專利名稱：一種不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子器件技術(shù)領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體器件和相關(guān)工藝制備方法，更具體 的說，涉及場效應(yīng)晶體管及其制備方法。
背景技術(shù)：
MOS場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的簡稱，是利 用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體中電流的一種半導(dǎo)體器件，只依靠一種載流子參與導(dǎo)電，故又稱 為單極型晶體管。MOS場效應(yīng)晶體管可以用半導(dǎo)體硅、鍺為材料，也可用化合物半導(dǎo)體砷化 鎵等材料制作，目前以使用硅材料的最多。通常MOS場效應(yīng)晶體管由半導(dǎo)體襯底、源區(qū)和漏 區(qū)、柵氧化層以及柵電極等幾個主要部分組成，其基本結(jié)構(gòu)一般是一個四端器件，它的中間 部分是由金屬_絕緣體_半導(dǎo)體組成的MOS電容結(jié)構(gòu)，MOS電容的兩側(cè)分別是源區(qū)和漏區(qū)， 在正常的工作狀態(tài)下，載流子將從源區(qū)流入，從漏區(qū)流出，絕緣層上為柵極，在柵極上施加 電壓，可以改變絕緣層中的電場強度，控制半導(dǎo)體表面電場，從而改變半導(dǎo)體表面溝道的導(dǎo) 電能力。常規(guī)MOS場效應(yīng)晶體管的源區(qū)和漏區(qū)是純粹重?fù)诫sPN結(jié)結(jié)構(gòu)。這種PN結(jié)可以采 用擴散、離子注入等制造工藝，將一定數(shù)量的雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體襯底在場效應(yīng)晶體管的源區(qū) 和漏區(qū)形成。然而，具有這種源漏結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管其串聯(lián)電阻比較大，短溝道效應(yīng)嚴(yán) 重，且不易按比例縮小。如果將金屬硅化物源漏來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的重?fù)诫sPN結(jié)源漏并應(yīng)用在未來超縮微化的 CMOS器件中，將會在一定程度上提高場效應(yīng)晶體管的性能。金屬硅化物源漏是指金屬硅化 物作為場效應(yīng)的源極和漏極并且金屬硅化物和硅襯底之間形成肖特基結(jié)，其主要優(yōu)勢是低 的寄生電阻，優(yōu)良的按比例縮小特性，簡便的工藝制造，低的熱預(yù)算以及抗閂鎖效應(yīng)或者絕 緣體上的硅(SOI)里的浮體效應(yīng)。然而，純粹由肖特基結(jié)組成源漏的場效應(yīng)晶體管也有許 多潛在的問題，肖特基結(jié)常存在額外的漏電流和軟擊穿，這種源漏結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管的 可靠性目前還沒有得到很好的研究?；旌辖Y(jié)由肖特基結(jié)和PN結(jié)混合構(gòu)成，具有工作電流高、開關(guān)速度快、漏電流小，擊 穿電壓高等優(yōu)點。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決傳統(tǒng)重?fù)诫sPN結(jié)型源漏場效應(yīng)晶體管的高源漏串聯(lián)電阻和肖特基結(jié)場 效應(yīng)晶體管高源漏泄漏電流等問題，本發(fā)明提出一種不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管。本發(fā)明提出的不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管，包括半導(dǎo)體襯底、柵極結(jié)構(gòu)、分別為混 合結(jié)和PN結(jié)的源區(qū)和漏區(qū)，其中，所述源區(qū)和漏區(qū)結(jié)構(gòu)不對稱，其一由PN結(jié)構(gòu)成，另外一個 由混合結(jié)構(gòu)成。所述混合結(jié)由肖特基結(jié)和PN結(jié)混合構(gòu)成。優(yōu)選地，所述肖特基結(jié)由金屬半導(dǎo)體化合物和所述半導(dǎo)體襯底接觸構(gòu)成，所述PN 結(jié)是通過注入與所述半導(dǎo)體襯底摻雜類型不同的雜質(zhì)離子并通過隨后的熱退火形成。
