專(zhuān)利名稱(chēng)：N型太陽(yáng)能電池及其制造工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，本發(fā)明還涉及一種N型太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)：
晶硅太陽(yáng)能電池作為太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的核心部分，已經(jīng)被大規(guī)模地應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域。晶硅太陽(yáng)能電池已經(jīng)被大規(guī)模應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域，其良好的穩(wěn)定性和成熟的工藝流程是其大規(guī)模應(yīng)用的基礎(chǔ)。其中晶體硅太陽(yáng)電池的90%是P型，如何進(jìn)一步提高效率，降低成本是國(guó)內(nèi)外技術(shù)領(lǐng)域研究的基本目標(biāo)。隨著工藝技術(shù)的發(fā)展，N型晶硅電池以其成本低效率高的優(yōu)勢(shì)，越來(lái)越受到市場(chǎng)的重視。與硼摻雜形成的P型太陽(yáng)能電池不同，N型太陽(yáng)能電池是在純凈的硅晶體中摻入V族元素(如磷、砷、銻等)，使之取代晶格中硅原子的位置所形成的N型晶硅，所以N型太陽(yáng)能電池不能采用P型太陽(yáng)能電池的鋁背場(chǎng)的結(jié)構(gòu)，而是采用磷擴(kuò)散的方式生成背場(chǎng)。傳統(tǒng)的N型太陽(yáng)能電池的背場(chǎng)是在硅片表面均勻擴(kuò)散一層磷原子形成均勻的異質(zhì)結(jié)。請(qǐng)參閱附圖1，該圖為傳統(tǒng)的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝的流程示意圖。該制造工藝包括以下步驟101)硅片清洗制絨對(duì)硅片進(jìn)行化學(xué)清洗及表面結(jié)構(gòu)化處理；102)磷、硼擴(kuò)散形成背場(chǎng)和PN結(jié)；103)化學(xué)清洗表面并激光刻邊，使上下兩面絕緣；104)雙面鍛膜平板 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積設(shè)備)雙面鍍膜；105)印刷正背面電極；106)燒結(jié)。但是，由于磷擴(kuò)散形成的背場(chǎng)中，如果摻雜較多的磷雜質(zhì)會(huì)增加電池表面復(fù)合，如果摻雜的磷雜質(zhì)太少又會(huì)增大金屬柵線(xiàn)與背場(chǎng)的接觸電阻，影響了電池的轉(zhuǎn)換效率。為了提高N型太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，人們將N型太陽(yáng)能電池的背場(chǎng)設(shè)計(jì)為選擇性背場(chǎng)。選擇性背場(chǎng)是把背場(chǎng)形成高低濃度的異質(zhì)結(jié)，使背場(chǎng)形成高摻雜深擴(kuò)散區(qū)(簡(jiǎn)稱(chēng)高摻雜區(qū))和低摻雜淺擴(kuò)散區(qū)(簡(jiǎn)稱(chēng)低摻雜區(qū))，并且將電極制作在高摻雜區(qū)，有利于減少金屬與硅的接觸電阻，能夠產(chǎn)生良好的歐姆接觸；低摻雜區(qū)設(shè)置為光照的地方，低的表面濃度可以更好地發(fā)揮表面鈍化效果，解決了摻雜過(guò)重產(chǎn)生“死層”的矛盾。這種結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池使過(guò)剩的多數(shù)載流子更容易被電極收集，大大減少了載流子的復(fù)合，降低暗電流，所以短路電流和開(kāi)路電壓都會(huì)得到增加，進(jìn)而提高了電池的光電轉(zhuǎn)換效率。目前獲得選擇性背場(chǎng)的方法是在上述步驟102)與步驟103)之間增加以下步驟在硅片的背場(chǎng)非柵線(xiàn)區(qū)印刷高濃度腐蝕漿料，然后進(jìn)行烘干和特殊水洗操作。由于在背場(chǎng)非電極區(qū)印刷高濃度腐蝕漿料能夠腐蝕掉一部分已擴(kuò)入的磷雜質(zhì)，故能形成高低濃度分布的異質(zhì)結(jié)，從而獲得選擇性背場(chǎng)。
