專(zhuān)利名稱(chēng)：基板處理裝置以及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于對(duì)基板實(shí)施處理的基板處理裝置以及基板處理方法。
背景技術(shù)：
為了在半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、光盤(pán) 用基板、磁盤(pán)用基板、光磁盤(pán)用基板、光掩模用基板等的各種基板上實(shí)施各 種處理而使用基板處理裝置。
在這樣的基板處理裝置中， 一般對(duì)一張基板連續(xù)實(shí)施多個(gè)不同的處理。
日本特開(kāi)2003-324139號(hào)公報(bào)中記載的基板處理裝置包括分度器區(qū)、防反射 膜用處理區(qū)、抗蝕膜用處理區(qū)、顯影處理區(qū)以及接口區(qū)。以與接口區(qū)相鄰的 方式配置有與基板處理裝置獨(dú)立的作為外部裝置的曝光裝置。
在上述基板處理裝置中，從分度器區(qū)搬入的基板在防反射膜用處理區(qū)以 及抗蝕膜用處理區(qū)中實(shí)施防反射膜的形成以及抗蝕膜的涂布處理后，經(jīng)由接 口區(qū)搬送至曝光裝置。在曝光裝置中，對(duì)基板上的抗蝕膜實(shí)施曝光處理后， 基板經(jīng)由接口區(qū)搬送至顯影處理區(qū)。通過(guò)在顯影處理區(qū)對(duì)基板上的抗蝕膜實(shí) 施顯影處理而形成抗蝕圖案后，基板被搬送至分度器區(qū)。
近年來(lái)，隨著器件的高密度化以及高集成化，抗蝕圖案的細(xì)微化成為了 重要的課題。在以往一般的曝光裝置中，通過(guò)投影透鏡將標(biāo)線的圖案縮小投 影在基板上來(lái)實(shí)施曝光處理。但是，在這樣的以往曝光裝置中，由于曝光圖 案的線寬取決于曝光裝置的光源的波長(zhǎng)，所以限制了抗蝕圖案的細(xì)微化。
于是，作為可以進(jìn)一步細(xì)微化曝光圖案的投影曝光方法而提出了浸液法 (例如參考國(guó)際公開(kāi)第99/49504號(hào)手冊(cè))。在專(zhuān)利文獻(xiàn)2的投影曝光裝置中， 在投影光學(xué)系統(tǒng)和基板之間充滿(mǎn)液體，可以縮短基板表面的曝光光的波長(zhǎng)。 由此，可以進(jìn)一步細(xì)微化曝光圖案。
但是，在上述國(guó)際公開(kāi)第99/49504號(hào)手冊(cè)公開(kāi)的投影曝光裝置中，在基板與液體接觸的狀態(tài)下實(shí)施曝光處理，所以在基板上附著有液體的狀態(tài)下， 從曝光裝置搬出基板。因此，在上述特開(kāi)2003-324139號(hào)公報(bào)的基板處理裝
置上，作為外部裝置而設(shè)置采用上述國(guó)際公開(kāi)第99/49504號(hào)手冊(cè)記載的浸液 法的曝光裝置的情況下，有可能附著在從曝光裝置搬出的基板上的液體落到 基板處理裝置內(nèi)，而產(chǎn)生基板處理裝置的電氣系統(tǒng)異常等的動(dòng)作不良。
另外，若在曝光處理后的基板上附著有液體，則有時(shí)該基板上容易附著 塵埃等，并且，附著在基板上的液體對(duì)形成在基板上的膜產(chǎn)生壞影響。由于 這些原因，而有可能在基板上產(chǎn)生處理不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種防止由在曝光裝置中附著在基板上的液體 引起的動(dòng)作不良以及處理不良的基板處理裝置以及基板處理方法。
根據(jù)本發(fā)明某一觀點(diǎn)的基板處理裝置為相鄰于曝光裝置而配置的基板
處理裝置，具有處理部，其用于對(duì)基板進(jìn)行處理；交接部，其用于在處理 部和曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接；處理部和交接部中的至少一個(gè)包括進(jìn)行 基板的干燥處理的干燥處理單元，干燥處理單元包括基板保持裝置，其將 基板保持為近似水平；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由基板保持裝置保持的基板圍繞 垂直于該基板的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；沖洗液供給部，其向由基板保持裝置保持的基 板上供給沖洗液；沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使沖洗液供給部移動(dòng)，以便從旋 轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置使基板的旋轉(zhuǎn) 速度階段性地或者連續(xù)性地變化，使得在向基板的中心部供給沖洗液的狀態(tài) 下，使基板以第一旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，在向基板的周邊部供給沖洗液的狀態(tài)下， 使基板以低于第一旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。
在該基板處理裝置中，通過(guò)處理部對(duì)基板實(shí)施規(guī)定的處理，通過(guò)交接部 將該基板從處理部被交接到曝光裝置。通過(guò)曝光裝置對(duì)基板實(shí)施曝光處理 后，該基板通過(guò)交接部從曝光裝置被交接到處理部。在通過(guò)曝光裝置進(jìn)行曝 光處理前或者曝光處理后，通過(guò)干燥處理單元進(jìn)行基板的干燥處理。
在干燥處理單元中，基板在被基板保持裝置近似水平地保持的狀態(tài)下， 通過(guò)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。然后，沖洗液供給部一邊向基板供給沖洗液一 邊通過(guò)沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行移動(dòng)。由此，能夠從基板的中心部開(kāi)始向周 邊部連續(xù)地供給沖洗液。
通過(guò)向旋轉(zhuǎn)的基板的中心部供給沖洗液，而能夠在基板上形成沖洗液的
液層。接著，基板上的沖洗液的供給位置從基板的中心部向周邊部移動(dòng)。由 此，在液層的中心部形成沒(méi)有沖洗液的干燥區(qū)域。然后，在基板上環(huán)狀的液 層被一體保持的狀態(tài)下，通過(guò)離心力，干燥區(qū)域從液層的中心部向外側(cè)擴(kuò)大。 此時(shí)，通過(guò)液層的表面張力，能夠防止在干燥區(qū)域內(nèi)形成微小液滴。
在此，基板周邊部的圓周速度大于基板中心部的圓周速度。因此，供給 到基板周邊部的沖洗液比供給到基板中心部的沖洗液更容易飛散。于是，在 向基板中心部供給沖洗液的狀態(tài)下，使基板以第一旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，向基板周 邊部供給沖洗液的狀態(tài)下，使基板以低于第一旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度旋 轉(zhuǎn)。此時(shí)，能夠防止供給到基板周邊部的沖洗液飛散。因此，能夠防止飛散 的沖洗液再次附著到基板的干燥區(qū)域內(nèi)，能夠可靠地防止基板上殘留微小液 滴。
在對(duì)曝光處理后的基板進(jìn)行這種干燥處理的情況下，即使在曝光裝置內(nèi) 基板上附著有液體，也能夠防止該液體落到基板處理裝置內(nèi)。其結(jié)果是，能 夠防止基板處理裝置的動(dòng)作不良。
另外，能夠防止殘留在基板上的液體上附著環(huán)境中的塵埃等。進(jìn)一步， 能夠防止殘留在基板上的液體對(duì)基板上的膜造成壞影響。因此，能夠防止基 板的處理不良。
另一方面，在對(duì)曝光處理前的基板進(jìn)行干燥處理的情況下，通過(guò)在基板 上形成液層，而能夠在曝光處理前除掉在曝光處理前的工序中附著在基板上 的塵埃等。其結(jié)果是，能夠防止曝光裝置內(nèi)的污染，能夠防止基板的處理不 良。
