專利名稱：薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管，特別是涉及一種具有歐姆強(qiáng)化層的薄膜晶體管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今社會(huì)多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達(dá)，多半受惠于半導(dǎo)體元件與顯示裝置的進(jìn)步。就顯示器而言，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低功率消耗、無(wú)輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器已逐漸成為市場(chǎng)的主流。隨著薄膜晶體管液晶顯示器的產(chǎn)品(如電視機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記型計(jì)算機(jī)等等)越來(lái)越普及，這些裝置對(duì)日常生活上的影響也日益增加。然而,在響應(yīng)節(jié)能的需求下,如何在維持高畫質(zhì)、高性能的條件下,借由改變薄膜晶體管液晶顯示器內(nèi)的半導(dǎo)體元件，進(jìn)一步降低薄膜晶體管液晶顯示器的功率消耗，實(shí)為未來(lái)的趨勢(shì)。目前，為了降低功率消耗，已有技術(shù)針對(duì)薄膜晶體管的半導(dǎo)體層與源極(或漏極)的歐姆接觸阻值進(jìn)行改良。舉例而言，現(xiàn)有習(xí)知的技術(shù)借由配置歐姆接觸層于半導(dǎo)體層與源極(或漏極)的接觸表面以降低歐姆接觸阻值。然而，現(xiàn)階段針對(duì)功率消耗的改良仍有待進(jìn)步。由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的薄膜晶體管在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒(méi)有適切結(jié)構(gòu)能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的薄膜晶體管存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是在提供一種薄膜晶體管，其具有低功率消耗，非常適于實(shí)用。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的薄膜晶體管，其包括:柵極；半導(dǎo)體層，具有相對(duì)的第一端與第二端；絕緣層，配置于該柵極與該半導(dǎo)體層之間；源極，夾持該半導(dǎo)體層的該第一端；以及漏極，夾持該半導(dǎo)體層的該
A-Ap ~.上山
弟一觸。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的薄膜晶體管，其中所述的該絕緣層具有背對(duì)該柵極的第一表面，該半導(dǎo)體層具有面向該柵極的第二表面，該源極具有:第一電極部，連接至該半導(dǎo)體層的該第一端；以及第二電極部，連接至該第一電極部與該半導(dǎo)體層的該第一端，其中至少部分該第二電極部配置于該第一表面與該第二表面之間，且該漏極具有:第三電極部，連接至該半導(dǎo)體層的該第二端；以及第四電極部，連接至該第三電極部與該半導(dǎo)體層的該第二端，其中至少部分該第四電極部配置于該第一表面與該第二表面之間。前述的薄膜晶體管，其中所述的該第二電極部與該第四電極部分別位于該柵極在該第二表面上的正投影的相對(duì)兩側(cè)。前述的薄膜晶體管，其中所述的該第二電極部與該正投影不重疊，且該第四電極部與該正投影不重疊。前述的薄膜晶體管，其中所述的該半導(dǎo)體層更具有背對(duì)該柵極的第三表面，該第一電極部從該第一端沿著該第三表面往該第三電極部延伸至第一位置，該第三電極部從該第二端沿著該第三表面往該第一電極部延伸至第二位置，該第一位置在該第一表面上的第一正投影介于該第二電極部與該第二位置在該第一表面上的第二正投影之間，該第二正投影位于該第一正投影與該第四電極部之間，且該第二電極部、該第一正投影、該第二正投影與該第四電極部彼此互相分離。前述的薄膜晶體管，其中所述的該第二電極部與該第四電極部的厚度各為2納米至300納米。前述的薄膜晶體管，其中所述的該第二電極部與該第四電極部的厚度各為10納米至100納米。前述的薄膜晶體管，其中所述的該第二電極部與該第四電極部的材料為金屬、金屬氧化物或其組合。