專利名稱：一種全無機(jī)輔助層oled器件及其制備方法
一種全無機(jī)輔助層OLED器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，特別地涉及一種全無機(jī)輔助層OLED器件及 其制備方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是一種自發(fā)光、高亮度、全色顯示的發(fā)光元件，在平板 顯示領(lǐng)域有著誘人的前景，是各個(gè)OLED廠商的重點(diǎn)研發(fā)方向。OLED發(fā)光器件優(yōu)于LED器件 之處在于發(fā)光色彩豐富，在各個(gè)譜帶都能夠找到相應(yīng)的有機(jī)化合物，而LED光源可用的無 機(jī)半導(dǎo)體種類很少，非基色的光只能通過三種基色光源混拼，色彩表現(xiàn)不夠細(xì)膩。同時(shí)LED 也無法做大面積的連續(xù)發(fā)光面。請參閱圖1所示，OLED顯示器件的結(jié)構(gòu)通常包括由下至 上依次設(shè)置的透明或半透明基底a、陽極b、空穴注入層C、空穴傳輸層d、發(fā)光層e、電子傳 輸層f、電子注入層g和陰極h，有些器件結(jié)構(gòu)還會在空穴傳輸層與發(fā)光層之間增加電子阻 擋層，在電子傳輸層f與發(fā)光層e之間增加空穴阻擋層。電流通過器件，激發(fā)有機(jī)化合物發(fā) 光。目前，OLED器件做顯示或者照明面臨兩個(gè)考驗(yàn)，一是降低成本，二是提高工作穩(wěn)定 性。目前OLED顯示屏的價(jià)格高于液晶顯示器，究其原因，除了生產(chǎn)規(guī)模比較小以外， 原材料價(jià)格高也是一個(gè)重要因素?，F(xiàn)在量產(chǎn)的OLED屏都采用ITO玻璃做陽極，ITO陽極有 一些明顯的缺點(diǎn)1.IT0玻璃的價(jià)格高，其中的摻雜元素銦的礦藏儲量低，價(jià)格有逐年上漲的趨勢， 使有機(jī)發(fā)光器件的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程受限制。2. ITO濺鍍成膜時(shí)為了能夠得到比較均勻表面形貌和電導(dǎo)率高的晶型結(jié)構(gòu)必須在 300°C左右成膜，并且保持一段時(shí)間來退火，這樣的過程對不耐高溫的柔性的塑料襯底有較 大損傷，因此柔性塑料基底的ITO電極在電荷注入性能上與玻璃襯底ITO差別大，并且價(jià)格 非常貴，更加不具備實(shí)用價(jià)值。3.整塊的ITO玻璃在形成像素點(diǎn)的過程中需要用強(qiáng)酸來對陽極的金屬氧化物進(jìn) 行刻蝕，工藝復(fù)雜、破壞環(huán)境。目前需要找到能夠替代ITO的廉價(jià)陽極，有效降低OLED器件的成本。此外，OLED器件中使用的有機(jī)半導(dǎo)體材料價(jià)格也很貴，數(shù)倍于無機(jī)半導(dǎo)體材料，也 需要找到合適的、廉價(jià)的替換方案。OLED器件的另一個(gè)缺點(diǎn)是壽命比較短，通常在1萬小時(shí)左右，而熒光燈的壽命在5 萬小時(shí)以上，LED燈的壽命在10萬小時(shí)以上。因此，目前OLED顯示器或照明光源無法取代 液晶顯示器或LED燈，OLED的顯示屏只能用在手機(jī)屏、MP3屏、車載儀表背光源等工作時(shí)間 較短的部件上，而無法用于電腦顯示器和電視機(jī)等要求長期穩(wěn)定工作的設(shè)備。主要原因是 有機(jī)物本身的穩(wěn)定性比無機(jī)物差，容易被氧化、水解或熱分解，同時(shí)OLED器件必須在電場 中讓電流通過有機(jī)物層才能發(fā)光，其中的有機(jī)化合物長期工作在高能激發(fā)態(tài)下，更容易被破壞。如何能夠既保持OLED器件發(fā)光色彩豐富的優(yōu)點(diǎn)，又提高器件的工作壽命，對OLED產(chǎn) 業(yè)界來說是一個(gè)非常有意義的命題。