專利名稱：用于處理襯底表面的葉片模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于處理襯底表面的葉片模塊，且更具體來說涉及用于處理襯底的表面的葉片模塊，其能夠提供蝕刻流體(etching fluid)以及流體切割空氣(fluid-cuttingair) ο
背景技術(shù)：
在用于形成有機發(fā)光顯示裝置或液晶顯示裝置的襯底上形成包含多個薄膜晶體管(TFT)的驅(qū)動裝置。為形成所述驅(qū)動裝置，會在襯底上形成硅膜(如多晶硅膜)。然而，氧化硅膜會自然地形成于多晶硅膜的表面上。形成于多晶硅膜表面上的所述氧化硅膜會影響由多晶硅膜形成的電子裝置的特性，且可能在制造過程中成為污染源(如顆粒)。因此，有必要移除氧化硅膜。此外，通過經(jīng)由結(jié)晶工藝(如ELA)使非晶硅膜結(jié)晶而形成多晶硅膜。這里，由于多晶硅膜具有較高的表面粗糙度，因此有必要提高多晶硅膜的表面均勻度。由于上述原因，有必要對上面形成有硅膜的襯底的表面進行處理。這里，由于表面處理設(shè)備必須具有提供表面處理流體的各種類型的噴嘴，因此表面處理設(shè)備的配置變得復雜。韓國專利早期公開公報第2007-0097715號揭示用于經(jīng)由噴淋噴嘴(showernozzle)和噴灑噴嘴(spray nozzle)噴射清洗流體，以及通過使用氣壓在高壓下經(jīng)由噴灑噴嘴噴射相同清洗流體，以提高清洗襯底的效率的技術(shù)特征。然而，用于增加清洗流體噴灑時的壓力以提高清洗效率的技術(shù)特征并不適用于表面處理設(shè)備的緊湊配置以及對清洗速度的精確控制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供用于處理襯底表面的葉片模塊，所述葉片模塊能夠有效移除形成于襯底表面(具體來說，硅膜表面)上的氧化硅膜，從而提高襯底表面的均勻度，以及實現(xiàn)對清洗率(cleaning ratio)的精確控制。本發(fā)明還提供用于處理襯底表面的葉片模塊，所述葉片模塊實現(xiàn)對緊湊簡潔設(shè)備的配置。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種葉片模塊，其用于處理襯底表面，所述葉片模塊包含流體提供模塊，所述流體提供模塊在長度方向上朝襯底提供選自由蝕刻流體和水組成的群組中的至少一者；噴氣模塊，其中噴氣噴嘴布置在長度方向上，并朝襯底噴射流體切割空氣；以及框架，其固定流體提供模塊的兩個相對端以及噴氣模塊的兩個相對端，以將流體提供模塊和噴氣模塊裝配在一起。流體提供模塊可包含多個流體供給孔，其形成于長度方向上；以及流體提供噴嘴，其朝襯底形成，其中可在流體供給孔與流體提供噴嘴之間形成多級通道。葉片模塊可進一步包含多個第一供給管，其分別附接到流體供給孔；以及第二供
給管，其使第一供給管互連。流體提供模塊可包含儲存單元，其中可儲存蝕刻流體或水，且蝕刻流體或水在所述儲存單元上方流動；以及引導單元，其可連接到儲存單元，以在朝襯底的方向上引導儲存單元上方滿而溢出的蝕刻流體或水。流體提供模塊進一步可包含通過部分打開儲存單元的頂部表面而形成的以傳輸 蝕刻流體或水的傳輸縫。流體提供模塊可進一步包含多個引導槽，其形成于儲存單元的頂部表面上，連接到傳輸縫，且在儲存單元的橫向方向上向外延伸。儲存單元可包含下部儲存單元，其包含用于蝕刻流體或水的入口，并連接到引導單元；上部儲存單元，其與下部儲存單元連通，且包含形成于上部儲存單元的頂部表面上的傳輸縫；以及狹窄通道，其插入下部儲存單元與上部儲存單元之間，使下部儲存單元與上部儲存單元互連，以允許下部儲存單元和上部儲存單元相互連通，且形成為比下部儲存單元和上部儲存單元窄。儲存單元可形成為具有矩形橫截面，且儲存單元進一步可包含開口，所述開口形成為完全打開儲存單元的頂部表面。流體提供單元可進一步包含緩沖分區(qū)，所述緩沖分區(qū)在水平方向上布置于儲存單元內(nèi)部。緩沖分區(qū)可進一步包含多個緩沖傳輸孔。儲存單元可連接到流體供給管，且緩沖分區(qū)可布置在連接流體供給管處的上方。引導單元可形成為錐形。噴氣模塊可以傾斜位置安裝在框架，并在傾斜方向上朝襯底噴射流體切割空氣?？蚣芸砂粚Φ谝豢蚣?，其分別附接到噴氣模塊的兩個相對端，并包含角度調(diào)節(jié)縫；以及一對第二框架，所述對第一框架分別附接到所述對第二框架。第二框架可包含附接部分，第一框架附接到所述連接部分；以及支撐部分，其與附接部分分離，其中所述支撐部分可附接到使所述對第二框架互連的支撐框架。流體提供模塊可包含第一流體提供模塊，其朝襯底提供蝕刻流體；以及第二流體提供模塊，其朝襯底提供水?？蚣芸砂谌蚣埽涫沟谝涣黧w提供模塊與第二流體提供模塊互連。葉片模塊可進一步包含多個第三供給管，其在噴氣模塊的長度方向上附接到噴氣模塊；以及第四供給管，其使所述多個第三供給管互連。


