專利名稱：發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具備可透射來自發(fā)光元件的光的光透射構(gòu)件的發(fā)光裝置及其制 造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體發(fā)光元件是小型且電力效率良好地發(fā)出鮮艷顏色的光。另外，半導(dǎo)體元件 即發(fā)光元件沒有燈泡燒壞(bulb burnout)等擔(dān)心。進(jìn)而，具有初期驅(qū)動(dòng)特性優(yōu)越、對于振 動(dòng)或重復(fù)開、關(guān)燈的耐受性強(qiáng)的特征。另外，開發(fā)有通過將從發(fā)光元件所發(fā)出的光源光、與 被其激發(fā)可發(fā)出與光源光不同色相的光的波長變換構(gòu)件組合，根據(jù)光的混色原理可射出多 樣色彩的光的發(fā)光裝置。由于具有這些優(yōu)越的特性，發(fā)光二極管(Light EmittingDiode LED)、激光二極管(Laser Diode :LD)等半導(dǎo)體發(fā)光元件可作為各種光源而加以利用。特別 是近年來，作為取代熒光燈的照明用的光源，作為更低耗電且壽命長的新一代照明而備受 注目，并進(jìn)一步要求發(fā)光輸出的提高及發(fā)光效率的改善。另外，如汽車的前燈等投光器、投 光裝置那樣，也要求高亮度的光源。作為這樣的發(fā)光裝置，例如提出有如專利文獻(xiàn)1所記載的發(fā)光裝置100，將該發(fā)光 裝置100的剖面圖示于圖10。發(fā)光裝置100是由LED元件102、和搭載該LED元件102的 殼體103形成。殼體103在出光側(cè)開口，在開口內(nèi)部載置有LED元件102。進(jìn)而，在殼體103 內(nèi)填充有含有光反射粒子IllA的涂布材料111，在LED元件102的除了出光面105A以外的 外表面區(qū)域也被該涂布材料111被覆。另外，在所形成的涂布材料111的外表面上且出光面105A上，配置有薄片狀的熒 光體層110。熒光體層110是由含有通過受到來自LED元件2的放射光(藍(lán)色光)而被激 發(fā)、放射波長變換光(黃色光)的YAG(YttriumAluminium Garnet，釔鋁石榴石)等熒光體 的樹脂形成。另外，熒光體層110以被覆LED元件102的出光面105A全體的方式而構(gòu)成， 并且具有露出于出光側(cè)的發(fā)光面110A。由此，將來自LED元件102的一次光(藍(lán)色光)、與 對該一次光的一部分進(jìn)行波長變換而得到的二次光(黃色)加以混色，從發(fā)光面IlOA得到 白色光。專利文獻(xiàn)1 日本特開2007-19096號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2002-305328號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，根據(jù)圖10的發(fā)光裝置100，向熒光體層110行進(jìn)的光不僅從發(fā)光面IlOA側(cè) 射出(參照圖10的箭頭Li)，也從構(gòu)成厚度的側(cè)面104側(cè)射出(參照圖10的箭頭L2)。其 結(jié)果是，從發(fā)光面IlOA側(cè)射出的出射光Ll呈現(xiàn)白色，而從側(cè)面104側(cè)射出的出射光L2則 因一次光的藍(lán)色成分不足而帶有黃色。即，根據(jù)熒光體層110的部位不同，一次光及二次光 的混色率有所不同，有產(chǎn)生顏色不勻的問題。另外，在將發(fā)光裝置100作為單元光、在將其多個(gè)組合而作為照明等器具時(shí)，有時(shí)采取通過將來自單元發(fā)光裝置的各成分利用透鏡等光控制系統(tǒng)進(jìn)行集光、擴(kuò)散，從而將發(fā) 出光的全體向所期望的放射方向矯正的手段。此時(shí)，在各單元光中的橫方向的光成分不易 控制放射方向，而且有時(shí)由于與前進(jìn)方向的色差而使全體的發(fā)光特性降低，因此要加以截 斷。即，產(chǎn)生相當(dāng)于橫方向的光成分的光束損失，造成亮度的減少。也就是說，在發(fā)光裝置 100中，由于根據(jù)作為光的發(fā)出區(qū)域的熒光體層110的部位不同而產(chǎn)生顏色不勻，因此在2 次利用該發(fā)光裝置100時(shí)，需要除去不適合的光成分，有可能相對性地降低光束及亮度。另 外，即使在使用1個(gè)發(fā)光裝置的器具中，也有與上述同樣的問題。但是，如上所述，通過熒光體層110而向發(fā)光裝置外發(fā)出的光是將來自LED元件 102的一次光與在熒光體層110內(nèi)進(jìn)行波長變換而成的二次光的混合色，通過其混色的比 例可得到所期望的色相。即，發(fā)出光的波長取決于熒光體層110內(nèi)的波長變換構(gòu)件的量、以 及波長變換構(gòu)件的填充密度。實(shí)際上，在熒光體層110中，只要含有能夠?qū)碜怨庠吹某錾?光進(jìn)行波長變換這種程度的波長變換構(gòu)件，則會(huì)產(chǎn)生無法忽視的程度的厚度。該厚度取決 于波長變換構(gòu)件本身的粒徑、或波長變換構(gòu)件的填充密度，但估計(jì)至少為除去生長基板的 半導(dǎo)體構(gòu)造的4倍以上、通常為20倍以上。即，關(guān)于發(fā)光裝置的發(fā)光，從側(cè)面方向也是可充 分目視的程度，上述的顏色不勻的問題與厚度成比例地變?yōu)轱@著。另外，伴隨著用于以大電 流驅(qū)動(dòng)LED的投入電力的增加，有波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件中的熱應(yīng)力增加的可能性。這樣的波長變 換構(gòu)件中的發(fā)熱或由此產(chǎn)生的熱應(yīng)力有誘發(fā)發(fā)光特性下降的傾向。特別是在為了實(shí)現(xiàn)高亮 度的光源而將波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件與發(fā)光元件接近或接觸地配置的情況下，波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件的發(fā)熱 量變大，因上述熱引起的可靠性的問題也變?yōu)轱@著。另外，當(dāng)集成多個(gè)發(fā)光元件而實(shí)現(xiàn)高亮 度化時(shí)，在上述單一的發(fā)光元件中產(chǎn)生的問題變得更復(fù)雜化。例如，因發(fā)光元件的排列而在 發(fā)光面內(nèi)產(chǎn)生亮度不勻或顏色不勻，進(jìn)而由于發(fā)光面積的增大而容易受到上述波長轉(zhuǎn)換構(gòu) 件的密度或其分布不均勻的影響，容易產(chǎn)生顏色不勻。另外，通過發(fā)光元件的數(shù)量增加，除 了使發(fā)熱量增大，也會(huì)使導(dǎo)熱路徑產(chǎn)生變化，引起熱分布的惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決以往這樣的問題點(diǎn)而做出的。本發(fā)明的目的是提供一種耐高溫 性優(yōu)越、可實(shí)現(xiàn)降低了顏色不勻的高亮度發(fā)光或高輸出發(fā)光的發(fā)光裝置及其制造方法。為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第1發(fā)光裝置的特征在于，是具有發(fā)光元件、被射入 從該發(fā)光元件所射出的光的光透射構(gòu)件、和被覆構(gòu)件的發(fā)光裝置，光透射構(gòu)件是具備露出 于外部的發(fā)光面、和從該發(fā)光面連續(xù)的側(cè)面的無機(jī)材料的光變換構(gòu)件，被覆構(gòu)件含有光反 射性材料，至少被覆光透射構(gòu)件的側(cè)面。另外，本發(fā)明的第2發(fā)光裝置的特征在于，被覆構(gòu)件包圍發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的第3發(fā)光裝置的特征在于，光透射構(gòu)件是板狀，具有與發(fā)光面對置 的受光面，發(fā)光元件接合于受光面。另外，本發(fā)明的第4發(fā)光裝置的特征在于，發(fā)光元件以倒裝芯片(flip-chip)的方 式安裝于安裝基板上。另外，本發(fā)明的第5發(fā)光裝置的特征在于，被覆構(gòu)件被覆發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的第6發(fā)光裝置的特征在于，在從發(fā)光面?zhèn)鹊母┮曋?，發(fā)光元件內(nèi)包 于光透射構(gòu)件中。
另外，本發(fā)明的第7發(fā)光裝置的特征在于，多個(gè)發(fā)光元件光學(xué)性地連接在一個(gè)光 透射構(gòu)件上。另外，本發(fā)明的第8發(fā)光裝置的特征在于，是具有發(fā)光元件、包圍該發(fā)光元件的被 覆構(gòu)件、和光透射構(gòu)件的發(fā)光裝置，光透射構(gòu)件是具備露出于外部的發(fā)光面、從該發(fā)光面連 續(xù)的側(cè)面、和與發(fā)光面對置的受光面的由無機(jī)材料形成的板狀的光變換構(gòu)件，在光透射構(gòu) 件的受光面上接合有多個(gè)發(fā)光元件，從該發(fā)光元件各自射入光，被覆構(gòu)件含有光反射性材 料，至少被覆光透射構(gòu)件的側(cè)面。另外，本發(fā)明的第9發(fā)光裝置的特征在于，發(fā)光元件各自以倒裝芯片的方式安裝 于安裝基板上。另外，本發(fā)明的第10發(fā)光裝置的特征在于，被覆構(gòu)件被覆各發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的第11發(fā)光裝置的特征在于，發(fā)光元件各自經(jīng)由空隙與被覆構(gòu)件分隔。另外，本發(fā)明的第12發(fā)光裝置的特征在于，在該發(fā)光裝置的發(fā)光面?zhèn)?，被覆?gòu)件 具備與發(fā)光面為大致同一面的暴露面。另外，本發(fā)明的第13發(fā)光裝置的特征在于，在從發(fā)光面?zhèn)鹊母┮曋?，發(fā)光元件內(nèi) 包于光透射構(gòu)件中。另外，本發(fā)明的第14發(fā)光裝置的特征在于，在光透射構(gòu)件的受光面設(shè)置有接合發(fā) 光元件的接合區(qū)域、和被被覆構(gòu)件被覆的被覆區(qū)域。另外，本發(fā)明的第15發(fā)光裝置的特征在于，發(fā)光元件相互分隔，在光透射構(gòu)件的 受光面中，在接合區(qū)域之間設(shè)置有分隔區(qū)域，將被覆區(qū)域設(shè)置于分隔區(qū)域。另外，本發(fā)明的第16發(fā)光裝置的特征在于，光透射構(gòu)件具有相比發(fā)光元件更向外 突出的突出區(qū)域，在受光面的突出區(qū)域設(shè)置有被覆區(qū)域。另外，本發(fā)明的第17發(fā)光裝置的特征在于，被覆構(gòu)件在透光性樹脂中含有選自由 Ti、Zr、Nb、Al組成的組中的至少一種氧化物的光反射性材料。另外，本發(fā)明的第18發(fā)光裝置的特征在于，被覆構(gòu)件是由選自由A1203、A1N、MgF、 TiO2、&02、Nb205、SiO2組成的組中的至少一種的光反射性材料所構(gòu)成的多孔質(zhì)體。另外，本發(fā)明的第19發(fā)光裝置的特征在于，光變換構(gòu)件含有熒光體，可對從發(fā)光 元件發(fā)出的光的至少一部分進(jìn)行波長變換。另外，本發(fā)明的第20發(fā)光裝置的特征在于，光變換構(gòu)件是無機(jī)物與熒光體的燒結(jié) 體。另外，本發(fā)明的第21發(fā)光裝置的特征在于，無機(jī)物是氧化鋁(Al2O3)，熒光體是 YAG (Y3Al5O12)。