專利名稱：用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體涉及用于防止和減小短溝道效應(yīng)的晶體 管及其制造方法。
背景技術(shù)：
由于設(shè)計(jì)規(guī)則隨著半導(dǎo)體器件集成度的增加而快速減小，所以晶體管溝道長(zhǎng)度也 已經(jīng)縮短。由于晶體管溝道長(zhǎng)度縮短，所以由短溝道效應(yīng)所導(dǎo)致的問題使器件的運(yùn)行性能 劣化。當(dāng)在襯底上形成結(jié)時(shí)，隨著在襯底和源極之間或襯底和漏極之間產(chǎn)生的耗盡區(qū)的寬 度增加，產(chǎn)生短溝道效應(yīng)。當(dāng)溝道長(zhǎng)度縮短時(shí)，在漏極區(qū)附近電場(chǎng)強(qiáng)度增加。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度增 加時(shí)，在單元區(qū)內(nèi)的電容器單元中產(chǎn)生漏電流，該漏電流劣化器件的刷新性能。而且，當(dāng)電 場(chǎng)強(qiáng)度增加時(shí)，產(chǎn)生熱載流子和擊穿(punch-through)并因此降低器件的運(yùn)行性能和穩(wěn)定 性。 因此，為防止或減小短溝道效應(yīng)，需要能夠確保有效溝道長(zhǎng)度而不提高設(shè)計(jì)規(guī)則 的方法。在確保有效溝道長(zhǎng)度的方法中，通常采用在襯底內(nèi)形成凹陷溝槽的凹陷柵極或以 階梯狀形成柵電極的階梯柵極來加長(zhǎng)溝道。采用通過結(jié)構(gòu)改變而具有增加溝道長(zhǎng)度的柵 極，能夠增加防止熱載流子產(chǎn)生和擊穿的容限。 然而，由于漏極飽和電流(IDsat)隨溝道長(zhǎng)度增加而顯著減小，所以難以實(shí)現(xiàn)器件 高速運(yùn)行。例如，在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件的周邊區(qū)中，當(dāng)增大漏極-源極電壓 (Vds)以增加飽和電流時(shí)，由于漏極誘導(dǎo)勢(shì)壘降低(DIBL)現(xiàn)象導(dǎo)致漏電流增加。DIBL現(xiàn)象 是指隨著溝道長(zhǎng)度減小，源極和漏極的相互作用使得勢(shì)能壘降低。溝道中電子的勢(shì)能壘降 低。由短溝道效應(yīng)和DIBL現(xiàn)象所導(dǎo)致的上述問題取決于耗盡區(qū)的寬度和當(dāng)使用離子注入 工藝形成結(jié)區(qū)時(shí)產(chǎn)生的電場(chǎng)。因此，需要能夠控制耗盡區(qū)寬度和電場(chǎng)強(qiáng)度以及防止器件性 能劣化的方法。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施方案中，一種用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管包括襯底；設(shè)置 在所述襯底上的柵極堆疊體；設(shè)置在柵極堆疊體的第一側(cè)表面處的襯底上并由外延層形成 的第一結(jié)區(qū)；在柵極堆疊體的第二側(cè)表面處的襯底內(nèi)形成的溝槽；以及設(shè)置在溝槽下方的 低于第一結(jié)區(qū)的第二結(jié)區(qū)。 優(yōu)選地，晶體管還可包括與第一結(jié)區(qū)接觸的第一接觸塞；和填充所述溝槽并與第 二結(jié)區(qū)接觸的第二接觸塞。 優(yōu)選地，襯底包括在柵極堆疊體的第一側(cè)表面處的襯底內(nèi)形成的溝槽，并且第一
4結(jié)區(qū)通過用外延層填充所述溝槽形成。 優(yōu)選地，在單元區(qū)中，第一結(jié)區(qū)包括連接至電容器的漏極區(qū)。 優(yōu)選地，在周邊電路區(qū)域中，第一結(jié)區(qū)包括施加有漏極-源極電壓Vds的漏極區(qū)。 優(yōu)選地，外延層由摻雜的外延層形成。 優(yōu)選地，摻雜的外延層還可包括注入有N-型或P-型雜質(zhì)的雜質(zhì)區(qū)。 優(yōu)選地，柵極堆疊體通過填充凹陷溝槽形成，所述溝槽包括在半導(dǎo)體襯底內(nèi)沿垂
直方向形成的第一側(cè)壁和具有相對(duì)于半導(dǎo)體襯底表面的預(yù)定角度和垂直末端的第二側(cè)壁，
