專(zhuān)利名稱(chēng)：具有光學(xué)高密度材料涂層襯底的發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光器件，具體而言，本發(fā)明涉及具有光學(xué)高密度材料涂層的襯底以增強(qiáng)光輸出的發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
最近，由于技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的優(yōu)勢(shì)，固體光源如發(fā)光二極管(LEDs)正在逐漸取代傳統(tǒng)光源。不像傳統(tǒng)光源，固體光源在固體材料中產(chǎn)生光，這些固體材料的折射率η通常大于 2，比空氣和自由空間的折射率(η等于1)大很多。例如在以氮化鎵為基礎(chǔ)的可見(jiàn)光二極管中，根據(jù)銦的組分，發(fā)光介質(zhì)銦鎵氮在可見(jiàn)光譜里的折射率大于2. 46。這意味著在銦鎵氮中產(chǎn)生的光，在全反射和與其相關(guān)的由臨界角定義的出射錐體的物理限制下，只有一小部分可以從光學(xué)高密度介質(zhì)射出到自由空間。對(duì)于傳統(tǒng)的薄層氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，如果沒(méi)有采用任何改進(jìn)光輸出的措施，銦鎵氮中所產(chǎn)生的光只有約8%會(huì)射出到自由空間。鑒于此，現(xiàn)有技術(shù)引入一些改進(jìn)方法，像表面粗化(例如美國(guó)專(zhuān)利7，422，962， 7，355，210，目的在于降低全反射)，重塑LED芯片側(cè)壁(例如美國(guó)專(zhuān)利7，652，299, 6，229，160，目的在于增加光出射錐體的數(shù)目)，和置入光子晶粒(例如美國(guó)專(zhuān)利 5，955，749，7，166，870，7，615，398，7，173，289，7，642，108，7，652，295，7，250，635，目的在于增強(qiáng)特定波長(zhǎng)的自發(fā)光效率和光輸出)。除此之外，另一個(gè)眾所周知的增強(qiáng)光從光學(xué)高密度介質(zhì)向光學(xué)低密度介質(zhì)輸出效率的方法，就是插入一個(gè)折射率漸變(簡(jiǎn)稱(chēng)GRIN)層。在現(xiàn)有技術(shù)中，GRIN層的平均折射率小于光學(xué)高密度介質(zhì)的折射率，但是大于光學(xué)低密度介質(zhì)的折射率。并且它的折射率在從光學(xué)高密度介質(zhì)到光學(xué)低密度介質(zhì)的方向上逐漸遞減， 因此在相鄰層之間可以得到較大的光出射臨界角。美國(guó)專(zhuān)利7，483，212給出了一個(gè)GRIN 設(shè)計(jì)的示例。同時(shí)，在現(xiàn)有的LED中，光主要是從一個(gè)表面射出。射向襯底的光通常被淀積在襯底上面或背面的反射鏡反射回上表面?；蛘撸鎿Q地，在倒裝LED中，射向P電極的光被反射性P電極反射回來(lái)而射出芯片。在現(xiàn)有技術(shù)中已有在襯底上制作反射鏡的方法，如美國(guó)專(zhuān)利7，119，375和6，861，281。對(duì)于反射P電極的制作方法則見(jiàn)于美國(guó)專(zhuān)利7，714，340。另外，美國(guó)專(zhuān)利7，687，813中還有封裝設(shè)計(jì)，以使光不只從一個(gè)主出射面射出，還可以從平行于LED外延層所在平面的方向射出到自由空間。在現(xiàn)有GRIN方法中，如美國(guó)專(zhuān)利7，483，212，根據(jù)斯耐爾定律(Snel 1，slaw)，通過(guò)在光傳輸方向上逐漸降低折射率，可以使得光的入射角小于臨界角，以避免全反射。這個(gè)方法通常涉及四個(gè)以上的光交界面，以得到所需發(fā)光效率，從而導(dǎo)致制作工藝復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明引進(jìn)一種新的方法，來(lái)增強(qiáng)長(zhǎng)在透明襯底上的發(fā)光器件的光輸出，并且只需兩個(gè)交界面就可以增加出光效率。本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種增強(qiáng)固體發(fā)光器件發(fā)光效率的方法。