專利名稱：薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜晶體管的制作方法，尤指一種具有氧化物半導(dǎo)體層的薄膜晶體管利用局部雷射處理來降低氧化物半導(dǎo)體層與源極電極/汲極電極之間接觸阻抗的制作方法。
背景技術(shù)：
近年來，各種平面顯示器的應(yīng)用發(fā)展迅速，各類生活用品例如電視、行動電話、 汽機車、甚至是冰箱，都可見與平面顯示器互相結(jié)合的應(yīng)用。而薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)是一種廣泛應(yīng)用于平面顯示器技術(shù)的半導(dǎo)體組件，例如應(yīng)用在液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)、有機發(fā)光二極管(organic light emitting diode, OLED)顯示器及電子紙(electronic paper, Ε-paper)等顯示器中。薄膜晶體管是利用來提供電壓或電流的切換，以使得各種顯示器中的顯示畫素可呈現(xiàn)出亮、暗以及灰階的顯示效果。目前顯示器業(yè)界使用的薄膜晶體管可根據(jù)使用的半導(dǎo)體層材料來做區(qū)分，包括非晶硅薄膜晶體管(amorphous silicon TFT, a-Si TFT)、多晶硅薄膜晶體管(poly silicon TFT)以及氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(oxide semiconductor TFT)。其中非晶硅薄膜晶體管由于具有制程技術(shù)成熟以及良率高的優(yōu)點，目前仍是顯示器業(yè)界中的主流。但非晶硅薄膜晶體管受到非晶硅半導(dǎo)體材料本身特性的影響，使其電子遷移率(mobility)無法大幅且有效地藉由制程或組件設(shè)計的調(diào)整來改善(目前非晶硅薄膜晶體管的電子遷移率大體上在1 cm2/Vs以內(nèi))，故無法滿足目前可見的未來更高規(guī)格顯示器的需求。而多晶硅薄膜晶體管受惠于其多晶硅材料的特性，于電子遷移率上有大幅的改善(多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率大體上最佳可達100 cm7Vs)。但由于多晶硅薄膜晶體管的制程復(fù)雜(相對地成本提升)且于大尺寸面板應(yīng)用時會有結(jié)晶化制程導(dǎo)致結(jié)晶程度均勻性不佳的問題存在， 故目前多晶硅薄膜晶體管仍以小尺寸面板應(yīng)用為主。而氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管則是應(yīng)用近年來新崛起的氧化物半導(dǎo)體材料，此類材料一般為非晶相(amorphous)結(jié)構(gòu)，沒有應(yīng)用于大尺寸面板上均勻性不佳的問題，且可利用多種方式成膜，例如濺鍍(sputter)、旋涂 (spin-on)以及印刷(inkjet printing)等方式。因此在制程上甚至還較非晶硅薄膜晶體管更有制程簡化的彈性。而氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的電子遷移率一般可較非晶硅薄膜晶體管高10倍以上(氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的電子遷移率大體上介于10 cm2/Vs到50 cm2/Vs之間)，因此氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管被視為未來取代非晶硅薄膜晶體管的最佳解答。于習(xí)知的非晶硅薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，會于非晶硅半導(dǎo)體層與源極/汲極電極間穿插一摻雜層以產(chǎn)生奧姆接觸(ohmic contact)，故此摻雜層又稱奧姆接觸層(ohmic contact layer)。而于一般氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)中，氧化物半導(dǎo)體層可與一些源極/汲極電極材料例如鉬(molybdenum，Mo)、鋁(aluminum，Al)、以及氧化銦錫(indium tin oxide, IT0)等形成奧姆接觸，故一般為簡化制程會將奧姆接觸層的設(shè)計移除。然而，氧化物半導(dǎo)體與其它可能的源極/汲極電極材料例如鉻(chromium，Cr)與鈦(titanium， Ti)等材料間的接觸阻抗仍偏高到明顯影響氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的整體電性表現(xiàn)。因此，為了使氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管所能搭配的源極/汲極電極材料范圍擴大且使氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的效能提升，有必要對氧化物半導(dǎo)體與源極/汲極電極間的接觸阻抗進行改善。 目前一般熟知改善氧化物半導(dǎo)體與源極/汲極電極間的接觸阻抗的做法是使用電漿處理(plasma treatment)以將部分預(yù)計與源極/汲極電極接觸的氧化物半導(dǎo)體區(qū)域的電阻率降低。然而，由于電漿處理是一全面性的制程，故仍需再搭配一圖案化遮障層對部分氧化物半導(dǎo)體區(qū)域進行保護以避免受到電漿處理的影響。而此圖案化遮障層的制作步驟包括真空鍍膜以及黃光蝕刻制程等。