專利名稱：晶圓測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及晶圓測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體組件的制造過程，大致上可分為晶圓制造、晶圓測(cè)試、封裝及最后的測(cè)試。 晶圓制造是在硅晶圓上制作電子電路組件的過程，制作完成之后，晶圓上形成陣列排列的 芯片(die)，然后進(jìn)行晶圓測(cè)試步驟以對(duì)芯片作電性測(cè)試，將不合格的芯片淘汰，并將晶圓 切割成若干個(gè)芯片；最后，封裝是將合格的芯片進(jìn)行包裝與打線，形成封裝后的芯片，最后 需要再進(jìn)行電性測(cè)試以確保集成電路的質(zhì)量。關(guān)于晶圓測(cè)試技術(shù)，依晶圓制造的不同階段，分為芯片測(cè)試與成品測(cè)試兩種。前者 是以探針在產(chǎn)品仍處于晶圓制造階段時(shí)進(jìn)行的芯片良莠測(cè)試。對(duì)體積更小、功能更強(qiáng)的芯 片的需求正推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，同時(shí)也推動(dòng)著集成電路設(shè)計(jì)和測(cè)試的發(fā)展。降低測(cè) 試成本成為晶圓測(cè)試發(fā)展的首要目標(biāo)，未來集成電路測(cè)試設(shè)備制造商面臨的最大挑戰(zhàn)是如 何降低測(cè)試成本。提高測(cè)試速度和測(cè)試智能化是減低成本的必要途徑。目前普遍采用的測(cè)試原則如 圖1所示，由于每片晶圓10上包含若干單元(圖中大方形標(biāo)示)，所述各單元內(nèi)具有多類項(xiàng) 目芯片(圖中示出9類)，而每一類項(xiàng)目芯片都有確定的測(cè)試程序與之對(duì)應(yīng)，其中各測(cè)試程 序使用相應(yīng)的測(cè)試向量。因此，現(xiàn)有技術(shù)在測(cè)試晶圓時(shí)，先用第一測(cè)試程序按位置順序依次 測(cè)試各單元內(nèi)的相同類型的第一類項(xiàng)目芯片1，即測(cè)試過程中晶圓移動(dòng)的步距為從一個(gè)單 元的第一類項(xiàng)目芯片1依序移至下一個(gè)單元的第一類項(xiàng)目芯片1 ；如果通過第一測(cè)試程序 測(cè)試，則判定該芯片合格且進(jìn)行下一個(gè)同類型芯片的測(cè)試；如果不能通過第一測(cè)試程序測(cè) 試，則判定該芯片失效且進(jìn)行下一個(gè)同類型芯片的測(cè)試。在完成晶圓上所有第一類項(xiàng)目芯 片1的測(cè)試后，進(jìn)行退片，校正探針，用第二測(cè)試程序按上述順序依次測(cè)試各單元內(nèi)的第二 類項(xiàng)目芯片2 ；如果通過第二測(cè)試程序測(cè)試，則判定該芯片合格且進(jìn)行下一個(gè)同類型芯片 的測(cè)試；如果不能通過第二測(cè)試程序測(cè)試，則判定該芯片失效且進(jìn)行下一個(gè)同類型芯片的測(cè)試。......在完成晶圓上所有第八類項(xiàng)目芯片8的測(cè)試后，進(jìn)行退片，校正探針后，用第九測(cè)試程序依次測(cè)試各單元內(nèi)的第九類項(xiàng)目芯片9 ；如果通過第九測(cè)試程序測(cè)試，則判定 該芯片合格且進(jìn)行下一個(gè)同類型芯片的測(cè)試；如果不能通過第九測(cè)試程序測(cè)試，則判定該 芯片失效且進(jìn)行下一個(gè)同類型芯片的測(cè)試。圖2為現(xiàn)有技術(shù)對(duì)晶圓中單元內(nèi)一類項(xiàng)目芯片進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試程序，執(zhí)行步驟 S11，開始測(cè)試；執(zhí)行步驟S12，設(shè)定測(cè)試程序，所述各測(cè)試程序使用相應(yīng)的測(cè)試向量；執(zhí)行 步驟S13，判斷是否通過測(cè)試；執(zhí)行步驟S14，如果通過測(cè)試，則判定該芯片合格，并依次對(duì) 下一個(gè)單元內(nèi)的同類型芯片進(jìn)行測(cè)試；執(zhí)行步驟S15，如果不通過測(cè)試，則判定該芯片失 效，并依次對(duì)下一個(gè)單元內(nèi)的同類型芯片進(jìn)行測(cè)試。現(xiàn)有晶圓的測(cè)試方法，由于是同一類項(xiàng)目的芯片進(jìn)行一起測(cè)試的，測(cè)試過程中晶 圓移動(dòng)的步距大，如圖1中示出的對(duì)第一類項(xiàng)目芯片1進(jìn)行測(cè)試移動(dòng)的路線，造成晶圓不可測(cè)或損壞的問題。另外，同一類項(xiàng)目的芯片采用一個(gè)測(cè)試程序，而晶圓上具有多類項(xiàng)目芯 片，因此需要有不同版本的程序與之對(duì)應(yīng)，程序版本多，效率低；并且測(cè)試完一個(gè)同類項(xiàng)目 芯片后，要經(jīng)過退片和校正探針，重新進(jìn)行其它類項(xiàng)目芯片的測(cè)試，測(cè)試效率低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種晶圓測(cè)試方法，防止測(cè)試效率低，晶圓不可測(cè)或損 壞。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種晶圓測(cè)試方法，包括提供一晶圓，所述晶圓上 具有若干個(gè)芯片，所述若干芯片分成若干個(gè)類型；提供若干個(gè)分別與芯片類型一一對(duì)應(yīng)的 測(cè)試程序；將所述若干測(cè)試程序按位置順序?qū)θ舾尚酒M(jìn)行一一測(cè)試；在測(cè)試過程中，若 某一芯片通過某一測(cè)試程序測(cè)試，將該芯片歸類為該測(cè)試程序?qū)?yīng)的芯片類型，且進(jìn)行下 一位置芯片測(cè)試；若某一芯片不能通過所有測(cè)試程序的測(cè)試，則判斷該芯片失效，并進(jìn)行下 一位置芯片測(cè)試直至測(cè)試完晶圓上所有芯片。