優(yōu)選地，所述混合結(jié)中的所述金屬半導(dǎo)體化合物與所述半導(dǎo)體襯底形成肖特基 結(jié)，并同時與所述半導(dǎo)體襯底中的所述源區(qū)或漏區(qū)中的高摻雜區(qū)域形成歐姆接觸。優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體襯底是硅、鍺、鍺硅合金、SOI結(jié)構(gòu)或GOI結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度在1*1014到l*1019cnT3之間。優(yōu)選地，所述場效應(yīng)晶體管進一步包括形成在所述半導(dǎo)體襯底中的淺槽隔離結(jié) 構(gòu)、位于所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)之上的偽柵結(jié)構(gòu)和側(cè)墻，所述側(cè)墻位于所述柵極結(jié)構(gòu)和所述偽 柵的側(cè)邊。優(yōu)選地，所述的金屬半導(dǎo)體化合物為硅化鎳、鍺化鎳、硅化鈷、鍺化鈷、硅化鈦、鍺 化鈦、硅化鉬、鍺化鉬中的任意一種或者它們之中幾種的混合物。本發(fā)明還提出上述不對稱型源漏的場效應(yīng)晶體管的制造方法，包括提供一個半導(dǎo)體襯底，用淺槽隔離工藝形成隔離結(jié)構(gòu)；形成第一絕緣介質(zhì)層，接著在所述第一絕緣介質(zhì)層上形成一個電極層，然后通過 光刻、刻蝕工藝對所述電極層和所述第一絕緣層進行圖形化刻蝕，從而形成柵極結(jié)構(gòu)和源 區(qū)及漏區(qū)兩側(cè)的偽柵結(jié)構(gòu)，并形成對應(yīng)于源極和漏極區(qū)域的第一窗口和第二窗口，第二窗 口的寬度小于第一窗口的寬度；淀積形成第二絕緣介質(zhì)層，該第二絕緣介質(zhì)層厚度小于所述第一窗口寬度的一半 并大于第二窗口寬度的一半，利用選擇性各向異性刻蝕工藝對所述第二絕緣介質(zhì)層進行刻 蝕，從而沿著所述第一窗口兩側(cè)形成第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)，刻蝕后所述的第二絕緣層仍然覆蓋位 于所述第二窗口區(qū)域的所述半導(dǎo)體襯底、不能形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)；進行第一次離子注入，在所述第一窗口處的所述半導(dǎo)體襯底中形成PN結(jié)；刻蝕除去所述第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)，淀積形成第三絕緣介質(zhì)層且其厚度小于所述第二窗 口寬度的一半，利用選擇性各向異性刻蝕工藝對所述第三絕緣介質(zhì)層進行刻蝕，從而沿著 所述第一窗口和第二窗口兩側(cè)形成第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)，所述第一窗口與第二窗口區(qū)域中為被所 述第二側(cè)墻保護的所述半導(dǎo)體襯底被裸露；進行第二次離子注入，并進行退火使注入的離子激活，在所述第二窗口區(qū)域中的 所述半導(dǎo)體襯底形成PN結(jié)，在所述第一窗口區(qū)域中所述半導(dǎo)體襯底中形成高濃度摻雜區(qū) 域，該摻雜區(qū)域包含在第一次離子注入形成的區(qū)域內(nèi)；刻蝕除去第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)，淀積形成第四絕緣介質(zhì)層，該第四絕緣介質(zhì)層厚度小于 第三絕緣層的厚度，利用選擇性各向異性刻蝕工藝對所述第四絕緣介質(zhì)層進行刻蝕，從而 沿著所述第一窗口和第二窗口兩側(cè)形成第三側(cè)墻結(jié)構(gòu)，所述第三側(cè)墻的厚度小于所述第二 側(cè)墻的厚度；淀積一金屬層，退火后所述金屬層和所述第一及第二窗口區(qū)域中暴露出來的所述 半導(dǎo)體襯底反應(yīng)形成金屬半導(dǎo)體化合物導(dǎo)體層，除去未與上述半導(dǎo)體襯底反應(yīng)的所述金屬層。優(yōu)選地，所述源區(qū)形成于所述第一窗口區(qū)域，所述漏區(qū)形成于所述第二窗口區(qū)域； 或者所述源區(qū)形成于所述第二窗口區(qū)域而所述漏區(qū)形成于所述第一窗口區(qū)域。優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體襯底是硅、鍺、鍺硅合金、SOI結(jié)構(gòu)或GOI結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述第一絕緣介質(zhì)層為二氧化硅、氮化硅、氧化鋁或鉿基高介電常數(shù)介質(zhì) 材料。
