時，不能充分滿足上述所有要求。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2010-16064號公報
[0008]專利文獻2:日本特開平10-121034號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

_9] 發(fā)明要解決的問題
[0010]因此，本發(fā)明的目的在于，提供在研磨藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化鎵、神化鎵、神化銦、磷化銦等硬脆材料的用途中能夠更加適宜地使用的研磨材料和研磨用組合物。另外，本發(fā)明的另一目的在于，提供使用了該研磨材料的、硬脆材料的研磨方法和硬脆材料基板的制造方法。
[0011]用于解決問題的方案
[0012]現(xiàn)在，已知利用研磨材料的研磨速度一般與研磨材料的平均粒徑成比例。另一方面，認(rèn)為理想的是，為了得到表面粗糙度小且表面缺陷少的研磨后表面，期望研磨材料的平均粒徑盡可能小。對此，本發(fā)明人等進行了深入討論。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過使用含有特定的氧化鋯顆粒的研磨材料可達成上述的目的。為了滿足在得到表面粗糙度小且表面缺陷少的研磨后表面的同時提高研磨速度的要求，使用微晶尺寸和平均一次粒徑的值分別在規(guī)定值以上的氧化鋯顆粒、或者使用平均二次粒徑的值和將平均二次粒徑除以平均一次粒徑得到的值分別為規(guī)定值以下的氧化鋯顆粒是即使本領(lǐng)域技術(shù)人員也難以容易地想到的。尤其在研磨玻璃基板等硬脆材料基板的用途中，通過使用特定的氧化鋯顆粒而得到與使用氧化鈰顆粒時同等以上的研磨特性的方案并非本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易地想到的。 [0013]為了達成上述目的，本發(fā)明的第I實施方式提供ー種研磨材料，其含有氧化鋯顆粒，根據(jù)利用粉末X射線衍射法測定的2 0為28.0°附近的衍射X射線強度和31.0°附近的衍射X射線強度算出的氧化鋯顆粒的微晶尺寸均為330A以上，且氧化鋯顆粒的平均一次粒徑為0.2 i! m以上。氧化鋯顆粒的平均二次粒徑優(yōu)選為0.2~5 i! m。
[0014]本發(fā)明的第2實施方式提供ー種研磨材料，其為含有氧化鋯顆粒的研磨材料，氧化鋯顆粒的平均二次粒徑為l.0ym以下，且將氧化鋯顆粒的平均二次粒徑除以氧化鋯顆粒的平均一次粒徑得到的值為1.5以下。
[0015]在上述第I和第2實施方式的研磨材料中，氧化鋯顆粒的純度優(yōu)選為98質(zhì)量％以上。在每ImL含有I質(zhì)量％的氧化鋯顆粒的水分散液中，氧化鋯顆粒之中具有5 ii m以上的二次粒徑的粗大顆粒的個數(shù)優(yōu)選為10000000個以下。氧化鋯顆粒優(yōu)選通過干法制造。氧化鋯顆粒優(yōu)選以斜鋯石為原料制造。
[0016]本發(fā)明的第3實施方式提供一種制造上述第I和第2實施方式的研磨材料的方法，其包括將氧化鋯顆粒通過球磨機粉碎的エ序。
[0017]本發(fā)明的第4實施方式提供ー種研磨用組合物，其包含上述第I和第2實施方式的研磨材料和水，研磨用組合物中的研磨材料的含量為0.1質(zhì)量％以上。研磨用組合物優(yōu)選還包含鈰鹽或鋯鹽。
[0018]本發(fā)明的另ー個實施方式提供使用上述第4實施方式的研磨用組合物研磨硬脆材料的研磨方法；和包括使用該研磨方法研磨基板的エ序的硬脆材料基板的制造方法。