前述的薄膜晶體管，其中所述的該第二電極部與該第四電極部的材料包括鑰鉻合金、鋁鑰合金、鑰金屬、銅金屬、氧化銦錫或其組合。前述的薄膜晶體管，其中所述的該半導(dǎo)體層的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體。前述的薄膜晶體管，其中所述的該金屬氧化物半導(dǎo)體包括氧化銦鋅、氧化鋅、摻鋁氧化鋅、氧化銦鎵鋅或其組合。前述的薄膜晶體管 ，其中所述的其更包括基板，其中該柵極配置于該基板與該半導(dǎo)體層之間。前述的薄膜晶體管，其中所述的其更包括:保護(hù)層，覆蓋該源極、該半導(dǎo)體層及該漏極，其中該保護(hù)層具有貫孔，該貫孔暴露出至少部分該漏極；以及導(dǎo)電材料，填充于該貫孔中，并覆蓋部分該保護(hù)層。前述的薄膜晶體管，其中所述的其更包括基板，其中該半導(dǎo)體層配置于該基板與該柵極之間。前述的薄膜晶體管，其中所述的其更包括:保護(hù)層，覆蓋該柵極及該絕緣層，其中該保護(hù)層具有第一貫孔，該絕緣層具有第二貫孔，該第一貫孔與該第二貫孔連通并暴露出至少部分該漏極；以及導(dǎo)電材料，填充于該第一貫孔與該第二貫孔中，并覆蓋部分該保護(hù)層。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明薄膜晶體管至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果:本發(fā)明的實(shí)施例的薄膜晶體管可利用源極以及漏極分別夾持半導(dǎo)體層的二端來(lái)完成歐姆接觸，以增加歐姆接觸的面積，進(jìn)而有效地降低操作電壓以及降低功率消耗。綜上所述，本發(fā)明薄膜晶體管，此薄膜晶體管包括柵極、半導(dǎo)體層、絕緣層、源極以及漏極。半導(dǎo)體層具有相對(duì)的第一端與第二端。絕緣層配置于柵極與半導(dǎo)體層之間。源極夾持半導(dǎo)體層的第一端，且漏極夾持半導(dǎo)體層的第二端。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并具有明顯的積極效果，誠(chéng)為新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的薄膜晶體管的剖面示意圖。圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施例的薄膜晶體管的剖面示意圖。100、200:薄膜晶體管110:基板112:柵極120:半導(dǎo)體層130:絕緣層140:源極150:漏極140a:第一電極部140b:第二電極部150a:第三電極部150b:第四電極部160:保護(hù)層170:導(dǎo)電材料S1:第一表面S2:第二表面S2a、S2b、S2c:子表面S3:第三表面Xl:第一端X2:第二端W: 貫孔

Wl:第一貫孔W2:第二貫孔Pl:第一位置P2:第二位置H1、H2:厚度L1、L2:重疊長(zhǎng)度L140b、L150b:長(zhǎng)度Il:第一正投影12:第二正投影Pro:正投影
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的薄膜晶體管其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的薄膜晶體管的剖面示意圖。請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)施例的薄膜晶體管100包括柵極112、半導(dǎo)體層120、絕緣層130、源極140以及漏極150。半導(dǎo)體層120具有相對(duì)的第一端Xl與第二端X2。此外，半導(dǎo)體層120的材料例如是金屬氧化物半導(dǎo)體。具體而言，半導(dǎo)體層120的材料包括氧化銦鋅(Indium zinc oxide, IZO)、氧化鋅(Zincoxide,ZnO)、慘招氧化鋒(Aluminum doped zinc oxide,ΑΖ0)、氧化銦嫁鋒(Indiumgalliumzinc oxide, IGZ0)或其組合。絕緣層130配置于柵極112與半導(dǎo)體層120之間。此外，絕緣層130的材料例如是高介電系數(shù)的氧化硅或氮化硅等。另外，絕緣層130具有背對(duì)柵極112的第一表面SI，且半導(dǎo)體層120具有面向柵極112的第二表面S2。在本實(shí)施例中，源極140夾持半導(dǎo)體層120的第一端Xl而漏極150夾持半導(dǎo)體層120的第二端X2。此外，源極140具有第一電極部140a以及第二電極部140b。