在一些實(shí)施例中，發(fā)光器件的發(fā)光表面被涂覆一透明光學(xué)高密度材料層，或者與一個(gè)透明光學(xué)高密度材料層相接觸。該光學(xué)高密度材料層的折射率比固體發(fā)光器件的發(fā)光面的折射率至少高 10%。適當(dāng)選擇光學(xué)高密度材料和發(fā)光面的折射率之差，以使所有的光從發(fā)光面射入到光學(xué)高密度材料中，除了不可避免的弗雷斯耐爾損失(Fresnel loss，反射損失)所損失的光。通過(guò)光學(xué)高密度材料層表面的幾何設(shè)計(jì)，將光學(xué)高密度材料層中的光進(jìn)一步射入到自由空間或封裝介質(zhì)中。本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種發(fā)光器件，其包括透明襯底和淀積在襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中發(fā)光結(jié)構(gòu)的光學(xué)密度高于襯底，另外，在襯底背面覆蓋一個(gè)光學(xué)高密度材料層。 該光學(xué)高密度材料層可以具有圖形或粗化表面。襯底的背面也可以具有圖形或粗化。本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種發(fā)光器件，其包括透明襯底和淀積在襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中發(fā)光結(jié)構(gòu)的光學(xué)密度高于襯底，與發(fā)光結(jié)構(gòu)相反的襯底的背面與一個(gè)適當(dāng)形狀的光學(xué)高密度材料相粘接以提高發(fā)光效率。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，發(fā)光效率增強(qiáng)的發(fā)光器件包括透明襯底和淀積在襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中發(fā)光結(jié)構(gòu)的光學(xué)密度高于襯底，在襯底背面覆蓋一層適當(dāng)形狀的光學(xué)高密度材料以增強(qiáng)發(fā)光效率。發(fā)光器件還進(jìn)一步包括一個(gè)具有優(yōu)化的內(nèi)反射鏡的光學(xué)元件或封裝件，以收集從發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光表面出射的光。發(fā)光結(jié)構(gòu)、襯底和光學(xué)高密度材料內(nèi)置于光學(xué)元件或封裝件中。光從發(fā)光結(jié)構(gòu)以垂直于發(fā)光結(jié)構(gòu)的外延層平面的方向射向自由空間。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，發(fā)光器件包括透明襯底，該透明襯底具有第一面和相對(duì)第二面；淀積于襯底的第一面之上的發(fā)光結(jié)構(gòu)；形成于襯底的相對(duì)第二面上的透明層，其中襯底的第二面被粗化，而透明層的折射率大于襯底的折射率。透明層的折射率比襯底的優(yōu)選至少大5%或10%。襯底第二面的粗化均方根值優(yōu)選大于50納米。優(yōu)選透明層表面的粗化均方根值大于50納米，并且優(yōu)選由選自包括ITO、SiNx, GaN, AlGaN, A1N、InAlGaN, &ι0、金剛石、Ti02或SiC的組中的材料制成。優(yōu)選透明層由ITO制成及襯底由藍(lán)寶石制成。 透明層可以具有錐體形狀的表面，并被粘結(jié)于襯底的第二面。優(yōu)選在襯底的側(cè)壁也形成有透明層。根據(jù)本發(fā)明另一方面，發(fā)光器件包括具有反射傾斜側(cè)壁和發(fā)光表面的封裝杯體， 以及包裹在封裝杯體封裝介質(zhì)中的發(fā)光二極管(LED)，該LED包括透明襯底、在襯底第一面上形成的發(fā)光結(jié)構(gòu)和在襯底第二面上形成的透明層，其中反射傾斜側(cè)壁具有位于封裝杯體的中心區(qū)域的第一部分和位于封裝杯體的周邊區(qū)域的第二部分，反射傾斜側(cè)壁的第一部分將從透明層發(fā)出的光反射到反射傾斜側(cè)壁的第二部分，然后第二部分進(jìn)一步將接收的光反射到封裝杯體的發(fā)光表面。反射傾斜側(cè)壁的第一部分優(yōu)選具有錐體形狀或截去頂端的錐體形狀。從透明層發(fā)出的光線(xiàn)與第一部分的反射傾斜側(cè)壁優(yōu)選成45度角。反射傾斜側(cè)壁的第二部分優(yōu)選具有翻轉(zhuǎn)的截去頂端的錐體形狀。從LED側(cè)壁出射的光線(xiàn)與第二部分的反射傾斜側(cè)壁優(yōu)選成45度角。