優(yōu)選地，所述的電極層包含至少一個導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層為多晶硅、氮化鈦、氮化 鉭、鎢金屬、金屬硅化物中的任意一種，沒或者為它們之中幾種的多層結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，通過所述第二次離子注入在所述半導(dǎo)體襯底中形成的雜質(zhì)峰值濃度不低 于 l*1019cnT3。優(yōu)選地，所述金屬層為鎳、鈷、鈦、鉬中的任意一種，或者為它們之中幾種的混合 物。優(yōu)選地，所述金屬半導(dǎo)體化合物導(dǎo)體層為硅化鎳、鍺化鎳、硅化鈷、鍺化鈷、硅化 鈦、鍺化鈦、硅化鉬、鍺化鉬中的任意一種或者它們之中幾種的混合物。同具有肖特基結(jié)源漏結(jié)構(gòu)和PN結(jié)源漏結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管相比，本發(fā)明提出的 場效應(yīng)晶體管具有較低的泄漏電流，同時其源漏串聯(lián)電阻比傳統(tǒng)重?fù)诫sPN結(jié)型源漏場效 應(yīng)晶體管的源漏串聯(lián)電阻要小。這些目標(biāo)以及本發(fā)明的內(nèi)容和特點，將經(jīng)過下面的的


進行詳細(xì)的講解。

圖1是本發(fā)明一個實例中使用的半導(dǎo)體襯底在形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)后的截面示意 圖。圖2是繼圖1后在半導(dǎo)體襯底上形成第一絕緣介質(zhì)層后的截面示意圖。圖3是繼圖2后在半導(dǎo)體襯底上形成電極層后的截面示意圖。圖4是繼圖3后通過光刻和刻蝕方法形成窗口后的截面示意圖。圖5是繼圖4后淀積形成第二絕緣介質(zhì)層后的截面示意圖。圖6是繼圖5后進行刻蝕步驟形成第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)后的截面示意圖。圖7是繼圖6后進行第一次離子注入并退火后的截面示意圖。圖8是繼圖7后進行刻蝕步驟后的截面示意圖。圖9是繼圖8后淀積形成第三絕緣介質(zhì)層后的截面示意圖。圖10是繼圖9后進行刻蝕步驟形成第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)后的截面示意圖。圖11是繼圖10后進行第二次離子注入并退火后的截面示意圖。圖12是繼圖11后進行刻蝕步驟后的截面示意圖。圖13是繼圖12后淀積形成第三絕緣介質(zhì)層后的截面示意圖。圖14是繼圖13后進行刻蝕步驟形成第三側(cè)墻結(jié)構(gòu)后的截面示意圖。圖15是繼圖14后淀積金屬層后的截面示意圖。圖16是繼圖15后退火并除去金屬層后形成的不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管的截面 示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提出的不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)與制造工藝進行詳細(xì)的描述。后面的描述中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的組件，對其重復(fù)描述將省略。在后 面的參考附圖中，為了方便說明，放大或者縮小了不同層和區(qū)域的尺寸，所以所示大小并不 一定代表實際尺寸，也不反映尺寸的比例關(guān)系。應(yīng)當(dāng)注意的是在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下還可以構(gòu)成許多有很大差別的實施例。