專利名稱：用于連接腔室部件的附著材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例大體上關(guān)于半導(dǎo)體處理腔室，更具體地關(guān)于適合用于連接半導(dǎo)體處理腔室部件的附著材料。相關(guān)技術(shù)描述半導(dǎo)體處理涉及許多不同的化學(xué)及物理工藝，藉以使極微小的集成電路建立在襯底上。構(gòu)成集成電路的材料層藉由化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、外延生長(zhǎng)、與類似工藝而建立。一些所述材料層通過(guò)使用光刻膠掩模及濕式或干式蝕刻技術(shù)加以圖案化。用于形成集成電路的襯底可以是硅、砷化鎵、磷化銦、玻璃、或任何其他適合的材料。一般的半導(dǎo)體處理腔室可具有許多部件。一些部件包括界定工藝區(qū)塊的腔室主體、適以從氣體供應(yīng)器供應(yīng)工藝氣體進(jìn)入工藝區(qū)塊的氣體分配組件、用于在工藝區(qū)塊內(nèi)賦予工藝氣體能量的氣體賦能器(例如等離子體生成器)、襯底支撐組件、以及氣體排放器。一些部件可由多個(gè)零件的組件所構(gòu)成。例如，噴頭組件可包括導(dǎo)電基底板，所述導(dǎo)電基底板以附著式接合到陶瓷氣體分配板。有效的零件接合需要適合的附著劑以及獨(dú)特的接合技術(shù)，以確保所述零件彼此固定地附接，且同時(shí)補(bǔ)償熱膨脹上的任何不匹配且不至于不利地產(chǎn)生任何界面缺陷。因此，需要一種穩(wěn)固的附著材料用以組裝半導(dǎo)體處理腔室中的零件和/或部件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種穩(wěn)固的接合材料，所述接合材料適合用于連接半導(dǎo)體處理腔室部件。在一個(gè)實(shí)施例中，適合用于連接半導(dǎo)體腔室部件的附著材料包括具有低于300psi的楊氏模量的附著材料。在另一實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體腔室部件包括第一表面與附著材料，所述第一表面配置成鄰接第二表面，而所述附著材料耦接第一表面與第二表面，其中所述附著材料具有低于300psi的楊氏模量。在又一實(shí)施例中，一種用于接合多個(gè)半導(dǎo)體處理腔室部件的方法包括以下步驟:施加附著材料于第一部件的表面上，其中所述附著材料具有低于300psi的楊氏模量；通過(guò)與所述附著材料接觸而將第二部件耦接至所述第一部件的表面；以及熱處理耦接第一部件與第二部件的附著層。


藉由參考實(shí)施例(一些實(shí)施例于附圖中說(shuō)明)，可獲得在發(fā)明內(nèi)容中簡(jiǎn)要總結(jié)的本發(fā)明的更特定的描述，而能夠詳細(xì)地了解在具體實(shí)施方式
中記載的本發(fā)明的特征。圖1描繪使用根據(jù)本發(fā)明的接合材料的處理腔室的一個(gè)實(shí)施例的剖面視圖；圖2描繪一個(gè)實(shí)施例的剖面視圖，其中多個(gè)襯底是由根據(jù)本發(fā)明的附著材料所接合；以及圖3描繪一個(gè)實(shí)施例的分解剖面視圖，其中多個(gè)襯底是由根據(jù)本發(fā)明的附著材料的穿孔片料所接合。然而應(yīng)注意附圖僅說(shuō)明此發(fā)明的典型實(shí)施例，而不應(yīng)將所述附圖視為限制本發(fā)明的范疇，因?yàn)楸景l(fā)明可容許其他等效實(shí)施例。為了便于理解，如可能則使用相同元件符號(hào)標(biāo)注各圖共有的相同元件?？蓸?gòu)想，一個(gè)實(shí)施例的元件可有利地用于其他實(shí)施例，而無(wú)須進(jìn)一步記載。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例提供一種用于接合半導(dǎo)體處理腔室中所用的零件的穩(wěn)固附著材料、以本發(fā)明的附著材料接合的處理腔室部件、以及用于制造所述附著材料的方法。