通過參考附圖詳細描述本發(fā)明的示范性實施例，本發(fā)明的以上及其它特征和優(yōu)勢將變得更加明顯，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的襯底表面處理設(shè)備的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的包含葉片模塊的襯底表面處理設(shè)備的示意圖；圖3是葉片模塊的更詳細的局部透視圖；圖4是展示圖I的第一框架與第二框架的組合的正視圖；圖5展不圖I的第一噴氣模塊的橫截面；圖6展示圖I的第一流體提供模塊的橫截面；圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的葉片模塊的局部透視圖；圖8是圖7的第一流體提供模塊的截面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖8的第一流體提供模塊的傳輸縫和引導槽的平面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖8的第一流體提供模塊的傳輸縫和引導槽的平面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的第一流體提供模塊的截面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的第一流體提供模塊的截面圖；以及圖13是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的第一流體提供模塊的截面圖。
具體實施例方式在下文中，將通過參考附圖闡釋本發(fā)明的優(yōu)選實施例來詳細描述本發(fā)明。圖I是根據(jù)本發(fā)明實施例的襯底表面處理設(shè)備的示意圖。參看圖1，根據(jù)本實施例的襯底表面處理設(shè)備包含室20和安裝在室20內(nèi)的葉片模塊30。在室20內(nèi)部，多個滾筒21布置在水平方向上。滾筒21連接到單獨的驅(qū)動源，使得在所述驅(qū)動源上供應(yīng)的襯底10可在水平方向上傳送。用于支撐襯底10的支撐底座22布置在滾筒21下方。支撐底座22包含多個支撐銷222，所述支撐銷222布置在滾筒21之間。當驅(qū)動桿221在垂直方向上移動時，支撐銷222布置在驅(qū)動桿221上，以在滾筒21之間傳遞，推動襯底10向上并支撐襯底10。彈性部件223布置在支撐銷222的前端部分處，以防止支撐銷222使襯底10報廢，且防止襯底10滑動。驅(qū)動桿221連接到單獨的驅(qū)動裝置(未圖示)，且經(jīng)布置以在垂直方向上移動。然而，在本發(fā)明中，支撐底座22并不限于圖I中所示的實施例，且可應(yīng)用各種類型的結(jié)構(gòu)中的任一者，只要支撐底座22能夠使襯底10固定和/或?qū)始纯?。支撐底?2可與地面平行布置。然而，本發(fā)明并不限于此。舉例來說，可布置單獨的傾斜單元(未圖示)以使襯底10相對于地面傾斜。傾斜單元可使支撐底座22旋轉(zhuǎn)，以相對于地面垂直布置襯底10，或在襯底10與地面之間形成銳角。這里，支撐底座22可為各種類型的結(jié)構(gòu)中的任一者，只要當襯底10傾斜時,支撐底座22能夠使襯底10固定即可。此外，襯底10可能不一定由支撐底座22固定并支撐。舉例來說，當正處理襯底10時，襯底10可布置在滾筒21上。葉片模塊30安裝在襯底10上方，且可通過驅(qū)動塊41和引導器42在水平方向上作往復運動。驅(qū)動塊41和引導器42可形成線性電動機系統(tǒng)。葉片模塊30布置成具有對應(yīng)于襯底10的至少一個寬度的長度，以便在襯底10的所有區(qū)域上供應(yīng)預定流體。驅(qū)動塊41沿引導器42作往復運動，且因此襯底10的表面由葉片模塊30所噴射的流體和流體切割空氣來處理。當襯底10固定在圖I的襯底表面處理設(shè)備中時，葉片模塊30作往復運動，并向襯底10的表面供應(yīng)預定流體和/或流體切割空氣。然而，本發(fā)明并不限于此，且當葉片模塊30固定時，襯底10可移動。
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圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的包含葉片模塊30的襯底表面處理設(shè)備的示意圖。如圖2中所示，安裝在室中的襯底表面處理設(shè)備包含葉片模塊30、控制單元70、第一到第三儲存庫35到55，以及空氣箱65。根據(jù)本發(fā)明的待處理襯底10可為各種類型(具體來說用于顯示裝置)的襯底中的任一者，且包含底座襯底11、硅膜12以及氧化硅膜13。底座襯底11可為玻璃襯底、塑料襯底或金屬襯底。雖然未圖示,但由有機材料和/或無機材料形成的絕緣層可進一步布置在襯底10的表面上?？赏ㄟ^在底座襯底11的表面上形成非晶硅膜來獲得硅膜12?？赏ㄟ^在后面的操作中使硅膜12結(jié)晶來使其變成多晶硅膜；舉例來說，可采用激光結(jié)晶工藝(如ELA)。然而，本發(fā)明并不限于此，且可采用各種類型的結(jié)晶工藝中的任一者。舉例來說，通過使硅膜12結(jié)晶而獲得的多晶硅膜可用作顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)的活動層。舉例來說，在圖案化并摻雜后，非晶硅膜也可用作TFT的活動層。氧化硅膜13形成于硅膜12的表面上。在此項技術(shù)中，當氧或氮與硅膜12的表面結(jié)合時，氧化硅膜13為自然形成的氧化層，且氧化硅膜13的厚度通常為約5 A到約
