專利名稱：具有降低的編程電壓的鰭片反熔絲的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成反熔絲結(jié)構(gòu)的方法及所形成的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括通過加熱處理從絕緣體轉(zhuǎn)換成永久導(dǎo)體的鰭片結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
熔絲和反熔絲用于現(xiàn)今的集成電路器件中，用以選擇性地連接或不連接該電路的其它部份的組件并且提供邏輯操作。例如，通常激活熔絲結(jié)構(gòu)(熔斷、開路等)以將電連接阻斷或斷開。相似地，熔絲結(jié)構(gòu)可被熔斷以急劇地增加電路的電阻，由此在已激活的與未激活的熔絲器件的間提供邏輯判別。反熔絲結(jié)構(gòu)的操作模式與熔絲結(jié)構(gòu)相反。因此，反熔絲結(jié)構(gòu)在未激活(未熔斷) 時(shí)通常為非導(dǎo)電(高電阻)，且在激活(熔斷)后變成導(dǎo)體。因此，當(dāng)激活反熔絲結(jié)構(gòu)時(shí)，其形成電連接，與當(dāng)激活時(shí)其阻斷電連接的熔絲結(jié)構(gòu)相反。因此，反熔絲結(jié)構(gòu)選擇性地允許形成電連接，其選擇性地將電路上的多個(gè)部份連接在一起，由此能夠?qū)⒃炔换ハ噙B接的器件結(jié)合成電路。相似地，反熔絲結(jié)構(gòu)提供不同的電阻值，可用于邏輯運(yùn)算。一旦將熔絲或反熔絲結(jié)構(gòu)激活后，該熔絲結(jié)構(gòu)通常無法被去激活。因此，激活通常為一次性事件，且用于永久地改變電路。熔絲和反熔絲器件需要低的制程成本和相對(duì)高的密度。傳統(tǒng)方法的一為電熔斷金屬熔絲以激活熔絲結(jié)構(gòu)，但是需要精確的電和物理的控制是可靠的。以下所公開的發(fā)明提供較小且較容易激活的反熔絲器件及其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，公開了一種反熔絲結(jié)構(gòu)，包括襯底；多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片，設(shè)置在所述襯底上，每個(gè)所述鰭片具有第一端和第二端；絕緣體，覆蓋所述鰭片的所述第一端；第一導(dǎo)體，設(shè)置在所述絕緣體上，所述第一導(dǎo)體與所述鰭片的所述第一端通過所述絕緣體絕緣； 以及第二導(dǎo)體，電連接至所述鰭片的所述第二端；所述絕緣體具有在所述第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間施加預(yù)定電壓時(shí)足以擊穿的厚度，以及由此在所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間通過所述鰭片形成未被阻斷的電連接。本文還公開了一種反熔絲結(jié)構(gòu)，包括襯底，具有上表面；多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片， 設(shè)置在所述襯底的所述上表面上，每個(gè)所述鰭片具有矩菱柱體(rectangular prism)形狀， 所述矩菱柱體形狀包括與所述上表面平行的長(zhǎng)度尺寸(dimension)；與所述長(zhǎng)度尺寸垂直的高度尺寸；以及與所述長(zhǎng)度尺寸和所述高度尺寸垂直的寬度尺寸，所述長(zhǎng)度尺寸大于所述高度尺寸，且所述高度尺寸大于所述寬度尺寸，以及所述寬度尺寸與所述襯底的所述上表面接觸，以及所述鰭片的所述長(zhǎng)度尺寸具有第一端和第二端；絕緣體，覆蓋所述鰭片的所述第一端；第一導(dǎo)體，設(shè)置在所述絕緣體上，所述第一導(dǎo)體與所述鰭片的所述第一端通過所述絕緣體絕緣；以及第二導(dǎo)體，電連接至所述鰭片的所述第二端；所述絕緣體具有在所述第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間施加預(yù)定電壓時(shí)足以擊穿的厚度，以及由此在所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間通過所述鰭片形成未被阻斷的電連接。