[0019]發(fā)明的效果
[0020]根據(jù)本發(fā)明，提供在研磨藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化鎵、神化鎵、神化銦、磷化銦等硬脆材料的用途中能夠更加適宜地使用的研磨材料和研磨用組合物。另外，還提供使用了該研磨材料的硬脆材料的研磨方法和硬脆材料基板的制造方法。
【具體實施方式】
[0021]第I實施方式
[0022]以下對本發(fā)明的第I實施方式進行說明。
[0023]本實施方式的研磨用組合物含有研磨材料和水。研磨材料含有氧化鋯顆粒。研磨用組合物適宜在研磨藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化鎵、神化鎵、神化銦、磷化銦等硬脆材料的用途中使用。
[0024]研磨材料中包含的氧化鋯顆粒既可以包含立方晶系、正方晶系、單斜晶系等結(jié)晶質(zhì)氧化鋯，也可以包含非晶質(zhì)氧化鋯。作為研磨材料優(yōu)選的是正方晶系、單斜晶系的氧化鋯。氧化鋯顆粒也可以包含鈣、鎂、鉿、釔、硅等。其中，氧化鋯顆粒的純度優(yōu)選盡量高，具體而言，優(yōu)選為98質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為99質(zhì)量％以上，進ー步優(yōu)選為99.5質(zhì)量％以上。隨著氧化鋯顆粒的純度在98質(zhì)量％以上的范圍內(nèi)變高，基于研磨用組合物的硬脆材料的研磨速度提高。在該方面，若氧化鋯顆粒的純度為98質(zhì)量％以上，進ー步而言為99質(zhì)量％以上，更進一歩而言為99.5質(zhì)量％以上，則變得容易使基于研磨用組合物的硬脆材料的研磨速度提高到在實用上特別適宜的水平。
[0025]需要說明的是，氧化鋯顆粒的純度可通過利用例如株式會社島津制作所制造的XRF-1800等X射線熒光分析裝置測得的氧化鋯和氧化鉿的總量的測定值來算出。
[0026]氧化鋯顆粒中的雜質(zhì)也可以通過粉末X射線衍射法測定。使用例如RigakuCorporation制造的MiniFlex等粉末X射線衍射裝置測定的2 0為26.5°附近的衍射X射線的峰強度優(yōu)選為200cps以下。更優(yōu)選2 0為26.5°附近不出現(xiàn)衍射X射線的峰，這表示氧化鋯顆粒實質(zhì)上不含有作為雜質(zhì)的石英ニ氧化硅。另外，若利用粉末X射線衍射法也能夠測定氧化鋯的微晶尺寸。優(yōu)選的是根據(jù)2 0為28.0°附近的衍射X射線強度和31.0°附近的衍射X射線強度算出的微晶尺寸均為330A以上，這表示氧化鋯的晶系為單斜晶系，且該微晶尺寸大。
[0027]氧化鋯顆粒中包含的金屬雜質(zhì)的量越少越好。作為氧化鋯顆粒中包含的金屬雜質(zhì)的例子，除了可列舉出之前記載的鈣、鎂、鉿、乾、硅以外，還可列舉出鋁、鐵、銅、鉻、鈦等。氧化鋯顆粒中的氧化硅的含量優(yōu)選為I質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以下，進ー步優(yōu)選為0.2質(zhì)量％以下。氧化鋯顆粒中的氧化鋁和氧化鐵的含量優(yōu)選分別為0.2質(zhì)量％以下。需要說明的是，氧化硅、氧化鋁和氧化鐵的含量可通過利用例如株式會社島津制作所制造的ICPE-9000等ICP發(fā)射分光光度分析裝置測得的測定值算出。