在一個(gè)實(shí)施例中，所述穩(wěn)固的接合材料是基于硅酮的材料，所述基于硅酮的材料具有某些期望的附著材料特性，以便提供良好的接合界面而用于接合氣體分配組件或半導(dǎo)體處理腔室的其他不同組件中的零件。所述附著材料具有期望的熱膨脹系數(shù)、熱應(yīng)力、伸長(zhǎng)率、及熱導(dǎo)率的范圍，以便提供多個(gè)接合部件之間的穩(wěn)固接合，所述接合部件是用在嚴(yán)峻的等離子體蝕刻環(huán)境與類似環(huán)境中。圖1是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體處理腔室100的一個(gè)實(shí)施例的剖面視圖，所述腔室100具有至少一個(gè)利用接合材料的部件。適合的處理腔室100的一個(gè)范例是CENTURA14ENABLER Etch System，所述腔室可購(gòu)自美國(guó)加州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司。可構(gòu)想，其他處理腔室可適于受益于在此揭示的一個(gè)或多個(gè)本發(fā)明技術(shù)。處理腔室100包括包圍內(nèi)部空間106的腔室主體102與蓋104。腔室主體102 —般是由鋁、不銹鋼、或其他適合的材料所制造。腔室主體102大體上包括側(cè)壁108與底部110。襯底進(jìn)入孔(未圖示)大體上被界定在側(cè)壁108中，并且選擇性地由狹縫閥密封，以助于使襯底144進(jìn)出處理腔室100。外襯墊116可定位成抵靠在腔室主體102的側(cè)壁108上。外襯墊116可由抗等離子體或抗含鹵素氣體的材料所制造，和/或被所述材料涂布。在一個(gè)實(shí)施例中，外襯墊116是由氧化鋁制造。在另一實(shí)施例中，外襯墊116是由釔、釔合金、或前述材料的氧化物制造，或者是被釔、釔合金、或前述材料的氧化物涂布。在又一實(shí)施例中，外襯墊116是由塊體(bulk) Y2O3制造。排氣口 126被界定在腔室主體102中并且將內(nèi)部空間106耦接至泵系統(tǒng)128。泵系統(tǒng)128大體上包括一個(gè)或多個(gè)泵以及節(jié)流閥，用以抽空及調(diào)節(jié)處理腔室100的內(nèi)部空間106的壓力。在一個(gè)實(shí)施例中，泵系統(tǒng)128將內(nèi)部空間106內(nèi)的壓力維持在一般介于約IOmTorr至約20Torr的操作壓力下。蓋104以密封式被支撐在腔室主體102的側(cè)壁108上。蓋104可被開(kāi)啟以容許進(jìn)出處理腔室100的內(nèi)部空間106。蓋104可視情況包括窗142，所述窗142便于光工藝監(jiān)視。在一個(gè)實(shí)施例中，窗142是由石英或?qū)鈱W(xué)監(jiān)控系統(tǒng)140所用的信號(hào)具透射性的其他適合材料所構(gòu)成。一個(gè)適以受益于本發(fā)明的光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)是EyeD 全光譜干涉測(cè)量模塊，所述模塊可購(gòu)自美國(guó)加州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司。氣體顯示板158耦接處理腔室100以提供工藝和/或清潔氣體至內(nèi)部空間106。處理氣體的范例可包括含鹵素氣體，尤其是諸如C2F6、SF6, SiCl4, HBr、NF3> CF4, Cl2, CHF3> CF4,與SiF4，處理氣體的范例還可包括其他氣體，諸如O2或隊(duì)0。載氣的范例包括N2、He、Ar、其他對(duì)工藝呈現(xiàn)惰性的氣體與非反應(yīng)性氣體。在圖1中所描繪的實(shí)施例中，進(jìn)入通口 132’、132’’(一并稱為通口 132)設(shè)置在蓋104內(nèi)以容許氣體得以從氣體顯示板158被遞送通過(guò)氣體分配組件130至處理腔室100的內(nèi)部空間106。氣體分配組件130耦接蓋104的內(nèi)表面114。氣體分配組件130包括氣體分配板194，所述氣體分配板194耦接導(dǎo)電基底板196。