本文還公開了一種反熔絲結(jié)構(gòu)，包括襯底，具有上表面；多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片， 設(shè)置在所述襯底的所述上表面上，每個(gè)所述鰭片具有矩菱柱體形狀，所述矩菱柱體形狀包括與所述上表面平行的長(zhǎng)度尺寸；與所述長(zhǎng)度尺寸垂直的高度尺寸；以及與所述長(zhǎng)度尺寸和所述高度尺寸垂直的寬度尺寸，所述長(zhǎng)度尺寸大于所述高度尺寸，且所述高度尺寸大于所述寬度尺寸，以及所述鰭片的所述長(zhǎng)度尺寸具有第一端和第二端，每個(gè)所述鰭片具有連接至所述襯底的上表面的底表面和與所述底表面相對(duì)的頂表面；絕緣體，覆蓋所述鰭片的所述第一端，每個(gè)所述鰭片具有在所述底表面和所述頂表面之間的側(cè)面，所述絕緣體覆蓋所述鰭片的所述第一端的所述頂表面和所述側(cè)面；第一導(dǎo)體，設(shè)置在所述絕緣體上，所述第一導(dǎo)體與所述鰭片的所述第一端通過所述絕緣體絕緣；以及第二導(dǎo)體，電連接至所述鰭片的所述第二端，所述第二導(dǎo)體電連接至所述鰭片的所述第二端的所述頂表面；所述絕緣體具有在所述第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間施加預(yù)定電壓時(shí)足以擊穿的厚度，以及由此在所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間通過所述鰭片形成未被阻斷的電連接。本文還公開了一種形成反熔絲結(jié)構(gòu)的方法，包括構(gòu)圖襯底上的多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片，每個(gè)鰭片具有第一端和第二端；在所述鰭片上形成絕緣體；在所述鰭片的所述第一端之上的所述絕緣體上形成第一導(dǎo)體，所述第一導(dǎo)體與所述鰭片的所述第一端通過所述絕緣體絕緣；從所述鰭片的所述第二端移除所述絕緣體，以暴露所述鰭片的所述第二端；以及在所述鰭片的所述第二端上形成第二導(dǎo)體；所述絕緣體具有在所述第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間施加預(yù)定電壓時(shí)足以擊穿的厚度，以及由此在所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間通過所述鰭片形成未被阻斷的電連接。本文還公開了一種形成反熔絲結(jié)構(gòu)的方法，包括構(gòu)圖襯底上的多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片，以便每個(gè)所述鰭片具有矩菱柱體形狀，所述矩菱柱體形狀包括與上表面平行的長(zhǎng)度尺寸；與所述長(zhǎng)度尺寸垂直的高度尺寸；以及與所述長(zhǎng)度尺寸和所述高度尺寸垂直的寬度尺寸，所述長(zhǎng)度尺寸大于所述高度尺寸，且所述高度尺寸大于所述寬度尺寸，以及其中所述寬度尺寸與所述襯底的所述上表面接觸，所述鰭片的所述長(zhǎng)度尺寸具有第一端和第二端； 在所述鰭片上形成絕緣體；在所述鰭片的所述第一端之上的所述絕緣體上形成第一導(dǎo)體， 所述第一導(dǎo)體與所述鰭片的所述第一端通過所述絕緣體絕緣；從所述鰭片的所述第二端移除所述絕緣體，以暴露所述鰭片的所述第二端；以及在所述鰭片的所述第二端上形成第二導(dǎo)體；所述絕緣體具有在所述第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間施加預(yù)定電壓時(shí)足以擊穿的厚度， 以及由此在所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間通過所述鰭片形成未被阻斷的電連接。


為使本發(fā)明能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下圖1為本發(fā)明的實(shí)施例部分完成的集成電路結(jié)構(gòu)的透視示意圖。圖2為本發(fā)明的實(shí)施例部分完成的集成電路結(jié)構(gòu)的透視示意圖。圖3為本發(fā)明的實(shí)施例部分完成的集成電路結(jié)構(gòu)的透視示意圖。圖4為本發(fā)明的實(shí)施例部分完成的集成電路結(jié)構(gòu)的透視示意圖。圖5為本發(fā)明的實(shí)施例部分完成的集成電路結(jié)構(gòu)的透視示意圖。圖6為本發(fā)明的實(shí)施例部分完成的集成電路結(jié)構(gòu)的透視示意圖。圖7為本發(fā)明的實(shí)施例部分完成的集成電路結(jié)構(gòu)的透視示意圖。