[0028]氧化鋯顆粒的比表面積優(yōu)選為lm2/g以上，更優(yōu)選為2m2/g以上。另外，氧化鋯顆粒的比表面積優(yōu)選為15m2/g以下，更優(yōu)選為13m2/g以下。若氧化鋯顆粒的比表面積為I?15m2/g的范圍，則變得容易使基于研磨用組合物的硬脆材料基板的研磨速度提高到在實用上適宜的水平。需要說明的是，氧化鋯顆粒的比表面積可通過例如島津株式會社制造的FlowSorbII2300等基于氮吸附法的比表面積測定裝置來測定。
[0029]氧化鋯顆粒的平均一次粒徑優(yōu)選為0.2 m以上、更優(yōu)選為0.3 y m以上、進ー步優(yōu)選為0.5 y m以上、特別優(yōu)選為1.0 y m以上。隨著平均一次粒徑變大，基于研磨用組合物的硬脆材料基板的研磨速度提高。在該方面，若氧化鋯顆粒的平均一次粒徑為0.2 y m以上、進ー步而言為0.3 ii m以上、為0.5 u m以上或1.0 y m以上,則變得容易使基于研磨用組合物的硬脆材料基板的研磨速度提高到在實用上特別適宜的水平。需要說明的是，氧化鋯顆粒的一次粒徑可根據(jù)利用例如Hitachi High-Technologies Corporation制造的S-4700等掃描電子顯微鏡拍攝的照片算出。例如測量以倍率10000?50000倍拍攝的電子顯微鏡照片的氧化鋯顆粒的圖像的面積，作為與其相同面積的圓的直徑而求出氧化鋯顆粒的一次粒徑。氧化鋯顆粒的平均一次粒徑是對隨機選擇的100個以上的顆粒以如此求得的一次粒徑的平均值的形式算出的、體積基準(zhǔn)的累積百分?jǐn)?shù)中的50%粒徑。一次粒徑和平均一次粒徑的算出可以使用市售的圖像解析裝置來進行。
[0030]氧化鋯顆粒的平均二次粒徑優(yōu)選為0.2 m以上、更優(yōu)選為0.3 m以上、進ー步優(yōu)選為0.5 y m以上、特別優(yōu)選為1.0 y m以上。隨著平均二次粒徑變大，基于研磨用組合物的硬脆材料基板的研磨速度提高。在該方面，若氧化鋯顆粒的平均二次粒徑為0.2 y m以上，進ー步而言為0.3iim以上,更進ー步而言為0.5iim以上或1.0iim以上,貝U變得容易使基于研磨用組合物的硬脆材料基板的研磨速度提高到在實用上特別適宜的水平。需要說明的是，氧化鋯顆粒的平均二次粒徑是通過例如株式會社堀場制作所制造的LA-950等激光衍射/散射式粒徑分布測定裝置而求出的、體積基準(zhǔn)的累積百分?jǐn)?shù)中的50%粒徑。[0031]另外，氧化鋯顆粒的平均二次粒徑優(yōu)選為5 Pm以下、更優(yōu)選為3 Pm以下、進ー步優(yōu)選為1.5i!m以下。隨著平均二次粒徑變小，研磨用組合物的分散穩(wěn)定性提高，另外，使用研磨用組合物研磨后的硬脆材料基板的劃痕產(chǎn)生得到抑制。在該方面，若氧化鋯顆粒的平均二次粒徑為5 u m以下，進ー步而言為3 m以下，更進一歩而言為1.5 y m以下，則變得容易使研磨用組合物的分散穩(wěn)定性和使用研磨用組合物研磨后的硬脆材料基板的表面精度提高到在實用上特別適宜的水平。
[0032]在每ImL含有I質(zhì)量％的氧化鋯顆粒的水分散液中，氧化鋯顆粒之中具有5 ii m以上的二次粒徑的粗大顆粒的個數(shù)優(yōu)選為10000000個以下，更優(yōu)選為5000000個以下，進ー步優(yōu)選為2000000個以下。隨著粗大顆粒的個數(shù)變少，使用研磨用組合物研磨后的硬脆材料基板的劃痕產(chǎn)生得到抑制。在該方面，在每ImL含有I質(zhì)量％的氧化鋯顆粒的水分散液中，若粗大顆粒的個數(shù)為10000000個以下，進ー步而言為5000000個以下，更進ー步而言為2000000個以下，則變得容易使利用研磨用組合物研磨后的硬脆材料基板的表面精度提高到在實用上特別適宜的水平。需要說明的是，具有5 以上的二次粒徑的氧化鋯顆粒的個數(shù)可以通過例如Beckman Coulter, Inc制造的Multisizer3等電阻式粒度分布測定機求得。