通常的解決方案有兩種，第一是尋找化學(xué)穩(wěn)定性更高的有機(jī)發(fā)光材料，第二是提 高外部封裝部件的密封性，更有效地阻隔大氣。這兩種方案都取得了較大的進(jìn)步，但是也面 臨著自身難以突破的瓶頸。在開發(fā)高化學(xué)穩(wěn)定性發(fā)光材料方面，人們找到了一些穩(wěn)定性更 好的發(fā)光材料，如發(fā)藍(lán)光的螺旋芴，發(fā)綠光的Ir(PPy)3，發(fā)紅光的11"( 切)3等。一些從事 OLED材料開發(fā)的大公司也聲稱其發(fā)光材料能達(dá)到5萬小時(shí)以上的使用壽命。但是OLED器 件之中所使用的有機(jī)材料遠(yuǎn)不止發(fā)光材料，還有空穴注入、空穴傳輸、電子注入、電子傳輸 層等輔助層也使用有機(jī)材料，這些有機(jī)材料數(shù)量遠(yuǎn)超過發(fā)光材料，占了 OLED器件中有機(jī)材 料總數(shù)的70%以上，它們才是決定OLED器件壽命的主要因素，其中穩(wěn)定性最差的一種有機(jī) 材料決定了 OLED器件的整體使用壽命。如果追求每一種有機(jī)材料的穩(wěn)定性都達(dá)到“完美”， 就面臨著犧牲電荷傳輸性能、大幅度提高成本等諸多無法讓產(chǎn)業(yè)界接受的困難選擇，實(shí)際 上也是無法達(dá)到的。另一方面，提高器件密封性，減少外界的氧氣、水氣侵蝕確實(shí)有助于提 高器件穩(wěn)定性，但是有機(jī)物導(dǎo)電、發(fā)光性能的衰退并非都起因于氧化或水解。例如空穴注入 材料NPB在剛蒸鍍完的時(shí)候是無定型的，但由于其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度低，在器件工作狀態(tài)下 自身發(fā)熱，促使其由無定型轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶形態(tài)，空穴傳輸能力因而衰退，降低了使用壽命。其 他的常用有機(jī)化合物如芴衍生物、蒽衍生物都存在著類似的問題。此外，有機(jī)化合物還可能 在OLED器件自身發(fā)光或電壓的激發(fā)下產(chǎn)生自由基，引發(fā)裂解。因此，提高器件密封性并不 足以解決器件穩(wěn)定性的問題。所以要想把OLED產(chǎn)品真正推向?qū)嵱秒A段還需要另找其他的 解決方案。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種全無機(jī)輔助層OLED器件及其制備方法，能夠既保持有 機(jī)發(fā)光材料色彩豐富的優(yōu)點(diǎn)，又能大幅度降低成本，提高OLED器件穩(wěn)定性。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一種全無機(jī)輔助層OLED器件采用如下技術(shù)方案一種全無機(jī)輔助層OLED器件，包括無機(jī)陽極、無機(jī)陰極、無機(jī)輔助層及有機(jī)發(fā)光 層；所述無機(jī)陽極、無機(jī)陰極采用無機(jī)材料；所述無機(jī)輔助層采用無機(jī)材料或有機(jī)材料摻 雜的無機(jī)材料；所述有機(jī)發(fā)光層采用有機(jī)發(fā)光材料。所述無機(jī)輔助層包括無機(jī)空穴注入層、無機(jī)空穴傳輸層、無機(jī)電子傳輸層和無機(jī) 電子注入層；所述OLED器件從無機(jī)陽極到無極陰極依次設(shè)有所述無機(jī)空穴注入層、無機(jī)空 穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、無機(jī)電子傳輸層和無機(jī)電子注入層。