因此，不僅會增加氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的制程復(fù)雜度，對于整體的成本及良率上更會有負面的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的的一在于提供一種薄膜晶體管的制作方法，以局部雷射處理來有效地降低氧化物半導(dǎo)體層與源極電極/汲極電極之間的接觸阻抗。本發(fā)明的一較佳實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括下列步驟提供一基板、形成一間極電極、形成一間極介電層、形成一圖案化氧化物半導(dǎo)體層、形成一源極電極與汲極電極以及進行一局部雷射處理。局部雷射處理是利用一激光束照射部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層，以使得被激光束照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層的電阻率小于未被激光束照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層的電阻率。其中，至少部分經(jīng)過激光束照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層與源極電極或汲極電極接觸。本發(fā)明利用局部雷射處理，選擇性地降低部分區(qū)域的圖案化氧化物半導(dǎo)體層的電阻率，進而達到降低氧化物半導(dǎo)體層與源極電極/汲極電極之間的接觸阻抗且提升氧化物薄膜晶體管組件效能的目的。同時，藉由此制作方式，亦可使氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的源極電極/汲極電極的材料選擇范圍得以擴大，大幅提升氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管制程設(shè)計的彈性。


圖1至圖3繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的薄膜晶體管的制作方法示意圖。圖4至圖5繪示了本發(fā)明的第二較佳實施例的薄膜晶體管的制作方法示意圖。圖6至圖7繪示了本發(fā)明的第三較佳實施例的薄膜晶體管的制作方法示意圖。圖8繪示了本發(fā)明的第四較佳實施例的薄膜晶體管的示意圖。圖9至圖10繪示了本發(fā)明的第五較佳實施例的薄膜晶體管的制作方法示意圖,主要組件符號說明
10基板 11
12閘極介電層 13
13C通道區(qū) 13D
13A區(qū)域 13T
14A源極電極 14B
閘極電極
圖案化氧化物半導(dǎo)體層非通道區(qū)區(qū)域
汲極電極
415S 激光束
15局部雷射處理
20薄膜晶體管
22薄膜晶體管
24薄膜晶體管。
16 圖案化保護層 21 薄膜晶體管 23 薄膜晶體管
具體實施例方式在本說明書及后續(xù)的申請專利范圍當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的組件。所屬領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)可理解，制作商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的組件。本說明書及后續(xù)的申請專利范圍并不以名稱的差異來作為區(qū)別組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)別的基準(zhǔn)。在通篇說明書及后續(xù)的請求項當(dāng)中所提及的「包括」是為一開放式的用語，故應(yīng)解釋成「包括但不限定于」。再者，為使熟習(xí)本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技藝者能更進一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的數(shù)個較佳實施例，并配合所附圖式，詳細說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容。需注意的是圖式僅以說明為目的，并未依照原尺寸作圖。請參考圖1至圖3。圖1至圖3繪示了本發(fā)明第一較佳實施例的薄膜晶體管的制作方法示意圖。在本實施例中，薄膜晶體管20是為一種反轉(zhuǎn)堆棧(Inverted Staggered) 結(jié)構(gòu)。如圖1至圖3所示，本實施例的制作方法包括以下步驟。首先，提供一基板10。在本實施例中，基板10包括硬質(zhì)基板例如玻璃基板、可撓式基板或依需求選用其它適合的基板，以應(yīng)用于各種顯示用途。隨后，于基板10上形成一閘極電極11。接著，形成一閘極介電層12覆蓋基板10與閘極電極11。然后，于閘極介電層12上形成一圖案化氧化物半導(dǎo)體層 13。之后，如圖2所示，對部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13進行一局部雷射處理15，利用一激光束15S照射部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13，以使經(jīng)過激光束15S照射后的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域13T的電阻率小于未經(jīng)過激光束15S照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域13A的電阻率。