[0033]對氧化鋯顆粒的制造方法沒有特別的限定，濕法和干法均可。濕法中，將鋯石、鋯砂等含有鋯的礦石作為原料，將其熔融、溶解和提純而得到的鋯化合物水解得到氫氧化鋯，然后將其焙燒并粉碎而得到氧化鋯顆粒。干法中，通過電熔脫硅從鋯石、鋯砂等含有鋯的礦石中去除氧化硅而得到氧化鋯顆粒，或者是將斜鋯石等氧化鋯礦石粉碎之后去除雜質(zhì)，從而得到氧化鋯顆粒。與濕法相比，干法除了可以抑制氧化鋯顆粒的制造成本以外，比較容易通過燒結(jié)、粉碎、分級等操作調(diào)節(jié)得到的氧化鋯顆粒的粒度、比表面積。另外，在將斜鋯石等氧化鋯礦石粉碎而得到氧化鋯顆粒的方法的情況下，不需要利用電熔脫硅去除氧化硅，因此更優(yōu)選。需要說明的是，電熔脫硅是通過高溫處理使作為雜質(zhì)的氧化硅升華的方法，高溫處理通過使用例如電弧爐將原料礦石加熱到通常2000°C以上、優(yōu)選為約2700°C以上的溫度來進行。
[0034]氧化鋯顆粒的制造方法之`中，粉碎エ序是用于將得到的氧化鋯顆粒的粒徑統(tǒng)ー為較小、或用于去除雜質(zhì)的必要エ序。粉碎的方法既可以是使用溶劑的濕法，也可以是不使用溶劑的干法。另外，既可以是利用使用了介質(zhì)的球磨機、珠磨機、錘磨機等的方法，也可以是利用不使用介質(zhì)的噴磨機等的方法。在使用了介質(zhì)的方法的情況下，各顆粒的粉碎不僅因與其它的顆粒的撞擊而產(chǎn)生，而且也因與介質(zhì)的撞擊而產(chǎn)生。因此，為了有效地進行粉碎，優(yōu)選使用了介質(zhì)的粉碎法。
[0035]研磨材料除了含有氧化鋯顆粒以外，也可以含有氧化鋯顆粒以外的顆粒。作為氧化鋯顆粒以外的顆粒的例子，可列舉出氧化鋁顆粒、二氧化硅顆粒、氧化鈰顆粒、氧化鈦顆粒、鋯石顆粒等。例如，研磨材料也可以含有氧化鋯顆粒和氧化鈰顆粒。其中，優(yōu)選氧化鋯顆粒在研磨材料中所占的比例高。具體而言，研磨材料中的氧化鋯顆粒的含量優(yōu)選為50質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為90質(zhì)量％以上。另外，研磨材料中的二氧化硅顆粒的含量優(yōu)選為不足10質(zhì)量％、更優(yōu)選為不足I質(zhì)量％。研磨材料中的氧化鋪顆粒的含量優(yōu)選為不足40質(zhì)量％、更優(yōu)選為不足9質(zhì)量％。
[0036]研磨用組合物中的研磨材料的含量優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上,更優(yōu)選為I質(zhì)量％以上，進ー步優(yōu)選為3質(zhì)量％以上。隨著研磨材料的含量變多，基于研磨用組合物的硬脆材料的研磨速度提高。在該方面，若研磨用組合物中的研磨材料的含量為0.1質(zhì)量％以上，進ー步而言為I質(zhì)量％以上，更進一歩而言為3質(zhì)量％以上，則變得容易使基于研磨用組合物的硬脆材料的研磨速度提高到在實用上特別適宜的水平。
[0037]研磨用組合物的pH優(yōu)選為3以上。另外，研磨用組合物的pH優(yōu)選為12以下。若研磨用組合物的PH為上述范圍內(nèi)，則變得容易使基于研磨用組合物的硬脆材料的研磨速度提高到在實用上特別適宜的水平。
