專利名稱：引線接合結(jié)構(gòu)的制作方法
技術領域：
本公開的實施例涉及集成電路領域，更具體地，涉及引線接合結(jié)構(gòu)以及相關制造 過程。
背景技術：
在集成電路的制造/裝配中，銅線是用于引線接合應用的新興技術。銅線不能與 諸如鋁之類的某些材料形成可靠的直接接合。例如直接形成在銅線與鋁材料之間的引線接 合在諸如溫度、濕度和/或偏置測試之類的各種可靠性測試下，可能由于材料的很差的粘 附性而失效。在這一部分的描述是相關技術，并且不必包括在37 C. F. R. 1. 97和37C. F. R. 1. 98 下公開的信息。除非特別申明為現(xiàn)有技術，否則不認為對相關技術的任何描述是現(xiàn)有技術。

發(fā)明內(nèi)容
本公開提供了一種裝置，該裝置包括半導體管芯；形成在半導體管芯上的接合 焊盤，該接合焊盤包括鋁(Al)；連接到接合焊盤的由金(Au)構(gòu)成的接合材料，該接合材料 覆蓋接合焊盤的至少一部分；以及連接到接合材料的引線，該引線由銅(Cu)構(gòu)成。在各個實施例中，接合材料是形成在接合焊盤上的膜。在各個實施例中，鈍化層被形成在半導體管芯上，該鈍化層被安置為覆蓋接合焊 盤的至少一部分。本公開還提供了一種方法，該方法包括在半導體管芯上形成接合焊盤，該接合焊 盤由鋁(Al)構(gòu)成；沉積由金(Au)構(gòu)成的接合材料以覆蓋接合焊盤的至少一部分；以及將 引線接合到接合材料，該引線由銅(Cu)構(gòu)成。在各個實施例中，執(zhí)行沉積接合材料這一步驟以在接合焊盤上形成膜。在各個實施例中，所述方法還包括對半導體管芯進行單個化(singulate)，其中沉 積接合材料這一步驟是在對半導體管芯進行單個化之前執(zhí)行的。本公開還提供了一種半導體封裝，該半導體封裝包括半導體管芯；形成在半導 體管芯上的接合焊盤，該接合焊盤由鋁(Al)構(gòu)成；連接到接合焊盤的由金(Au)構(gòu)成的接合 材料，該接合材料覆蓋接合焊盤的至少一部分；連接到接合材料的引線，該引線由銅(Cu) 構(gòu)成；以及通過引線電連接到半導體管芯的封裝基板。在各個實施例中，鈍化層被形成在半導體管芯上，該鈍化層被安置為覆蓋接合焊 盤的至少一部分。在各個實施例中，形成模制化合物(mold compound)以包封半導體管芯和引線。


通過下面結(jié)合附圖的詳細描述，將容易地理解本公開的實施例。為了使該說明簡 便，相似的標號表示相似的結(jié)構(gòu)要素。在附圖的各圖中以示例的方式而不是限制的方式圖示出這里的實施例。圖1示意性地示出了根據(jù)各個實施例的半導體封裝。圖2示意性地示出了根據(jù)各個實施例的一種引線接合結(jié)構(gòu)。圖3示意性地示出了根據(jù)各個實施例的另一引線接合結(jié)構(gòu)。圖4是根據(jù)各個實施例的用于制造具有引線接合結(jié)構(gòu)的半導體封裝的一種方法 的工藝流程圖。圖5是根據(jù)各個實施例的用于制造具有引線接合結(jié)構(gòu)的半導體封裝的另一方法 的工藝流程圖。圖6是根據(jù)各個實施例的用于制造具有引線接合結(jié)構(gòu)的半導體封裝的又一方法 的工藝流程圖。
