專利名稱：半導(dǎo)體設(shè)備及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
方法，所述電路由以薄膜晶體管(下文稱為TFT)為代表的裝置 構(gòu)成，所述裝置通過將釋放層粘附于基片上而形成，所述裝置需 轉(zhuǎn)移至基片上。本發(fā)明例如涉及例如液晶模塊的電光學(xué)裝置、例 如EL模塊的發(fā)光設(shè)備、安裝有所迷設(shè)備作為其組件的電器。另 外，本發(fā)明涉及裝置的剝離方法，以及將所述裝置轉(zhuǎn)移至塑料基 片上的轉(zhuǎn)移方法。
如此處所述，術(shù)語"半導(dǎo)體裝置"總體而言是指利用半導(dǎo)體特 性而操作的任意裝置。電光學(xué)裝置、發(fā)光設(shè)備、半導(dǎo)體電路以及 電器均包括在所述半導(dǎo)體裝置中。
背景技術(shù)：
近來，采用半導(dǎo)體薄膜(厚度為大約幾納米至幾百納米)的 薄膜晶體管(TFT)的技術(shù)引起人們的關(guān)注，所述半導(dǎo)體薄膜形成 于具有絕緣表面的基片上。所述薄膜晶體管廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備 中，例如IC、電光學(xué)裝置等。尤其是，薄膜晶體管作為圖像顯示 設(shè)備的開關(guān)元件的發(fā)展已經(jīng)大大加快了 。
最重要地，所述圖象顯示設(shè)備具有廣泛的應(yīng)用，所述圖象顯示設(shè)備在移動(dòng)裝置中的應(yīng)用引起了人們的注意。盡管目前玻璃基 片、石英基片等用于許多圖象顯示設(shè)備中，但是，其具有易碎和 較重的缺點(diǎn)。進(jìn)一步地，玻璃基片、石英基片等不適合大規(guī)模生
產(chǎn)，這是因?yàn)槠浜茈y擴(kuò)大。因此，人們嘗試將TFT裝置形成于以 柔性塑料膜為代表的具有柔性的基片上。
然而，由于塑料膜的耐熱性較低，要求加工過程中最高溫度較 低，因此，目前其不能用于形成與已經(jīng)形成于玻璃基片上的元件 相比具有較高電特性的TFT。因此，目前仍然沒有采用塑料膜的 高效液晶顯示設(shè)備和發(fā)光裝置。
如果可以生產(chǎn)出有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)位于例如塑料膜等柔 性基片上的發(fā)光設(shè)備或液晶顯示裝置，則所述發(fā)光設(shè)備或液晶顯 示裝置可以具有較薄的厚度，并且重量較輕，適用于具有彎曲表 面的顯示器、顯示窗等。這樣，其應(yīng)用不局限于手機(jī)，其應(yīng)用范 圍非常廣泛。
然而，通常由塑料構(gòu)成的基片易于滲透水份或氧氣。由于這些 雜質(zhì)，有機(jī)發(fā)光層發(fā)生損壞，從而發(fā)光設(shè)備的壽命縮短了。因 此，通常將例如硅氮化物、硅氧氮化物等絕緣膜放置于塑料基片 和有機(jī)發(fā)光裝置之間，以防止水份或氧氣進(jìn)入有機(jī)發(fā)光層中。
另外，通常例如塑料膜等的基片抗熱性較差。當(dāng)增加例如硅氮 化物、硅硝基氧(siliconnitroxide)等絕緣膜的沉積溫度時(shí)，基片易 于變形。進(jìn)一步地，過低的沉積溫度使膜的質(zhì)量下降，很難防止 水份或氧氣進(jìn)入發(fā)光裝置中。由于在位于例如塑料膜等基片上的 裝置的驅(qū)動(dòng)過程中產(chǎn)生熱，因此，還存在部分基片發(fā)生變形和損 壞的問題。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)上文所述，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種半導(dǎo)體裝置，所述裝置能夠防止由于水份或氧氣進(jìn)入而導(dǎo)致的損壞，例 如具有位于基片上的有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光設(shè)備，以及采用塑料 基片的液晶顯示設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明，將位于玻璃基片或石英基片上的裝置(TFT、含 有有機(jī)化合物的發(fā)光裝置、液晶裝置、存儲(chǔ)裝置、薄膜二極管、 硅PIN接的(pin-junction)光電轉(zhuǎn)換器、硅電阻元件等)與基片分離
開來，并轉(zhuǎn)移至具有高導(dǎo)熱性的塑料基片上。本發(fā)明通過將裝置 中生成的熱經(jīng)具有高導(dǎo)熱性的塑料基片發(fā)散，從而得到長(zhǎng)壽命的 裝置。
具有高導(dǎo)熱性的塑料基片由具有高度導(dǎo)熱性的樹脂形成，所述 樹脂為金屬粉末、金屬纖維、低熔點(diǎn)金屬(不含鉛的焊料，例如 錫、鉍和鋅)、陶瓷以及合成樹脂的混合物，所述金屬粉末例如 銅、鐵、鋁等；所述陶瓷例如氮化硼、鋁硼、氧化鎂、氧化鈹 等；所述合成樹脂由聚丙蹄、聚丙烯疏(polypropylenesulfide)、聚 碳酸酯、聚醚酰亞胺、聚苯疏醚、聚苯醚、聚砜、或聚鄰苯二甲 酰胺構(gòu)成。高導(dǎo)熱性樹脂的熱導(dǎo)率為2至30W/mK。
當(dāng)將陶瓷和不含鉛的焊料混合入合成樹脂中時(shí)，由于注入成型 過程中生成的熱，焊料熔化，然后將其冷卻并硬化，之后，焊料 通過分散的陶覺顆粒相互連接成網(wǎng)狀。因此，可以進(jìn)一步增加導(dǎo) 熱性的影響。
將特定量的陶瓷和不含鉛的焊料混合入具有高導(dǎo)熱性的樹脂 中，并
制成小球。通過注入成型工藝將所得到的小球形成于一個(gè)片中 從而得到基片。在此處，所述基片為片狀，但是不限于此，基 片可以形成不同形狀。
具有高熱導(dǎo)率的塑料基片的熱導(dǎo)率可以與金屬(鈦、鋁合金、 鎂合金等) 一樣高。另外，可以以較低成本得到塑料基片，并且 與金屬基片相比，其重量較輕。具有高熱導(dǎo)率的塑料基片的透光率較低，采用所述具有高熱導(dǎo) 率的塑料基片作為非顯示側(cè)的基片，這是因?yàn)?，必需使顯示側(cè)的 基片能夠透過光。尤其是，優(yōu)選具有高熱導(dǎo)率的塑料基片與產(chǎn)生 熱的裝置的距離較短。
本說明書所公開的結(jié)構(gòu)為包括以下的半導(dǎo)體設(shè)備
作為支撐介質(zhì)的具有導(dǎo)熱性的塑料基片或塑料基底材料； 與所述塑料基片或塑料基底材料相互接觸的粘結(jié)劑；以及 位于絕緣膜上的與粘結(jié)劑接觸的裝置。
在上述每個(gè)結(jié)構(gòu)中，其中裝置為薄膜晶體管、包括含有有機(jī)化 合物的發(fā)光層的發(fā)光裝置、液晶裝置、存儲(chǔ)裝置、銷連接硅光電 轉(zhuǎn)換器、硅電阻元件。
在上述結(jié)構(gòu)中，所述粘結(jié)劑具有導(dǎo)熱性。優(yōu)選用于粘結(jié)具有高 導(dǎo)熱性的塑料基片的粘結(jié)劑具有高熱導(dǎo)率而且較厚。例如，可以 采用含有填料或粉末的粘結(jié)劑(絕緣導(dǎo)熱粘結(jié)劑)，所述填料或 粉末由銀、鎳、鋁、氮化鋁等。
在上述結(jié)構(gòu)中，其中每個(gè)塑料基片或塑料基底材料的熱導(dǎo)率比 粘結(jié)劑的熱導(dǎo)率更高。所述具有導(dǎo)熱性的每個(gè)塑料基片或塑料基 底材料由低熔點(diǎn)金屬、陶瓷和合成樹脂的混合物形成，所述合成 樹脂包括聚丙烯、聚丙烯疏、聚碳酸酯、聚醚酰亞胺、聚苯疏 醚、聚苯醚、聚砜、或聚鄰苯二甲酰胺。
對(duì)剝離或轉(zhuǎn)移方式?jīng)]有特別的限制。釋放層和基片可以通過以 下步驟分離，即在釋放層和基片之間提供分離層，用蝕刻劑除 去所述分離層；或者在釋放層和基片之間提供由無定形硅(或多 晶硅)形成的分離層，所述分離層暴露于激光束，所述激光束透 過基片將無定形硅中的氫釋放出來，這樣在分離層中形成空間。
當(dāng)采用激光束時(shí)，優(yōu)選將包括在釋放層中的裝置在不超過410°C的溫度下加熱，從而在剝離過程之前不釋放無定形硅中的氫。
除了上文描述的方式外，可以采用應(yīng)力剝離方法，所述方法利 用了位于兩個(gè)膜之間的薄膜應(yīng)力。根據(jù)所述剝離方法，在基片上 形成金屬層優(yōu)選金屬氮化物層，在所述金屬氮化物層上形成氧化 物層，然后可以在氧化物層上形成裝置，之后在不發(fā)生剝離的情
況下在不低于500。C的溫度下進(jìn)行沉積工藝和加熱處理，因此，可 以通過物理手段輕易地將氧化物層的內(nèi)層或邊界面分離開來。另 外，在通過物理手段剝離之前可以進(jìn)行熱處理或激光照射，以有 利于剝離。
本發(fā)明還提供了 一種新的采用剝離方法和轉(zhuǎn)移方法的半導(dǎo)體設(shè) 備的制作方法。
在本說明書公開的本發(fā)明的第 一結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體設(shè)備的制作方
法包括以下步驟
在第 一基片上形成包括半導(dǎo)體裝置的釋放層的第 一 過程； 將有機(jī)樹脂膜涂覆于釋放層的第二過程，所述樹脂膜與溶劑一
起熔化；
將第二基片通過第一雙面膠帶(two-sided tape)粘結(jié)至有機(jī)樹脂 膜上，從而將釋放層和有機(jī)樹脂膜夾在第 一基片和第二基片之間 的第三過程；
將第三基片通過第二雙面膠帶粘結(jié)至第一基片上的第四過程； 通過物理手段將其上粘結(jié)第三基片的第一基片與釋放層分離的 第五過程；
將第四基片與釋放層粘結(jié)從而將釋放層夾在第二基片和第四基 片之間的第六過程；
將釋放層和第一雙面膠帶與第二基片分離的第七過程； 將釋放層與第一雙面膠帶分離的第八過程；以及用溶劑將有機(jī)樹脂膜除去的第九過程。
與溶劑 一起熔化的有機(jī)樹脂膜形成于釋放層上，用于保護(hù)第一 電極(發(fā)光裝置的陽極或陰極)的表面并使其變平坦。使表面平 坦可以提高基片和釋放層的粘附性。在釋放層上形成有機(jī)樹脂膜 可以提高基片和釋放層的粘附性，這是因?yàn)橛捎诓季€導(dǎo)致的不規(guī) 則性被有機(jī)樹脂膜覆蓋了 。也可以改進(jìn)釋放層的另 一 面和基片的 粘附性，從而避免了由于布線導(dǎo)致的不規(guī)則性所產(chǎn)生的不良影 響。
在本發(fā)明的第二結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體設(shè)備的制作方法包括以下步
驟
在第 一基片上形成包括半導(dǎo)體裝置的釋放層的第 一過程； 將有機(jī)樹脂膜涂覆于釋放層的第二過程，所述樹脂膜與溶劑一 起熔化；
將第二基片通過第一雙面膠帶粘結(jié)至有機(jī)樹脂膜上，從而將釋 放層和有機(jī)樹脂膜夾在第 一 基片和第二基片之間的第三過程； 將第三基片通過第二雙面膠帶粘結(jié)至第一基片上的第四過程； 通過物理手段將其上粘結(jié)第三基片的第一基片與釋放層分離的 第五過程；
將第四基片與釋放層粘結(jié)從而將釋放層夾在第二基片和第四基 片之間的第六過程；
將釋放層和第 一雙面膠帶與第二基片分離的第七過程；
將釋放層與第一雙面膠帶分離的第八過程；以及
用溶劑將有機(jī)樹脂膜除去的第九過程；以及
將第五基片通過第二粘結(jié)劑與釋放層粘結(jié)的第十過程，將釋放 層夾在第四基片和第五基片之間。
在本發(fā)明的第三結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體設(shè)備的制作方法包括以下步驟
在第一基片上形成包括TFT的釋放層的第一過程； 將有機(jī)樹脂膜涂覆于釋放層的第二過程，所述樹脂膜與溶劑一 起熔化；