根據(jù)本發(fā)明另一觀點(diǎn)的基板處理裝置是相鄰于曝光裝置而配置的基板 處理裝置，具有處理部，其用于對(duì)基板進(jìn)行處理；交接部，其用于在處理 部和曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接；處理部和交接部中的至少一個(gè)包括進(jìn)行 基板的干燥處理的干燥處理單元，干燥處理單元包括基板保持裝置，其將 基板保持為近似水平；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由基板保持裝置保持的基板圍繞 垂直于該基板的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；沖洗液供給部，其向由基板保持裝置保持的基 板上供給沖洗液；沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使沖洗液供給部移動(dòng)，以便從旋 轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液；沖洗液供給部使沖洗液的流 量階段性地或者連續(xù)性地變化，使得以第一流量向基板的中心部供給沖洗
液，以比第一流量少的第二流量向基板的周邊部供給沖洗液。
在該基板處理裝置中，通過(guò)處理部對(duì)基板實(shí)施規(guī)定的處理，通過(guò)交接部 將該基板從處理部交接到曝光裝置。通過(guò)曝光裝置對(duì)基板實(shí)施曝光處理后， 該基板通過(guò)交接部從曝光裝置交接到處理部。在通過(guò)曝光裝置的曝光處理前 或者曝光處理后，通過(guò)干燥處理單元實(shí)施基板的干燥處理。
在干燥處理單元中，基板在被基板保持裝置近似水平地保持的狀態(tài)下通 過(guò)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。然后，沖洗液供給部一邊向基板供給沖洗液，一 邊通過(guò)沖洗液移動(dòng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行移動(dòng)。由此，能夠從基板中心部開(kāi)始向周邊部連 續(xù)地供給沖洗液。
通過(guò)向旋轉(zhuǎn)的基板中心部供給沖洗液，而能夠在基板上形成沖洗液的液 層。接著，基板上的沖洗液的供給位置從基板中心部向周邊部移動(dòng)。由此， 在液層的中心部形成沒(méi)有沖洗液的干燥區(qū)域。然后，在基板上環(huán)狀的液層被 一體保持的狀態(tài)下，通過(guò)離心力，干燥區(qū)域從液層的中心部向外側(cè)擴(kuò)大。此 時(shí)，通過(guò)液層的表面張力，能夠防止在干燥區(qū)域內(nèi)形成微小液滴。
另外，向基板中心部以第一流量供給沖洗液，向基板周邊部以少于第一 流量的第二流量供給沖洗液。由此，能夠防止供應(yīng)到基板周邊部上的沖洗液 飛散。因此，能夠防止飛散的沖洗液再次附著到基板的干燥區(qū)域內(nèi)，能夠可 靠地防止基板上殘留微小液滴。
在對(duì)曝光處理后的基板進(jìn)行這種干燥處理的情況下，即使在曝光裝置內(nèi) 在基板上附著有液體，也能夠防止該液體落到基板處理裝置內(nèi)。其結(jié)果能夠 防止基板處理裝置的動(dòng)作不良。
另外，能夠防止殘留在基板上的液體上附著環(huán)境中的塵埃等。進(jìn)一步， 能夠防止殘留在基板上的液體對(duì)基板上的膜造成壞影響。因此，能夠防止基 板的處理不良。
另一方面，在對(duì)曝光處理前的基板進(jìn)行干燥處理的情況下，通過(guò)在基板 上形成液層，而能夠在曝光處理前除掉在曝光處理前的工序中附著在基板上 的塵埃等。其結(jié)果是，能夠防止曝光裝置內(nèi)的污染，能夠防止基板的處理不良。
根據(jù)本發(fā)明又一觀點(diǎn)的基板處理裝置為相鄰于曝光裝置而配置的基板 處理裝置，具有處理部，其用于對(duì)基板進(jìn)行處理；交接部，其用于在處理
部和曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接；處理部和交接部中的至少一個(gè)包括進(jìn)行 基板的干燥處理的干燥處理單元，干燥處理單元包括基板保持裝置，其將 基板保持為近似水平；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由基板保持裝置保持的基板圍繞 垂直于該基板的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；沖洗液供給部，其向由基板保持裝置保持的基 板上供給沖洗液；沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使沖洗液供給部移動(dòng)，以便從旋 轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液；沖洗液供給部使沖洗液的供 給壓階段性地或者連續(xù)性地變化，以便以第一供給壓向基板的中心部供給沖 洗液，以低于第一供給壓的第二供給壓向基板的周邊部供給沖洗液。
在該基板處理裝置中，通過(guò)處理部對(duì)基板實(shí)施規(guī)定的處理，通過(guò)交接部 將該基板從處理部交接到曝光裝置。通過(guò)曝光裝置對(duì)基板實(shí)施曝光處理后， 該基板通過(guò)交接部從曝光裝置被交接到處理部。在通過(guò)曝光裝置的曝光處理 前或者曝光處理后，通過(guò)干燥處理單元實(shí)施基板的干燥處理。
在干燥處理單元中，基板在被基板保持裝置近似水平地保持的狀態(tài)下通 過(guò)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置旋轉(zhuǎn)。然后，沖洗液供給部一邊向基板供給沖洗液， 一邊通 過(guò)沖洗液移動(dòng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行移動(dòng)。由此，能夠從基板中心部開(kāi)始向周邊部連續(xù)地 供給沖洗液。
通過(guò)向旋轉(zhuǎn)的基板中心部供給沖洗液，而能夠在基板上形成沖洗液的液 層。接著，基板上的沖洗液的供給位置從基板中心部向周邊部移動(dòng)。由此， 在液層的中心部形成沒(méi)有沖洗液的干燥區(qū)域。然后，在基板上環(huán)狀的液層被 一體保持的狀態(tài)下，通過(guò)離心力，干燥區(qū)域從液層的中心部向外側(cè)擴(kuò)大。此 時(shí)，通過(guò)液層的表面張力，能夠防止在干燥區(qū)域內(nèi)形成微小液滴。
在此，向基板中心部以第一供給壓供給沖洗液，而向基板周邊部以低于 第一供給壓的第二供給壓供給沖洗液。因此，能夠防止供應(yīng)到基板周邊部上 的沖洗液飛散。因此，能夠防止飛散的沖洗液再次附著到基板的干燥區(qū)域內(nèi)， 能夠可靠地防止在基板上殘留微小液滴。
在對(duì)曝光處理后的基板上進(jìn)行這種干燥處理的情況下，即使在曝光裝置 內(nèi)在基板上附著有液體，也能夠防止該液體落到基板處理裝置內(nèi)。其結(jié)果是， 能夠防止基板處理裝置的動(dòng)作不良。
另外，能夠防止殘留在基板上的液體上附著環(huán)境中的塵埃等。進(jìn)一步， 能夠防止殘留在基板上的液體對(duì)基板上的膜造成壞影響。因此，能夠防止基
板的處理不良。
另一方面，在對(duì)曝光處理前的基板進(jìn)行干燥處理的情況下，通過(guò)在基板 上形成液層，而能夠在曝光處理前除掉在曝光處理前的工序中附著在基板上 的塵埃等。其結(jié)果是，能夠防止曝光裝置內(nèi)的污染，能夠防止基板的處理不 良。
沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)在向遠(yuǎn)離基板中心部規(guī)定距離的位置上供給沖洗 液的狀態(tài)下，暫時(shí)停止沖洗液供給部的移動(dòng)也可。
此時(shí)，能夠防止基板上的液層被分割成多個(gè)部分，能夠從液層的中心部 開(kāi)始可靠地?cái)U(kuò)大一個(gè)干燥區(qū)域。由此，能夠穩(wěn)定地進(jìn)行基板的干燥，并且， 能夠更可靠地防止在基板上形成微小液滴。