應(yīng)當(dāng)理解，除了如所附的權(quán)利要求所限定的，本發(fā)明不限于在說明書中所述的 具體實例。圖1是本發(fā)明一個實例中使用的半導(dǎo)體襯底形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)后的截面示意圖。 首先準(zhǔn)備硅襯底101并完成生長前的各項工藝如清洗和去除硅表面的天然二氧化硅薄層 等。在該實例中，所述的半導(dǎo)體襯底為單晶硅。然后使用淺槽隔離工藝在晶體管周圍制造 隔離結(jié)構(gòu)102。如圖2所示，首先在襯底上形成第一絕緣介質(zhì)層203。然后再在第一絕緣介質(zhì)層 203上形成一層電極層304，此時截面形狀如圖3所示。如圖4所示，通過光刻和刻蝕工藝對電極層和第一絕緣介質(zhì)層進行圖形化處理， 在將要形成源和漏的區(qū)域形成第一窗口和第二窗口，所述源區(qū)形成于所述第一窗口區(qū)域而 所述漏區(qū)形成于所述第二窗口區(qū)域，或者所述源區(qū)形成于所述第二窗口區(qū)域而所述漏區(qū)形 成于所述第一窗口區(qū)域，且第一窗口寬度大于第二窗口。如圖5所示，繼續(xù)淀積形成第二絕緣介質(zhì)層405，且其厚度小于第一窗口寬度的一 半并大于第二窗口寬度的一半。然后利用干法刻蝕工藝對該絕緣介質(zhì)層進行各向異性刻 蝕，形成第一側(cè)墻415，刻蝕后第二絕緣層405仍然覆蓋位于第二窗口區(qū)域的半導(dǎo)體襯底、 不能形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)，如圖6所示。如圖7所示，進行第一次離子注入，退火后在第一窗口處的半導(dǎo)體襯底中形成摻 雜類型與半導(dǎo)體襯底101相反的區(qū)域506，506與101接觸處形成PN結(jié)。然后刻蝕除去側(cè) 墻415，刻蝕后截面如圖8所示。如圖9所示，淀積形成第三絕緣介質(zhì)層607且其厚度小于第二窗口寬度的一半。然 后利用選擇性各向異性刻蝕工藝對第三絕緣介質(zhì)層607進行刻蝕，從而沿著第一窗口和第 二窗口兩側(cè)形成第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)617，第一窗口與第二窗口區(qū)域中未被第二側(cè)墻617保護的 所述半導(dǎo)體襯底被裸露，刻蝕后截面如圖10所示。如圖11所示，進行第二次離子注入并進行退火使注入的離子激活，在第二窗口區(qū) 域和第一窗口區(qū)域中半導(dǎo)體襯底中形成的高濃度摻雜區(qū)域708，在第一窗口區(qū)域中708區(qū) 域包含在506區(qū)域內(nèi)，在第二窗口區(qū)域中708區(qū)域與半導(dǎo)體襯底101形成PN結(jié)?？涛g除去第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)617，刻蝕后截面如圖12所示。如圖13所示，在襯底上淀積第四絕緣介質(zhì)層809且其厚度小于第三絕緣介質(zhì)層 607的厚度。然后利用干法刻蝕工藝對該絕緣介質(zhì)層進行各向異性刻蝕，從而沿著所述第一 窗口和第二窗口兩側(cè)形成第三側(cè)墻結(jié)構(gòu)819，所述第三側(cè)墻的厚度小于所述第二側(cè)墻617 的厚度，刻蝕后截面如圖14所示。如圖15所示，在襯底上淀積一金屬層910，910為鎳、鈷、鈦、鉬中的任意一種或者 為它們之間的混合物。退火后如圖16所示，金屬層910和第一及第二窗口區(qū)域中暴露出來的所述半導(dǎo)體 襯底反應(yīng)形成金屬半導(dǎo)體化合物導(dǎo)體層911，除去剩余未反應(yīng)的金屬層910后導(dǎo)體層911裸 露出來，911為硅化鎳、鍺化鎳、硅化鈷、鍺化鈷、硅化鈦、鍺化鈦、硅化鉬、鍺化鉬中的任意一 種或者為它們之間的混合物。在不偏離本發(fā)明精神的基礎(chǔ)上，也可以選用其他工藝方法形 成導(dǎo)體層911。 此時本實例的工藝步驟完成。在第一窗口，101與506形成PN結(jié)，911與708形成歐姆接觸，911與101不接觸；在第二窗口，101與708形成PN結(jié)，911與708形成歐姆接觸， 911與101形成肖特基結(jié)。