但是上述獲得選擇性背場(chǎng)的方法中所使用的腐蝕性漿料的價(jià)格很高，會(huì)使生產(chǎn)成本增加。而且，腐蝕漿料印刷烘干后，必須采用特殊的化學(xué)清洗才能保證把背場(chǎng)殘留的漿料去除干凈，導(dǎo)致N型太陽(yáng)能電池的制造工藝復(fù)雜化。綜上所述，如何提供一種N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，以實(shí)現(xiàn)在獲得選擇性背場(chǎng)的同時(shí)，降低生產(chǎn)成本，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，以實(shí)現(xiàn)在獲得選擇性背場(chǎng)的同時(shí)，降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明還提供了一種N型太陽(yáng)能電池。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案 一種N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，包括以下步驟I)硅片清洗制絨；2)在硅片的背場(chǎng)面需要印刷柵線(xiàn)的位置處印刷磷漿，所述背場(chǎng)面為摻雜磷雜質(zhì)的面；3)磷、硼擴(kuò)散；4)化學(xué)清洗表面并激光刻邊，使上下兩面絕緣；5)雙面鍍膜；6)印刷正背面電極；7)燒結(jié)。優(yōu)選的，上述N型太陽(yáng)能電池的制造工藝中，所述步驟I)與所述步驟2)之間還包括步驟在硅片的背場(chǎng)面需要印刷柵線(xiàn)的位置處進(jìn)行激光刻槽；且所述步驟2)具體為在所述槽內(nèi)印刷磷漿。優(yōu)選的，上述N型太陽(yáng)能電池的制造工藝中，所述磷漿的印刷量為10g_30g。優(yōu)選的，上述N型太陽(yáng)能電池的制造工藝中，所述步驟3)具體為通過(guò)POCl3液態(tài)源擴(kuò)散的方法進(jìn)行磷擴(kuò)散，通過(guò)BBr3液態(tài)源擴(kuò)散的方法進(jìn)行硼擴(kuò)散。優(yōu)選的，上述N型太陽(yáng)能電池的制造工藝中，所述步驟5)具體為平板PECVD雙面鍍膜。優(yōu)選的，上述N型太陽(yáng)能電池的制造工藝中，所述步驟7)通過(guò)共燒工藝形成金屬接觸完成燒結(jié)。優(yōu)選的，上述N型太陽(yáng)能電池的制造工藝中，所述步驟7)之后還包括步驟對(duì)電池片進(jìn)行檢驗(yàn)和分級(jí)。從上述的技術(shù)方案可以看出，與背景技術(shù)中介紹的傳統(tǒng)的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝相比，本發(fā)明提供的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝在步驟3)前增加了步驟2)，即在進(jìn)行磷、硼擴(kuò)散之前，首先在硅片的背場(chǎng)面需要印刷柵線(xiàn)的位置處印刷磷漿，使得擴(kuò)散結(jié)束后的電池片上的印刷磷漿區(qū)即背場(chǎng)電極柵線(xiàn)下及其四周形成高摻雜深擴(kuò)散區(qū)，其他區(qū)域(活性區(qū))形成低摻雜淺擴(kuò)散區(qū)，硅片表面形成高低異質(zhì)結(jié)，降低了表面的電荷復(fù)合，使N型太陽(yáng)能電池獲得選擇性背場(chǎng)，提高了電池的光電轉(zhuǎn)換效率。同時(shí)，由于與腐蝕漿料相比，磷漿價(jià)格便宜,能夠降低生產(chǎn)成本。此外，由于磷是電池背場(chǎng)的重要組成，故本發(fā)明提供的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝不需要對(duì)印刷烘干后殘留的磷漿進(jìn)行清洗，工藝操作簡(jiǎn)單，適用于N型太陽(yáng)能電池的大規(guī)模生產(chǎn)。本發(fā)明還提供了一種N型太陽(yáng)能電池，其由上述任意一項(xiàng)技術(shù)方案所述的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝制成。由于上述N型太陽(yáng)能電池的制造工藝具有上述技術(shù)效果，其制成N型太陽(yáng)能電池亦具有上述效果，故本文不再贅述。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù) 這些附圖獲得其他的附圖。