具體實施例方式本公開的實施例描述了引線接合結(jié)構(gòu)以及相關的技術和配置。在下面的詳細描述 中，參考構(gòu)成其一部分的附圖，在所有附圖中相似的標號表示相似的部分。應當理解的是， 可以采用其他實施例，并且可以做出結(jié)構(gòu)或邏輯上的改變，而不脫離本公開的范圍。因此， 下面的詳細描述不是限制意義上的，實施例的范圍由所附的權利要求及其等同物來限定。描述可以使用基于透視的描述，例如上/下、后/前、之上/之下、在……上/ 在……下、在……下方和頂部/底部。這種說明僅僅用來使討論簡便并不是想要將這里描 述的實施例的應用限制為任何特定的方向。為了本公開的目的，短語“A/B”意味著A或者B。為了本公開的目的，短語“A和/ 或B”意味著“(A)、⑶或者(A和B)”。為了本公開的目的，短語“A、B和C中的至少一者” 意味著“ (A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或者(A、B和C) ”。為了本公開的目的， 短語“㈧B”意味著“ (B)或者(AB) ”，S卩，A為可選的要素。以最有利于理解所要求保護的主題的方式，將各種操作依次描述為多個分立的操 作。然而，描述的順序不應當被解釋為暗示這些操作必定是依賴于順序的。具體地，可以不 按呈現(xiàn)的順序執(zhí)行這些操作?？梢园床煌谒枋龅膶嵤├捻樞驁?zhí)行所描述的操作。在 其他實施例中，可以執(zhí)行各種其他操作和/或可以省略所描述的操作。本說明書使用短語“在一個實施例中”、“在實施例中”或類似用語，每個短語可以 指一個或多個相同或不同實施例。此外，結(jié)合本公開的實施例使用的術語“包括”、“包含”、 “具有”等是同義的。圖1示意性地示出了根據(jù)各個實施例的半導體封裝100。半導體封裝100包括如 圖所示地耦合的半導體管芯102和封裝基板104。通常使用諸如環(huán)氧樹脂或銀膏(silver paste)之類的粘合劑(未示出)將半導體管芯102物理附接到封裝基板104。半導體管芯102可以包括各種各樣的集成電路器件中的任一種(未示出)。這些 集成電路器件一般形成在半導體襯底的被稱為“有源”側(cè)的表面(例如，半導體管芯102的 Si)上，其與“無源”側(cè)(例如半導體管芯102的S2)相反。例如，半導體管芯102可以包括 形成在半導體管芯102的有源側(cè)(例如Si)上的晶體管或存儲單元。半導體管芯102例如 可以用作處理器或存儲器。半導體管芯102不限于這些器件并且在其他實施例中可以包括 其他器件。在一個實施例中，半導體管芯102包含硅。
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封裝基板104代表各種各樣的封裝基板。例如，封裝基板104可以是引線框、印刷 電路板或柔性電路。封裝基板104不限于這些類型的基板并且在其他實施例中可以包括其 他合適的封裝基板。一條或多條引線106將半導體管芯102與封裝基板104電耦合，以提供去往和/ 或來自半導體管芯102的各種部件的電通路。例如，該一條或多條引線106可以用來為半 導體管芯102提供輸入/輸出(I/O)信號或電力。該一條或多條引線106通常接合到半導 體管芯102的接合焊盤、引腳或跡線，并且還接合到封裝基板104的相應的接合焊盤、引腳 或跡線。區(qū)域108表示一個示例區(qū)域，在該區(qū)域，引線接合結(jié)構(gòu)(例如圖2的200或圖3的 300)形成在該一條或多條引線106與半導體管芯102的表面之間。結(jié)合圖2的引線接合 結(jié)構(gòu)200和圖3的引線接合結(jié)構(gòu)300，更加詳細地描述形成在區(qū)域108中的引線接合結(jié)構(gòu)。 根據(jù)各個實施例，該一條或多條引線106包含銅，例如包括銅合金。形成諸如基于環(huán)氧的材料之類的模制化合物118以包封半導體管芯102，如圖所 示。模制化合物118通過包封半導體管芯102并將其保持到封裝基板104上，保護半導體管 芯102使其免于與潮濕或氧化相關聯(lián)的缺陷并且提供更堅固、更耐用的柔性電路封裝100。 