專利名稱：薄膜器件及其制造方法和圖像顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜器件、該薄膜器件的制造方法以及圖像顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field effect transistor,FET)包括當(dāng)前的在各種電子裝置中使 用的薄膜晶體管(thin-film transistor, TFT)。例如，F(xiàn)ET具有包括溝道形成區(qū)域、源極/漏極電極、柵極絕緣層和柵極電極的結(jié)構(gòu)，其中，溝道形成區(qū)域和源極/漏極電極均形成在硅半導(dǎo)體基板中或硅半導(dǎo)體材料層中，柵極絕緣層是通過(guò)使用SiO2在硅半導(dǎo)體基板的表面上或硅半導(dǎo)體材料層的表面上形成的，柵極電極被形成為隔著柵極絕緣層面對(duì)溝道形成層。為了便于說(shuō)明，將具有這種結(jié)構(gòu)的FET稱為頂柵型FET?；蛘撸現(xiàn)ET具有另一結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的柵極電極、通過(guò)使用SiO2形成為處于柵極電極和基板上方的柵極絕緣層以及形成在柵極絕緣層上的溝道形成區(qū)域和源極/漏極電極。為了便于說(shuō)明，將具有這種結(jié)構(gòu)的FET稱為底柵型FET。由于具有上述結(jié)構(gòu)的FET是通過(guò)使用昂貴的半導(dǎo)體制造設(shè)備制造的，因此強(qiáng)烈期望降低制造成本。近年來(lái)，使用由有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的薄膜的電子器件得到了大力發(fā)展，并且諸如有機(jī)晶體管、有機(jī)發(fā)光器件和有機(jī)太陽(yáng)能電池等有機(jī)電子器件(在適當(dāng)?shù)那闆r下，下文將其簡(jiǎn)稱為有機(jī)器件)引起了人們的關(guān)注。發(fā)展有機(jī)器件能夠最終降低成本、減輕重量、獲得足夠的彈性和高性能等優(yōu)點(diǎn)。與以硅為代表的無(wú)機(jī)材料相比，有機(jī)半導(dǎo)體材料具有若干優(yōu)點(diǎn)，諸如(I)能夠在低溫下通過(guò)簡(jiǎn)單的工藝制造大面積的有機(jī)器件；(2)能夠制造出彈性的有機(jī)器件；以及(3)通過(guò)將有機(jī)材料中所含有的分子變更為期望的形式，能夠控制有機(jī)器件的性能和物理特性。特別地，通過(guò)對(duì)諸如印刷技術(shù)等涂布成膜技術(shù)的研究，已開發(fā)出低溫下的簡(jiǎn)單工序(參見(jiàn)專利國(guó)際專利文獻(xiàn)W02003/016599)。為了通過(guò)低溫下的簡(jiǎn)單工藝制造有機(jī)器件，除有源層(例如，溝道形成區(qū)域)之外的各種類型的層也顯然是在低溫工藝下形成的。因此，為了通過(guò)有機(jī)材料(具體地，通過(guò)融化聚合物而形成的涂布材料)形成絕緣膜而進(jìn)行的研究已經(jīng)取得了進(jìn)展，并且為了通過(guò)含有在低溫?zé)Y(jié)之后確保導(dǎo)電性的分散金屬納米顆粒的材料(具體地，銀漿料(silverpaste))形成各種電極而進(jìn)行的研究同樣已經(jīng)取得了進(jìn)展。例如，由于能夠通過(guò)低溫工藝制造有機(jī)晶體管，所以能夠使用代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅晶片的塑料膜來(lái)形成基板。盡管塑料膜是重量較輕的彈性材料，但是顯然難以單獨(dú)對(duì)該塑料膜進(jìn)行操作。因此，在制造有機(jī)晶體管時(shí)使用支撐基底。因而，通常使用如下技術(shù)在諸如玻璃基底等支撐基底上涂敷例如聚酰亞胺樹脂溶液，以在支撐基底上形成聚酰亞胺膜。然而，在此情況下，難以從支撐基底上去除聚酰亞胺膜。因此，通常采用使用受激準(zhǔn)分子激光器(excimer laser)等的激光燒蝕法(laser ablation method)來(lái)從支撐基底上去除聚酰亞胺膜(參見(jiàn)日本未審查的第2007-512568號(hào)專利申請(qǐng)(PCT申請(qǐng)譯本))，并且在此情況下使用的是大型設(shè)備。通常還采用如下另一種技術(shù)在去除預(yù)先形成的犧牲層的基礎(chǔ)上，通過(guò)使用激光燒蝕法將塑料膜從支撐基底上去除(參見(jiàn)日本未審查的第2001-057432號(hào)專利申請(qǐng))。遺憾的是，在此情況下使用的也是大型設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況，期望提供能夠在不使用大型設(shè)備的情況下通過(guò)簡(jiǎn)單容易的工藝制造有源元件的薄膜器件的制造方法；通過(guò)該方法制造的薄膜器件；以及包括上述薄膜器件的制造方法的圖像顯示裝置的制造方法。本發(fā)明實(shí)施方式提供了一種薄膜器件的制造方法，所述方法包括以下步驟通過(guò) 涂布法在支撐基底上形成第一基板，所述第一基板是使用樹脂材料形成的；通過(guò)使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂在所述第一基板上形成第二基板；在所述第二基板上形成有源元件；并且從所述第一基板去除所述支撐基底，其中，用于形成所述第一基板的樹脂材料具有至少180°c的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度。本發(fā)明另一實(shí)施方式提供了一種薄膜器件的制造方法，所述方法包括以下步驟通過(guò)涂布法在支撐基底上形成第一基板，所述第一基板是使用樹脂材料形成的；通過(guò)使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂在所述第一基板上形成第二基板；在所述第二基板上形 成有源元件；并且從所述第一基板去除所述支撐基底，其中，用于所述第一基板的樹脂材料的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度高于所述有源元件的形成期間的加工溫度的最大值。本發(fā)明另一實(shí)施方式提供了一種薄膜器件的制造方法，所述方法包括以下步驟通過(guò)涂布法在支撐基底上形成第一基板，所述第一基板是使用非晶熱塑性樹脂形成的；通過(guò)使用熱固性樹脂或紫外線固化型樹脂在所述第一基板上形成第二基板；在所述第二基板上形成有源元件；并且從所述第一基板上去除所述支撐基底。本發(fā)明另一實(shí)施方式提供了一種圖像顯示裝置的制造方法，所述方法包括根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施方式的薄膜器件的制造方法。本發(fā)明另一實(shí)施方式提供了一種薄膜器件，所述薄膜器件包括第一基板；形成在所述第一基板上的第二基板；以及形成在所述第二基板上的有源元件，其中，使用樹脂材料來(lái)形成所述第一基板，并且所述樹脂材料具有至少180°C的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度，并且使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂來(lái)形成所述第二基板。本發(fā)明另一實(shí)施方式提供了一種薄膜器件，所述薄膜器件包括第一基板；形成在所述第一基板上的第二基板；以及形成在所述第二基板上的有源元件，其中，使用樹脂材料來(lái)形成所述第一基板，并且所述樹脂材料的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度高于所述有源元件的形成期間的加工溫度的最大值，并且使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂來(lái)形成所述第二基板。本發(fā)明另一實(shí)施方式提供了一種薄膜器件，所述薄膜器件包括第一基板；形成在所述第一基板上的第二基板；以及形成在所述第二基板上的有源元件，其中，使用非晶熱塑性樹脂來(lái)形成所述第一基板，并且使用熱固性樹脂或紫外線固化型樹脂來(lái)形成所述第二基板。在本發(fā)明的所述實(shí)施方式的薄膜器件的制造方法和圖像顯示裝置的制造方法中，在由第一基板和第二基板構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)上形成有源元件，并且隨后從第一基板去除支撐基底。因此能夠在不用大型制造設(shè)備的情況下通過(guò)簡(jiǎn)單容易的工藝制造薄膜器件。另外，在第一基板上覆蓋有第二基板，并且在第一基板被保護(hù)的狀態(tài)下在第二基板上形成有源元件。因此，在有源元件的形成期間，能夠穩(wěn)定地防止第一基板受到損壞。另外，由于通過(guò)涂布法將第一基板形成在支撐基底上，所以能夠容易地形成第一基板，并且不太可能在支撐基底與第一基板之間導(dǎo)致氣泡。在本發(fā)明的上述實(shí)施方式的薄膜器件中，定義了用于第一基板和第二基板的材料以及所述材料的特性、詳細(xì)數(shù)據(jù)和詳細(xì)情況。因此，能夠在不用大型制造設(shè)備的情況下通過(guò)簡(jiǎn)單容易的工藝制造薄膜器件。