另外，本發(fā)明的第22發(fā)光裝置的制造方法，其是具有發(fā)光元件、被射入從該發(fā)光 元件所射出的光的光透射構(gòu)件、和被覆構(gòu)件的發(fā)光裝置的制造方法；其特征在于，具有下述 工序?qū)l(fā)光元件安裝于配線基板、并使該發(fā)光元件與該配線基板電連接的第1工序；將與 發(fā)光元件的安裝側(cè)對置的出光側(cè)的至少一部分與光透射構(gòu)件光學(xué)性地連接的第2工序；和 用被覆構(gòu)件被覆構(gòu)成光透射構(gòu)件的厚度的側(cè)面，以該被覆構(gòu)件的外表面沿著光透射構(gòu)件的 外表面的方式對該被覆構(gòu)件進(jìn)行成形的第3工序。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，是下述結(jié)構(gòu)在光透射構(gòu)件中，向外部發(fā)出光的發(fā)光面從被覆構(gòu)件中露出，另一方面，從發(fā)光面連續(xù)的側(cè)面用被覆構(gòu)件加以被覆。即，實(shí)質(zhì)上可只將 發(fā)光面作為發(fā)光裝置中的光的發(fā)出區(qū)域。通過將側(cè)面用被覆構(gòu)件加以被覆，可使從發(fā)光元 件行進(jìn)至側(cè)面?zhèn)鹊墓獗秽徑拥谋桓矘?gòu)件反射，從發(fā)光面?zhèn)热〕鲈摮煞止?。其結(jié)果是，可避免 與中央?yún)^(qū)域色相不同的側(cè)面通過光向外發(fā)出，能夠抑制顏色不勻的產(chǎn)生。另外，通過在發(fā)光 面?zhèn)热〕鱿蚱鋫?cè)面方向行進(jìn)的光，可以抑制全體的光束量的損失，提高在發(fā)光面中的亮度。 由此，可實(shí)現(xiàn)指向性及亮度優(yōu)越的發(fā)出光，進(jìn)而容易進(jìn)行發(fā)出光的光學(xué)性控制，提高將各發(fā) 光裝置作為單元光的2次利用性。另外，可將熱傳導(dǎo)至被覆構(gòu)件，提高光透射構(gòu)件的放熱 性，提高發(fā)光裝置的可靠性。進(jìn)而，在集成有多個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光裝置中，可在面內(nèi)得到均 勻的亮度分布，實(shí)現(xiàn)降低了顏色不勻的高亮度的光源。另外，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法，在決定了光透射構(gòu)件的位置后，當(dāng)用被 覆構(gòu)件被覆光透射構(gòu)件的側(cè)面時(shí)，可以根據(jù)希望調(diào)節(jié)其發(fā)光面區(qū)域。另外，可將被光透射構(gòu) 件及被覆構(gòu)件包圍的發(fā)光元件容易地密封成氣密狀態(tài)。


圖1是關(guān)于實(shí)施方式1的發(fā)光裝置的概略剖面圖。圖2是關(guān)于實(shí)施方式1的發(fā)光元件的概略剖面圖。
圖3是表示關(guān)于實(shí)施方式1的發(fā)光裝置的制造方法的示意圖。圖4是表示關(guān)于實(shí)施方式2的發(fā)光裝置的制造方法的示意圖。圖5是表示關(guān)于實(shí)施方式3的發(fā)光裝置的制造方法的示意圖。圖6是關(guān)于實(shí)施方式4的發(fā)光裝置的概略剖面圖。圖7是關(guān)于比較例1的發(fā)光裝置的概略剖面圖。圖8是表示關(guān)于比較例1及實(shí)施例1的發(fā)光裝置的配光色度的曲線圖。圖9是表示相對于光透射構(gòu)件的發(fā)光面的側(cè)面的比例與度的關(guān)系曲線圖。圖10是表示以往的發(fā)光裝置的剖面圖。圖11是表示在實(shí)施例3及比較例2的耐熱性實(shí)驗(yàn)中的輸出的曲線圖。圖12是表示在實(shí)施例3及比較例2的耐熱性實(shí)驗(yàn)中的色度值的曲線圖。圖13是表示關(guān)于實(shí)施例3及比較例2的發(fā)光裝置的耐熱性實(shí)驗(yàn)前的光透射構(gòu)件 的周邊的概略俯視圖。圖14是表示關(guān)于比較例2的發(fā)光裝置的耐熱性實(shí)驗(yàn)后的光透射構(gòu)件的周邊的概 略俯視圖。符號說明1、20、30、40 發(fā)光裝置2:光反射性材料3A 第1電極(n型衰減電極)3B 第2電極(p型衰減電極)5 生長基板(藍(lán)寶石基板)6 第1氮化物半導(dǎo)體層(n型半導(dǎo)體層)7 第2氮化物半導(dǎo)體層(p型半導(dǎo)體層)8:發(fā)光層(活性層)
9:配線基板(基板材)10 發(fā)光元件11 半導(dǎo)體構(gòu)造13 透光性導(dǎo)電層(透光性電極、IT0)14 保護(hù)膜15 光透射構(gòu)件15a:發(fā)光面15b 受光面15c 側(cè)面16 光透射構(gòu)件的缺損部17 粘接材(聚硅氧烷樹脂)24:導(dǎo)電構(gòu)件26、26b 被覆構(gòu)件(密封構(gòu)件、樹脂)33 端面100,200 發(fā)光裝置102 :LED 元件103 殼體104 側(cè)面105A:出光面110:熒光體層110A:發(fā)光面111 涂布材料111A:光反射粒子L1、L2:光
具體實(shí)施例方式以下，基于附圖對本發(fā)明的實(shí)施例加以說明。但是，以下所示的實(shí)施例是用于將本 發(fā)明的技術(shù)思想具體化的發(fā)光元件及其制造方法的例示，本發(fā)明的發(fā)光裝置及其制造方法 并不特定為以下的內(nèi)容。進(jìn)而，本說明書是為了容易理解權(quán)利要求的范圍，將對應(yīng)于實(shí)施例 所示的構(gòu)件的編號賦予“權(quán)利要求書”及“發(fā)明內(nèi)容”欄中所示的構(gòu)件。但是，絕非將權(quán)利 要求中所示的構(gòu)件特定為實(shí)施例的構(gòu)件。特別是記載于實(shí)施例的構(gòu)成構(gòu)件的尺寸、材質(zhì)、形 狀、及其相對的配置等，如無特定的記載，則其意圖并不是將本發(fā)明的范圍只限定于此，只 不過為說明例。然而，各附圖所示的構(gòu)件的尺寸或位置關(guān)系等有時(shí)為了明確說明而有夸張。進(jìn)而， 在以下的說明中，對于相同的名稱、符號，表示相同或同質(zhì)的構(gòu)件，適宜省略其詳細(xì)說明。進(jìn) 而，構(gòu)成本發(fā)明的各要素可以是以相同的構(gòu)件構(gòu)成多個(gè)要素從而以一個(gè)構(gòu)件兼用多個(gè)要素 的形態(tài)，相反地也可以是由多個(gè)構(gòu)件分擔(dān)一個(gè)構(gòu)件的功能來實(shí)現(xiàn)。另外，在一部分實(shí)施例、 實(shí)施方式中說明的內(nèi)容也可利用于其它的實(shí)施例、實(shí)施方式等。另外，在本說明書中，“層 上”等的“上”并不限于與上表面接觸而形成的情況，也包含分隔地形成于上方的情況，還以
8也包含層與層之間存在有介在層的含義而使用。另外，在本說明書中，有時(shí)也將“被覆構(gòu)件” 記載為“密封構(gòu)件”。<實(shí)施方式1>圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式1的發(fā)光裝置1的概略剖面圖，圖1所示例子的發(fā)光裝 置1的主要構(gòu)造如下。主要由發(fā)光元件10、透射從該發(fā)光元件10射出的光的光透射構(gòu)件 15、和被覆光透射構(gòu)件15的一部分的被覆構(gòu)件26構(gòu)成。發(fā)光元件10介由導(dǎo)電構(gòu)件24而 安裝在配線基板9上，進(jìn)而在發(fā)光元件10的上方光學(xué)性地連接有光透射構(gòu)件15。光透射構(gòu) 件15具有接受來自發(fā)光元件10的光的受光面15b、和將接受的光發(fā)出的面且是構(gòu)成發(fā)光裝 置1的外表面的發(fā)光面15a。進(jìn)而，光透射構(gòu)件15具有與發(fā)光面15a大致垂直的面且是與 厚度方向平行的側(cè)面15c。另外，光透射構(gòu)件15的一部分用被覆構(gòu)件26加以被覆，向外部發(fā)出光的發(fā)光面 15a從被覆構(gòu)件26中露出。被覆構(gòu)件26含有可反射光的光反射性材料2，且被覆構(gòu)件26 至少被覆從光透射構(gòu)件15的發(fā)光面15a連續(xù)的側(cè)面15c，適合形成為被覆構(gòu)件26的被覆區(qū) 域的暴露面與發(fā)光面15a的面成為大致同一面。根據(jù)上述構(gòu)造，從發(fā)光元件10射出的光在 行進(jìn)至光透射構(gòu)件15之后，以發(fā)光面15a作為發(fā)光裝置的窗部，從該窗部向外發(fā)出。該窗 部相對于包圍光透射構(gòu)件的被覆構(gòu)件，設(shè)置在射出方向的前面，也就是說，將被覆構(gòu)件設(shè)定 為相對于發(fā)光面為大致同一面、或設(shè)定為從發(fā)光面向受光面?zhèn)群笸说耐獗砻?，從而使得?自光透射構(gòu)件的發(fā)光面的光不被被覆構(gòu)件所遮蔽。另外，光透射構(gòu)件15由可對從發(fā)光元件10射出的光的至少一部分進(jìn)行波長變換 的波長變換構(gòu)件構(gòu)成。即，成為來自發(fā)光元件10的出射光與將其一部分用波長轉(zhuǎn)換元件加 以波長轉(zhuǎn)換而成的二次光加色混合、可發(fā)出所期望的波長光的發(fā)光裝置。下面，對于本發(fā)明 的發(fā)光裝置1的各構(gòu)件及構(gòu)造加以說明。(發(fā)光元件)發(fā)光元件10可以利用公知的構(gòu)成，具體而言，可利用半導(dǎo)體發(fā)光元件，GaN系半導(dǎo) 體由于能夠發(fā)出可效率良好地激發(fā)熒光物質(zhì)的短波長的光，所以是優(yōu)選的。實(shí)施方式1的 發(fā)光元件10在同一面?zhèn)刃纬烧姌O和負(fù)電極，但并不限定于此形態(tài)，例如也可分別在一個(gè) 面上形成正的和負(fù)的電極。另外，正的和負(fù)的電極是并不限定于一對，也可以分別形成多 個(gè)。作為半導(dǎo)體層11，從是可見光域的短波長域、近紫外線域、或比其更短的波長域 這一點(diǎn)上，在實(shí)施例及在以下所說明的氮化物半導(dǎo)體可以優(yōu)選地使用在此點(diǎn)與波長轉(zhuǎn)換構(gòu) 件(熒光體)組合而成的發(fā)光裝置中。另外，并不限定于此，也可以是ZnSe系、InGaAs系、 AlInGaP系等半導(dǎo)體。(發(fā)光元件結(jié)構(gòu))從輸出、效率方面出發(fā)，由半導(dǎo)體層形成的發(fā)光元件構(gòu)造優(yōu)選為在后述的第1導(dǎo) 電型(n型)層、第2導(dǎo)電型(p型)層之間具有活性層的構(gòu)造，但并不限定于此。另外，也 可以在各導(dǎo)電型層上局部地設(shè)置絕緣、半絕緣性、逆導(dǎo)電型構(gòu)造，另外也可以將它們附加地 設(shè)置在第1、2導(dǎo)電型層上，也可附加地具有其它電路構(gòu)造、例如保護(hù)元件構(gòu)造，另外，也可 為上述基板承擔(dān)發(fā)光元件的導(dǎo)電型的一部分的構(gòu)造，在基板不構(gòu)成發(fā)光元件構(gòu)造的情況下 也可除去基板。另外，也可以是將基板在半導(dǎo)體層形成后除去的無基板的半導(dǎo)體元件構(gòu)造，將該取出的半導(dǎo)體層粘接、以倒裝芯片的方式安裝于支撐基板例如導(dǎo)電性基板上的構(gòu)造 等，另外也可以是將其它的透光性構(gòu)件、透光性基板粘接于半導(dǎo)體層的構(gòu)造。