導(dǎo)電基底板196可充當(dāng)RF電極。一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電基底板196可由鋁、不銹鋼、或其他適合的材料制成。氣體分配板194可由陶瓷材料(諸如碳化硅、塊體釔、或前述材料的氧化物)制造，以提供對(duì)含鹵素化學(xué)物質(zhì)的抵抗力?；蛘?，氣體分配板194可被釔或釔的氧化物涂布，以延長(zhǎng)氣體分配組件130的壽命。導(dǎo)電基底板196藉由根據(jù)本發(fā)明的附著材料122接合氣體分配板194?？蓪⒏街牧?22施加到導(dǎo)電基底板196的下表面或氣體分配板194的上表面，以將氣體分配板194以機(jī)械方式接合至導(dǎo)電基底板196。在一個(gè)實(shí)施例中，附著材料122是基于硅酮的材料，所述基于硅酮的材料具有某些期望的特性而提供氣體分配板194與導(dǎo)電基底板196之間的穩(wěn)固的接合界面。附著材料122提供足以固定地將導(dǎo)電基底板196與氣體分配板194連接的接合能量。接合材料122另外提供充足的熱導(dǎo)率，所述熱導(dǎo)率足以提供氣體分配板194與導(dǎo)電基底板196之間良好的熱傳，所述良好的熱傳具有足夠的順應(yīng)性，以防止等離子體處理期間加熱氣體分配板194與導(dǎo)電基底板196時(shí)所述二部件之間因熱膨脹不匹配而造成的分層現(xiàn)象?？蓸?gòu)想，附著材料122也可用于接合組裝氣體分配組件130所用的其他零件和/或部件。在一個(gè)實(shí)施例中，附著材料122層包括多個(gè)附著環(huán)和/或多個(gè)附著珠或溝道，需要這些附著環(huán)和/或附著珠或溝道來(lái)分隔通過(guò)氣體分配板194的氣體遞送獨(dú)立區(qū)塊。在一個(gè)實(shí)施例中，附著材料122可以是導(dǎo)熱的糊狀物、粘膠(glue)、凝膠(gel)、或墊片，所述材料具有期望中所選的特性，以增進(jìn)接合部件之間的接合能量，此狀況將在下文中參考圖2—并進(jìn)一步描述?？砂凑崭街h(huán)、附著珠、或前述形式的組合的形式將附著材料施加到界面。氣體分配板194可以是平坦的碟狀物，所述碟狀物具有多個(gè)通孔134，所述通孔134形成在氣體分配板194面朝襯底144的下表面中。氣體分配板194的通孔134對(duì)準(zhǔn)穿過(guò)導(dǎo)電基底板196而形成的相對(duì)應(yīng)的通孔154，以使得氣體從進(jìn)入通口 132(圖示為132’、132’’)通過(guò)一個(gè)或多個(gè)充氣部(圖示為127、129)，流進(jìn)處理腔室100的內(nèi)部空間106而呈現(xiàn)橫跨襯底144 (所述襯底144正于腔室100中受處理)的表面上的預(yù)定分布方式。氣體分配組件130可包括分割器(divider) 125，所述分割器125配置在蓋104與導(dǎo)電基底板196之間而界定內(nèi)充氣增壓部127與外充氣增壓部129。形成于氣體分配組件130中的內(nèi)充氣增壓部127與外充氣增壓部129可助于防止氣體顯示板提供的氣體在通過(guò)氣體分配板194之前混合。當(dāng)使用分割器125時(shí)，相對(duì)應(yīng)的附著層122配置在氣體分配板194與導(dǎo)電基底板196之間，以將由各進(jìn)入通口 132’、132’’所提供的氣體在通過(guò)氣體分配板194且進(jìn)入內(nèi)部空間106之前進(jìn)行隔離。再者，氣體分配組件130可進(jìn)一步包括透射性區(qū)域或通道138，所述區(qū)域或通道適合用于使光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)140得以觀看內(nèi)部空間106和/或定位在襯底支撐組件148上的襯底144。通道138包括窗142，以防止氣體從通道138泄漏。襯底支撐組件148配置在處理腔室100的內(nèi)部空間106中而位于氣體分配組件130下方。襯底支撐組件148在處理期間固持襯底144。