1000 A。襯底10并不限于其中硅膜12形成于底座襯底11上(如上所述)的襯底，且可采用包含娃膜的各種類型的襯底(例如，包含娃膜的娃晶片)中的任一者。葉片模塊30為用于選擇性地向襯底10的表面提供第一到第三流體的單元，且更具體來說，為用于選擇性地向形成于硅膜12的表面上的氧化硅膜13的表面提供第一到第三流體的單元。第一流體儲存在第一儲存庫35中，且含有用于蝕刻形成于硅膜12的表面上的氧化硅膜13的溶液。根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一流體可含有臭氧溶液。第一流體相對于氧化硅膜13的蝕刻率低于下文所述第二流體的蝕刻率。這里，第一流體可充當用于清洗襯底10的表面上的有機材料的清洗流體。因此，第一流體可用中性清洗劑或堿性清洗劑代替。儲存在第二儲存庫45中的第二流體可蝕刻形成于硅膜12的表面上的氧化硅膜13，所述第二流體的成分與第一流體的成分不同，且所述第二流體相對于氧化硅膜13的蝕刻率高于第一流體的蝕刻率。根據(jù)本發(fā)明的實施例，第二流體可含有氟溶液或氟化銨溶液。第三流體儲存在第三儲存庫55中，且至少可稀釋襯底10的表面上的第一流體和第二流體。根據(jù)本發(fā)明的實施例，第三流體可能含有水，其中所述水可能為去離子純水(DI水)。第三流體可充當用于使襯底10的表面上的第一流體和第二流體(其為蝕刻劑)的反應(yīng)停止的緩沖流體。
葉片模塊30以能夠使第一到第三流體中的每一者均勻散布在襯底10的整個表面上的方式向襯底10的表面提供第一到第三流體。這里，葉片模塊30布置為與襯底10的表面相距預定距離，以在襯底10的沿單面方向上移動，或在襯底10沿表面方向上作往復運動，并向襯底10的表面提供第一到第三流體。葉片模塊30可經(jīng)設(shè)計以能夠選擇性地向葉片模塊30供應(yīng)第一到第三流體。因此，用于向葉片模塊30噴射第一到第三流體的單獨的抽吸單元(未圖示)可包括在葉片模塊30中。第一儲存庫35和第三儲存庫55連接到第一流體提供模塊311，而第二儲存庫45連接到第二流體提供模塊312。第一開口側(cè)36可互連在第一儲存庫35與第一流體提供模塊311之間。第二開口側(cè)46可互連在第二儲存庫45與第二流體提供模塊312之間。第三開口側(cè)56可互連在第三儲存庫55與第一流體提供模塊311之間。第一到第三開口側(cè)36到56可為連接到控制單元70且可在控制單元70的控制下打開或閉合的電子開口側(cè)。
第三儲存庫55僅連接到第一流體提供模塊311。然而，本發(fā)明并不限于此，且第三儲存庫55還可連接到第二流體提供模塊312，使得可經(jīng)由第二流體提供模塊312向襯底10選擇性地提供第二流體和第三流體。雖然圖2所示的實施例中僅展示第一流體提供模塊311與第二流體提供模塊312的組合，但本發(fā)明并不限于此。舉例來說，可采用單獨的第三流體提供模塊，以經(jīng)由單獨的流體提供模塊向襯底10分別提供第一到第三流體。或者，可僅采用一個流體提供模塊，以經(jīng)由單個流體提供模塊向襯底10提供第一到第三流體。即使僅采用一個流體提供模塊，也可以選擇性地噴射第一到第三流體的方式來布置第一到第三開口側(cè)36到56中的所有開口側(cè)。以第一流體、第三流體且隨后第二流體的順序，相對于襯底10提供第一到第三流體。如果葉片模塊30作往復運動，那么將以第一流體、第三流體、第二流體、第三流體且隨后第一流體的順序提供第一到第三流體?？筛鶕?jù)工藝條件改變提供第一到第三流體的順序。舉例來說，可以第二流體、第三流體且隨后第一流體的順序、第一流體且隨后第三流體的順序或第二流體且隨后第三流體的順序提供第一到第三流體。然而，如果葉片模塊30作往復運動，那么另外可以如上所述相反的順序提供這些順序。此外，可不提供第三流體，且可以第一流體且隨后第二流體的順序提供第一和第二流體。然而，如果葉片模塊30作往復運動，那么另外可以如上所述相反的順序提供第一和第二流體。根據(jù)本發(fā)明的實施例，通過提供第一流體和第二流體(其為在不同時點處相對于襯底10具有不同蝕刻率的蝕刻劑)，可清洗襯底10的表面，且同時可有效控制氧化硅膜13的蝕刻程度。此外，可提高硅膜12表面的平面度(氧化硅膜13從所述硅膜12中移除)。此外，通過向襯底10提供第三流體，可利用第三流體清洗剩余在襯底10的表面上的第一流體和/或第二流體，且因此可防止產(chǎn)生由于剩余在襯底10的表面上的第一流體與第二流體的混合物而導致無法獲得所要蝕刻率的問題。因此，可精確管理蝕刻率，且因此可在大規(guī)模生產(chǎn)工藝中提高質(zhì)量的均勻度。第一到第三流體的提供并不限于單次往復式掃描，且可通過在至少兩次掃描內(nèi)一次提供第一到第三流體中的至少兩者來提供第一到第三流體。同時，第一噴氣模塊321布置在第一流體提供模塊311的前端處，而第二噴氣模塊322布置在第二流體提供模塊312的后端處。第一噴氣模塊321和第二噴氣模塊322兩者均連接到空氣箱65，且由控制單元70控制的第四開口側(cè)66a和66b分別插入在第一噴氣模塊321與空氣箱65之間以及第二噴氣模塊322與空氣箱65之間。第四開口側(cè)66a和66b可為連接到控制單元70且在控制單元70的控制下打開或閉合的電子開口側(cè)。在提供第一到第三流體中的任一者的操作已執(zhí)行后，向襯底10提供流體切割空氣，且所述流體切割空氣通過利用氣壓推出第一到第三流體中的任一者來移除剩余在襯底10的表面上的第一到第三流體中的任一者。