接著，如圖3所示，形成一源極電極14A與一汲極電極14B，以使至少部分經(jīng)過激光束15S照射的區(qū)域13T與源極電極14A或汲極電極14B接觸。在本實施例中，源極電極14A與汲極電極14B是完全覆蓋區(qū)域13T且覆蓋部分的區(qū)域13A。在本發(fā)明的其它實施例中，可視設(shè)計需要選擇性地使源極電極14A/汲極電極14B僅局部性地覆蓋區(qū)域13T，或使源極電極14A/汲極電極14B向外延伸而覆蓋于閘極介電層12上。值得注意的是，在本實施例中，由于局部雷射處理15可選擇性地對特定區(qū)域進行處理，故僅需調(diào)整局部雷射處理15的制程參數(shù)即可對區(qū)域13T的范圍大小進行控制，而不需使用額外的屏蔽定義出區(qū)域13T的范圍。相對于電漿處理需搭配額外的真空鍍膜與黃光蝕刻制程，本發(fā)明中的局部雷射處理15具有制程簡單化及制程彈性大等優(yōu)點。同時，在本實施例中，局部雷射處理15的激光束15S的一波長例如可大體上介于250奈米至500奈米之間，以有效地將雷射波長調(diào)整至可對區(qū)域13T達到使其電阻率降低的作用，但本發(fā)明并不以此為限， 例如激光束15S的波長可視圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的材料不同或其它因素而加以變更。 在本發(fā)明中，圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的材料可包括II-VI族化合物(例如氧化鋅，ZnO)、 II-VI族化合物摻雜堿土金屬(例如氧化鋅鎂，ZnMgO)、II-VI族化合物摻雜IIIA族元素 (例如氧化銦鎵鋅，IGZ0)、II-VI族化合物摻雜VA族元素(例如氧化錫銻，SnSbO2)、II-VI 族化合物摻雜VIA族元素(例如氧硒化鋅，ZnSeO)、II-VI族化合物摻雜過渡金屬(例如氧化鋅鋯，ZnZrO)，或其它的藉由以上提及的元素總類混合搭配形成的具有半導(dǎo)體特性的氧化物，但圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的材料并不以此為限。另外，形成圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的方法可包括真空鍍膜、旋轉(zhuǎn)涂布、噴墨印刷、網(wǎng)印或其它適合的制作方法。下文將針對本發(fā)明的薄膜晶體管的不同實施樣態(tài)進行說明，且為簡化說明，各實施例中相同的組件是以相同標(biāo)號進行標(biāo)示，而以下說明主要針對各實施例不同的處進行詳述，并不再對相同的處作重復(fù)贅述。接著請參考圖4至圖5。圖4至圖5繪示了本發(fā)明的第二較佳實施例的薄膜晶體管的制作方法示意圖。在本實施例中，薄膜晶體管21是為一堆棧(daggered)結(jié)構(gòu)。如圖 4及圖5所示，本實施例的制作方法包括以下步驟。首先，提供一基板10，于基板10上形成一圖案化氧化物半導(dǎo)體層13。接著，對部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13進行一局部雷射處理15，利用一激光束15S照射部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13，以使經(jīng)過激光束15S照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域13T的電阻率小于未經(jīng)過激光束15S照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域13A的電阻率。然后，如圖5所示，形成一源極電極14A與一汲極電極14B，以使至少部分經(jīng)過激光束15S照射的區(qū)域13T與源極電極14A或汲極電極14B 接觸。之后，形成一閘極介電層12覆蓋基板10、源極電極14A/汲極電極14B、以及圖案化氧化物半導(dǎo)體層13。然后，再于閘極介電層12上形成一閘極電極11。值得注意的是，在本實施例中，源極電極14A與汲極電極14B是完全覆蓋區(qū)域13T且覆蓋部分的區(qū)域13A。在本發(fā)明的其它實施例中，可視設(shè)計需要選擇性地使源極電極14A/汲極電極14B僅局部性地覆蓋區(qū)域13T，或使源極電極14A/汲極電極14B向外延伸而覆蓋于基板10之上。請參考圖6與圖7。圖6與圖7繪示了本發(fā)明第三較佳實施例的薄膜晶體管的制作方法示意圖。在本實施例中，薄膜晶體管22是為一種反轉(zhuǎn)共平面(Inverted Coplanar) 結(jié)構(gòu)。如圖6與圖7所示，本實施例的制作方法包括以下步驟。首先，提供一基板10，于基板10上形成一閘極電極11。接著，形成一閘極介電層12覆蓋基板10與閘極電極11。然后，于閘極介電層12上形成一源極電極14A與一汲極電極14B。之后，于閘極介電層12以及源極電極14A與汲極電極14B上形成一圖案化氧化物半導(dǎo)體層13。接著，如圖7所示，進行一局部雷射處理15，利用一激光束15S照射部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13，以使經(jīng)過激光束15S照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域13T的電阻率小于未經(jīng)過激光束15S照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域13A的電阻率。