可選的，所述芯片類型的數(shù)量小于等于芯片的數(shù)量?？蛇x的，所述按位置順序依次對(duì)各芯片進(jìn)行測(cè)試是由第一個(gè)芯片至最后一個(gè)芯片 按橫向依次對(duì)各芯片進(jìn)行測(cè)試或由最后一個(gè)芯片至第一個(gè)芯片按橫向依次對(duì)各芯片進(jìn)行 測(cè)試或由第一個(gè)芯片至最后一個(gè)芯片按縱向依次對(duì)各芯片進(jìn)行測(cè)試或由最后一個(gè)芯片至 第一個(gè)芯片按縱向依次對(duì)各芯片進(jìn)行測(cè)試。可選的，所述晶圓上包括至少一個(gè)單元，各單元內(nèi)具有多類項(xiàng)目芯片陣列。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)將所述若干測(cè)試程序按位置順序?qū)θ舾?芯片進(jìn)行一一測(cè)試；在測(cè)試過程中，若某一芯片通過某一測(cè)試程序測(cè)試，將該芯片歸類為該 測(cè)試程序?qū)?yīng)的芯片類型，且進(jìn)行下一位置芯片測(cè)試；若某一芯片不能通過所有測(cè)試程序 的測(cè)試，則判斷該芯片失效，并進(jìn)行下一位置芯片測(cè)試直至測(cè)試完晶圓上所有芯片。測(cè)試過 程中，是按位置順序依次測(cè)試各芯片，晶圓的運(yùn)動(dòng)方式為在橫向和縱向移動(dòng)基本芯片長(zhǎng)度， 移動(dòng)步距縮小至最小，避免了晶圓不可測(cè)或損壞的問題的發(fā)生。另外，由于完成整片晶圓的 測(cè)試后，才進(jìn)行退片，減少了測(cè)試時(shí)間，提高了晶圓的測(cè)試效率，節(jié)省了測(cè)試費(fèi)用。


圖1是現(xiàn)有晶圓測(cè)試的原則示意圖；圖2是現(xiàn)有晶圓上芯片測(cè)試的流程圖；圖3是本發(fā)明晶圓測(cè)試的第一實(shí)施例原則示意圖；圖4是本發(fā)明晶圓測(cè)試的第二實(shí)施例原則示意圖；圖5是本發(fā)明晶圓測(cè)試的第三實(shí)施例原則示意圖；圖6是本發(fā)明晶圓測(cè)試的第四實(shí)施例原則示意圖；圖7是本發(fā)明晶圓上芯片測(cè)試的流程圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有晶圓測(cè)試技術(shù)，由于是同一類項(xiàng)目的芯片進(jìn)行一起測(cè)試的，測(cè)試過程中晶圓 移動(dòng)的步距大，造成晶圓不可測(cè)或損壞的問題。另外，同一類項(xiàng)目的芯片采用一個(gè)測(cè)試程序，而晶圓上具有多類項(xiàng)目芯片，因此需要有不同版本的程序與之對(duì)應(yīng)，程序版本多，效率 低；并且測(cè)試完一個(gè)同類項(xiàng)目芯片后，要經(jīng)過退片和校正探針，重新進(jìn)行其它類項(xiàng)目芯片的 測(cè)試，測(cè)試效率低。因此，本發(fā)明提供一種晶圓測(cè)試方法，包括提供一晶圓，所述晶圓上具有若干個(gè) 芯片，所述若干芯片分成若干個(gè)類型；提供若干個(gè)分別與芯片類型一一對(duì)應(yīng)的測(cè)試程序； 將所述若干測(cè)試程序按位置順序?qū)θ舾尚酒M(jìn)行一一測(cè)試；在測(cè)試過程中，若某一芯片通 過某一測(cè)試程序測(cè)試，將該芯片歸類為該測(cè)試程序?qū)?yīng)的芯片類型，且進(jìn)行下一位置芯片 測(cè)試；若某一芯片不能通過所有測(cè)試程序的測(cè)試，則判斷該芯片失效，并進(jìn)行下一位置芯片 測(cè)試直至測(cè)試完晶圓上所有芯片。測(cè)試過程中，是按位置順序依次測(cè)試各芯片，晶圓的運(yùn)動(dòng)方式為在橫向和縱向移 動(dòng)基本芯片長(zhǎng)度，移動(dòng)步距縮小至最小，避免了晶圓不可測(cè)或損壞的問題的發(fā)生。另外，由 于完成整片晶圓的測(cè)試后，才進(jìn)行退片，減少了測(cè)試時(shí)間，提高了晶圓的測(cè)試效率，節(jié)省了 測(cè)試費(fèi)用。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。圖3是本發(fā)明晶圓測(cè)試的第一實(shí)施例原則示意圖。如圖3所示，每片晶圓10上包 含多個(gè)單元(圖中大方形標(biāo)示)，每個(gè)單元內(nèi)具有多類項(xiàng)目芯片(圖中示出9類)，每一類 項(xiàng)目芯片都有確定的測(cè)試程序與之對(duì)應(yīng)，而每個(gè)測(cè)試程序使用相應(yīng)的測(cè)試向量。本實(shí)施例芯片測(cè)試原則為由芯片上方的第一個(gè)芯片A1至芯片下方的最后一個(gè)芯 片Am從橫向方向按位置順序依次對(duì)各芯片進(jìn)行測(cè)試。