將第二基片通過第一雙面膠帶粘結(jié)至有機(jī)樹脂膜上，從而將釋
放層和有機(jī)樹脂膜夾在第 一 基片和第二基片之間的第三過程； 將第三基片通過第二雙面膠帶粘結(jié)至第一基片上的第四過程；
通過物理手段將其上粘結(jié)第三基片的第一基片與釋放層分離的
第五過程；
通過第 一粘合劑將第四基片與釋放層粘結(jié)從而將釋放層夾在第 二基片和第四基片之間的第六過程；
將釋放層和第一雙面膠帶與第二基片分離的第七過程； 將釋放層與第 一 雙面膠帶分離的第八過程； 用溶劑將有機(jī)樹脂膜除去的第九過程； 制作位于釋放層上的包括有機(jī)化合物的發(fā)光裝置的第十過程；
以及
將密封發(fā)光裝置的第五基片通過第二粘結(jié)劑與釋放層粘結(jié)的第 十一過程，將釋放層夾在第四基片和第五基片之間。
在與半導(dǎo)體設(shè)備的每種制作方法有關(guān)的上述結(jié)構(gòu)中，溶劑為水 A乙酉孚。
在與半導(dǎo)體設(shè)備的每種制作方法有關(guān)的上述結(jié)構(gòu)中，第七過程 中第 一雙面膠帶和第二基片之間的粘接性強(qiáng)于釋放層和第四基片 之間的粘接性。
優(yōu)選轉(zhuǎn)移至所述釋放層的基片的硬度大于被轉(zhuǎn)移的基片。 在上述與半導(dǎo)體設(shè)備的每種制作方法有關(guān)的第一和第二結(jié)構(gòu) 中，第一基片為玻璃基片，第二基片和第三基片為石英基片或金屬基片，第四基片和第五基片為塑料基片。
在上述與半導(dǎo)體設(shè)備的每種制作方法有關(guān)的第一和第二結(jié)構(gòu) 中，可以粘結(jié)具有導(dǎo)熱性的塑料基片，第一基片為玻璃基片，第 二基片和第三基片為石英基片或金屬基片，在第四和第五基片 中，其中一個(gè)為透光的塑料基片，另一個(gè)為具有導(dǎo)熱性的塑料基 片。
在上述與半導(dǎo)體設(shè)備的每種制作方法有關(guān)的結(jié)構(gòu)中，第四或第
五基片為位于一表面上的塑料基片，所述表面由SiNx膜、SiNxOy
膜、AlNx膜或AlNxOy膜形成?？梢酝ㄟ^在塑料基片上形成SiNx
膜、SiNxOy膜、AlNx膜或AlNxOy膜，提供屏障特性，從而提高半
導(dǎo)體設(shè)備的可靠性。
可以實(shí)施所述用雙面膠帶粘結(jié)第二基片的過程以及粘結(jié)第
三基片的過程，而不論哪個(gè)過程先進(jìn)行。在上述與半導(dǎo)體設(shè)備
的每種制作方法有關(guān)的結(jié)構(gòu)中，將第二基片通過第一雙面膠帶
粘附于有機(jī)樹脂膜從而將釋放層和有機(jī)樹脂膜夾在第一基片和
第二基片之間的第三過程以及將第三基片通過第二雙面膠帶粘
附于第 一 基片上的第四過程的順序可以顛倒。
如本說明書中所述，術(shù)語"EL層"是指任意位于陰極和陽極之
間的層。因此，上述空穴注射層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳
輸層以及電子注射層均為EL層。
如本說明書中所述，術(shù)語"EL裝置"是指具有以下結(jié)構(gòu)的發(fā)光
無機(jī)材料的層(下文為EL層)位于兩個(gè)電極(陽極和陰極)之 間，也就是說，包括陽極、陰極和EL層的二極管。
附圖的簡(jiǎn)要說明
附

圖1A至1D為根據(jù)實(shí)施方式1的視圖；附圖2A和2B為根據(jù)實(shí)施例2的視圖； 附圖3A至3J為根據(jù)實(shí)施方式2的視圖； 附圖4A至4J為根據(jù)實(shí)施方式3的視圖； 附圖5A和5B為根據(jù)實(shí)施例3的視圖； 附圖6顯示根據(jù)實(shí)施例1的TFT的電特性； 附圖7A至7F顯示根據(jù)實(shí)施例4的TFT和第一電極的連接， 以及隔段的形狀；
附圖8A至8E顯示根據(jù)實(shí)施例5的電器例子的視圖； 附圖9A至9C顯示根據(jù)實(shí)施例5的電器例子的視圖； 附圖10A和10B為顯示根據(jù)實(shí)施例6的模塊的視圖； 附圖11為根據(jù)實(shí)施例6的框圖；以及 附圖12A和12B為顯示根據(jù)實(shí)施例7的無源發(fā)光設(shè)備的視圖。
實(shí)施本發(fā)明的最佳方式
實(shí)施方式1
在該實(shí)施方式中將描述具有高熱導(dǎo)率的絕緣基片或基片粘結(jié) 于釋放層(包括裝置)上的例子，所述釋放層通過剝離的方法分
離o
在附圖1A中，附圖標(biāo)記10表示具有導(dǎo)熱性的絕緣基片；11 為粘結(jié)劑；12為釋放層(包括裝置)。所述釋放層12包括事先形 成于基片(未示出)上的半導(dǎo)體裝置。所述釋放層通過剝離的方 法從基片上分離出來，并通過粘結(jié)劑11粘結(jié)于基片10上。
將特定量的例如A1、 Mg、陶瓷等的粉末以及低熔點(diǎn)金屬粉末 (不含鉛的焊料)混合入作為熱塑樹脂的聚苯^t醚等中，將混合 物制成小球。所得到的小球可以通過注射成型工藝或者壓塑工藝形成于具有彎曲表面的基片io中。所述低熔點(diǎn)金屬由于注射成型
過程中產(chǎn)生的熱而熔化，之后冷卻，并硬化。在所得到的低熔點(diǎn) 金屬中，纖維狀金屬通過分散的陶黨顆粒相互連接成網(wǎng)狀，并形
成熱傳導(dǎo)的通道。所得到的基片10具有5至30W/mK的高熱導(dǎo) 率。另外，對(duì)于熔化和混合樹脂組合物的生產(chǎn)機(jī)器，可以采用對(duì) 樹脂、橡膠或陶瓷進(jìn)行混合的常用機(jī)器。混合機(jī)可以將比重差異 非常大的樹脂和低熔點(diǎn)金屬的粉末分散開來。以團(tuán)塊的形式提取 位于混合機(jī)中的熔化和混合的樹脂和低熔點(diǎn)金屬。所述組合物團(tuán) 塊再次熔化并制成粒狀，從而得到稱為小球的顆粒狀組合物。通 過注射成型工藝將小球制成各種形狀。
將具有釋放層12的裝置(TFT、含有有機(jī)化合物的發(fā)光裝 置、液晶裝置、存儲(chǔ)裝置、薄膜二極管、銷連接硅光電轉(zhuǎn)換器、 硅電阻元件等)設(shè)置于半導(dǎo)體設(shè)備中從而得到半導(dǎo)體設(shè)備。所述 半導(dǎo)體設(shè)備可以通過基片10將在驅(qū)動(dòng)過程中設(shè)備產(chǎn)生的熱快速地 發(fā)散出去。而且，通過將粘結(jié)劑11的厚度變薄提高散熱特性。
附圖1B顯示了采用具有導(dǎo)熱性的絕緣基片的例子，其被模鑄 在平板內(nèi)。除了基片20，附圖1B中的其它組件與附圖1A相同， 不再對(duì)其進(jìn)行解釋。通過附圖1B，附圖標(biāo)記20表示具有導(dǎo)熱性的 絕緣基片；ll為粘結(jié)劑；12為釋放層(包括裝置)。通過剝離法 將釋放層12與基片(未示出)分離，采用粘結(jié)劑ll粘附于基片 10上。附圖1B顯示了彎曲基片20的橫截面圖，其目的是顯示基 片20為可彎曲的。
附圖1C顯示了將釋放層放于一對(duì)基片20和24之間的例子。 為了防止釋放層22受到外部雜質(zhì)或外力的影響，將基片24通過 粘結(jié)劑23附著于釋放層上，并密封釋放層22?；?4為柔性塑 料基片或薄的彎曲玻璃基片。為了提高基片的屏障性能，選自以下組的單層或這些膜的疊層可以形成于基片24的表面，所述組包 括SiNx膜、SiNxOy膜、AlNx膜或AlNxOy膜。
通過附圖1C，附圖標(biāo)記20是指具有導(dǎo)熱性的絕緣基部材料； 21為第一粘結(jié)劑；22為釋放層(包括裝置)；23為第二粘結(jié)劑； 24為基片。通過剝離法將釋放層22與基片(未示出)分離，并采 用第一粘結(jié)劑21粘附于基片20上?；蛘撸?4通過第二粘結(jié) 劑23粘附于釋放層22上，所述釋放層與其分離，并通過第一粘 結(jié)劑21粘附于基片20上。
附圖1D顯示了將釋放層位于一對(duì)基片30和34之間的例子，
采用具有導(dǎo)熱性的材料作為粘結(jié)劑31。
通過附圖1D，附圖標(biāo)記30是指具有導(dǎo)熱性的絕緣基片；31 為具有高熱導(dǎo)率的粘結(jié)劑；32為釋放層(包括裝置)；33為粘結(jié) 劑；34為基片。
作為具有高熱導(dǎo)率的粘結(jié)劑31，可以采用由銀、鎳、鋁、氮 化鋁等構(gòu)成的填料或粉末(絕緣的具有導(dǎo)熱性的粘結(jié)劑)。通過 采用具有高熱導(dǎo)率的粘結(jié)劑31，可以提高熱輻射性能。
實(shí)施方式2
在該實(shí)施方式2中參照附圖3描述制作有源矩陣發(fā)光設(shè)備的例子。
本發(fā)明可以應(yīng)用于有源矩陣發(fā)光設(shè)備中，但不局限于此，還可 以應(yīng)用于任何發(fā)光裝置中，只要所述裝置具有含有有機(jī)化合物的 層，例如用于彩色顯示面板的無源矩陣發(fā)光設(shè)備、用于電展示裝 置的表面發(fā)光或局部彩色發(fā)光設(shè)備。
首先，在玻璃基片(第一基片300)上形成裝置。在此處為鎢 膜的金屬膜301 (厚度為10至200nm，優(yōu)選50至75nm)通過噴
15濺形成于玻璃基片上，其上疊加有在此處為氧化硅膜的氧化物膜
302 (厚度為150至200nm)，不暴露于空氣。當(dāng)采用噴濺法時(shí)，
所述鎢膜和氧化硅膜位于基片的邊緣部分。優(yōu)選通過02灰化選擇
性除去沉積的鎢膜和氧化硅膜。在以下剝離過程中，鎢膜和氧化
硅膜的邊緣面或內(nèi)部氧化硅膜被分離開。
接下來，通過PCVD形成作為基底絕緣膜(厚度為100nm) 的硅氧氮化物膜，在其上疊加無定性硅膜(厚度為54nm)，不暴 露于空氣。
所述無定性硅膜含有氫。當(dāng)在不低于500t的溫度下加熱無定 形硅膜以形成多晶硅膜時(shí)，在形成多晶硅膜的同時(shí)氫可以擴(kuò)散。 可以采用所得到的多晶硅膜形成以TFT為代表的各種裝置(薄膜 二極管、銷連接硅光電轉(zhuǎn)換器、硅電阻元件、傳感器裝置(典型 地，采用多晶硅的壓敏指紋傳感器))。另外，本發(fā)明還可以用 于TFT中，所述TFT中采用無定形硅膜作為活性層。
此處，通過公知的技術(shù)(固相生長(zhǎng)、激光晶體化、采用催化劑 金屬的晶體化)形成多晶硅膜，通過形成圖案而得到島狀半導(dǎo)體 區(qū)域，然后形成頂柵型TFT303，其中島狀半導(dǎo)體區(qū)域作為活性層。 通過對(duì)活性層進(jìn)行摻雜，從而形成柵絕緣膜、柵電極以及源區(qū)或 漏區(qū)，然后，形成層間絕緣膜，之后分別形成源電極或漏電極。 最后進(jìn)行活化。
接下來，形成第一電極，所述第一電極構(gòu)成通過向一對(duì)電極施 加電場(chǎng)來達(dá)致焚光或磷光的發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置含有置于一 對(duì)電極(陽極和陰極)之間的含有有機(jī)化合物的膜(下文稱為有 機(jī)化合物層)。此處，作為陽極或陰極的第一電極304由大功函 的金屬膜(Cr、 Pt、 W等)形成，或者由透明導(dǎo)電膜(銦錫氧化 物合金(ITO)、氧化銦氧化鋅合金(ln203 —ZnO)、氧化鋅 (ZnO)等)構(gòu)成。描述了形成作為陽極的第一電極304的例子。 當(dāng)TFT的源電極或漏電極作為第一電極，或者分別形成與源
16區(qū)或漏區(qū)接觸的第一電極時(shí)，TFT包括第一電極。