圖IA是示意表示實(shí)施例I的薄膜器件的部分橫截面圖；圖IB是示意表示支撐基底和其它部分的部分橫截面圖，并用來(lái)說(shuō)明實(shí)施例I的薄膜器件的制造方法；圖2A是示意表示實(shí)施例2的薄膜器件的部分橫截面圖；圖2B是示意表示實(shí)施例3的薄膜器件的部分橫截面圖；圖3A是示意表示實(shí)施例4的薄膜器件的部分橫截面圖；以及圖3B是示意表示實(shí)施例6的薄膜器件的部分橫截面圖。
具體實(shí)施例方式盡管將參照附圖基于實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于這些實(shí)施例。在下面實(shí)施例中的各種數(shù)值和組成僅是示例性的。將按照下面的順序進(jìn)行說(shuō)明I.本發(fā)明的第一至第三實(shí)施方式的薄膜器件、薄膜器件的制造方法、圖像顯示裝置的制造方法和總體說(shuō)明；2.實(shí)施例I (本發(fā)明的第一至第三實(shí)施方式的薄膜器件、薄膜器件的制造方法和圖像顯示裝置的制造方法)；3.實(shí)施例2 (實(shí)施例I的變形)；4.實(shí)施例3 (實(shí)施例I的另一變形)；5.實(shí)施例4(實(shí)施例I的另一變形)；6.實(shí)施例5 (實(shí)施例I的另一變形)；以及7.實(shí)施例6 (實(shí)施例I的另一變形)及其它。I.本發(fā)明的第一至第三實(shí)施方式的薄膜器件、薄膜器件的制造方法、圖像顯示裝置的制造方法和總體說(shuō)明在本發(fā)明第一實(shí)施方式的薄膜器件、第一實(shí)施方式的薄膜器件的制造方法或包括第一實(shí)施方式的薄膜器件的制造方法的圖像顯示裝置的制造方法(下文中統(tǒng)稱為“本發(fā)明的第一實(shí)施方式”)中，能夠采用未固化(cured)或未交聯(lián)(cross-linked)的樹脂材料作為用于第一基板的樹脂材料，并且用于第二基板的材料能夠含有用于第一基板的樹脂材料。由于以上述方式采用用于第二基板的材料，所以能夠產(chǎn)生如下極好的優(yōu)點(diǎn)能夠省去在第一基板與第二基板之間的界面上的去除。在具有上述期望的形成材料的本發(fā)明的第一實(shí)施形式中，相對(duì)支撐基底的剝離強(qiáng)度(peel strengthM特別是90°剝離強(qiáng)度)優(yōu)選地處于 I. 0N/cm(0. lkgf/cm) 4. 9N/cm(0. 5kgf/cm)的范圍內(nèi)。90。剝離強(qiáng)度是根據(jù) JIS K6854-1 :1999規(guī)定的。用于第一基板的樹脂材料的具體示例包括聚砜樹脂(polysulfoneresin)、聚醚諷樹月旨(polyether sulfone resin)和聚醚酸亞胺樹脂(polyetherimideresin)。用于第二基板的材料的具體示例包括含聚砜的樹脂，該含聚砜的樹脂是例如通過(guò)將作為與輕基發(fā)生反應(yīng)的交聯(lián)劑的聚亞安酯樹脂(polyisocyanate resin)或三聚氰胺樹月旨(melamine resin)與在末端基上含有輕基的聚砜樹脂混合而形成的樹脂。在本發(fā)明第二實(shí)施方式的薄膜器件、第二實(shí)施方式的薄膜器件的制造方法或包括第二實(shí)施方式的薄膜器件的制造方法的圖像顯示裝置的制造方法(下文中統(tǒng)稱為“本發(fā)明的第二實(shí)施方式”)中，用于第一基板的樹脂材料期望具有180°C以上的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度(glass transition temperature)。在具有上述期望形成材料的本發(fā)明第二實(shí)施方式中，相對(duì)支撐基底的剝離強(qiáng)度(特別是90°剝離強(qiáng)度)優(yōu)選地處于1.0N/cm(0. lkgf/cm) 4. 9N/cm (0. 5kgf/cm)的范圍內(nèi)。在本發(fā)明第三實(shí)施方式的薄膜器件、第三實(shí)施方式的薄膜器件的制造方法或包括第三實(shí)施方式的薄膜器件的制造方法的圖像顯示裝置的制造方法(下文中統(tǒng)稱為“本發(fā)明的第三實(shí)施方式”)中，使用非晶熱塑性樹脂(amorphous thermoplastic resin)來(lái)形成第一基板，并且可以采用聚砜類樹脂作為上述非晶熱塑性樹脂。特別地，可以采用聚砜樹脂、聚醚砜樹脂或聚醚酰亞胺樹脂作為用于第一基板的熱塑性樹脂。在具有上述期望形成材料的本發(fā)明第三實(shí)施方式中，使用熱固性樹脂(thermosetting resin)來(lái)形成第二基板,并且可以采用環(huán)氧樹脂類樹脂(epoxy based resin)作為上述熱固性樹脂。用于第一基板的材料與用于第二基板的材料的優(yōu)選組合的具體示例包括聚砜樹脂和環(huán)氧樹脂類樹脂、聚醚砜樹脂和環(huán)氧樹脂類樹脂、以及聚醚酰亞胺樹脂和環(huán)氧樹脂類樹脂。在具有上述期望的形成材料和結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第一實(shí)施方式至第三實(shí)施方式中，有源元件可包括第一電極和第二電極、在第一電極與第二電極之間形成的有源層、以及隔著絕緣層與有源層面對(duì)的控制電極。在此情況下，可以將上述有源元件具體地設(shè)置為有機(jī)晶體管，更加具體地，可以設(shè)置為具有FET(包括TFT)形式的三端子器件。有源元件可以被設(shè)置為具有如下結(jié)構(gòu)與第一電極和第二電極相對(duì)應(yīng)的源極/漏極電極、與控制電極相對(duì)應(yīng)的柵極電極、與絕緣層相對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層以及與有源層相對(duì)應(yīng)的溝道形成區(qū)域。此外，在具有上述期望的形成材料和結(jié)構(gòu)的本發(fā)明第一至第三實(shí)施方式中，有源元件可包括第一電極、第二電極以及形成在第一電極與第二電極之間的有源層。在此情況下，有源元件可以被具體設(shè)置為具有諸如光電變換器、太陽(yáng)能電池、圖像傳感器和光學(xué)傳感器等各種類型的傳感器的形式的兩端子器件。在此情況下，可以使用有機(jī)半導(dǎo)體材料來(lái)形成有源層。另外，在具有上述期望的形成材料和結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第一至第三實(shí)施方式中，有源元件的示例包括有機(jī)電致發(fā)光器件(有機(jī)EL器件)、微囊型電泳顯示器件(microcapsule-type electrophoretic display device)、半導(dǎo)體發(fā)光器件(半導(dǎo)體激光器件或發(fā)光二極管(LED))以及液晶顯示器件。同時(shí)，有機(jī)EL器件、微囊型電泳顯示器件和液晶顯示器件可以形成為具有傳統(tǒng)形成材料和結(jié)構(gòu)。在具有上述期望的形成材料和組分的本發(fā)明的第三實(shí)施方式中，無(wú)定形熱塑性樹脂的示例包括諸如聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)樹脂、丙烯腈-乙烯-苯乙烯(AES)樹脂和丙烯腈-苯乙烯(AS)樹脂等苯乙烯類樹脂；諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等甲基丙烯酸樹脂；聚碳酸酯樹脂(包括線型聚碳酸酯樹脂和在主鏈上具有分支的聚碳酸酯樹脂)；諸如改性聚苯醚等聚苯醚(PPE)類樹脂；聚砜樹脂；聚醚砜樹脂；聚芳酯樹脂(polyarylate resin);聚醚酰亞胺樹脂；聚酰胺-酰亞胺樹脂；聚醚酮樹脂；聚醚醚酮樹脂；聚酯碳酸酯樹脂；環(huán)烯烴聚合物(COP);環(huán)烯烴共聚物(COC)和彈性體(elastomer)。用于第二基板的樹脂的示例包括諸如酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、二甲苯樹脂、二甲苯-甲醛樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、呋喃樹脂、酮-甲醛樹脂、尿素-甲醛樹脂、苯胺樹脂、醇酸樹脂、不飽和聚酯樹脂和環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂或紫外線固化樹 脂。通常，通過(guò)借助差示掃描量熱法(differentialscanning calorimetry, DSC)來(lái)進(jìn)行明確的熔點(diǎn)(呈現(xiàn)出劇烈的熱吸收時(shí)的溫度)的測(cè)量，從而判定熱塑性樹脂是否是非晶熱塑性樹脂。測(cè)量不到明確熔點(diǎn)的樹脂是非晶熱塑性樹脂。另一方面，測(cè)量到明確熔點(diǎn)的樹脂是結(jié)晶熱塑性樹脂。通過(guò)本發(fā)明實(shí)施方式的圖像顯示裝置的制造方法制造的圖像顯示裝置和安裝有本發(fā)明第一至第三實(shí)施方式的薄膜器件的圖像顯示裝置的示例包括諸如臺(tái)式個(gè)人計(jì)算機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)、便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、手機(jī)、游戲機(jī)、電子書、電子紙(例如電子報(bào)紙)、布告欄(例如布告板、海報(bào)和黑板)、復(fù)印機(jī)、用于代替印刷紙的可寫紙、計(jì)算器、家用電器的顯示器、點(diǎn)卡等的卡顯示器、電子廣告和電子采購(gòu)點(diǎn)(point of purchase,POP)廣告等各種類型的圖像顯示裝置。