具體測(cè)試結(jié)合圖7，執(zhí)行步驟S21，開始測(cè)試；執(zhí)行步驟S24，采用第一測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試；即采用與第一類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)第一 測(cè)試程序?qū)A上方的第一芯片A1進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S25，判斷第一芯片A1是否通過第一測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第一測(cè)試程序測(cè)試，說明第一芯片A1類型與第一測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第一芯片A1為第一類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S26，如果不能通過第一測(cè)試程序測(cè)試，則采用第二測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第二類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第二測(cè)試程序?qū)Φ谝恍酒珹1進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S27，判斷第一芯片A1是否通過第二測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第二測(cè)試程序測(cè)試，說明第一芯片A1類型與第二測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第一芯片A1為第二類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S28，如果不能通過第二測(cè)試程序測(cè)試，則采用第三測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第三類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第三測(cè)試程序?qū)Φ谝恍酒珹1進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S29，判斷第一芯片A1是否通過第三測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第三測(cè)試程序測(cè)試，說明第一芯片A1類型與第三測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第一芯片A1為第三類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S30，如果不能通過第三測(cè)試程序測(cè)試，則采用第四測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第四類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第四測(cè)試程序?qū)Φ谝恍酒珹1進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S31，判斷第一芯片A1是否通過第四測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第四測(cè)試程序測(cè)試，說明第一芯片A1類型與第四測(cè)試程序5對(duì)應(yīng)，即第一芯片A1為第四類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S32，如果不能通過第四測(cè)試程序測(cè)試，則采用第五測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第五類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第五測(cè)試程序?qū)Φ谝恍酒珹1進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S33，判斷第一芯片A1是否通過第五測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第五測(cè)試程序測(cè)試，說明第一芯片A1類型與第五測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第一芯片A1為第五類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S34，如果不能通過第五測(cè)試程序測(cè)試，則采用第六測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第六類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第六測(cè)試程序?qū)Φ谝恍酒珹1進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S35，判斷第一芯片A1是否通過第六測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第六測(cè)試程序測(cè)試，說明第一芯片A1類型與第六測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第一芯片A1為第六類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S36，如果不能通過第六測(cè)試程序測(cè)試，則采用第七測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第七類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第七測(cè)試程序?qū)Φ谝恍酒珹1進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