導(dǎo)電薄膜和包括其的電子器件的制作方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 本申請(qǐng)要求2014年5月27日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng) No. 10-2014-0064005的優(yōu)先權(quán)、以及由其產(chǎn)生的所有權(quán)益，其內(nèi)容通過(guò)參考全部引入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 公開(kāi)了導(dǎo)電薄膜和包括其的電子器件。
【背景技術(shù)】
[0004] 典型的電子器件如平板顯示器例如IXD或LED、觸摸屏面板、太陽(yáng)能電池、透明晶 體管等包括導(dǎo)電薄膜或透明導(dǎo)電薄膜。可期望用于導(dǎo)電薄膜的材料具有例如在可見(jiàn)光區(qū)域 中大于或等于約80%的高的光透射率和小于或等于約100微歐姆-厘米（μQ*cm)的低的 比電阻。目前使用的用于導(dǎo)電薄膜的材料包括氧化物材料或?qū)щ娋酆衔锊牧稀Ｑ趸锊牧?可為氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化錫（Sn02)、氧化鋅（ZnO)等。作為透明電極材料的ΙΤ0具有差的 柔性和由于銦的有限的可獲量所致的不可避免地較高的制造成本。因此，迫切地需要替代 性材料的開(kāi)發(fā)。氧化錫和氧化鋅顯示低的電導(dǎo)率且具有差的柔性。
[0005] 基于聚合物的電極材料可為例如PED0T:PSS(聚（3, 4-亞乙基二氧噻吩）聚（磺 苯乙烯））。盡管基于聚合物的電極材料具有優(yōu)異的柔性，但其顯示低的電導(dǎo)率和差的穩(wěn)定 性。
[0006] 為了開(kāi)發(fā)適于用作下一代電子器件的柔性電子器件（如可彎曲的或可折疊的電 子器件），期望開(kāi)發(fā)具有高的透明度和優(yōu)異的電導(dǎo)率的用于柔性且穩(wěn)定的透明電極的材料。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] -個(gè)實(shí)施方式提供具有高的電導(dǎo)率和優(yōu)異的光透射率的柔性的導(dǎo)電薄膜。
[0008] 另一實(shí)施方式提供包括所述導(dǎo)電薄膜的電子器件。
[0009] 在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電薄膜包括由化學(xué)式1表示并具有層狀晶體結(jié)構(gòu)的化合 物：
[0010] 化學(xué)式1
[0011] MeCha
[0012] 其中
[0013] Me為Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu;
[0014] Ch為硫、硒、或蹄；和
[0015] a為范圍1-3的整數(shù)。
[0016] 所述導(dǎo)電薄膜在100納米的厚度下對(duì)于在約550納米的波長(zhǎng)處的光可具有大于或 等于約80百分比（％)的透射率。
[0017] 所述導(dǎo)電薄膜可具有比在面外方向上的電導(dǎo)率高的在面內(nèi)方向上的電導(dǎo)率。
[0018] 所述化合物可為三碲化物化合物。
[0019] 所述化合物可包括YTe3、LaTe3、CeTe3、PrTe3、NdTe3、SmTe3、GdTe3、TbTe3、DyTe3、 HoTe3、ErTe3、或其組合。
[0020] 所述導(dǎo)電薄膜可包括單晶化合物。
[0021] 所述導(dǎo)電薄膜可具有大于或等于約3, 000西門(mén)子/厘米的電導(dǎo)率。
[0022] 所述化合物可具有小于或等于約30歐姆/平方（Ω/ □)的其電阻率值（p)與 在25°C下對(duì)于具有約550納米波長(zhǎng)的光的吸收系數(shù)（α)的乘積。
[0023] 所述層狀晶體結(jié)構(gòu)可屬于具有Cmcm(63)空間群的斜方晶系、具有C2cm(40)空間 群的斜方晶系、或具有P42/n(86)空間群的四方晶系。
[0024] 所述導(dǎo)電薄膜可包括由化學(xué)式1表示的化合物的單晶。
[0025] 所述導(dǎo)電薄膜可包括多個(gè)包含化學(xué)式1的化合物的納米片，且所述納米片彼此接 觸以提供電連接。
[0026] 所述導(dǎo)電薄膜可包括包含化學(xué)式1的化合物的連續(xù)的沉積膜。
[0027] 所述導(dǎo)電薄膜可具有小于或等于約100納米的厚度。
[0028] 所述導(dǎo)電薄膜可具有比在面外方向上的電導(dǎo)率高的在面內(nèi)方向上的電導(dǎo)率。
[0029] 另一實(shí)施方式提供包括以上導(dǎo)電薄膜的電子器件。