圖8為本發(fā)明的實(shí)施例已完成的集成電路結(jié)構(gòu)的透視示意圖。圖9為本發(fā)明的實(shí)施例已完成的集成電路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖10為本發(fā)明的實(shí)施例已完成的集成電路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖11為本發(fā)明的實(shí)施例部分完成的集成電路結(jié)構(gòu)的透視示意圖。圖12為本發(fā)明的實(shí)施例部分完成的集成電路結(jié)構(gòu)的透視示意圖。圖13為本發(fā)明的實(shí)施例部分完成的集成電路結(jié)構(gòu)的透視示意圖。圖14為本發(fā)明的實(shí)施例已完成的集成電路結(jié)構(gòu)的透視示意圖。圖15為本發(fā)明的實(shí)施例已完成的集成電路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖16顯示本發(fā)明的方法實(shí)施例的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式將參考在附圖中示例并在說明中詳述的非限制實(shí)施例更全面地解釋本發(fā)明的實(shí)施例及其各種特征和有利的細(xì)節(jié)。如前文所述，對(duì)陣列修復(fù)或其它非易失性內(nèi)存而言，反熔絲為具有價(jià)值的器件。目前現(xiàn)有技術(shù)的反熔絲典型為電容結(jié)構(gòu)，在編程時(shí)將其斷開。本公開示出一種鰭片型技術(shù)中的反熔絲結(jié)構(gòu)，其利用了低編程電壓的場(chǎng)強(qiáng)化。本實(shí)施例相容于常規(guī)鰭片型場(chǎng)效晶體管 (FinFET)制程，其具有壓縮的尺寸并需要低編程電壓。如圖1-14所示，提供多個(gè)反熔絲結(jié)構(gòu)。圖8和9顯示一個(gè)完成的結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)體 140設(shè)置于絕緣體120上。第一導(dǎo)體140與鰭片104的第一端108通過絕緣體120電絕緣。 第二導(dǎo)體180電連接至導(dǎo)電鰭片104的第二端106。絕緣體120覆蓋于鰭片104的第一端 108。每個(gè)鰭片104具有位于底表面114和頂表面116之間側(cè)面118，且絕緣體120覆蓋鰭片104的第一端108的頂表面116和側(cè)面118。所述第二導(dǎo)體180電連接至鰭片104的第二端106的頂表面116和側(cè)面118。此外，第二導(dǎo)體180和第一導(dǎo)體140包括不同的材料。例如，第一導(dǎo)體140可以是沉積的多晶硅，而第二導(dǎo)體180可以是從所述鰭片104外延生長(zhǎng)的材料。在圖9中更清楚地顯示，絕緣體120具有在第二導(dǎo)體18和第一導(dǎo)體140之間施加預(yù)定的電壓下足以擊穿的厚度(足夠薄)，并由此在第二導(dǎo)體180和第一導(dǎo)體140之間通過鰭片104形成不中斷的電連接。例如，絕緣體120的厚度可為低于鰭片104的高度尺寸 (H)的5%，或低于3%，或甚至低于1%。如圖10中所示，位于鰭片104的第一端108的拐角122的絕緣體120部分為該絕緣體120最易于擊穿的部分。鰭片拐角122的幾何形狀有助于加熱動(dòng)作且促使絕緣體120 擊穿，其降低“熔斷”反熔絲所需的電壓量。通過降低“熔斷”反熔絲所需的電壓量，在此公開的實(shí)施例提供優(yōu)于傳統(tǒng)反熔絲結(jié)構(gòu)的實(shí)質(zhì)優(yōu)點(diǎn)。在圖8和9中示出的結(jié)構(gòu)可根據(jù)任何數(shù)目不同的制程而制造，其中之一圖示于圖 1-9中。如圖1所示，這些結(jié)構(gòu)包括襯底100，其具有上表面102及設(shè)置在襯底100的上表面102上的多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片104。每個(gè)鰭片104具有連接至襯底100的上表面102的底表面114和與該底表面114相對(duì)的頂表面116。每個(gè)鰭片104具有矩菱柱體形狀，其包括與所述上表面102平行的長(zhǎng)度尺寸(L)、與長(zhǎng)度尺寸(L)垂直的高度尺寸(H)以及與長(zhǎng)度尺寸(L)和高度尺寸(H)垂直的寬度尺寸 (W)。長(zhǎng)度尺寸(L)大于高度尺寸(H)，且高度尺寸(H)大于寬度尺寸(W)。