模制化合物118通常包括諸如環(huán)氧樹脂之類的聚合物，但是用于模制化合物118的材料不 限于此。在其他實施例中，可以使用其他合適的電絕緣材料來形成模制化合物118。一個或多個結(jié)構(gòu)(例如焊球120)可以用來進一步將封裝基板104與諸如主板(未 示出)或其他類型的電路板之類的其他電子器件電耦合。在其他實施例中可以使用將封裝 基板104與其他電子器件電耦合的其他類型的結(jié)構(gòu)。這里描述的實施例可以包括除了針對半導體封裝100所描述的配置之外的引線 接合配置。例如，在其他配置中，多個半導體管芯可以被耦合到封裝基板104或彼此堆疊。圖2示意性地示出了根據(jù)各個實施例的引線接合結(jié)構(gòu)200。引線接合結(jié)構(gòu)200包 括形成在半導體管芯202的表面(例如圖1的Si)上的接合焊盤214。接合焊盤214通過 一個或多個互連結(jié)構(gòu)(例如216和218)電耦合到一個或多個集成電路器件220，例如晶體 管。該一個或多個互連結(jié)構(gòu)例如可以包括通孔型結(jié)構(gòu)216和金屬線218的交替層，其形成 用來提供半導體管芯202的一個或多個集成電路器件220與接合焊盤214之間的電連接。通過將導電材料沉積到半導體管芯202的表面來形成接合焊盤214。在一個實施 例中，接合焊盤214包括鋁(Al)。該導電材料可以使用各種沉積技術來沉積，這些沉積技術 例如包括電鍍、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)和/或原子層沉積(ALD)。在其 他實施例中，可以使用其他沉積技術來形成接合焊盤214。接合焊盤214通常是在與制造半導體管芯(例如圖1的102)相關的管芯制造工 藝期間形成的。該管芯制造工藝包括各種沉積和圖案化操作以在半導體晶片(未示出)上 形成集成電路器件220和互連結(jié)構(gòu)(例如216和218)。半導體晶片通常包括形成于其上的 多個半導體管芯。形成鈍化層210以在半導體管芯202的表面(例如圖1的Si)上提供保護涂層。 例如沉積用于形成鈍化層210的電絕緣材料以基本上覆蓋半導體管芯202的表面。選擇性 地去除鈍化層210的一些部分以在形成在半導體管芯202上的接合焊盤(例如接合焊盤 214)之上的鈍化層210中提供開口，從而允許一條或多條引線(例如引線206)附接到接合化層210被安置為覆蓋接合焊盤214的至少一部分，如圖所示。 鈍化層210可以包括各種電絕緣材料，例如聚合物、氧化物或氮化物材料。在其他實施例中 可以使用其他電絕緣材料。接合材料212形成在接合焊盤214上以輔助接合焊盤214與引線206之間的接合。 該引線包括諸如銅(Cu)之類的導電材料。根據(jù)各個實施例，接合材料212為包括金(Au) 的導電材料。在其他實施例中，接合材料212包括鈀、鎳或其他金屬。在一個實施例中，沉 積包括金的接合材料212以在包括鋁的接合焊盤214上形成膜。由金構(gòu)成的接合材料212 在銅引線與鋁接合焊盤之間提供的接合比銅引線與鋁接合焊盤之間的直接接合更加可靠。在一個實施例中，接合材料212為基本上覆蓋接合焊盤214而形成的膜，如圖所 示。接合材料212通常具有基本上均勻的厚度。接合材料212可以根據(jù)各種技術來沉積，這 些技術包括電鍍、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)和/或原子層沉積(ALD)。在 其他實施例中，可以使用其他沉積技術來形成接合材料212。在一個實施例中，在沉積鈍化層210之前沉積接合材料212。例如，可以在從半導 體晶片對半導體管芯進行單個化之前，在與制造半導體管芯(例如圖1的102)相關的管芯 制造工藝期間沉積接合材料212。