因此，第一到第三流體在襯底10的表面上不混合，且因此可防止蝕刻劑(例如第一流體和第二流體)的濃度發(fā)生不想要的變化。因此，通過使用流體切割空氣，可精確控制第一流體和第二流體的蝕刻速度，且可很容易地控制第三流體的緩沖效應(yīng)。在提供第一到第三流體中的任一者后或在提供第一到第三流體中的任 一者時，可將所述流體切割空氣噴射到襯底10上。圖3是葉片模塊30更詳細的局部透視圖。圖3中所示的根據(jù)本發(fā)明的實施例的葉片模塊30包含流體提供模塊310，所述流體提供模塊310具有布置在長度方向上的流體提供噴嘴，并向襯底10提供至少一個蝕刻流體或水或蝕刻流體和水兩者；噴氣模塊320，其具有布置在長度方向上并朝襯底10噴射流體切割空氣的噴氣噴嘴；以及框架31，其通過固定流體提供模塊310的兩個相對端和噴氣模塊320的兩個相對端來將流體提供模塊310與噴氣模塊320裝配在一起。根據(jù)圖3中所示的實施例，流體提供模塊310包含第一流體提供模塊311和第二流體提供模塊312，其中第一流體提供模塊311的側(cè)表面和第二流體提供模塊312的側(cè)表面彼此附接，且第一流體提供模塊311的兩個相對端與第二流體提供模塊312的兩個相對端是通過第三框架350固定。如上所述，第一流體提供模塊311可向襯底10提供臭氧溶液和/或純水，而第二流體提供模塊312可向襯底提供蝕刻流體?；蛘?，第一流體提供模塊311可僅提供臭氧溶液，且第二流體提供模塊312可提供蝕刻流體。或者，第一流體提供模塊311可提供臭氧溶液，且第二流體提供模塊312可僅提供水。第二流體提供模塊312還可選擇性地提供蝕刻流體和水。第一流體提供模塊311和第二流體提供模塊312可連接到單獨的控制單元，以個別地操作第一流體提供模塊311和第二流體提供模塊312。同時，根據(jù)圖3中所示的實施例，將流體提供模塊310布置為第一流體提供模塊311和第二流體提供模塊312的組合而設(shè)置。然而，本發(fā)明并不限于此。舉例來說，可進一步以可經(jīng)由個別流體提供模塊向襯底分別提供第一到第三流體的方式布置單獨的第三流體提供模塊(未圖示)。噴氣模塊320還可包含第一噴氣模塊321和第二噴氣模塊322?？衫貌迦朐诘谝粐姎饽K321與第二噴氣模塊322之間的流體提供模塊310將第一噴氣模塊321和第二噴氣模塊322彼此分開布置。噴氣模塊320安裝在處于傾斜位置的框架31上，并在傾斜方向上朝襯底10噴射流體切割空氣?？蚣?1包含若干對第一框架330，所述第一框架330分別附接到噴氣模塊320的兩個相對端；一對第二框架340，所述第一框架330分別附接到所述第二框架340 ;以及一對第三框架350，其使第一流體提供模塊311與第二流體提供模塊312結(jié)合在一起，且所述第三框架350分別附接到第二框架340。如圖4中所示，角度調(diào)節(jié)縫333形成于第一框架330中的每一者上。一對第一框架330布置在第一噴氣模塊321和第二噴氣模塊322中的每一者中。第一框架330經(jīng)由上緊螺栓331和332分別附接到第一噴氣模塊321的兩個相對端以及第二噴氣模塊322兩個相對端，其中將上緊螺栓332上緊到第一框架330的角度調(diào)節(jié)縫333。角度調(diào)節(jié)縫333形成為具有弧形形狀，將上緊螺栓331固定地上緊到第一框架330的上部，且將其它上緊螺栓332沿角度調(diào)節(jié)縫333上緊到適當?shù)奈恢?。因此，第一噴氣模塊321和第二噴氣模塊322可以傾斜位置安裝在第一框架330上。在第一框架330中沿角度調(diào)節(jié)縫333形成柵格，以便設(shè)定第一噴氣模塊321和第二噴氣模塊322的傾斜角度。第一框架330附接到第二框架340。垂直延伸的上緊縫343形成于第二框架340 的附接部分341中，且若干對上緊螺栓344和345附接到上緊縫343，以便固定第一框架330的第一端。第二框架340包含附接部分341，第一框架330和第三框架350附接到所述附接接部分341 ;以及支撐部分342，其與附接部分341分離。支撐部分342附接到使所述對第二框架340互連的支撐框架360。在圖3中，支撐框架360可形成為在長度方向上的中空矩形板狀結(jié)構(gòu)，其中第二框架340的支撐部分342布置在支撐框架360上方，且第二框架340的附接部分341布置在支撐框架360下方。支撐部分342可沿支撐框架360固定地附接到適當位置。同時，多個第一供給管313在長度方向上布置在流體提供模塊310處，并供應(yīng)蝕刻流體和/或水。此外，第二供給管314安裝在第一供給管313之間，并使第一供給管313互連。因此，經(jīng)由第二供給管314和第一供給管313向流體提供模塊310供應(yīng)從外部儲存庫(未圖示)供應(yīng)的蝕刻流體和/或流體。多個第三供給管323在長度方向上布置在噴氣模塊320處，并供應(yīng)流體切割空氣。此外，第四供給管324安裝在第三供給管323之間，并使第三供給管323互連。因此，經(jīng)由第四供給管324和第三供給管323向噴氣模塊320供應(yīng)從外部空氣箱(未圖示)供應(yīng)的流體切割空氣。在以上實施例中，將流體提供模塊310布置為第一流體提供模塊311與第二流體提供模塊312的組合。