襯底支撐組件148大體上包括多個(gè)起模頂桿(未圖示)，所述起模頂桿設(shè)置成穿過(guò)所述襯底支撐組件148，并且配置成從襯底支撐組件148舉升襯底144以及便于用常規(guī)的方式與機(jī)械臂(未圖示)交換襯底144。內(nèi)襯墊118可被涂布在襯底支撐組件148的周邊上。內(nèi)襯墊118可以是抗含鹵素氣體的材料，所述材料基本上類似于外襯墊116所用的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，內(nèi)襯墊118可由與外襯墊116相同的材料所制造。內(nèi)襯墊118可包括內(nèi)導(dǎo)管120，傳熱流體是從流體源124通過(guò)所述內(nèi)導(dǎo)管120提供以調(diào)節(jié)內(nèi)襯墊118的溫度。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底支撐組件148包括安裝板162、基底164、與靜電夾盤(pán)166。安裝板162耦接腔室主體102的底部110，所述安裝板162包括多個(gè)通道，所述通道用于將多個(gè)設(shè)施(尤其是諸如流體線路、電力線路、與傳感器導(dǎo)線)布線到基底164與夾盤(pán)166。基底164或夾盤(pán)166中的至少一個(gè)可包括至少一個(gè)任選的嵌入的加熱器176、至少一個(gè)任選的嵌入的隔離器174、以及多個(gè)導(dǎo)管168、170，以控制支撐組件148的側(cè)向溫度分布。導(dǎo)管168、170流體連通地耦接流體源172，溫度調(diào)節(jié)流體通過(guò)所述流體源172循環(huán)。加熱器176由電源178所調(diào)節(jié)。導(dǎo)管168、170與加熱器176用于控制基底164的溫度，由此加熱和/或冷卻靜電夾盤(pán)166。可通過(guò)使用多個(gè)溫度傳感器190、192來(lái)監(jiān)視靜電夾盤(pán)166與基底164的溫度。靜電夾盤(pán)166可進(jìn)一步包含多個(gè)氣體通道(未圖示)，所述氣體通道諸如為溝槽，形成于夾盤(pán)166的襯底支撐表面中并且流體連通地耦接傳熱(或背側(cè))氣體源，所述氣體源諸如為氦氣。在工作時(shí)，在受控的壓力下提供背側(cè)氣體進(jìn)入氣體通道以增強(qiáng)靜電夾盤(pán)166與襯底144之間的傳熱。靜電夾盤(pán)166包含至少一個(gè)夾箝電極180，所述電極180是通過(guò)使用夾持電源182而受到控制。電極180 (或其他設(shè)置在夾盤(pán)166或基底164中的電極)可進(jìn)一步通過(guò)匹配電路188耦接一個(gè)或多個(gè)RF電源184、186，用于將從工藝氣體和/或其他氣體形成的等離子體維持在處理腔室100內(nèi)。RF電源184、186大體上能夠產(chǎn)生具有頻率從約50kHz至約3GHz以及高達(dá)約10000瓦的功率的RF信號(hào)。基底164藉由接合材料136固定至靜電夾盤(pán)166，所述接合材料136可實(shí)質(zhì)上與在氣體分配組件130中用以接合氣體分配板194與導(dǎo)電基底196的接合材料122類似或相同。如上文所述，接合材料136便于靜電夾盤(pán)166與基底164之間的熱能交換，并且補(bǔ)償靜電夾盤(pán)166與基底164之間的熱膨脹不匹配。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，接合材料136將靜電夾盤(pán)166機(jī)械式地接合至基底164?？蓸?gòu)想，接合材料136也可用于接合組裝襯底支撐組件148所用的其他零件和/或部件，諸如將基底164接合至安裝板162。圖2描繪用于將第一表面204接合至第二表面206的附著材料122 (或材料136)的一個(gè)實(shí)施例的剖面視圖。表面204、206可界定在氣體分配組件130中形成的氣體分配板194與導(dǎo)電基底板196上、襯底支撐組件148中所用的其他部件上、或其他如所需的腔室部件上。在一個(gè)實(shí)施例中，附著材料122可以是用于在氣體分配組件130中將氣體分配板194接合至導(dǎo)電基底板196的附著材料122，如圖1中所示。