另外，還可以包括各種類型的照明系統(tǒng)。通過(guò)使用樹脂材料的涂布法在支撐基底上形成第一基板。涂布法的示例包括液體材料的涂敷技術(shù)，諸如包括絲網(wǎng)印刷(screen printing)、噴墨印刷、膠版印刷(offsetprinting)、逆月交片反 ￡口 |5lJ (reverse offset printing) > IH] IK Ep |jlJ (gravure printing) >凹版膠印(gravure offset printing)、凸版印刷、柔版印刷(flexographic printing)和微接觸印刷(microcontact printing)等各種印刷法；旋涂法；包括氣刀涂布(airdoctor coating)、刮刀涂布(blade coating)、棒式涂布(rod coating)、刀片涂布(knifecoating)、擠壓涂布(squeeze coating)、逆棍涂布(reverse roll coating)、門棍涂布(transfer roll coating)、凹版涂布(gravure coating)、吻合涂布(kiss coating)、流延涂布(cast coating)、噴霧涂布(spray coating)、狹縫涂布(slit coating)、狹孔涂布(slit orifice coating)、棍筒涂布(calender coating)、流延法(casting)、毛細(xì)管涂布(capillary coating)、桿式涂布(bar coating)和浸潰涂布(dip coating)等各種涂布技術(shù)；噴涂(spraying);利用分布器的技術(shù)；以及模壓(stamping)。為了通過(guò)使用樹脂材料在支撐基底上形成第一基板，制備溶解有樹脂材料的溶液。溶劑的示例包括水；諸如乙醇、異丙醇和丁醇等醇類；諸如甲苯和二甲苯等芳香族化合物；諸如丙酮和2-丁酮等酮類；諸如丙二醇單甲醚醋酸酯(PGMEA)等烴類；并且可以適當(dāng)?shù)貑为?dú)使用上述溶劑或使用上述溶劑的組合。除了有機(jī)溶劑之外，還可以添加諸如表面活性劑和流平劑(leveling agent)等添加劑。另外，根據(jù)諸如給予適用性其它性能等目的，還可以添加除聚合材料之外的材料。這類材料的具體示例包括二氧化硅填料和玻璃纖維。對(duì)于用于第一基板的樹脂材料，優(yōu)選采用不與支撐基底發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料。在此情況下，“不與支撐基底發(fā)生化學(xué)反應(yīng)”的表述意味著例如在使用玻璃作為支撐基底的情況下，上述材料不具有與玻璃表面上的羥基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)基團(tuán)。從第一基板上去除支撐基底，并且能夠機(jī)械地進(jìn)行上述去除。特別地，通過(guò)機(jī)械或手工在位于支撐基底上方的第一基板和第二基板中形成切割線。然后，可以通過(guò)機(jī)械或手工從第一基板上去除支撐基底，或者可以通過(guò)機(jī)械或手工從支撐基底上去除第一基板?；蛘?，通過(guò)機(jī)械或手工在位于支撐基底上方的第一基板和第二基板中形成切割線。然后，使水從切割線侵入，從而能夠從第一基板去除支撐基底或者能夠從支撐基底去除第一基板。第一基板可以具有如下厚度，該厚度使薄膜器件能夠被穩(wěn)定地支撐并且能夠適當(dāng)?shù)厥贡∧て骷哂袕椥?柔韌性)。例如，第一基板可以具有在2X10_5m 2X10_4m的范圍內(nèi)的厚度。第二基板可以具有如下厚度，該厚度能夠穩(wěn)固地保護(hù)第一基板不受酮類溶劑的影響并且能夠適當(dāng)?shù)厥贡∧て骷哂袕椥?柔韌性)。例如，第二基板可以具有在Ium IOiim范圍內(nèi)的厚度。在第二基板上 形成薄膜元件，并且第二基板因此優(yōu)選具有絕緣性。盡管能夠使用上述各種類型的涂布法作為在第一基板上形成第二基板的技術(shù)，但這樣的技術(shù)不限于上面的涂布法。可以采用這樣的技術(shù)預(yù)先制備薄板形式的第二基板，然
后將第二基板堆疊在第一基板上。在以底柵底接觸型TFT (bottom gate and bottom contact-type TFT)的形式構(gòu)造有源元件的情況下，能夠通過(guò)下面的工序制造TFT : (a)在第二基板上形成柵極電極，并隨后在得到的產(chǎn)品的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層；(b)在柵極絕緣層上形成源極/漏極電極；并且(C)至少在源極/漏極電極之間的位置處形成疊置在柵極絕緣層上方的溝道形成區(qū)域，該溝道形成區(qū)域是作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層形成的。底柵底接觸型TFT具有(A)形成在第二基板上的柵極電極；(B)形成在柵極電極和第二基板上的柵極絕緣層；(C)形成在柵極絕緣層上的源極/漏極電極；以及(D)在源極/漏極電極之間形成為疊置在柵極絕緣層上的溝道形成區(qū)域，該溝道形成區(qū)域形成為有機(jī)半導(dǎo)體材料層。在以底柵頂接觸型TFT (bottom gate and top contact-type TFT)的形式構(gòu)造有源元件的情況下，能夠通過(guò)下面的工序制造TFT : (a)在第二基板上形成柵極電極，并隨后在得到的產(chǎn)品的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層；(b)在柵極絕緣層上形成溝道形成區(qū)域和溝道形成區(qū)域延伸部，溝道形成區(qū)域和溝道形成區(qū)域延伸部均是作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層形成的；并且(c)在溝道形成區(qū)域延伸部上形成源極/漏極電極。底柵頂接觸型TFT具有(A)形成在第二基板上的柵極電極；(B)形成在柵極電極和第二基板上的柵極絕緣層；(C)形成在柵極絕緣層上的均作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層形成的溝道形成區(qū)域和溝道形成區(qū)域延伸部；以及(D)形成在溝道形成區(qū)域延伸部上的源極/漏極電極。另外，在以頂柵底接觸型TFT (top gate and bottom contact-type TFT)的形式構(gòu)造有源元件的情況下，能夠通過(guò)下面的工序制造TFT (a)在第二基板上形成源極/漏極電極；(b)在得到的產(chǎn)品的整個(gè)表面上形成溝道形成區(qū)域，該溝道形成區(qū)域是作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層形成的；并且(C)在得到的產(chǎn)品的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層，并隨后在柵極絕緣層上形成疊置在溝道形成區(qū)域上方的柵極電極。頂柵底接觸型TFT具有(A)形成在第二基板上的源極電極和漏極電極；(B)在源極/漏極電極之間形成在第二基板上方的溝道形成區(qū)域，該溝道形成區(qū)域是作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層形成的；(C)形成在溝道形成區(qū)域上的柵極絕緣層；以及(D)形成在柵極絕緣層上的柵極電極。另外，在以頂柵頂接觸型TFT (top gate and top contact-type TFT)的形式構(gòu)造有源元件的情況下，能夠通過(guò)下面的工序制造TFT : (a)在第二基板上形成溝道形成區(qū)域和溝道形成區(qū)域延伸部，溝道形成區(qū)域和溝道形成區(qū)域延伸部均是作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層形成的；(b)在溝道形成區(qū)域延伸部上形成源極/漏極電極；并且(C)在得到的產(chǎn)品的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層，并隨后在柵極絕緣層上形成疊置在溝道形成區(qū)域上方的柵極電極。頂柵頂接觸型TFT具有(A)形成在第二基板上的溝道形成區(qū)域和溝道形成區(qū)域延伸部，溝道形成區(qū)域和溝道形成區(qū)域延伸部均是作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層形成的；(B)形成在溝道形成區(qū)域延伸部上的源極/漏極電極；(C)形成在源極/漏極電極和溝道形成區(qū)域上的柵極絕緣層；以及(D)形成在柵極絕緣層上的柵極電極。有源元件能夠具有這樣的機(jī)理通過(guò)向控制電極施加電壓來(lái)控制從第一電極穿過(guò)有源層流向第二電極的電流。特別地，如上所述，有源元件能夠作為FET (包括TFT)形成，從而具有下面的結(jié)構(gòu)控制電極對(duì)應(yīng)于柵極電極；第一電極和第二電極對(duì)應(yīng)于源極/漏極 電極；絕緣層對(duì)應(yīng)于柵極絕緣層；并且有源層對(duì)應(yīng)于溝道形成區(qū)域。或者，有源元件構(gòu)造為這樣的發(fā)光器件(包括有機(jī)發(fā)光器件和有機(jī)發(fā)光晶體管)由通過(guò)向控制電極以及第一電極和第二電極施加電壓，有源層發(fā)光。在該發(fā)光器件中，有源層所使用的有機(jī)半導(dǎo)體材料具有如下功能響應(yīng)于由于控制電極上的電壓施加而進(jìn)行的調(diào)制，半導(dǎo)體材料存儲(chǔ)電荷，并且半導(dǎo)體材料由于注入的電子和空穴的復(fù)合而發(fā)光。