然而，本發(fā)明并不限于此，且可僅布置第一流體提供模塊311，或僅布置第二流體提供模塊312。此外，雖然第一噴氣模塊321和第二噴氣模塊322分別布置在噴氣模塊320中的流體提供模塊310的前端和后端，但本發(fā)明并不限于此，且可僅布置第一噴氣模塊321，或僅布置第二噴氣模塊322。圖5展不第一噴氣模塊321的橫截面。雖然圖5中僅展不第一噴氣模塊321,但第二噴氣模塊322也具有相同的結(jié)構(gòu)。如圖5中所示，可通過將第一板狀部件322a與第二板狀部件322b結(jié)合而形成第一噴氣模塊321。在第一噴氣模塊321的側(cè)面形成多個供氣孔325。在第一噴氣模塊321的側(cè)面沿長度方向以相等間隔形成多個供氣孔325。如圖3中所示，將上文所述的第三供給管323分別附接到供氣孔325。將噴氣噴嘴328布置在第一噴氣模塊321的底部。在第一噴氣模塊321內(nèi)部，將多級通道從連接到供氣孔325的第一到第三氣道空間326a到326c連接到噴氣噴嘴328。如圖5中所示，供氣孔325和形成多級通道的第一到第三氣道空間326a到326c可在第二板狀部件322b內(nèi)部形成，而第一板狀部件322a可形成為具有平坦表面。圖6展示第一流體提供模塊311的橫截面。雖然圖5中僅展示第一流體提供模塊311，但第二流體提供模塊312也具有相同的結(jié)構(gòu)。如圖6中所示，通過使兩個板狀部件(即，第三板狀部件311a和第四板狀部件311b)結(jié)合而形成第一流體提供模塊311。雖然未圖示，但可在第三板狀部件311a與第四板狀部件311b之間布置O形環(huán)，以防止流體漏出。
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在第一流體提供模塊311的側(cè)面形成多個流體供給孔315。在第一流體提供模塊311的側(cè)面沿長度方向以相等間隔形成所述多個流體供給孔315。將上文所述的第一供給管313分別附接到流體供給孔315。在第一流體提供模塊311內(nèi)部，界定多個通道空間(即第一到第七流體通道空間316a到316g)。由于布置在第一到第三流體通道空間316a到316c之間的空間中的第一流體勢壘317a、布置在第三到第五流體通道空間316c到316e之間的空間中的第二流體勢壘317b以及布置在第五到第七流體通道空間316e到316g之間的空間中的第三流體勢壘317c，第一流體提供模塊311內(nèi)部的流體通道形成Z字形多級通道。當所述多級通道形成時，即使注入到第一流體提供模塊311中的流體含有雜質(zhì)，所述雜質(zhì)也可被過濾掉。此外，可精密地控制所提供流體的通量，且因此可向襯底10提供精確量的流體。這里，第二流體通道空間316b、第四流體通道空間316d和第六流體通道空間316f (其中流體垂直滴落)形成為比第一流體通道空間316a、第三流體通道空間316c和第七流體通道空間316g(其中流體水平流動)窄。因此，滴落到第一流體提供模塊311內(nèi)的流體的速度可得到控制，且可防止所述流體中可能含有的雜質(zhì)被釋放。此外，由于第一流體通道空間316a、第三流體通道空間316c和第七流體通道空間316g (其中流體水平流動)形成為足夠?qū)?，因此可在其中儲存足量的流體。因此，可提供使流體在垂直通道中流動的足夠的流動壓力，且可儲存所述流體中可能含有的顆?；螂s質(zhì)。此外，第五流體通道空間316e (其為水平流體通道)形成為比其它水平流體通道(即第一流體通道空間316a、第三流體通道空間316c和第七流體通道空間316g)窄，使得可精確控制流速。第七流體通道空間316g(其為最后一個水平流體通道)連接到沿垂直方向形成的流體提供噴嘴318。流體提供噴嘴318可形成為沿第一流體提供模塊311的長度方向直線延伸。此外，第一到第七流體通道空間316a到316g還可形成為沿第一流體提供模塊311的長度方向直線延伸。這里，可根據(jù)流體供給孔315來界定第一流體通道空間316a連接到流體供給孔315的部分。如上所述，考慮到所提供流體的速度，可以各種方式設(shè)計從流體供給孔315到流體提供噴嘴318的多級通道。
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的葉片模塊30的局部透視圖。除第一流體提供模塊311和第二流體提供模塊312之外，圖7中所示的葉片模塊30與根據(jù)圖3中所示實施例的葉片模塊30類似。流體供給管P在長度方向上布置在流體提供模塊310的兩個相對端處，并供應(yīng)蝕刻流體和/或水。一個流體供給管P僅可布置在流體提供模塊310的一端處，或多個流體供給管P可在流體提供模塊310的長度方向上以相等間隔布置。從一個外部儲存庫或若干外部儲存庫(未圖示)經(jīng)由流體供給管P向流體提供模塊310供應(yīng)蝕刻流體和/或水。圖8是葉片模塊30的第一流體提供模塊311的截面圖，且圖9是葉片模塊30的第一流體提供模塊311的平面圖。雖然圖8中僅展示第一流體提供模塊311，但第二流體提供模塊312也可具有相同的配置，這將適用于下文所述的第一流體提供模塊311的所有實施例。如圖8中所示，第一流體提供模塊311包含儲存單元3111，其連接到流體供給管 P并儲存蝕刻流體或水；以及引導單元3112，其引導儲存在儲存單元3111中的蝕刻流體或水流出儲存單元3111并流向襯底10的表面。