專利名稱：壓接式可控硅芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種壓接式可控硅芯片結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在生產(chǎn)可控硅的過程中，由于可控硅芯片薄、脆、易碎易變形，因此通常采用燒結(jié)工藝將可控硅芯片的陽極面與鉬片通過鋁箔燒結(jié)到一起，并將可控硅芯片的陰極面粘接墊片，這樣在裝入管殼后，可控硅芯片不會(huì)由于壓力而變形或者碎掉。但是燒結(jié)工藝會(huì)降低成品合格率。在生產(chǎn)高壓降可控硅時(shí)，為了提高可控硅芯片的峰值電壓采用增大負(fù)角結(jié)構(gòu)，這樣大大減小了陰極面面積，導(dǎo)致通態(tài)壓降Vtm高，導(dǎo)通損耗大。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種可控硅芯片的峰值電壓高，導(dǎo)通損耗小，成品合格率高的壓接式可控硅芯片結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型涉及的壓接式可控硅芯片結(jié)構(gòu)，包括可控硅芯片、位于可控硅芯片陰極面的墊片、位于可控硅芯片陽極面的下鉬片，其特殊之處是在可控硅芯片邊緣設(shè)有硅膠套，在墊片上放置有上鉬片，所述的上鉬片、墊片與可控硅芯片陰極面壓接在一起，所述的下鉬片與可控硅陽極面壓接在一起，且墊片、上鉬片和下鉬片位于硅膠套內(nèi)，所述的可控硅芯片邊緣的形狀為雙正角，在角內(nèi)填涂硅橡膠。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是將上鉬片、下鉬片和可控硅芯片壓接在一起，可將先施加到上、下鉬片上的壓力均勻的分給可控硅芯片，可控硅芯片不易損壞，提高了成品的合格率； 由于可控硅芯片邊緣形狀為雙正角，可增大可控硅芯片的峰值電壓，同時(shí)陰極面面積不會(huì)減少，不增加通態(tài)壓降VTM，導(dǎo)通損耗小。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中1-上鉬片，2-可控硅芯片，3-下鉬片，301-凹槽，4-墊片，5-硅膠套，6-硅橡膠，7-固定銷。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本實(shí)用新型有一個(gè)可控硅芯片2，可控硅芯片2邊緣的形狀為雙正角， 在角內(nèi)填涂硅橡膠6。在可控硅芯片2的邊緣涂覆電子硅膠塑成環(huán)形的硅膠套5。在可控硅芯片2的陰極面放置墊片4，所述的墊片4的引腳通過硅橡膠粘接在可控硅芯片2的陰極面；在墊片4上放置用來引出陰極的上鉬片1，所述的上鉬片1、墊片4和可控硅芯片2陰極面壓接在一起。在上鉬片1的中心設(shè)有引線孔，管殼蓋中的門極引線經(jīng)過引線孔連接到可控硅芯片2的中央門極。在可控硅芯片2的陽極面壓接用來引出陽極的下鉬片3，所述的上鉬片1、墊片4和下鉬片3位于硅膠套5內(nèi)，在下鉬片3底面設(shè)有凹槽301，在凹槽301內(nèi)插裝有固定銷7，固定銷7另一端插裝在管殼底的凹槽處，以將可控硅芯片2固定住。
權(quán)利要求1. 一種壓接式可控硅芯片結(jié)構(gòu)，包括可控硅芯片、位于可控硅芯片陰極面的墊片、位于可控硅芯片陽極面的下鉬片，其特征是在可控硅芯片邊緣設(shè)有硅膠套，在墊片上放置有上鉬片，所述的上鉬片、墊片與可控硅芯片陰極面壓接在一起，所述的下鉬片與可控硅陽極面壓接在一起，且所述的墊片、上鉬片和下鉬片位于硅膠套內(nèi)，所述的可控硅芯片邊緣的形狀為雙正角，在角內(nèi)填涂硅橡膠。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種壓接式可控硅芯片結(jié)構(gòu)，包括可控硅芯片、位于可控硅芯片陰極面的墊片、位于可控硅芯片陽極面的下鉬片，其特殊之處是可控硅芯片邊緣設(shè)有硅膠套，在墊片上放置有上鉬片，所述的上鉬片、墊片與可控硅芯片陰極面壓接在一起，下鉬片與可控硅陽極面壓接在一起，且墊片、上鉬片和下鉬片位于硅膠套內(nèi)，所述的可控硅芯片邊緣的形狀為雙正角，在角內(nèi)填涂硅橡膠。優(yōu)點(diǎn)是將上鉬片、下鉬片和可控硅芯片壓接在一起，可將先施加到上、下鉬片上的壓力均勻分給可控硅芯片，可控硅芯片不易損壞，提高了成品的合格率；由于可控硅芯片邊緣形狀為雙正角，可增大可控硅芯片的峰值電壓，同時(shí)陰極面面積不會(huì)減少，不增加通態(tài)壓降VTM，導(dǎo)通損耗小。
文檔編號(hào)H01L29/74GK202025761SQ20112013732
公開日2011年11月2日 申請(qǐng)日期2011年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月4日
發(fā)明者康春華, 王文學(xué), 鄭錦春 申請(qǐng)人:錦州市錦利電器有限公司