有源層所使用的有機(jī)半導(dǎo)體材料的示例大致包括具有P導(dǎo)電類型的有機(jī)半導(dǎo)體材料和非摻雜有機(jī)半導(dǎo)體材料。在設(shè)有由P導(dǎo)電類型的有機(jī)半導(dǎo)體材料形成的有源層的發(fā)光器件(有機(jī)發(fā)光晶體管)中，發(fā)光強(qiáng)度與漏極電流的絕對(duì)值成比例，并且能夠響應(yīng)于柵極電壓和施加于源極/漏極電極之間的電壓來(lái)調(diào)制光。同時(shí)，有源元件是否用作FET或發(fā)光器件，這取決于向第一電極和第二電極施加電壓的狀態(tài)(偏置)。施加偏置電壓，以便不引起來(lái)自第二電極的電子注入，并然后在這樣的狀態(tài)下調(diào)制控制電極，從而使電流從第一電極流向第二電極。晶體管以此方式工作。在充分存儲(chǔ)空穴的狀態(tài)下增大施加至第一電極和第二電極的偏置電壓，在此情況下，電子開始被注入，并且電子與空穴復(fù)合，從而發(fā)光。另外，有源元件可形成為光電變換器，在該光電變換器中，由于向有源層發(fā)光從而使得電流在第一電極與第二電極之間流動(dòng)。在有源元件形成為光電變換器的情況下，該光電變換器被用來(lái)構(gòu)成例如太陽(yáng)能電池和圖像傳感器。在此情況下，可以向控制電極施加或不施加電壓。在向控制電極施加電壓的情況下，能夠通過(guò)向控制電極施加的電壓來(lái)調(diào)制流動(dòng)的電流。在有源元件形成為發(fā)光器件或光電變換器的情況下，例如，發(fā)光器件或光電變換器可以具有與上述四種類型的TFT的任一種相同的形成材料和結(jié)構(gòu)。有機(jī)半導(dǎo)體材料的示例包括諸如聚噻吩、通過(guò)將己基引入聚噻吩而形成的聚-3-己基噻吩(P3HT)、戊省(2，3，6，7_ 二苯并蒽)、迫咕噸并咕噸(peri-Xanthenoxanthene)等二氧雜蒽嵌蒽類化合物；聚蒽；丁??；己??；庚省；二苯并五苯(dibenzopentacene);四苯并五苯(tetrabenzopentacene) ； )；][ (chrysene)；花；蘧；三萘嵌二苯；卵苯(ovalene)；四萘嵌三苯；循環(huán)蒽；苯并花；二苯并花；三亞苯；聚吡咯；聚苯胺；聚乙炔；聚二乙炔；聚苯；聚呋喃；聚吲哚；聚乙烯基咔唑；聚硒吩；聚碲吩(polytelIurophene);聚異硫卻(polyisothianaphthene);聚咔唑；聚苯硫醚；聚苯乙塊(polyphenylene vinylene);聚亞乙烯基硫醚(polyvinylene sulfide);聚噻吩乙炔(polythienylene vinylene);聚萘；聚花；聚奧；以銅酞菁為代表的酞菁；份菁(merocyanine);半菁(hemicyanine);聚乙撐二氧噻吩(polyethyIenedioxythiophene)；咕嗪；萘四碳二酸亞胺(naphthalenetetracarboxylic diimide);聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸鹽(PED0T/PSS)以及喹卩丫酮(quinacridone)。此外，有機(jī)半導(dǎo)體材料的其它示例包括從由縮合多環(huán)芳香族化合物、P卜啉類衍生物、苯亞乙烯基類共輒低聚物(phenylvinylidene-based conjugated oligomer)和噻吩類共輒低聚物(thiophene-based conjugated oligomer)構(gòu)成的組中選擇的化合物。這類化合物的具體示例包括諸如并苯類分子(例 如，戊省和丁省)、卟啉類分子和共軛低聚物(例如，苯亞乙烯基型和噻吩型共軛低聚物)等縮合多環(huán)芳香族化合物。另外，有機(jī)半導(dǎo)體材料的其它示例包括卟啉；4，4'-聯(lián)苯二硫醇(BTOT) ;4，4' -二異氰基聯(lián)苯；4，4' - 二異氰基對(duì)三聯(lián)苯；2，5-雙(5'-硫代乙?；?2'-苯硫基)噻吩；2，5_雙(5'-硫代乙酰氧基-2'-苯硫基)噻吩；4，4' - 二異氰基苯基；聯(lián)苯胺(聯(lián)苯_4，4' - 二胺)；四氰基醌二甲烷(TCNQ);諸如四硫富瓦烯(TTF)-TCNQ絡(luò)合物、二硫代四硫富瓦烯(BEDTTTF)-高氯酸絡(luò)合物、BEDTTTF-碘絡(luò)合物和TCNQ-碘絡(luò)合物等電荷傳輸絡(luò)合物；4，4'-聯(lián)苯二羧酸；1,4- 二(4-苯硫基乙塊基)-2-乙基苯；1，4- 二(4-異氰基苯基 acetylinyl)-2-乙基苯；樹狀聚合物(dendrimer);諸如 C60、C70、C76、C78 和 C84等富勒稀;I 4- _. (4-苯硫基乙塊基)_2_乙基苯；2, 2" - _■輕基-1,1' 4' , I " -二聯(lián)苯；4，4'-聯(lián)苯二乙醛；4，4'-聯(lián)苯二醇；4，4'-聯(lián)苯二異氰酸酯；1，4_ 二乙酰基苯；聯(lián)苯-4，4' -二羧酸二乙酯；苯并[l，2-c ;3，4-c' ;5，6-c"]三[1，2] 二硫戊環(huán) _1，4，7-三硫酮；a-六噻吩；四硫代并四苯；四硒代并四苯；四碲代并四苯；聚(3-烷基噻吩)；聚(3-噻吩-￠-乙磺酸)；聚(N-烷基吡咯)聚(3-烷基吡咯)；聚(3，4-二烷基吡咯)；聚(2，2'-噻吩基吡咯)；以及聚(二苯并噻吩硫醚)。有源層和溝道形成區(qū)域(有機(jī)材料層)可以適當(dāng)?shù)睾芯酆衔铩？梢允褂媚軌蛉芙庠谟袡C(jī)溶劑中的聚合物。聚合物(有機(jī)粘結(jié)劑或其它類型的粘結(jié)劑)的具體示例包括聚苯乙烯、聚-a-甲基苯乙烯和聚烯烴。另外，根據(jù)需要，還可以含有添加劑(例如，諸如n型摻雜物和P型摻雜物的摻雜材料)。用于制備有機(jī)半導(dǎo)體材料溶液的溶劑的示例包括諸如甲苯、二甲苯、均三甲苯和萘滿(tetralin)等芳香族化合物；諸如環(huán)戊酮和環(huán)己酮等酮類；以及諸如萘烷(decalin)等烴類?？紤]到晶體管特性以及防止在形成有機(jī)半導(dǎo)體材料層時(shí)該有機(jī)半導(dǎo)體材料層的急劇干燥，在這些溶劑中，優(yōu)選使用諸如均三甲苯、萘滿和萘烷等具有相對(duì)高的沸點(diǎn)的材料?？梢詫⒂猛坎挤ㄓ米饔性磳印系佬纬蓞^(qū)域和溝道形成區(qū)域延伸部的形成方法。在此情況下，使用傳統(tǒng)的涂布法是沒(méi)有問(wèn)題的。例如，具體可以采用上述的各種涂布法。支撐基底(支撐基板)的示例包括各種玻璃基板、各種具有上面形成有絕緣膜的表面的玻璃基板、石英基板、具有上面形成有絕緣膜的表面的石英基板、具有上面形成有絕緣膜的表面的硅基板、藍(lán)寶石基板以及通過(guò)使用諸如不銹鋼等各種合金和各種金屬形成的金屬基板。用于控制電極、第一電極、第二電極、柵極電極和源極/漏極電極的材料的示例包括諸如鉬(Pt)、金(Au)、鈀(Pd)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銀(Ag)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鈦(Ti)、銦(In)、錫(Sn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鋅(Zn)和鎂(Mg)等金屬；含有上述金屬的合金；含有上述金屬的導(dǎo)電顆粒；含有上述金屬的合金的導(dǎo)電顆粒；以及諸如含有摻雜物的多晶硅等導(dǎo)電粒子。這些電極可具有由含有上述材料的層所層疊成的結(jié)構(gòu)。用于控制電極、第一電極、第二電極、柵極電極和源極/漏極電極的材料的其它示例包括諸如PEDOT/PSS和聚苯胺等有機(jī)材料(導(dǎo)電聚合物)?？梢酝ㄟ^(guò)使用相同的材料或不同的材料形成控制電極、第一電極、第二電極、柵極電極和源極/漏極電極。盡管控制電極、第一電極、第二電極、柵極電極和源極/漏極電極的形成方法取決于它們的材料，但是它們的形成方法的示例包括上述各種涂布法；物理氣相沉積(physicalvapor deposition, PVD)法；脈沖激光沉積(pulsed laser deposition, PLD)法；電弧放電法；包括有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)法的各種化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)法；剝離技術(shù)(lift-offtechnique);陰影掩膜技術(shù)(shadow mask technique);以及諸如電鍍、化學(xué)鍍或它們的組合等鍍覆技術(shù)，并且在合適的情況下這些方法可以單獨(dú)使用或與圖案化(patterning)法組合使用。PVD法的示例包括(a)諸如電子束加熱、電阻加熱、急劇蒸發(fā)沉積(flash vapordeposition)和加熱i甘禍的技術(shù)等各種氣相沉積法；(b)等離子體沉積技術(shù)；(c)諸如二極 管濺射、直流(DC)濺射、DC磁控管濺射、射頻(RF)濺射、磁控管濺射、離子束濺射和偏置濺射等各種濺射；以及(d)諸如DC法、PF法、多陰極法、活化反應(yīng)法、場(chǎng)致蒸發(fā)法、高頻離子鍍覆法和反應(yīng)離子鍍覆法等各種離子鍍覆法。