在一個實施例中，鈍化層210至少部分地覆蓋接合材料 212和接合焊盤214或者與其交疊，如圖所示。引線206接合到接合焊盤214上的接合材料212以形成引線接合結(jié)構(gòu)200。引線 206可以用來將半導體管芯202的一個或多個集成電路器件220與半導體管芯202外部的 諸如封裝基板(如封裝基板104)之類的電子器件電耦合。可以使用各種引線接合工藝(例 如包括球形接合或楔形接合)來將引線206接合到接合材料212。在其他實施例中可以使 用其他引線接合技術。通常在半導體管芯(例如圖1的102)的單個化之后在制造半導體 封裝(例如100)的裝配工藝器件對引線206進行接合。圖3示意性地示出了根據(jù)各個實施例的另一引線接合結(jié)構(gòu)300。接合焊盤314形 成在半導體管芯302的表面上，如圖所示。接合材料312形成在接合焊盤314上以輔助與引線306的接合。根據(jù)各種實施例， 接合材料312包括金以輔助包含鋁的接合焊盤314與包含銅的引線306之間的接合。在一 個實施例中，使用包括金的球形結(jié)構(gòu)(例如金球)形成接合材料312。例如，接合材料312 可以是使用任何合適的金球接合或其他凸塊產(chǎn)生技術形成的，以在金球與鋁接合焊盤314 之間形成接合。球接合技術通常提供具有無定形或球形形狀(例如凸塊)的接合材料312， 如圖所示。例如，當使用金球形成時，接合材料312可以具有基本上不均勻的厚度。根據(jù)各個實施例，接合材料312例如是在半導體管芯(如圖1中的102)的單個化 之后的裝配工藝期間沉積的。裝配工藝通常包括與管芯單個化、管芯到封裝基板的附接、引 線接合和/或模制相關的操作。在一個實施例中，接合材料312用作緩沖結(jié)構(gòu)，以保護半導 體管芯302不受與用于將引線306電耦合到接合焊盤314的引線接合工藝相關的熱能的影 響。弓丨線306接合到接合材料312以形成引線接合結(jié)構(gòu)300。形成鈍化層310以保護 半導體管芯302。根據(jù)各個實施例，在沉積接合材料312之前沉積鈍化層310。鈍化層310 可以部分地與接合焊盤314的至少一部分交疊，如圖所示。半導體管芯302通常包括通過一個或多個互連結(jié)構(gòu)(例如316和318)電耦合到
7接合焊盤314的一個或多個集成電路器件320。在各個實施例中，圖3的引線接合結(jié)構(gòu)300 包括與針對圖2的類似特征所描述的實施例相一致的特征。例如，一個或多個集成電路器 件320、一個或多個互連結(jié)構(gòu)(例如316和318)、半導體管芯302、接合焊盤314、鈍化層310 以及引線306可以與針對圖2的相應特征(例如220、216、218、202、214、210和206)所描 述的實施例相一致。圖4是根據(jù)各個實施例的用于制造具有引線接合結(jié)構(gòu)(例如圖2的200)的半導 體封裝(例如圖1的100)的方法400的工藝流程圖。在步驟402，方法400包括在半導體 管芯(例如圖1的102)上形成接合焊盤(例如圖2的214)，該接合焊盤包括鋁(Al)。接 合焊盤例如是通過在半導體管芯的表面(例如圖1的Si)上沉積導電材料而形成的。可以 使用諸如光刻和/或蝕刻工藝之類的圖案化工藝在半導體管芯的表面上提供所需圖案以 輔助接合焊盤材料的選擇性沉積。接合焊盤可以電耦合到一個或多個在下方的互連結(jié)構(gòu)， 例如通孔結(jié)構(gòu)或金屬線。在步驟404，方法400還包括沉積包括金(Au)的接合材料(例如圖2的212)以 覆蓋接合焊盤的至少一部分。