圖I為傳統(tǒng)的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝的流程示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例提供了一種N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)在獲得選擇性背場(chǎng)的同時(shí)，降低生產(chǎn)成本。為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請(qǐng)參考附圖2，該圖為本發(fā)明實(shí)施例提供的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝的流程示意圖。本發(fā)明實(shí)施例提供的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，包括以下步驟SI、硅片清洗制絨對(duì)硅片進(jìn)行清洗即對(duì)其表面處理，目的是清除硅片表面的油污和金屬雜質(zhì)，以及去除硅片表面的切割損壞層；制絨即在硅片表面制作絨面，形成減反射織構(gòu)，絨面具有受光面積大，反射率低的特點(diǎn)?？商岣咛?yáng)能電池的短路電流，從而提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率；S2、在硅片的背場(chǎng)面需要印刷柵線(xiàn)的位置處印刷磷漿，背場(chǎng)面為摻雜磷雜質(zhì)的面采用印刷的方式在硅片的背場(chǎng)面印刷一定量的磷漿，且磷漿的圖案與背場(chǎng)需要印刷柵線(xiàn)的圖案一致，此時(shí)印刷磷漿處的磷濃度比未印刷磷漿處的高，即硅片背場(chǎng)的磷濃度不均勻；S3、磷、硼擴(kuò)散進(jìn)行磷、硼擴(kuò)散工藝是為了形成背場(chǎng)和PN結(jié)，由于POCl3是目前磷擴(kuò)散用得較多的一種雜質(zhì)源，且POCl3液態(tài)源擴(kuò)散的方法具有生產(chǎn)效率較高，得到PN結(jié)均勻、平整和擴(kuò)散層表面良好等優(yōu)點(diǎn)，所以在本實(shí)施例中，優(yōu)選的采用通過(guò)POCl3液態(tài)源擴(kuò)散的方法進(jìn)行磷擴(kuò)散，即通一定量POCl3 (三氯氧磷)，使硅片的背場(chǎng)面擴(kuò)入一層磷，該方法通過(guò)將POCl3液態(tài)分子在N2載氣的攜帶下進(jìn)入爐管，在高溫下經(jīng)過(guò)一系列化學(xué)反應(yīng)磷原子被置換，并擴(kuò)入硅片表面；可以理解的是，還可以采用噴涂磷酸水溶液后鏈?zhǔn)綌U(kuò)散的方法或者其他的鏈?zhǔn)綌U(kuò)散的方法完成磷擴(kuò)散，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定；在本實(shí)施例中，具體采用通入BBr3 (三溴化硼)，使硅片的發(fā)射極擴(kuò)入硼原子，形成PN結(jié)，當(dāng)然還可以通過(guò)其他方法實(shí)現(xiàn)硼擴(kuò)散；S4、化學(xué)清洗表面并激光刻邊，使上下兩面絕緣；S5、雙面鍍膜由于PECVD淀積SiN (氮化硅)時(shí)，生成的SiN薄膜中含有大量的原子氫，這些氫原子可以很好地鈍化硅中的表面懸掛鍵，對(duì)硅片具有表面鈍化作用，從而提高了載流子遷移率，提高了太陽(yáng)能電池的發(fā)電效率，可用于大批量生產(chǎn)高效太陽(yáng)能電池，故，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選地采用平板PECVD雙面鍍膜；·本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，除了可以采用本實(shí)施例中的PECVD沉積減反射膜夕卜，還可以采用常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)或低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)的方法來(lái)制備減反射膜；S6、印刷正背面電極采用絲網(wǎng)印刷的方法，完成背場(chǎng)、背電極、正柵線(xiàn)電極的制作，以便引出產(chǎn)生的光生電流，給硅片表面印刷一定圖形的銀漿或銀鋁漿，通過(guò)燒結(jié)后形成歐姆接觸，使電流有效輸出；S7、燒結(jié)用于烘干硅片上的漿料、去除漿料中的有機(jī)成分，完成晶硅與柵線(xiàn)的合金化，優(yōu)選的，由于共燒工藝只需一次燒結(jié)，就可形成上下電極的歐姆接觸，是高效晶體硅太陽(yáng)能電池的一項(xiàng)重要關(guān)鍵工藝，故本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)共燒工藝形成金屬接觸完成燒結(jié)，當(dāng)然，也可以通過(guò)傳統(tǒng)的工藝進(jìn)行二次燒結(jié)以形成良好的帶有金屬電極歐姆接觸。