在形成抗蝕劑圖案的情況下，例如，通過(guò)涂布抗蝕劑材料來(lái)形成抗蝕劑膜，并且隨后通過(guò)光刻法、激光描繪法(laser drawing method)、電子束描繪法或X射線描繪法對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行圖案化?？梢酝ㄟ^(guò)使用抗蝕劑轉(zhuǎn)印法等方法形成抗蝕劑圖案。在通過(guò)蝕刻法形成控制電極、第一電極、第二電極、柵極電極和源極/漏極電極的情況下，可以使用干式蝕刻法或濕式蝕刻法。干式蝕刻法的示例包括離子銑削和反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。另外，還可以通過(guò)激光燒蝕、掩模蒸鍍或激光轉(zhuǎn)印等形成控制電極、第一電極、第二電極、柵極電極和源極/漏極電極。 絕緣層或柵極絕緣層(下文中適當(dāng)?shù)亟y(tǒng)稱為“柵極絕緣層等”)可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。用于柵極絕緣層等的材料的示例包括傳統(tǒng)用于金屬氧化物高介電絕緣膜(諸如氧化硅類材料、氮化硅(SiNy)、氧化鋁(Al2O3)和氧化鉿(HfO2))的無(wú)機(jī)絕緣材料，并且還包括諸如一端具有能夠結(jié)合至控制電極和柵極電極的功能基團(tuán)的直鏈烴類(例如，聚甲基丙烯酸酯(PMMA);聚乙烯酚(PVP);聚乙烯醇(PVA);聚酰亞胺；聚碳酸酯(PC);聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET);聚苯乙烯；諸如N-2(氨基乙基)3-氨基丙基三甲氧基硅烷(AEAPTMS)、3-巰基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)和十八烷基三氯硅烷(OTS)等硅醇衍生物(硅烷偶聯(lián)齊U);十八硫醇；以及十二烷基異氰酸酯)等有機(jī)絕緣材料(有機(jī)聚合物)；并且可以使用這些材料的組合。氧化硅類材料的示例包括硅氧化物(SiOx)、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼硅酸鹽玻璃(BSG)、砷硅酸鹽玻璃(AsSG)、鉛硅酸鹽玻璃(PbSG)、氮氧化硅(SiON)、旋涂玻璃(SOG)以及低介電常數(shù)的SiO2類材料(例如，聚芳醚、環(huán)狀全氟化碳聚合物、苯并環(huán)丁烯、環(huán)氟樹脂(cyclic fluorine resin)、聚四氟乙烯、氟代芳基醚(aryletherfluoride)、氟代聚酰亞胺(polyimide fluoride)、無(wú)定形碳或有機(jī)S0G)。除了上述涂布法之外，柵極絕緣層等的形成方法還包括剝離技術(shù)、溶膠凝膠法、電沉積法和陰影掩膜技術(shù)，并且這些方法可單獨(dú)使用或者與圖案化技術(shù)組合使用。
此外，能夠通過(guò)氧化或氮化控制電極的表面或柵極電極的表面來(lái)形成柵極絕緣層，并且能夠通過(guò)在控制電極的表面上或柵極電極的表面上形成氧化膜或氮化膜來(lái)形成柵極絕緣層?？刂齐姌O的表面或柵極電極的表面的氧化方法取決于用于控制電極或柵極電極的材料，上述方法的示例包括陽(yáng)極氧化法和使用O2等離子體的氧化法?？刂齐姌O的表面或柵極電極的表面的氮化方法取決于用于控制電極或柵極電極的材料，上述方法的示例包括使用N2等離子體的氮化法。此外，在Au電極中，例如，諸如浸潰法等技術(shù)能夠用于使用絕緣分子以自組織(self-organizing)的方式覆蓋控制電極的表面或柵極電極的表面，從而在控制電極的表面上或柵極電極的表面上形成絕緣層，上述絕緣分子具有能夠與控制電極或柵極電極化學(xué)地形成鍵合的功能基團(tuán)(諸如一端被巰基改性的直鏈烴類)。另外，能夠用硅烷醇衍生物(硅烷偶聯(lián)劑)對(duì)控制電極的表面或柵極電極的表面進(jìn)行改性，從而能夠形成絕緣層。在本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜器件應(yīng)用于或用于顯示裝置和各種電子裝置的情況下，可以將薄膜器件設(shè)置為單片集成電路(monolithic integrated circuit),在該單片集成電路中，第二基板與大量的薄膜器件(諸如電子器件和半導(dǎo)體器件)集成在一起。另外，可以切割出單個(gè)的薄膜器件以使其個(gè)體化，從而可以將其設(shè)置為分離的部分。薄膜器件可以 由樹脂密封。2.實(shí)施例I實(shí)施例I涉及本發(fā)明第一至第三實(shí)施方式的薄膜器件、第一至第三實(shí)施方式的薄膜器件的制造方法以及本發(fā)明的圖像顯示裝置的制造方法。圖IA是示意表示實(shí)施例I的薄膜器件IOA的部分橫截面圖。圖IB是示意表示支撐基底和其它部分的部分橫截面圖，并且用來(lái)說(shuō)明實(shí)施例I的薄膜器件的制造方法。實(shí)施例I的薄膜器件IOA包括第一基板21、形成在第一基板21上的第二基板22以及形成在第二基板22上的有源元件30。根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，將樹脂材料用來(lái)形成第一基板21，并且該樹脂材料具有180°C以上的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度Tg，并且第二基板22是通過(guò)使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂形成的。根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式，用于第一基板21的樹脂材料具有高于有源元件30器件的形成期間的加工溫度的最大值(特別地，150°C )的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度Tg。第二基板22是通過(guò)使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂形成的。在此情況下，用于第一基板21的樹脂材料具有180°C以上的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度Tg。根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式，采用非晶熱塑性樹脂作為用于第一基板21的樹脂材料，并且采用熱固性樹脂或紫外線固化型樹脂作為用于第二基板22的樹脂。在此情況下，采用聚砜類樹脂作為用于第一基板21的非晶熱塑性樹脂。在實(shí)施例I的薄膜器件IOA中，相對(duì)支撐基底20的剝離強(qiáng)度(特別地，90°剝離強(qiáng)度)處于I. 0N/cm(0. lkgf/cm) 4. 9N/cm(0. 5kgf/cm)的范圍內(nèi)。在此情況下,如上所述采用聚砜樹脂作為用于第一基板21的非晶熱塑性樹脂，并且采用環(huán)氧樹脂類樹脂作為用于第二基板的熱固性樹脂。在實(shí)施例I中，有源元件30包括第一電極和第二電極、形成在第一電極與第二電極之間的有源層以及形成為隔著絕緣層與有源層面對(duì)的控制電極。有源元件30具體地是作為FET形成的，并且更加具體地是作為TFT形成的。第一電極和第二電極對(duì)應(yīng)于源極/漏極電極33，控制電極對(duì)應(yīng)于柵極電極31，絕緣層對(duì)應(yīng)于柵極絕緣層32，并且有源層對(duì)應(yīng)于溝道形成區(qū)域34。向控制電極施加電壓，從而對(duì)從第一電極經(jīng)過(guò)有源層流向第二電極的電流進(jìn)行控制。在此情況下，作為TFT形成的有源元件30具體地進(jìn)一步形成為具有底柵底接觸型結(jié)構(gòu)。有源元件30具有(A)形成在第二基板22上的柵極電極31 (對(duì)應(yīng)于控制電極)；(B)形成在柵極電極31和第二基板22上的柵極絕緣層32 (對(duì)應(yīng)于絕緣層)；(C)形成在柵極絕緣層32上的源極/漏極電極33 (對(duì)應(yīng)于第一電極和第二電極)；以及⑶在源極/漏極電極33之間形成為位于柵極絕緣層32上方的溝道形成區(qū)域34 (對(duì)應(yīng)于有源層)，溝道形成區(qū)域34是作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層形成的。在實(shí)施例I中，使用金(Au)來(lái)形成控制電極(柵極電極31)以及第一電極和第二電極(源極/漏極電極33)，使用SiO2來(lái)形成絕緣層(柵極絕緣層32)，并且使用三異丙基甲娃燒基乙炔基并五苯(triisopropylsilyl-pentacene, TIPS-pentacene)來(lái)形成有源層(溝道形成區(qū)域34)。 下文中將說(shuō)明實(shí)施例I的薄膜器件的制造方法和圖像顯示裝置的制造方法。在下面的說(shuō)明中，將控制電極和柵極電極統(tǒng)稱為柵極電極，將第一電極和第二電極以及源極/漏極電極統(tǒng)稱為源極/漏極電極，將絕緣層和柵極絕緣層統(tǒng)稱為柵極絕緣層，并且將有源層和溝道形成區(qū)域統(tǒng)稱為溝道形成區(qū)域。預(yù)先制備有機(jī)半導(dǎo)體材料的溶液。特別地，將I克的作為有機(jī)半導(dǎo)體材料的TIPS-pentacene溶解在100克的作為有機(jī)溶劑的1，2，3，4_四氫萘中。另外，制備第一基板形成溶液和第二基板形成溶液，通過(guò)在n-甲基吡咯烷酮中溶解聚砜(玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度Tg 180°C )來(lái)制備第一基板形成溶液，并通過(guò)在環(huán)戊酮中溶解環(huán)氧樹脂類樹脂(特別地，鄰甲酸甲醒環(huán)氧樹脂(o-cresol novolac epoxy resin))來(lái)制備第二基板形成溶液。