具體而言，第一電極部140a連接至半導(dǎo)體層120的第一端XI，且第二電極部140b連接至第一電極部140a與半導(dǎo)體層120的第一端XI，其中至少部分第二電極部140b配置于第一表面SI與第二表面S2之間。另外，漏極150具有第三電極部150a以及第四電極部150b。具體而言，第三電極部150a連接至半導(dǎo)體層120的第二端X2，且第四電極部150b連接至第三電極部150a與半導(dǎo)體層120的第二端X2，其中至少部分第四電極部150b配置于第一表面SI與第二表面S2之間。在本實(shí)施例中，柵極112、第一電極部140a以及第三電極部150a的材料例如是鑰(Mo)、鋁(Al)、鈦(Ti)等金屬材料或其合金或是其金屬疊層。第二電極部140b以及第四電極部150b的材料例如是金屬、金屬氧化物或其組合。具體而言，第二電極部140b以及第四電極部150b的材料包括鑰鉻合金、鋁鑰合金、鑰金屬、銅金屬、氧化銦錫或其組合。在本實(shí)施例中，第二電極部140b與第四電極部150b的材料可與第一電極部140a以及第三電極部150a相似，但本發(fā)明不以此為限。此外，第二電極部140b的厚度Hl與第四電極部150b的厚度H2例如各為2納米至300納米。在本實(shí)施例中，第二電極部140b的厚度Hl與第四電極部150b的厚度H2例如是10納米至100納米。另外，半導(dǎo)體層120的第二表面S2包括子表面S2a、子表面S2b及子表面S2c，其中子表面S2b與子表面S2c分別位于子表面S2a的相對(duì)兩端,子表面S2b位于第一端XI,且子表面S2c位于第二端X2。在本實(shí)施例中，第二電極部140b位于子表面S2b與第一表面SI之間。此外，第四電極部150b位于子表面S2c與第一表面SI之間。具體而言，半導(dǎo)體層120例如具有背對(duì)柵極112的第三表面S3,第一電極部140a從第一端Xl沿著第三表面S3往第三電極部150a延伸至第一位置P1，而第三電極部150a從第二端X2沿著第三表面S3往第一電極部140a延伸至第二位置P2。在本實(shí)施例中，第一電極部140a與半導(dǎo)體層120的重疊長(zhǎng)度LI (即Xl至Pl)例如是大于第二電極部140b的長(zhǎng)度L140b，而第三電極部150a與半導(dǎo)體層120的重疊長(zhǎng)度L2 (即X2至P2)例如是大于第四電極部150b的長(zhǎng)度L150b。此外，第一位置Pl在第一表面SI上的第一正投影Il介于第二電極部140b與第二位置P2在第一表面SI上的第二正投影12之間，而第二正投影12位于第一正投影Il與第四電極部150b之間，且第二電極部140b、第一正投影I1、第二正投影12與第四電極部150 b彼此互相分離。在此，可看出第二電極部140b、第四電極部150b、第一電極部140a以及第三電極部150a以三明治的結(jié)構(gòu)夾住半導(dǎo)體層120。值得注意的是，由于氧化物半導(dǎo)體(半導(dǎo)體層120的材料)對(duì)金屬材料(即第二電極部140b、第四電極部150b、第一電極部140a以及第三電極部150a的材料)或金屬氧化物材料(如氧化銦錫)有優(yōu)異的歐姆接觸，故本實(shí)施例可以不用配置毆姆接觸層在源極140 (或漏極150)與半導(dǎo)體層120之間。在本實(shí)施例中，薄膜晶體管100借由三明治的結(jié)構(gòu)來(lái)增加氧化物半導(dǎo)體與源極140及漏極150的接觸面積，亦即增加歐姆接觸的面積，借此增加通道寬度。換言之，此時(shí)載流子除了可傳輸于第一電極部140a與第三電極部150a之間的第三表面S3外,亦可傳輸于第二電極部140b與第四電極部150b之間的第二表面S2。據(jù)此，通道寬度得以增加，而電流因而被提升，進(jìn)而可降低薄膜晶體管100的操作電壓及薄膜晶體管100的功率消耗。另外，本實(shí)施例的薄膜晶體管100更包括基板110、保護(hù)層160以及導(dǎo)電材料170。柵極112配置于基板110與半導(dǎo)體層120之間。而保護(hù)層160覆蓋第一電極部140a、半導(dǎo)體層120及第三電極部150a，其中保護(hù)層160具有貫孔W，且貫孔W暴露出至少部分漏極150。在本實(shí)施例中，貫孔W例如是暴露出至少部分第三電極部150a。此外，導(dǎo)電材料170填充于貫孔W中，并覆蓋部分保護(hù)層160，以使導(dǎo)電材料170電性連接漏極150。值得注意的是，為降低寄生電容在現(xiàn)有習(xí)知的技術(shù)中對(duì)薄膜晶體管所造成的影響，并進(jìn)一步提高導(dǎo)電材料170的充放電速度，在本實(shí)施例中，柵極112在第二表面S2的正投影Pro不與第二電極部140b與第四電極部150b重疊。