在第一電極(陽極)的邊緣部分形成隔段305a，以環(huán)繞第一 電極的外周。為了改善覆蓋，隔段的上部邊緣部分或底部邊緣部 分具有彎曲表面，所述表面具有曲率。例如，當(dāng)采用正性光壽t丙 烯酸作為隔段的材料時(shí)，優(yōu)選只有隔段的上部邊緣部分具有彎曲 表面，其具有曲率半徑(0.2至3(im)。根據(jù)光敏材料所暴露的光 而不溶于蝕刻劑的負(fù)性材料或是根據(jù)光而溶于蝕刻劑的正性材料 均可以作為隔段。
進(jìn)一步地，當(dāng)疊加多個(gè)有機(jī)樹脂時(shí)，存在以下威脅，即多個(gè)有 機(jī)樹脂的一部分熔化或者所述多個(gè)有機(jī)樹脂粘性過大。因此，當(dāng) 采用有機(jī)樹脂作為隔段的材料時(shí)，隔段305a優(yōu)選由無機(jī)絕緣膜 (SiNx膜、SiNxOy膜、A1NX膜或AlNxOy膜)覆蓋，從而在以下過 程將其涂覆于整個(gè)表面之后，易于去除水溶性樹脂。所述無機(jī)絕 緣膜作為隔段305b的一部分(附圖3A)。
接下來，將溶于水或乙醇的粘結(jié)劑涂覆于整個(gè)表面并焙燒。所 述粘結(jié)劑可以包括例如環(huán)氧樹脂類、丙烯酸類、硅類等。此處， 由水溶性樹脂(TOAGOSEI Co.Ltd.:VL-WSHLlO)形成的膜306 旋涂厚度為30pm，然后暴露兩分鐘以部分硬化，然后將其背面暴 露于紫外線2.5分鐘，之后將其表面暴露10分鐘以完全硬化(附 圖3B)。
為了易于剝離，部分地降低金屬膜301和氧化物膜302的粘附 性。用激光照射沿著其邊緣將要?jiǎng)冸x金屬膜301或氧化物膜302 的區(qū)域，或者部分地從外界對(duì)沿著其邊緣將要?jiǎng)冸x的區(qū)域進(jìn)行施 加壓力從而破壞其內(nèi)部或者氧化膜302的部分邊緣面，以實(shí)施所 述部分降低粘附性的過程。尤其是，將硬的針狀物例如金剛石筆 垂直于將要?jiǎng)冸x的區(qū)域，并施加負(fù)荷沿著區(qū)域的邊緣移動(dòng)。優(yōu)選地，可以采用劃線裝置隨著施加的負(fù)荷在區(qū)域上移動(dòng)并施加壓
力，其范圍在O.l至2mm。為了易于剝離，實(shí)施某些過程是非常 重要的，即為剝離過程作準(zhǔn)備。所述選擇性地(部分地)減弱粘 附性的準(zhǔn)備過程將防止劣質(zhì)剝離，并提高產(chǎn)量。
接下來，用雙面膠帶307將第二基片308粘結(jié)于由水溶性樹脂 306形成的膜。然后，用雙面膠帶309 (附圖3C)將第三基片310 粘結(jié)于第一基片300上。第三基片310防止第一基片300在以下 剝離過程中受到損害。對(duì)于第二基片308和第三基片310,優(yōu)選采 用硬度比第一基片300高的基片，例如石英基片或半導(dǎo)體基片。
將具有金屬膜301的第一基片300從區(qū)域上剝離下來，所述通 過物理手段部分地降低了粘附性?？梢酝ㄟ^相對(duì)較小的力(例 如，人的手、噴嘴噴出的氣體壓力、超聲波等)剝離第一基片 300。這樣，可以將氧化物層302上的釋放層與第一電極300分離 開來。附圖3D為剝離過程后的狀態(tài)。
接下來，采用粘結(jié)劑311將第四基片312粘結(jié)于氧化物層302 (和剝離層)上(附圖3E)。第四基片312和氧化物層302 (以 及釋放層)的粘合強(qiáng)度大于通過雙面膠帶307而粘結(jié)的第二基片 308與釋放層的粘合強(qiáng)度是非常重要的。
優(yōu)選地，具有2至30W/mK的高熱導(dǎo)率的塑料基片用作第四 基片312。所述塑料基片由陶覺、不含鉛的焊料、合成樹脂的混合 物形成，所述合成樹脂包括聚丙烯、聚丙烯疏、聚碳酸酯、聚醚 酰亞胺、聚苯^i醚、聚苯醚、聚砜、或聚鄰苯二甲酰胺。在塑料 基片中，熔化的金屬通過陶瓷顆粒相互連接成網(wǎng)狀。
作為粘結(jié)劑311，采用不同類型的固化粘結(jié)劑，例如，諸如反 應(yīng)固化粘結(jié)劑的光固化粘結(jié)劑、熱固化粘結(jié)劑、UV固化粘結(jié)劑 等，或厭氧粘結(jié)劑。更優(yōu)選地是，粘結(jié)劑311含有粉末或填料從 而具有高熱導(dǎo)率，所述粉末包括銀、鎳、鋁、氮化鋁。
將第二基片308從雙面膠帶307上去除(附圖3F)。然后，將雙面膠帶307從由水溶性樹脂306構(gòu)成的膜上除去 (附圖3G)。
然后，由水溶性樹脂306形成的膜用水熔化并去除(附圖 3H)。如果第一電極304上留有水溶性樹脂的殘余物，其將導(dǎo)致 裝置的劣化。因此，優(yōu)選在02等離子體中對(duì)第一電極304的表面 進(jìn)行清洗或處理。
如果需要，采用浸泡于表面活性劑(弱堿性)的多孔海綿(典 型地，PVA (聚乙烯醇)或尼龍海綿)對(duì)第一電極304的表面進(jìn) 行擦拭和清洗。
就在形成含有有機(jī)化合物的層313之前，在真空條件下加熱基 片，從而除去具有TFT和隔段的整個(gè)基片上所吸收的水份。而 且，就在形成含有有機(jī)化合物的層313之前，第一電極可以暴露 于紫外輻射。
通過氣相沉積采用蒸發(fā)掩膜或噴墨選擇性地在第 一 電極(陽 極)上形成含有有機(jī)化合物的層313。對(duì)于含有有機(jī)化合物的層 313，可以采用聚合物材料、低分子量材料、無機(jī)材料、上述材料 形成的混合層、將上述材料分散得到的層、或者將上述材料進(jìn)行 適當(dāng)組合而疊加的疊層。
在含有有機(jī)化合物的層313上形成第二電極(陰極)314 (附 圖31)。為了形成陰極314，采用由低功函(Al， Ag， Li， Ca和 這些材料的合金，例如MgAg、 Mgln、 AlLi、 CaF2或CaN)材料 形成的薄膜和透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的疊層，所述薄膜的厚度能夠透過 光。如果需要，通過噴濺或氣相沉積形成保護(hù)層以覆蓋第二電 極。所述透明保護(hù)疊層可以通過噴濺法或CVD由硅氮化物膜、硅 氧化物膜、硅氮氧化物膜(SiNO膜，N與O的比率為NX))或 硅氧氮化物膜(SiON膜，N與O的比率為NO),或者碳作為 其主要成分的薄膜(例如DLC膜或CN膜)構(gòu)成。
以所需圖案在第五基片316上涂覆含有間隔劑的密封劑(未示 出)，用于保持一對(duì)基片之間的空間，所述第五基片用作密封基 片。在本例中，第五基片可以透過光，這是因?yàn)椋涿枋龅陌l(fā)光裝置的例子中所生成的光發(fā)射通過第五基片316。為了減輕裝置的
重量，其上形成有阻斷膜(SiNx膜、SiNxOy膜、AlNx膜或AlNxOy
膜)的塑料膜用作第五基片316。然后，將涂覆有密封劑的密封基片 (第五基片)粘結(jié)于有 源矩陣基片上，對(duì)齊密封圖案以環(huán)繞發(fā)光部分，從而密封發(fā)光裝
置。另外，粘結(jié)密封基片，從而被密封劑環(huán)繞的空間充滿了由透
明有機(jī)樹脂形成的粘結(jié)劑315 (附圖3J)。
因此，得到具有TFT和發(fā)光裝置的發(fā)光設(shè)備，其具有高熱導(dǎo) 率的塑料基片312和作為支撐介質(zhì)的第五基片316。所得到的發(fā)光 設(shè)備可以在驅(qū)動(dòng)操作中將裝置內(nèi)產(chǎn)生的熱發(fā)散出去，這是因?yàn)樗?料基片具有高的熱導(dǎo)率。進(jìn)一步地，所制成的所述發(fā)光設(shè)備較 薄、重量輕，而且可以彎曲，這是因?yàn)樗芰匣鳛橹谓橘|(zhì)。
此處，采用的剝離過程通過將鎢膜和硅氧化物膜的邊緣部分分 離開來從而分離第一基片，但是并不局限于此，可以在第一基片 上形成含有氫的無定性硅膜之后，采用激光輻射分離第一基片， 或者通過采用溶液或氣體的蝕刻或機(jī)械蝕刻分離第 一基片。
本實(shí)施方式可以與實(shí)施方式1自由組合。
實(shí)施方式3
描述制作發(fā)光設(shè)備的方法，其中發(fā)光裝置產(chǎn)生的光通過第一電 極提取。由于該實(shí)施方式部分地與實(shí)施方式2相同，因此省略了 進(jìn)一步的解釋，類似組件采用實(shí)施方式2中的類似附圖標(biāo)記表 示。
直至剝離第一電極之前的過程同實(shí)施方式2。注意，透明導(dǎo)電 膜用作第一電極304，以透過光。
當(dāng)根據(jù)實(shí)施方式2達(dá)到附圖4D所示的狀態(tài)時(shí)，將透明塑料基 片412通過粘結(jié)劑411粘結(jié)其上(附圖4E)。
第二基片308與雙面膠帶307分離(附圖4F)。
20然后，除去雙面膠帶307 (附圖4G)。
之后，用水熔化由水溶性樹脂306構(gòu)成的膜，并除去(附圖 4H)。如果第一電極304上留有水溶性樹脂的殘余物，其將導(dǎo)致 裝置的劣化。因此，優(yōu)選在02等離子體中對(duì)第一電極304的表面 進(jìn)行清洗或處理。
如果需要，采用浸泡于表面活性劑(弱石成性)的多孔海綿(典 型地，PVA (聚乙烯醇)或尼龍海綿)對(duì)第一電極304的表面進(jìn) 行擦拭和清洗。
就在形成含有有機(jī)化合物的層之前，在真空條件下加熱基片， 從而除去具有TFT和隔段的整個(gè)基片上所吸收的水份。而且，就 在形成含有有機(jī)化合物的層413之前，第一電極可以暴露于紫外 輻射。
通過氣相沉積采用蒸發(fā)掩膜或噴墨選擇性地在第一電極(陽 極)上形成含有有機(jī)化合物的層413。對(duì)于含有有機(jī)化合物413的 層，可以采用聚合物材料、低分子量材料、無機(jī)材料、上述材料 形成的混合層、將上述材料分散得到的層、或者將上述材料進(jìn)行 適當(dāng)組合而疊加層的疊層。
在含有有機(jī)化合物的層413上形成第二電極(陰極)414 (附 圖41)。為了形成陰極414，采用由低功函(Al， Ag， Li， Ca和 這些材料的合金，例如MgAg、 Mgln、 AlLi、 CaF2或CaN)材料 構(gòu)成的薄膜疊層，其透過光。如果需要，通過噴濺或氣相沉積形 成保護(hù)層以覆蓋第二電極。所述保護(hù)疊層可以通過噴濺法或CVD 由硅氮化物膜、硅氧化物膜、硅氮氧化物膜(SiNO膜，N與O的 比率為N>0)或硅氧氮化物膜SiON膜，N與0的比率為 N<0)，或者碳作為其主要成分的薄膜(例如DLC膜或CN膜) 形成。以所需圖案在第五基片416上涂覆含有間隔劑的密封劑(未示 出)，用于保持一對(duì)基片之間的空間，所述第五基片用作密封基 片。在本例中，第五基片416可以是半透明的或不透明的，這是 因?yàn)椋涿枋龅陌l(fā)光裝置的例子中所生成的光發(fā)射通過第三基片 412。之后，將涂覆有密封劑的第五基片416粘結(jié)于有源矩陣基片 上，對(duì)齊密封圖案以環(huán)繞發(fā)光部分，從而密封發(fā)光裝置。另外， 粘結(jié)密封基片，從而被密封劑環(huán)繞的空間充滿了由透明有機(jī)樹脂 構(gòu)成的粘結(jié)劑415 (附圖4J)。
因此，得到具有TFT和發(fā)光裝置的發(fā)光設(shè)備，其具有高熱導(dǎo) 率的塑料基片412和作為支撐介質(zhì)的第五基片416。所得到的發(fā)光 設(shè)備可以在驅(qū)動(dòng)操作中將裝置內(nèi)產(chǎn)生的熱發(fā)散出去，這是因?yàn)樗?料基片具有高的熱導(dǎo)率。進(jìn)一步地，所制成的所述發(fā)光設(shè)備較 薄、重量輕，而且可以彎曲，這是因?yàn)樗芰匣鳛橹谓橘|(zhì)。
本實(shí)施方式可以與實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?自由組合。
參照以下實(shí)施例對(duì)具有上述構(gòu)造的本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一 步的解釋。
實(shí)施例1