工序-100首先，通過(guò)涂布法使用樹脂材料在支撐基底20 (支撐基板)上形成第一基板21，并且隨后通過(guò)使用熱固性樹脂在第一基板21上形成第二基板22?；蛘撸ㄟ^(guò)涂布法使用非晶熱塑性樹脂在支撐基底上形成第一基板21，并且隨后通過(guò)使用熱固性樹脂在第一基板21上形成第二基板22。特別地，通過(guò)使用桿式涂布器將第一基板形成溶液涂敷到支撐基底20 (其由玻璃基板設(shè)置而成)，并且隨后使其干燥成具有100 u m的厚度，從而在支撐基底20上形成第一基板21。隨后，將第二基板形成溶液涂敷在第一基板21上，并接著通過(guò)干燥使其熱固化成具有10 y m的厚度，從而在第一基板21上形成第二基板22。隨后，在第二基板22上形成有源元件30。工序-110為了形成有源元件30，在第二基板22上形成柵極電極31。特別地，通過(guò)光刻技術(shù)形成抗蝕劑層(未圖示)，該抗蝕劑層中的形成有柵極電極31的部分被去除。通過(guò)氣相沉積法在得到的產(chǎn)品的整個(gè)表面上依次形成作為粘合層的鈦(Ti)層(未圖示)和作為柵極電極31的金(Au)層，并且隨后去除抗蝕劑層。以此方式，能夠通過(guò)所謂的剝離技術(shù)形成柵極電極31。工序-120
然后，在得到的產(chǎn)品的整個(gè)表面上(具體地，在柵極電極31和第二基板22上)形成柵極絕緣層32。更特別地，通過(guò)濺射法使用SiO2在柵極電極31和第二基板22上形成柵極絕緣層32。在形成柵極絕緣層32時(shí)，使用硬掩模部分地覆蓋柵極電極31，從而能夠不使用光刻工藝形成柵極電極31的連接部(未圖示)。工序-130然后，以金(Au)層的形式在柵極絕緣層32上形成源極/漏極電極33。特別地，通過(guò)氣相沉積法依次形成具有大約0. 5nm厚度的作為粘合層的鈦(Ti)層(未圖示)和具有25nm厚度的作為源極/漏極電極33的金(Au)層。在形成這些層時(shí)，使用硬掩模部分地覆蓋柵極絕緣層32，從而能夠不使用光刻工藝形成源極/漏極電極33。工序-140然后，將有機(jī)半導(dǎo)體材料溶液涂敷在柵極絕緣層32上的至少處于源極/漏極電極33之間的位置處，并接著對(duì)其進(jìn)行干燥，從而以有機(jī)半導(dǎo)體材料層的形式形成溝道形成區(qū) 域34。特別地，通過(guò)旋涂法使用上述有機(jī)半導(dǎo)體材料溶液形成有機(jī)半導(dǎo)體材料層。隨后，在90°C的溫度下將得到的有機(jī)半導(dǎo)體材料層干燥4小時(shí)。以此方式，能夠形成溝道形成區(qū)域34(有源層)(參見(jiàn)圖1B)?；蛘?，通過(guò)噴墨印刷技術(shù)使用上述有機(jī)半導(dǎo)體材料溶液形成有機(jī)半導(dǎo)體材料層。隨后，在90°C的溫度下將得到的有機(jī)半導(dǎo)體材料層干燥4小時(shí)，從而也能夠形成溝道形成區(qū)域34(有源層)。工序-150接著，在得到的產(chǎn)品的整個(gè)表面上形成鈍化層(未圖示)，并且通過(guò)印刷并隨后煅燒(calcining)銀漿料來(lái)形成連接至柵極電極31和源極/漏極電極33的布線(未圖示)。在此情況下，銀漿料的煅燒溫度是在薄膜器件和圖像顯示裝置的一系列制造工序中的加工溫度的最大值(特別地，1500C )。以此方式，能夠制造底柵底接觸型FET (特別地，TFT)。工序-160然后，從第一基板21去除支撐基底20。特別地，在形成為處于支撐基底20上方的第二基板22和第一基板21中形成切割線,并且使水從切割線侵入,從而從第一基板21去除支撐基底20。以此方式，能夠制造實(shí)施例I的薄膜器件(TFT) 10A。另外，也能夠制造包含實(shí)施例I的薄膜器件IOA的圖像顯示裝置。為了制造圖像顯示裝置，在該工序之后可以通過(guò)傳統(tǒng)的方法在薄膜器件IOA上或薄膜器件IOA上方形成圖像顯示器(特別地，包括有機(jī)電致發(fā)光器件、微囊型電泳顯示器件或半導(dǎo)體發(fā)光器件的圖像顯示器)。在實(shí)施例I的薄膜器件的制造方法和圖像顯示裝置的制造方法中，將有源元件30形成為處于包括第一基板21和第二基板22上的雙層結(jié)構(gòu)的上方,并且隨后從第一基板21去除支撐基底20。因此，能夠在不需要大型制造設(shè)備的情況下通過(guò)簡(jiǎn)單容易的工藝制造薄膜器件IOA0另外，由于在第一基板21覆蓋有第二基板22的狀態(tài)下將有源元件30形成在第二基板22上，所以能夠防止第一基板21發(fā)生破裂，這樣的破裂例如是由于在有源元件30的形成期間第一基板21與諸如丙酮等酮類溶劑相接觸而導(dǎo)致的。例如，在制造有機(jī)晶體管的傳統(tǒng)技術(shù)中，通過(guò)使用粘合材料等將塑料膜粘合到支撐基底，在塑料膜上形成有機(jī)晶體管，并且隨后從支撐基底去除形成有有機(jī)晶體管的塑料膜。與這樣的技術(shù)相比，在本發(fā)明實(shí)施方式中未使用粘合材料，因此能夠克服如下典型問(wèn)題在將塑料膜從支撐基底去除的過(guò)程中，粘合材料部分殘留在塑料膜上，并且然后通過(guò)額外的工序?qū)⑸鲜稣澈喜牧先コ?。例如能夠通過(guò)下面的方式來(lái)評(píng)估第一基板21中損壞的發(fā)生將第一基板21浸入丙酮中，并且在60°C下維持30分鐘；接著從溶劑中取出第一基板21，并隨后目視觀察第一基板21的表面。為了評(píng)估第一基板21相對(duì)支撐基底20的90°剝離強(qiáng)度，使用滕西隆(TENSILON，A&D有限公司(A&D Company, Limited)出售)。將玻璃基板的表面沖洗干凈，并且用桿式涂布器將第一基板形成溶液涂敷至該玻璃基板上，隨后進(jìn)行干燥以使其具有IOOiim的厚度，從而在玻璃基板上形成第一基板21。然后，可根據(jù)JIS K 6854-1 :1999測(cè)定90°剝離強(qiáng)度。
由于第一基板21是通過(guò)涂布法形成在支撐基底20上的，所以能夠簡(jiǎn)單地形成第一基板21，從而幾乎不可能在支撐基底20與第一基板21之間導(dǎo)致氣泡。在實(shí)施例I的薄膜器件IOA中，界定了用于第一基板21和第二基板22的材料以及上述材料的特性、詳細(xì)數(shù)據(jù)和詳細(xì)情況。因此，能夠在不使用大型制造設(shè)備的情況下通過(guò)簡(jiǎn)單容易的工藝制造薄膜器件IOA0將替代環(huán)氧樹脂類樹脂的鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂(diallyl phthalate resin)涂敷在第一基板21上以形成第二基板22，并進(jìn)行紫外線照射使第二基板22固化，從而形成基板的雙層結(jié)構(gòu)。在此情況下，也能夠防止第一基板21發(fā)生破裂，這樣的破裂例如是由于在有源元件30的形成期間第一基板21與諸如丙酮等酮類溶劑相接觸而導(dǎo)致的。除了沒(méi)有形成第二基板22之外，同樣使用與實(shí)施例I相同的工序，由此制造比較例IA的薄膜器件。因此，例如在有源元件30的形成期間第一基板21與諸如丙酮等酮類溶劑相接觸的情況下，第一基板21雖然沒(méi)有溶解但是受到了諸如破裂等損傷。這樣的破裂被認(rèn)為是由第一基板21內(nèi)部形成的應(yīng)力導(dǎo)致的。在比較例IB中，第一基板21作為聚酰亞胺樹脂層(干燥后的厚度為100 U m)形成在支撐基底20上。另外，沒(méi)有形成第二基板22，并且除了上述這些變化外，同樣使用與實(shí)施例I相同的工序，由此制造薄膜器件。因此，在與實(shí)施例I的工序-160相同的工序中，難以從聚酰亞胺樹脂層去除支撐基底20。在比較例IC中，除了使用具有110°C的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度Tg的聚丙烯酸酯在支撐基底20形成第一基板21之外，同樣使用與實(shí)施例I相同的工序，由此制造薄膜器件。特別地，如同實(shí)施例I的情況，使用鄰甲酸甲醛環(huán)氧樹脂在第一基板21上形成第二基板22。因此，在有源元件30器件的形成期間，第一基板21從支撐基底20剝落，從而導(dǎo)致了薄膜器件制造失敗。3.實(shí)施例2實(shí)施例2是實(shí)施例I的變形例。在實(shí)施例2中，薄膜器件IOB是作為底柵頂接觸型FET (特別地，TFT)形成的。參照用于示意表示實(shí)施例2的FET的部分橫截面的圖2A，該FET包括(A)形成在第二基板22上的柵極電極31 (對(duì)應(yīng)于柵極電極)；(B)形成在柵極電極31和第二基板22上的柵極絕緣層32 (對(duì)應(yīng)于絕緣層)；(C)形成在柵極絕緣層32上的溝道形成區(qū)域34 (對(duì)應(yīng)于有源層)和溝道形成區(qū)域延伸部35，溝道形成區(qū)域34和溝道形成區(qū)域延伸部35是作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層形成的；以及(D)形成在溝道形成區(qū)域延伸部35上的源極/漏極電極33 (對(duì)應(yīng)于第一電極和第二電極)。