干燥處理單元可以還包括氣體供給部，該氣體供給部在通過(guò)沖洗液供給 部向基板的從中心離開(kāi)的位置處供給沖洗液的狀態(tài)下，向基板中心部吹出氣 體。
此時(shí)，在基板上的液層形成干燥區(qū)域后，馬上通過(guò)氣體供給部向基板中 心部吹出氣體，由此能夠在瞬間擴(kuò)大該干燥區(qū)域。由此，能夠防止基板上的 液層被分割成多個(gè)部分。因此，能夠穩(wěn)定地進(jìn)行基板的干燥，并且，能夠更 可靠地防止在基板上形成微小液滴。
干燥處理單元可以還包括氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，該氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)使氣 體供給部移動(dòng)，使得基板上的氣體的供給位置處于比由沖洗液供給部供給沖 洗液的供給位置更接近基板中心部的位置，而從基板的中心部向基板的周邊 部移動(dòng)。
此時(shí)，由于向基板上的干燥區(qū)域吹出氣體，所以能夠更可靠地防止在干 燥區(qū)域內(nèi)的微小液滴的殘留。另外，由于能夠可靠地?cái)U(kuò)大干燥區(qū)域，所以可 以有效且可靠地干燥基板。
處理部可以還包括感光膜形成單元，其在曝光處理前的基板上形成由 感光材料構(gòu)成的感光膜；顯影處理單元，其對(duì)曝光處理后的基板進(jìn)行顯影處 理，干燥處理單元在通過(guò)曝光裝置進(jìn)行曝光后處理后且通過(guò)顯影處理單元進(jìn) 行顯影處理前，進(jìn)行基板的干燥處理。
此時(shí)，在對(duì)基板實(shí)施曝光處理后到實(shí)施顯影處理的期間，能夠防止感光 膜上殘留液體。由此，能夠防止在曝光處理后的感光膜上進(jìn)行的反應(yīng)受到殘
留液體的阻礙。另外，能夠防止由殘留液體引起的曝光圖案的變形。因此， 能夠可靠地防止顯影處理時(shí)的線寬精度下降等的處理不良。
根據(jù)本發(fā)明又一觀點(diǎn)的基板處理方法，在基板處理裝置中處理基板，該 基板處理裝置相鄰于曝光裝置而配置，并且包含有處理部和交接部，該基板 處理方法包括通過(guò)處理部對(duì)基板進(jìn)行曝光前的處理的工序；通過(guò)交接部將 由處理部處理過(guò)的基板從處理部交接到曝光裝置的工序；通過(guò)交接部將由曝 光裝置進(jìn)行曝光處理后的基板從曝光裝置交接到處理部的工序；通過(guò)處理部 對(duì)基板進(jìn)行曝光處理后的處理的工序；在處理部和交接部中的至少一個(gè)中對(duì) 基板進(jìn)行干燥處理的工序；對(duì)基板進(jìn)行干燥處理的工序包括將基板保持為 近似水平并使基板圍繞垂直于基板的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的工序；從旋轉(zhuǎn)的基板的中 心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液的工序；在使基板進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的工序中，使基 板的旋轉(zhuǎn)速度階段性地或者連續(xù)性地變化，使得在向基板的中心部供給沖洗 液的期間，以第一旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)基板，在向基板的周邊部供給沖洗液的期間， 以低于第一旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)基板。
在該基板的處理方法中，通過(guò)處理部對(duì)基板實(shí)施曝光處理前的處理，通 過(guò)交接部將該基板從處理部交接到曝光裝置。通過(guò)曝光裝置對(duì)基板實(shí)施曝光 處理后，該基板通過(guò)交接部從曝光裝置被交接到處理部，對(duì)該基板實(shí)施曝光 處理后的處理。在通過(guò)曝光裝置曝光處理前或者曝光處理后，在處理部以及 交接部的至少一個(gè)中，通過(guò)干燥處理單元對(duì)基板實(shí)施干燥處理。
在干燥處理時(shí)，基板在保持為近似水平的狀態(tài)下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。然后，從旋 轉(zhuǎn)的基板的中心部開(kāi)始向周邊部連續(xù)地供給沖洗液。通過(guò)向旋轉(zhuǎn)的基板中心 部供給沖洗液，而在基板上形成沖洗液的液層。接著，在基板上的沖洗液的 供給位置從基板中心部開(kāi)始向周邊部移動(dòng)。由此，液層的中心部上形成沒(méi)有 沖洗液的干燥區(qū)域。然后，在基板上環(huán)狀液層被一體地保持的狀態(tài)下，通過(guò) 離心力，干燥區(qū)域從液層的中心部向外側(cè)擴(kuò)大。此時(shí)，通過(guò)液層的表面張力， 能夠防止在干燥區(qū)域內(nèi)形成微小液滴。
另外，在向基板中心部供給沖洗液的狀態(tài)下，基板以第一旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)， 在向基板周邊部供給沖洗液的狀態(tài)下，基板以低于第一旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn) 速度旋轉(zhuǎn)。由此，能夠防止供給到基板周邊部的沖洗液飛散。由此，能夠防 止飛散了的沖洗液再次附著到基板的干燥區(qū)域內(nèi)，能夠可靠地防止基板上殘
留微小液滴。
在對(duì)曝光處理后的基板上實(shí)施這樣的干燥處理的情況下，即使在曝光裝 置中基板上附著有液體，也能夠防止該液體落到基板處理裝置內(nèi)。其結(jié)果是， 能夠防止基板處理裝置的動(dòng)作不良。
另外，能夠防止殘留在基板上的液體上附著環(huán)境中的塵埃等。進(jìn)一步， 能夠防止殘留在基板上的液體對(duì)基板上的膜造成壞影響。因此，能夠防止基 板的處理不良。
另一方面，在對(duì)曝光處理前的基板進(jìn)行干燥處理的情況下，通過(guò)在基板 上形成液層，而能夠在曝光處理前除掉在曝光處理前的工序中附著在基板上 的塵埃等。其結(jié)果是，能夠防止曝光裝置內(nèi)的污染，能夠防止基板的處理不 良。
根據(jù)本發(fā)明又一觀點(diǎn)的基板處理方法，在基板處理裝置中處理基板，該 基板處理裝置相鄰于曝光裝置而配置，并且包含有處理部和交接部，該基板 處理方法包括通過(guò)處理部對(duì)基板進(jìn)行曝光前的處理的工序；通過(guò)交接部將 由處理部處理過(guò)的基板從處理部交接到曝光裝置的工序；通過(guò)交接部將由曝 光裝置曝光處理后的基板從曝光裝置交接到處理部的工序；通過(guò)處理部對(duì)基 板進(jìn)行曝光處理后的處理的工序；在處理部和交接部中的至少一個(gè)中對(duì)基板 進(jìn)行干燥處理的工序；對(duì)基板進(jìn)行千燥處理的工序包括將基板保持為近似 水平并使基板圍繞垂直于基板的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的工序；從旋轉(zhuǎn)的基板的中心部 向周邊部連續(xù)地供給沖洗液的工序；在供給沖洗液的工序中，使沖洗液的流 量階段性地或者連續(xù)性地變化，使得向基板的中心部以第一流量供給沖洗 液，向基板的周邊部以比第一流量少的第二流量供給沖洗液。
在該基板的處理方法中，通過(guò)處理部對(duì)基板進(jìn)行曝光處理前的處理，通 過(guò)交接部將該基板從處理部交接到曝光裝置。通過(guò)曝光裝置對(duì)基板實(shí)施曝光 處理后，該基板通過(guò)交接部從曝光裝置被交接到處理部，對(duì)該基板進(jìn)行曝光 處理后的處理。在通過(guò)曝光裝置曝光處理前或者曝光處理后，在處理部以及 交接部的至少一個(gè)中，通過(guò)干燥處理單元對(duì)基板實(shí)施干燥處理。