此處，將詳細(xì)描述同時(shí)在基片上制作TFT (n溝道型TFT和p 溝道型TFT)的方法。盡管此處顯示了有源矩陣基片制作方法并 包括TFT制作工藝的例子，但是其并不構(gòu)成限制。如果適當(dāng)改變 TFT的設(shè)置以及像素電極的材料，顯而易見可以生產(chǎn)出具有發(fā)光 層的發(fā)光設(shè)備，所述發(fā)光層含有有機(jī)化合物。
玻璃基片(井1737)用作基片。首先，通過PCVD法在基片 上形成硅氧氮化物層，其厚度為100nm。
接下來，噴濺形成厚度為50nm的鎢層作為金屬層，噴濺以連 續(xù)形成厚度為200nm的硅氧化物膜作為氧化物層，不暴露于外周環(huán)境。所述硅氧化物層的形成條件為，采用RF噴濺設(shè)備；硅氧化 物作為濺射耙(直徑為30.5cm);用于加熱基片的氬氣為 30sccm;基片溫度為300°C ;壓力為0.4Pa;電功率為3kW;氬氣 流速Z氧氣流速=1 Osecm/" 3 Osccm 。
接下來，通過02灰化除去位于基片的外周部分或邊緣處的鎢
層o
接下來，將SiH4和N20作為原料氣體(組成比Si = 32%， 0=59%, N=7%, H=2%),通過PCVD法在300。C下將硅氧氮 化物膜制成疊層，其厚度為100nm。進(jìn)一步地，通過PCVD法在 30(TC下用SiH4氣體形成具有無定形結(jié)構(gòu)(在該例中為無定形硅 膜)的半導(dǎo)體膜，其厚度為54nm，不暴露于外周環(huán)境。所述無定 形硅膜含有氫，通過接下來的熱處理將氫擴(kuò)散開來，通過位于氧 化層內(nèi)側(cè)或氧化層界面處的物理手段可以將無定形硅膜剝離開 來。
然后，通過旋轉(zhuǎn)器涂覆含有10ppm (重量)鎳的醋酸鎳溶 液。可以將鎳元素'減射于整個(gè)表面上，而不通過涂覆的方式。然 后，進(jìn)行熱處理進(jìn)行晶體化并形成具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜(此 處，為多晶硅層)。此處，在脫氫的熱處理之后(500°C， l小 時(shí))，進(jìn)行用于晶體化的加熱處理(550°C， 4小時(shí))，然后形成 了具有晶體結(jié)構(gòu)的硅膜。而且，脫氫的熱處理(500°C, l小時(shí)) 還具有以下功能，無定形硅層中的氫分散至W膜和硅氧化物層之 間的界面。還應(yīng)注意，盡管此處采用的晶體化方法中將鎳作為促 進(jìn)硅晶體化的金屬元素，但是，可以采用其它公知的晶體化方 法，例如，固相生長(zhǎng)方法和激光晶體化法。
接下來，通過稀氫氟酸等除去具有晶體結(jié)構(gòu)的硅膜表面上的氧 化物膜之后，對(duì)其進(jìn)行激光照射(XeCl:波長(zhǎng)為308nm),從而
23提高晶體化速率，并在外周環(huán)境或氧氣環(huán)境中修復(fù)晶粒中的缺
陷。波長(zhǎng)為400nm或更低的準(zhǔn)分子激光，或YAG激光器的第二 諧波或第三諧波可以作為激光。在任一情況下，采用重復(fù)頻率為 大約10至1000Hz的脈沖激光，通過光學(xué)系統(tǒng)將所述脈沖激光會(huì) 聚為100至500mJ/cm2，照射后的重合度為90至95%,從而可以 掃描所述硅膜的表面。此處，在重復(fù)頻率為30Hz、能量密度為 470mJ/cn^的情況下，在外周環(huán)境中進(jìn)行激光照射。注意，通過第 一激光輻射在表面上形成氧化物膜，這是因?yàn)椋谕庵墉h(huán)境或氧 氣環(huán)境下進(jìn)行照射。盡管此處顯示了采用脈沖激光器的例子，但 是還可以采用連續(xù)振蕩激光器。當(dāng)無定形半導(dǎo)體膜被晶體化時(shí)， 優(yōu)選通過固態(tài)激光器施加基波的第二諧波至第四諧波，所述固態(tài) 激光氣能夠連續(xù)振蕩從而得到大粒徑的晶體。典型地，優(yōu)選采用 Nd: YVCM敫光器(1064nm的基波)的第二諧波(波長(zhǎng)532nm) 或第三諧波(波長(zhǎng)355nm)。尤其是，IOW輸出的連續(xù)振蕩型 YV04激光器發(fā)出的激光束通過非線性光學(xué)組件轉(zhuǎn)化為諧波。同 樣，可以得到通過在諧振器中采用YV04激光器和非線性光學(xué)組件 而發(fā)出諧波的方法。然后，優(yōu)選地，通過光學(xué)系統(tǒng)形成激光束并 照射至表面上，所述激光束為矩形或橢圓形。此時(shí)，要求大約 0.01至100MW/cm2 (優(yōu)選O.l至10MW/cm2)的能量密度。相對(duì) 于激光束，以大約10至2000cm/s的速率移動(dòng)所迷半導(dǎo)體膜，從而 用激光照射半導(dǎo)體膜。
除了采用激光照射形成氧化物膜之外，通過用臭氧水處理表面 120秒，形成總厚度為1至5nm的包括氧化物膜的阻斷層。盡管 此處采用臭氧水形成阻斷層，但是可以在氧氣環(huán)境下對(duì)具有晶體 結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行紫外照射以進(jìn)行氧化，或者可以在氧 化物等離子體中對(duì)具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行處理以進(jìn)行氧化，從而形成阻斷層。此外，可以通過PCVD、噴濺、氣相沉 積等形成厚度大約為1至10nm的氧化物膜，從而形成阻斷層。進(jìn) 一步地，在形成阻斷層之前，可以將通過激光照射形成的氧化物 膜除去。
在阻斷層上，通過噴'減形成含有氬元素的厚度為10至400nm 的無定形硅膜，所述元素作為吸氣位點(diǎn)，在該實(shí)施例中厚度為 100nm。在該實(shí)施例中，在含有氬的環(huán)境下采用硅耙形成含有氬的 無定形硅膜。所述含有氬的無定形硅膜在以下沉積條件下形成， 即甲硅烷與氬氣(SiH4: Ar)的流量比為l: 99，壓力為6.665Pa (0.05Torr) ; RF功率密度為0.087W/cm2;采用PCVD時(shí)溫度為 350°C 。
接下來，采用在650。C的伊子進(jìn)行熱處理3分鐘，進(jìn)行吸氣從 而減少具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜中的鎳濃度?？梢圆捎脽敉嘶鹪O(shè) 備，以代替爐子。
接下來，采用阻斷層作為蝕刻制動(dòng)器，從而選擇性地除去含有 氬元素的無定形硅膜，所述元素作為吸氣位點(diǎn)，之后通過稀氫氟 酸選擇性除去阻斷層。注意，由于在吸氣過程中鎳有可能移動(dòng)至 具有高氧氣濃度的區(qū)域，較好地是在吸氣之后，除去由氧化物膜 形成的阻斷層。
然后，從臭氧水在所得到的具有晶體結(jié)構(gòu)的硅膜(也稱為多晶 硅膜)表面上形成氧化物薄膜后，形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩膜，在 其上進(jìn)行蝕刻過程從而得到所需的形狀，由此形成相互分隔開的 島狀半導(dǎo)體層。在形成半導(dǎo)體層之后，除去由抗蝕劑形成的掩膜。
通過上述工藝，在基片上形成氮化物層(金屬層)、氧化物層 以及基底絕緣膜，從而得到具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜。而且，將半導(dǎo)體膜蝕刻成具有所需形狀的分離的島狀半導(dǎo)體膜。然后，制
作TFT，所述TFT采用所得到的半導(dǎo)體層作為活性層。
接下來，用含有氫氟酸的蝕刻劑將氧化膜除去，同時(shí)，清洗硅 膜的表面。之后，形成作為柵絕緣膜的絕緣膜，其中硅作為其主 要成分。在該實(shí)施例中，通過PCVD形成厚度為115nm的硅氧氮 化物膜(組成比Si = 32%， 0 = 59%, N = 7%， H = 2Q/0)。
接下來，在柵絕緣膜上疊加厚度為20至100nm的第一導(dǎo)電膜 以及厚度為100至400nm的第二導(dǎo)電膜。在該實(shí)施例中，順序在 柵絕緣膜上疊加50nm厚的氮化鉭膜以及370nm厚的鴒膜。
對(duì)于形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的導(dǎo)電材料，采用選自以下 組的元素，所述組包括Ta、 W、 Ti、 Mo、 Al和Cu，以及含有上 述元素作為其主要成分的合金材料或化合物材料。進(jìn)一步地，以
摻雜雜質(zhì)元素的多晶硅膜為代表的半導(dǎo)體材料可以用作第一導(dǎo)電 膜和第二導(dǎo)電膜，其中雜質(zhì)元素例如磷或AgPdCu合金。另外，
本發(fā)明不局限于兩層結(jié)構(gòu)。例如，可以采用三層結(jié)構(gòu)，其中順序 疊加了50nm厚的鵠膜、500nm厚的鋁和硅(A1 —Si)合金膜以及 30nm厚的氮化鈦膜。而且，當(dāng)采用三層結(jié)構(gòu)時(shí)，可以采用氮化鴒 而不是鉤作為第 一 導(dǎo)電膜，采用鋁和鈦的合金膜而不是鋁和硅
(A1 —Si)合金膜作為第二導(dǎo)電膜，采用鈦膜而不是氮化鈦膜作為 第三導(dǎo)電層。另外，還可以采用單層結(jié)構(gòu)。
接下來，通過曝光形成抗蝕掩膜。然后，進(jìn)行第一蝕刻處理以 形成柵電極和布線。第一蝕刻處理在第一和第二蝕刻條件下進(jìn) 行。優(yōu)選進(jìn)行ICP (感應(yīng)耦合等離子體)蝕刻?？梢酝ㄟ^ICP蝕刻 在適當(dāng)調(diào)整的蝕刻條件下(即，施加至巻繞電極上的功率、施加 在基片側(cè)的電極上的功率、基片側(cè)的電極的溫度等)將膜蝕刻成 所需的錐形。作為蝕刻氣體，適當(dāng)?shù)夭捎没诼鹊臍怏w、基于氟
26的氣體或02，所述基于氯的氣體的代表包括Cl2、 BC13、 SiCU或 者CCU，基于氟的氣體的代表包括CF4、 SF6或NF3。
通過上述第 一蝕刻過程，通過將抗蝕掩膜形成適當(dāng)?shù)男螤睿?由于在基片側(cè)施加的偏壓的影響，形成了具有錐形形狀的第 一導(dǎo) 電層和第二導(dǎo)電層的邊緣部分。錐形部分的角度為15至45°。
這樣，通過第一蝕刻過程形成了具有第一形狀導(dǎo)電層，其包括 第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層。對(duì)適當(dāng)?shù)鼐哂?0至20nm厚的、作為 柵絕緣膜的絕緣膜進(jìn)行蝕刻。其結(jié)果是，厚度較薄的而且沒有被 第一形狀導(dǎo)電層覆蓋的區(qū)域成為柵絕緣膜。
接下來，不去除由抗蝕劑形成的掩膜，進(jìn)行第二蝕刻過程。
通過第二蝕刻過程，W的尖角為70。。通過第二蝕刻過程形成 第二導(dǎo)電層。另一方面，幾乎不對(duì)第一導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻。實(shí)際 上，可以將第一導(dǎo)電層的寬度減少大約0.3imi，即與進(jìn)行第二蝕刻 工藝之前相比，總線寬減少大約0.6nm。這樣，幾乎不改變第一導(dǎo) 電層的錐形大小。
接下來，除去抗蝕掩膜，進(jìn)行第一摻雜過程。所述摻雜過程可 以為離子摻雜或離子注入。離子摻雜在以下條件下進(jìn)行，劑量為 1.5xl0"原子/cm2，加速電壓為60至100KeV。作為賦予n型導(dǎo)電 性的雜質(zhì)元素，通常采用磷(P)或砷(As)。在這種情況下，第 一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層成為抗賦予n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的掩 膜，以自對(duì)準(zhǔn)的方式形成第一雜質(zhì)區(qū)域。將賦予n型導(dǎo)電性的雜 質(zhì)元素加入第一雜質(zhì)區(qū)域，其濃度為lxlO"至lxl017/cm3。此處， 具有與第一雜質(zhì)區(qū)域相同濃度的區(qū)域也稱為n—-區(qū)域。