下文中將說(shuō)明實(shí)施例2的薄膜器件IOB的制造方法。工序-200與實(shí)施例I的工序-100的情況相同，首先在支撐基底20上依次形成第一基板21和第二基板22。與實(shí)施例I的工序-110的情況相同，在第二基板22上形成柵極電極31，并且隨后與實(shí)施例I的工序-120的情況相同，在得到的產(chǎn)品的整個(gè)表面上(具體地，在柵極電極31和第二基板22上)形成柵極絕緣層32。工序-210與實(shí)施例I的工序-140的情況相同，隨后將有機(jī)半導(dǎo)體材料的溶液涂敷在柵極絕 緣層32上，并接著對(duì)其進(jìn)行干燥，從而形成作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層的溝道形成區(qū)域34和溝道形成區(qū)域延伸部35。工序-220在溝道形成區(qū)域延伸部35上形成源極/漏極電極33，使得溝道形成區(qū)域34位于源極/漏極電極33之間。特別地，與實(shí)施例I的工序-130的情況相同，通過(guò)氣相沉積法依次形成作為粘合層的鈦(Ti)層(未圖示)和作為源極/漏極電極33的金(Au)層。在形成這些層時(shí)，使用硬掩模部分地覆蓋溝道形成區(qū)域延伸部35，從而能夠不使用光刻工藝形成源極/漏極電極33。工序-230然后，如同實(shí)施例I的情況，形成鈍化層(未圖示)和布線(未圖示)，并且接著從第一基板21去除支撐基底20，從而能夠完成實(shí)施例2的薄膜器件10B。4.實(shí)施例3實(shí)施例3也是實(shí)施例I的變形例。在實(shí)施例3中，薄膜器件IOC是作為頂柵底接觸型FET (特別地，TFT)形成的。參照用于示意表示實(shí)施例3的FET的部分橫截面的圖2B，該FET包括(A)形成在第二基板22上的源極/漏極電極33 (對(duì)應(yīng)于第一電極和第二電極)；
(B)在第二基板22上形成為位于源極/漏極電極33之間的溝道形成區(qū)域34(對(duì)應(yīng)于有源層)，溝道形成區(qū)域34是作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層形成的；(C)形成在溝道形成區(qū)域34上的柵極絕緣層32 (對(duì)應(yīng)于絕緣層)；以及(D)形成在柵極絕緣層32上的柵極電極31 (對(duì)應(yīng)于控制電極)。下面將說(shuō)明實(shí)施例3的薄膜器件的制造方法。工序-300如同實(shí)施例I的工序-100的情況，首先在支撐基底20上依次形成第一基板21和第二基板22。然后，如同實(shí)施例I的工序-130的情況，在第二基板22上形成源極/漏極電極33。將有機(jī)半導(dǎo)體材料的溶液涂敷在得到的產(chǎn)品的整個(gè)表面上(具體地，在源極/漏極電極33和第二基板22上)，并如同實(shí)施例I的工序-140的情況，接著對(duì)其進(jìn)行干燥，從而形成作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層的溝道形成區(qū)域34 (有源層)。工序-310然后以與實(shí)施例I的工序-120相同的方式，在得到的產(chǎn)品的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層32。接著以與實(shí)施例I的工序-110相同的方式，在柵極絕緣層32上形成位于溝道形成區(qū)域34上方的柵極電極31。工序-320
然后，如同實(shí)施例I的情況，形成鈍化層(未圖示)和布線(未圖示)，并且接著從第一基板21去除支撐基底20，從而能夠完成實(shí)施例3的薄膜器件10C。5.實(shí)施例4實(shí)施例4也是實(shí)施例I的變形例。在實(shí)施例4中，薄膜器件IOD是作為頂柵頂接觸型FET (特別地，TFT)形成的。參照用于示意表示實(shí)施例4的FET的部分橫截面的圖3A，該FET包括(A)形成在第二基板22上的溝道形成區(qū)域34 (對(duì)應(yīng)于有源層)和溝道形成區(qū)域延伸部35，溝道形成區(qū)域34和溝道形成區(qū)域延伸部35是作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層形成的；
(B)形成在溝道形成區(qū)域延伸部35上的源極/漏極電極33(對(duì)應(yīng)于第一電極和第二電極)；
(C)形成在源極/漏極電極33和溝道形成區(qū)域34上的柵極絕緣層32(對(duì)應(yīng)于絕緣層)；以及⑶形成在柵極絕緣層32上的柵極電極31 (對(duì)應(yīng)于控制電極)。下面將說(shuō)明實(shí)施例4的薄膜器件的制造方法。 工序-400如同實(shí)施例I的工序-100的情況，首先在支撐基底20上依次形成第一基板21和第二基板22。然后，如同實(shí)施例I的工序-140的情況，將有機(jī)半導(dǎo)體材料的溶液涂敷在第二基板22上，并且接著對(duì)其進(jìn)行干燥，從而形成作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層的溝道形成區(qū)域34和溝道形成區(qū)域延伸部35。工序-410然后，以與實(shí)施例I的工序-130相同的方式，在溝道形成區(qū)域延伸部35上形成源極/漏極電極33。工序-420接著，以與實(shí)施例I的工序-120相同的方式，在得到的產(chǎn)品的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層32。然后以與實(shí)施例I的工序-110相同的方式，在柵極絕緣層32上形成位于溝道形成區(qū)域34上方的柵極電極31。工序-430然后，如同實(shí)施例I的情況，形成鈍化層(未圖示)和布線(未圖示)，并且接著從第一基板21去除支撐基底20，從而能夠完成實(shí)施例4的薄膜器件10D。6.實(shí)施例5實(shí)施例5是實(shí)施例I 4的變形例。在實(shí)施例5中，采用未固化或未交聯(lián)的樹脂材料(具體地，聚砜)作為用于第一基板21的樹脂材料。用于第二基板22的材料包含用于第一基板21的材料。除了上述這些特點(diǎn)之外，能夠制造出實(shí)施例5的具有與實(shí)施例I 4的薄膜器件的形成材料和結(jié)構(gòu)相同的形成材料和結(jié)構(gòu)的薄膜器件10D，并且能夠通過(guò)與實(shí)施例I 4中采用的方法相同的方法制造實(shí)施例5的薄膜器件10D。因此省略實(shí)施例5的薄膜器件的制造方法的詳細(xì)說(shuō)明。7.實(shí)施例6實(shí)施例6也是實(shí)施例I的變形例。在實(shí)施例6中，實(shí)施例6的有源元件具體地是作為兩端子器件形成的。更特別地，參照用于示意說(shuō)明薄膜器件IOE的部分橫截面圖的圖3B，薄膜器件IOE包括第一電極41、第二電極42以及布置在第一電極41與第二電極42之間的有源層43。在此情況下，有源層43是作為有機(jī)半導(dǎo)體材料層形成的。對(duì)有源層43的發(fā)光導(dǎo)致了電能的產(chǎn)生。換言之，實(shí)施例6的薄膜器件IOE用作光電變換器或太陽(yáng)能電池。另外，薄膜器件IOE也用作如下發(fā)光器件通過(guò)在第一電極41與第二電極42間施加電壓使有源層43發(fā)光。除了這些特點(diǎn)之外，能夠制造實(shí)施例6的基本具有與實(shí)施例I的薄膜器件IOA的形成材料和結(jié)構(gòu)相同的形成材料和結(jié)構(gòu)的薄膜器件10E，并且因此省略實(shí)施例6的薄膜器件的制造方法的詳細(xì)說(shuō)明。進(jìn)行與實(shí)施例I的工序-100相同的工序，并且以與實(shí)施例I的工序-130、工序-140、工序-130基本相同的方式分別依次形成第一電極41、有源層43和第二電極42。接著以與實(shí)施例I的工序-150相同的方式形成布線，并且以與實(shí)施例I的工序-160相同的方式從第一基板21去除支撐基底20，從而能夠制造出實(shí)施例6的薄膜器件10E。盡管已經(jīng)參照優(yōu)選實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是本發(fā)明的實(shí)施方式不限于上面的實(shí)施例。各薄膜器件的結(jié)構(gòu)、形成材料、形成條件和制造條件僅是作為示例性的并且能夠適當(dāng)進(jìn)行變化。在將在本發(fā)明實(shí)施方式中制造的薄膜器件應(yīng)用于或使用于顯示裝置和各種電子設(shè)備的情況下，例如，上述薄膜器件可以被設(shè)置成基板與大量的薄膜器件集成的單片集成電路或者可以被設(shè)置為通過(guò)切割并隨后將單獨(dú)的薄膜器件個(gè)體化而制造的分 離部件。盡管在實(shí)施例中薄膜器件主要被形成為三端子器件或二端子器件，但是上述薄膜器件可以被設(shè)置為分別具有典型的形成材料和結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件、微囊型電泳顯示器件或半導(dǎo)體發(fā)光器件。在此情況下，可以采用傳統(tǒng)的方法來(lái)制造這些有機(jī)電致發(fā)光器件、微囊型電泳顯示器件或半導(dǎo)體發(fā)光器件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以在本發(fā)明隨附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合以及改變。
權(quán)利要求