在干燥處理時(shí)，基板在保持為近似水平狀態(tài)下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。然后，從旋轉(zhuǎn) 的基板的中心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液。通過(guò)向旋轉(zhuǎn)的基板中心部供給 沖洗液，而在基板上形成沖洗液的液層。接著，在基板上的沖洗液的供給位
置從基板中心部向周邊部移動(dòng)。由此，液層的中心部上形成沒(méi)有沖洗液的干 燥區(qū)域。然后，在基板上環(huán)狀液層被一體地保持的狀態(tài)下，通過(guò)離心力，干 燥區(qū)域從液層的中心部向外側(cè)擴(kuò)大。此時(shí)，通過(guò)液層的表面張力，能夠防止 在干燥區(qū)域內(nèi)形成微小液滴。
另外，向基板中心部以第一流量供給沖洗液的狀態(tài)下，向基板周邊部以 少于第一流量的第二流量供給沖洗液。由此，能夠防止供給到基板周邊部的 沖洗液飛散。因此能夠防止飛散了的沖洗液再次附著到基板的干燥區(qū)域內(nèi)， 能夠可靠地防止基板上殘留微小液滴。
在對(duì)曝光處理后的基板上實(shí)施這樣的干燥處理的情況下，即使在曝光裝 置中基板上附著有液體，也能夠防止該液體落到基板處理裝置內(nèi)。其結(jié)果是， 能夠防止基板處理裝置的動(dòng)作不良。
另外，能夠防止殘留在基板上的液體上附著環(huán)境中的塵埃等。進(jìn)一步， 能夠防止殘留在基板上的液體對(duì)基板上的膜造成壞影響。因此，能夠防止基 板的處理不良。
另一方面，在對(duì)曝光處理前的基板進(jìn)行干燥處理的情況下，通過(guò)在基板 上形成液層，而能夠在曝光處理前除掉在曝光處理前的工序中附著在基板上 的塵埃等。其結(jié)果是，能夠防止曝光裝置內(nèi)的污染，能夠防止基板的處理不 良。
根據(jù)本發(fā)明又一觀點(diǎn)的基板處理方法，在基板處理裝置中處理基板，該 基板處理裝置相鄰于曝光裝置而配置，并且包含有處理部和交接部，其特征 在于，該基板處理方法包括通過(guò)處理部對(duì)基板進(jìn)行曝光前的處理的工序； 通過(guò)交接部將由處理部處理過(guò)的基板從處理部交接到曝光裝置的工序；通過(guò)
交接部將由曝光裝置曝光處理后的基板從曝光裝置交接到處理部的工序；通 過(guò)處理部對(duì)基板進(jìn)行曝光處理后的處理的工序；在處理部和交接部中的至少 一個(gè)中對(duì)基板進(jìn)行干燥處理的工序；對(duì)基板進(jìn)行干燥處理的工序包括將基 板保持為近似水平并使基板圍繞垂直于基板的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的工序；從旋轉(zhuǎn)的 基板的中心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液的工序；在供給沖洗液的工序中， 使沖洗液的供給壓階段性地或者連續(xù)性地變化，使得向基板的中心部以第一 供給壓供給沖洗液，向基板的周邊部以低于第一供給壓的第二供給壓供給沖 洗液。在該基板的處理方法中，通過(guò)處理部對(duì)基板實(shí)施曝光處理前的處理，通 過(guò)交接部將基板從處理部交接到曝光裝置。通過(guò)曝光裝置對(duì)基板實(shí)施曝光處 理后，該基板通過(guò)交接部從曝光裝置被交接到處理部，對(duì)該基板實(shí)施曝光處 理后的處理。在通過(guò)曝光裝置曝光處理前或者曝光處理后，在處理部以及交 接部的至少一個(gè)中，通過(guò)干燥處理單元對(duì)基板實(shí)施干燥處理。
在干燥處理時(shí)，基板在保持為近似水平的狀態(tài)下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。然后，從旋 轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液。通過(guò)向旋轉(zhuǎn)的基板中心部供 給沖洗液，而在基板上形成沖洗液的液層。接著，在基板上的沖洗液的供給 位置從基板中心部向周邊部移動(dòng)。由此，液層的中心部上形成沒(méi)有沖洗液的 干燥區(qū)域。然后，在基板上環(huán)狀液層被一體地保持的狀態(tài)下，通過(guò)離心力， 干燥區(qū)域從液層的中心部向外側(cè)擴(kuò)大。此時(shí)，通過(guò)液層的表面張力，能夠防 止在干燥區(qū)域內(nèi)形成微小液滴。
另外，向基板中心部以第一供給壓供給沖洗液，向基板周邊部以低于第 一供給壓的第二供給壓供給沖洗液。由此，能夠防止供給到基板周邊部的沖 洗液飛散。因此，能夠防止飛散了的沖洗液再次附著到基板的干燥區(qū)域內(nèi)， 能夠可靠地防止基板上殘留微小液滴。
在對(duì)曝光處理后的基板上實(shí)施這樣的干燥處理的情況下，即使在曝光裝 置中基板上附著有液體，也能夠防止該液體落到基板處理裝置內(nèi)。其結(jié)果是， 能夠防止基板處理裝置的動(dòng)作不良。
另外，能夠防止殘留在基板上的液體上附著環(huán)境中的塵埃等。進(jìn)一步， 能夠防止殘留在基板上的液體對(duì)基板上的膜造成壞影響。因此，能夠防止基 板的處理不良。
另一方面，在對(duì)曝光處理前的基板進(jìn)行干燥處理的情況下，通過(guò)在基板 上形成液層，能夠在曝光處理前除掉在曝光處理前的工序中附著在基板上的 塵埃等。其結(jié)果是，能夠防止曝光裝置內(nèi)的污染，能夠防止基板的處理不良。
根據(jù)本發(fā)明，對(duì)通過(guò)曝光裝置曝光處理前或者曝光處理后的基板進(jìn)行干 燥處理。在對(duì)曝光處理后的基板進(jìn)行干燥處理的情況下，即使在曝光裝置中 基板上附著有液體，也能夠防止該液體落到基板處理裝置內(nèi)。
另外，也能夠防止環(huán)境中的塵埃等附著到殘留在基板上的液體上。進(jìn)一 步，也能夠防止基板上殘留的液體對(duì)基板上的膜造成壞影響。因此，能夠防
止基板的處理不良。
一方面，在對(duì)曝光處理前的基板進(jìn)行干燥處理的情況，通過(guò)在基板上形 成液層，而能夠在曝光處理前除掉在曝光處理前的工序中附著在基板上的塵 埃等。其結(jié)果是，能夠防止曝光裝置內(nèi)的污染，能夠防止基板的處理不良。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的基板處理裝置的俯視圖。
圖2是從+X方向觀察圖1的基板處理裝置的概略側(cè)視圖。 圖3是從-X方向觀察圖1的基板處理裝置的概略側(cè)視圖。 圖4是從+Y側(cè)觀察接口區(qū)的概略側(cè)視圖。 圖5是用于說(shuō)明清洗/干燥處理單元的結(jié)構(gòu)的圖。 圖6是圖5的清洗/干燥處理單元的示意性俯視圖。 圖7是用于說(shuō)明基板的干燥處理的詳細(xì)的圖。 圖8是用于說(shuō)明基板的干燥處理的詳細(xì)的圖。 圖9是表示基板的旋轉(zhuǎn)速度的變化之一例的圖。 圖10是顯示清洗/干燥處理單元的其他結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)視圖。 圖11是圖9的清洗/干燥處理單元的示意性俯視圖。 圖12是表示圖10及圖11的清洗/干燥處理單元中的基板的干燥處理的 一部分的圖。
圖13是表示清洗/干燥處理單元的又一結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)視圖。 圖14是顯示清洗/干燥處理單元的又一結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，采用

本發(fā)明實(shí)施方式的基板處理裝置。在以下說(shuō)明中， 基板是指半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、光掩模 用玻璃基板、光盤(pán)用基板、磁盤(pán)用基板、光磁盤(pán)用基板、光掩模用基板等。 (1)基板處理裝置的結(jié)構(gòu)