綜上可知，與背景技術(shù)中介紹的傳統(tǒng)的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝在步驟S3前增加了步驟S2，即在進(jìn)行磷、硼擴(kuò)散之前，首先在硅片的背場(chǎng)面需要印刷柵線(xiàn)的位置處印刷磷漿，使得擴(kuò)散結(jié)束后的電池片上的印刷磷漿區(qū)即背場(chǎng)電極柵線(xiàn)下及其四周形成高摻雜深擴(kuò)散區(qū)，其他區(qū)域(活性區(qū))形成低摻雜淺擴(kuò)散區(qū)，硅片表面形成高低異質(zhì)結(jié)，降低了表面的電荷復(fù)合，使N型太陽(yáng)能電池獲得選擇性背場(chǎng)，提高了電池的光電轉(zhuǎn)換效率。同時(shí)，由于與腐蝕漿料相比，磷漿價(jià)格便宜，能夠降低生產(chǎn)成本。此外，由于磷是電池背場(chǎng)的重要組成，故本發(fā)明實(shí)施例提供的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝不需要對(duì)印刷烘干后殘留的磷漿進(jìn)行清洗，工藝操作簡(jiǎn)單，適用于N型太陽(yáng)能電池的大規(guī)模生產(chǎn)。本發(fā)明另一實(shí)施例提供的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝中，在上述實(shí)施例提供的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝的步驟SI與步驟S2之間增加了步驟S2’ 在硅片的背場(chǎng)面需要印刷柵線(xiàn)的位置處進(jìn)行激光刻槽對(duì)制絨后N型硅片進(jìn)行激光刻槽(只刻蝕背場(chǎng)面)，刻蝕的圖案與背場(chǎng)印刷柵線(xiàn)的圖案一致；且步驟S2具體為在所述槽內(nèi)印刷磷漿。將磷漿印刷在激光所刻的槽內(nèi)，能夠拉大磷擴(kuò)散后的異質(zhì)結(jié)濃度的高低差，更好地提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。具體的，上述實(shí)施例提供的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝中，磷漿的印刷量為10g-30g。根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中的測(cè)試可得，當(dāng)磷漿的印刷量為10g-30g時(shí)，擴(kuò)散后背場(chǎng)的高摻雜區(qū)方阻為15 Ω -40 Ω，低摻雜區(qū)方阻為30 Ω -55 Ω，此時(shí)，背場(chǎng)電極制作在高摻雜區(qū)上減少了金屬與硅的接觸電阻，產(chǎn)生良好的歐姆接觸，低摻雜區(qū)可使表面鈍化效果更好的發(fā)揮，解決了摻雜過(guò)重產(chǎn)生“死層”的矛盾。這種結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池使過(guò)剩的多數(shù)載流子更容易被電極收集，減少了少數(shù)載流子的復(fù)合，降低了暗電流，所以增加了短路電流和開(kāi)路電壓。磷漿的印刷量為印刷磷漿前的硅片與印刷磷漿后的硅片之間的質(zhì)量差，該印刷量與印刷絲網(wǎng)的圖案、印刷壓力以及印刷速度有關(guān)，其具體的數(shù)值不局限于10g-30g，應(yīng)根據(jù)實(shí)際的硅片種類(lèi)以及硅片效率的需求來(lái)選擇磷漿的印刷量。優(yōu)選的，上述實(shí)施例提供的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝中，步驟S7之后還包括對(duì)電池片進(jìn)行檢驗(yàn)和分級(jí)，主要通過(guò)測(cè)試N型太陽(yáng)能電池的基本特性，如開(kāi)路電壓Vre、短路電 流1%、填充因子FF和能量轉(zhuǎn)化效率η，用自動(dòng)分選機(jī)將電池按轉(zhuǎn)化率分級(jí)，并進(jìn)行包裝，便于工作人員根據(jù)不同效率的太陽(yáng)能產(chǎn)品需求選擇合適等級(jí)的電池片。