具體而言，在 半導(dǎo)體層的出光側(cè)的主面上具有生長基板、粘接的構(gòu)件、基板的情況下，生長基板、粘接的 構(gòu)件、基板設(shè)為透光性，在生長基板為不透光性、遮光性、光吸收性的生長基板的情況下，除 去生長基板，而在將半導(dǎo)體層粘接在這樣的基板上的情況下，是將基板設(shè)置于半導(dǎo)體層主 面的光反射側(cè)的構(gòu)造。在從出光側(cè)的透光性基板、構(gòu)件向半導(dǎo)體層供給電荷的情況下，使用 導(dǎo)電性的基板即可。另外，也可替代連接在半導(dǎo)體層上的透光性構(gòu)件、基板而使用光透射構(gòu) 件15。另外，也可為通過玻璃、樹脂等透光性構(gòu)件粘接、被覆半導(dǎo)體層而成為被支撐的構(gòu)造 的元件。生長用基板的除去是例如保持在裝置或基板材(submoimt)的芯片載置部，通過研 磨、LLO(激光剝離技術(shù)，Laser LiftOff)來實(shí)施。另外，即使為透光性的異種基板，通過除 去基板，可提高出光效率、輸出，是優(yōu)選的。 另外，作為發(fā)光元件、半導(dǎo)體層11的構(gòu)造，可列舉出具有MIS接合、PIN接合或PN 接合的同質(zhì)構(gòu)造、異質(zhì)構(gòu)造或雙異質(zhì)構(gòu)成。另外，也可將各層制成超晶格構(gòu)造，或?qū)⒆鳛榛?性層的發(fā)光層8制成形成為產(chǎn)生量子效果的薄膜的單量子阱構(gòu)造或多量子阱構(gòu)造。設(shè)置于半導(dǎo)體層的電極優(yōu)選為在實(shí)施例及以下所說明的一方的主面?zhèn)壬显O(shè)置有 第1導(dǎo)電型(η型)、第2導(dǎo)電型(ρ型)層的電極的構(gòu)造，但并不限定于此，也可以是相對于 半導(dǎo)體層的各主面各自設(shè)置電極的構(gòu)造，例如也可以是在除去上述基板的構(gòu)造中在除去側(cè) 設(shè)置電極的構(gòu)造。進(jìn)而，對于發(fā)光元件的安裝形態(tài)，也可采用公知的技術(shù)，例如在于同一面 側(cè)具有正負(fù)電極的元件構(gòu)造中，可將其電極形成面?zhèn)茸鳛橹鞒龉饷鎭戆惭b。另外，從導(dǎo)熱的 觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為實(shí)施例及以下所說明的將與電極形成面對置的生長基板側(cè)作為主出光面 的倒裝芯片安裝，此外，可采用符合適宜元件構(gòu)造的搭載手段。搭載于圖1的發(fā)光裝置1中的發(fā)光元件10是氮化物半導(dǎo)體元件的LED芯片，將該 LED芯片以倒裝芯片的方式安裝于作為配線基板9之一的基板材上。圖2是發(fā)光元件10的 概略剖面圖。圖2的發(fā)光元件10表示發(fā)光元件的一例。對于發(fā)光元件10的構(gòu)造，采用圖2加以說明。發(fā)光元件10是在對置的一對主面 中的作為一個(gè)主面?zhèn)鹊纳L基板5上層疊作為半導(dǎo)體構(gòu)造11的氮化物半導(dǎo)體層而形成的。 半導(dǎo)體構(gòu)造11是從下層側(cè)開始依次層疊第1氮化物半導(dǎo)體層6、活性層8、第2氮化物半導(dǎo) 體層7。另外，對于第1氮化物半導(dǎo)體層6及第2氮化物半導(dǎo)體層7，各自具備電連接的第 1電極3A及第2電極3B。并且，當(dāng)發(fā)光元件10介由第1電極3A及第2電極3B從外部供 給電力時(shí)，從活性層8發(fā)出光。以下，作為該發(fā)光元件10的一例，說明氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光 元件的制造方法。(光反射構(gòu)造)另外，發(fā)光元件10可具有光反射構(gòu)造。具體而言，在半導(dǎo)體層的相互對置的2個(gè) 主面中，將與出光側(cè)對置的另一方的主面作為光反射側(cè)(圖1的下側(cè))，在該光反射側(cè)設(shè)置 反射構(gòu)造，特別是可設(shè)置于半導(dǎo)體層內(nèi)或電極等。(透光性導(dǎo)電層)進(jìn)而，如圖2所示，于ρ型半導(dǎo)體層7上形成透光性導(dǎo)電層13。進(jìn)而也可于露出的 η型半導(dǎo)體層6的大致整面上形成導(dǎo)電層。另外，透光性導(dǎo)電層13也可通過在其上方設(shè)置 反射構(gòu)造而將電極形成面?zhèn)茸鳛榉瓷鋫?cè)，另外可以是使透光性導(dǎo)電層從衰減電極露出而從此處取出光的構(gòu)造，另外也可以是作為未介由透光性導(dǎo)電層而將反射性電極設(shè)置于半導(dǎo)體 層上的電極構(gòu)造。另外，透光性導(dǎo)電層13的被覆區(qū)域不僅是n型半導(dǎo)體層6及p型半導(dǎo)體 層7的雙方的半導(dǎo)體層，也可只限定于任一方的半導(dǎo)體層。透光性導(dǎo)電層13優(yōu)選為含有選 自由Zn、In、Sn組成的組中的至少一種元素的氧化物。具體而言，為ITO、ZnO、ln203、Sn02 等含有Zn、In、Sn的氧化物的透光性導(dǎo)電層13，優(yōu)選使用IT0。或者也可以是將Ni等金屬 制為3nm的薄膜而得到的金屬膜、其它金屬的氧化物、氮化物、它們的化合物的具有窗部的 開口部的金屬膜這樣的光透射構(gòu)造。像這樣，通過在露出的P型半導(dǎo)體層7的大致整面上 形成導(dǎo)電層，可均勻地將電流擴(kuò)散于P型半導(dǎo)體層7全體。另外，透光性導(dǎo)電層13的厚度、 尺寸要考慮該層的光吸收性與電阻 薄片阻抗、即光的透射、反射構(gòu)造與電流擴(kuò)散度，例如 是厚度為1 P m以下，具體而言，厚度為lOnm至500nm。(電極)進(jìn)而，在半導(dǎo)體層上形成電極層，在介入有上述透光性導(dǎo)電層的情況下，與其電連 接。電極是連接在適宜地設(shè)置于P型半導(dǎo)體層7及n型半導(dǎo)體層6側(cè)的透光性導(dǎo)電層13 或半導(dǎo)體構(gòu)造上而形成的，分別構(gòu)成第1電極3A與第2電極3B。電極層將發(fā)光元件10與 外部電極電連接，也可以作為衰減電極而發(fā)揮功能。例如，在金屬電極層表面配置如Au突 起(bump)這樣的導(dǎo)電構(gòu)件24，介由導(dǎo)電構(gòu)件使發(fā)光元件的電極和與其對置的外部電極電 連接。另外，在圖2的例中，金屬電極層3B重疊于透光性導(dǎo)電層13上，直接電連接。對于 衰減電極，可適宜采用現(xiàn)有的構(gòu)成。例如，由Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti中的任一金屬 或它們的合金或其組合形成。作為金屬電極層的一例，從下面可采用W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、 W/Pt/Au/Ni、Pt/Au 或 Ti/Rh 的層疊構(gòu)造。另外，對于形成于上述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的p型氮化物半導(dǎo)體層7側(cè)及n型 氮化物半導(dǎo)體層6側(cè)的電極層、或?qū)τ诟鲗?dǎo)電型的電極，優(yōu)選將金屬種類或膜厚或?qū)訕?gòu)造 設(shè)定為相同的構(gòu)成，這是因?yàn)?，通過同時(shí)形成，與分別形成的情況相比，可簡化含有上述透 光性導(dǎo)電層的電極的形成工序。分別設(shè)置情況下的n型氮化物半導(dǎo)體層側(cè)的電極例如可 利用從n型氮化物半導(dǎo)體層6側(cè)依次層疊而成的W/Pt/Au電極(作為其膜厚，例如分別為 20nm/200nm/500nm)、或進(jìn)一步層疊 Ni 而成的 W/Pt/Au/Ni、或者 Ti/Rh/Pt/Au 電極等。(保護(hù)膜)在形成金屬電極層后，除了與外部區(qū)域連接的區(qū)域，可在半導(dǎo)體發(fā)光元件10的大 致整面上形成絕緣性的保護(hù)膜14。在圖2的例中，在被覆于n型電極3A部分及p型電極3B 部分上的保護(hù)膜14各形成有開口部，得到各電極的露出區(qū)域。對于保護(hù)膜14，可利用Si02、 Ti02、Al203、聚酰亞胺等。另外，對于搭載于發(fā)光裝置的發(fā)光元件，雖然對從其發(fā)光層輸出的出射光的發(fā) 光峰值波長并無特別加以限定，但例如可使用在從近紫外線至可見光的短波長區(qū)域即 240nm 500nm附近、優(yōu)選為380mm 420nm或450nm 470nm具有發(fā)光光譜的半導(dǎo)體發(fā)光 元件。(氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件)以下，作為該發(fā)光元件10的一例，說明氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光元件及其制造方法。在圖2的氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光元件10中，在作為生長基板5的藍(lán)寶石基板上，使 作為第1氮化物半導(dǎo)體層6的n型半導(dǎo)體層、作為活性層8的發(fā)光層、和作為第2氮化物半導(dǎo)體層7的P型半導(dǎo)體層依次外延生長，形成氮化物半導(dǎo)體層11。接著，選擇性地蝕刻除去 發(fā)光層8及P型半導(dǎo)體層7的一部分，使η型半導(dǎo)體層6的一部分露出，在該露出區(qū)域形成 作為第1電極3Α的η型衰減電極。另外，在與η型電極3Α為同一面?zhèn)鹊耐腹庑詫?dǎo)電層13 上，形成作為第2電極3Β的ρ型衰減電極。進(jìn)而，僅露出η型衰減電極3Α及ρ型衰減電極 3Β的規(guī)定表面，其它部分可由絕緣性的保護(hù)膜14被覆。另外，η型衰減電極3Α可介由其 透光性導(dǎo)電層形成于η型半導(dǎo)體層6的露出區(qū)域。當(dāng)發(fā)光元件10介由第1電極3Α及第2 電極3Β從外部供給電力時(shí)，從活性層8發(fā)出光，如圖1的箭頭所示，從上表面?zhèn)热〕龉饩€。 艮口，在圖1的發(fā)光元件10中，將其電極形成面?zhèn)茸鳛榘惭b側(cè)(圖1的下側(cè))，將與其對置的 另一方的主面?zhèn)?圖1的上側(cè))作為主要的出光側(cè)。以下，關(guān)于半導(dǎo)體發(fā)光元件1的各構(gòu) 成要素具體地加以說明。(生長基板)生長基板5是使半導(dǎo)體層11外延生長的基板，作為氮化物半導(dǎo)體中的基板，有將C面、R面、及A面的任一面作為主面的藍(lán)寶石或尖晶石(MgAl2O4)這樣的絕緣性基板、或碳 化硅(6!1、4!1、30、5丨、21^、2110、6￡^、金剛石，及與氮化物半導(dǎo)體晶格接合的鈮酸鋰、鎵酸釹 等氧化物基板、GaN或AlN等氮化物半導(dǎo)體基板。(氮化物半導(dǎo)體層)作為氮化物半導(dǎo)體，是通式為InxAlyGai_x_yN(0彡χ、0彡y、x+y彡1)，也可與B或 P、As形成混晶。另外，η型半導(dǎo)體層6、P型半導(dǎo)體層7不特別限定于單層、多層。對于氮 化物半導(dǎo)體層11，具有作為活性層的發(fā)光層8，該活性層為單(SQW)或多量子阱構(gòu)造(MQW)。 以下，表示氮化物半導(dǎo)體層11的例子。使用下述層疊而成的結(jié)構(gòu)在生長基板上，介由緩沖層等氮化物半導(dǎo)體的基底層、 例如低溫生長薄膜GaN和GaN層，例如層疊Si摻雜GaN的η型接觸層和GaN/InGaN的η型 多層膜層作為η型氮化物半導(dǎo)體層，接著，層疊InGaN/GaN的MQW的活性層，進(jìn)而例如層疊 Mg摻雜InGaN/AlGaN的ρ型多層膜層與Mg摻雜GaN的ρ型接觸層作為ρ型氮化物半導(dǎo)體 層。另外，氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光層8(活性層)是例如具有含有阱層、含有障壁層與阱層的 量子阱構(gòu)造。