第二側(cè)壁的垂直末端與第一側(cè)壁的垂直末端接觸。 在另一個(gè)實(shí)施方案中，一種制造用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管的方法包 括在襯底上形成柵極堆疊體；暴露出柵極堆疊體的側(cè)表面和襯底的第一部分；通過蝕刻 暴露的襯底第一部分形成第一溝槽；通過用外延層填充第一溝槽形成第一結(jié)區(qū)；暴露出柵 極堆疊體的另一側(cè)表面和襯底的第二部分，同時(shí)遮蔽第一結(jié)區(qū)；通過蝕刻暴露的襯底第二 部分形成深于第一溝槽的第二溝槽；以及通過對(duì)暴露的第二溝槽實(shí)施離子注入工藝而在第 二溝槽下方的襯底內(nèi)形成第二結(jié)區(qū)。 優(yōu)選地，形成柵極堆疊體的步驟包括形成凹陷溝槽，所述凹陷溝槽包括在半導(dǎo)體 襯底內(nèi)沿垂直方向形成的第一側(cè)壁和具有相對(duì)于半導(dǎo)體襯底表面的預(yù)定角度和垂直末端 的第二側(cè)壁，第二側(cè)壁的垂直末端與第一側(cè)壁的垂直末端接觸；形成柵極堆疊體以與凹陷 溝槽對(duì)準(zhǔn)；和在柵極堆疊體的側(cè)壁上形成間隔物。 優(yōu)選地，形成第一結(jié)區(qū)包括通過未摻雜選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)形成外延層；注入 N-型導(dǎo)電雜質(zhì)到外延層上；和通過對(duì)外延層實(shí)施退火形成第一結(jié)區(qū)。
作為替代方案，形成第一結(jié)區(qū)包括通過未摻雜選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)形成外延 層；注入N-型或P-型導(dǎo)電雜質(zhì)到外延層上；和通過對(duì)外延層實(shí)施退火形成第一結(jié)區(qū)。
作為替代方案，形成第一結(jié)區(qū)包括通過摻雜選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)形成外延層； 和通過對(duì)外延層實(shí)施退火形成第一結(jié)區(qū)。


圖1說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管。
圖2 10說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案制造用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶 體管的方法。 圖11和12說明根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案的柵極堆疊結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
以下，將參考附圖描述優(yōu)選實(shí)施方案。然而，所述實(shí)施方案僅僅是用于說明性的目 的而并非意圖限制本發(fā)明的范圍。
圖1說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管。
參考圖l，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管中， 在半導(dǎo)體襯底100上設(shè)置柵極堆疊體110和柵極介電層105。柵極堆疊體110優(yōu)選但不限 于由依次堆疊的多晶硅層、鎢層和氮化物層形成。 間隔物120通常形成在柵極堆疊體110和柵極介電層105的兩側(cè)。在柵極堆疊體
5110的第一側(cè)表面處的半導(dǎo)體襯底100上設(shè)置由外延層制成的第一結(jié)區(qū)125。第一結(jié)區(qū)125 是在單元區(qū)中連接至電容器的漏極區(qū)和在周邊電路區(qū)域中施加有漏極-源極電壓Vds的漏 極區(qū)。所述外延層可由摻雜的外延層形成。所述摻雜的外延層可包括注入有N-型或P-型 雜質(zhì)的雜質(zhì)區(qū)。 溝槽127形成在柵極堆疊體110的第二側(cè)表面處的半導(dǎo)體襯底內(nèi)。形成設(shè)置在溝 槽127下方的低于第一結(jié)區(qū)125的第二結(jié)區(qū)130。形成與第一結(jié)區(qū)125接觸的第一接觸塞 140，和形成填充溝槽127并與第二結(jié)區(qū)130接觸的第二接觸塞145。 第一接觸塞140連接單元區(qū)中的第一結(jié)區(qū)125和以后將形成的電容器，并允許在 周邊電路區(qū)域中的施加有漏極-源極電壓Vds的第二結(jié)區(qū)中進(jìn)行電操作。由于第一結(jié)區(qū)125 由外延層形成，所以用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管可減少電場(chǎng)增加。