鰭片104的長(zhǎng)度尺寸(L)具有第二端106和第一端108。鰭片104可通過使用任何數(shù)目的傳統(tǒng)方法形成于襯底100上。例如，可沉積鰭片材料，在鰭片材料至上形成掩模，并根據(jù)在該掩模中顯影的圖形構(gòu)圖鰭片。相似地，可使用側(cè)壁圖像轉(zhuǎn)移(SIT)制程構(gòu)圖鰭片材料。此制程為本技術(shù)領(lǐng)域中具通常知識(shí)者所熟知，在此并不討論其細(xì)節(jié)(例如，請(qǐng)參閱美國(guó)專利No. 7，265，013更多關(guān)于在襯底上形成鰭片的細(xì)節(jié)，在此通過引用并入其全部公開內(nèi)容)。鰭片104可由導(dǎo)電材料形成，例如金屬、合金、多晶硅等，或者由隨后摻雜雜質(zhì)以形成導(dǎo)體的材料(例如硅)形成。例如，如果鰭片104由未摻雜的硅所形成，摻雜的雜質(zhì)為例如鍺、砷化鎵及碳化硅，以便從第二端106到第一端108之間變?yōu)橥耆珜?dǎo)電。接著，如圖2所示，在鰭片104的所有暴露的表面上形成絕緣體120?？墒褂萌魏我话愕某练e技術(shù)(旋轉(zhuǎn)涂布處理、浸入(immersion)處理等)將絕緣體120沉積在鰭片104 上，或者將絕緣體120生長(zhǎng)在鰭片104上(如氧化物等)。例如，可采用任何柵極絕緣體形成制程以在鰭片104上形成絕緣體120。接著，如圖3所示，一旦形成絕緣體120，在鰭片104的第二端106之上構(gòu)圖諸如任何可容易構(gòu)圖的有機(jī)光致抗蝕劑的掩模130。構(gòu)件130可表示任何形式的掩模，且此掩模為本技術(shù)領(lǐng)域中具通常知識(shí)者所熟知。例如，可在所述結(jié)構(gòu)上沉積有機(jī)光致抗蝕劑，暴露到特定波長(zhǎng)的光，并接著顯影已移除掩模130的選定部分。通過在適當(dāng)位置的掩模130，繼續(xù)進(jìn)行如圖4所示的處理，在位于鰭片104的第一端108之上的絕緣體120上沉積或形成第一導(dǎo)體140。此導(dǎo)體140可包括任何先前所述的導(dǎo)體，且是保形的(confromal)以便其形成并保留在每個(gè)單獨(dú)的鰭片104之間和之上。在一個(gè)實(shí)例中，導(dǎo)體140可包括保形多晶硅。在形成第一導(dǎo)體140后，將掩模130移除，如圖5所示，暴露位于鰭片104的第二半部106上的絕緣體120。接著，如圖6圖所示，施以化學(xué)清洗制程、蝕刻制程等步驟，將絕緣體120從鰭片104的第二端106上移除。移除絕緣體120的制程將依賴于絕緣體120的材料組成。應(yīng)注意的是，絕緣體120仍然保留在鰭片104的第一端108上，并使得導(dǎo)電鰭片 104與第一導(dǎo)體140電絕緣。如圖7所示，接下來鄰近第一導(dǎo)體140形成絕緣側(cè)壁170。應(yīng)注意的是，絕緣側(cè)壁會(huì)形成在第一導(dǎo)體140的所有表面上，而僅有一部分的絕緣側(cè)壁170顯示于圖中，以降低附圖的散亂程度。形成絕緣側(cè)壁的制程為本技術(shù)領(lǐng)域中具通常知識(shí)者所熟知的技術(shù)。簡(jiǎn)言之， 當(dāng)形成側(cè)壁結(jié)構(gòu)時(shí)，將保形材料沉積在結(jié)構(gòu)上，并且以選擇性材料移除制程移除，從水平表面移除此材料的速率高于從垂直表面移除此材料的速率，由此將此材料留在垂直側(cè)壁上。 絕緣側(cè)壁170內(nèi)的絕緣材料可包括任何傳統(tǒng)已知的絕緣體，例如氧化物、氮化物等，或任何先前所述的絕緣體。在圖8中，形成所述第二導(dǎo)體180。此導(dǎo)體可包括任何已知的導(dǎo)體材料(如前文中所述)，且于一個(gè)實(shí)施例中，可從鰭片104的導(dǎo)電材料上通過外延生長(zhǎng)形成該導(dǎo)體。更明確地說，啟動(dòng)外延生長(zhǎng)制程(于適當(dāng)?shù)纳L(zhǎng)環(huán)境下)從鰭片的暴露區(qū)域(未被所述第二導(dǎo)體140或側(cè)壁間隔物160保護(hù)的鰭片104的第二端106)生長(zhǎng)第二導(dǎo)體180。此相同的結(jié)構(gòu)顯示于第9圖中的沿著鰭片104中的一個(gè)的長(zhǎng)度方向(L)的剖面示意圖。應(yīng)注意的是，在圖8和9中，由于導(dǎo)電的路徑已被絕緣側(cè)壁間隔物160和絕緣體120阻斷，因此在第二導(dǎo)體 180和第一導(dǎo)體140之間并不存在導(dǎo)電路徑。