S37，判斷第一芯片A1是否通過第七測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第七測(cè)試程序測(cè)試，說明第一芯片A1類型與第七測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第一芯片A1為第七類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S38，如果不能通過第七測(cè)試程序測(cè)試，則采用第八測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第八類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第八測(cè)試程序?qū)Φ谝恍酒珹1進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S39，判斷第一芯片A1是否通過第八測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第八測(cè)試程序測(cè)試，說明第一芯片A1類型與第八測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第一芯片A1為第八類項(xiàng)目芯片。......以此類推，執(zhí)行步驟S40，如果不能通過第N-I測(cè)試程序測(cè)試，則采用第N測(cè)試程序 進(jìn)行測(cè)試；即采用第η類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第N測(cè)試程序?qū)Φ谝恍酒珹1進(jìn)行測(cè)試，所述N和 η為自然數(shù)，兩者相等。本實(shí)施例中，所述晶圓上有9類項(xiàng)目芯片，因此在此實(shí)施例中N為9，η為9。執(zhí)行步驟S41，判斷第一芯片A1是否通過第N測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S44，如果通過第N測(cè)試程序測(cè)試則結(jié)束測(cè)試，說明第一芯片A1類型與第 N測(cè)試程序?qū)?yīng)，即第一芯片A1為第η類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S43，如果不能通過第N測(cè)試程序測(cè)試，則判斷第一芯片A1失效。本實(shí)施例中，由于晶圓上有9類項(xiàng)目芯片，因此有對(duì)應(yīng)的9種測(cè)試程序，如果每個(gè) 測(cè)試程序測(cè)試后都失效的話，則說明該芯片真正失效的。采用上述流程，依次對(duì)第二芯片A2、第三芯片A3......第M芯片Am進(jìn)行測(cè)試。所述第M芯片Am為晶圓上需要測(cè)試的晶圓下方的最后一片芯片。結(jié)合圖7對(duì)最后一片芯片第M芯片Am進(jìn)行測(cè)試，執(zhí)行步驟S21，開始測(cè)試；執(zhí)行步驟S24，采用第一測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試；即采用與第一類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)第一 測(cè)試程序?qū)A上方的第M芯片Am進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S25，判斷第M芯片Am是否通過第一測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第一測(cè)試程序測(cè)試，說明第M芯片Am類型與第一測(cè)試程序?qū)?yīng)，即第M芯片Am為第一類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S26，如果不能通過第一測(cè)試程序測(cè)試，則采用第二測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第二類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第二測(cè)試程序?qū)Φ贛芯片Am進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S27，判斷第M芯片Am是否通過第二測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第二測(cè)試程序測(cè)試，說明第M芯片Am類型與第二測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第M芯片Am為第二類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S28，如果不能通過第二測(cè)試程序測(cè)試，則采用第三測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第三類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第三測(cè)試程序?qū)Φ贛芯片Am進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S29，判斷第M芯片Am是否通過第三測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第三測(cè)試程序測(cè)試，說明第M芯片Am類型與第三測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