所附各圖是用來(lái)幫助進(jìn)一步理解本發(fā)明，被結(jié)合入本發(fā)明且是本發(fā)明的一部分， 用以說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，并與下列說(shuō)明一起來(lái)闡明本發(fā)明的宗旨。圖中相同數(shù)字在全文中代表相同部件，以及一個(gè)層可以代表具有相同功能的一組層，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LED的剖面示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LED的剖面示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LED的剖面示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LED的剖面示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的封裝LED的剖面示意圖；以及圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的封裝LED的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LED器件的剖面示意圖，其中在襯底10上形成LED結(jié)構(gòu)1，該襯底10對(duì)于LED結(jié)構(gòu)1所產(chǎn)生的光是透明的。在以GaN為基礎(chǔ)的LED中，襯底10 優(yōu)選是藍(lán)寶石、氮化鎵、氮化鋁、銦鋁鎵氮、碳化硅、氧化鋅及類(lèi)似材料。LED結(jié)構(gòu)1可以是任何傳統(tǒng)的已知LED結(jié)構(gòu)。圖1中的LED結(jié)構(gòu)1包括在襯底10上形成的N型層20、P型層40 和夾在N型層20和P型層40之間的發(fā)光層30。在P型層40上形成透明電流擴(kuò)展層42。 通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)光刻腐蝕工藝，在N型層20上形成陰極接觸墊51，及在電流擴(kuò)展層42上形成陽(yáng)極接觸墊52。發(fā)光層30可以是單個(gè)hGaN層或GaN/InGaN多量子井層(MQW)，而N型層20 和P型層40可以分別是硅摻雜和鎂摻雜的氮化鎵層。透明電流擴(kuò)展層42可以由金屬氧化物如ITO或ZnO制成。在襯底10的背面和側(cè)壁形成透明層18。透明層18的材料由折射率高于襯底10的光學(xué)高密度材料制成，這意味著透明層18的折射率(η)大于襯底10的折射率，以消除從層30射向襯底10的光線(xiàn)在透明層18和襯底10界面處的全反射。襯底10的折射率(nsub)與層18的折射率(Iitran)之差可大于5 % (也就是(Htran-Hsub) Aisub彡5 % )，如大于10%。在一些實(shí)施例例中，襯底10是藍(lán)寶石(n = 1.76)，則透明層18的材料可以從 ITO (n = 2. 1) ,SiNx (η = 2. 1-2. 3) ,GaN (η = 2. 46) ,AlGaN (η = 2. 2-2. 46) ,AlN (η = 2· 2)、 InAlGaN, ZnO (η = 2. 05)、金剛石(η = 2. 4)、TiO2 (η = 2. 5)、SiC (η = 2. 7)及類(lèi)似材料中選擇。透明層18的表面優(yōu)選粗化或圖形化、紋理化，使得光在從層18萃取到封裝介質(zhì)并進(jìn)入環(huán)境時(shí)具有最小的全內(nèi)反射。根據(jù)層18和封裝介質(zhì)的折射率之差，在用表面測(cè)量工具如原子力顯微鏡測(cè)量時(shí)，粗化的RMS (均方根)值要不低于50納米，不低于200納米更好，優(yōu)選在200到300納米之間，或可達(dá)到500納米。層18粗化表面的微觀(guān)特征優(yōu)選是微型金字塔或錐體?？