如先前所述，圖10顯示在反熔絲被編程或熔斷后，反熔絲結(jié)構(gòu)的示意圖，其中將足夠的電壓施加在所述第二導(dǎo)體180和第一導(dǎo)體140之間以熔斷絕緣體120，由此允許導(dǎo)電路徑形成于所述第二導(dǎo)體180和第一導(dǎo)體140之間。如先前所述，可借著使用數(shù)個(gè)不同的制程步驟以達(dá)到以下所述的最終結(jié)構(gòu)?？商鎿Q的制程之一圖示于圖11-14中。更明確地說，圖11系取自圖6的結(jié)構(gòu)，并且在第一導(dǎo)體 140上形成掩模200 (例如以上所揭露的任何一掩模)。接著，在圖12中，采用以上所述的任何制程步驟形成第二導(dǎo)體180。接著，在圖13中，移除掩模200。如圖13所示，掩模200 覆蓋第一導(dǎo)體140上，足以在第二導(dǎo)體180和第一導(dǎo)體140之間產(chǎn)生間隙。接著，如圖14圖所示，將較大的保形絕緣體230沉積在整個(gè)結(jié)構(gòu)上。在圖15的剖面示意圖可詳細(xì)地看出， 保形絕緣體230避免第二導(dǎo)體180和第一導(dǎo)體140之間的電連接。此熔絲亦可通過相似的方式熔斷或編程，如第10圖所示。如圖16中的流程圖所示，形成反熔絲結(jié)構(gòu)的方法起始于步驟300，通過構(gòu)圖襯底上的多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片。如上文中所述控制此制程步驟，使得每個(gè)鰭片具有矩菱柱體形狀(三維的細(xì)長(zhǎng)方塊形狀)，其包括與襯底的上表面平行的長(zhǎng)度尺寸、與長(zhǎng)度尺寸垂直的高度尺寸，以及與長(zhǎng)度尺寸和高度尺寸垂直的寬度尺寸(W)。此矩菱柱體形狀為薄且細(xì)長(zhǎng)的， 因此長(zhǎng)度尺寸大于高度尺寸，且高度尺寸大于寬度尺寸(W)。寬度尺寸(W)與襯底的上表面接觸，且鰭片的長(zhǎng)度尺寸具有第二端和第一端。在步驟302中，該方法在鰭片上形成絕緣體，并且在步驟304中，在鰭片的“第一” 端之上的絕緣體上形成導(dǎo)體(“第一”導(dǎo)電體)。第一導(dǎo)電體與鰭片結(jié)構(gòu)的第一端通過該絕緣體電絕緣。接著，在步驟306中，該方法從鰭片的第二端移除絕緣體，以暴露鰭片的第二端。在步驟308中，該方法在暴露的鰭片的“第二端”上形成不同的導(dǎo)體(“第二”導(dǎo)電體)。所形成的結(jié)構(gòu)為反熔絲，在進(jìn)行編程或熔斷前為絕緣體，此后變成為永久導(dǎo)體。因此，當(dāng)施加預(yù)定的電壓于該第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間時(shí)，位于第一導(dǎo)電體下方的絕緣體具有足以擊穿的厚度。當(dāng)施加此足夠的“預(yù)定”電壓時(shí)，擊穿此絕緣層會(huì)通過鰭片結(jié)構(gòu)在第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間而形成未被阻斷的電連接。因此，本公開示出用于鰭片技術(shù)的一種反熔絲結(jié)構(gòu)，其利用場(chǎng)增強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)而降低編程電壓。本實(shí)施例與傳統(tǒng)鰭片型場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程兼容，具有壓縮的尺寸，并符合低編程電壓的要求。位于鰭片結(jié)的第一端的拐角的絕緣體的部分為此絕緣體最容易擊穿的部分。該鰭片的拐角的幾何形狀有利于加熱作用，并促使絕緣體擊穿，此降低了熔斷反熔絲所需的電壓量。通過降低熔斷反熔絲所需的電壓量，本實(shí)施例于此提供優(yōu)于傳統(tǒng)反熔絲結(jié)構(gòu)的實(shí)質(zhì)優(yōu)點(diǎn)。以上最終集成電路芯片可依制造者分成原料芯片的形式(亦即，以單一芯片上具有多個(gè)未封裝的芯片)成為裸晶粒、或分成封裝的型式。于后者的情況，此芯片被安裝于單芯片封裝體中(例如具有接腳的塑料載板，其固定于母板或更高階的載板上)或于多芯片封裝體中(例如陶瓷襯底，其具有表面互連或隱埋互連于其一或二個(gè)表面上)。于上述任一情況下，此芯片與其它芯片、分立電路組件、和/或其它信號(hào)處理器件集成而作為(a)中間產(chǎn)品的一部分，例如母板；或者(b)終端產(chǎn)品的一部分。