用于活性層的氮化物半導(dǎo)體也可為P型不純物摻雜，但優(yōu)選為未摻雜或通過η 型不純物摻雜使發(fā)光元件高輸出化。通過使Al含于阱層，可得到比GaN的帶隙能量即波長 365nm更短的波長。對應(yīng)于發(fā)光元件的目的、用途等，從活性層發(fā)出的光的波長為360nm 650nm附近，優(yōu)選為380nm 560nm的波長。阱層的組成是InGaN，適合用于可見光、近紫外 線域，此時(shí)的障壁層的組成可以是GaNUnGaN。作為障壁層與阱層的膜厚的具體例，分別為 Inm以上且30nm以下，Inm以上且20nm以下，可以是1個(gè)阱層的單量子阱、介由障壁層等的 多個(gè)阱層的多量子阱構(gòu)造。接著，在ρ型半導(dǎo)體層7的表面形成構(gòu)成為規(guī)定形狀的掩模，對ρ型半導(dǎo)體層7及 作為活性層的發(fā)光層8進(jìn)行蝕刻。由此，構(gòu)成η型半導(dǎo)體層6的η型接觸層在特定位置露 出。并且，如圖2所示，在η型、ρ型接觸層上分別形成η電極3Α、ρ電極13及反射電極的 衰減電極3Β，使電極連接部露出，在元件的表面設(shè)置保護(hù)膜14，制作氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光 元件。(配線基板)另一方面，在圖1的發(fā)光裝置1中，安裝有上述的發(fā)光元件10的配線基板9可利用至少在表面形成有與元件的電極連接的配線的基板?；宓牟牧峡墒褂没迦w由氮化 鋁構(gòu)成的氮化鋁的單晶、多晶等結(jié)晶性基板，以及燒結(jié)基板，作為其它的材料，可以使用氧 化鋁等的陶瓷、玻璃、Si等半金屬或金屬基板，另外可以使用在它們的表面形成有氮化鋁薄 膜層的基板等、層疊體、復(fù)合體。金屬基板、金屬性基板、陶瓷基板的放熱性高，因此優(yōu)選。另 外，配線圖案的形成可以通過離子銑削法或蝕刻法等實(shí)施金屬層的圖案化。作為一例，可列 舉出在上述基板的由氮化鋁形成的表面上的由鉬薄膜等形成的配線圖案等。進(jìn)而，以保護(hù) 配線圖案為目的，也可以在基板的形成有配線圖案側(cè)的表面上形成由3102等薄膜形成的保 護(hù)膜。并不限于與發(fā)光元件的電極連接的配線基板，對于載置元件的基板，也可以是不具有 配線的基板，例如，也可以是在將電極形成面?zhèn)茸鳛橹靼l(fā)光側(cè)的發(fā)光元件中，安裝其基板側(cè) 而將元件的電極與裝置的電極導(dǎo)線連接的形態(tài)。另外，作為該基板與被覆構(gòu)件的形態(tài)，如圖 示的發(fā)光裝置那樣，除了將被覆構(gòu)件設(shè)置于基板的上方的形態(tài)以外，也可以是將基板的側(cè) 面被覆的形態(tài)。(光透射構(gòu)件)另外，圖1的發(fā)光裝置1具備透射來自發(fā)光元件10的光的光透射構(gòu)件15。光透射 構(gòu)件15是可將所通過的光的至少一部分進(jìn)行波長變換的光變換構(gòu)件，優(yōu)選具有波長變換 構(gòu)件。由此，在來自光源的一次光通過光透射構(gòu)件15時(shí)，通過激發(fā)作為波長變換構(gòu)件的熒 光體，可以得到具有與主光源的波長不同的波長的二次光，其結(jié)果是，通過與未進(jìn)行波長變 換的一次光的混色，可實(shí)現(xiàn)具有所期望的色相的出射光。另外，圖1的光透射構(gòu)件15以在從發(fā)光面15a的俯視中將發(fā)光元件10內(nèi)包的方 式構(gòu)成。換而言之，如圖1所示，光透射構(gòu)件15的側(cè)面15c從構(gòu)成發(fā)光元件10的側(cè)面的端 面33向外突出。由此，根據(jù)圖5例(實(shí)施方式3)的構(gòu)成，可將來自光學(xué)性地連接的發(fā)光元 件10的出射光用比發(fā)光元件10的上表面寬的受光面15b直接受光，因此光束的損失少。 另外，光透射構(gòu)件15的側(cè)面15c相對于發(fā)光元件10的側(cè)面的突出量，相對于發(fā)光元件的尺 寸，例如為3%以上且30%以下，具體而言是5%以上且15%以下。作為例子，在實(shí)施例1 的發(fā)光裝置中，如圖13所示，在光透射構(gòu)件15的末端，以約50 ym的寬度突出。在此，作為在光透射構(gòu)件中與波長變換構(gòu)件同時(shí)具有的上述透光性構(gòu)件，可使用 與下述被覆構(gòu)件同樣的材料，例如可使用樹脂、玻璃、無機(jī)物，另外也可以是由下述波長變 換構(gòu)件形成的成形體、晶體等。另外，對于發(fā)光面、受光面，在光透射構(gòu)件為板狀的情況下， 優(yōu)選兩面均為大致平坦的面，更優(yōu)選是對置的兩面相互平行，由此，光從受光至發(fā)光良好地 行進(jìn)。另一方面，并不限于此，發(fā)光面、受光面不限于平坦的面，也可以是全部、部分具有曲 面的形態(tài)、以及凹凸面等面狀的形態(tài)，進(jìn)而并不限定于面狀的形態(tài)，也可以是各種形狀或形 態(tài)，例如用于進(jìn)行集光、分散的形狀，例如透鏡狀等光學(xué)性的形狀。另外，作為光透射構(gòu)件的波長變換功能，除了利用了發(fā)光元件的光與其變換光的 混色的發(fā)光裝置以外，也可以是射出例如利用了發(fā)光元件的紫外光的變換光、或利用多個(gè) 變換光的混色光這樣的從發(fā)光元件的一次光變換得到的二次光的發(fā)光裝置。具備波長變換功能的光透射構(gòu)件15具體而言由下述物質(zhì)等構(gòu)成，如具備玻璃 板、以及光變換構(gòu)件的物質(zhì)；或光變換構(gòu)件的熒光體結(jié)晶或具有其相的單晶體、多晶體、無 定形體、陶瓷體；或由熒光體結(jié)晶粒子形成的物質(zhì)與適宜附加的透光性構(gòu)件的燒結(jié)體、凝集 體、多孔質(zhì)性材料；在它們中混入或含浸透光性構(gòu)件例如樹脂的物質(zhì)；或者含有熒光體粒子的透光性構(gòu)件、例如透光性樹脂的成形體等構(gòu)成。另外，從耐熱性的觀點(diǎn)出發(fā)，與由樹脂 等有機(jī)材料構(gòu)成相比，更優(yōu)選光透射構(gòu)件由無機(jī)材料構(gòu)成。具體而言，優(yōu)選由含有熒光體的 透光性的無機(jī)材料形成，特別是通過由熒光體與無機(jī)物(結(jié)合材)的燒結(jié)體、或者由熒光體 形成的燒結(jié)體或單晶來成形，可以提高可靠性。另外，在使用下述YAG(釔鋁石榴石)的熒光 體的情況下，除了 YAG的單晶或高純度的燒結(jié)體以外，將氧化鋁(A1203)作為結(jié)合材(粘合 劑)的YAG/氧化鋁的燒結(jié)體從可靠性的觀點(diǎn)是優(yōu)選的。另外，光透射構(gòu)件15的形狀雖未 特別加以限定，但在實(shí)施方式1中，將光透射構(gòu)件15設(shè)定為板狀。通過形成為板狀，與構(gòu)成 為面狀的發(fā)光元件10的射出面的結(jié)合效率良好，可容易地進(jìn)行位置配合，以與光透射構(gòu)件 15的主面大致平行。而且，通過將光透射構(gòu)件15的厚度設(shè)定為大致一定，可抑制所構(gòu)成的 波長變換構(gòu)件的不均勻分布，其結(jié)果是，可將所通過的光的波長變換量設(shè)定為大致均勻，使 混色的比例穩(wěn)定，能抑制在發(fā)光面15a的部位的顏色不勻。因此，當(dāng)在一個(gè)光透射構(gòu)件15上 搭載多個(gè)發(fā)光元件10的情況下，可減少因各發(fā)光元件10的配置而引起的發(fā)光面內(nèi)的亮度 或色度的分布不勻，得到大致均勻且高亮度的發(fā)光。另外，具備波長變換功能的光透射構(gòu)件 15的厚度在發(fā)光效率或色度調(diào)整中，優(yōu)選為10 y m以上且500 u m以下，進(jìn)而優(yōu)選為50 y m 以上且300iim以下。另外，可與藍(lán)色發(fā)光元件適當(dāng)?shù)亟M合而得到白色發(fā)光，作為使用在波長變換構(gòu)件 中的代表性的熒光體，可列舉出由鈰賦活的YAG的熒光體及LAG(镥鋁石榴石)的熒光 體。特別是在高亮度且長時(shí)間的使用中，優(yōu)選為(RehSnOjAlhGayhO^CeO)彡x < 1， 0彡y彡1，其中Re為選自由Y、Gd、La、Lu組成的組中的至少一種的元素)等。另外，可使 用含有選自由 YAG、LAG、BAM、BAM:Mn、(Zn、Cd) Zn: Cu、CCA、SCA、SCESN、SESN、CESN、CASBN 及 CaAlSiN3:Eu組成的組中的至少1種的熒光體。在發(fā)光裝置1中，也可具備多個(gè)波長變換構(gòu)件或具備其功能的光透射構(gòu)件，例如 上述光變換構(gòu)件可以是將2種以上的熒光體混合而成的構(gòu)件。除此以外，可具有多個(gè)包含 多個(gè)相互不同波長的波長變換構(gòu)件的光透射構(gòu)件、或者具備其功能的光透射構(gòu)件，例如該 光透射構(gòu)件的層疊體，進(jìn)而，可以設(shè)置一個(gè)波長變換構(gòu)件或具備其功能的光透射構(gòu)件，并與 其分開地在發(fā)光裝置的出光窗部上、或者在從此處至光源的裝置內(nèi)的光路上設(shè)置具有光變 換構(gòu)件的光變換部，例如也可設(shè)置于光透射構(gòu)件與發(fā)光元件之間、其結(jié)合構(gòu)件中、發(fā)光元件 與被覆構(gòu)件之間。另外，使用具有黃 紅色發(fā)光的氮化物熒光體等，可以增加紅色成分，實(shí) 現(xiàn)平均顏色評價(jià)數(shù)Ra高的照明或燈泡色LED等。具體而言，通過配合發(fā)光元件的發(fā)光波長 來調(diào)整CIE的色度圖上的色度點(diǎn)不同的熒光體的量而含有，可使在其熒光體間與發(fā)光元件 所連結(jié)的色度圖上的任意點(diǎn)發(fā)光。除此以外，可列舉出將近紫外 可見光變換為黃色 紅 色域的氮化物熒光體、氧氮化物熒光體、硅酸鹽熒光體、L2Si04:Eu(L是堿土類金屬)、特別 是(SrxMaei_x)2Si04:Eu(Mae是Ca、Ba等堿土類金屬)等。作為氮化物系熒光體、含氧氮化 物(氧氮化物)熒光體，有 Sr-Ca-Si-N:Eu、Ca-Si_N:Eu、Sr_Si_N:Eu、Sr-Ca_Si-0-N:Eu、 Ca-Si-0-N:Eu、Sr_Si_0-N:Eu等，作為堿土類氮化硅熒光體，由通式LSi202N2:Eu、通式 LxSiyN(2/3x+4/3y) Eu 或 LxSiy0zN(2/3x+4/3y_2/3z) :Eu(L 是 Sr、Ca、Sr 與 Ca 中的任一種)表示。另外，在發(fā)光裝置中，對應(yīng)于一個(gè)光透射構(gòu)件15的發(fā)光元件10的搭載個(gè)數(shù)無特別 限定。但由于將可發(fā)出通過一個(gè)光透射構(gòu)件15的光的發(fā)光元件10設(shè)定為多個(gè)，可使向受 光面15b行進(jìn)的總光束量增加，進(jìn)而可提高從發(fā)光面15a發(fā)出的光的亮度，因此是優(yōu)選的。另外，在搭載多個(gè)發(fā)光元件10的情況下，發(fā)光元件10可相互結(jié)合而加以設(shè)置，但優(yōu)選相互 適度地分隔而加以設(shè)置。發(fā)光元件10的分隔距離可考慮發(fā)光裝置的配光特性、放熱性、以 及發(fā)光元件的安裝精度而適宜決定。例如，設(shè)定為相對于發(fā)光元件的尺寸在10%以內(nèi)。(被覆構(gòu)件、密封構(gòu)件)密封構(gòu)件26是如圖1所示被覆光透射構(gòu)件15的一部分，具體而言至少被覆光透 射構(gòu)件15的側(cè)面15c。另外，作為密封構(gòu)件26的基材的樹脂材料例如為透光性，但并不特別加以限定， 優(yōu)選使用聚硅氧烷樹脂組合物、改性聚硅氧烷樹脂組合物等，可使用環(huán)氧樹脂組合物、改性 環(huán)氧樹脂組合物、丙烯酸樹脂組合物等具有透光性的絕緣樹脂組合物。