附著材料122可以是凝膠、粘膠、墊片、或糊狀物形式。適合的附著材料的一些實(shí)例包括基于丙烯酸與硅酮的化合物，但不限于此。在另一實(shí)施例中，適合的范例可包括丙烯酸塑膠、氨基甲酸乙酯、聚酯、聚己內(nèi)酯(polycaprolactone(PCL))、聚甲基丙烯酸酯(polymethylmethacrylate (PMMA) )、PEVA> PBMA> PHEMA> PEVAc> PVAc、聚乙烯批咯燒酮(poly (N-vinylpyrrolidone))、乙烯-乙烯醇共聚物(poly (ethylene-vinyl alcohol))、樹(shù)脂、聚氨基甲酸酯(polyurethane )、塑膠或其他聚合物附著材料。
在一個(gè)實(shí)施例中，附著材料122經(jīng)選擇而具有低楊氏模量，例如低于300psi。具有低楊氏模量的附著材料比較具有順應(yīng)性并且能夠在等離子體工藝期間適應(yīng)接合界面的表面變化。在等離子體處理期間，界面處的表面可能由于等離子體反應(yīng)生成的熱能而膨脹。因此，設(shè)置在界面處的附著材料122具足夠的順應(yīng)性，以適應(yīng)當(dāng)兩表面204、206由兩種不同的材料構(gòu)成時(shí)(例如，陶瓷的氣體分配板194與金屬的導(dǎo)電基底板196)界面處的熱膨脹不匹配。因此，具有低楊氏模量的附著材料122在等離子體工藝期間提供低熱應(yīng)力，因而提供期望程度的順應(yīng)性以適應(yīng)界面處的熱膨脹不匹配。在一個(gè)實(shí)施例中，附著材料經(jīng)選擇而具有低于2MPa的熱應(yīng)力。再者，附著材料122經(jīng)選擇而具有高伸長(zhǎng)率(例如超過(guò)約150%)且具有高熱導(dǎo)率，例如介于0.lW/mK至約5.0W/mK之間。附著材料122的伸長(zhǎng)率可藉由拉張測(cè)試而受到測(cè)量。附著材料122的高熱導(dǎo)率可助于在陶瓷氣體分配板194與金屬的導(dǎo)電基底板196之間傳輸熱能，以便橫跨氣體分配組件130維持均勻的傳熱。另外，附著材料122的高熱導(dǎo)率也助于將熱能傳輸?shù)教幚砬皇?00的內(nèi)部空間106，以在內(nèi)部空間106中提供均勻的熱梯度，以便助于處理期間等離子體均勻分布。在一個(gè)實(shí)施例中，附著材料122具有一厚度，所述厚度經(jīng)選擇而足以使第一表面204及第二表面206得以固定地接合，且具有足夠的順應(yīng)性。一個(gè)實(shí)施例中，附著材料122的厚度被選在介于約100 μ m與約500 μ m之間。接合部件之間的最終間隙可控制在約25 μ m至約500 μ m之間?？梢允┘痈街牧?22成為片料(sheet)，所述片料具有低于50 μ m的表面平坦度，以確保兩表面204、206之間有精密公差(close tolerance)以及良好的平行。在一個(gè)實(shí)施例中，如前文參考圖1所討論，附著材料122可視需要作為穿孔的片料材料、具不同尺寸的圓形環(huán)、同心環(huán)、或網(wǎng)孔的形式。第一表面204與第二表面206由附著材料122接合后，可執(zhí)行熱工藝(諸如烘烤、退火、熱浸、或其他適合的熱工藝)以輔助第一表面204與第二表面206之間的附著材料122的接合。在通過(guò)附著層接合后，第一表面204與第二表面206之間的界面基本上是平坦的，并且具有低于100 μ m的表面均勻度分布。圖3描繪氣體分配組件130的一個(gè)實(shí)施例的分解視圖，所述氣體分配組件130具有穿孔片料300的形式的附著材料122。穿孔片料300可具有如前文所述的附著材料122的尺寸及物理特性。穿孔片料300可具有碟形，且可具有與氣體分配板194基本相同的直徑。穿孔片料300包括多個(gè)預(yù)先形成的通孔302，所述通孔302被定位成對(duì)準(zhǔn)通孔134、154?？蓪⒍鄠€(gè)通孔302排列成矩形圖案,例如尤其是柵格(grid)狀、圓形陣列(polar array)、或輻射狀圖案。