1.一種薄膜器件的制造方法，所述方法包括以下步驟 通過(guò)涂布法在支撐基底上形成第一基板，所述第一基板是使用樹脂材料形成的； 通過(guò)使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂在所述第一基板上形成第二基板； 在所述第二基板上形成有源元件；并且 從所述第一基板去除所述支撐基底， 其中，用于形成所述第一基板的所述樹脂材料具有至少180°C的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜器件的制造方法，其中， 用于所述第一基板的所述樹脂材料由未固化樹脂材料或未交聯(lián)樹脂材料組成，并且 用于所述第二基板的材料包含用于所述第一基板的所述樹脂材料的成分。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜器件的制造方法，其中，相對(duì)所述支撐基底的剝離強(qiáng)度在I. ON/cm至4. 9N/cm的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件包括 第一電極和第二電極； 形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有源層；以及 隔著絕緣層與所述有源層面對(duì)的控制電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜器件的制造方法，其中， 所述有源元件形成為薄膜晶體管， 所述第一電極和所述第二電極用作源極/漏極電極， 所述控制電極用作柵極電極， 所述絕緣層用作柵極絕緣層，并且 所述有源層用作溝道形成區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件包括 第一電極和第二電極；以及 形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有源層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4-6中任一項(xiàng)所述的薄膜器件的制造方法，其中，使用有機(jī)半導(dǎo)體材料來(lái)形成所述有源層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件形成為有機(jī)電致發(fā)光器件或微囊型電泳顯示器件。
9.一種薄膜器件的制造方法，所述方法包括 通過(guò)涂布法在支撐基底上形成第一基板，所述第一基板是使用樹脂材料形成的； 通過(guò)使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂在所述第一基板上形成第二基板； 在所述第二基板上形成有源元件；并且 從所述第一基板去除所述支撐基底， 其中，用于所述第一基板的所述樹脂材料的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度高于所述有源元件的形成期間的加工溫度的最大值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜器件的制造方法，其中，用于形成所述第一基板的所述樹脂材料具有至少180°C的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜器件的制造方法，其中，相對(duì)所述支撐基底的剝離強(qiáng)度在I. ON/cm至4. 9N/cm的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件包括 第一電極和第二電極； 形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有源層；以及 隔著絕緣層與所述有源層面對(duì)的控制電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜器件的制造方法，其中， 所述有源元件形成為薄膜晶體管， 所述第一電極和所述第二電極用作源極/漏極電極， 所述控制電極用作柵極電極， 所述絕緣層用作柵極絕緣層，并且 所述有源層用作溝道形成區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件包括 第一電極和第二電極；以及 形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有源層。
15.根據(jù)權(quán)利要求12-14中任一項(xiàng)所述的薄膜器件的制造方法，其中，使用有機(jī)半導(dǎo)體材料來(lái)形成所述有源層。
16.根據(jù)權(quán)利要求9-11中任一項(xiàng)所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件形成為有機(jī)電致發(fā)光器件或微囊型電泳顯示器件。
17.一種薄膜器件的制造方法，所述方法包括 通過(guò)涂布法在支撐基底上形成第一基板，所述第一基板是使用非晶熱塑性樹脂形成的； 通過(guò)使用熱固性樹脂或紫外線固化型樹脂在所述第一基板上形成第二基板； 在所述第二基板上形成有源元件；并且 從所述第一基板上去除所述支撐基底。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜器件的制造方法，其中，采用聚砜類樹脂作為用于所述第一基板的所述非晶熱塑性樹脂。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的薄膜器件的制造方法，其中，采用聚砜樹脂、聚醚砜樹脂或聚醚酰亞胺樹脂作為用于所述第一基板的所述非晶熱塑性樹脂。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜器件的制造方法，其中，采用環(huán)氧樹脂類樹脂作為用于所述第二基板的所述熱固性樹脂。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件包括 第一電極和第二電極； 形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有源層；以及 隔著絕緣層與所述有源層面對(duì)的控制電極。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的薄膜器件的制造方法，其中 所述有源元件形成為薄膜晶體管， 所述第一電極和所述第二電極用作源極/漏極電極， 所述控制電極用作柵極電極， 所述絕緣層用作柵極絕緣層，并且 所述有源層用作溝道形成區(qū)域。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件包括 第一電極和第二電極；以及 形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有源層。
24.根據(jù)權(quán)利要求21-23中任一項(xiàng)所述的薄膜器件的制造方法，其中，使用有機(jī)半導(dǎo)體材料來(lái)形成所述有源層。
25.根據(jù)權(quán)利要求17-20中任一項(xiàng)所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件形成為有機(jī)電致發(fā)光器件或微囊型電泳顯示器件。
26.一種圖像顯示裝置的制造方法，所述方法包括根據(jù)權(quán)利要求I至25中任一項(xiàng)所述的薄膜器件的制造方法。
27.一種薄膜器件，所述薄膜器件包括 第一基板； 形成在所述第一基板上的第二基板；及 形成在所述第二基板上的有源元件， 其中，所述第一基板是使用樹脂材料形成的，并且所述樹脂材料具有至少180°C的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度，以及 所述第二基板是使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂形成的。
28.一種薄膜器件，其包括 第一基板； 形成在所述第一基板上的第二基板；及 形成在所述第二基板上的有源元件， 其中，所述第一基板是使用樹脂材料形成的，并且所述樹脂材料的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度高于所述有源元件的形成期間的加工溫度的最大值，以及 所述第二基板是使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂形成的。
29.—種薄膜器件,其包括 第一基板； 形成在所述第一基板上的第二基板；及 形成在所述第二基板上的有源元件， 其中，所述第一基板是使用非晶熱塑性樹脂形成的，以及 所述第二基板是使用熱固性樹脂或紫外線固化型樹脂形成的。
全文摘要
本發(fā)明公開了薄膜器件、該薄膜器件的制造方法以及圖像顯示裝置的制造方法。所述薄膜器件的制造方法包括以下步驟通過(guò)涂布法在支撐基底上形成第一基板，所述第一基板是使用樹脂材料形成的；通過(guò)使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂在所述第一基板上形成第二基板；在所述第二基板上形成有源元件；并且從所述第一基板去除所述支撐基底，其中，用于形成所述第一基板的樹脂材料具有至少180℃的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度。所述圖像顯示裝置的制造方法包括所述薄膜器件的制造方法。因此，本發(fā)明能夠在不用大型制造設(shè)備的情況下通過(guò)簡(jiǎn)單容易的工藝制造所述薄膜器件。
文檔編號(hào)H01L51/05GK102738393SQ20121008076
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月1日
發(fā)明者石井由威, 福田敏生 申請(qǐng)人:索尼公司