隨著電場(chǎng)減小， 單元區(qū)中的刷新性能可得到增強(qiáng)，并且在周邊區(qū)中當(dāng)漏極-源極電壓增加時(shí)降低的DIBL性 能可得到改善。而且，通過采用外延層能夠減小接觸電阻。此外，由于由外延層形成的第一 結(jié)區(qū)125和第二結(jié)區(qū)130形成具有不對(duì)稱的位置，所以溝道長(zhǎng)度得到加長(zhǎng)。因此，能夠防止 由器件尺寸減小所導(dǎo)致的短溝道效應(yīng)。 將參考附圖描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的制造用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管 的方法。圖2 10說明根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案制造用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管的方 法。 參考圖2，在半導(dǎo)體襯底200上形成柵極堆疊體210和柵極介電層205。柵極堆疊 體210通常但不限于由包括多晶硅層、鎢層和氮化物層的順序堆疊結(jié)構(gòu)形成。間隔物215 形成在柵極堆疊體210的第一和第二側(cè)表面上。間隔物215優(yōu)選由氮化物層形成。
參考圖3，形成硬掩模層圖案220，其暴露出柵極堆疊體210的側(cè)表面和半導(dǎo)體襯 底200的第一部分。例如，在半導(dǎo)體襯底200的正面上沉積硬掩模層。所述硬掩模層通常 包括氮化物層。在硬掩模層上涂覆光刻膠，并且實(shí)施包括曝光和顯影的光刻工藝以形成暴 露出硬掩模層的一部分的光刻膠層圖案(未顯示)。利用光刻膠層圖案作為蝕刻掩模，蝕 刻硬掩模層的暴露部分以形成硬掩模層圖案220。硬掩模層圖案220暴露出在柵極堆疊體 210的側(cè)表面處的間隔物215和半導(dǎo)體襯底200的第一部分，但是覆蓋其它部分。
參考圖4，利用硬掩模層圖案220作為蝕刻掩模，蝕刻暴露的半導(dǎo)體襯底200的第 一部分以在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成第一溝槽225。第一溝槽225通過蝕刻半導(dǎo)體襯底200 至距離半導(dǎo)體襯底200表面的第一深度Dl而形成。 參考圖5，用外延層填充第一溝槽225以形成第一結(jié)區(qū)230。第一結(jié)區(qū)230是在單 元區(qū)中待插入電容器的漏極區(qū)和在周邊區(qū)中待施加漏極_源極電壓Vds的漏極區(qū)。外延層 可利用選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)形成。例如，將用于外延生長(zhǎng)的源氣體供給到形成有第一溝 槽225的半導(dǎo)體襯底200上。源氣體優(yōu)選包括硅烷(SiH4)氣或硅源。從第一溝槽225的底 部生長(zhǎng)硅層以形成填充第一溝槽225的外延層?？梢酝ㄟ^例如使外延層形成為摻雜的SEG 層并可隨后實(shí)施退火步驟的方式形成第一結(jié)區(qū)230。所述退火可通過快速熱退火(RTA)實(shí) 施。第一結(jié)區(qū)230可通過完全填充第一溝槽225或部分填充第一溝槽225來形成。第一結(jié) 區(qū)230也可以通過例如使外延層形成為未摻雜的SEG層，注入雜質(zhì)以及隨后實(shí)施退火來形 成。在圖10中將對(duì)此進(jìn)一步進(jìn)行描述。 被硬掩模層圖案220掩蔽的柵極堆疊體210的另一側(cè)表面不受SEG的影響。因此，能夠通過用外延層選擇性地單獨(dú)填充第一溝槽225形成第一結(jié)區(qū)230。結(jié)果，由于在柵 極堆疊體210的側(cè)表面處的半導(dǎo)體襯底上設(shè)置由外延層形成的第一結(jié)區(qū)230，所以能夠減 小在漏極區(qū)中產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度。而且，能夠在第一結(jié)區(qū)230中形成比在通過注入工藝形成 的結(jié)區(qū)中更均勻的電場(chǎng)強(qiáng)度。然后，通過剝離工藝移除硬掩模層圖案220。
參考圖6，形成覆蓋第一結(jié)區(qū)230但是暴露出半導(dǎo)體襯底200的第二部分的光刻膠 層圖案235。例如，在半導(dǎo)體襯底200表面上形成光刻膠層。對(duì)光刻膠層實(shí)施包括曝光和顯 影的光刻工藝以形成光刻膠層圖案235。光刻膠層圖案235暴露出在柵極堆疊體210的另 一側(cè)表面上的間隔物215和半導(dǎo)體襯底200的第二部分，但是覆蓋第一結(jié)區(qū)230。