圖1為本發(fā)明一實(shí)施方式的基板處理裝置的俯視圖。此外，在圖1以及 后述的圖2 圖4中，為了明確位置關(guān)系，添加了表示相互垂直的X方向、 Y方向以及Z方向的箭頭。X方向以及Y方向在水平面內(nèi)相互垂直，Z方向
相當(dāng)于鉛垂方向。此外，在各方向中，箭頭所示方向?yàn)?方向，其相反方向
為-方向。另外，以z方向?yàn)橹行牡男D(zhuǎn)方向?yàn)閑方向。
如圖1所示，基板處理裝置500具有分度器區(qū)9、防反射膜用處理區(qū)10、 抗蝕膜用處理區(qū)11、顯影處理區(qū)12、抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13、抗蝕劑蓋膜 除去區(qū)14以及接口區(qū)15。另外，以與接口區(qū)15相鄰的方式配置有曝光裝置
16。 在曝光裝置16中通過(guò)浸液法對(duì)基板W實(shí)施曝光處理。
以下，將分度器區(qū)9、防反射膜用處理區(qū)IO、抗蝕膜用處理區(qū)ll、顯影 處理區(qū)12、抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13、抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14以及接口區(qū)15 稱(chēng)為處理區(qū)。
分度器區(qū)9包括控制各處理區(qū)的動(dòng)作的主控制器(控制部)30、多個(gè)運(yùn) 送器裝載臺(tái)40以及分度器機(jī)械手IR。分度器機(jī)械手IR上設(shè)置有用于交接基 板W的手部IRH。
防反射膜用處理區(qū)IO包括防反射膜用熱處理部100、 101、防反射膜用 涂布處理部50以及第一中央機(jī)械手CRI。防反射膜用涂布處理部50隔著第 一中央機(jī)械手CRI與防反射膜用熱處理部100、 101對(duì)向設(shè)置。在第一中央 機(jī)械手CRI上，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH1、 CRH2。
在分度器區(qū)9和防反射膜用處理區(qū)10之間，設(shè)置有隔離環(huán)境用的隔壁
17。 在該隔壁17上，上下接近設(shè)置有基板裝載部PASS1、 PASS2，其用于 在分度器區(qū)9和防反射膜用處理部10之間進(jìn)行基板W的交接。在從分度器 區(qū)9向防反射膜用處理區(qū)10搬送基板W之際使用上側(cè)的基板裝載部PASS1, 在從防反射膜用處理區(qū)10向分度器區(qū)9搬送基板W之際使用下側(cè)的基板裝 載部PASS2。
另外，在基板裝載部PASS1、 PASS2上，設(shè)置有檢測(cè)有無(wú)基板W的光 學(xué)式的傳感器(未圖示)。由此可以判斷在基板裝載部PASS1、 PASS2上是 否裝載有基板W。另外，在基板裝載部PASS1、 PASS2上設(shè)置有被固定設(shè) 置的多個(gè)支撐銷(xiāo)。此外，上述光學(xué)式的傳感器以及支撐銷(xiāo)也同樣地設(shè)置在后 述的基板裝載部PASS3 PASS13中。
抗蝕膜用處理區(qū)11包括抗蝕膜用熱處理部110、 111、抗蝕膜用涂布處 理部60以及第二中央機(jī)械手CR2?？刮g膜用涂布處理部60隔著第二中央機(jī) 械手CR2與抗蝕膜用熱處理部110、 lll對(duì)向設(shè)置。在第二中央機(jī)械手CR2
上，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH3、 CRH4。
在防反射膜用處理區(qū)IO和抗蝕膜用處理區(qū)11之間，設(shè)置有隔離環(huán)境用 的隔壁18。在該隔壁18上，上下接近設(shè)置有基板裝載部PASS3、 PASS4， 其用于在防反射膜用處理部10和抗蝕膜用處理區(qū)11之間進(jìn)行基板W的交 接。在從防反射膜用處理區(qū)10向抗蝕膜用處理區(qū)11搬送基板W之際使用 上側(cè)的基板裝載部PASS3，在從抗蝕膜用處理區(qū)11向防反射膜用處理區(qū)10 搬送基板W之際使用下側(cè)的基板裝載部PASS4。
顯影處理區(qū)12包括顯影用熱處理部120、 121、顯影處理部70以及第三 中央機(jī)械手CR3。顯影處理部70隔著第三中央機(jī)械手CR3與顯影用熱處理 部120、 121對(duì)向設(shè)置。在第三中央機(jī)械手CR3上，上下設(shè)置有用于交接基 板W的手部CRH5、 CRH6。
在抗蝕膜用處理區(qū)11和顯影處理區(qū)12之間，設(shè)置有隔離環(huán)境用的隔壁 19。在該隔壁19上，上下接近設(shè)置有基板裝載部PASS5、 PASS6，其用于 在抗蝕膜用處理區(qū)11和顯影處理區(qū)12之間進(jìn)行基板W的交接。在從抗蝕 膜用處理區(qū)11向顯影處理區(qū)12搬送基板W之際使用上側(cè)的基板裝載部 PASS5，在從顯影處理區(qū)12向抗蝕膜用處理區(qū)11搬送基板W之際使用下側(cè) 的基板裝載部PASS6。
抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13包括抗蝕劑蓋膜用熱處理部130、 131、抗蝕劑 蓋膜用涂布處理部80以及第四中央機(jī)械手CR4?？刮g劑蓋膜用涂布處理部 80隔著第四中央機(jī)械手CR4與抗蝕劑蓋膜用熱處理部130、 131對(duì)向設(shè)置。 在第四中央機(jī)械手CR4上，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH7、 CRH8。
在顯影處理區(qū)12和抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13之間，設(shè)置有隔離環(huán)境的隔 壁20。在該隔壁20上，上下接近設(shè)置有基板裝載部PASS7、 PASS8，其用 于在顯影處理區(qū)12和抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13之間進(jìn)行基板W的交接。在 從顯影處理區(qū)12向抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13搬送基板W之際使用上側(cè)的基 板裝載部PASS7，在從抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13向顯影處理區(qū)12搬送基板W 之際使用下側(cè)的基板裝載部PASS8。
抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14包括曝光后烘焙用熱處理部140、 141、抗蝕劑蓋 膜除去用處理部90以及第五中央機(jī)械手CR5。曝光后烘焙用熱處理部141
相鄰于接口區(qū)15，如后所述具有基板裝載部PASSll、 PASS12?？刮g劑蓋 膜除去用處理部卯隔著第五中央機(jī)械手CR5與曝光后烘焙用熱處理部140、 141對(duì)向設(shè)置。在第五中央機(jī)械手CR5上，上下設(shè)置有用于交接基板W的 手部CRH9、 CRHIO。
在抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13和抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14之間，設(shè)置有隔離環(huán) 境用的隔壁21。在該隔壁21上，上下接近設(shè)置有基板裝載部PASS9、PASS10， 其用于在抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13和抗蝕劑蓋膜除去處理區(qū)14之間進(jìn)行基板 W的交接。在從抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13向抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14搬送基板W 之際使用上側(cè)的基板裝載部PASS9，在從抗蝕劑蓋膜除去處理區(qū)14向抗蝕 劑蓋膜用處理區(qū)13搬送基板W之際使用下側(cè)的基板裝載部PASSIO。