另外，也可利用至少 含有這些樹脂中的至少一種樹脂的混合樹脂等、耐候性優(yōu)越的密封構(gòu)件。進(jìn)而，也可使用玻 璃、硅膠等耐光性優(yōu)越的無機(jī)物。進(jìn)而，通過將密封構(gòu)件的發(fā)光面?zhèn)戎瞥伤谕男螤?，?具有透鏡效果，可使來自發(fā)光元件芯片的光聚集。在實(shí)施方式1中，從耐熱性、耐候性的觀 點(diǎn)出發(fā)，使用聚硅氧烷樹脂作為密封構(gòu)件。另外，在實(shí)施方式1中，密封構(gòu)件26在上述樹脂中含有光反射性材料2而形成。進(jìn) 而，密封構(gòu)件26優(yōu)選由至少2種折射率不同的樹脂材料構(gòu)成。由此，可以提高反射能力，可 抑制透過樹脂而向鄰接構(gòu)件的光滲出成分，即，可向所期望的方向引導(dǎo)光。另外，為了有效 地實(shí)現(xiàn)上述效果，在成為基板的樹脂、即在實(shí)施方式1中的聚硅氧烷樹脂中，至少含有1種 光吸收少的樹脂材料。通過含有光反射性材料，可以提高密封構(gòu)件26的反射率，進(jìn)而更適 合的是，由于透光性粒子的反射，可制成光吸收、損失低的被覆構(gòu)件。即，來自LED芯片的出 射光被被覆于LED芯片周圍附近的構(gòu)件26反射，并被導(dǎo)光至LED芯片側(cè)或光透射構(gòu)件15 側(cè)。另外，密封構(gòu)件26也可使用1種樹脂，例如聚硅氧烷樹脂。例如，可利用將主劑與固化 劑混合的2液式的聚硅氧烷樹脂。在密封構(gòu)件、被覆構(gòu)件26中所含的光反射性材料2是選自由Ti、Zr、Nb、Al、Si組 成的組中的1種氧化物，或是AlN、MgF中的至少1種，具體而言，為選自由Ti02、Zr02、Nb205、 A1203、MgF、A1N、Si02組成的組中的至少1種，在上述構(gòu)件26中，特別是在透光性樹脂中所 含的光反射性材料，特別是作為其透光性的粒子，為選自由Ti、Zr、Nb、Al組成的組中的1種 元素的氧化物，由此，可以提高材料的透光性及反射性、與基材的折射率差，因此是優(yōu)選的。 另外，被覆構(gòu)件也可由上述光反射性材料的成形體構(gòu)成，具體而言，也可制成上述粒子凝集 而成的凝集體、燒結(jié)體等多孔質(zhì)材料，另外，也可為通過溶膠凝膠法形成的成形體。在這樣 的多孔質(zhì)體的被覆構(gòu)件中，由于可增加上述光反射性材料與多孔質(zhì)內(nèi)的空氣的折射率差， 可以提高光反射性，因此是優(yōu)選的。另一方面，當(dāng)對多孔質(zhì)材料的被覆構(gòu)件與具備上述樹脂 等的母材的被覆構(gòu)件進(jìn)行比較時(shí)，在成形為所期望的形狀、以及提高密封性能、氣密性能方 面，有不同的傾向，在制成具備其中任一方或雙方的發(fā)光裝置的情況下，優(yōu)選制成具備上述 母材的被覆構(gòu)件。另外，考慮到兩者的被覆構(gòu)件的特性，也可形成作為兩者的復(fù)合成形體的 被覆構(gòu)件，例如，也可制成下述成形體在從外表面?zhèn)仁箻渲匠尚螢樗谕男螤畹?被覆構(gòu)件中，從其外表面至深度方向的一部分用樹脂含浸，用這樣的構(gòu)件密封發(fā)光元件來 提高氣密性，在發(fā)光元件側(cè)的內(nèi)表面?zhèn)葘?shí)現(xiàn)由多孔質(zhì)性帶來的高反射性能。這樣，被覆構(gòu) 件、密封構(gòu)件或由它們形成的包圍體不必完全密封、氣密密封，也可以是內(nèi)部區(qū)域與外部連 通、或是氣體透過性，只要是至少不漏光的形態(tài)、特別是在射出方向上不漏光的形態(tài)即可。
15
在上述母材中含有光反射性材料的被覆構(gòu)件中，由于根據(jù)其含有濃度、密度而使 光的滲出距離不同，因此可以對應(yīng)于發(fā)光裝置形狀、尺寸來調(diào)整適當(dāng)濃度、密度。例如，對于 比較小的發(fā)光裝置的情況，有必要減小被覆發(fā)光元件、光透射構(gòu)件的被覆構(gòu)件的壁厚，即， 優(yōu)選具備高濃度的光透射性材料，以使得用該薄壁的構(gòu)件來抑制漏光。另一方面，在含有光 反射性材料的被覆構(gòu)件的原料調(diào)制、其原料的涂布、成形等制造過程中，在如果該原料中的 光反射性材料的濃度變高時(shí)制造上有困難的情況下，需適宜調(diào)整其濃度。在此，對于具備母 材的被覆構(gòu)件已做過說明，對于上述多孔質(zhì)體也同樣適用。作為一例，在下述比較例的實(shí)驗(yàn) 中，其含有濃度適宜為30wt %以上，其厚度為20 μ m以上是合適的。如果在此范圍，則可以 從發(fā)光面得到高亮度、且指向性高的發(fā)出光。另外，如果光反射性材料的濃度高，則樹脂的 熱擴(kuò)散性提高。進(jìn)而，作為其它的例子，也可將聚硅氧烷樹脂中的光反射性材料的含有濃度 設(shè)定為20wt%以上且30wt%以下。如果在此范圍，則可以制成具有適度的粘性的樹脂，由 密封構(gòu)件、被覆構(gòu)件26容易地形成下填充材等，因此是優(yōu)選的。(被覆區(qū)域) 如上所述，來自發(fā)光元件10的出射光行進(jìn)在光透射構(gòu)件15的受光面15b，在通過 光透射構(gòu)件15內(nèi)之后，從發(fā)光面15a發(fā)出。因此，通過將光透射構(gòu)件15中的至少側(cè)面15c 用密封構(gòu)件26被覆，可以得到以下的作用、效果。第一，可避免從側(cè)面15c區(qū)域漏出光。第 二，可抑制與來自發(fā)光面15a的發(fā)光相比具有無法忽略程度的色差的光從側(cè)面15c側(cè)向外 發(fā)出，可以降低全體發(fā)光色中的顏色不勻的產(chǎn)生。第三，通過將向側(cè)面15c方向行進(jìn)的光反 射至出光方向側(cè)、進(jìn)而對向外部的發(fā)光區(qū)域進(jìn)行限制，可以提高所發(fā)出的光的指向性，同時(shí) 提高發(fā)光面15a中的亮度。第四，通過使從光透射構(gòu)件15產(chǎn)生的熱傳導(dǎo)至密封構(gòu)件26，可 提高光透射構(gòu)件15的放熱性。在光透射構(gòu)件15含有波長變換構(gòu)件的情況下，因波長變換 構(gòu)件的發(fā)熱顯著，因此本構(gòu)成特別有效。另外，只要是從光透射構(gòu)件15的發(fā)光面15a連續(xù)的側(cè)面15c、即與光透射構(gòu)件15 的厚度方向平行的側(cè)面15c側(cè)被密封構(gòu)件26被覆，且發(fā)光面15a從密封構(gòu)件26露出，就不 特別限定其外表面形狀。例如，也可以是密封構(gòu)件26比發(fā)光面15a更向外突出的構(gòu)造(本 實(shí)施方式)或凹陷構(gòu)造(實(shí)施方式3)。但在實(shí)施方式1中，如圖1所示，密封構(gòu)件26的外 表面沿著發(fā)光面15a的面狀地構(gòu)成，即，密封構(gòu)件26的被覆區(qū)域的暴露面與發(fā)光面15a的 面成為大致同一面地形成。由此，使得制造變?yōu)楹喴?，成品率提高。另外，通過被覆側(cè)面15c 的大致整面，可提高光透射構(gòu)件15的放熱性。在實(shí)施方式1中，密封構(gòu)件26除了被覆光透射構(gòu)件15的側(cè)面15c，還被覆受光面 15b的一部分。具體而言，如圖1所示，在光透射構(gòu)件15與配線基板9之間填充密封構(gòu)件 26，用密封構(gòu)件26被覆發(fā)光元件10的周圍。具體而言，在光透射構(gòu)件15的受光面15b中， 除了與發(fā)光元件10對置域以外的區(qū)域被密封構(gòu)件26被覆。根據(jù)此構(gòu)成，在光透射構(gòu)件的受 光面上，設(shè)置有發(fā)光元件10與光透射構(gòu)件15的光學(xué)性連接的區(qū)域、和密封構(gòu)件26的被覆 區(qū)域，通過限定該光學(xué)性連接的區(qū)域，可從此處將發(fā)光元件10的一次光高效率地導(dǎo)光至光 透射構(gòu)件15側(cè)。而且，用被覆區(qū)域的密封構(gòu)件26使向光透射構(gòu)件的受光面?zhèn)刃羞M(jìn)的光反射 至出光側(cè)，可抑制進(jìn)入光透射構(gòu)件的一次光的由配線基板9的光吸收等引起的光損失。如 圖1等所示，對于多個(gè)發(fā)光元件10接合于一個(gè)光透射構(gòu)件15的情況，優(yōu)選在該發(fā)光元件間 也填充密封構(gòu)件26，用密封構(gòu)件26被覆在受光面15b中設(shè)置于發(fā)光元件接合的接合區(qū)域間的分隔區(qū)域。在光透射構(gòu)件15內(nèi)，接合有發(fā)光元件10的接合區(qū)域的正上方產(chǎn)生的熱有著 容易滯留在分隔區(qū)域上的傾向，通過此構(gòu)成，可提高上述分隔區(qū)域的放熱性。進(jìn)而，如上所 述，光透射構(gòu)件15具有比發(fā)光元件10更向外突出的突出區(qū)域，通過用密封構(gòu)件26被覆該 受光面15b側(cè)的突出區(qū)域，可以促進(jìn)向光透射構(gòu)件15、發(fā)光元件10的外周方向的導(dǎo)熱從而 提高放熱性，因此是優(yōu)選的。這樣，通過增加密封構(gòu)件26對光透射構(gòu)件15的被覆區(qū)域，可 進(jìn)一步提高光透射構(gòu)件15的放熱性。(添加構(gòu)件)另外，在被覆、密封構(gòu)件26、光透射構(gòu)件15中，除了光反射性材料2、光變換構(gòu)件 以外，可以添加粘度增量劑等根據(jù)用途而添加適當(dāng)?shù)臉?gòu)件，由此，可得到具有所期望的發(fā)光 色、這些構(gòu)件或裝置表面的顏色例如為了提高相對于外光的對比度而將被覆構(gòu)件的外表面 著色為黑色等、和指向特性的發(fā)光裝置。同樣地，作為具有截?cái)鄟碜酝鈦砉饣虬l(fā)光元件的不 要的波長的濾波器效果的濾材，也可添加各種著色劑。(粘接材)在發(fā)光元件10與光透射構(gòu)件15的界面處介于有粘接材17，由此固定雙方的構(gòu)件。 該粘接材17優(yōu)選為可將來自發(fā)光元件10的出射光有效地導(dǎo)光至光透射構(gòu)件15側(cè)、并將雙 方的構(gòu)件光學(xué)性地連結(jié)的材質(zhì)。作為其材料，可列舉出用于上述各構(gòu)件的樹脂材料，作為一 例，可使用聚硅氧烷樹脂等透光性粘接材。另外，對于發(fā)光元件10與光透射構(gòu)件15的附著， 也可采用通過熱壓的結(jié)晶接合等。(發(fā)光裝置)將上述發(fā)光元件10以倒裝芯片的方式安裝于配線基板9上，具備上述光透射構(gòu) 件、被覆構(gòu)件，得到圖1所示的例子的發(fā)光裝置1。作為其制造方法的一例，對于其制造方 法，采用圖3加以說明。首先，如圖3(a)所示，在配線基板9上、或發(fā)光元件10上根據(jù)倒裝 芯片安裝的圖案，形成突起24。接著，介由該突起24，以倒裝芯片的方式安裝發(fā)光元件10。 在此例中，在基板材基板9上，在對應(yīng)于一個(gè)發(fā)光裝置的區(qū)域，排列地安裝各1個(gè)LED芯片， 但芯片的搭載個(gè)數(shù)可根據(jù)發(fā)光面、光透射構(gòu)件的尺寸而作適宜變更。另外，發(fā)光元件10的 安裝也可以通過共晶而達(dá)成。由此，可加大配線基板9與發(fā)光元件10的接合面積，促進(jìn)導(dǎo) 熱，因此可以提高放熱性。另外，在圖3(b)中，在發(fā)光元件10的背面?zhèn)?藍(lán)寶石基板背面或在通過LLO除去 基板的情況下為氮化物半導(dǎo)體露出面)涂布作為粘接材17的聚硅氧烷樹脂，層疊光透射構(gòu) 件15。之后，使聚硅氧烷樹脂17熱固化，粘接發(fā)光元件10與光透射構(gòu)件15。進(jìn)而，在圖3(c)中，進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。