注意，盡管在該實(shí)施例中，在除去抗蝕掩膜之后進(jìn)行第一摻雜 過程，但是可以不需要去除抗蝕掩膜而進(jìn)行第一摻雜過程。
接下來，形成抗蝕掩膜(保護(hù)半導(dǎo)體層的溝道形成區(qū)域及其外
27周，在所述區(qū)域上形成驅(qū)動(dòng)電路的p溝道型TFT，保護(hù)半導(dǎo)體層 的溝道形成區(qū)域及其外周，在所述區(qū)域上形成其中一個(gè)n溝道型 TFT，保護(hù)半導(dǎo)體層的溝道形成區(qū)域及其外周和保留體積區(qū)域，在 所述區(qū)域上形成像素部分的TFT)，進(jìn)行第二摻雜過程。在第二 摻雜過程中進(jìn)行磷(P)的離子摻雜，其條件為，劑量為1.5xl015 原子/cm2，加速電壓為60至100KeV。此處，以自對(duì)齊方式采用 第二導(dǎo)電層作為掩膜，在各個(gè)半導(dǎo)體層上形成雜質(zhì)區(qū)域。當(dāng)然， 在被掩膜覆蓋的區(qū)域不加入磷。因而，形成了第二雜質(zhì)區(qū)140至 142以及第三雜質(zhì)區(qū)144。在第二雜質(zhì)區(qū)加入賦予n型導(dǎo)電性的雜 質(zhì)元素，其濃度為"102()至lxl02'/cm3。本文，具有與第二雜質(zhì)區(qū) 域相同濃度的區(qū)域也稱為n+區(qū)域。
進(jìn)一步地，采用第一導(dǎo)電膜形成第三雜質(zhì)區(qū)域，其濃度低于第 二雜質(zhì)區(qū)域，第三雜質(zhì)區(qū)域摻雜了賦予n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素， 其濃度為lxlO"至lxl019/cm3。注意，由于雜質(zhì)元素?fù)诫s在第三雜 質(zhì)區(qū)域中，其通過錐形形狀的第一導(dǎo)電層，因此，第三雜質(zhì)區(qū)域
的濃度梯度可以看作雜質(zhì)濃度，朝向錐形部分的邊緣部分增加。 本文，具有與第三雜質(zhì)區(qū)域相同濃度的區(qū)域也稱為n-區(qū)域。
接下來，除去由抗蝕劑形成的掩膜之后，形成新的由抗蝕劑形 成的掩膜(用于覆蓋n溝道型TFT的掩膜)。然后，進(jìn)行第三摻 雜過程。
在驅(qū)動(dòng)電路中，通過上述第三摻雜過程，形成第四雜質(zhì)區(qū)域和 第五雜質(zhì)區(qū)域，其中賦予p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素加入用于形成p 溝道型TFT的半導(dǎo)體層以及形成保留體積的半導(dǎo)體層中。
進(jìn)一步地，將賦予p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素?fù)诫s入第四雜質(zhì)區(qū)域 中，其濃度為lxlO"至lxl021/cm3。注意，盡管在先前的步驟中已 經(jīng)將磷(P)摻入第四雜質(zhì)區(qū)域中(n一)，賦予p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的濃度比磷應(yīng)高出1.5至3倍，因此，第四雜質(zhì)區(qū)域?yàn)閜型。此 處，具有與第二雜質(zhì)區(qū)域相同濃度的區(qū)域也稱為p+區(qū)域。
進(jìn)一步地，在與第二導(dǎo)電層的錐形部分重疊的區(qū)域中形成第五 雜質(zhì)區(qū)域，并摻雜賦予p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，其濃度為lx1018 至lxl0，cm3。此處，具有與第五雜質(zhì)區(qū)域相同濃度的區(qū)域也稱為 p'區(qū)域。
通過上述過程，在各個(gè)半導(dǎo)體層上形成了具有n型或p型導(dǎo)電 性的雜質(zhì)區(qū)域。
接下來，形成基本覆蓋整個(gè)表面的絕緣膜。在該實(shí)施例中，通 過PCVD形成50nm厚的硅氧化物膜。當(dāng)然，所述絕緣膜不局限 于硅氧化物膜，其可以是含有硅的單層或疊層的另 一絕緣膜。
然后，進(jìn)行將摻入各個(gè)半導(dǎo)體層中的雜質(zhì)元素活化的過程。采 用燈光源、YAG激光器或準(zhǔn)分子激光器照射背面，以及采用爐子 的加熱處理或者兩者的結(jié)合進(jìn)行快速加溫劣化，以實(shí)施該活化過 程。
進(jìn)一 步地，盡管在該實(shí)施例中顯示了在活化之前形成絕緣膜的 例子，但是所述絕緣膜可以在活化之后形成。
接下來，形成由硅氮化物膜構(gòu)成的第一層間絕緣膜，并加熱 (300至550t， 1至12小時(shí))。然后，對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行加氫，通 過氫在第 一層間絕緣膜內(nèi)使半導(dǎo)體層不存在不飽和鍵。不論是否 存在由硅氧化物膜形成的絕緣膜，均可以對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行加氫。 順便提及，在該實(shí)施例中，將其中鋁作為主要成分的材料用作第 二導(dǎo)電層，因而，在第二導(dǎo)電層能夠承受的加熱處理?xiàng)l件下進(jìn)行 加氫非常重要。另外，可以進(jìn)行等離子體加氫(采用由等離子體 激發(fā)的氫)。
接下來，采用有機(jī)絕緣材料在第 一層間絕緣膜上形成第二層間絕緣膜。在該實(shí)施例中，形成厚度為1.6pm的丙烯酸樹脂膜。采 用硅氮化物膜形成第三層間絕緣膜。然后，形成直達(dá)源線路的接 觸孔以及直達(dá)各個(gè)雜質(zhì)區(qū)域的接觸孔。
之后，采用A1、 Ti、 Mo、 W等形成源電極或漏電極。 如上所述，可以形成n溝道型TFT和p溝道型TFT。 最后，粘貼塑料基片，并將含有TFT的層與所述基片分離開 來。當(dāng)采用具有高熱導(dǎo)率的材料作為塑料基片時(shí)，可以制作出具 有高的熱輻射性能的高度可靠的半導(dǎo)體設(shè)備。
形成具有2至30W/mK的高熱導(dǎo)率的塑料基片，其采用由下 述形成的樹脂，將陶瓷和低熔點(diǎn)金屬(不含鉛的焊料，例如錫、 鉍以及鋅)混合入合成樹脂中，所述合成樹脂由聚丙烯、聚丙烯 疏、聚》炭酸酯、聚醚酰亞胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚砜、或聚鄰 苯二甲酰胺構(gòu)成。
如果包含TFT的層(釋放層)的機(jī)械強(qiáng)度足夠大以形成于氧 化物層上，則將基片剝離。
剝離不改變TFT特性。附圖6顯示了 p溝道型TFT的電特性。
在該實(shí)施例中，顯示了在形成TFT的時(shí)候剝離基片并轉(zhuǎn)移至 塑料基片上的例子，但是，所述基片可以在形成發(fā)光裝置之后剝 離并轉(zhuǎn)移至塑料基片，所述發(fā)光裝置采用包括隔段的層、含有有 機(jī)化合物的層等。進(jìn)一步地，將TFT電極作為反射電極粘結(jié)相對(duì) 基片，在之間充填液晶，然后可以剝離基片，將釋放層粘結(jié)至塑 料基片上，以生產(chǎn)反射型液晶顯示設(shè)備。
該實(shí)施例可以與實(shí)施方式1至實(shí)施方式3的任意一個(gè)自由組合。實(shí)施例2
在該實(shí)施例中，參照附圖2描述生產(chǎn)發(fā)光設(shè)備(頂部發(fā)射型) 的例子，所述設(shè)備具有發(fā)光裝置，其中在具有絕緣表面的基片上 的有機(jī)化合物作為發(fā)光層。
附圖2A為發(fā)光設(shè)備的頂部表面視圖。附圖2B為沿著附圖2A 的A-A'線的橫截面圖。用點(diǎn)線表示的附圖標(biāo)記1101是指源信號(hào)線 驅(qū)動(dòng)電路；1102表示像素部分；1103為柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路；1104 為透明密封基片；U05為第一密封劑。被第一密封劑U05環(huán)繞的 空間充滿了透明第二密封劑1107。另外，第一密封劑1105含有用
于保持基片之間間隔的間隔劑。
進(jìn)一步地，附圖標(biāo)記1108為將信號(hào)傳導(dǎo)并輸入源信號(hào)線驅(qū)動(dòng) 電路IIOI和柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1103的線路。線路1108接收來自 FPC (軟性印刷電路)1109的視頻信號(hào)或時(shí)鐘信號(hào)，F(xiàn)PC作為外 部輸入終端。盡管只描述了FPC, 但是可以將印刷線路板 (PWB)連接至FPC。
參照附圖2B描述發(fā)光設(shè)備的橫截面結(jié)構(gòu)。驅(qū)動(dòng)電路和像素部 分通過粘結(jié)劑1140形成于具有高熱導(dǎo)率的基片1110上。在附圖 2B中，源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1101作為驅(qū)動(dòng)電路，并描述了像素部分 1102。驅(qū)動(dòng)電路和像素部分產(chǎn)生的熱可以通過具有高熱導(dǎo)率的基 片1110發(fā)散。采用通過以下方式形成的樹脂形成塑料基片，即將 陶瓷和不含鉛的焊料混合入合成樹脂中得到具有高熱導(dǎo)率為2至 30W/mK的樹脂，所述陶瓷例如氮化硼、氮化鋁、氧化鎂、氧化 鈹?shù)?；所述合成樹脂由聚丙烯、聚丙烯疏、聚碳酸酯、聚醚酰?胺、聚苯疏醚、聚苯醚、聚砜、或聚鄰苯二甲酰胺構(gòu)成。該實(shí)施 例對(duì)應(yīng)亍實(shí)施方式l中描述的附圖1C的結(jié)構(gòu)。
形成包括n溝道型TFT 1123和p溝道型TFT 1124的CMOS電路作為源信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路1101。這些TFT還可以按照實(shí)施例1獲 得。可以通過公知的CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成 作為驅(qū)動(dòng)電路的TFT。在該實(shí)施例中，顯示了其中驅(qū)動(dòng)電鴻"立于 基片上的驅(qū)動(dòng)集成電路，但是不局限于此，所述驅(qū)動(dòng)線路可以形 成于基片以外而不位于基片上。所述TFT的結(jié)構(gòu)并不是唯一的， 可以采用頂柵型TFT或底柵型TFT。
由多個(gè)像素形成像素部分1102，其中每個(gè)像素包括開關(guān)TFT 1111、電流控制TFT1112，以及與電流控制TFT 1112的漏區(qū)電連 接的第一電極(陽極)1113。電流控制TFT1112可以是n溝道型 TFT或p溝道型TFT，但是當(dāng)其與陽極相連時(shí)，其優(yōu)選為p溝道 型TFT。還優(yōu)選適當(dāng)提供存儲(chǔ)電容器(未示出)。此處，盡管僅 僅對(duì)上千個(gè)像素中的具有兩個(gè)TFT的一個(gè)像素的橫截面圖進(jìn)行舉 例描述，但是一個(gè)像素可以適當(dāng)提供三個(gè)或更多TFT。