換言之，第一電極部140a及第三電極部150a在垂直于第一表面SI的方向上部分重疊于柵極112，而第二電極部140b及第四電極部150b在垂置于第一表面SI的方向上則與柵極112沒(méi)有重疊。要說(shuō)明的是，由于第二電極部140b (或第四電極部150b)的材料與第一電極部140a(或第三電極部150a)的材料可同為金屬，故在施加電壓時(shí),第二電極部140b(或第四電極部150b)可能具有與第一電極部140a(或第三電極部150a)相近的電位，故為避免因柵極112與第二電極部140b(或第四電極部150b)距離過(guò)近而導(dǎo)致寄生電容上升的問(wèn)題，可選擇性地將第二電極部140b與第四電極部150b分別配置于正投影Pro的相對(duì)兩側(cè)，以增加?xùn)艠O112與第二電極部140b(或第四電極部150b)的距離。據(jù)此，便可有效地降低寄生電容，使得導(dǎo)電材料170的充放電速度提升，進(jìn)而得到較佳的影像質(zhì)量。另外，本發(fā)明的薄膜晶體管除了上述堆疊式(staggered)薄膜晶體管100之外，亦可為共平面式(co-planner)薄膜晶體管。圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施例的薄膜晶體管的剖面示意圖。請(qǐng)參閱圖2，本實(shí)施例的薄膜晶體管200與圖1的薄膜晶體管100具有相似的膜層，且相似的膜層具有相似的材料與作用，故不再贅述。只是二者差異處在于膜層堆疊的順序。在本實(shí)施例中，源極140與漏極150配置于基板110上。半導(dǎo)體層120配置于第一電極部140a與第三電極部150a上。第二電極部140b與第四電極部150b各覆蓋部分半導(dǎo)體層120且分別連接第一電極部140a與第三電極部150a的側(cè)邊。另外，絕緣層130配置于第一電極部140a與第三電 極部150a遠(yuǎn)離基板110的一側(cè)，而柵極112介于絕緣層130與保護(hù)層160之間。此外，本實(shí)施例的薄膜晶體管200也包括保護(hù)層160與導(dǎo)電材料170。保護(hù)層160覆蓋柵極112及絕緣層130，且保護(hù)層160具有第一貫孔Wl，而絕緣層130具有第二貫孔W2。第一貫孔Wl與第二貫孔W2連通并暴露出至少部分漏極150。在本實(shí)施例中，第一貫孔Wl與第二貫孔W2例如是暴露出至少部分第四電極部150b。導(dǎo)電材料170填充于第一貫孔Wl與第二貫孔W2中，且導(dǎo)電材料170覆蓋部分保護(hù)層160，以使導(dǎo)電材料170電性連接漏極150。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電材料170借由第四電極部150b連接至半導(dǎo)體層120與第三電極部150a。綜上所述，本發(fā)明的實(shí)施例所提出的薄膜晶體管借由三明治結(jié)構(gòu)(將半導(dǎo)體層夾于第一電極部與第二電極部之間及夾于第三電極部與第四電極部之間)，增加氧化物半導(dǎo)體與源極及漏極的接觸面積，即增加歐姆接觸的面積，借此增加半導(dǎo)體的通道寬度，使電流得以在相同的元件面積下被提升，進(jìn)而降低操作電壓以及薄膜晶體管的功率消耗。此外，借由改良柵極與第二電極部以及第四電極部之間的位置，有效地降低寄生電容，進(jìn)一步提升導(dǎo)電材料的充放電速度，使得使用此薄膜晶體管的顯示器可具有較高的畫面更新頻率。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的 任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，其特征在于其包括: 柵極； 半導(dǎo)體層，具有相對(duì)的第一端與第二端； 絕緣層，配置于所述柵極與所述半導(dǎo)體層之間； 源極，夾持所述半導(dǎo)體層的所述第一端；以及 漏極，夾持所述半導(dǎo)體層的所述第二端。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于所述絕緣層具有背對(duì)所述柵極的第一表面，所述半導(dǎo)體層具有面向所述柵極的第二表面，所述源極具有: 第一電極部，連接至所述半導(dǎo)體層的所述第一端；以及 第二電極部，連接至所述第一電極部與所述半導(dǎo)體層的所述第一端，其中至少部分所述第二電極部配置于所述第一表面與所述第二表面之間，且 所述漏極具有: 第三電極部，連接至所述半導(dǎo)體層的所述第二端；以及 第四電極部，連接至所述第三電極部與所述半導(dǎo)體層的所述第二端，其中至少部分所述第四電極部配置于所述第一表面與所述第二表面之間。