[0030] 所述電子器件可為平板顯示器、觸摸屏面板、太陽(yáng)能電池、電子視窗（e-window)、 電致變色鏡、熱鏡、透明晶體管、或柔性顯示器。
【附圖說(shuō)明】
[0031] 由結(jié)合附圖考慮的示例性實(shí)施方式的以下描述，這些和/或其它方面將變得明晰 和更容易理解，其中：
[0032] 圖1為顯示根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式的制備多晶化合物的方法的示意圖；
[0033] 圖2為顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的化合物的單元結(jié)構(gòu)層的結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0034] 圖3為作為CeTe3多晶燒結(jié)體的X-射線衍射譜的強(qiáng)度（計(jì)數(shù)的數(shù)量）對(duì)散射角 (度，2Θ)的圖；
[0035] 圖4為作為YTe3多晶燒結(jié)體的X-射線衍射譜的強(qiáng)度（計(jì)數(shù)的數(shù)量）對(duì)散射角 (度，2Θ)的圖；
[0036] 圖5為作為L(zhǎng)aTe3多晶燒結(jié)體的X-射線衍射譜的強(qiáng)度（計(jì)數(shù)的數(shù)量）對(duì)散射角 (度，2Θ)的圖；
[0037] 圖6為作為ErTe3多晶燒結(jié)體的X-射線衍射譜的強(qiáng)度（計(jì)數(shù)的數(shù)量）對(duì)散射角 (度，2Θ)的圖；
[0038] 圖7為作為NdTe3多晶燒結(jié)體的X-射線衍射譜的強(qiáng)度（計(jì)數(shù)的數(shù)量）對(duì)散射角 (度，2Θ)的圖；
[0039] 圖8為作為SmTe3多晶燒結(jié)體的X-射線衍射譜的強(qiáng)度（計(jì)數(shù)的數(shù)量）對(duì)散射角 (度，2Θ)的圖；
[0040] 圖9為顯示根據(jù)實(shí)施例2的制備單晶化合物的方法的實(shí)施方式的示意圖；和
[0041] 圖10為根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的包括導(dǎo)電薄膜的有機(jī)發(fā)光二極管器件的橫截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042] 參照以下示例性實(shí)施方式以及其附圖，本公開(kāi)內(nèi)容的優(yōu)點(diǎn)和細(xì)節(jié)、以及用于實(shí)現(xiàn) 其的方法將變得明晰。然而，本公開(kāi)內(nèi)容可以許多不同的形式體現(xiàn)并且不被解釋為限于本 文中所闡述的實(shí)施方式。相反，以滿足適用的法律要求為目的提供這些實(shí)施方式。因此，在 一些實(shí)施方式中，未對(duì)公知的工藝技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明以避免本發(fā)明構(gòu)思的模糊解釋。因此， 下面僅通過(guò)參考附圖描述示例性實(shí)施方式，以解釋本發(fā)明構(gòu)思的方面。表述如"…的至少一 種（個(gè)）"當(dāng)在要素列表之前或之后時(shí)修飾整個(gè)要素列表，且不修飾所述列表的單獨(dú)要素。 如果未另外定義，說(shuō)明書(shū)中的所有術(shù)語(yǔ)（包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)）可如本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技 術(shù)人員通常理解地那樣定義。常用字典中定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)被解釋為其含義與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域 和本公開(kāi)內(nèi)容的背景中的含義一致，并且不可理想化地或夸大地解釋?zhuān)乔宄囟x。另 外，除非明確地相反描述，詞語(yǔ)"包括"和詞語(yǔ)"包含"當(dāng)用在本說(shuō)明書(shū)中時(shí)表明存在所述的 特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組分，但是不排除存在或增加一個(gè)或多個(gè)另外的 特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組分、和/或其集合。因此，以上詞語(yǔ)將被理解為意味著 包括所述的要素，但是不排除任何另外的要素。