由于第一電極1113與TFT的漏區(qū)直接連接，優(yōu)選由含有硅 的材料形成可以與漏區(qū)電阻接觸的第一電極1113的下層，由具有 高功函的材料形成與有機(jī)化合物層接觸的第一電極1113的上層。 例如，包括氮化鈦膜、鋁作為其主要組分的膜以及氮化鈦膜的三 層結(jié)構(gòu)可以具有與線路一樣低的電阻，較好的與漏區(qū)電阻接觸， 并作為陽極。進(jìn)一步地，第一電極1113可以為單層，例如氮化鈦 膜、鉻膜、鵠膜、鋅膜、鉑膜等，或者三層或多層的疊層。
形成絕緣體1114 (稱為隔段等)以覆蓋第一電極(陽極) 1113的邊緣。絕緣體1114可以由有機(jī)樹脂膜或含有硅的絕緣膜構(gòu) 成。此處，采用正性光敏丙烯酸樹脂膜形成如附圖2所示形狀的 絕緣體1114。
為了提高覆蓋程度，絕緣體U14的上部邊緣部分或底部邊緣 部分為具有曲率的彎曲表面。例如，當(dāng)采用正性光敏丙烯酸樹脂膜作為絕緣體1114的材料時(shí)，優(yōu)選僅形成絕緣體的上部邊緣部分 1114b，其為具有曲率半徑(0.2至3jam)的彎曲表面。絕緣體 1114可以采用根據(jù)光敏材料的光而成為不溶于蝕刻劑的負(fù)性材料 或根據(jù)光敏材料的光而溶于蝕刻劑的正性材料。
另外，可以由保護(hù)膜覆蓋絕緣體1114，所述保護(hù)膜由鋁氮化
物膜、鋁氮化物氧化物膜、碳作為其主要成分的薄膜或者硅氮化 物膜形成。
通過氣相沉積采用蒸發(fā)掩膜或噴墨在第一電極(陽極)1113 上選擇性形成有機(jī)化合物層1115。進(jìn)一步地，在有機(jī)化合物層 1115上形成第二電極(陰極)1116。作為陰極，可以采用具有小 功函的材料(例如，Al、 Ag、 Li、 Ca，或它們的合金，例如 MgAg、 Mgln、 A1LI、 CaF2或CaN)。在該實(shí)施例中，第二電極 (陰極)1116由具有較薄厚度的金屬薄膜和透明導(dǎo)電膜(例如， 銦氧化物—錫氧化物合金(ITO)、氧化銦—氧化鋅合金(ln203-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)的疊層構(gòu)成，從而第二電極可以透過 光。由此制作包括第一電極(陽極)1113、有機(jī)化合物層1115和 第二電極(陰極)1116的發(fā)光裝置1118。在該實(shí)施例中，由于對(duì) 發(fā)出白光的發(fā)光裝置1U8進(jìn)行了舉例描述，則提供了包括有色層 1131和遮光層(黑色基質(zhì)BM) 1132的濾色器(為了便于解 釋，此處未示出外涂層)。
進(jìn)一步地，如果選擇性地形成可以實(shí)現(xiàn)R、 G和B發(fā)光的有 機(jī)化合物層，則不采用濾色器就可以得到彩色顯示器。
形成透明保護(hù)層1117以密封發(fā)光裝置1118。所述透明保護(hù)層 1117優(yōu)選由通過噴濺(RF型的DC型)或PCVD形成的、含有硅 氮化物或硅氮化物氧化物作為其主要成分的絕緣膜、含有碳作為 其主要成分的薄膜(例如DLC膜或CN膜)、或者兩者的疊層構(gòu)成。具有高的阻斷雜質(zhì)元素效應(yīng)的硅氮化物膜可以通過采用硅靶 在包括氮?dú)夂蜌鍤獾沫h(huán)境下形成，所述雜質(zhì)元素例如水份、石成金 屬等。另外，可以由采用遠(yuǎn)等離子體的膜形成系統(tǒng)形成透明保護(hù) 膜。優(yōu)選透明保護(hù)層的總厚度盡可能地薄，其目的是使光能夠透 過所述透明保護(hù)層。
進(jìn)一步地，為了密封發(fā)光裝置1118，通過第一密封劑1105和 第二密封劑1107在惰性氣體環(huán)境下將密封基片1104粘結(jié)于基片 上。優(yōu)選采用例如環(huán)氧樹脂作為第一密封劑1105和第二密封劑 1107的材料。還優(yōu)選地是，第一密封劑1105和第二密封劑1107 盡可能地抑制水份或氧氣的傳遞。
進(jìn)一步地，在該實(shí)施例中，除了玻璃基片或石英基片之外，還 可以采用由纖維玻璃強(qiáng)化塑料(FRP)、聚氟乙蹄(PVF)、 Mylar聚酯、聚酯、丙蟑酸樹脂等構(gòu)成的塑料基片作為構(gòu)成密封基 片1104的材料。可以在采用第一密封劑1105和第二密封劑1107 粘結(jié)密封基片1104之后，將第三密封基片施加于密封基片和基片 的側(cè)面(暴露面)。
通過如上所述密封發(fā)光裝置，能夠完全封閉發(fā)光裝置，并可以 防止外界的水份或氧氣進(jìn)入從而導(dǎo)致發(fā)光裝置的損壞。因此，可 以得到具有高度可靠性的發(fā)光裝置。
進(jìn)一步地，采用透明導(dǎo)電膜作為第一電極1113，可以形成頂 部和底部發(fā)射型發(fā)光設(shè)備。
進(jìn)一步地，該實(shí)施例可以與實(shí)施方式1至實(shí)施方式3中任一個(gè) 或者實(shí)施例1自由組合。
實(shí)施例3
在實(shí)施例2中，描述了具有發(fā)光裝置的發(fā)光設(shè)備結(jié)構(gòu)，在所述裝置中，在陽極上形成有機(jī)化合物層，而在所述有機(jī)化合物層上 形成了作為透明電極的陰極(下文，頂部發(fā)射結(jié)構(gòu))。另一方 面，發(fā)光設(shè)備的結(jié)構(gòu)中可以具有發(fā)光裝置，其中在陽極上形成有 機(jī)化合物層，而在有機(jī)化合物層上形成陰極(下文稱為底部發(fā)射
結(jié)構(gòu))，有機(jī)化合物層產(chǎn)生的光沿著TFT的方向經(jīng)過作為透明電 極的陽極。
附圖5A和5B顯示了具有底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光設(shè)備的例子。
附圖5A為發(fā)光設(shè)備的頂視圖，附圖5B為沿著附圖5A的A-A，線的橫截面圖。用點(diǎn)線表示的附圖標(biāo)記1201是指源信號(hào)線驅(qū)動(dòng) 電路；1202為像素部分；1203為柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。進(jìn)一步地， 附圖標(biāo)記1204為密封基片；1205a為含有間隔材料的密封劑，以 隔開封閉的空間；被密封劑1205a環(huán)繞的內(nèi)部區(qū)域充滿密封劑 1205b。在密封劑1205b中可以具有干燥劑。
附圖標(biāo)記1208是指將信號(hào)傳導(dǎo)并輸入至源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路 1201和柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1203的連接線路。所述連接線路1208 接收來自軟性印刷電路(FPC) 1209的視頻信號(hào)或時(shí)鐘信號(hào)，F(xiàn)PC 作為外部輸入終端。
接下來，參照附圖5B描述橫截面結(jié)構(gòu)。在基片1210上形成 驅(qū)動(dòng)電路和像素部分，但是附圖5B顯示了作為驅(qū)動(dòng)成電路的源信 號(hào)驅(qū)動(dòng)電路1201和像素部分1202。源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1201由 CMOS電路構(gòu)成，其為n溝道型TFT 1223和p溝道型TFT 1224 的組合。這些TFT可以通過實(shí)施例1獲得。
像素部分1201由多個(gè)像素構(gòu)成，每個(gè)像素包括開關(guān) TFT1211、電流控制TFT1212、以及由透明導(dǎo)電膜形成的第一電 極(陽極)1213,第一電極與電流控制TFTI212的漏區(qū)電連接。
在該實(shí)施例中，形成第一電極1213，從而其一部分與連接電
35極相重疊，這樣經(jīng)過連接電極與TFT 1212的漏區(qū)電連接。優(yōu)選第 一電極1213由具有透光性和大功函的導(dǎo)電膜構(gòu)成(例如銦錫氧化 物合金(ITO)、氧化銦—氧化鋅合金(In203-ZnO)、氧化鋅 (ZnO)等)。
形成絕緣體1214 (稱為隔段等)以覆蓋第一電極(陽極) 1213的邊緣部分。為了提高覆蓋程度，絕緣體1214b的上部邊緣 部分或底部邊緣部分為具有曲率的彎曲表面。另外，可以由保護(hù) 膜覆蓋絕緣體1214，所述保護(hù)膜由鋁氮化物膜、鋁氮化物氧化物 膜、碳作為其主要成分的薄膜或者硅氮化物膜。
通過氣相沉積采用蒸發(fā)掩膜或噴墨在第一電極(陽極)1213 上選擇性形成有機(jī)化合物層1215。進(jìn)一步地，在有機(jī)化合物層 1215上形成第二電極(陰極)1216。作為陰極，可以采用具有小 功函的材料(例如，Al、 Ag、 Li、 Ca，或它們的合金，例如 MgAg、 Mgln、 AlLi、 CaF2或CaN)。從而制作包括第一電極 (陽極)1213、有機(jī)化合物層1215和第二電極(陰極)1216的發(fā) 光裝置1218。所述發(fā)光裝置1218發(fā)出光的方向如附圖9B所示的 箭頭。在該實(shí)施例中，發(fā)光裝置1218為能夠進(jìn)行單色發(fā)光R、 G 或B的類型。通過選擇性地形成可以實(shí)現(xiàn)R、 G和B發(fā)光的有機(jī) 化合物層，則該發(fā)光裝置可以進(jìn)行彩色發(fā)光。
進(jìn)一步地，形成透明保護(hù)層1217以密封發(fā)光裝置1218。所述 透明保護(hù)層1217優(yōu)選由通過噴濺(RF型的DC型)或PCVD形 成的、含有硅氮化物或硅氮化物氧化物作為其主要成分的絕緣 膜、含有碳作為其主要成分的薄膜(例如DLC膜或CN膜)、或 者兩者的疊層構(gòu)成。具有高的阻斷雜質(zhì)元素效應(yīng)的硅氮化物膜可 以通過采用硅耙在包括氮?dú)夂蜌鍤獾沫h(huán)境下形成，所述雜質(zhì)元素 例如水份、堿金屬等。另外，可以由采用遠(yuǎn)等離子體的膜形成系統(tǒng)形成透明保護(hù)膜。
進(jìn)一步地，為了密封發(fā)光裝置1218，通過密封劑1205a和 1205b在惰性氣體環(huán)境下將密封基片1204粘結(jié)于基片上。通過事 先進(jìn)行噴砂在密封基片1204的表面上形成凹陷部分。然后，將干 燥劑1207放置于密封基片1204的凹陷部分內(nèi)。優(yōu)選采用環(huán)氧樹 脂作為密封劑1205a和1205b的材料。還優(yōu)選地是，密封劑1205a 和1205b盡可能地抑制水份或氧氣的傳遞。
在該實(shí)施例中，除了塑料基片、玻璃基片或石英基片之外，還 可以采用由聚酯、丙蟑酸等構(gòu)成的塑料基片作為基片1210。
進(jìn)一步地，該實(shí)施例可以與實(shí)施方式1至實(shí)施方式3中任一個(gè) 或者實(shí)施例1或?qū)嵤├?自由組合。
實(shí)施例4
在該實(shí)施例中描述一像素的橫截面結(jié)構(gòu)，尤其是發(fā)光裝置和 TFT之間的連接，以及像素之間的隔段的艱狀。
在附圖7A中，附圖標(biāo)記40為基片；41為隔段；42為絕緣 膜；43為第一電極(陽極)；44為有機(jī)化合物層；45為第二電極 (陰極)；46為TFT。
在TFT46的結(jié)構(gòu)中，附圖標(biāo)記46a是指溝道形成區(qū)域；46b、 46c為源區(qū)或漏區(qū)；46d為柵電極；46e、 46f為源電極或漏電極。 此處描述了頂柵型TFT，但是不局限于此，可以采用相反交錯(cuò)的 TFT或前交錯(cuò)TFT。另外，附圖標(biāo)記46f是指通過部分地與第一電 極43重疊而與TFT46連接的電極。
附圖7B為部分不同于附圖7A的橫截面圖。