引導單元3112以能夠使所儲存的蝕刻流體或水沿儲存單元3111的外圓周表面移動并自然地流向襯底10的表面的方式連接到儲存單元3111(且更具體來說儲存單元3111的下部)，且從引導單元3112與儲存單元3111之間的連接向襯底10延伸的部分可逐漸變細，如圖8中所示。雖然圖8顯示引導單元3112和儲存單元3111形成單體，但本發(fā)明并不限于此，且引導單元3112可僅僅粘附到儲存單元3111。此外，可通過使板彎曲來形成引導單元3112。通過打開儲存單元3111的頂部表面的預定部分來形成傳輸縫3113，使得滿而溢出儲存單元3111的所儲存蝕刻流體或水可流出儲存單元3111。如圖9中所示，可在儲存單元3111的長度方向上形成傳輸縫3113?？裳貍鬏斂p3113形成多個引導槽3114，以均勻地將所儲存的蝕刻流體或水引導至引導單元3112。引導槽3114形成于儲存單元3111的頂部表面上，連接到傳輸縫3113并在儲存單元3111的橫向方向向外延伸。可以使所存儲的蝕刻流體或水可在垂直橫跨傳輸縫3113的方向上流動的方式來雕刻引導槽3114。因此，可沿儲存單元3111的主體部分的曲線自然地將所儲存的蝕刻流體或水引導至引導單元3112。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例(如圖10中所示)，傳輸縫3113和引導槽3114可形成為單體，可在垂直于儲存單元3111的長度方向的方向上形成傳輸縫3113，且可在傳輸縫3113的兩個相對端處形成引導槽3114。在儲存單元3111內(nèi)部布置形成為薄板的緩沖分區(qū)3115，且在緩沖分區(qū)3115中形成多個緩沖傳輸孔3116。通過使用緩沖分區(qū)3115可防止向儲存單元3111供應(yīng)的蝕刻流體或水迅速增加，使得蝕刻流體或水的供應(yīng)速度和通量可得到控制，并可獲得均勻流動的蝕刻流體或水。緩沖傳輸孔3116可能僅為在厚度方向上穿透緩沖分區(qū)3115的孔，其中通過將緩沖傳輸孔3116形成為具有圓柱形橫截面形狀或楔形橫截面形狀，來更有效地控制蝕刻流體或水的流速。必要時，緩沖傳輸孔3116的橫截面形狀可為矩形、菱形、橢圓形等等中的任
一者O
儲存單元3111可具有各種形狀中的任一者，只要蝕刻流體或水可均勻供應(yīng)即可。舉例來說，為使蝕刻流體或水順暢流動，儲存單元3111的橫截面形狀可為橢圓形或圓形，儲存單元3111的上部可傾斜，或儲存單元3111的外圓周表面可具有曲率。圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的第一流體提供模塊311的截面圖。根據(jù)圖11中所示實施例的第一流體提供模塊311可具有圖9或圖10中所示的水平形狀。根據(jù)圖11中所示的實施例，儲存單元分成兩個儲存單元，且狹窄通道3117使兩個儲存單元互連。詳細地說，儲存單元包含上部儲存單元311Ia和下部儲存單元3111b。下部儲存單元3111b和上部儲存單元3111a經(jīng)連接以相互連通，其中上部儲存單元3111a和下部儲存單元3111b經(jīng)由狹窄通道3117相互連接并相互連通，所述狹窄通道3117比上部儲存單元3111a和下部儲存單元3111b窄。下部儲存單元3111b連接到流體供給管P，并儲存來自外部的蝕刻流體或水。在工藝期間，蝕刻流體或水從下部儲存單元3111b的底部向上裝滿下部儲存單元3111b。 上部儲存單元3111a連接到下部儲存單元3111b的上部。上部儲存單元3111a經(jīng)由狹窄通道3117與下部儲存單元3111b的上部連通，且當蝕刻流體或水從下部儲存單元3111b的底部向上裝滿下部儲存單元3111b并向上溢流時，儲存蝕刻流體或水。換句話說，當持續(xù)流入下部儲存單元3111b中的蝕刻流體或水的量增加時，蝕刻流體或水經(jīng)由狹窄通道3117到達上部儲存單元3111a。到達上部儲存單元3111a的蝕刻流體或水滿而溢出上部儲存單元3111a的上部，且滿而溢出的蝕刻流體或水沿上部儲存單元3111a的表面和下部儲存單元3111b的表面向下流動。蝕刻流體或水沿引導單元3112向下流動并到達襯底10的表面。使下部儲存單元3111b與上部儲存單元3111a互連以允許下部儲存單元311 Ib和上部儲存單元3111a相互連通的狹窄通道3117形成圖11中所示的狹窄通道。狹窄通道3117防止?jié)M而溢出下部儲存單元3111b的蝕刻流體迅速裝滿上部儲存單元3111a。換句話說，流入上部儲存單元311 Ia中的蝕刻流體或水慢慢裝滿上部儲存單元311 Ia的內(nèi)部,且不斷地滿而溢出上部儲存單元3111a。圖11中所示的狹窄通道3117為完全打開的狹窄通道。然而，必要時，可布置形成有多個穿透孔的板(未圖示)以部分阻塞狹窄通道3117。在這種情況下，從下部儲存單元3111b流向上部儲存單元3111a的蝕刻流體或水可相對緩慢地流入，且因此蝕刻流體或水可均勻地流出上部儲存單元3111a。在上部儲存單元3111a的表面上可形成傳輸縫3113和/或引導槽3114，使得蝕刻流體或水可滿而溢出。根據(jù)圖11中所示的實施例，形成下部儲存單元3111b和上部儲存單元3111a，且狹窄通道3117使下部儲存單元3111b與上部儲存單元3111a互連。因此，可使從上部儲存單元3111a的頂部表面漏出的蝕刻流體或水的量保持恒定，且可防止蝕刻流體或水迅速泄漏。