所述無機(jī)陽極的材料為金屬的氧化物、金屬的硫化物、金屬的硒化物、金屬的碲化 物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬氧化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬硫化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬硒化 物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬碲化物、鋁、銀、金、鋁合金、銀合金或金合金；所述無機(jī)元素?fù)诫s的 金屬氧化物不包括銦摻雜的氧化錫；所述無機(jī)陰極的材料為金屬。所述無機(jī)陽極的材料為鋁摻雜的氧化鉬、氟摻雜的氧化錫、氟摻雜的氧化鋅、銀摻 雜的氧化鎘或鋁摻雜的氧化鋅；所述無機(jī)陰極的材料為鋁。所述無機(jī)空穴注入層、無機(jī)空穴傳輸層、無機(jī)電子注入層和無機(jī)電子傳輸層的材 料為金屬的氧化物、金屬的硫化物、金屬的硒化物、金屬的碲化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬氧
4化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬硫化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬硒化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬碲化 物、有機(jī)化合物摻雜的金屬氧化物、有機(jī)化合物摻雜的金屬硫化物、有機(jī)化合物摻雜的金屬 硒化物或有機(jī)化合物摻雜的金屬碲化物。所述無機(jī)空穴注入層的材料為氧化鉬、鋁摻雜的氧化鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化鎘、 氧化亞銅、鋁摻雜的氧化亞銅、鍶摻雜的氧化亞銅或碲化鎘；所述無機(jī)空穴傳輸層的材料為 氧化鉬、二氧化硅與氧化鉬的混合物、氧化鉬與NPB的混合物、氧化鉬與碲化鎘的混合物。所述無機(jī)電子傳輸層的材料為硫化鋅、硒化鋅、碲化鋅、硒化鎘、氧化鈦，氧化鉬與 硒化鋅的混合物或硫化鋅與TAZ的混合物；所述無機(jī)電子注入層的材料為TiA或LiF。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一種全無機(jī)輔助層OLED器件的制備方法采用如下技 術(shù)方案所述OLED器件從所述無機(jī)陽極開始制備；所述無機(jī)陽極、無機(jī)空穴注入層和無機(jī) 空穴傳輸層依次采用濺鍍的方法制備；所述有機(jī)發(fā)光層、無機(jī)電子傳輸層、無機(jī)電子注入層 和無機(jī)陰極依次采用蒸鍍的方法制備。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一種全無機(jī)輔助層OLED器件的制備方法還可以采用 如下技術(shù)方案所述OLED器件從所述無機(jī)陰極開始制備；所述無機(jī)陰極、無機(jī)電子注入層和無機(jī) 電子傳輸層依次采用濺鍍的方法制備；所述有機(jī)發(fā)光層、無機(jī)空穴傳輸、無機(jī)空穴注入層和 無機(jī)陽極依次采用蒸鍍的方法制備。所述OLED器件中的各層除無機(jī)陽極以外均采用蒸鍍的方法制備。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)1、無機(jī)輔助層大量采用無機(jī)材料，降低成本；2、器件穩(wěn)定性大幅度提高，使用壽命能夠達(dá)到商用標(biāo)準(zhǔn)；3、保持了器件中有機(jī)發(fā)光化合物色彩豐富細(xì)膩的優(yōu)勢；4、加大濺鍍工藝的比例，提高生產(chǎn)效率；5、制作流程可以從陽極開始，也可以從陰極開始，方式可以靈活選擇。