3.如權(quán)利要求2所述 的薄膜晶體管，其特征在于所述第二電極部與所述第四電極部分別位于所述柵極在所述第二表面上的正投影的相對(duì)兩側(cè)。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于所述第二電極部與所述正投影不重疊，且所述第四電極部與所述正投影不重疊。
5.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于所述半導(dǎo)體層更具有背對(duì)所述柵極的第三表面，所述第一電極部從所述第一端沿著所述第三表面往所述第三電極部延伸至第一位置，所述第三電極部從所述第二端沿著所述第三表面往所述第一電極部延伸至第二位置，所述第一位置在所述第一表面上的第一正投影介于所述第二電極部與所述第二位置在所述第一表面上的第二正投影之間，所述第二正投影位于所述第一正投影與所述第四電極部之間，且所述第二電極部、所述第一正投影、所述第二正投影與所述第四電極部彼此互相分離。
6.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于所述第二電極部與所述第四電極部的厚度各為2納米至300納米。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于所述第二電極部與所述第四電極部的厚度各為10納米至100納米。
8.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于所述第二電極部與所述第四電極部的材料為金屬、金屬氧化物或其組合。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于所述第二電極部與所述第四電極部的材料包括鑰鉻合金、鋁鑰合金、鑰金屬、銅金屬、氧化銦錫或其組合。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于所述半導(dǎo)體層的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體。
11.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于所述金屬氧化物半導(dǎo)體包括氧化銦鋅、氧化鋅、摻鋁氧化鋅、氧化銦鎵鋅或其組合。
12.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于其更包括基板，其中所述柵極配置于所述基板與所述半導(dǎo)體層之間。
13.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于其更包括: 保護(hù)層，覆蓋所述源極、所述半導(dǎo)體層及所述漏極，其中所述保護(hù)層具有貫孔，所述貫孔暴露出至少部分所述漏極；以及 導(dǎo)電材料，填充于所述貫孔中，并覆蓋部分所述保護(hù)層。
14.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于其更包括基板，其中所述半導(dǎo)體層配置于所述基板與所述柵極之間。
15.如權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管，其特征在于其更包括: 保護(hù)層，覆蓋所述柵極及所述絕緣層，其中所述保護(hù)層具有第一貫孔，所述絕緣層具有第二貫孔，所述第一貫孔與所述第二貫孔連通并暴露出至少部分所述漏極；以及導(dǎo)電材料，填充于所 述第一貫孔與所述第二貫孔中，并覆蓋部分所述保護(hù)層。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種薄膜晶體管，此薄膜晶體管包括柵極、半導(dǎo)體層、絕緣層、源極以及漏極。半導(dǎo)體層具有相對(duì)的第一端與第二端。絕緣層配置于柵極與半導(dǎo)體層之間。源極夾持半導(dǎo)體層的第一端，且漏極夾持半導(dǎo)體層的第二端。
文檔編號(hào)H01L29/417GK103247691SQ20121051148
公開(kāi)日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2012年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月8日
發(fā)明者王裕霖, 葉佳俊, 蔡學(xué)宏, 辛哲宏 申請(qǐng)人:元太科技工業(yè)股份有限公司