在附圖7B中，以不同于附圖7A的方式形成第一電極和源電 極或漏極，它們相互重疊。在形成圖案的過程之后，第一電極與源電極或漏電極重疊，從而第一電極與源電極或漏電極4妾觸。
附圖7C為部分不同于附圖7A的橫截面圖。
在附圖7C中，在絕緣膜42上形成層間絕緣膜。第 一 電極42 通過接觸孔與TFT電極連接。
隔段41在其橫截面上可以呈錐形。通過光蝕刻暴露抗蝕劑、 并蝕刻非光敏有機(jī)樹脂和無機(jī)絕緣膜，從而將隔段41制成錐形。
可以采用正性光敏樹脂用作隔段41 ，從而將隔段制成具有彎 曲的上部邊緣部分的形狀，如附圖7E所示。
可以采用負(fù)性光敏樹脂用作隔段41，從而將隔段制成具有彎 曲的上部邊緣部分以及彎曲的下部邊緣部分的形狀，如附圖7F所 示。
進(jìn)一步地，該實(shí)施例可以與實(shí)施方式1至實(shí)施方式3中任一個(gè) 或者實(shí)施例1至實(shí)施例3自由組合。
實(shí)施例5
通過實(shí)施本發(fā)明，可以得到不同的模塊(有源矩陣型液晶模 塊、有源矩陣型EL模塊，以及有源矩陣型EC模塊)。也就是 說，通過實(shí)施本發(fā)明，可以得到所有結(jié)合這些模塊的電器。
所述電器，例如攝影機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、頭戴式顯示器(目鏡型顯 示器)、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、投影儀、汽車音響、個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜 式信息終端(移動(dòng)式計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電子圖書等)。附圖8A至 9C顯示了這些例子。
附圖8A為個(gè)人計(jì)算機(jī)，其包括主體2001、圖象輸入部分 2002、顯示部分2003、鍵盤2004等。采用根據(jù)本發(fā)明的具有導(dǎo)熱 性的塑料基片用作模塊，所述個(gè)人計(jì)算機(jī)具有高度的可靠性并且
重量較輕o附圖8B為攝影機(jī)，其包括主體2101、顯示部分2102、聲音 輸入部分2103、操作開關(guān)2104、電池2105、圖像接受部分2106 等。采用根據(jù)本發(fā)明的具有導(dǎo)熱性的塑料基片用作模塊，所述攝 影機(jī)具有高度的可靠性并且重量較輕。
附圖8C為游戲機(jī)，其包括主體2201、操作開關(guān)2204、顯示 部分2205等。
附圖8D為采用記錄有程序的記錄介質(zhì)(下文稱為記錄介質(zhì)) 的唱機(jī)，其包括主體2401、顯示部分2402、揚(yáng)聲器部分2403、記 錄介質(zhì)2404、操作開關(guān)2405等。進(jìn)一步地，所述唱機(jī)采用DVD (數(shù)字化多功能光盤)或CD作為記錄基質(zhì)，并可以聽音樂、看電 影，以及玩游戲或上互聯(lián)網(wǎng)。
附圖8E為數(shù)碼相機(jī)，其包括主體2501、顯示部分2502、目 鏡部分2503、操作開關(guān)2504、圖像接受部分(未示出)等。采用 根據(jù)本發(fā)明的具有導(dǎo)熱性的塑料基片用作模塊，所述數(shù)碼相機(jī)具 有高度的可靠性并且重量較輕。
附圖9A為手機(jī)，其包括主體2901、聲音輸出部分2902、聲 音輸入部分2903、操作開關(guān)2905、天線2906、圖像輸入部分 (CCD、圖像傳感器)2907等。
附圖9B為便攜式圖書(電子圖書)，其包括主體3001、顯示 部分3002和3003、記錄介質(zhì)3004、操作開關(guān)3005、天線3006 等。采用根據(jù)本發(fā)明的具有導(dǎo)熱性的塑料基片用作模塊，所述便
攜式圖書具有高度的可靠性并且重量較輕。
附圖9C為顯示器，其包括主體3101、支撐基座3102、顯示 部分3103等。采用根據(jù)本發(fā)明的具有導(dǎo)熱性的塑料基片用作模 塊，所述顯示器具有高度的可靠性并且重量較輕。
順便提及，附圖9C所示的顯示器為中等或小型或大型的屏幕，例如5至20英寸的屏幕。進(jìn)一步地，為了形成所述尺寸的顯 示部分，優(yōu)選采用的顯示部分具有一邊為lm的基片，并通過組合 印刷進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍非常廣泛，適用于所有領(lǐng)域的電 器設(shè)備的制作方法。進(jìn)一步地，通過結(jié)合實(shí)施方式1至實(shí)施方式3 中以及實(shí)施例1至實(shí)施例4中的任意一個(gè)可以實(shí)現(xiàn)該實(shí)施例中的 電器設(shè)備。
實(shí)施例6
實(shí)施例5所示的電器設(shè)備安裝包括面板的模塊，所述面板包括 安裝有IC的密封發(fā)光裝置，所述IC包括控制器和電路。每個(gè)模 塊和面板均可以認(rèn)為是所述發(fā)光裝置的一個(gè)方式。在本發(fā)明中， 將描迷所述模塊的特定構(gòu)造。
附圖10A顯示了包括面板1800的模塊的外觀，所述面板包括 控制器1801和電源電路1802。面板1800具有像素部分1803、選 擇像素部分中的像素的柵線驅(qū)動(dòng)電路1804、以及向選定的像素提 供視頻信號(hào)的源線驅(qū)動(dòng)電路1805，每個(gè)像素中具有發(fā)光裝置。
將控制器1801和電源電路1802設(shè)置于印刷基片1806上，來 自控制器1801或電源電路1802的各種信號(hào)和電源電壓輸出通過 FPC1807提供至面板1800中的像素部分1803、柵線驅(qū)動(dòng)電路 1804以及源線驅(qū)動(dòng)電路1805。
通過界面(I/F) 1808將電源電壓和各種信號(hào)提供至印刷電路 1806,所述界面中設(shè)置了多個(gè)輸入終端。
盡管在實(shí)施例中將印刷基片1806設(shè)置在具有FPC的面板 1800上，但是本發(fā)明不局限于此?？刂破?801和電源電路1802 可以通過COG (玻璃上的芯片)法直接設(shè)置在面板1800上。
40進(jìn)一步地，在印刷電路1806中，存在以下情況，導(dǎo)線之間的 電容以及線路本身的電阻導(dǎo)致電源電壓或信號(hào)具有噪聲，或者出 現(xiàn)信號(hào)遲鈍。因此，可以提供各種裝置，例如電容器和緩沖器， 以防止印刷基片的電源電壓或信號(hào)具有噪聲以及發(fā)生信號(hào)遲鈍。
附圖IOB為顯示印刷基片1806的構(gòu)造的框圖。將提供至界面 1808的各種信號(hào)和電源電壓提供至控制器1801和電源電路 1802。
控制器1801具有A/D轉(zhuǎn)換器1809、鎖相環(huán)路(PLL) 1810、 控制信號(hào)產(chǎn)生部分1811、以及SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)1812和 1813。盡管在本實(shí)施例中使用了 SRAM，但是除了SRAM，如果 可以高速寫入和讀出數(shù)據(jù)，則還可以4吏用SDRAM和DRAM (動(dòng) 態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。
通過界面1808提供的視頻信號(hào)在A/D轉(zhuǎn)換器1809中進(jìn)行并 串聯(lián)轉(zhuǎn)換從而作為對(duì)應(yīng)于R、 G和B的各自顏色的視頻信號(hào)，輸 入控制信號(hào)生成部分1811。進(jìn)一步地，基于經(jīng)界面1808提供的各 種信號(hào)，在A/D轉(zhuǎn)換器1809中生成Hsync信號(hào)、Vsync信號(hào)、時(shí) 鐘信號(hào)CLK以及電壓交流電(AC)，從而輸入控制信號(hào)產(chǎn)生部分 1811。
所述鎖相環(huán)路1810具有以下功能，即，使通過界面1808提供 的每個(gè)信號(hào)的頻率相位與控制信號(hào)產(chǎn)生部分1811的操作頻率相位 同步。所述控制信號(hào)產(chǎn)生部分1811的操作頻率不一定與通過界面 1808提供的每個(gè)信號(hào)的頻率相同，但是在鎖相環(huán)路1810中調(diào)整控 制信號(hào)產(chǎn)生部分1811的操作頻率，從而使它們同步化。
輸入控制信號(hào)產(chǎn)生部分1811的視頻信號(hào)寫入并存儲(chǔ)于 SRAM1812和1813中?？刂菩盘?hào)產(chǎn)生部分1811從存儲(chǔ)在 SRAM1812中的視頻信號(hào)的所有字節(jié)一個(gè)字節(jié)一個(gè)字節(jié)地讀出對(duì)應(yīng)于所有像素的視頻信號(hào)，并將它們提^^至面板1800的源線驅(qū)動(dòng) 電路1805。
控制信號(hào)產(chǎn)生部分1811將有關(guān)期間的信息提供至面板1800的 掃描線驅(qū)動(dòng)電路1804，在所述期間內(nèi)，每個(gè)字節(jié)的發(fā)光裝置發(fā)出 光。
電源電路1802將預(yù)定電源電壓提供至面板1800的源線驅(qū)動(dòng)電 路1805、掃描線驅(qū)動(dòng)電路1804以及像素部分1803。
現(xiàn)在參照附圖11對(duì)電源電路1802的結(jié)構(gòu)進(jìn)行解釋。該實(shí)施例 中的電源電路1802包括采用四個(gè)開關(guān)調(diào)節(jié)器控制1860的開關(guān)調(diào) 節(jié)器1854和串聯(lián)調(diào)節(jié)器1855。
通常，所述開關(guān)調(diào)節(jié)器與串聯(lián)調(diào)節(jié)器相比，其尺寸較小而且重 量較輕，除了減少電壓之外，還可以增加電壓并轉(zhuǎn)換極性。另一 方面，通常只用于減少電壓的串聯(lián)調(diào)節(jié)器與開關(guān)調(diào)節(jié)器相比，其 具有較好的輸出電壓準(zhǔn)確性，幾乎不產(chǎn)生波動(dòng)或噪聲。該實(shí)施例 的電源電路1802采用了兩者的組合。
附圖11所示的開關(guān)調(diào)節(jié)器1854具有開關(guān)調(diào)節(jié)器控制器 (SWR) 1860、衰減器(ATT) 1861、變壓器(T) 1862、感應(yīng)器 (L) 1863、參照電源(Vref) 1864、振蕩電路(OSC) 1865、 二 極管1866、雙極晶體管1867、變阻器1868和電容1869。
當(dāng)外部Li離子電池(3.6V)等的電壓在開關(guān)調(diào)節(jié)器1854中進(jìn) 行轉(zhuǎn)換時(shí)，生成了提供至陰極的電源電壓和提供至開關(guān)調(diào)節(jié)器 1854的電源電壓。
所述串聯(lián)調(diào)節(jié)器1855具有帶間隔電路(BG) 1870、放大器 1871、運(yùn)算放大器1872、電流源1873、變阻器1874以及雙極晶 體管1875，并被提供開關(guān)調(diào)節(jié)器1854處生成的電源電壓。
在串聯(lián)調(diào)節(jié)器1855中，開關(guān)調(diào)節(jié)器1854處生成的電源電壓用于產(chǎn)生提供至線路(電流供應(yīng)線)的直流電源電壓，從而根據(jù)帶
間隔電路1870生成的恒定電壓，將電流提供至不同顏色發(fā)光裝置 的陽極。