在一個實施例中，沉積接合材料以在接合焊盤上形成具有基 本上均勻的厚度的薄膜?？梢愿鶕?jù)各種技術來沉積接合材料，這些技術包括電鍍、物理氣相 沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)和/或原子層沉積(ALD)。在其他實施例中，可以使用其 他沉積技術來形成接合材料。根據(jù)各個實施例，在半導體管芯上形成鈍化層(例如在步驟 406)和/或?qū)Π雽w管芯進行單個化(例如在步驟408)之前進行沉積接合材料。在步驟406，方法400還包括在半導體管芯上形成鈍化層(例如圖2的210)?？?以通過各種技術來沉積鈍化層。例如，電絕緣材料可以旋涂在容宿半導體管芯的晶片上，以 在半導體管芯上提供基本上均勻厚度的涂層。鈍化層可以包括各種材料，例如包括聚合物、 氧化物或氮化物材料。鈍化層通常被圖案化以在接合焊盤上提供開口，從而允許引線耦合 到接合焊盤。在一個實施例中，鈍化層被形成為至少部分地覆蓋形成在接合焊盤上的接合 材料或者與形成在接合焊盤上的接合材料交疊。在其他實施例中，可以使用用于鈍化層的 其他材料和/或沉積技術。在步驟408，方法400還包括對半導體管芯進行單個化。在多個半導體管芯形成 在例如一個晶片襯底上的情況下，該晶片襯底被切割或者以其他方式進行單個化，以提供 用于封裝/裝配的分立半導體管芯。對半導體管芯進行單個化可以使用例如激光或鋸來執(zhí) 行，但是不限于這些技術。在步驟410，方法400還包括將半導體管芯(例如圖1的102)附接到封裝基板(例 如圖1的104)。可以使用各種技術和材料來附接半導體管芯。例如，可以使用諸如環(huán)氧樹 脂或銀膏之類的粘合劑將半導體管芯的表面(例如圖1的S2)附接到封裝基板。在其他實 施例中，可以使用其他技術和/或材料來附接半導體管芯。在步驟412，方法400還包括將引線(例如圖2的206)接合到所沉積的接合材料， 該引線包括銅(Cu)。可以使用任何合適的引線接合技術(例如包括球接合或楔形接合)將 引線接合到該接合材料。可以使用氮氣來提供如下環(huán)境該環(huán)境減少或防止在與銅材料的 引線接合期間可能形成的氧化物的形成。通常在引線與接合材料之間通過施加熱能、壓力 和/或超聲能量而形成接合或焊接。還可以根據(jù)類似的技術在引線與封裝基板之間形成接 合和焊接。
在步驟414，方法400還包括沉積模制化合物(例如圖1的118)以包封半導體管 芯。模制化合物可以通過任何合適的技術來沉積，以基本上覆蓋半導體管芯(例如圖1的 102)的暴露區(qū)域并且粘附到封裝基板(例如圖1的104)的表面。模制化合物通常包括諸 如環(huán)氧樹脂之類的聚合物，但是不限于此。在其他實施例中可以使用其他用于模制化合物 的材料。通常，與框402、404和406相關的操作是在制造半導體管芯的管芯制造工藝期間 執(zhí)行的，與框408、410、412和414相關的操作是在使用半導體管芯形成半導體封裝的裝配 工藝期間執(zhí)行的。主題不限于此，并且方法400的操作和/或動作可以根據(jù)用于半導體管 芯的工藝流程而在其他時間執(zhí)行。圖5是根據(jù)各個實施例的用于制造具有引線接合結(jié)構(gòu)(例如圖3的300)的半導 體封裝(例如圖1的100)的另一方法500的工藝流程圖。在步驟502，方法500包括在半 導體管芯(例如圖3的302)上形成接合焊盤(例如圖3的314)，該接合焊盤包括鋁(Al)。在步驟504，方法500還包括在半導體管芯上形成鈍化層(例如圖3的310)。鈍 化層被形成為覆蓋接合焊盤的至少一部分。在步驟506，方法500還包括對半導體管芯進行 單個化。在步驟508，方法500還包括將半導體管芯(例如圖1的102)附接到封裝基板(例 如圖1的104)?？