通孔134、154、302的直徑實(shí)質(zhì)上相等，或者通孔302的直徑稍微大于通孔134、154的直徑，使得通過(guò)氣體分配組件130的流動(dòng)具有極小的限制。此外，當(dāng)通孔134、154、302為直徑極少差異或沒(méi)有差異的同心圓時(shí)，粒子或其他潛在的污染物堆積在通孔134、154、302的界面處的可能性極小，此堆積的情況在穿過(guò)附著層的通孔的幾何形狀是橢圓形或其他非圓形的形狀時(shí)較可能發(fā)生，所述非圓形的形狀在附著層并非為穿孔的非片料形式時(shí)是常見(jiàn)的。前述內(nèi)容涉及本發(fā)明的實(shí)施例，可在不背離本發(fā)明的基本范疇的情況下設(shè)計(jì)本發(fā)明其他與進(jìn)一步的實(shí)施例，本發(fā)明的范疇由所附權(quán)利要求書(shū)決定。
權(quán)利要求
1.一種適合用于連接多個(gè)半導(dǎo)體腔室部件的附著材料，包括: 附著材料，所述附著材料具有低于300pSi的楊氏模量。
2.如權(quán)利要求1所述的材料，其中所述附著材料是基于硅酮的化合物。
3.如權(quán)利要求1所述的材料，其中所述附著材料是片料的形式。
4.如權(quán)利要求1所述的材料，其中所述附著材料具有低于2MPa的熱應(yīng)力。
5.如權(quán)利要求1所述的材料，其中所述附著材料具有介于約0.1ff/mK至約5W/mK之間的熱導(dǎo)率。
6.如權(quán)利要求1所述的材料，其中所述附著材料的厚度在約100μ m至約500 μ m之間。
7.如權(quán)利要求1所述的材料，其中所述附著材料是預(yù)先形成的環(huán)。
8.如權(quán)利要求1所述的材料，其中所述附著材料具有大于150%的伸長(zhǎng)率。
9.一種半導(dǎo)體腔室部件，包括: 第一表面，所述第一表面配置成鄰接第二表面；以及 附著材料，所述附著材料將所述第一表面耦接至所述第二表面，其中所述附著材料具有低于300psi的楊氏模量。
10.如權(quán)利要求9所述的腔室部件，其中所述附著材料是基于硅的化合物。
11.如權(quán)利要求9所述的腔室部件，其中所述第一表面是陶瓷，且所述第二表面是金屬。
12.如權(quán)利要求9所述的腔室部件，其中所述第一表面是陶瓷氣體分配板，且所述第二表面是金屬導(dǎo)電基底板，且所述附著材料經(jīng)排列以界定所述第一表面及所述第二表面之間的多個(gè)氣體通道。
13.如權(quán)利要求9所述的材料，其中所述附著材料具有低于2MPa的熱應(yīng)力。
14.如權(quán)利要求9所述的材料，其中所述附著材料具有介于約0.lW/mK至約5W/mK之間的熱導(dǎo)率以及介于約100 μ m至約500 μ m之間的厚度。
15.如權(quán)利要求9所述的材料，其中所述附著材料具有大于150%的伸長(zhǎng)率。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種穩(wěn)固的接合材料，所述接合材料適合用于連接半導(dǎo)體處理腔室部件。其他實(shí)施例提供使用具有期望特性的附著材料所連接的半導(dǎo)體處理腔室部件。在一個(gè)實(shí)施例中，適合用于連接半導(dǎo)體腔室部件的附著材料包括具有低于300psi的楊氏模量的附著材料。另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體腔室部件包括第一表面與附著材料，所述第一表面配置成鄰接第二表面，而所述附著材料耦接第一表面與第二表面，其中所述附著材料具有低于300psi的楊氏模量。
文檔編號(hào)H01L21/02GK103201823SQ201180054325
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2011年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月15日
發(fā)明者J·Y·孫, S·班達(dá) 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司