圖1為OLED器件基本結(jié)構(gòu)圖；圖加為常用的無機(jī)半導(dǎo)體的能級圖；圖2b為常用的有機(jī)半導(dǎo)體的能級圖；圖3本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)化合物名稱對應(yīng)的分子結(jié)構(gòu)；圖4為實(shí)施例中的器件亮度隨時(shí)間的衰減曲線圖。
具體實(shí)施方式為了能夠既保持有機(jī)發(fā)光材料色彩豐富的優(yōu)點(diǎn)，又能大幅度降低成本，提高OLED 器件穩(wěn)定性，我們提出以不含銦的廉價(jià)陽極來替換ITO陽極，同時(shí)用無機(jī)輔助層來替換有 機(jī)輔助層，而保留有機(jī)發(fā)光層的新型OLED器件結(jié)構(gòu)。近年來人們在金屬氧化物陽極的廉價(jià)化方面的研究很多，出現(xiàn)了氧化鋅、氧化錫 等透明電極，性能表現(xiàn)與ITO相當(dāng)，比如鋁/氧化鉬復(fù)合陽極，不但空穴注入能力與ITO相差無幾，而且對基板不挑剔，在玻璃與塑料表面都有很好的表現(xiàn)，價(jià)格便宜，工藝簡單，是非 常優(yōu)秀的陽極材料。此外，大部分的無機(jī)半導(dǎo)體材料，如氧化鉬、硫化鋅、氧化亞銅、氧化釩等，價(jià)格都 遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于有機(jī)半導(dǎo)體，如聚噻吩、NPB等，所以用無機(jī)半導(dǎo)體取代有機(jī)半導(dǎo)體可以降低成 本，利于大規(guī)模工業(yè)化。在OLED器件中，由于有機(jī)輔助層的層數(shù)多，化合物種類也多，并且質(zhì)量參差不齊， 容易造成器件性能劣化，而商用的有機(jī)發(fā)光材料種類相對少，并且經(jīng)過十多年的優(yōu)化篩選， 目前市場上通用的幾種主要有機(jī)發(fā)光材料穩(wěn)定性都能夠達(dá)到商用標(biāo)準(zhǔn)，所以只要用穩(wěn)定性 更好的無機(jī)材料來替換有機(jī)輔助層就可以達(dá)到提高器件整體穩(wěn)定性的目的。用無機(jī)材料部分地取代有機(jī)半導(dǎo)體是一個(gè)研究熱點(diǎn)。例如用氧化鉬做空穴注入 層，取代原來的星形芳胺化合物Journal ofNon-Crystalline Solids, Vol 356,2010, 1012],[JOURNAL 0FAPPLIED PHYSICS Vol 104，2008，054501 ，可以達(dá)到同樣的效果。但目 前的研究文獻(xiàn)僅僅停留在用無機(jī)材料來取代或摻雜輔助層中的一層或兩層，通常是空穴注 入層和電子注入層，而對于空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層、電子阻擋層以及發(fā)光層 的主體材料仍然采用有機(jī)化合物，所以對器件穩(wěn)定性的提高作用很微弱。針對目前研究領(lǐng) 域存在的缺陷，我們提出用無機(jī)材料全面替換有機(jī)輔助層的新型結(jié)構(gòu)，使OLED器件中的無 機(jī)材料占多數(shù)，而有機(jī)材料占少數(shù)，來有效地提高器件穩(wěn)定性。從能級匹配的角度來說，只要無機(jī)半導(dǎo)體的P態(tài)或N態(tài)能級接近于OLED器件中有 機(jī)化合物的P態(tài)或N態(tài)能級就有可能進(jìn)行替換。如圖加和圖2b所示，NPB作為空穴傳輸材料，以P型半導(dǎo)體的能級工作(_5. 5eV)， 在無機(jī)物中，MoO3(-5. 8eV)，V2O5("5. 5eV)的P型能級與之很接近，因此可以成功地用作空 穴注入材料，文獻(xiàn)對此有較多報(bào)道。除此之外，還有CdO，Cu2O, CuAlO2等無機(jī)物可以作為空 穴注入材料。對于電子傳輸材料，OLED文獻(xiàn)通常用TAZ，AlGj3，但是它們的N態(tài)能級(_2. 