如圖6所示，在本實施例中，圖案化氧化物半導(dǎo)體層13是完全覆蓋源極電極14A與汲極電極14B，且圖案化氧化物半導(dǎo)體層13是完全覆蓋源極電極14A與汲極電極14B間的閘極介電層12。而于本發(fā)明的其它實施例中， 可視設(shè)計需要，使圖案化氧化物半導(dǎo)體層13僅覆蓋部分的源極電極14A與部分的汲極電極 14B，且使圖案化氧化物半導(dǎo)體層13僅覆蓋部分源極電極14A與汲極電極14B間的閘極介電層12。此外，在本實施例中，設(shè)置于源極電極14A與汲極電極14B間的閘極介電層12上的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13是定義為通道區(qū)13C，而圖案化氧化物半導(dǎo)體層13其它的部分是定義為非通道區(qū)13D。值得注意的是，在本實施例中，經(jīng)過激光束15S照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域13T包括非信道區(qū)13D與部分通道區(qū)13C。由于區(qū)域13T的范圍大小可經(jīng)由調(diào)整局部雷射處理15的制程參數(shù)來進行控制，因此于本發(fā)明的其它實施例中，區(qū)域 13T可僅包括部分非通道區(qū)或同時包括部分非信道區(qū)與部分信道區(qū)。設(shè)計者可依據(jù)對于薄膜晶體管不同的電性需求，彈性地調(diào)整經(jīng)過局部雷射處理15的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13 的區(qū)域13T的范圍大小。
接著請參考圖8。圖8繪示了本發(fā)明的第四較佳實施例的薄膜晶體管的示意圖。 在本實施例中，薄膜晶體管23是為一共平面(Coplanar)結(jié)構(gòu)。如圖8所示，本實施例的制作方法包括以下步驟。首先，提供一基板10，于基板10上形成一源極電極14A與一汲極電極14B。接著，形成一圖案化氧化物半導(dǎo)體層13，并對部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13進行一局部雷射處理15(圖未示)，利用一激光束15S(圖未示)照射部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13，以使經(jīng)過激光束15S照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域13T的電阻率小于未經(jīng)過激光束15S照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域13A的電阻率。之后，形成一閘極介電層12覆蓋基板10以及圖案化氧化物半導(dǎo)體層13。然后，再于閘極介電層12上形成一閘極電極11。如圖8所示，在本實施例中，圖案化氧化物半導(dǎo)體層13是完全覆蓋源極電極14A與汲極電極14B，且圖案化氧化物半導(dǎo)體層13是完全覆蓋源極電極14A與汲極電極 14B間的基板10。而于本發(fā)明的其它實施例中，可視設(shè)計需要，使圖案化氧化物半導(dǎo)體層13 僅覆蓋部分的源極電極14A與部分的汲極電極14B，且使圖案化氧化物半導(dǎo)體層13僅覆蓋部分源極電極14A與汲極電極14B間的基板10。此外，本實施例中區(qū)域13T的范圍與控制方法與上述的第三較佳實施例相同，在此不再贅述。請參考圖9與圖10。圖9與圖10繪示了本發(fā)明第五較佳實施例的薄膜晶體管的制作方法示意圖。在本實施例中，薄膜晶體管對是為一種具有蝕刻阻擋(Etching Stop)結(jié)構(gòu)的反轉(zhuǎn)堆棧(Inverted Staggered)結(jié)構(gòu)。如圖9與圖10所示，本實施例的制作方法包括以下步驟。首先，提供一基板10，于基板10上形成一閘極電極11。接著，形成一閘極介電層12覆蓋基板10與閘極電極11。然后，于閘極介電層12上形成一圖案化氧化物半導(dǎo)體層13。接著，于圖案化氧化物半導(dǎo)體層13上形成一圖案化保護層16。其中，圖案化保護層 16至少覆蓋部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13。接著，如圖9所示，對部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13進行一局部雷射處理15，利用一激光束15S照射部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層 13，以使經(jīng)過激光束15S照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域13T的電阻率小于未經(jīng)過激光束15S照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域13A的電阻率。然后，如圖10所示，形成一源極電極14A與一汲極電極14B，以使至少部分經(jīng)過激光束15S照射的區(qū)域13T與源極電極14A或汲極電極14B接觸。在本實施例中，源極電極14A與汲極電極14B是完全覆蓋區(qū)域13T且并無覆蓋圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域13A。在本發(fā)明的其它實施例中，可視設(shè)計需要選擇性地使源極電極14A/汲極電極14B僅局部性地覆蓋區(qū)域13T，或使源極電極14A/汲極電極14B向外延伸而覆蓋于閘極介電層12上。值得注意的是，在本實施例中， 區(qū)域13T的范圍涵蓋了全部未被圖案化保護層16所覆蓋的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域。