[0043] 將理解，盡管術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等可用在本文中描述各種元件、組分、區(qū)域、層 和/或部分，但是這些元件、組分、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用 于將一個(gè)元件、組分、區(qū)域、層或部分與另外的元件、組分、區(qū)域、層或部分區(qū)分開(kāi)。因此，在 不脫離本實(shí)施方式的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組分、區(qū)域、層或部分可稱(chēng)為第 二元件、組分、區(qū)域、層或部分。
[0044] 本文中使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述【具體實(shí)施方式】的目的，且不意圖為限制性的。如本 文中使用的，單數(shù)形式"一個(gè)（種）（a，an)"和"該（所述）"意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下 文清楚地另外指明。
[0045] 為了便于描述，在本文中可使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)如"在......之下"、"在......下 面"、"下部"、"在......上方"、"上部"等來(lái)描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征與另外的 元件或特征的關(guān)系。將理解，除圖中所描繪的方位以外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)還意圖涵蓋使用或 操作中的器件的不同方位。例如，如果將圖中的器件翻轉(zhuǎn)，描述為"在"另外的元件或特征 "下面"或"之下"的元件則將定向"在"所述另外的元件或特征"上方"。因此，示例性術(shù)語(yǔ) "在......下面"可涵蓋在......上方和在......下面兩種方位。器件可以其它方式定 向（旋轉(zhuǎn)90度或在另外的方位上）且本文中使用的空間相對(duì)描述詞相應(yīng)地進(jìn)行解釋。
[0046] 如本文中使用的"約"或"大約"包括所述的值并且意味著在如由本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員考慮到所討論的測(cè)量以及與具體量的測(cè)量有關(guān)的誤差（即，測(cè)量系統(tǒng)的限制）而確定 的對(duì)于具體值的可接受的偏差范圍內(nèi)。
[0047] 在本文中參照作為理想化實(shí)施方式的示意圖的橫截面圖描述示例性實(shí)施方式。這 樣，將預(yù)計(jì)到由例如制造技術(shù)和/或公差導(dǎo)致的與圖示的形狀的偏差。因此，本文中描述的 實(shí)施方式不應(yīng)解釋為限于如本文中圖示的區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造導(dǎo)致的形 狀上的偏差。例如，圖示或描述為平坦的區(qū)域可典型地具有粗糙和/或非線性特征。另外， 圖示的尖銳的角可為圓形的。因此，圖中所示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，并且它們的形狀 不意圖圖示區(qū)域的精確形狀，并且不意圖限制本權(quán)利要求的范圍。
[0048] 如上所述，單數(shù)包括復(fù)數(shù)，除非另外提及。
[0049] 在附圖中，為了清楚，層、區(qū)域等的厚度被放大。在說(shuō)明書(shū)中相同的附圖標(biāo)記始終 表示相同的元件。
[0050] 將理解，當(dāng)一個(gè)元件如層、膜、區(qū)域或基底被稱(chēng)為"在"另外的元件"上"時(shí)，其可直 接在所述另外的元件上或者還可存在中間元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱(chēng)為"直接在"另外的 元件"上"時(shí)，不存在中間元件。
[0051] 在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電薄膜包括由以下化學(xué)式1表示并具有層狀晶體結(jié)構(gòu)的化 合物：
[0052] 化學(xué)式1
[0053] MeCha
[0054] 其中在化學(xué)式1中，
[0055] Me為Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu ;
[0056] Ch為硫、硒、或碲；
[0057] 且a為1-3的整數(shù)，例如