梢允褂萌魏魏线m的技術(包括使用環(huán)氧樹脂或銀膏作為粘合劑)來附接 該半導體管芯，以將管芯物理地附接到封裝基板。在步驟510，方法500還包括沉積包括金(Au)的接合材料(例如圖3的312)以 覆蓋接合焊盤的至少一部分。根據(jù)各個實施例，接合材料在接合焊盤上被沉積為球形金球。 例如，可以使用球接合技術來沉積接合材料，以在接合焊盤上形成金材料的凸塊。根據(jù)各個 實施例，在半導體管芯的單個化(例如在步驟506)之后或在將半導體管芯附接到封裝基 板(例如在步驟508)之后通過沉積金球而形成接合材料。在另一實施例中，在形成鈍化層 (例如在步驟504)之后沉積接合材料。在步驟512，方法500還包括將引線(例如圖3的306)接合到所沉積的接合材料， 該引線包括銅(Cu)。在一個實施例中，所沉積的接合材料為一緩沖結(jié)構(gòu)，其保護半導體管芯 不受與將引線接合到接合材料(例如在步驟512)有關的熱能的影響。在步驟514，方法500還包括沉積模制化合物(例如圖1的118)以包封半導體管 芯。可以利用任何合適的沉積技術來沉積模制化合物。圖6是根據(jù)各個實施例的用于制造具有引線接合結(jié)構(gòu)的半導體封裝的又一方法 600的工藝流程圖。在步驟602，方法600包括在半導體管芯(例如圖3的302)上形成接 合焊盤(例如圖3的314)，該接合焊盤包括鋁(Al)。在步驟604，方法600還包括在半導體管芯上形成鈍化層(例如圖3的310)。鈍 化層被形成為覆蓋接合焊盤的至少一部分。在步驟606，方法600還包括沉積包括金(Au)的接合材料(例如圖3的312)以 覆蓋接合焊盤的至少一部分。根據(jù)各個實施例，接合材料在接合焊盤上被沉積為球形金球。 例如，可以使用球接合技術來沉積接合材料，以在接合焊盤上形成金材料的凸塊。在一個實 施例中，在半導體管芯的單個化(例如在步驟608)之前通過沉積金球而形成接合材料。例 如，半導體管芯仍可以是晶片的一部分。在另一實施例中，在形成鈍化層(例如在步驟604)
9之后沉積接合材料。在步驟608，方法600還包括對半導體管芯進行單個化?？梢允褂萌魏魏线m的技術 (例如包括鋸切或者激光切割)對管芯進行單個化。在步驟610，方法600還包括將半導體管芯(例如圖1的102)附接到封裝基板(例 如圖1的104)?？梢允褂萌魏魏线m的技術(包括使用環(huán)氧樹脂或銀膏作為粘合劑)來附接 該半導體管芯，以將管芯物理地附接到封裝基板。在步驟612，方法600還包括將引線(例如圖3的306)接合到所沉積的接合材料， 該引線包括銅(Cu)。在一個實施例中，接合材料為一緩沖結(jié)構(gòu)，其保護半導體管芯不受與將 引線接合到所沉積的接合材料(例如在步驟612)有關的熱能的影響。在步驟614，方法600還包括沉積模制化合物(例如圖1的118)以包封半導體管 芯。可以利用任何合適的沉積技術沉積模制化合物。結(jié)合方法500和600所描述的操作可 以與結(jié)合方法400所描述的實施例相一致。雖然在這里示出并描述了某些實施例，但是預計可以獲得相同目的的各種可供替 換的和/或等效的實施例或?qū)嵤┓绞娇梢源嫠境霾⒚枋龅膶嵤├?，而不脫離本公開的 范圍。本公開意圖覆蓋這里討論的實施例的任何改變和變化。因此，顯然的是這里描述的 實施例僅由權利要求及其等同物來限定。本申請要求2009年5月26日遞交的美國臨時專利申請No. 61/181，141的優(yōu)先權， 除了那些與本說明書不一致的部分(如果存在的話)之外，本申請的整個說明書為了各種 目的而通過引用全部結(jié)合于此。
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權利要求
