專利名稱：圓片清洗方法
圓片清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝，特別涉及一種圓片清洗方法。背景技術(shù)：
半導(dǎo)體工藝中，需要采用蝕刻液對圓片進行清洗，以去除干法蝕刻后殘留的多聚物(PL0YMER)，一般采用有機胺堿溶劑EKC進行清洗。然而該工序完成后有時會出現(xiàn)圓片晶背發(fā)花的嚴(yán)重異?，F(xiàn)象，且晶背異常圖形主要含有多種機器手臂形狀。

發(fā)明內(nèi)容基于此，有必要提供一種圓片清洗方法，減少圓片晶背產(chǎn)生缺陷。一種圓片清洗方法，包括以下步驟檢測相鄰兩次蝕刻液換液之間的時間間隔是否大于等于預(yù)設(shè)時間，若是，則采用蝕刻液對圓片進行清洗。優(yōu)選地，所述方法還包括步驟當(dāng)檢測所述時間間隔小于預(yù)設(shè)時間時，繼續(xù)進行檢測。優(yōu)選地，所述蝕刻液為有機胺堿溶劑。優(yōu)選地，所述有機胺堿溶劑為EKC270，所述預(yù)設(shè)時間為4小時。優(yōu)選地，所述圓片包括通孔層、金屬層和焊盤層，所述蝕刻液對圓片進行清洗的具體步驟包括采用蝕刻液清洗所述通孔層。優(yōu)選地，所述清洗通孔層的時間為40分鐘。優(yōu)選地，所述蝕刻液對圓片進行清洗的具體步驟包括采用蝕刻液清洗所述金屬層。優(yōu)選地，所述清洗金屬層的時間為20分鐘。優(yōu)選地，所述蝕刻液對圓片進行清洗的具體步驟包括采用蝕刻液清洗所述焊盤層。優(yōu)選地，所述清洗焊盤層的時間為40分鐘。上述圓片清洗方法，預(yù)先檢測相鄰兩次蝕刻液換液之間的時間間隔是否大于等于預(yù)設(shè)時間，若是，則采用蝕刻液對圓片進行清洗，避免了剛換蝕刻液對圓片背面的多晶硅介質(zhì)層過腐蝕，而導(dǎo)致晶背發(fā)花。工藝流程簡單，不需要更換或優(yōu)化設(shè)備，不會增加成本。

圖1為一個實施例中圓片清洗方法流程圖；圖2為一個實施例中EKC270對多晶硅介質(zhì)的蝕刻速率示意圖；圖3為一個實施例中EKC270對氧化層的蝕刻速率示意圖；圖4為一個實施例中EKC270對含氧化層的多晶硅介質(zhì)清洗的狀態(tài)示意圖。
具體實施方式如圖1所示，一種圓片清洗方法，包括以下步驟步驟S10，檢測相鄰兩次蝕刻液換液之間的時間間隔是否大于等于預(yù)設(shè)時間，若是，則執(zhí)行步驟S20，若否，則繼續(xù)檢測。即在進行傳統(tǒng)的蝕刻液清洗步驟S20前增加步驟 SlO0該預(yù)設(shè)時間是根據(jù)蝕刻液對圓片的蝕刻速率的實驗結(jié)果設(shè)定。以DuPont Electronic Technologies公司下屬的EKC Technology公司生產(chǎn)的EKC270為蝕刻液，則該預(yù)設(shè)時間根據(jù)實驗結(jié)果為4小時，該時間可有適當(dāng)?shù)钠睢Ａ硗?，蝕刻液的生命周期(life time)為相鄰兩次蝕刻液換液的時間間隔，可預(yù)先設(shè)定。一般圓片在蝕刻液清洗后，在其圓片的晶背表面會留下發(fā)花，晶背包括多晶硅介質(zhì)(U-PLOY)和氧化層(OXIDE)介質(zhì)。如圖2所示，實驗表明，當(dāng)距上次EKC270 (65°C 75°C )的換液的時間小于4小時時，即相鄰兩次EKC270換液之間的時間間隔小于4小時時，對多晶硅介質(zhì)的腐蝕速率快且均一性差，隨著距上次EKC270的換液的時間的增加，EKC270對多晶硅介質(zhì)的腐蝕速率逐漸降低，當(dāng)距上次EKC270的換液的時間大于等于4小時時，腐蝕速率約為0.35人/min,這樣腐蝕速率較慢，且相對穩(wěn)定，腐蝕均一性較好，不易形成晶背的發(fā)花，減少了晶背缺陷的出現(xiàn)。EKC270的成分包括胺基有機物(R-NH2)，異丙醇胺(MIPA)，椰油酰胺(MEA)，二乙二醇胺(DGA)，己二胺(HDA)，鄰苯二酚(Catechol)和水(H2O)。EKC270對多晶硅介質(zhì)具有腐蝕反應(yīng)，腐蝕的速率取決于水的含量，如表1，水的含量越高，則EKC270對多晶硅介質(zhì)腐蝕速率越快。表權(quán)利要求
1.一種圓片清洗方法，包括以下步驟 檢測相鄰兩次蝕刻液換液之間的時間間隔；在所述時間間隔大于等于預(yù)設(shè)時間時，采用蝕刻液對圓片進行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述方法還包括步驟當(dāng)所述時間間隔小于預(yù)設(shè)時間時，繼續(xù)進行檢測。
3.根據(jù)權(quán)利1或2所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述蝕刻液為有機胺堿溶劑。
4.根據(jù)權(quán)利3所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述有機胺堿溶劑為EKC270，所述預(yù)設(shè)時間為4小時。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述圓片包括通孔層、金屬層和焊盤層，所述蝕刻液對圓片進行清洗的具體步驟包括采用蝕刻液清洗所述通孔層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述清洗通孔層的時間為40分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述蝕刻液對圓片進行清洗的具體步驟包括采用蝕刻液清洗所述金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述清洗金屬層的時間為20分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述蝕刻液對圓片進行清洗的具體步驟包括采用蝕刻液清洗所述焊盤層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述清洗焊盤層的時間為40分鐘。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種圓片清洗方法，包括以下步驟檢測相鄰兩次蝕刻液換液之間的時間間隔是否大于等于預(yù)設(shè)時間，若是，則采用蝕刻液對圓片進行清洗。上述圓片清洗方法，預(yù)先檢測時間間隔是否大于等于預(yù)設(shè)時間，若是，則采用蝕刻液對圓片進行清洗，避免了剛換蝕刻液對圓片背面的多晶硅介質(zhì)層過腐蝕，而導(dǎo)致晶背發(fā)花。工藝流程簡單，不需要更換或優(yōu)化設(shè)備，不會增加成本。
文檔編號H01L21/02GK102468126SQ20101053394
公開日2012年5月23日 申請日期2010年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月5日
發(fā)明者劉金慧, 吳貴財, 張蔚, 王盼磊 申請人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司