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種N型太陽(yáng)能電池，其由上述任意一項(xiàng)實(shí)施例所提供的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝制成。由于本發(fā)明實(shí)施例提供的N型太陽(yáng)能電池由上述的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝制成，故N型太陽(yáng)能電池能夠?qū)崿F(xiàn)在獲得選擇性背場(chǎng)的同時(shí)，降低生產(chǎn)成本，其優(yōu)點(diǎn)是由N型太陽(yáng)能電池的制造工藝帶來(lái)的，具體的請(qǐng)參考上述實(shí)施例中相關(guān)的部分，在此就不再贅述。本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，其特征在于，包括以下步驟 1)硅片清洗制絨； 2)在硅片的背場(chǎng)面需要印刷柵線(xiàn)的位置處印刷磷漿，所述背場(chǎng)面為摻雜磷雜質(zhì)的面； 3)磷、硼擴(kuò)散； 4)化學(xué)清洗表面并激光刻邊,使上下兩面絕緣； 5)雙面鍍膜； 6)印刷正背面電極； 7)燒結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，其特征在于，所述步驟I)與所述步驟2)之間還包括步驟 在硅片的背場(chǎng)面需要印刷柵線(xiàn)的位置處進(jìn)行激光刻槽； 且所述步驟2)具體為在所述槽內(nèi)印刷磷漿。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，其特征在于，所述磷漿的印刷量為 10g-30g。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，其特征在于，所述步驟3)具體為通過(guò)POCl3液態(tài)源擴(kuò)散的方法進(jìn)行磷擴(kuò)散，通過(guò)BBr3液態(tài)源擴(kuò)散的方法進(jìn)行硼擴(kuò)散。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，其特征在于，所述步驟5)具體為平板PECVD雙面鍍膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，其特征在于，所述步驟7)通過(guò)共燒工藝形成金屬接觸完成燒結(jié)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，其特征在于，所述步驟7)之后還包括步驟 對(duì)電池片進(jìn)行檢驗(yàn)和分級(jí)。
8.—種N型太陽(yáng)能電池，其特征在于，其由如權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的N型太陽(yáng)能電池的制造工藝制成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種N型太陽(yáng)能電池的制造工藝，包括步驟1)硅片清洗制絨；2)在硅片的背場(chǎng)面需要印刷柵線(xiàn)的位置處印刷磷漿，所述背場(chǎng)面為摻雜磷雜質(zhì)的面；3)磷、硼擴(kuò)散；4)化學(xué)清洗表面并激光刻邊，使上下兩面絕緣；5)雙面鍍膜；6)印刷正背面電極；7)燒結(jié)。該制造工藝在進(jìn)行磷、硼擴(kuò)散之前，在硅片的背場(chǎng)面需要印刷柵線(xiàn)的位置處印刷磷漿，使得擴(kuò)散結(jié)束后的電池片上的印刷磷漿區(qū)形成高摻雜深擴(kuò)散區(qū)，其他區(qū)域形成低摻雜淺擴(kuò)散區(qū)，硅片表面形成高低異質(zhì)結(jié)，使N型太陽(yáng)能電池獲得選擇性背場(chǎng)，提高了電池的光電轉(zhuǎn)換效率。由于與腐蝕漿料相比，磷漿價(jià)格便宜，故能夠降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明還提供了一種N型太陽(yáng)能電池。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102800757SQ201210309888
公開(kāi)日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月28日
發(fā)明者王英超, 劉大偉, 李高非, 胡志巖, 熊景峰 申請(qǐng)人:英利集團(tuán)有限公司