梢栽谝r底10上形成LED結(jié)構(gòu)1之前或之后形成層18，其可以通過(guò)電子束淀積、濺射或化學(xué)氣相淀積的方法形成。在一個(gè)實(shí)施例中，首先，通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)蒸汽淀積 (MOCVD)在襯底10上形成LED結(jié)構(gòu)1。然后用光刻膠膜保護(hù)LED結(jié)構(gòu)1，襯底10的其它部分，包括背面和側(cè)壁，置于在電子束淀積腔中暴露在ITO氣體里一個(gè)預(yù)定時(shí)間間隔。層18 的表面粗化可以通過(guò)濕法化學(xué)腐蝕或離子耦合干法腐蝕用預(yù)設(shè)圖形掩膜而得到。在另一個(gè)實(shí)施例中，層18可以在襯底上形成LED結(jié)構(gòu)1之前形成。在這種情況下，將襯底10裝進(jìn)金屬有機(jī)化學(xué)蒸汽淀積反應(yīng)器中，將其背面朝向進(jìn)入的反應(yīng)物，而用于外延生長(zhǎng)的表面(也就是前面)朝下。通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)慕饘儆袡C(jī)物的流速，層18如GaN或 AlGaN或AlN層可以淀積在襯底10的背面。通過(guò)淀積溫度和時(shí)間可以控制層18的粗化。 優(yōu)選淀積溫度在400-1100攝氏度之間，在500-1000攝氏度之間更好，優(yōu)選在600-800攝氏度之間，以在襯底10的背面上得到粗化氮化物膜。層18具有大于LED結(jié)構(gòu)1的發(fā)光波長(zhǎng)的厚度。層18的厚度一般大于0. 2微米， 優(yōu)選大于0. 5微米，例如在0. 4-2. 0微米之間。在上述實(shí)施例中，N型層20生長(zhǎng)在襯底10上。替換地，可以在襯底10上生長(zhǎng)P型層，然后順序地形成發(fā)光層和N型層。在另一個(gè)實(shí)施例中，層18可以由如圖2中所示的具有一定形狀的透明材料體18’ 代替。透明材料體18’可以由&ι0、藍(lán)寶石、SiC、GaN及折射率高于襯底10的類(lèi)似材料制成。其表面優(yōu)選粗化，以增強(qiáng)發(fā)光效率。透明材料體18’的形狀優(yōu)選是金字塔或錐體。透
明材料體18’的底面和傾斜面之間形成的角度188優(yōu)選不小于(I-化)，或者不大于θ。，其
中θ。是光線(xiàn)從透明材料體18’射向其封裝介質(zhì)的臨界角。透明材料體18’也可以是半球體形狀或其它類(lèi)似形狀。透明材料體18’是用粘合劑如環(huán)氧膠粘在襯底10的背面。在另一實(shí)施例中，襯底10和層18之間的界面也被粗化以具有改善的發(fā)光效率，如圖3示意地所示。襯底10的背面可以用任何已知的傳統(tǒng)方法來(lái)粗化。圖4示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的倒裝LED裝置。該LED芯片類(lèi)似于圖1中的LED 結(jié)構(gòu)，被倒裝在透明基座13上，該透明基座可以從如玻璃、石英、藍(lán)寶石、透明塑料及類(lèi)似材料的組中選擇。在基座13上形成的金屬電極墊對(duì)133和134，通過(guò)頂部電極墊和焊錫或金球凸點(diǎn)60與LED芯片電連接，及通過(guò)底部電極墊提供和外部電源的連接。如圖4所示， 電極墊對(duì)133和134中的墊分別通過(guò)填充有金屬的通孔相連。襯底10被表面粗化的光學(xué)高密度透明層18覆蓋，而透明導(dǎo)電層42也優(yōu)選具有粗化或紋理化表面。整個(gè)芯片，包括基座和LED芯片之間的空隙，在最后的封裝過(guò)程都被封裝硅膠或環(huán)氧膠封起，以獲得改善的發(fā)光效率。上面公開(kāi)的實(shí)施例通過(guò)至少兩個(gè)主表面發(fā)射光。圖5和圖6公開(kāi)兩種封裝設(shè)計(jì)， 以收集從發(fā)光層產(chǎn)生的光，然后將光從封裝100和200的光發(fā)射表面沿著箭頭所指方向傳送出。封裝100、200分別包括根據(jù)本發(fā)明的LED芯片2或任何具有透明襯底的傳統(tǒng)LED芯片、封裝介質(zhì)80、電極支架90和芯片封裝杯體75。在封裝100中，封裝在芯片封裝杯體75 里的本發(fā)明的LED芯片2被封裝介質(zhì)80如硅膠或環(huán)氧膠所包圍。