因此，包含下部儲存單元3111b和上部儲存單元3111a的儲存單元可形成為具有較小的尺寸和較小的寬度，且因此可增加流體提供模塊的數(shù)量。同時，將緩沖分區(qū)3115安裝在下部儲存單元3111b處。然而，本發(fā)明并不限于此。緩沖分區(qū)3115可安裝在上部儲存單元3111a處，或安裝在下部儲存單元3111b和上部儲存單元3111a兩者處。根據(jù)圖11所示的實施例，滿而溢出上部儲存單元3111a的蝕刻流體或水沿上部儲存單元3111a和下部儲存單元3111b流動，且經(jīng)由引導單元3112提供給襯底10。這里，蝕刻流體或水必須沿包含上部儲存單元3111a和下部儲存單元3111b的彎曲結(jié)構(gòu)流動。在工藝期間，蝕刻流體或水可直接從上部儲存單元3111a的側(cè)面滴落到下部儲存單元3111b的側(cè)面，且因此引導單元3112處的通量可能不會得到均勻控制。因此，上部儲存單元3111a形成為與下部儲存單元3111b相比寬度較小，使得蝕刻流體或水可按規(guī)定順序沿上部儲存單元3111a和下部儲存單元3111b流動。此外，如圖12中所示，可進一步在上部儲存單元3111a與下部儲存單元3111b之間布置側(cè)向部件3118，使得蝕刻流體或水可經(jīng)由側(cè)向部件3118自然地流向引導單元3112。圖13是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的第一流體提供模塊311的截面圖。 根據(jù)圖13中所示的實施例，儲存單元3111形成為具有矩形橫截面，且進一步包括形成為完全打開儲存單元3111的頂部表面的開口 3119。在這種情況下，由于儲存單元3111的內(nèi)部寬度恒定，因此裝滿儲存單元3111內(nèi)部的蝕刻流體或水的通量和流速可保持恒定，且因此可使經(jīng)由開口 3119而滿而溢出儲存單元3111的蝕刻流體或水的通量和流速保持恒定。因此，在根據(jù)本實施例的儲存單元3111中，裝滿蝕刻流體或水的儲存單元的寬度在整個儲存單元上恒定。換句話說，儲存單元3111的面對面的側(cè)面是形成為相互平行且是垂直的。因此，根據(jù)本實施例的儲存單元3111形成為具有矩形橫截面且頂部完全打開的立方形形狀。以使得蝕刻流體或水能夠均勻滿而溢出的方式完全打開儲存單元3111的頂部表面。緩沖分區(qū)3115也安裝在儲存單元3111的內(nèi)部，在所述儲存單元3111的上方連接有流體供給管P。不一定僅安裝一個緩沖分區(qū)3115(如圖13中所示)，且可從儲存單元3111的上部向儲存單元3111的下部安裝多個緩沖分區(qū)3115。根據(jù)如上所述的本發(fā)明的實施例，襯底表面處理設(shè)備可體現(xiàn)具有簡潔緊湊的結(jié)構(gòu)。由于很容易控制蝕刻率，因此可對襯底表面進行更精確的處理。可通過使用蝕刻劑同時清洗硅膜的表面且可蝕刻氧化硅膜，且可在氧化硅膜移除后進一步提高硅膜表面的平面度。此外，可通過提供蝕刻劑、水或在不同的時點提供不同的蝕刻劑來控制蝕刻劑的蝕刻程度。此外，可通過在提供每一蝕刻劑后提供水進行緩沖來精確控制蝕刻程度，且因此可防止產(chǎn)生由于第一流體和第二流體的混合物而導致無法獲得所要蝕刻率的問題，以及由于所述問題而導致大規(guī)模生產(chǎn)力的退化。此外，根據(jù)本發(fā)明，通過提供流體切割空氣以防止蝕刻劑和水在襯底的表面上混合而從襯底表面移除蝕刻劑和水，且因此可獲得開始所要的蝕刻精密度?？稍谕皇覂?nèi)提供蝕刻劑和水，且因此襯底表面處理設(shè)備可具有更加緊湊的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，可經(jīng)由單個噴嘴提供蝕刻劑和水。因此，襯底表面處理設(shè)備可具有緊湊的結(jié)構(gòu)，且襯底表面處理設(shè)備的零件數(shù)量可減少。此外，用于提供流體切割空氣的裝置以及用于提供流體的裝置可集成為單體，且因此襯底表面處理設(shè)備可具有更加緊湊的結(jié)構(gòu)。雖然已參考本發(fā)明的示范性實施例特定展示和描述了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可在不脫離權(quán)利要求書界定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，對本發(fā)明的形式和細節(jié)作各種改變?！?br> 權(quán)利要求