第M芯片Am為第三類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S30，如果不能通過第三測(cè)試程序測(cè)試，則采用第四測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第四類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第四測(cè)試程序?qū)Φ贛芯片Am進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S31，判斷第M芯片Am是否通過第四測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第四測(cè)試程序測(cè)試，說明第M芯片Am類型與第四測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第M芯片Am為第四類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S32，如果不能通過第四測(cè)試程序測(cè)試，則采用第五測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第五類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第五測(cè)試程序?qū)Φ贛芯片Am進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S33，判斷第M芯片Am是否通過第五測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第五測(cè)試程序測(cè)試，說明第M芯片Am類型與第五測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第M芯片Am為第五類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S34，如果不能通過第五測(cè)試程序測(cè)試，則采用第六測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第六類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第六測(cè)試程序?qū)Φ贛芯片Am進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S35，判斷第M芯片Am是否通過第六測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第六測(cè)試程序測(cè)試，說明第M芯片Am類型與第六測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第M芯片Am為第六類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S36，如果不能通過第六測(cè)試程序測(cè)試，則采用第七測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第七類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第七測(cè)試程序?qū)Φ贛芯片Am進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S37，判斷第M芯片Am是否通過第七測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第七測(cè)試程序測(cè)試，說明第M芯片Am類型與第七測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第M芯片Am為第七類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S38，如果不能通過第七測(cè)試程序測(cè)試，則采用第八測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試； 即采用第八類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第八測(cè)試程序?qū)Φ贛芯片Am進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行步驟S39，判斷第M芯片Am是否通過第八測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S42，如果通過第八測(cè)試程序測(cè)試，說明第M芯片Am類型與第八測(cè)試程序 對(duì)應(yīng)，即第M芯片Am為第八類項(xiàng)目芯片。......以此類推，執(zhí)行步驟S40，如果不能通過第N-I測(cè)試程序測(cè)試，則采用第N測(cè)試程序 進(jìn)行測(cè)試；即采用第η類項(xiàng)目芯片對(duì)應(yīng)的第N測(cè)試程序?qū)Φ贛芯片Am進(jìn)行測(cè)試，所述N和η為自然數(shù)，兩者相等。執(zhí)行步驟S41，判斷第M芯片Am是否通過第N測(cè)試程序測(cè)試？執(zhí)行步驟S44，如果通過第N測(cè)試程序測(cè)試則結(jié)束測(cè)試，說明第M芯片Am類型與第 N測(cè)試程序?qū)?yīng)，即第M芯片Am為第η類項(xiàng)目芯片。執(zhí)行步驟S43，如果不能通過第N測(cè)試程序測(cè)試，則判斷第M芯片Am失效。所述N為芯片的類數(shù)。圖4是本發(fā)明晶圓測(cè)試的第二實(shí)施例原則示意圖。