然而，由于局部雷射處理15可選擇性地對特定區(qū)域進行處理，故在本發(fā)明的其它實施例中，區(qū)域13T可視設(shè)計需求而僅包括部分未被圖案化保護層16所覆蓋的圖案化氧化物半導(dǎo)體層的區(qū)域。此外，在本實施例中，圖案化保護層16可用于進行形成源極電極14A/汲極電極14B的蝕刻制程時，對部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13產(chǎn)生保護的作用，避免選擇比較差的蝕刻制程對圖案化氧化物半導(dǎo)體層13產(chǎn)生破壞。同時，圖案化保護層16亦可用于進行局部雷射處理15時，保護不欲降低電阻率的圖案化氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域不受到局部雷射處理15的影響。如此亦可避免因局部雷射處理15的制程變異而影響到薄膜晶體管的電性表現(xiàn)。本發(fā)明利用局部雷射處理可選擇性地就特定區(qū)域進行處理的特性，將薄膜晶體管中氧化物半導(dǎo)體層與源極電極/汲極電極接觸的部分區(qū)域的電阻率降低，進而使于氧化物半導(dǎo)體層與源極電極/汲極電極之間的接觸阻抗降低而提升薄膜晶體管的組件效能。同時，亦使氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的源極電極/汲極電極的材料選擇范圍得以擴大，進而提升氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管制程設(shè)計的彈性。 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括提供一基板；于該基板上形成一閘極電極；于該基板上形成一閘極介電層；于該基板上形成一圖案化氧化物半導(dǎo)體層；于該基板上形成一源極電極與一汲極電極；以及進行一局部雷射處理，利用一激光束照射部分的該圖案化氧化物半導(dǎo)體層，以使得被該激光束照射的該圖案化氧化物半導(dǎo)體層的電阻率小于未被該激光束照射的該圖案化氧化物半導(dǎo)體層的電阻率，且使至少部分經(jīng)過該激光束照射的該圖案化氧化物半導(dǎo)體層與該源極電極或該汲極電極接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于所述源極電極/汲極電極是于該圖案化氧化物半導(dǎo)體層之前形成，且該局部雷射處理是于該源極電極/汲極電極形成之前進行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于所述圖案化氧化物半導(dǎo)體層是于該源極電極/汲極電極之前形成，且該局部雷射處理是于該源極電極/汲極電極形成之后進行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于所述圖案化氧化物半導(dǎo)體層包括II-VI族化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于所述圖案化氧化物半導(dǎo)體層更包括堿土金屬、IHA族元素、VA族元素、VIA族元素或過渡金屬的其中至少一者。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于其中形成該圖案化氧化物半導(dǎo)體層的方法包括真空鍍膜、旋轉(zhuǎn)涂布、噴墨印刷或網(wǎng)印。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于所述基板包括一硬質(zhì)基板或一可撓式基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于所述硬質(zhì)基板包括一玻璃基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于所述局部雷射處理的該激光束的一波長大體上是介于250奈米至500奈米之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于更包括于該圖案化氧化物半導(dǎo)體層上形成一圖案化保護層，以保護部份該圖案化氧化物半導(dǎo)體層不受該局部雷射處理的影響，其中該圖案化保護層是形成于該源極電極/汲極電極之前，且該局部雷射處理是于該源極電極/汲極電極形成之前進行。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制作方法，此制作方法包括提供一基板、形成一閘極電極、形成一閘極介電層、形成一圖案化氧化物半導(dǎo)體層、形成一源極電極與汲極電極以及進行一局部雷射處理。局部雷射處理是利用一激光束照射部分的圖案化氧化物半導(dǎo)體層，以使得被激光束照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層的電阻率小于未被激光束照射的圖案化氧化物半導(dǎo)體層的電阻率。本發(fā)明利用局部雷射處理，選擇性地降低部分區(qū)域的圖案化氧化物半導(dǎo)體層的電阻率，進而達到降低氧化物半導(dǎo)體層與源極電極/汲極電極之間的接觸阻抗且提升氧化物薄膜晶體管組件效能的目的。
文檔編號H01L21/027GK102157386SQ20111006641
公開日2011年8月17日 申請日期2011年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月19日
發(fā)明者姜信銓, 李懷安, 賴宥豪 申請人:中華映管股份有限公司, 福州華映視訊有限公司