絲網(wǎng)印刷是將金屬掩模配置在配線基板9上， 涂布構(gòu)成密封構(gòu)件26的樹脂，用涂刷器進(jìn)行擴(kuò)散。此時(shí)，以密封構(gòu)件26的表面沿著光透射 構(gòu)件15的表面、即雙方的表 面位于大致同一面狀的方式，用涂刷器形成光透射構(gòu)件15的表 面?；蛘?，在澆注樹脂26后也可以不使用涂刷器，而是利用自重使表面平坦化?；蛘?，也可 以利用傳輸模具加以形成。然后，在樹脂26固化后，除去金屬掩模，在規(guī)定位置(例如圖 3(c)中的虛線部)進(jìn)行切割，切出藍(lán)寶石基板尺寸而得到發(fā)光裝置。另外，對被覆發(fā)光元件10的周圍的樹脂26的配置方法無特別限定。例如，也可以 形成構(gòu)成配置有樹脂26的區(qū)域的界面的封套，將此作為框體，在其內(nèi)部填充樹脂26?？蝮w 可在發(fā)光裝置的形成后除去。或根據(jù)填充于內(nèi)部的樹脂的軟度，也可殘留框體。框體擔(dān)負(fù)發(fā)光裝置的外廓，可以提高發(fā)光裝置的強(qiáng)度。另外，也可使用具備空腔的配線基板，將工序 簡化。另外，也可以是發(fā)光元件直接安裝于發(fā)光裝置的規(guī)定的載置部的形態(tài)，即也可以不具 備基板材。另外，也可將切出的上述各個(gè)藍(lán)寶石基板、或?qū)⑵渑c透鏡等粘接、密封而成的結(jié) 構(gòu)作為發(fā)光裝置。(實(shí)施方式2)另一方面，將光透射構(gòu)件15相對于發(fā)光元件10的位置配合的其它例作為實(shí)施方 式2。圖4是關(guān)于實(shí)施方式2的發(fā)光裝置20的概略剖面圖。在圖4的發(fā)光裝置20中，光透 射構(gòu)件15的側(cè)面15c位于與發(fā)光元件10的端面33大致同一面上，即雙方的側(cè)面為大致同 一面地構(gòu)成。由此，可防止在上述實(shí)施方式1的光透射構(gòu)件的突出于元件外方的部分、即其 外緣部處的來自發(fā)光元件的光量不足、從而在該部分容易產(chǎn)生顏色不勻的現(xiàn)象。在本說明 書中所稱的“大致同一面”是指在上述的功能方面實(shí)質(zhì)上為同一面即可，例如可以相對于該 同一面的發(fā)光裝置的光透射構(gòu)件、發(fā)光元件的尺寸設(shè)定為為士 10%左右。另外，并不局限于 此，對于光透射構(gòu)件的發(fā)光面與將其包圍的被覆構(gòu)件的外表面的同一面等，也可同樣地適 用。(實(shí)施方式3)進(jìn)而，圖5是表示關(guān)于實(shí)施方式3的發(fā)光裝置30的概略剖面圖。在圖5的發(fā)光裝 置30中，光透射構(gòu)件15只層疊發(fā)光元件10的一部分，即，光透射構(gòu)件15的側(cè)面15c位于 比發(fā)光元件10的端面33靠內(nèi)的內(nèi)側(cè)。在圖1(實(shí)施方式2)、圖4(實(shí)施方式3)、圖5(本實(shí)施方式)所示的任一形態(tài)中， 在從出光側(cè)的俯視中，發(fā)光面15a的周圍均被密封構(gòu)件26加以被覆。由此，從含有光反射 性材料2的密封構(gòu)件26的外表面區(qū)域不能發(fā)出光，即發(fā)光裝置中的發(fā)光區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上取決于 光透射構(gòu)件15的發(fā)光面15a。因此，根據(jù)圖1所示的實(shí)施方式1的構(gòu)成，由于與發(fā)光元件相 比可以使發(fā)光面15a增大，因此可提高來自發(fā)光裝置的光束量、輸出，根據(jù)圖5所示的本實(shí) 施方式的例子，通過減少發(fā)光區(qū)域，使發(fā)光面相對于發(fā)光元件縮小，可進(jìn)一步將混色比例設(shè) 為大致一定，因此可成為進(jìn)一步降低了顏色不勻的發(fā)出光。另外，通過降低發(fā)光區(qū)域，可以 提高相對亮度。另外，圖4的構(gòu)成可以說是介于圖1與圖5的例子中間的構(gòu)成，能夠釋放出 在光束與亮度、配色性方面雙方取得了平衡的光。(實(shí)施方式4)另外，密封構(gòu)件26至少構(gòu)成光透射構(gòu)件15中的發(fā)光面15a的周圍、即與側(cè)面15c 面接觸地形成以將發(fā)光裝置的發(fā)光區(qū)域限定于發(fā)光面15a是重要的，對于密封構(gòu)件26的其 它的被覆區(qū)域，并無特別加以限定。在此，列舉出在密封構(gòu)件26的相對于發(fā)光元件10的被 覆區(qū)域這一點(diǎn)上與實(shí)施方式1 3不同的發(fā)光裝置40作為實(shí)施方式4。圖6是關(guān)于實(shí)施方 式4的發(fā)光裝置40的概略剖面圖。在發(fā)光裝置40中，對于除了密封構(gòu)件26b的被覆區(qū)域 以外的構(gòu)造，實(shí)質(zhì)上與實(shí)施方式1 3同樣，因此，對于同樣的構(gòu)成附上相同符號，適宜省略 說明。在實(shí)施方式4中，與實(shí)施方式1 3相比，密封構(gòu)件26b對發(fā)光元件10的被覆區(qū)域 不同。即，密封構(gòu)件26b只被覆發(fā)光元件10的端面33側(cè)的外方，但是發(fā)光元件表面中的從 與上述光透射構(gòu)件光學(xué)性地連接的連接部、和與基板電性或物理性的連接部所露出的露出 部則未被被覆而分隔，在多個(gè)載置的發(fā)光元件10的相互分隔的區(qū)域中未填充而形成空隙。特別是在圖6的例中，發(fā)光元件10的外側(cè)的密封構(gòu)件26b與發(fā)光元件10的端面33分隔。 具體而言，在發(fā)光元件10的端面33側(cè)，密封構(gòu)件26b位于與該端面33大致平行且間隔的 位置。即，發(fā)光元件10是通過光透射構(gòu)件15與配線基板9將上下方向圍住、且通過密封構(gòu) 件26b將左右方向圍住周圍而構(gòu)成的。并且，形成以各包圍構(gòu)件作為邊界的內(nèi)部空間，在發(fā) 光元件10的周邊附近設(shè)置有空洞。這樣，被覆構(gòu)件是作為包圍光透射構(gòu)件的受光面?zhèn)鹊膮^(qū) 域、發(fā)光元件的包圍體而形成的形態(tài)，進(jìn)而如圖所示，優(yōu)選為被覆基板的一部分、或設(shè)置于 基板上來形成該包圍體的形態(tài)，另外，優(yōu)選如本實(shí)施方式那樣，在包圍體內(nèi)部具備通過與發(fā) 光元件分隔而形成的內(nèi)部區(qū)域。此時(shí)，包圍體如圖所示，優(yōu)選形成為將光透射構(gòu)件作為包圍 體的窗部、具備其發(fā)光面的外框體，進(jìn)而形成為將發(fā)光面設(shè)置于射出方向的前表面的外框 體。根據(jù)上述構(gòu)造、即具備由上述包圍構(gòu)件形成的內(nèi)部區(qū)域的構(gòu)造，可抑制由發(fā)光元 件的上述露出部被被覆而造成的光損失、例如密封構(gòu)件的光吸收，即能夠提高上述光學(xué)性 連接部的光量，可制成輸出、亮度高的發(fā)光裝置。此時(shí)，優(yōu)選以適當(dāng)提高與發(fā)光元件的折射 率差的方式對上述內(nèi)部空間進(jìn)行氣密密封，由此形成元件與空氣、氣體的折射率差高的露 出部。另外，對于多個(gè)發(fā)光元件光學(xué)性地連接于一個(gè)光透射構(gòu)件的情況，在其元件間也同樣 地優(yōu)選具有空隙。另一方面，在制成相對于上述發(fā)光元件、其光學(xué)性連接部為充分大的發(fā)光 面的光透射構(gòu)件的情況下，可適當(dāng)?shù)厥褂脴渲壬鲜龅墓馔干錁?gòu)件、被覆構(gòu)件的基材。這 時(shí)，在光透射構(gòu)件的受光面中，具備與元件光學(xué)性連接的區(qū)域、和與填充于內(nèi)部空間的透光 性構(gòu)件連接的填充構(gòu)件連接區(qū)域，除了來自元件的發(fā)光直接進(jìn)入光學(xué)性連接區(qū)域的路徑， 還可以從上述填充構(gòu)件取出光、并從該填充構(gòu)件連接區(qū)域進(jìn)入，由此可形成比元件大的發(fā) 光面。而且，密封構(gòu)件26b的形狀簡單，可個(gè)別地制作密封構(gòu)件26b，將其連接于光透射構(gòu)件 15側(cè)而得到發(fā)光裝置40。實(shí)施例1關(guān)于實(shí)施方式中的發(fā)光裝置，為了確認(rèn)發(fā)光特性的優(yōu)越性，實(shí)施以下的實(shí)施例。實(shí) 施例1的發(fā)光裝置1如圖1所示，具有一個(gè)光透射構(gòu)件15，并搭載有2個(gè)約ImmX 1mm的大 致正方形的LED芯片，用密封構(gòu)件26被覆光透射構(gòu)件15及發(fā)光元件10的一部分。光透射 構(gòu)件15是板狀，其發(fā)光面15a、及與該發(fā)光面15a對置的受光面15b是由約1. lmmX2. 2mm 構(gòu)成的矩形狀，進(jìn)而其厚度為150 u m。另外，密封構(gòu)件26是含有Ti02粒子的聚硅氧烷樹脂， 如圖1所示，在發(fā)光裝置1的出光側(cè)的俯視中，被覆發(fā)光面15a的周邊區(qū)域，具體而言，被覆 光透射構(gòu)件15的側(cè)面15c，且以沿著發(fā)光面15a的面狀的方式形成。即，發(fā)光裝置1是通過 以發(fā)光面15a作為主發(fā)光面、將其周圍用密封構(gòu)件26加以被覆，由此抑制了從該被覆區(qū)域 至外方的發(fā)光。進(jìn)而，光透射構(gòu)件15的受光面15B中，與發(fā)光元件10的光學(xué)性連接區(qū)域被 被覆，進(jìn)而通過在配線基板9與光透射構(gòu)件15之間進(jìn)行填充，發(fā)光元件10的側(cè)面及安裝側(cè) 也被被覆。(比較例1)另一方面，圖7是表示關(guān)于比較例1的發(fā)光裝置200的概略剖面圖。發(fā)光裝置200 與實(shí)施例1的發(fā)光裝置1相比，實(shí)質(zhì)上只有密封構(gòu)件26對光透射構(gòu)件15的被覆區(qū)域是不 同的。即，光透射構(gòu)件15是從密封構(gòu)件26的表面向上突出地形成的。進(jìn)而，密封構(gòu)件26 未被覆光透射構(gòu)件15的側(cè)面15c，因此該側(cè)面15c露出于外部。