[0038]研磨用組合物的pH可以通過各種酸、堿或它們的鹽來調(diào)節(jié)。具體而言，可優(yōu)選使用羧酸、有機膦酸、有機磺酸等有機酸，磷酸、亞磷酸、硫酸、硝酸、鹽酸、硼酸、碳酸等無機酸，四甲氧基氫氧化銨、三甲醇胺、單こ醇胺等有機堿、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氨等無機堿，或它們的鹽。
[0039]研磨用組合物中也可添加用于促進研磨的鈰鹽或鋯鹽。作為鈰鹽的例子，可列舉出硝酸鈰銨、硝酸鈰、氯化鈰、硫酸鈰等。作為鋯鹽的例子，可列舉出氧氯化鋯、碳酸鋯、氫氧化鋯等。其中，將鈰鹽添加到研磨用組合物中時，根據(jù)為了調(diào)節(jié)PH而使用的堿的種類，有時會引起鈰鹽的析出。若引起析出，則不能充分得到因添加鈰鹽而促進研磨的效果，因此需要注意。
[0040]為了提高分散穩(wěn)定性，也可以在研磨用組合物中添加分散劑。分散劑有時在氧化鋯顆粒的制造時的粉碎或分級的エ序中使用。作為分散劑的例子，例如可列舉出六偏磷酸鈉、焦磷酸鈉等多磷酸鹽。另外，某種水溶性高分子或它們的鹽也可以作為分散劑使用。通過添加分散劑而提高研磨用組合物的分散穩(wěn)定性，通過漿料濃度的均勻化而使研磨用組合物的供給的穩(wěn)定化成為可能。其另一方面，過量添加分散劑時，研磨用組合物中的研磨材料在儲存或運送時沉降而產(chǎn)生的沉淀容易變得牢固。因此，在使用研磨用組合物時，不容易使該沉淀分散，即，有時研磨用組合物中的研磨材料的再分散性降低。
[0041]對于作為分散劑而使用的水溶性高分子的例子，除了可列舉出聚羧酸、聚羧酸鹽、聚磺酸、聚磺酸鹽、多胺、聚酰胺、多元醇、多糖類以外，還可列舉出它們的衍生物、共聚物等。更具體而言，可列舉出聚苯こ烯磺酸鹽、聚異戊ニ烯磺酸鹽、聚丙烯酸鹽、聚馬來酸、聚衣康酸、聚醋酸こ烯酯、聚こ烯醇、聚甘油、聚こ烯基吡咯烷酮、異戊ニ烯磺酸與丙烯酸的共聚物、聚こ烯基吡咯烷酮聚丙烯酸共聚物、聚こ烯基吡咯烷酮醋酸こ烯酯共聚物、萘磺酸福爾馬林縮合物的鹽、ニ烯丙基胺鹽酸鹽ニ氧化硫共聚物、羧甲基纖維素、羧甲基纖維素的鹽、羥こ基纖維素、羥丙基纖維素、支鏈淀粉(pullulan)、殼聚糖、殼聚糖鹽類等。
[0042]研磨用組合物中的分散劑的含量優(yōu)選為0.001質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為0.005質(zhì)量％以上、進ー步優(yōu)選為0.02質(zhì)量％以上。若分散劑的含量為0.001質(zhì)量％以上，則容易得到具有良好的分散穩(wěn)定性的研磨用組合物。其另一方面，研磨用組合物中的分散劑的含量優(yōu)選為10質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為I質(zhì)量％以下，進ー步優(yōu)選為0.2質(zhì)量％以下。若分散劑的含量為10質(zhì)量％以下，則能夠?qū)崿F(xiàn)研磨用組合物的儲存穩(wěn)定性的提高而不便研磨用組合物中的研磨材料的再分散性降低。
[0043]研磨用組合物中還可以添加各種表面活性劑作為塌邊(roll-off)降低劑。塌邊降低劑起到防止因硬脆材料基板的外周部分與中央部分相比被過度研磨而引起的外周部分的平坦度變差的、被稱為塌邊的現(xiàn)象的作用。作為因塌邊降低劑的添加而硬脆材料基板的外周部分的過度研磨得到抑制的理由，推測為可適度調(diào)節(jié)硬脆材料基板與研磨墊之間的摩擦。