8eV) 與陰極鋁(-4. IeV)相差較遠(yuǎn)，對電子的傳輸有較大的阻礙作用，實(shí)際上不是理想的電子傳 輸材料，而無機(jī)半導(dǎo)體中的 ZnS (-3. 3eV)，ZnSe (-3. 7eV)，ZnTe (-3. 5eV)，CdSe (-3. 6eV)的 N態(tài)能級接近于鋁，更適合用作電子傳輸材料，對此也有少量相關(guān)的文獻(xiàn)報(bào)道Synthetic Metals, Vol 102，1999，1213，Synthetic Matals Vol 91，1997，347。此外從 P 型能級 來看，ZnS(-6. 5eV),ZnSe(-6. 4eV)低于大部分有機(jī)材料的P型能級，可以兼做空穴阻擋層。 無機(jī)材料中的SrCu2O2(2. IeV)的N態(tài)能級高，可以用作電子阻擋材料，不過由于OLED器件 中通常都是空穴注入數(shù)量遠(yuǎn)大于電子注入數(shù)量，所以沒有被空穴復(fù)合的電子很少，電子阻 擋層不是必須的。OLED器件的發(fā)光層中除了發(fā)光材料本身，有時(shí)還需要主體材料，用來將發(fā) 光材料混摻于其中，減少自身堆砌引起的發(fā)光淬滅效應(yīng)。這需要兩者的N、P能級相當(dāng)，或者 主體材料的能隙略寬于摻雜材料，將摻雜材料的能隙包裹在其中。從圖加和2b可以看出， CuAlO2可以用作藍(lán)光材料ADN的主體材料，MoO3可以用作綠光材料Al%、Ir (ppy) 3，紅光材 料Ir(piq)2aCaC的主體材料，V2O5適合用作紅光材料Ir (piq)2aCaC的主體材料。以無機(jī)材料替代有機(jī)輔助層，并不完全排除有機(jī)輔助材料的使用。當(dāng)少量地混摻 入有機(jī)輔助材料而無損于器件穩(wěn)定性時(shí)是可行的。不同的材料對于空穴或電子的傳輸能力 有較大差別，相互混合搭配可以有效地調(diào)節(jié)電子或空穴的傳輸能力。例如在氧化鉬中摻入 少量的NPB，雖然NPB本身在受熱過程中容易從無定型態(tài)轉(zhuǎn)化成結(jié)晶態(tài)，但是當(dāng)少量的NPB分子分散于大量氧化鉬分子中時(shí)，其分子無法相互靠近并且規(guī)整排列，也就不能轉(zhuǎn)化成晶 態(tài)，這樣也就解決了單純NPB層受熱不穩(wěn)定的問題。以往OLED制備工藝都是以ITO為陽極，而ITO是通過濺鍍的工藝制備的，由于濺 鍍對有機(jī)材料有一定損傷，所以ITO的制備必須先于有機(jī)材料的蒸鍍步驟，一旦蒸鍍上有 機(jī)材料以后就不適合濺鍍或CVD等會對有機(jī)物造成損傷的步驟了。不過，由于濺鍍成膜的 速度快，不需要高真空環(huán)境，大面積成膜均勻性更好，所以在大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)中比真空蒸鍍 更有優(yōu)勢。減少OLED器件中的有機(jī)物，增加無機(jī)物將可以更多地使用濺鍍手段，提高生產(chǎn) 效率。另一方面，由于無機(jī)半導(dǎo)體種類很多，除了 ITO陽極，還有其他無機(jī)物陽極可以選 擇，如AVMoO3的陽極，因此制備OLED器件的順序不限于ΙΤ0——P型層——發(fā)光層——N 型層——陰極，也可以采用倒轉(zhuǎn)的次序陰極一一N型層——發(fā)光層——P型層——陽極。 這樣便于用濺鍍或CVD等手段制備N型層，對于某些不適合蒸鍍的N型無機(jī)半導(dǎo)體，倒轉(zhuǎn)的 次序使得它們可以應(yīng)用于OLED器件當(dāng)中。在無機(jī)輔助層的OLED器件中，通常從ITO透明陽極的方向出光，當(dāng)陽極用金屬時(shí)， 只要將金屬的厚度減薄，到40nm以下，就可以變成透明的，成為出光面。同樣地，如果把陰 極的金屬減薄也可以做成透明的出光面。下面結(jié)合具體的實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步介紹實(shí)施例1在含有除污劑的水溶液中對平板玻璃基板用超聲波進(jìn)行清洗，然后分別用蒸餾水 與乙醇沖洗一遍并干燥。