接口區(qū)15包括輸送緩沖貯存部SBF、清洗/干燥處理單元SDl、第六中 央機(jī)械手CR6、邊緣曝光部EEW、返回緩沖貯存部RBF、裝載兼冷卻單元 PASS-CP (以下簡(jiǎn)略為P-CP)、基板裝載部PASS13、接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR 以及清洗/干燥處理單元SD2。另外，清洗/干燥處理單元SD1對(duì)曝光處理前 的基板W進(jìn)行清洗以及干燥處理，清洗/干燥處理單元SD2對(duì)曝光處理后的 基板W進(jìn)行清洗以及干燥處理。在后面詳細(xì)描述清洗/干燥處理單元SD1、 SD2。
另外，在第六中央機(jī)械手CR6上，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部 CRHll、 CRH12 (參考圖4)，在接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR上，上下設(shè)置有用于 交接基板W的手部H1、 H2 (參考圖4)。在后面詳細(xì)描述接口區(qū)15。
在本實(shí)施方式的基板處理裝置500中，沿著Y方向，依次并列設(shè)置有分 度器區(qū)9、防反射膜用處理區(qū)10、抗蝕膜用處理區(qū)11、顯影處理區(qū)12、抗 蝕劑蓋膜用處理區(qū)13、抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14以及接口區(qū)15。
圖2是從+X方向觀察圖1的基板處理裝置500的概略側(cè)視圖。圖3是 從-X方向觀察圖1的基板處理裝置500的概略側(cè)視圖。另夕卜，在圖2中主要 表示在基板處理裝置500的+X側(cè)設(shè)置的部件，在圖3中主要表示在基板處 理裝置500的-X側(cè)設(shè)置的部件。
首先，利用圖2說(shuō)明基板處理裝置500的+X側(cè)的結(jié)構(gòu)。如圖2所示， 在防反射膜用處理區(qū)10的防反射膜用涂布處理部50 (參考圖1)上，上下 層疊配置有3個(gè)涂布單元BARC。各涂布單元BARC具有旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)51和供
給噴嘴52，該旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)51以水平姿勢(shì)吸附保持基板W并使其旋轉(zhuǎn)，該供給 噴嘴52向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)51上的基板W供給防反射膜的涂布液。
在抗蝕膜用處理區(qū)11的抗蝕膜用涂布處理部60 (參考圖1)上，上下 層疊設(shè)置有3個(gè)涂布單元RES。各涂布單元RES具有旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)61和供給噴 嘴62，該旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)61以水平姿勢(shì)吸附保持基板W并使其旋轉(zhuǎn)，該供給噴嘴 62向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)61上的基板W供給抗蝕膜的涂布液。
在顯影處理區(qū)12的顯影處理部70上，上下層疊設(shè)置有5個(gè)顯影處理單 元DEV。各顯影處理單元DEV具有旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)71和供給噴嘴72，該旋轉(zhuǎn)卡 盤(pán)71以水平姿勢(shì)吸附保持基板W并使其旋轉(zhuǎn)，該供給噴嘴72向保持在旋 轉(zhuǎn)卡盤(pán)71上的基板W供給顯影液。
在抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13的抗蝕劑蓋膜用涂布處理部80上，上下層疊 設(shè)置有3個(gè)涂布單元COV。各涂布單元COV具有旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)81和供給噴嘴 82，該旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)81以水平姿勢(shì)吸附保持基板W并使其旋轉(zhuǎn)，該供給噴嘴82 向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)81上的基板W供給抗蝕劑蓋膜的涂布液。作為抗蝕劑蓋 膜的涂布液，可以使用與抗蝕劑以及水的親和力低的材料(與抗蝕劑以及水 的反應(yīng)性低的材料)。例如可以使用氟樹(shù)脂。涂布單元COV通過(guò)一邊旋轉(zhuǎn) 基板W —邊向基板W上涂布涂布液，從而在形成于基板W上的抗蝕膜上形 成抗蝕劑蓋膜。
在抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14的抗蝕劑蓋膜除去用處理部90上，上下層疊設(shè) 置有3個(gè)除去單元REM。各除去單元REM具有旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)91和供給噴嘴92， 該旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)91以水平姿勢(shì)吸附保持基板W并使其旋轉(zhuǎn)，該供給噴嘴92向 保持在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)91上的基板W供給剝離液(例如氟樹(shù)脂)。除去單元REM 通過(guò)一邊旋轉(zhuǎn)基板W —邊向基板W涂布剝離液，從而除去形成在基板W上 的抗蝕劑蓋膜。
另外，除去單元REM中的抗蝕劑蓋膜的除去方法并不限于上述例子。 例如，也可以通過(guò)在基板W的上方移動(dòng)狹縫式噴嘴的同時(shí)向基板W供給剝 離液來(lái)除去抗蝕劑蓋膜。
在接口區(qū)15內(nèi)的+X側(cè)，上下層疊設(shè)置有邊緣曝光部EEW以及3個(gè)清 洗/干燥處理單元SD2。各邊緣曝光部EEW具有旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)98和光照射器99， 該旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)98以水平姿勢(shì)吸附保持基板W并使其旋轉(zhuǎn)，該光照射部99曝
光保持在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)98上的基板W的邊緣。
接著，利用圖3說(shuō)明基板處理裝置500的-X側(cè)的結(jié)構(gòu)。如圖3所示，在 防反射膜用處理區(qū)10的防反射膜用熱處理部100、 101上，分別層疊設(shè)置有 兩個(gè)加熱單元(加熱板)HP以及兩個(gè)冷卻單元(冷卻板)CP。另外，在防 反射膜用熱處理部100、 101的最上部分別設(shè)置有控制加熱單元HP以及冷卻 單元CP的溫度的局部控制器LC。
在抗蝕膜用處理區(qū)11的抗蝕膜用熱處理部IOO、 101上，分別層疊設(shè)置 有兩個(gè)加熱單元HP以及兩個(gè)冷卻單元CP。另外，在抗蝕膜用熱處理部100、 101的最上部分別設(shè)置有控制加熱單元HP和冷卻單元CP的溫度的局部控制 器LC。
在顯影處理區(qū)12的顯影用熱處理部120、 121上，分別層疊設(shè)置有兩個(gè) 加熱單元HP以及兩個(gè)冷卻單元CP。另外，在顯影用熱處理部120、 121的 最上部分別設(shè)置有控制加熱單元HP和冷卻單元CP的溫度的局部控制器LC。
在抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13的抗蝕劑蓋膜用熱處理部130、 131上，分別 層疊設(shè)置有兩個(gè)加熱單元HP以及兩個(gè)冷卻單元CP。另外，在抗蝕劑蓋膜用 熱處理部130、 131的最上部設(shè)置有控制加熱單元HP和冷卻單元CP的溫度 的局部控制器LC。
在抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14的曝光后烘焙用熱處理部140上，上下層疊設(shè) 置有兩個(gè)加熱單元HP以及兩個(gè)冷卻單元CP，在曝光后烘焙用熱處理部141 上，上下層疊設(shè)置有兩個(gè)加熱單元HP、兩個(gè)冷卻單元CP以及基板裝載部 PASSll、 PASS12。另夕卜，在曝光后烘焙用熱處理部140、 141的最上部分別 設(shè)置有控制加熱單元HP和冷卻單元CP的溫度的局部控制器LC。
接著，利用圖4詳細(xì)說(shuō)明接口區(qū)15。
圖4是從+Y側(cè)觀察接口區(qū)15的概略側(cè)視圖。如圖4所示，在接口區(qū)15 內(nèi)，在-X側(cè)層疊設(shè)置有輸送緩沖貯存部SBF以及三個(gè)清洗/干燥處理單元 SD1。另外，在接口區(qū)15內(nèi)，在+X側(cè)的上部設(shè)置有邊緣曝光部EEW。
在邊緣曝光部EEW的下方，在接口區(qū)15內(nèi)的大致中央部，上下層疊設(shè) 置有返回緩沖部貯存部RBF、兩個(gè)裝載兼冷卻單元P-CP以及基板裝載部 PASS13。在邊遠(yuǎn)曝光部EEW的下方，在接口區(qū)15內(nèi)的+X側(cè)，上下層疊設(shè) 置有三個(gè)清洗/干燥處理單元SD2。
另外，在接口區(qū)15內(nèi)的下部，設(shè)置有第六中央機(jī)械手CR6以及接口用 搬送機(jī)構(gòu)IFR。中央機(jī)械手CR6在輸送緩沖貯存部SBF和清洗/干燥處理單 元SD1 ，以及邊緣曝光部EEW、返回緩沖Jie存部RBF、裝載兼冷卻單元P-CP 和基板裝載部PASS13之間，可上下移動(dòng)且可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置。接口用搬送機(jī)構(gòu) IFR在返回緩沖貯存部RBF、裝載兼冷卻單元P-CP以及基板裝載部PASS13 和清洗/干燥處理單元SD2之間，可上下移動(dòng)且可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置。 (2)基板處理裝置的動(dòng)作
接著，參考圖1 圖4，說(shuō)明本實(shí)施方式的基板處理裝置500的動(dòng)作。 (2-1)分度器區(qū) 抗蝕劑蓋膜除去區(qū)的動(dòng)作
首先，簡(jiǎn)單說(shuō)明分度器區(qū)9 抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14的動(dòng)作。
在分度器區(qū)9的運(yùn)送器裝載臺(tái)40之上，搬入多級(jí)容納多張基板W的運(yùn) 送器C。分度器機(jī)械手IR使用手部IRH取出容納在運(yùn)送器C內(nèi)的未處理的 基板W。然后，分度器機(jī)械手IR—邊在土X方向上移動(dòng)一邊在士 e方向旋
轉(zhuǎn)移動(dòng)，并將未處理基板W裝載在基板裝載部PASS 1上。
在本實(shí)施例中，作為運(yùn)送器C采用了 FOUP ( (front opening unified pod: 晶元傳送盒))，但并不限于此，也可以使用SMIF (Standard Mechanical Inter Face:標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面晶圓)盒或者將容納基板W曝光在外部空氣中的OC (open cassette: 開(kāi)方文式晶元匣)等。
進(jìn)一步，在分度器機(jī)械手IR、第一~第六中央機(jī)械手CR1 CR6以及接 口用搬送機(jī)構(gòu)IFR，雖然分別使用了相對(duì)于基板W直線滑動(dòng)來(lái)進(jìn)行手部的進(jìn) 退動(dòng)作的直動(dòng)型搬送機(jī)械手，但并不限于此，也可以使用通過(guò)使關(guān)節(jié)動(dòng)作來(lái) 直線地進(jìn)行手部的進(jìn)退動(dòng)作的多關(guān)節(jié)型搬送機(jī)械手。
裝載在基板裝載部PASS1上的未處理基板W被防反射膜用處理區(qū)10 的第一中央機(jī)械手CR1接受。第一中央機(jī)械手CR1將該基板W搬入至防反 射膜用熱處理部100、 101。
然后，第一中央機(jī)械手CRl從防反射膜用熱處理部lOO、 IOI取出經(jīng)熱 處理的基板W，并將該基板W搬入至防反射膜用涂布處理部50。在該防反 射膜用涂布處理部50，為了減少曝光時(shí)產(chǎn)生的駐波或者光暈，而通過(guò)涂布單 元BARC在基板W上涂布形成防反射膜。
接著，第一中央機(jī)械手CR1從防反射膜用涂布處理部50取出經(jīng)涂布處
理的基板W，并將該基板W搬入至防反射膜用熱處理部100、 101。然后，
第一中央機(jī)械手CR1從防反射膜用熱處理部100、 101取出經(jīng)熱處理的基板 W，并將該基板W裝載于基板裝載部PASS3上。
裝載在基板裝載部PASS3上的基板W被抗蝕膜用處理區(qū)11的第二中央 機(jī)械手CR2接受。第二中央機(jī)械手CR2將該基板W搬入至抗蝕膜用熱處理 部110、 111。
然后，第二中央機(jī)械手CR2從抗蝕膜用熱處理部110、 lll取出經(jīng)熱處 理的基板W，并將該基板W搬入至抗蝕膜用涂布處理部60。在該抗蝕膜用 涂布處理部60中，通過(guò)涂布單元RES在涂布形成有防反射膜的基板W上涂 布形成抗蝕膜。
接著，第二中央機(jī)械手CR2從抗蝕膜用涂布處理部60取出經(jīng)涂布處理 的基板W，并將該基板W搬入至抗蝕膜用熱處理部llO、 111。然后，第二 中央機(jī)械手CR2從抗蝕膜用熱處理部110、 lll取出經(jīng)熱處理的基板W，并 將該基板W裝載于基板裝載部PASS5。
裝載于基板裝載部PASS5上的基板W被顯影處理區(qū)12的第三中央機(jī)械 手CR3接受。第三中央機(jī)械手CR3將該基板W裝載于基板裝載部PASS7 上。
裝載于基板裝載部PASS7上的基板W被抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13的第四 中央機(jī)械手CR4接受。第四中央機(jī)械手CR4將該基板W搬入至抗蝕劑蓋膜 用涂布處理部80。在該抗蝕劑蓋膜用涂布處理部80，通過(guò)涂布單元COV在 涂布形成有抗蝕膜的基板W上涂布形成抗蝕劑蓋膜。通過(guò)形成抗蝕劑蓋膜， 從而在曝光裝置16中，即使基板與液體接觸，也能夠防止抗蝕膜與液體接 觸，能夠防止抗蝕劑的成分溶出到液體中。
接著，第四中央機(jī)械手CR4從抗蝕劑蓋膜用涂布處理部80取出經(jīng)涂布 處理的基板W，并將該基板W搬入至抗蝕劑蓋膜用熱處理部130、 131。然 后，第四中央機(jī)械手從抗蝕劑蓋膜用熱處理部130、 131取出經(jīng)熱處理的基 板W，并將該基板W裝載于基板裝載部PASS9。
裝載于基板裝載部PASS9上的基板W由抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14的第五中 央機(jī)械手CR5接受。第五中央機(jī)械手CR5將該基板W裝載于基板裝載部 PASSll。
裝載于基板裝載部PASSU上的基板W被接口區(qū)15的第六中央機(jī)械手 CR6接受，如后所述，在接口區(qū)15以及曝光裝置16中實(shí)施規(guī)定的處理。在 接口部15以及曝光裝置16中對(duì)基板W實(shí)施了規(guī)定的處理后，該基板W由 第六中央機(jī)械手CR6搬入至抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14的曝光后烘焙用熱處理部 141。