如以上所述，在實(shí)施例1與比較例1的發(fā)光裝置的制造方法中，在實(shí)施例1中，在 層疊光透射構(gòu)件15之后被覆密封構(gòu)件26，而在比較例1中，先成形密封構(gòu)件26，之后安裝 光透射構(gòu)件15。因此，比較例1的密封構(gòu)件26不被覆光透射構(gòu)件15的側(cè)面15c，換而言之， 側(cè)面15c露出于外部。其結(jié)果是，在比較例1的發(fā)光裝置200中，來自發(fā)光元件10的出射 光從光透射構(gòu)件15的受光面15b行進(jìn)時(shí)，在通過光透射構(gòu)件15內(nèi)之后，從露出的側(cè)面15c 及發(fā)光面15a發(fā)出于外部。也就是說，發(fā)光裝置200的光透射構(gòu)件15的構(gòu)成與圖12的發(fā) 光裝置100類似，即，來自光透射構(gòu)件15的出射光不僅從發(fā)光面15a、而且也從側(cè)面15c發(fā) 出，雙方的光是可辨識程度的色調(diào)不同。實(shí)施例1及比較例1的發(fā)光裝置的光束、亮度、配光色度的各特性如以下所示。對于光束，實(shí)施例1與比較例1中的最大值分別為167 [Lm](色度①Y約0. 339)、 166[Lm](色度OY約0. 322)，為幾乎同等的特性，因此，可知在實(shí)施例1中，將光透射構(gòu)件 15的側(cè)面15b用密封構(gòu)件26被覆幾乎沒有遮光的影響。對于亮度，發(fā)光的最大亮度與平均亮度的平均值在實(shí)施例中分別為6086[cd/cm2] 與3524 [cd/cm2]，在比較例1為3952 [cd/cm2]與2500 [cd/cm2]，即，相比于比較例1，實(shí)施例 1提高了約40%亮度。進(jìn)而，在圖8中表示了在實(shí)施例1、比較例1的發(fā)光裝置中所得到的 配光色度特性。在實(shí)施例1及比較例1中，光軸上的色溫的極大值均位于視野角度小的區(qū) 域，伴隨著出射角度的絕對值變大，色溫減少。但在比較例1中，高角度與低角度的色溫差 顯著大，詳細(xì)來說，是雙方的色相不同，可看出顏色不勻的產(chǎn)生。另一方面，在實(shí)施例1中， 與比較例1相比，色溫差極小，相比于比較例1將光軸作為極大值而成為急劇的曲線狀的情 況，實(shí)施例1相對于極大值呈現(xiàn)平緩的曲線，即，在視野角度的全域中，色溫差少，顏色不勻 的降低顯著。在此，來自橫方向的出射光與該光束的多少無關(guān)地成為在發(fā)光裝置全體的發(fā) 光中的顏色不勻的要因，因此用密封構(gòu)件26將橫方向的成分導(dǎo)光至發(fā)光面15a側(cè)是優(yōu)選 的，這一點(diǎn)如上述所述，但以下，從亮度的觀點(diǎn)來調(diào)查密封構(gòu)件26的優(yōu)越性。在本發(fā)明的將光透射構(gòu)件15的側(cè)面15c被覆的發(fā)光裝置(以下，表述為“被覆 型”)中，當(dāng)增加光透射構(gòu)件15的厚度時(shí)，以此為基準(zhǔn)，側(cè)面15b中的密封構(gòu)件26的被覆區(qū) 域也增加。如上所述，在其側(cè)面的密封構(gòu)件26的光吸收幾乎沒有影響，因此，即使光透射構(gòu) 件15的厚度增加，向厚度方向的光成分也被導(dǎo)入發(fā)光面15a側(cè)，實(shí)質(zhì)上僅從該發(fā)光面15a 發(fā)出向發(fā)光裝置外發(fā)出。也就是，發(fā)光面15a的亮度不依賴于光透射構(gòu)件15的厚度，經(jīng)常 是大致一定。另一方面，如比較例1那樣，如果是制成光透射構(gòu)件15的側(cè)面15c未被被覆的構(gòu) 造的發(fā)光裝置(以下，記載為“非遮蔽型”)，則伴隨光透射構(gòu)件15的厚度增加，來自側(cè)面 的成份光、來自側(cè)面的出射光的比例增加，換而言之，來自出光側(cè)的出射面的發(fā)光的比例減 少，即出射面的亮度減少。因此，下面，對于在板狀的光透射構(gòu)件中，當(dāng)來自發(fā)光面15a與兩側(cè)的側(cè)面15c的 出射光的比例為何種程度時(shí)對于通過側(cè)面15c側(cè)的被覆得到的亮度上升的效果、即通過密 封構(gòu)件26對側(cè)面15c的反射效果是有效的光透射構(gòu)件15的厚度范圍進(jìn)行了驗(yàn)證，其結(jié)果 示于圖9。圖9中，被覆型及非遮蔽型均假設(shè)沒有來自底面的受光面15b的發(fā)光，進(jìn)而在非遮 蔽型中，假設(shè)從發(fā)光面15a及側(cè)面15c是均勻地發(fā)光，亮度以從各發(fā)光面15a射出的光作為 對象([亮度]=[光束]+ [發(fā)光面的面積])。而且，假設(shè)被覆型的全光束與非遮蔽型相比損失10%，表示伴隨光透射構(gòu)件15的厚度的比例(側(cè)面比例]=[兩側(cè)面的面積]+ [發(fā) 光面的面積])的增加的亮度變化。在此所稱的光束的10%損失，是指考慮了由在被覆型的 密封構(gòu)件26中的反射而造成的光吸收，但實(shí)際上，如上所述，密封構(gòu)件26幾乎沒有光吸收， 光損失量大多是估計(jì)并假定的數(shù)值。根據(jù)圖9，在被覆型中，發(fā)光區(qū)域不依賴于光透射構(gòu)件的厚度，因此亮度成為大致 一定。另一方面，在非遮蔽型中，隨著光透射構(gòu)件的厚度增加，由于來自發(fā)光面的發(fā)光量減 少，相對亮度降低。另外，被覆型與非遮蔽型的亮度成為大致相同的情況是，光透射構(gòu)件 的厚度是0. 04mm，側(cè)面比例約12%，另外光束差為5%時(shí)，是厚度為0. 02mm，側(cè)面比例約為 5.2%。因此可知，在比其厚的情況下，被覆型的亮度比非遮蔽型高。如果將此適用于上述實(shí)施例1與比較例1的亮度特性，則可知側(cè)面比例約為29%， 上述光束差設(shè)定為5%時(shí)的亮度比([非遮蔽型的亮度]/[被覆型的亮度])大約近似于 134%。進(jìn)而，在將光束差設(shè)定為0%時(shí)的亮度比約為141%，與此相對照，上述實(shí)施例1與 比較例1的光束差約為0. 01%，亮度比約為141%?？煽吹搅己玫囊恢?。
這樣，基于上述假定的被覆型與非遮蔽型的比較驗(yàn)證與實(shí)施例1及比較例1的特 性表現(xiàn)出良好的一致，可知該驗(yàn)證是有效的。(被覆構(gòu)件的壁厚與反射性能)另外，對于介入密封構(gòu)件26中的光反射性材料2，在實(shí)施例1的發(fā)光裝置1中，作 為密封構(gòu)件26，在聚硅氧烷樹脂中含有作為光反射性材料2的TiO2，這樣，根據(jù)透明樹脂中 的光反射性材料的含量、和被覆構(gòu)件26的壁厚，其反射能力、光到達(dá)該構(gòu)件中的深度會(huì)產(chǎn) 生變化。例如，在與實(shí)施例1同樣的陶瓷基板上，將反射率高的Al的膜和反射率低的W的 膜進(jìn)行成膜，將與實(shí)施例1同樣的TiO2粒子(平均粒徑0.2μπι)混煉于聚硅氧烷樹脂中， 分別調(diào)制相對于該聚硅氧烷樹脂的重量比為25%、33%、50%的被覆構(gòu)件的原料，在上述陶 瓷基板上涂布其原料，以涂布轉(zhuǎn)速為2000、4000、6000rpm的條件進(jìn)行旋涂，使樹脂熱固化 而制作樣品，對于各原料、涂布條件的樣品，通過測定其表面法線方向的光反射率，可評估 上述光反射性、光到達(dá)深度等。例如，以50wt%的原料、轉(zhuǎn)速6000、2000rpm，可以得到壁厚分別為20μπι、70μπι的
被覆構(gòu)件，另一方面，光反射率不依賴于上述Al、W的反射膜的不同而成為大致一定的反射 率，轉(zhuǎn)速越大、即構(gòu)件的厚度越小，僅看到稍微下降的傾向，例如在上述轉(zhuǎn)速、構(gòu)件厚度的條 件下，反射率從94%下降至89%的范圍。另外，在25wt %、33wt %左右的樣品中，由上述Al、W的反射膜造成的反射率的差、 即[Al樣品的反射率]-[W樣品的反射率]大，特別是在高轉(zhuǎn)速下其差有變得更大的傾向， 進(jìn)而，33襯％的樣品與25wt%的樣品相比，其差及其在高旋轉(zhuǎn)區(qū)的差的差距也變小，例如在 轉(zhuǎn)速為2000rpm的33wt%的樣品中，由Al、W反射膜而造成的差幾乎沒有。另外，對于反 射率，是33wt %的樣品較上述50wt %的樣品低，進(jìn)而，25wt %的樣品比其更低。因此，作為 反射性材料的含量，是30wt%以上，優(yōu)選為40襯％以上，更優(yōu)選為50wt%以上。對于厚度， 可知只要為20 μ m以上程度即可，從此情況可知，光透射構(gòu)件的外緣、光透射構(gòu)件與基板之 間、光透射構(gòu)件從元件突出的部分、元件露出部、在元件間區(qū)域的被覆構(gòu)件的厚度只要具有 該程度就充分。在實(shí)施例1的發(fā)光裝置1中，光透射構(gòu)件15與光透射構(gòu)件9的對置面中的分隔距離以lOOym以上而構(gòu)成。因此，只要是填充于該分隔區(qū)域內(nèi)的密封構(gòu)件26，就具有上述范 圍內(nèi)的厚度，因此確認(rèn)了光被反射至受光面15b側(cè)，可避免配線基板9的光吸收的影響。實(shí)施例2如圖6所示的發(fā)光裝置1，以如下方式制作在發(fā)光元件的周圍具備空隙的裝置。與實(shí)施例1同樣地，在基板上載置發(fā)光元件，將光透射構(gòu)件連接于該發(fā)光元件。在 此，將光透射構(gòu)件設(shè)定為比基板大，大約2. 2mmX 3. 2mm左右，以內(nèi)包于該基板的方式加以 配置，進(jìn)而，發(fā)光元件也以內(nèi)包于基板的方式加以配置。接著，將實(shí)施例1的被覆構(gòu)件的樹 脂以被覆基板的側(cè)面與光透射構(gòu)件的受光面的一部分和側(cè)面的方式加以涂布，使其熱固化 而成形。此時(shí)，通過基板的側(cè)面，樹脂起到壩的作用，以樹脂無法進(jìn)入于基板內(nèi)部的方式進(jìn) 行阻擋，即，在基板的端部形成被覆構(gòu)件的內(nèi)壁，在該基板外側(cè)被覆基板側(cè)面的樹脂被覆突 出于該基板外側(cè)的光透射構(gòu)件的受光面，在樹脂內(nèi)壁與發(fā)光元件之間形成空隙。此時(shí)，空隙 與從發(fā)光元件突出的基板區(qū)域大致相同，在發(fā)光元件的外周形成約400 y m的基板突出部 及空隙(從發(fā)光元件到樹脂內(nèi)壁的距離)。這樣，制作在發(fā)光元件的周圍具備空隙的發(fā)光裝 置，為了與此相比較，制作無空隙的變形例。其變形例是在上述樹脂固化時(shí)，對樹脂進(jìn)行脫 泡，由此使基板側(cè)面的阻擋效果降低，使樹脂進(jìn)入至基板內(nèi)部，被覆發(fā)光元件表面，使樹脂 固化而作為無空隙的被覆構(gòu)件而加以成形，得到發(fā)光裝置。這2例的發(fā)光裝置的發(fā)光特性是，OY分別為約0. 37，在有空隙的例子中，得到光 束206. 4Lm，在無空隙的例子中，得到光束203. 2Lm。另外，樹脂涂布、成形前后的光束比、即 相對于在基板上的發(fā)光元件上粘接有光透射構(gòu)件的狀態(tài)下的無被覆構(gòu)件的發(fā)光裝置的光 束，對其進(jìn)行樹脂成形而得到的上述各例的具有被覆構(gòu)件的發(fā)光裝置的光束的比、即[具 有被覆構(gòu)件的光束]/ [無被覆構(gòu)件裝置的光束]在有空隙的情況下光束比為7. 0 %，在無空 隙的情況下光束比為4.8%。進(jìn)而，在其它的OY值下也看到同樣的傾向，S卩，通過被覆構(gòu)件 得到的輸出提高、高輸出化的效果在內(nèi)包空隙的發(fā)光裝置中更高。但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，將發(fā)光區(qū)域的一部分進(jìn)行光遮斷而限制發(fā)光區(qū)域的 操作，因可預(yù)測到產(chǎn)生如下的缺點(diǎn)，通常不進(jìn)行。即，考慮到被覆構(gòu)件的反射次數(shù)增加，由此 有可能產(chǎn)生光損失，使所發(fā)出的光束降低。但根據(jù)本發(fā)明的形態(tài)，與以往的想法相反，通過 將發(fā)光裝置設(shè)定為上述的構(gòu)成，即，即使限制發(fā)光區(qū)域，也可以控制光束的降低，而且可實(shí) 現(xiàn)降低了顏色不勻的高亮度的發(fā)光。這不僅有通過密封構(gòu)件得到的光遮斷的效果，而且還 有板狀的光透射構(gòu)件本身可抑制波長變換量的不均勻分布、有效地避免顏色不勻的發(fā)生的 效果的協(xié)同效果。另外，對于在具有波長變換功能的一個(gè)光透射構(gòu)件上搭載多個(gè)發(fā)光元件 的情況，由于在各發(fā)光元件的正上方附近亮度高，隨著從發(fā)光元件離開亮度下降，因此有在 發(fā)光面內(nèi)產(chǎn)生亮度不勻或顏色不勻的傾向，但根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)成，可降低這樣的亮度不勻 或顏色不勻，得到在發(fā)光面內(nèi)大致均勻的高亮度的發(fā)光。另外，通過在光透射構(gòu)件15的安 裝后使密封構(gòu)件26成形的制造手段，可不依賴于光透射構(gòu)件15的容量，保持其側(cè)面?zhèn)扰c密 封構(gòu)件26的密著性，因此可以提高內(nèi)在的發(fā)光元件的密封環(huán)境，制成壽命特性優(yōu)越的發(fā)光 裝置。另外，這些在如實(shí)施例1那樣在發(fā)光元件的周圍填充有密封構(gòu)件、通過密封構(gòu)件被覆 發(fā)光元件表面的情況下也相同。實(shí)施例3進(jìn)而，對構(gòu)成光透射構(gòu)件的構(gòu)件不同時(shí)的耐熱性進(jìn)行比較研究。實(shí)施例3的發(fā)光裝置是與實(shí)施例1同樣的發(fā)光裝置，即，光透射構(gòu)件15由無機(jī)材料構(gòu)成，具體而言，是YAG 的燒結(jié)體。另一方面，在比較例2的發(fā)光裝置中，光透射構(gòu)件15含有有機(jī)材料，是在聚硅 氧烷樹脂混合有YAG的樹脂的薄片。樹脂的薄片的膜厚是100 150 μ m左右。實(shí)施例3 與比較例2的發(fā)光裝置除了僅是光透射構(gòu)件的構(gòu)成材料在上述點(diǎn)上不同以外，對于其它要 素，與實(shí)施例1的發(fā)光裝置相同。