轉(zhuǎn)移基板至真空熱蒸鍍腔室中。在玻璃基板上濺鍍鋁陽極15nm， 在陽極上按先后次序分別濺鍍氧化鉬15nm ；氧化硅Inm ；氧化鉬25nm ；氧化鉬與氧化硅混 合層30nm，其中氧化鉬與氧化硅的摩爾比為3 1。然后熱蒸鍍AlGj3 75nm ；ZnS 8nm ；ZnSe 30nm ；LiF Inm ；最后熱升華蒸鍍鋁IOOnm形成陰極。沉積速度對有機(jī)材料保持在2埃/秒， 對LiF保持在1埃/秒，對鋁保持在5埃/秒，對氧化硅在2埃/秒，對氧化鉬為3埃/秒， 最后用玻璃蓋板封裝，形成的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃/Al(15nm)/MoO3 (15nm)/SiO2 (Inm)/MoO3 Q5nm)/MoO3 SiO2 3 1 (30nm) / AlQ3 (75nm)/ZnS(8nm)/ZnSe(30nm)/LiF(Inm)/Al (IOOnm)。其中鋁表面的氧化鉬為空穴注入層，氧化鉬與氧化硅混合層為空穴傳輸層，ZnS為 空穴阻擋層，ZMe為電子傳輸層，LiF為電子注入層，只有AlA發(fā)光層為有機(jī)物。工藝次序 從陽極開始，到陰極結(jié)束，發(fā)光層以前使用濺鍍工藝，之后使用蒸鍍工藝，為綠色熒光器件。表1說明了該器件的基本性能參數(shù)，發(fā)光峰位522nm，亮度3178cd/m2，光譜半峰寬 57. 4nm，起亮電壓僅為3. 5V。圖4說明了實(shí)施例1所制造的有機(jī)發(fā)光器件亮度隨時(shí)間的衰 減曲線，其亮度半衰期在50000小時(shí)以上。表1 IlV時(shí)實(shí)施例中各器件的基本性能參數(shù)
權(quán)利要求
1.一種全無機(jī)輔助層OLED器件，其特征在于包括無機(jī)陽極、無機(jī)陰極、無機(jī)輔助層及 有機(jī)發(fā)光層；所述無機(jī)陽極、無機(jī)陰極采用無機(jī)材料；所述無機(jī)輔助層采用無機(jī)材料或有 機(jī)材料摻雜的無機(jī)材料；所述有機(jī)發(fā)光層采用有機(jī)發(fā)光材料。
2.如權(quán)利要求1所述一種全無機(jī)輔助層OLED器件，其特征在于所述無機(jī)輔助層包括 無機(jī)空穴注入層、無機(jī)空穴傳輸層、無機(jī)電子傳輸層和無機(jī)電子注入層；所述無機(jī)空穴注入 層、無機(jī)空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、無機(jī)電子傳輸層和無機(jī)電子注入層依次設(shè)置于所述無機(jī) 陽極和無機(jī)陰極之間。
3.如權(quán)利要求2所述一種全無機(jī)輔助層OLED器件，其特征在于所述無機(jī)陽極的材 料為金屬的氧化物、金屬的硫化物、金屬的硒化物、金屬的碲化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬氧 化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬硫化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬硒化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬碲化 物、鋁、銀、金、鋁合金、銀合金或金合金；所述無機(jī)元素?fù)诫s的金屬氧化物不包括銦摻雜的 氧化錫；所述無機(jī)陰極的材料為金屬。
4.如權(quán)利要求3所述一種全無機(jī)輔助層OLED器件，其特征在于所述無機(jī)陽極的材 料為鋁摻雜的氧化鉬、氟摻雜的氧化錫、氟摻雜的氧化鋅、銀摻雜的氧化鎘或鋁摻雜的氧化 鋅；所述無機(jī)陰極的材料為鋁。
