專利名稱：芯片減薄工藝中芯片的保護方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體硅器件與集成電路制造過程中，在芯片減薄工藝中芯片保 護的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體硅器件與集成電路管芯的制造工藝過程必須要有制品晶片的減薄工藝。由于各種器件的電特性要求，基片普遍要求薄。而這些制品是批量制作在大圓片 (如4時片、5時片、6時片等)上的，薄的大圓片在加工過程中極易碎片，越薄越易碎，所以 工藝過程必須采用厚片加工和傳遞，直到制品制成以后，再用減薄工藝對其背面進行減薄 到需要的厚度，然后進行后續(xù)工序，直到完成半導(dǎo)體芯片的制作。減薄工藝本身是用金剛砂研磨背面且要磨去約2/3的原硅片厚度，磨薄以后還要 進行化學(xué)腐蝕和清洗等工藝，因此，必須對片上已經(jīng)做好制品硅片的正面(管芯制品)進行 保護，要使其不受金剛砂研磨液的浸襲和腐蝕液的破壞，否則大量的成品將受損失。早先的保護采用涂膠。涂一定厚度的黑膠或光刻膠，制品正面牢固涂覆的膠層，它 牢固的附著力和抗腐蝕性可以實現(xiàn)對制品的正面保護，但這種方法工藝復(fù)雜，待到減薄完 成后還要進行去膠，多用化學(xué)方法溶解，后還要進行繁雜的再清洗?？傊?，工藝復(fù)雜，成本 高，生產(chǎn)效率低。經(jīng)改進的保護是用帶粘性的滌綸薄膜，如常用于半導(dǎo)體生產(chǎn)裂片工藝的藍膜。借 助于藍膜強大的粘性把膜緊緊地覆蓋粘貼在制品硅片上保護的正面。這種膜有相當好的抗 酸堿的腐蝕性，因此，起到了所需的制品正面保護的作用。但缺點是揭除這種粘膜則比較麻 煩。一般說來，粘貼的愈牢愈難揭除，去除膜時多用手工，膜容易被撕碎，而且殘余的粘膠也 愈多，也難除盡，影響制品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服上述不足之處，從而提供一種芯片減薄工藝中芯片的保 護方法。本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的，一種芯片減薄工藝中芯片保護的方法，采用 “日東電工株式會社”生產(chǎn)的3193型和319Y型熱剝離滾軸卷膜和真空吸盤、去膜加熱器、特 氟隆片架、特氟隆鑷子、海綿檫以及干凈的白紗手套等工裝夾具完成，其特征是包括以下 步驟(1)準備準備好“日東電工株式會社”生產(chǎn)的3193型和319Y型熱剝離膜、真空吸 盤、去膜加熱器、特氟隆片架、特氟隆鑷子、海綿檫和干凈的白紗手套；(2)貼膜2. 1戴好干凈白紗手套，使用特氟隆鑷子從片架內(nèi)夾取待貼膜的制品硅片，正面向 上放置在真空吸盤上；2. 2打開真空，使待貼膜的制品硅片吸附在真空吸盤上，用3193型或319Y型熱剝離膜覆蓋制品硅片正面，并用海綿擦將熱剝離膜與制品硅片表面初步壓實，再使用刀片沿 制品硅片邊緣切斷熱剝離膜；2. 3破解真空，取下貼好熱剝離膜的待減薄的制品硅片，使用刀片沿制品硅片邊緣 修整熱剝離膜，使之與制品硅片完全重合；2. 4用戴白紗手套的手指將貼好熱剝離膜的待減薄的制品硅片邊緣再次用力壓 實，防止邊緣有縫隙存在；(3)對保護好的制品硅片進行背面減薄、化腐工藝；(4)去膜4. 1將去膜加熱器接通加熱電源，控制溫度在135 145°C ；4. 2然后將需剝除熱剝離膜的制品硅片平放在加熱器的金屬平臺上；4. 3待制品表面的熱剝離膜發(fā)生突起；4. 4用特氟隆鑷子將制品表面突起的熱剝離膜揭除；4. 5將去膜后的制品硅片放入特氟隆片架內(nèi)。步驟(2)2. 2所述熱剝離膜覆蓋制品硅片正面的制品硅片為晶體管背金芯片或集 成電路背金芯片，晶體管背金芯片的正面覆蓋319Y型熱剝離膜，集成電路背金芯片的正面 覆蓋3193型熱剝離膜。對于不同的半導(dǎo)體制品采用不同型號的熱剝離膜(見表1使用保 護膜類型與產(chǎn)品的對應(yīng)關(guān)系)。表 權(quán)利要求
一種芯片減薄工藝中芯片的保護方法，其特征是包括以下步驟(1)準備準備好“日東電工株式會社”生產(chǎn)的3193型和319Y型熱剝離膜、真空吸盤、去膜加熱器、特氟隆片架、特氟隆鑷子、海綿檫和干凈的白紗手套；(2)貼膜2.1戴好干凈白紗手套，使用特氟隆鑷子從片架內(nèi)夾取待貼膜的制品硅片，正面向上放置在真空吸盤上；2.2打開真空，使待貼膜的制品硅片吸附在真空吸盤上，用3193型或319Y型熱剝離膜覆蓋制品硅片正面，并用海綿擦將熱剝離膜與制品硅片表面初步壓實，再使用刀片沿制品硅片邊緣切斷熱剝離膜；2.3破解真空，取下貼好熱剝離膜的待減薄的制品硅片，使用刀片沿制品硅片邊緣修整熱剝離膜，使之與制品硅片完全重合；2.4用戴白紗手套的手指將貼好熱剝離膜的待減薄的制品硅片邊緣再次用力壓實，防止邊緣有縫隙存在；(3)對保護好的制品硅片進行背面減薄、化腐工藝；(4)去膜4.1將去膜加熱器接通加熱電源，控制溫度在135～145℃；4.2然后將需剝除熱剝離膜的制品硅片平放在加熱器的金屬平臺上；4.3待制品表面的熱剝離膜發(fā)生突起；4.4用特氟隆鑷子將制品表面突起的熱剝離膜揭除；4.5將去膜后的制品硅片放入特氟隆片架內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片減薄工藝中芯片的保護方法，其特征是步驟(2)2. 2所述 熱剝離膜覆蓋制品硅片正面的制品硅片為晶體管背金芯片或集成電路背金芯片，晶體管背 金芯片的正面覆蓋319Y型熱剝離膜，集成電路背金芯片的正面覆蓋3193型熱剝離膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種芯片減薄工藝中芯片的保護方法，采用3193型或319Y型熱剝離膜和真空吸盤、去膜加熱器等材料和工具，將3193型或319Y型熱剝離膜覆蓋制品硅片正面進行芯片減薄工藝，芯片減薄合格后，進行加熱揭膜。本發(fā)明方法合理簡便，芯片減薄工藝中芯片正面保護效果好。由于3193型或319Y型熱剝離膜使用了熱發(fā)泡剝離粘附劑，因而常溫時粘附力極強，待加熱到135～145℃時因粘附劑發(fā)泡，剝離力大大減小，故能輕易去膜，膜既不會被撕碎而殘留在制品硅片表面，而且也不留殘膠，操作簡便，節(jié)約了生產(chǎn)材料成本，大大提高了產(chǎn)品質(zhì)量和工作效率。
文檔編號H01L21/304GK101982870SQ20101028892
公開日2011年3月2日 申請日期2010年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月21日
發(fā)明者張俊 申請人:揚州晶新微電子有限公司