此終端產(chǎn)品可為任何產(chǎn)品，其包括集成電路芯片，其范圍從玩具和其它低階應(yīng)用到先進(jìn)的計(jì)算機(jī)產(chǎn)品，具有顯示器、鍵盤或其它輸入器件、及中央處理器。應(yīng)了解的是，在下文申請(qǐng)專利范圍中對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)、材料、動(dòng)作和所有對(duì)等的器件附加功能或手段附加功能構(gòu)件意欲包含任何結(jié)構(gòu)、材料或結(jié)合其它特定要求保護(hù)的組件以實(shí)施功能的動(dòng)作。此外，應(yīng)了解的是，本發(fā)明的上述公開的目的在于以圖式示范及說明，然其并非用以公開的形式詳盡或限定本發(fā)明的范圍。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的修改與變化。選擇和描述實(shí)施例以最佳地解釋本發(fā)明和實(shí)際應(yīng)用的原理，并且通過具有適于所構(gòu)思的用途的各種修改的各種實(shí)施例而使其它所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者了解本發(fā)明。在上述公開中省略公知的構(gòu)成要素和制程技術(shù)，以不致使本發(fā)明發(fā)生不必要的混淆。最后，亦應(yīng)了解的是，于上述公開中所使用的術(shù)語僅僅為了描述特定實(shí)施例的目的，但非意欲限定本發(fā)明。例如，在此所使用的單數(shù)型式“一”、“一個(gè)”和“這個(gè)”亦應(yīng)包含復(fù)數(shù)的型式，除非于內(nèi)文中做出相反的表述。更有甚者，當(dāng)使用于說明書中時(shí)，在此所使用的詞匯“包括”、“包含”和/或“并入”是說明特征、整數(shù)、步驟、操作、組件和/或構(gòu)成要素的存在狀態(tài)，然并非排除該特征、整數(shù)、步驟、操作、組件、構(gòu)成要素和/或上述任意組合的存在或附加。工業(yè)適用性本發(fā)明適用于制造集成電路器件。
權(quán)利要求
1.一種反熔絲結(jié)構(gòu)，包括 襯底(100)；多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片(104)，設(shè)置在所述襯底上，每個(gè)所述鰭片具有第一端(108)和第二端(106)；絕緣體(120)，覆蓋所述鰭片的所述第一端；第一導(dǎo)體，設(shè)置在所述絕緣體上，所述第一導(dǎo)體與所述鰭片的所述第一端通過所述絕緣體絕緣；以及第二導(dǎo)體(180)，電連接至所述鰭片的所述第二端；所述絕緣體具有在所述第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間施加預(yù)定電壓時(shí)足以擊穿的厚度，以及由此在所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間通過所述鰭片形成未被阻斷的電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣體沿所述鰭片的側(cè)壁(118)和頂部 (116)設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣體的所述厚度包括低于所述鰭片的高度(H)的5%的尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體包括不同的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述第二導(dǎo)體包括從所述鰭片外延生長(zhǎng)的材料。
6.一種反熔絲結(jié)構(gòu)，包括 襯底(100)，具有上表面(102)；多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片(104)，設(shè)置在所述襯底的所述上表面上，每個(gè)所述鰭片具有矩菱柱體形狀，所述矩菱柱體形狀包括與所述上表面平行的長(zhǎng)度尺寸(L)； 與所述長(zhǎng)度尺寸垂直的高度尺寸(H)；以及與所述長(zhǎng)度尺寸和所述高度尺寸垂直的寬度尺寸(W)，所述長(zhǎng)度尺寸大于所述高度尺寸，且所述高度尺寸大于所述寬度尺寸，以及其中所述寬度尺寸與所述襯底的所述上表面接觸，所述鰭片的所述長(zhǎng)度尺寸具有第一端(108)和第二端(106)； 