[0044]作為塌邊降低劑而使用的表面活性劑為陰離子系和非離子系的任意表面活性劑均可。作為優(yōu)選的非離子系表面活性劑的例子，可列舉出具有多個相同或不同種類的氧化烯單元的聚合物、使醇、烴或芳香環(huán)與該聚合物鍵合而成的化合物。更具體而言，可列舉出聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、聚氧乙烯聚氧丁烯烷基醚、聚氧乙烯聚氧丙烯聚氧丁烯烷基醚、聚氧乙烯羧酸酷、聚氧乙烯羧酸二酷、聚氧乙烯聚氧丙烯羧酸酷、聚氧こ烯聚氧丁烯羧酸酷、聚氧乙烯聚氧丙烯聚氧丁烯羧酸酷、聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物、聚氧こ烯聚氧丁烯共聚物、聚氧乙烯聚氧丙烯聚氧丁烯共聚物、聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酷和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酷、聚氧乙烯山梨糖醇酐單月桂酸酷、聚氧乙烯山梨糖醇酐單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐單硬脂酸酷、聚氧乙烯山梨糖醇酐單油酸酷、聚氧乙烯山梨糖醇酐三油酸酷、聚氧乙烯山梨糖醇酐單辛酸酷、聚氧乙烯山梨糖醇四油酸酯和下述通式(I)表示的化合物等。
【權(quán)利要求】
1.ー種研磨材料，其特征在于，其含有氧化鋯顆粒，根據(jù)利用粉末X射線衍射法測定的20為28.0°附近的衍射X射線強度和31.0°附近的衍射X射線強度算出的所述氧化鋯顆粒的微晶尺寸均為330A以上，且所述氧化鋯顆粒的平均一次粒徑為0.2i!m以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨材料，其中，所述氧化鋯顆粒的平均二次粒徑為0.2~5um。
3.ー種研磨材料，其特征在于，其含有氧化鋯顆粒，所述氧化鋯顆粒的平均二次粒徑為l.0um以下，且將所述氧化鋯顆粒的平均二次粒徑除以所述氧化鋯顆粒的平均一次粒徑得到的值為1.5以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的研磨材料，其中，所述氧化鋯顆粒的純度為98質(zhì)量％以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的研磨材料，其中，在每ImL含有I質(zhì)量％的氧化鋯顆粒的水分散液中，所述氧化鋯顆粒之中具有5 iim以上的二次粒徑的顆粒的個數(shù)為10000000個以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的研磨材料，其中，所述氧化鋯顆粒是通過干法制造的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項所述的研磨材料，其中，所述氧化鋯顆粒是以斜鋯石為原料制造的。
8.—種制造權(quán)利要求1~7中任一項所述的研磨材料的方法，其特征在于，其包括通過利用球磨機的粉碎而得到氧化鋯顆粒的エ序。
9.ー種研磨用組合物，其特征在于，其包含權(quán)利要求1~7中任一項所述的研磨材料和水，且研磨用組合物中的所述研磨材料的含量為0.1質(zhì)量％以上。
10.ー種研磨方法，其使用權(quán)利要求9所述的研磨用組合物研磨硬脆材料。
11.一種 硬脆材料基板的制造方法，其特征在于，其包括使用權(quán)利要求10所述的研磨方法研磨基板的エ序。
【文檔編號】H01L21/304GK103596727SQ201280027435
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月8日
【發(fā)明者】三輪直也, 森永均, 大矢曜三, 巖國真弓, 杉山博保, 森智雄 申請人:福吉米株式會社