順便提及，電流源1873用于將視頻信號(hào)電流寫入像素的驅(qū)動(dòng) 方法。在此情況下，電流源1873產(chǎn)生的電流提供至面板1800的 源線驅(qū)動(dòng)電路1805。在將視頻信號(hào)電壓寫入像素的驅(qū)動(dòng)方法中， 不一定需要提供電流源1873。
可以采用TFT形成開關(guān)調(diào)節(jié)器、OSC、放大器以及運(yùn)算放大器。
該實(shí)施例的結(jié)構(gòu)可以與實(shí)施方式1至實(shí)施方式3以及實(shí)施例1 至實(shí)施例5中的任意一個(gè)自由組合。
實(shí)施例7
在該實(shí)施例中描述無源矩陣發(fā)光設(shè)備的制作方法(也稱為簡(jiǎn)單 矩陣發(fā)光設(shè)備)。
在玻璃基片上形成金屬膜(通常為鎢膜)，在金屬膜上形成氧 化物層(典型地，硅氧化物層)，然后采用例如ITO材料(陽極 的材料)在所述氧化物膜上形成多個(gè)條狀的第一線路。接下來， 形成由抗蝕劑或光敏樹脂構(gòu)成的隔段，從而環(huán)繞作為發(fā)光區(qū)域的 區(qū)域。然后，在被隔段環(huán)繞的區(qū)域中通過氣相沉積或噴墨形成含 有有機(jī)化合物的層。在實(shí)現(xiàn)彩色顯示的情況下，通過適當(dāng)?shù)剡x擇 材料形成含有有機(jī)化合物的層。在隔段和含有有機(jī)化合物的層上 形成由金屬材料(陰極材料)例如A1或A1合金構(gòu)成的條狀多個(gè) 第二線路，從而與由ITO構(gòu)成的多個(gè)第一線路相交。根據(jù)上述過 程，可以制成發(fā)光裝置，其中含有有機(jī)化合物的層作為發(fā)光層。
然后，將密封基片粘結(jié)于玻璃基片，或者在第二線路上形成保
43護(hù)膜以密封發(fā)光裝置。作為適合于密封基片的材料，可以采用低 熔點(diǎn)金屬(不含鉛的焊料，例如錫、鉍和鋅)、陶瓷和合成樹脂
的混合物，所述陶瓷例如氮化硼、氮化鋁、氧化鎂、氧化鈹?shù)龋?所述合成樹脂由聚丙烯、聚丙烯疏、聚-友酸酯、聚醚酰亞胺、聚 苯^e危醚、聚苯醚、聚砜、或聚鄰苯二甲酰胺構(gòu)成，所述合成樹脂 具有2至30W/mK的高熱導(dǎo)率。
然后，剝離玻璃基片?？梢酝ㄟ^物理手段剝離氧化物層的內(nèi)部 或界面。之后，用粘結(jié)劑在其上粘結(jié)透光的塑料基片。
附圖12A的圖形顯示了根據(jù)本發(fā)明的現(xiàn)時(shí)裝置的橫截面圖的 例子。
在具有高熱導(dǎo)率的塑料基片100的主表面上通過粘結(jié)劑152提 供像素部分201，其中形成相互交叉的第一電極和第二電極，在第 一和第二電極的交叉處形成發(fā)光裝置。也就是說，形成位于矩陣 結(jié)構(gòu)內(nèi)的包括發(fā)光像素的像素部分201。在VGA中，像素的數(shù)量 為640x480個(gè)點(diǎn)，在XGA中像素為1024x768個(gè)點(diǎn)，在SXGA中 為1365x1024個(gè)點(diǎn)，在UXGA中為1600x1200個(gè)點(diǎn)。第一電極和 第二電極的數(shù)量由像素的數(shù)量決定。而且，在基片IOI的邊緣部 分以及像素部分201的外周部分形成輸入終端部分，所述輸入終
端部分具有與外電路連接的接點(diǎn)。
在附圖12A所示的顯示裝置中，在基片IOO的主要表面上通 過粘結(jié)劑152形成像素部分，其中形成有向左側(cè)和右側(cè)延伸的第 一電極102，在所述像素部分上形成包括發(fā)光體的薄膜105 (下文 為了方便起見稱為EL層，這是因?yàn)樗霰∧ぐ@示電發(fā)光的介 質(zhì))，然后在其上形成向頂部和底部延伸的第二電極106，然后， 在第一和第二電極的交叉處形成像素。也就是說，通過在長(zhǎng)度方 向和寬度方向上形成第一電極102和第二電極106,從而得到矩陣
44形式的像素。輸入終端的構(gòu)成材料與第一電極和第二電極的材料 相同。輸入終端的數(shù)量與在長(zhǎng)度方向和寬度方向上設(shè)置的第一電 極和第二電極數(shù)量相同。
從隔段104的橫截面形式可以看出，從與第一電極接觸的底部 端部至頂部端部的區(qū)域具有一彎曲表面。隔段104的彎曲表面具 有至少一個(gè)曲率半徑，所述曲率半徑的曲率中心位于隔段上或隔 段的底部端部?；蛘吲c第一電極102接觸的隔段104的彎曲底部 端部具有至少一個(gè)第一曲率半徑，其曲率中心位于隔段104的外 側(cè)，隔段104的彎曲上端部具有至少一個(gè)第二曲率半徑，其曲率 中心位于隔段或隔段的底部端部側(cè)。隔段104的橫截面在從底部 端部至上端部之間的區(qū)域具有連續(xù)的可變曲率半徑。沿著所述彎 曲表面形成EL層。所述彎曲表面使EL層的應(yīng)力松弛。也就是 說，所述彎曲表面能夠減少由于發(fā)光裝置的熱應(yīng)力而導(dǎo)致的變 形，所述發(fā)光裝置由不同材料的疊加層構(gòu)成。
用密封劑141將密封像素部分301的相對(duì)基片150牢固地固 定?；?01和相對(duì)基片150之間的空間可以充滿惰性氣體或其 中密封有有機(jī)樹脂材料140。不論何種情況，像素部分201中的發(fā) 光裝置可以在沒有干燥劑的情況下防止由于外部雜質(zhì)造成的損 壞，這是因?yàn)樗霭l(fā)光裝置涂覆有阻隔絕緣膜107。
如附圖12A所示，在相對(duì)基片150側(cè)對(duì)應(yīng)于像素部分201的 每個(gè)像素的地方形成有色層142至144。平坦層145可以防止由于 有色層造成的不平坦。在附圖12B所顯示的結(jié)構(gòu)中，有色層位于 基片101側(cè)、第一電極102位于所述平坦層145上。所述基片101 通過粘結(jié)劑153粘結(jié)于平坦層145。相對(duì)基片151具有高的熱導(dǎo) 率。附圖12B所示結(jié)構(gòu)的發(fā)光方向不同于附圖12B所示。在附圖 12A中，采用附圖12B的類似附圖標(biāo)記表示類似組件。本發(fā)明不僅可以應(yīng)用于彩色顯示裝置，還可以用于表面發(fā)光的 電展示裝置等。
該實(shí)施例可以應(yīng)用于實(shí)施方式1至3或?qū)嵤├?的任意一個(gè)。 根據(jù)本發(fā)明，裝置產(chǎn)生的熱通過具有高熱導(dǎo)率的塑料基片發(fā)散
出去，從而延長(zhǎng)了裝置的壽命，并提高了半導(dǎo)體裝置的可靠性。 進(jìn)一步地，與金屬基片相比，具有高熱導(dǎo)率的塑料基片較為便
宜、可以彎曲，而且重量較輕。
權(quán)利要求
1.一種制作顯示設(shè)備的方法，其包括在第一基片上形成包括薄膜晶體管的釋放層；在所述釋放層上涂覆有機(jī)樹脂膜；用第一雙面膠帶將第二基片粘結(jié)至所述有機(jī)樹脂膜上，從而將釋放層和有機(jī)樹脂膜夾在第一基片和第二基片之間；通過第二雙面膠帶將第三基片粘結(jié)至第一基片；通過物理手段將粘結(jié)第三基片的第一基片與釋放層分離開來；將第四基片粘結(jié)至所述釋放層，從而將釋放層夾在第二基片和第四基片之間；將釋放層和第一雙面膠帶從第二基片上分離下來；將釋放層與第一雙面膠帶分離開來；以及用溶劑除去有機(jī)樹脂膜。
2. —種生產(chǎn)顯示設(shè)備的方法，包括 在第一基片上形成包括薄膜晶體管的釋放層； 在所述釋放層上涂覆有機(jī)樹脂膜；用第一雙面膠帶將第二基片粘結(jié)至所述有機(jī)樹脂膜上，從而將釋放層和有機(jī)樹脂膜夾在第 一基片和第二基片之間； 通過第二雙面膠帶將第三基片粘結(jié)至第一基片； 通過物理手段將粘結(jié)第三基片的第一基片與釋^t層分離開來； 將第四基片粘結(jié)至所述釋放層，從而將釋放層夾在第二基片和第四基片之間；將釋放層和第一雙面膠帶從第二基片上分離下來； 將釋放層與第 一雙面膠帶分離開來； 用溶劑除去有機(jī)樹脂膜；以及通過第二粘結(jié)劑將第五基片粘結(jié)于釋放層，從而將釋放層夾在第 四基片和第五基片之間。
3. —種生產(chǎn)顯示設(shè)備的方法，包括在第 一基片上形成包括薄膜晶體管的釋放層； 在所述釋放層上涂覆有機(jī)樹脂膜；用第一雙面膠帶將第二基片粘結(jié)至所述有機(jī)樹脂膜上，從而將釋 放層和有機(jī)樹脂膜夾在第 一基片和第二基片之間；通過第二雙面膠帶將第三基片粘結(jié)至第一基片；通過物理手段將粘結(jié)第三基片的第一基片與釋放層分離開來；通過第一粘結(jié)劑將第四基片粘結(jié)至所述釋放層，從而將釋放層夾 在第二基片和第四基片之間；將釋放層和第一雙面膠帶從第二基片上分離下來；將釋放層與第一雙面膠帶分離開來；用溶劑除去有機(jī)樹脂膜；在釋放層上制作包括有機(jī)化合物的發(fā)光裝置；以及 通過第二粘結(jié)劑將密封所述發(fā)光裝置的第五基片粘結(jié)于釋放層， 從而將釋放層夾在第四基片和第五基片之間。
4. 如權(quán)利要求l、 2或3所述的方法，其中所述溶劑為水或乙醇。
5. 如權(quán)利要求l、 2或3所述的方法，其中在將釋放層和第一雙 面膠帶從第二基片上分離下來的步驟中釋放層和第四基片的粘性大 于第一雙面膠帶和第二基片的粘性。
6. 如權(quán)利要求2或3所述的方法，其中第一基片為玻璃基片， 第二和第三基片為石英基片或金屬基片，第四基片和第五基片為塑料基片。
7. 如權(quán)利要求2或3所述的方法，其中第一基片為玻璃基片， 第二和第三基片為石英基片或金屬基片，在第四基片和第五基片 中，其中一個(gè)為透光的塑料基片，另一個(gè)是具有導(dǎo)熱性的塑料基 片。
8. 如權(quán)利要求2或3所述的方法，其中第四或第五基片為塑料基片，其表面上形成有SiNx膜、SiNxOy膜、AlNx膜或AlNxOy膜。
9.如權(quán)利要求l、 2或3所述的方法，其中所述顯示設(shè)備結(jié)合至 選自攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、目鏡型顯示器、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、個(gè)人計(jì)算 機(jī)、便攜式信息終端和電子書中的一個(gè)。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種能夠防止由于水份或氧氣進(jìn)入而導(dǎo)致?lián)p壞的半導(dǎo)體裝置，例如具有形成于塑料基片上的有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光設(shè)備、采用塑料基片的液晶顯示設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明，在玻璃基片或石英基片上形成的裝置(TFT、具有有機(jī)化合物的發(fā)光裝置、液晶裝置、存儲(chǔ)裝置、薄膜二極管、銷連接硅光電轉(zhuǎn)換器、硅電阻元件等)從基片上分離，并轉(zhuǎn)移至具有高熱導(dǎo)率的塑料基片上。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101562150SQ200910145440
公開日2009年10月21日 申請(qǐng)日期2003年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月18日
發(fā)明者丸山純矢, 山崎舜平, 福本由美子, 高山徹 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所