1.一種葉片模塊，用于處理襯底的表面，所述葉片模塊包括 流體提供模塊，其在長度方向上朝所述襯底提供選自由蝕刻流體和水組成的群組中的至少一者； 噴氣模塊，其中噴氣噴嘴布置在所述長度方向上，并朝所述襯底噴射流體切割空氣；以及 框架，其固定所述流體提供模塊的兩個相對端以及所述噴氣模塊的兩個相對端，以將所述流體提供模塊與所述噴氣模塊裝配在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的葉片模塊，其中所述流體提供模塊包括 多個流體供給孔，其形成于所述長度方向上；以及 流體提供噴嘴，其朝所述襯底形成， 其中在所述流體供給孔與所述流體提供噴嘴之間形成多級通道。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的葉片模塊，其進一步包括 多個第一供給管，其分別附接到所述流體供給孔；以及 第二供給管，其使所述第一供給管互連。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的葉片模塊，其中所述流體提供模塊包括 儲存單元，其中儲存有所述蝕刻流體或所述水，且所述蝕刻流體或所述水在所述儲存單元上流動；以及 引導單元，其連接到所述儲存單元，以在朝所述襯底的方向上引導所述儲存單元上滿而溢出的所述蝕刻流體或所述水。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的葉片模塊，其中所述流體提供模塊進一步包括通過部分打開所述儲存單元的頂部表面以傳輸所述蝕刻流體或所述水而形成的傳輸縫。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的葉片模塊，其中所述流體提供模塊進一步包括多個引導槽，其形成于所述儲存單元的所述頂部表面上，連接到所述傳輸縫，且在所述儲存單元的寬度方向上向外延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的葉片模塊，其中所述儲存單元包括 下部儲存單元，其包含供所述蝕刻流體或所述水的入口，并連接到所述弓I導單元； 上部儲存單元，其與所述下部儲存單元連通，并包含形成于所述上部儲存單元的所述頂部表面上的所述傳輸縫；以及 狹窄通道，其插入所述下部儲存單元與所述上部儲存單元之間，使所述下部儲存單元與所述上部儲存單元互連，以允許所述下部儲存單元與所述上部儲存單元相互連通，且形成為比所述下部儲存單元和所述上部儲存單元窄。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的葉片模塊，其中所述儲存單元形成為具有矩形橫截面，且 所述儲存單元進一步包括形成為完全打開所述儲存單元的所述頂部表面的開口。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的葉片模塊，其中所述流體提供單元進一步包括緩沖分區(qū)，其在所述儲存單元內(nèi)部布置在水平方向上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的葉片模塊，其中所述緩沖分區(qū)進一步包括多個緩沖傳輸孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的葉片模塊，其中所述儲存單元連接到流體供給管，且 所述緩沖分區(qū)布置在連接所述流體供給管處的上方。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的葉片模塊，其中所述引導單元形成為錐形。
13.根據(jù)權(quán)利要求I到12中任一權(quán)利要求所述的葉片模塊，其中所述噴氣模塊以傾斜位置安裝到所述框架，并沿傾斜方向朝所述襯底噴射流體切割空氣。
14.根據(jù)權(quán)利要求I到12中任一權(quán)利要求所述的葉片模塊，其中所述框架包括 一對第一框架，其分別附接到所述噴氣模塊的兩個相對端并包含角度調(diào)節(jié)縫；以及 一對第二框架，所述一對第一框架分別附接到所述一對第二框架。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的葉片模塊，其中所述第二框架包括 附接部分，所述第一框架附接到所述附接部分；以及 支撐部分，其與所述附接部分分離， 其中所述支撐部分附接到使所述一對第二框架互連的支撐框架。
16.根據(jù)權(quán)利要求I到12中任一權(quán)利要求所述的葉片模塊，其中所述流體提供模塊包括 第一流體提供模塊，其朝所述襯底提供所述蝕刻流體；以及 第二流體提供模塊，其朝所述襯底提供所述水。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的葉片模塊，其中所述框架包括使所述第一流體提供模塊與所述第二流體提供模塊互連的第三框架。
18.根據(jù)權(quán)利要求I到12中任一權(quán)利要求所述的葉片模塊，其進一步包括 多個第三供給管，其在所述噴氣模塊的所述長度方向上附接到所述噴氣模塊；以及 第四供給管，其使所述多個第三供給管互連。
全文摘要
本發(fā)明提供用于處理襯底表面的葉片模塊，其實現(xiàn)緊湊簡潔設(shè)備的配置，所述葉片模塊能夠有效地移除形成于襯底表面(具體來說硅膜表面)上的氧化硅膜，從而提高所述襯底的所述表面的均勻度，且實現(xiàn)對清洗率的精確控制。所述葉片模塊包含流體提供模塊，所述流體提供模塊在長度方向上朝所述襯底提供選自由蝕刻流體和水組成的群組中的至少一者；噴氣模塊，其中噴氣噴嘴布置在所述長度方向上，并朝所述襯底噴射流體切割空氣；以及框架，其固定所述流體提供模塊的兩個相對端以及所述噴氣模塊的兩個相對端，以將所述流體提供模塊和所述噴氣模塊裝配在一起。
文檔編號H01L21/67GK102931119SQ20111045547
公開日2013年2月13日 申請日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月9日
發(fā)明者安吉秀, 張承逸, 崔鐘春 申請人:株式會社Mm科技