在以上實例中，為了保證導(dǎo)體層911與襯底101之間形成肖特基結(jié)，襯底101的初 始摻雜濃度需控制在1*1014到l*1019cm_3之間；為了保證導(dǎo)體層911與708之間形成歐姆 接觸，區(qū)域708的摻雜濃度一般應(yīng)高于l*1019cm_3。
權(quán)利要求
一種不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管，其結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底、柵極結(jié)構(gòu)、分別為混合結(jié)和PN結(jié)的源區(qū)和漏區(qū)，其特征在于所述源區(qū)與漏區(qū)結(jié)構(gòu)不對稱，其一由PN結(jié)構(gòu)成，另外一個由混合結(jié)構(gòu)成，所述混合結(jié)由肖特基結(jié)和PN結(jié)混合構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管，其特征在于所述肖特基結(jié)由金屬半導(dǎo)體化 合物和所述半導(dǎo)體襯底接觸構(gòu)成，所述PN結(jié)是通過注入與所述半導(dǎo)體襯底摻雜類型不同 的雜質(zhì)離子并通過隨后的熱退火形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的場效應(yīng)晶體管，其特征在于所述混合結(jié)中的所述金屬半 導(dǎo)體化合物與所述半導(dǎo)體襯底形成肖特基結(jié)，并同時與所述半導(dǎo)體襯底中的所述源區(qū)或漏 區(qū)中的高摻雜區(qū)域形成歐姆接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管，其特征在于所述半導(dǎo)體襯底是硅、鍺、鍺硅合 金、SOI結(jié)構(gòu)或GOI結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度在IXlO14到IXlO19cnT3之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管，其特征在于所述場效應(yīng)晶體管進一步包括形 成在所述半導(dǎo)體襯底中的淺槽隔離結(jié)構(gòu)、位于所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)之上的偽柵結(jié)構(gòu)和側(cè)墻， 所述側(cè)墻位于所述柵極結(jié)構(gòu)和所述偽柵的側(cè)邊。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的場效應(yīng)晶體管，其特征在于所述的金屬半導(dǎo)體化合物為硅化 鎳、鍺化鎳、硅化鈷、鍺化鈷、硅化鈦、鍺化鈦、硅化鉬、鍺化鉬中的任意一種或者它們之中幾 種的混合物。
7.一種具有權(quán)利要求1所述不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于包括提供一個半導(dǎo)體襯底，用淺槽隔離工藝形成隔離結(jié)構(gòu)；形成第一絕緣介質(zhì)層，接著在所述第一絕緣介質(zhì)層上形成一個電極層，然后通過光刻、 刻蝕工藝對所述電極層和所述第一絕緣層進行圖形化刻蝕，從而形成柵極結(jié)構(gòu)和源區(qū)及漏 區(qū)兩側(cè)的偽柵結(jié)構(gòu)，并形成對應(yīng)于源極和漏極區(qū)域的第一窗口和第二窗口且第二窗口的寬 度小于第一窗口的寬度；淀積形成第二絕緣介質(zhì)層，該第二絕緣介質(zhì)層厚度小于所述第一窗口寬度的一半并大 于第二窗口寬度的一半，利用選擇性各向異性刻蝕工藝對所述第二絕緣介質(zhì)層進行刻蝕， 從而沿著所述第一窗口兩側(cè)形成第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)，刻蝕后所述的第二絕緣層仍然覆蓋位于所 述第二窗口區(qū)域的所述半導(dǎo)體襯底、不能形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)；進行第一次離子注入，在所述第一窗口處的所述半導(dǎo)體襯底中形成PN結(jié)；刻蝕除去所述第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)，淀積形成第三絕緣介質(zhì)層且其厚度小于所述第二窗口寬 