專利名稱：一種多晶硅片制絨花藍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
—種多晶硅片制絨花藍裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及一種盛放多晶硅片的裝置，特別涉及一種多晶硅片制絨花藍裝置。
背景技術(shù)：
[0002]多晶硅片目前主要采用化學(xué)腐蝕(酸性腐蝕)制絨方法，使用基于HF/HN03體系的酸性腐蝕液。一般將多晶硅片放置在花籃中，浸泡在制絨液內(nèi)，花籃處于靜止?fàn)顟B(tài)。由于在不同溫度下，硅片的反應(yīng)速度相差很大，反應(yīng)溫度越高反應(yīng)速率越快，因此一般的制絨裝置存在反應(yīng)液和溫度不均勻、制絨質(zhì)量不理想的缺點，并且無法調(diào)整和改善絨面陷光性能。發(fā)明內(nèi)容[0003]為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種多晶硅片制絨花藍裝置，能夠通過對花籃旋轉(zhuǎn)速度的調(diào)整，改變硅片表面的反應(yīng)速度和氣泡停留速度，具有可以改善反應(yīng)均勻性和制絨質(zhì)量的特點。[0004]為了達到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案為一種多晶硅片制絨花藍裝置，包括花籃1，在花籃I上設(shè)有懸掛裝置2，花籃I通過懸掛裝置2浸在酸性制絨液4中，懸掛裝置2上接有電機3。[0006]由于本實用新型中的電機旋轉(zhuǎn)后可以帶動花籃進行旋轉(zhuǎn)動作，通過對旋轉(zhuǎn)速度的調(diào)整，可以改變硅片表面的反應(yīng)速度和氣泡停留速度，起到調(diào)整和改善絨面陷光性能的作用，所以具有可以改善反應(yīng)均勻性和制絨質(zhì)量的特點。


[0007]附圖為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
[0008]
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進一步詳細描述。[0009]參見附圖，一種多晶硅片制絨花藍裝置，包括花籃1，在花籃I上設(shè)有懸掛裝置2， 花籃I通過懸掛裝置2浸在酸性制絨液4中，懸掛裝置2上接有電機3。[0010]本實用新型的工作原理是[0011]使用時，將多晶硅片放置在花籃I中，將花籃I浸在酸性制絨液4中，同時開啟電機3，帶動花籃I進行旋轉(zhuǎn)動作，調(diào)整旋轉(zhuǎn)的速度，進行化學(xué)腐蝕(酸性腐蝕)制絨。
權(quán)利要求1.一種多晶硅片制絨花藍裝置，包括花籃(1)，其特征在于，在花籃(I)上設(shè)有懸掛裝置(2)，懸掛裝置(2)上接有電機(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅片制絨花藍裝置，其特征在于，花籃(I)通過懸掛裝置(2)浸在酸性制絨液(4)中。
專利摘要一種多晶硅片制絨花藍裝置，包括盛裝多晶硅片的花籃，在花籃上設(shè)有懸掛裝置，花籃通過懸掛裝置浸在酸性制絨液中，懸掛裝置上接有電機，使用時，將多晶硅片放置在花籃中，將花籃浸在酸性制絨液中，同時開啟電機，帶動花籃進行旋轉(zhuǎn)動作，調(diào)整旋轉(zhuǎn)的速度，進行化學(xué)腐蝕或酸性腐蝕制絨，本實用新型通過對電機旋轉(zhuǎn)速度的調(diào)整，可以改變硅片表面的反應(yīng)速度和氣泡停留速度，起到調(diào)整和改善絨面陷光性能的作用，可以改善反應(yīng)均勻性和制絨質(zhì)量。
文檔編號H01L21/673GK202839562SQ20122046182
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月11日
發(fā)明者袁作臻 申請人:彩虹集團公司