絕緣體(120)，覆蓋所述鰭片的所述第一端；第一導(dǎo)體(140)，設(shè)置在所述絕緣體上，所述第一導(dǎo)體與所述鰭片的所述第一端通過所述絕緣體絕緣；以及第二導(dǎo)體(180)，電連接至所述鰭片的所述第二端；所述絕緣體具有在所述第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間施加預(yù)定電壓時(shí)足以擊穿的厚度，以及由此在所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間通過所述鰭片形成未被阻斷的電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣體沿所述鰭片的側(cè)壁(118)和頂部 (116)設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求16的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣體的所述厚度包括低于所述鰭片的高度尺寸的5%的尺寸。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體包括不同的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述第二導(dǎo)體包括從所述鰭片外延生長(zhǎng)的材料。
11.一種反熔絲結(jié)構(gòu)，包括 襯底(100)，具有上表面(102)；多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片(104)，設(shè)置在所述襯底的所述上表面上，每個(gè)所述鰭片具有矩菱柱體形狀，所述矩菱柱體形狀包括與所述上表面平行的長(zhǎng)度尺寸(L)； 與所述長(zhǎng)度尺寸垂直的高度尺寸(H)；以及與所述長(zhǎng)度尺寸和所述高度尺寸垂直的寬度尺寸(W)，所述長(zhǎng)度尺寸大于所述高度尺寸，且所述高度尺寸大于所述寬度尺寸，以及所述鰭片的所述長(zhǎng)度尺寸具有第一端(108) 和第二端(106)，每個(gè)所述鰭片具有連接至所述襯底的上表面的底表面(114)和與所述底表面相對(duì)的頂表面(116)；絕緣體(120)，覆蓋所述鰭片的所述第一端，每個(gè)所述鰭片具有在所述底表面和所述頂表面之間的側(cè)面(118)，所述絕緣體覆蓋所述鰭片的所述第一端的所述頂表面和所述側(cè)面；第一導(dǎo)體(140)，設(shè)置在所述絕緣體上，所述第一導(dǎo)體與所述鰭片的所述第一端通過所述絕緣體絕緣；以及第二導(dǎo)體(180)，電連接至所述鰭片的所述第二端，所述第二導(dǎo)體電連接至所述鰭片的所述第二端的所述頂表面；所述絕緣體具有在所述第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間施加預(yù)定電壓時(shí)足以擊穿的厚度，以及由此在所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間通過所述鰭片形成未被阻斷的電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣體沿所述鰭片的側(cè)壁(118)和頂部 (116)設(shè)置。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣體的所述厚度包括低于所述鰭片的高度尺寸的5%的尺寸。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體包括不同的材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中所述第二導(dǎo)體包括從所述鰭片外延生長(zhǎng)的材料。
16.一種形成反熔絲結(jié)構(gòu)的方法，包括構(gòu)圖襯底(100)上的多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片(104)，每個(gè)鰭片具有第一端(108)和第二端 (106)；在所述鰭片上形成絕緣體(120)；在所述鰭片的所述第一端之上的所述絕緣體上形成第一導(dǎo)體(140)，所述第一導(dǎo)體與所述鰭片的所述第一端通過所述絕緣體絕緣；從所述鰭片的所述第二端移除所述絕緣體，以暴露所述鰭片的所述第二端；以及在所述鰭片的所述第二端上形成第二導(dǎo)體(180)；所述絕緣體具有在所述第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間施加預(yù)定電壓時(shí)足以擊穿的厚度，以及由此在所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間通過所述鰭片形成未被阻斷的電連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中形成所述絕緣體包括沿所述鰭片的側(cè)壁(118)和頂部(116)設(shè)置所述絕緣。