參考圖7，利用光刻膠層圖案235作為蝕刻掩模，蝕刻暴露的半導(dǎo)體襯底200的第 二部分以形成第二溝槽240。第二溝槽240通過蝕刻半導(dǎo)體襯底200至距離半導(dǎo)體襯底200 表面的第二深度D2來形成。優(yōu)選地，第二溝槽240的第二深度D2大于第一溝槽225的第 一深度D1。 參考圖8，如箭頭所示，利用光刻膠層圖案235作為離子注入阻擋層，將雜質(zhì)注入 第二溝槽240。注入的雜質(zhì)擴(kuò)散并且在第二溝槽240下方的半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成第二結(jié) 區(qū)245。當(dāng)電場(chǎng)不大時(shí)，可將第二結(jié)區(qū)設(shè)置成高于第一結(jié)區(qū)230。 參考圖9，形成填充第二溝槽240的第一接觸塞250和與第一結(jié)區(qū)接觸的第二接觸 塞255。例如，在半導(dǎo)體襯底200上沉積導(dǎo)電層。導(dǎo)電層可由多晶硅層形成至能夠完全填充 第二溝槽240的厚度?？蓪?duì)半導(dǎo)體襯底200實(shí)施平坦化工藝以隔離導(dǎo)電層。所述平坦化可 通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)實(shí)施。然后，在半導(dǎo)體襯底200上形成填充第二溝槽240的第一 接觸塞250和與第一結(jié)區(qū)接觸的第二接觸塞255。第一接觸塞250和第二接觸塞255可形 成至等于柵極堆疊體210的上端的高度。 因此，形成包括第一結(jié)區(qū)230和第二結(jié)區(qū)245的晶體管，第一結(jié)區(qū)230由外延層形 成并設(shè)置在柵極堆疊體210的第一側(cè)表面處的半導(dǎo)體襯底200上，第二結(jié)區(qū)245形成在半 導(dǎo)體襯底200上的柵極堆疊體210的第二側(cè)表面處的半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成的溝槽下方。 在該晶體管中，在第一結(jié)區(qū)230和第二結(jié)區(qū)245之間形成溝道C1。因此，與溝道長(zhǎng)度等于 柵極堆疊體線寬的常規(guī)晶體管相比，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的晶體管的溝道長(zhǎng)度C1由于第一 結(jié)區(qū)230和第二結(jié)區(qū)245形成具有不對(duì)稱的位置而增加。因此，能夠防止由器件尺寸減小 所導(dǎo)致的短溝道效應(yīng)。而且，由于在第一結(jié)區(qū)230中通過SEG形成外延層，所以能夠減小電 場(chǎng)。隨著電場(chǎng)減小，單元區(qū)中的刷新性能可得到增強(qiáng)，并且在周邊電路區(qū)域中當(dāng)漏極-源極 電壓增加時(shí)減弱的DIBL性能可得到改善。而且，通過采用外延層能夠減小接觸電阻。
作為替代方案，第一結(jié)區(qū)230可以采取使外延層形成為未摻雜的SEG層、注入雜質(zhì) 并隨后實(shí)施退火的方式形成。參考圖10，形成覆蓋柵極堆疊體210的一部分的光刻膠層圖 案237。光刻膠層圖案237僅覆蓋柵極堆疊體210并暴露出第一結(jié)區(qū)230和第二溝槽240。 然后，利用光刻膠層圖案237作為離子注入阻擋層，將導(dǎo)電雜質(zhì)注入暴露的第一結(jié)區(qū)230和 對(duì)應(yīng)于第二溝槽240的半導(dǎo)體200中。在單元區(qū)中注入N-型導(dǎo)電雜質(zhì)，在周邊電路區(qū)域中 注入N-型或P-型導(dǎo)電雜質(zhì)。通過實(shí)施退火，注入的雜質(zhì)擴(kuò)散并且在第二溝槽240下方的 半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成第二結(jié)區(qū)245。而且，在第一結(jié)區(qū)230內(nèi)形成雜質(zhì)區(qū)265。在此情況 下，即使外延層形成為未摻雜的SEG層并且隨后對(duì)其實(shí)施離子注入工藝，但由于外延層的 獨(dú)特的遷移率，所以通過注入少量的雜質(zhì)可獲得與離子注入硅本體(bulk)相同的效果