對于分別搭載有上述的YAG燒結(jié)體或由樹脂薄片形成的光透射構(gòu)件的實(shí)施例3或 比較例2的發(fā)光裝置，為了調(diào)查其耐熱性，以700mA導(dǎo)通各發(fā)光裝置，在85°C的環(huán)境下進(jìn)行 1000小時(shí)的連續(xù)點(diǎn)燈。將伴隨時(shí)間經(jīng)過的輸出變化的曲線圖示于圖11，另外，將同樣地伴 隨時(shí)間經(jīng)過的色度值(ΦΥ)的變化的曲線圖示于圖12。根據(jù)圖11，在搭載有YAG燒結(jié)體的 實(shí)施例3的發(fā)光裝置中，伴隨時(shí)間經(jīng)過，輸出有上升的傾向，之后持續(xù)維持上升的輸出，在 經(jīng)過1000小時(shí)后，與觀測開始時(shí)相比，成為5%的輸出增加。另一方面，在采用樹脂薄片的 比較例2的發(fā)光裝置中，從觀測剛開始后，輸出大幅下降，然后輸出沒有恢復(fù)至初期值，在 經(jīng)過1000小時(shí)后，與剛開始后相比，成為20%以上的大幅度的降低率。另外，對于色度值(ΦΥ)，在實(shí)施例3的搭載有YAG燒結(jié)體的發(fā)光裝置中，如圖12 所示，在調(diào)查剛開始后雖微幅上升，但其上升幅度小。另外，伴隨著時(shí)間的經(jīng)過，色度值的波 動(dòng)少而穩(wěn)定，在經(jīng)過1000小時(shí)后，與初期值相比，停留在0. 003的增加。另一方面，在比較 例2的采用樹脂薄片的發(fā)光裝置中，色度值(ΦΥ)在剛開始之后大幅度上升。之后伴隨時(shí) 間的經(jīng)過而下降。最終，與初期值相比，成為0.01的上升幅度，但途中的變動(dòng)率大，色度不 穩(wěn)定。進(jìn)而，圖13表示耐熱性試驗(yàn)前的實(shí)施例3及比較例2的發(fā)光裝置的狀態(tài)，圖14表 示上述條件的耐熱性實(shí)驗(yàn)的經(jīng)過1000小時(shí)后的比較例2的發(fā)光裝置的狀態(tài)。各圖均為表 示光透射構(gòu)件15周邊的概略俯視圖。如圖14所示，比較例2的作為光透射構(gòu)件15的樹脂 薄片的剝離嚴(yán)重，容易辨識到薄片的一部分缺損成塊狀這種程度的大的損傷(光透射構(gòu)件 的缺損部16)。另外，混煉在樹脂中的YAG熒光體有大幅度不均勻分布，進(jìn)而產(chǎn)生從被覆構(gòu) 件26延伸至光透射構(gòu)件15的龜裂。另一方面，在實(shí)施例3的發(fā)光裝置中，即使在耐熱性實(shí) 驗(yàn)后，圖13所示的燒結(jié)體的光透射構(gòu)件15的形狀也無變化，而且YAG熒光體沒有不均勻分 布而均勻地分散。這樣，可以認(rèn)為，即使被覆構(gòu)件26的被覆形態(tài)相同，通過樹脂的薄片與燒 結(jié)體的不同，光透射構(gòu)件的放熱性或熱應(yīng)力也不同。從以上可確認(rèn)YAG燒結(jié)體相對于樹脂 薄片的優(yōu)越性。本發(fā)明的發(fā)光裝置及其制造方法可適當(dāng)?shù)乩糜谡彰饔霉庠?，LED顯示器、背光光 源、信號機(jī)、照明式開關(guān)、各種傳感器及各種指示器等。
權(quán)利要求
一種發(fā)光裝置，其特征在于，是具有發(fā)光元件、被射入從該發(fā)光元件所射出的光的光透射構(gòu)件、和被覆構(gòu)件的發(fā)光裝置，所述光透射構(gòu)件是具備露出于外部的發(fā)光面、和從該發(fā)光面連續(xù)的側(cè)面的無機(jī)材料的光變換構(gòu)件，所述被覆構(gòu)件含有光反射性材料，至少被覆所述光透射構(gòu)件的側(cè)面。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述被覆構(gòu)件包圍所述發(fā)光元件。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其中，所述光透射構(gòu)件是板狀，具有與所述發(fā)光面對 置的受光面，所述發(fā)光元件接合于所述受光面。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件以倒裝芯片的方式安裝于所述 安裝基板上。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中，所述被覆構(gòu)件被覆所述發(fā)光元件。
6.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中，在從所述發(fā)光面?zhèn)鹊母┮曋校霭l(fā)光元件內(nèi) 包于所述光透射構(gòu)件中。
7.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其中，多個(gè)發(fā)光元件光學(xué)性地連接在一個(gè)光透射構(gòu) 件上。
8.一種發(fā)光裝置，其特征在于，是具有發(fā)光元件、包圍該發(fā)光元件的被覆構(gòu)件、和光透 射構(gòu)件的發(fā)光裝置，所述光透射構(gòu)件是具備露出于外部的發(fā)光面、從該發(fā)光面連續(xù)的側(cè)面、和與所述發(fā)光 面對置的受光面的由無機(jī)材料形成的板狀的光變換構(gòu)件，在所述光透射構(gòu)件的受光面上接合有多個(gè)所述發(fā)光元件，從該發(fā)光元件各自射入光，所述被覆構(gòu)件含有光反射性材料，至少被覆所述光透射構(gòu)件的側(cè)面。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件各自以倒裝芯片的方式安裝于 安裝基板上。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，所述被覆構(gòu)件各自被覆所述發(fā)光元件。
11.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件經(jīng)由空隙與所述被覆構(gòu)件各自 分隔。
12.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，在該發(fā)光裝置的所述發(fā)光面?zhèn)?，所述被覆?gòu) 件具備與所述發(fā)光面為大致同一面的暴露面。
13.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，在從所述發(fā)光面?zhèn)鹊母┮曋?，所述發(fā)光元件 內(nèi)包于所述光透射構(gòu)件中。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其中，在所述光透射構(gòu)件的受光面，設(shè)置有接合所 述發(fā)光元件的接合區(qū)域、和被所述被覆構(gòu)件被覆的被覆區(qū)域。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件相互分隔，在所述光透射構(gòu)件的受光面中，在所述接合區(qū)域之間設(shè)置有 分隔區(qū)域，將所述被覆區(qū)域設(shè)置于所述分隔區(qū)域。
16.如權(quán)利要求14或15所述的發(fā)光裝置，其中，所述光透射構(gòu)件具有相比所述發(fā)光元件更向外突出的突出區(qū)域，在所述受光面的突出區(qū)域設(shè)置有所述被覆區(qū)域。
17.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，所述被覆構(gòu)件在透光性樹脂中含有選自由 Ti、Zr、Nb、Al組成的組中的至少一種氧化物的所述光反射性材料。
18.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，所述被覆構(gòu)件是由選自由A1203、A1N、MgF、 TiO2、&02、Nb205、SiO2組成的組中的至少一種的所述光反射性材料所構(gòu)成的多孔質(zhì)體。
19.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，所述光變換構(gòu)件含有熒光體，可對從所述發(fā) 光元件發(fā)出的光的至少一部分進(jìn)行波長變換。
20.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光裝置，其中，所述光變換構(gòu)件是無機(jī)物與所述熒光體的 燒結(jié)體。
21.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光裝置，其中，所述無機(jī)物是氧化鋁即Al2O3，所述熒光體是 YAG 即 Y3Al5O1215
22.一種發(fā)光裝置的制造方法，其是具有發(fā)光元件、被射入從該發(fā)光元件所射出的光的 光透射構(gòu)件、和被覆構(gòu)件的發(fā)光裝置的制造方法；其特征在于，具有下述工序?qū)⑺霭l(fā)光元件安裝于配線基板、并使該發(fā)光元件與該配線基板電連接的第1工序，將與所述發(fā)光元件的安裝側(cè)對置的出光側(cè)的至少一部分與所述光透射構(gòu)件光學(xué)性地 連接的第2工序，和用所述被覆構(gòu)件被覆構(gòu)成所述光透射構(gòu)件的厚度的側(cè)面，以該被覆構(gòu)件的外表面沿 著所述光透射構(gòu)件的外表面的方式對該被覆構(gòu)件進(jìn)行成形的第3工序。
全文摘要
本發(fā)明提供可實(shí)現(xiàn)降低了顏色不勻的高亮度發(fā)光的發(fā)光裝置及其制造方法。本發(fā)明的發(fā)光裝置具有發(fā)光元件、被射入從該發(fā)光元件所射出的光的光透射構(gòu)件、和被覆構(gòu)件，其中，光透射構(gòu)件是具備露出于外部的發(fā)光面、和從該發(fā)光面連續(xù)的側(cè)面的無機(jī)材料的光變換構(gòu)件。并且，被覆構(gòu)件含有光反射性材料，至少被覆光透射構(gòu)件的側(cè)面。由此，實(shí)質(zhì)上可只將發(fā)光面作為發(fā)光裝置中的光的發(fā)出區(qū)域。即，可實(shí)現(xiàn)指向性及亮度優(yōu)越的發(fā)出光，進(jìn)而對發(fā)出光的光學(xué)控制變?yōu)槿菀?，提高了將各發(fā)光裝置作為單元光的2次利用性。
文檔編號H01L33/54GK101878540SQ20088011817
公開日2010年11月3日 申請日期2008年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月29日
發(fā)明者佐野雅彥, 湊俊介 申請人:日亞化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社