LED芯片2的陰極51和陽(yáng)極52分別通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)511和522與電極支架90相連。芯片封裝杯體75可以由鋁制成，其帶有用于光反射的拋光內(nèi)表面。封裝杯體75也可以由塑料材料制成，其帶有用于光反射的鍍鋁或銀內(nèi)表面。在芯片封裝杯體75里形成的封裝介質(zhì)80有一個(gè)發(fā)光表面801。芯片封裝杯體75有傾斜反射側(cè)壁70。傾斜反射側(cè)壁70可以具有任何合適的形狀，以將從LED 芯片2發(fā)出的光通過(guò)傾斜反射側(cè)壁70反射到發(fā)光表面801，而不是返回到LED芯片2。在圖.5和6的剖面圖中，在芯片封裝杯體75下部的傾斜反射側(cè)壁70具有一個(gè)“W”形狀，以將從LED芯片2產(chǎn)生的光沿著與LED芯片2發(fā)光表面垂直的方向向上反射到發(fā)光表面801。 圖5和圖6中，傾斜側(cè)壁70在“W”形狀的不同部分相當(dāng)于一個(gè)傾斜直線(xiàn)，如果需要，也可以在“W”的不同部分采用凸起或凹陷的曲線(xiàn)形狀，以聚集或岔開(kāi)射向發(fā)光表面801的光。選擇“W”形狀三個(gè)頂點(diǎn)處的封裝杯體75的傾斜反射側(cè)壁70的頂角α和β，以確保LED芯片 2的光被傾斜反射側(cè)壁70反射向發(fā)光表面801，而不是返回到LED芯片2。例如，頂角α和 β可以分別在90度附近。
總的來(lái)說(shuō)，傾斜反射側(cè)壁70可以包括兩個(gè)部分，第一部分是在中心區(qū)域(如圖5 和圖6所示“W”形傾斜反射側(cè)壁70的中心部分)，第二部分是在周?chē)鷧^(qū)域(如圖5和圖6 所示“W”形傾斜反射側(cè)壁70的外圍部分)。傾斜反射側(cè)壁70的第一部分將LED芯片2背面的發(fā)出光反射到傾斜反射側(cè)壁70的第二部分，而第二部分則進(jìn)一步將光反射到發(fā)光表面801，如圖5和6中箭頭所示。為了更好地反射和傳輸來(lái)自L(fǎng)ED芯片2背面的光，LED芯片2優(yōu)選安放在傾斜反射側(cè)壁70的第一部分之上且在其范圍內(nèi)，這樣從LED芯片2的背側(cè)豎直向下發(fā)射的光將落在傾斜反射側(cè)壁70的第一部分的邊界之內(nèi)。從透明層18發(fā)出射的光線(xiàn)與第一部分的傾斜反射側(cè)壁70之間的角度α ！優(yōu)選在45度左右。從LED芯片2側(cè)壁發(fā)射的光線(xiàn)與第二部分的傾斜反射側(cè)壁70之間的角度β工也優(yōu)選在45度左右。角度Ql、 βρ α和β可以為任何值，只要光能從LED芯片2被有效地反射和傳輸?shù)桨l(fā)光表面801。 芯片封裝杯體75和傾斜反射側(cè)壁70可以具有任何合適的形狀，只要從LED芯片2發(fā)出的光能被有效地反射和傳輸?shù)桨l(fā)光表面801。例如，傾斜反射側(cè)壁70可以具有位于中心的錐體形或金字塔形第一部分，以將LED芯片2背面的光反射到位于周?chē)鷧^(qū)域的倒置的截去頂端的錐體形或倒置的截去頂端的金字塔形的第二部分，然后該倒置的截去頂端的圓錐體形的第二部分再將光反射到發(fā)光表面801。優(yōu)選是傾斜反射側(cè)壁70的第二部分也可以直接將從LED芯片2側(cè)壁橫向射出的光反射到發(fā)光表面801。在圖5中，封裝杯體75的中心區(qū)域的傾斜反射側(cè)壁的第一部分沒(méi)有直接與LED芯片2背面的透明層18相接觸。在圖6中，傾斜反射側(cè)壁70具有截去頂端的錐體形或截去頂端的金字塔形的第一部分，并且LED芯片2位于傾斜反射側(cè)壁70第一部分的頂部。否則， 圖6中結(jié)構(gòu)就與圖5中的結(jié)構(gòu)相同。本發(fā)明用上述示例性實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明。然而，可以理解，本發(fā)明的范圍并不局限在上述公開(kāi)的實(shí)施例，也包括各種變型、類(lèi)似結(jié)構(gòu)或等同物。因此，應(yīng)該給予權(quán)利要求書(shū)的范圍以最寬的解釋以便涵蓋所有變型或類(lèi)似結(jié)構(gòu)或等同物。