此外，通過改變柵極堆疊體210的結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步增加溝道長(zhǎng)度。圖11和12說 明根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案的柵極堆疊結(jié)構(gòu)。 參考圖ll和12，可形成柵極堆疊體210以填充凹陷溝槽310，所述凹陷溝槽310 包括在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)沿垂直方向(相對(duì)于襯底表面為90° )形成的第一側(cè)壁300和 具有相對(duì)于半導(dǎo)體襯底200表面的預(yù)定角度和垂直末端的第二側(cè)壁305，第二側(cè)壁305的垂 直末端與第一側(cè)壁300的垂直末端接觸。而且，由外延層形成的第一結(jié)區(qū)315以及第二結(jié) 區(qū)320設(shè)置在柵極堆疊體210的兩個(gè)側(cè)表面處的半導(dǎo)體襯底200上。第一結(jié)區(qū)315和第二 結(jié)區(qū)320可在半導(dǎo)體襯底200上設(shè)置成相同高度(參見圖11)，或者第一結(jié)區(qū)315和第二結(jié) 區(qū)320可設(shè)置在不同的垂直位置處(參見圖12)。 因此，沿著第一側(cè)壁300和第二側(cè)壁305的下部形成溝道C2。具有該結(jié)構(gòu)的晶體 管由于其溝道長(zhǎng)度長(zhǎng)于常規(guī)的平面晶體管所以可防止或減少短溝道效應(yīng)。而且，即使柵極 長(zhǎng)度相同，也可以通過改變第一側(cè)壁300和第二側(cè)壁305的長(zhǎng)度來調(diào)節(jié)溝道長(zhǎng)度。而且，通 過調(diào)節(jié)第二側(cè)壁305的長(zhǎng)度，能夠控制閾值電壓而不改變柵極長(zhǎng)度。 雖然本發(fā)明已經(jīng)針對(duì)具體實(shí)施方案進(jìn)行了描述，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯 而易見的是，可在不脫離如以下權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下進(jìn)行各種 變化和改變。
權(quán)利要求
一種用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管，包括襯底；設(shè)置在所述襯底上的柵極堆疊體；設(shè)置在所述柵極堆疊體的第一側(cè)表面處的所述襯底上的第一結(jié)區(qū)，所述第一結(jié)區(qū)由外延層形成；形成在所述柵極堆疊體的第二側(cè)表面處的所述襯底內(nèi)的溝槽；和設(shè)置在所述溝槽下方的第二結(jié)區(qū)，所述第二結(jié)區(qū)低于所述第一結(jié)區(qū)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管，還包括 與所述第一結(jié)區(qū)接觸的第一接觸塞；禾口 填充所述溝槽并與所述第二結(jié)區(qū)接觸的第二接觸塞。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管，其中所述襯底包括在 所述柵極堆疊體的第一側(cè)表面處的所述襯底內(nèi)形成的溝槽，并且所述第一結(jié)區(qū)由填充所述 溝槽的外延層形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管，其中在單元區(qū)中，所 述第一結(jié)區(qū)包括待連接至電容器的漏極區(qū)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管，其中在周邊電路區(qū)域 中，所述第一結(jié)區(qū)包括待施加漏極_源極電壓Vds的漏極區(qū)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管，其中所述外延層由摻 雜的外延層形成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管，其中所述摻雜的外延 層包括注入有N-型或P-型雜質(zhì)的雜質(zhì)區(qū)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管，其中所述柵極堆疊體 填充凹陷溝槽，所述凹陷溝槽包括在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)沿垂直方向形成的第一側(cè)壁和具 有相對(duì)于所述半導(dǎo)體襯底表面的預(yù)定角度和垂直末端的第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁的垂直末 端與所述第一側(cè)壁的垂直末端接觸。