5.如權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述一種全無機(jī)輔助層OLED器件，其特征在于所述無 機(jī)空穴注入層、無機(jī)空穴傳輸層、無機(jī)電子注入層和無機(jī)電子傳輸層的材料為金屬的氧化 物、金屬的硫化物、金屬的硒化物、金屬的碲化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬氧化物、無機(jī)元素?fù)?雜的金屬硫化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬硒化物、無機(jī)元素?fù)诫s的金屬碲化物、有機(jī)化合物摻 雜的金屬氧化物、有機(jī)化合物摻雜的金屬硫化物、有機(jī)化合物摻雜的金屬硒化物或有機(jī)化 合物摻雜的金屬碲化物。
6.如權(quán)利要求5所述一種全無機(jī)輔助層OLED器件，其特征在于所述無機(jī)空穴注入層 的材料為氧化鉬、鋁摻雜的氧化鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化鎘、氧化亞銅、鋁摻雜的氧化亞銅、 鍶摻雜的氧化亞銅或碲化鎘；所述無機(jī)空穴傳輸層的材料為氧化鉬、二氧化硅與氧化鉬的 混合物、氧化鉬與NPB的混合物、氧化鉬與碲化鎘的混合物。
7.如權(quán)利要求6所述一種全無機(jī)輔助層OLED器件，其特征在于所述無機(jī)電子傳輸 層的材料為硫化鋅、硒化鋅、碲化鋅、硒化鎘、氧化鈦、氧化鉬與硒化鋅的混合物或硫化鋅與 TAZ的混合物；所述無機(jī)電子注入層的材料為TiA或LiF。
8.如權(quán)利要求2、3、4、6或7所述一種全無機(jī)輔助層OLED器件的制備方法，其特征在 于所述OLED器件從所述無機(jī)陽極開始制備；所述無機(jī)陽極、無機(jī)空穴注入層和無機(jī)空穴 傳輸層依次采用濺鍍的方法制備；所述有機(jī)發(fā)光層、無機(jī)電子傳輸層、無機(jī)電子注入層和無 機(jī)陰極依次采用蒸鍍的方法制備。
9.如權(quán)利要求2、3、4、6或7所述一種全無機(jī)輔助層OLED器件的制備方法，其特征在 于所述OLED器件從所述無機(jī)陰極開始制備；所述無機(jī)陰極、無機(jī)電子注入層和無機(jī)電子 傳輸層依次采用濺鍍的方法制備；所述有機(jī)發(fā)光層、無機(jī)空穴傳輸、無機(jī)空穴注入層和無機(jī) 陽極依次采用蒸鍍的方法制備。
10.如權(quán)利要求2、3、4、6或7所述一種全無機(jī)輔助層OLED器件的制備方法，其特征在 于所述OLED器件中的各層除無機(jī)陽極以外均采用蒸鍍的方法制備。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種全無機(jī)輔助層OLED器件，包括無機(jī)陽極、無機(jī)陰極、無機(jī)輔助層及有機(jī)發(fā)光層；所述無機(jī)陽極、無機(jī)陰極采用無機(jī)材料；所述無機(jī)輔助層采用無機(jī)材料或有機(jī)材料摻雜的無機(jī)材料；所述有機(jī)發(fā)光層采用有機(jī)發(fā)光材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)1、無機(jī)輔助層大量采用無機(jī)材料，降低成本；2、器件穩(wěn)定性大幅度提高，使用壽命能夠達(dá)到商用標(biāo)準(zhǔn)；3、保持了器件中有機(jī)發(fā)光化合物色彩豐富細(xì)膩的優(yōu)勢；4、加大濺鍍工藝的比例，提高生產(chǎn)效率；5、制作流程可以從陽極開始，也可以從陰極開始，方式可以靈活選擇。
文檔編號H01L51/50GK102110784SQ20111000966
公開日2011年6月29日 申請日期2011年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月17日
發(fā)明者宋書清, 徐寧, 閔軍輝 申請人:西安文景光電科技有限公司