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括透明襯底，其具有第一表面和相對(duì)的第二表面；在所述襯底的第一表面上形成的發(fā)光結(jié)構(gòu)；及在所述襯底的相對(duì)第二表面上形成的透明層，其中所述襯底的第二表面可以被粗化， 并且所述透明層的折射率高于所述襯底的折射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光器件，其中所述透明層的折射率高于所述襯底的折射率至少5%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光器件，其中透明層的折射率高于所述襯底的折射率至少 10%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光器件，其中襯底的第二表面被粗化以具有均方根大于50納米的粗化均方根值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光器件，其中所述透明層表面被粗化以具有均方根大于50納米的粗化均方根值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光器件，其中在所述襯底第二表面上淀積所述透明層，所述透明層由選自包括ITO、SiNx、GaN、AlGaN、AlN、ZnO、金剛石、TiO2或SiC的組的材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6中的發(fā)光器件，其中所述透明層由ITO制成，而所述襯底由藍(lán)寶石、 A1N、GaN 或 InAlGaN 制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光器件，其中所述透明層具有錐體形表面，并被粘接在所述襯底的第二表面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光器件，在襯底的側(cè)壁上也形成透明層。
10.一種發(fā)光器件，包括具有一定形狀的封裝杯體，其具有傾斜反射側(cè)壁和發(fā)光表面；和被封裝介質(zhì)包裹在該封裝杯體內(nèi)的發(fā)光二極管(LED)，該LED包括透明襯底、在該襯底的第一表面上形成的發(fā)光結(jié)構(gòu)和在該襯底的第二表面上形成的透明層；其中所述傾斜反射側(cè)壁具有在該封裝杯體的中心區(qū)域的第一部分和在該封裝杯體的周?chē)鷧^(qū)域的第二部分，所述傾斜反射側(cè)壁的第一部分將從該透明層發(fā)出的光反射到所述傾斜反射側(cè)壁的第二部分，然后該第二部分再將光進(jìn)一步反射到該封裝杯體的發(fā)光表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10中的發(fā)光器件，其中所述傾斜反射側(cè)壁的第一部分具有圓錐體形狀或截去頂端的圓錐體形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求10中的發(fā)光器件，其中從所述透明層發(fā)出的光線(xiàn)與所述第一部分傾斜反射側(cè)壁之間成大約45度角。
13.根據(jù)權(quán)利要求10中的發(fā)光器件，其中所述傾斜反射側(cè)壁的第二部分具有倒置的截去頂端的圓錐體形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求10中的發(fā)光器件，其中從該LED的前側(cè)發(fā)射的光線(xiàn)與所述第二部分傾斜反射側(cè)壁之間成大約45度角。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有光學(xué)高密度材料涂層的發(fā)光器件，包括透明襯底，在襯底一側(cè)形成發(fā)光結(jié)構(gòu)和在襯底相對(duì)側(cè)形成的透明層。透明層的折射率大于襯底的折射率。本發(fā)明還提供一種發(fā)光器件包括具有反射側(cè)壁和發(fā)光表面的封裝杯體，以及嵌入封裝杯體的LED。該LED包括透明襯底和在襯底上形成的透明層。該反射側(cè)壁具有一個(gè)在封裝杯體中心的第一部分和在封裝杯體的周?chē)牡诙糠?，第一部分將從透明層發(fā)出的光反射到第二部分，然后第二部分進(jìn)一步將光反射到封裝杯體的發(fā)光表面。
文檔編號(hào)H01L33/22GK102376839SQ20101052897
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月20日
發(fā)明者張劍平, 閆春輝 申請(qǐng)人:亞威朗(美國(guó))