一種裝置，包括半導體管芯；形成在所述半導體管芯上的接合焊盤，所述接合焊盤包括鋁(Al)；耦合到所述接合焊盤的包括金(Au)的接合材料，所述接合材料覆蓋所述接合焊盤的至少一部分；以及耦合到所述接合材料的引線，所述引線包括銅(Cu)。
2.如權利要求1所述的裝置，其中，所述接合材料是形成在所述接合焊盤上的膜。
3.如權利要求2所述的裝置，其中，所述接合材料在所述半導體管芯的單個化之前耦 合到所述接合焊盤。
4.如權利要求2所述的裝置，其中，所述膜至少部分地被形成在所述半導體管芯上的鈍化層覆蓋。
5.如權利要求2所述的裝置，其中，所述膜具有基本上均勻的厚度。
6.如權利要求1所述的裝置，其中，所述接合材料是使用球形金球形成的。
7.如權利要求6所述的裝置，其中，所述接合材料在所述半導體管芯的單個化之后耦 合到所述接合焊盤。
8.如權利要求1所述的裝置，還包括形成在所述半導體管芯上的鈍化層，所述鈍化層被安置為覆蓋所述接合焊盤的至少一 部分。
9.如權利要求1所述的裝置，其中，所述接合材料保護所述半導體管芯不受與用于將 所述引線電耦合到所述接合焊盤的引線接合工藝有關的熱能的影響。
10.一種方法，包括在半導體管芯上形成接合焊盤，所述接合焊盤包括鋁(Al)； 沉積包括金(Au)的接合材料以覆蓋所述接合焊盤的至少一部分；及 將引線接合到所述接合材料，所述引線包括銅(Cu)。
11.如權利要求10所述的方法，其中，沉積接合材料包括 沉積所述接合材料以在所述接合焊盤上形成膜。
12.如權利要求11所述的方法，還包括對所述半導體管芯進行單個化，其中沉積所述接合材料以形成膜這一步驟是在對所述 半導體管芯進行單個化之前執(zhí)行的。
13.如權利要求11所述的方法，還包括在所述半導體管芯上形成鈍化層以至少部分地覆蓋所述膜，其中沉積所述接合材料以 形成膜這一步驟是在形成鈍化層之前執(zhí)行的。
14.如權利要求10所述的方法，其中，沉積接合材料包括在所述接合焊盤上沉積球形 金球。
15.如權利要求14所述的方法，還包括對所述半導體管芯進行單個化，其中沉積所述球形金球這一步驟是在所述半導體管芯 的單個化之后執(zhí)行的。
16.如權利要求10所述的方法，還包括在所述半導體管芯上形成鈍化層以覆蓋所述接合焊盤的至少一部分。
17.如權利要求10所述的方法，其中，沉積接合材料這一步驟保護所述半導體管芯不 受與將引線接合到所述接合材料有關的熱能的影響。
18.一種半導體封裝，包括 半導體管芯；形成在所述半導體管芯上的接合焊盤，所述接合焊盤包括鋁(Al)； 耦合到所述接合焊盤的包括金(Au)接合材料，所述接合材料覆蓋所述接合焊盤的至 少一部分；耦合到所述接合材料的引線，所述引線包括銅(Cu)；以及 通過所述引線電耦合到所述半導體管芯的封裝基板。
19.如權利要求18所述的半導體封裝，還包括形成在所述半導體管芯上的鈍化層，所述鈍化層被安置為覆蓋所述接合焊盤的至少一 部分。
20.如權利要求18所述的半導體封裝，還包括 包封所述半導體管芯和所述引線的模制化合物。
全文摘要
本申請涉及引線接合結(jié)構(gòu)。本公開的實施例提供了一種裝置，該裝置包括半導體管芯；形成在半導體管芯上的接合焊盤，該接合焊盤包括鋁(Al)；耦合到接合焊盤的包括金(Au)的接合材料，該接合材料覆蓋接合焊盤的至少一部分；以及耦合到接合材料的引線，該引線包括銅(Cu)?？梢悦枋龊?或要求其他實施例。
文檔編號H01L23/485GK101964333SQ20101022895
公開日2011年2月2日 申請日期2010年5月26日 優(yōu)先權日2009年5月26日
發(fā)明者艾伯特·吳 申請人:馬維爾國際貿(mào)易有限公司