如圖4所示，每片晶圓10上包 含多個(gè)單元(圖中大方形標(biāo)示)，每個(gè)單元內(nèi)具有多類項(xiàng)目芯片(圖中示出9類)，每一類 項(xiàng)目芯片都有確定的測(cè)試程序與之對(duì)應(yīng)，而每個(gè)測(cè)試程序使用相應(yīng)的測(cè)試向量。本實(shí)施例芯片測(cè)試原則為由芯片下方的最后一個(gè)芯片第M芯片Am至芯片上方的 第一個(gè)芯片A1從橫向方向按位置順序依次對(duì)各芯片進(jìn)行測(cè)試。具體測(cè)試方法在第一實(shí)施 例中有詳細(xì)描述，在此不再贅述。圖5是本發(fā)明晶圓測(cè)試的第三實(shí)施例原則示意圖。如圖5所示，每片晶圓10上包 含多個(gè)單元(圖中大方形標(biāo)示)，每個(gè)單元內(nèi)具有多類項(xiàng)目芯片(圖中示出9類)，每一類 項(xiàng)目芯片都有確定的測(cè)試程序與之對(duì)應(yīng)，而每個(gè)測(cè)試程序使用相應(yīng)的測(cè)試向量。本實(shí)施例芯片測(cè)試原則為由芯片切割邊處的第一個(gè)芯片A13至芯片切割邊相對(duì) 邊處的最后一個(gè)芯片A66從縱向方向按位置順序依次對(duì)各芯片進(jìn)行測(cè)試。具體測(cè)試方法在 第一實(shí)施例中有詳細(xì)描述，在此不再贅述。圖6是本發(fā)明晶圓測(cè)試的第四實(shí)施例原則示意圖。如圖6所示，每片晶圓10上包 含多個(gè)單元(圖中大方形標(biāo)示)，每個(gè)單元內(nèi)具有多類項(xiàng)目芯片(圖中示出9類)，每一類 項(xiàng)目芯片都有確定的測(cè)試程序與之對(duì)應(yīng)，而每個(gè)測(cè)試程序使用相應(yīng)的測(cè)試向量。本實(shí)施例芯片測(cè)試原則為由芯片切割邊相對(duì)邊處的第一個(gè)芯片A66至芯片切割 邊處的最后一個(gè)芯片A13從縱向方向按位置順序依次對(duì)各芯片進(jìn)行測(cè)試。具體測(cè)試方法在 第一實(shí)施例中有詳細(xì)描述，在此不再贅述。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)修改，因此本發(fā)明的保護(hù) 范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。8
權(quán)利要求
1.一種晶圓測(cè)試方法，其特征在于，包括提供一晶圓，所述晶圓上具有若干個(gè)芯片，所述若干芯片分成若干個(gè)類型；提供若干個(gè)分別與芯片類型一一對(duì)應(yīng)的測(cè)試程序；將所述若干測(cè)試程序按位置順序?qū)θ舾尚酒M(jìn)行一一測(cè)試；在測(cè)試過程中，若某一芯片通過某一測(cè)試程序測(cè)試，將該芯片歸類為該測(cè)試程序?qū)?yīng) 的芯片類型，且進(jìn)行下一位置芯片測(cè)試；若某一芯片不能通過所有測(cè)試程序的測(cè)試，則判斷該芯片失效，并進(jìn)行下一位置芯片 測(cè)試直至測(cè)試完晶圓上所有芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)試方法，其特征在于，所述芯片類型的數(shù)量小于等于芯 片的數(shù)量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)試方法，其特征在于，所述按位置順序依次對(duì)各芯片進(jìn) 行測(cè)試是由第一個(gè)芯片至最后一個(gè)芯片按橫向依次對(duì)各芯片進(jìn)行測(cè)試或由最后一個(gè)芯片 至第一個(gè)芯片按橫向依次對(duì)各芯片進(jìn)行測(cè)試或由第一個(gè)芯片至最后一個(gè)芯片按縱向依次 對(duì)各芯片進(jìn)行測(cè)試或由最后一個(gè)芯片至第一個(gè)芯片按縱向依次對(duì)各芯片進(jìn)行測(cè)試。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)試方法，其特征在于，所述晶圓上包括至少一個(gè)單元，各 單元內(nèi)具有多類項(xiàng)目芯片陣列。
全文摘要
一種晶圓測(cè)試方法，包括提供一晶圓，所述晶圓上具有若干個(gè)芯片，所述若干芯片分成若干個(gè)類型；提供若干個(gè)分別與芯片類型一一對(duì)應(yīng)的測(cè)試程序；將所述若干測(cè)試程序按位置順序?qū)θ舾尚酒M(jìn)行一一測(cè)試；在測(cè)試過程中，若某一芯片通過某一測(cè)試程序測(cè)試，將該芯片歸類為該測(cè)試程序?qū)?yīng)的芯片類型，且進(jìn)行下一位置芯片測(cè)試；若某一芯片不能通過所有測(cè)試程序的測(cè)試，則判斷該芯片失效，并進(jìn)行下一位置芯片測(cè)試直至測(cè)試完晶圓上所有芯片。本發(fā)明減少了測(cè)試時(shí)間，提高了晶圓的測(cè)試效率，節(jié)省了測(cè)試費(fèi)用。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102044462SQ20091020543
公開日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2009年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月23日
發(fā)明者楊曉寒 申請(qǐng)人:無錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司, 無錫華潤(rùn)上華科技有限公司