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中形成所述絕緣體包括將所述絕緣體形成到低于所述鰭片的高度(H)的5%的厚度尺寸的制程。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中形成所述第二導(dǎo)體和形成所述第一導(dǎo)體包括使用不同的材料的制程。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中形成所述第二導(dǎo)體包括從所述鰭片外延生長(zhǎng)所述第二導(dǎo)體。
21.—種形成反熔絲結(jié)構(gòu)的方法，包括構(gòu)圖襯底(100)上的多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片(104)，以便每個(gè)所述鰭片具有矩菱柱體形狀，所述矩菱柱體形狀包括與上表面平行的長(zhǎng)度尺寸(L)； 與所述長(zhǎng)度尺寸垂直的高度尺寸(H)；以及與所述長(zhǎng)度尺寸和所述高度尺寸垂直的寬度尺寸(W)，所述長(zhǎng)度尺寸大于所述高度尺寸，且所述高度尺寸大于所述寬度尺寸，以及其中所述寬度尺寸與所述襯底的所述上表面接觸，所述鰭片的所述長(zhǎng)度尺寸具有第一端(108)和第二端(106)； 在所述鰭片上形成絕緣體(120)；在所述鰭片的所述第一端之上的所述絕緣體上形成第一導(dǎo)體(140)，所述第一導(dǎo)體與所述鰭片的所述第一端通過所述絕緣體絕緣；從所述鰭片的所述第二端移除所述絕緣體，以暴露所述鰭片的所述第二端；以及在所述鰭片的所述第二端上形成第二導(dǎo)體(180)；所述絕緣體具有在所述第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間施加預(yù)定電壓時(shí)足以擊穿的厚度，以及由此在所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間通過所述鰭片形成未被阻斷的電連接。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中形成所述絕緣體包括沿所述鰭片的側(cè)壁(118)和頂部(116)設(shè)置所述絕緣。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中形成所述絕緣體包括將所述絕緣體形成到低于所述鰭片的高度(H)的5%的厚度尺寸的制程。
24.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中形成所述第二導(dǎo)體和形成所述第一導(dǎo)體包括使用不同的材料的制程。
25.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中形成所述第二導(dǎo)體包括從所述鰭片外延生長(zhǎng)所述第二導(dǎo)體。
全文摘要
一種方法形成反熔絲結(jié)構(gòu)，其包括設(shè)置在襯底上的多個(gè)平行的導(dǎo)電鰭片，每個(gè)鰭片具有第一端和第二端。第二導(dǎo)體電連接至所述鰭片的第二端。絕緣體覆蓋所述鰭片的第一端，以及第一導(dǎo)體設(shè)置在所述絕緣體上。所述第一導(dǎo)體與所述鰭片的所述第一端通過所述絕緣體絕緣。所述絕緣體被形成到當(dāng)在所述第二導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間施加預(yù)定的電壓時(shí)足以擊穿的厚度，且由此在所述第二導(dǎo)體和第一導(dǎo)體之間通過所述鰭片形成未被阻斷的電連接。
文檔編號(hào)H01L23/62GK102473699SQ201080034271
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月10日
發(fā)明者C·科塔達(dá)拉曼, R·A·布斯, 程慷果 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司