9. 一種制造用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管的方法，包括 在襯底上形成柵極堆疊體；暴露出所述柵極堆疊體的側(cè)表面和所述襯底的第一部分； 通過蝕刻所述暴露的所述襯底的第一部分形成第一溝槽； 通過用外延層填充所述第一溝槽形成第一結(jié)區(qū)；暴露出所述柵極堆疊體的另一側(cè)表面和所述襯底的第二部分，同時(shí)掩蔽所述第一結(jié)區(qū)；通過蝕刻所述暴露的所述襯底的第二部分，形成深于所述第一溝槽的第二溝槽；禾口 通過對(duì)暴露的所述第二溝槽實(shí)施離子注入工藝，在所述第二溝槽下方的所述襯底內(nèi)形 成第二結(jié)區(qū)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述柵極堆疊體包括形成凹陷溝槽，所述凹陷溝槽包括在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)沿垂直方向形成的第一側(cè)壁 和具有相對(duì)于所述半導(dǎo)體襯底表面的預(yù)定角度的第二側(cè)壁； 形成所述柵極堆疊體以與所述凹陷溝槽對(duì)準(zhǔn)；禾口在所述柵極堆疊體的側(cè)壁上形成間隔物。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，包括通過選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)形成所述外延層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在單元區(qū)中，所述第一結(jié)區(qū)包括待連接至電容器 的漏極區(qū)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在周邊電路區(qū)域中，所述第一結(jié)區(qū)包括待施加漏 極-源極電壓Vds的漏極區(qū)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述第一結(jié)區(qū)包括 使所述外延層形成為未摻雜的選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)層；將N-型導(dǎo)電雜質(zhì)注入所述外延層；禾口 使所述外延層退火，由此形成所述第一結(jié)區(qū)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述第一結(jié)區(qū)包括 使所述外延層形成為未摻雜的選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)層；將N-型或P-型導(dǎo)電雜質(zhì)注入所述外延層；禾口使所述外 延層退火，由此形成所述第一結(jié)區(qū)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一結(jié)區(qū)的形成包括 使所述外延層形成為摻雜的選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)層；禾口使所述外延層退火，由此形成所述第一結(jié)區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于防止或減小短溝道效應(yīng)的晶體管及其制造方法。所述晶體管包括襯底；設(shè)置在所述襯底上的柵極堆疊體；設(shè)置在所述柵極堆疊體的第一側(cè)表面處的襯底上的第一結(jié)區(qū)，所述第一結(jié)區(qū)由外延層形成；形成在所述柵極堆疊體的第二側(cè)表面處的襯底內(nèi)的溝槽；以及設(shè)置在所述溝槽下方的第二結(jié)區(qū)，所述第二結(jié)層低于所述第一結(jié)區(qū)。
文檔編號(hào)H01L29/06GK101740613SQ200910006030
公開日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2009年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月12日
發(fā)明者盧俓奉, 朱永桓 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司