度的一半，利用選擇性各向異性刻蝕工藝對所述第三絕緣介質(zhì)層進行刻蝕，從而沿著所述 第一窗口和第二窗口兩側(cè)形成第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)，所述第一窗口與第二窗口區(qū)域中為被所述第 二側(cè)墻保護的所述半導(dǎo)體襯底被裸露；進行第二次離子注入，并進行退火使注入的離子激活，在所述第二窗口區(qū)域中的所述 半導(dǎo)體襯底形成PN結(jié)，在所述第一窗口區(qū)域中所述半導(dǎo)體襯底中形成高濃度摻雜區(qū)域，該 摻雜區(qū)域包含在第一次離子注入形成的區(qū)域內(nèi)；刻蝕除去第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)，淀積形成第四絕緣介質(zhì)層且其厚度小于第三絕緣層的厚度， 利用選擇性各向異性刻蝕工藝對所述第四絕緣介質(zhì)層進行刻蝕，從而沿著所述第一窗口和 第二窗口兩側(cè)形成第三側(cè)墻結(jié)構(gòu)，所述第三側(cè)墻的厚度小于所述第二側(cè)墻的厚度；淀積一金屬層，退火后所述金屬層和所述第一及第二窗口區(qū)域中暴露出來的所述半導(dǎo) 體襯底反應(yīng)形成金屬半導(dǎo)體化合物導(dǎo)體層，除去未與上述半導(dǎo)體襯底反應(yīng)的所述金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于所述源 區(qū)形成于所述第一窗口區(qū)域而所述漏區(qū)形成于所述第二窗口區(qū)域，或者所述源區(qū)形成于所 述第二窗口區(qū)域而所述漏區(qū)形成于所述第一窗口區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于所述半導(dǎo) 體襯底是硅、鍺、鍺硅合金、SOI結(jié)構(gòu)或GOI結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于所述第 一絕緣介質(zhì)層為二氧化硅、氮化硅、氧化鋁或鉿基高介電常數(shù)介質(zhì)材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于所述的 電極層包含至少一個導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層為多晶硅、氮化鈦、氮化鉭、鎢金屬、金屬硅化物中 的任意一種，或者為它們之中幾種間的多層結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于通過所 述第二次離子注入在所述半導(dǎo)體襯底中形成的雜質(zhì)峰值濃度不低于1 X 1019cnT3。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于所述金 屬層為鎳、鈷、鈦、鉬中的任意一種，或者為它們之中幾種的混合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于所述金 屬半導(dǎo)體化合物導(dǎo)體層為硅化鎳、鍺化鎳、硅化鈷、鍺化鈷、硅化鈦、鍺化鈦、硅化鉬、鍺化鉬 中的任意一種，或者它們之中幾種的混合物。
全文摘要
本發(fā)明屬于微電子器件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管及其制備方法。該不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管是指晶體管的源區(qū)和漏區(qū)之一是由PN結(jié)構(gòu)成而另一個是由PN結(jié)和肖特基結(jié)組成的混合結(jié)構(gòu)成。同具有肖特基結(jié)的金屬源漏場效應(yīng)晶體管相比，本發(fā)明所述的場效應(yīng)晶體管具有較低的漏電流特性，同時該種場效應(yīng)晶體管的源漏串聯(lián)電阻比PN結(jié)型源漏場效應(yīng)晶體管的源漏串聯(lián)電阻小。
文檔編號H01L29/08GK101807602SQ20101013208
公開日2010年8月18日 申請日期2010年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月25日
發(fā)明者吳東平, 張世理, 樸穎華 申請人:復(fù)旦大學(xué)