在曝光后烘焙用熱處理部141，對(duì)基板W進(jìn)行曝光后烘焙(PEB)。然 后，第六中央機(jī)械手CR6從曝光后烘焙用熱處理部141取出基板W，并將 該基板W裝載于基板裝載部PASS12。
另外，在本實(shí)施方式中，通過(guò)曝光后烘焙用熱處理部141進(jìn)行了曝光后 烘焙，但是也可以通過(guò)曝光后烘焙用熱處理部140進(jìn)行曝光后烘焙。
裝載在基板裝載部PASS12上的基板W被抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14的第五 中央機(jī)械手CR5接受。第五中央機(jī)械手CR5將該基板W搬入至抗蝕劑蓋膜 除去用處理部90。在抗蝕劑蓋膜除去用熱處理部90中除去抗蝕劑蓋膜。
接著，第五中央機(jī)械手CR5從抗蝕劑蓋膜除去用處理部90取出經(jīng)處理 后的基板W，并將該基板W裝載于基板裝載部PASSIO。
裝載于基板裝載部PASS10上的基板W通過(guò)抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13的 第四中央機(jī)械手CR4裝載于基板裝載部PASS8。
裝載于基板裝載部PASS8上的基板W被顯影處理區(qū)12的第三中央機(jī)械 手CR3接受。第三中央機(jī)械手CR3將該基板W搬入至顯影處理部70。在顯 影處理部70中，對(duì)曝光后的基板W實(shí)施顯影處理。
接著，第三中央機(jī)械手CR3從顯影處理部70取出經(jīng)顯影處理的基板W， 并將該基板W搬入至顯影用熱處理部120、 121。然后，第三中央機(jī)械手CR3 從顯影用熱處理部120、 121取出經(jīng)熱處理后的基板W，并將該基板W裝載 于基板裝載部PASS6。
裝載于基板裝載部PASS6的基板W通過(guò)抗蝕膜用處理區(qū)11的第二中央 機(jī)械手CR2裝載于基板裝載部PASS4。裝載于基板裝載部PASS4上的基板 W通過(guò)防反射膜用處理區(qū)10的第一中央機(jī)械手CR1裝載于基板裝載部 PASS2。
裝載于基板裝載部PASS2上的基板W被分度器區(qū)9的分度器機(jī)械手IR 容納于運(yùn)送器C內(nèi)。由此，結(jié)束了基板處理裝置500中的基板W的各處理。
(2-2)接口區(qū)的動(dòng)作 接著，詳細(xì)說(shuō)明接口區(qū)15的動(dòng)作。
如上所述，搬入至分度器區(qū)9的基板W被實(shí)施了規(guī)定的處理后，被裝 載于抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14 (圖l)的基板裝載部PASSll。
裝載于基板裝載部PASSU上的基板W被接口區(qū)15的第六中央機(jī)械手 CR6接受。第六中央機(jī)械手CR6將該基板W搬入至邊緣曝光部EEW(圖4)。 在該邊緣曝光部EEW對(duì)基板W的周邊部實(shí)施曝光處理。
接著，第六中央機(jī)械手CR6從邊緣曝光部EEW取出經(jīng)邊緣曝光的基板 W，并將該基板W搬入至清洗/干燥處理處理單元SD1中的任意一個(gè)中。在 清洗/干燥處理單元SDl中，如上所述地對(duì)曝光處理前的基板W實(shí)施清洗以 及干燥處理。
在此，曝光裝置16的曝光處理時(shí)間通常比其他處理工序以及搬送工序 長(zhǎng)。其結(jié)果是，曝光裝置16無(wú)法接受隨后的基板W的情況比較多。在該情 況下，基板W暫時(shí)由輸送緩沖貯存部SBF (圖4)容納保管。在本實(shí)施方式 中，第六中央機(jī)械手CR6從清洗/干燥處理單元SD1取出經(jīng)清洗和干燥處理 后的基板W，并將該基板W搬送至輸送緩沖貯存部SBF 。
接著，第六中央機(jī)械手CR6取出容納保管在輸送緩沖貯存部SBF中的 基板W，并將該基板W搬入至裝載兼冷卻單元P-CP。搬入至裝載兼冷卻單 元P-CP的基板W被維持在與曝光裝置16相同的溫度(例如23°C )。
此外，在曝光裝置16具有充分的處理速度的情況下，無(wú)需在輸送緩沖 貯存部SBF容納保管基板W，而將基板W從清洗/干燥處理單元SD1搬送 至裝載兼冷卻單元P-CP即可。
接著，在裝載兼冷卻單元P-CP中維持在上述規(guī)定溫度的基板W被接口 用搬送機(jī)構(gòu)IFR的上側(cè)的手部H1 (圖4)接受，并搬入至曝光裝置16內(nèi)的 基板搬入部16a (圖1)。
在曝光裝置16實(shí)施了曝光處理的基板W通過(guò)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的下 側(cè)的手部H2 (圖4)從基板搬出部16b (圖1)搬出。接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR 通過(guò)手部H2將該基板W搬入至清洗/干燥處理單元SD2中的任意一個(gè)中。 在清洗/干燥處理單元SD2中，如上述那樣對(duì)曝光處理后的基板W實(shí)施清洗 以及干燥處理。
在清洗/干燥處理單元SD2實(shí)施了清洗以及干燥處理的基板W由接口用
搬送機(jī)構(gòu)IFR的手部H1 (圖4)取出。接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR通過(guò)手部H1將 該基板W裝載于基板裝載部PASS 13。
裝載于基板裝載部PASS13上的基板W被第六中央機(jī)械手CR6接受。 第六中央機(jī)械手CR6將該基板W搬送至抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14 (圖1)的曝 光后烘焙用熱處理部141。
此外，在由于除去單元REM (圖2)的故障等，抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14 暫時(shí)無(wú)法接受基板W時(shí)，在返回緩沖貯存部RBF暫時(shí)容納保管曝光處理后 的基板W。
在此，在本實(shí)施方式中，第六中央機(jī)械手CR6在基板裝載部PASSU (圖 1)、邊緣曝光部EEW、清洗/干燥處理單元SDl、輸送緩沖貯存部SBF、裝 載兼冷卻單元P-CP、基板裝載部PASS13以及曝光后烘焙用熱處理部141之 間搬送基板W，但能夠在短時(shí)間(如24秒)內(nèi)完成該一系列動(dòng)作。
另外，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR在裝載兼冷卻單元P-CP、曝光裝置16、清 洗/干燥處理單元SD2以及基板裝載部PASS13之間搬送基板W，但能夠在 短時(shí)間(如24秒)內(nèi)完成該一系列動(dòng)作。
其結(jié)果是，能夠可靠地提高生產(chǎn)量。 (3)清洗/干燥處理單元
接著，使用附圖詳細(xì)說(shuō)明清洗/干燥處理單元SDK SD2。此外，清洗/ 干燥處理單元SD1、 SD2可以采用同樣的結(jié)構(gòu)。 (3-1)結(jié)構(gòu)
圖5是說(shuō)明清洗/干燥處理單元SD1、 SD2的結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)視圖，圖6 是圖5的清洗/干燥處理單元SD1、 SD2的示意性俯視圖。如圖5以及圖6 所示，清洗/干燥處理單元SDl、 SD2具有旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621，該旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621水 平地保持基板W，并且使基板W圍繞通過(guò)基板W的中心的鉛垂的旋轉(zhuǎn)軸旋 轉(zhuǎn)。
旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621固定在旋轉(zhuǎn)軸625 (圖5)的上端，旋轉(zhuǎn)軸625通過(guò)卡盤(pán) 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)636 (圖5)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。另外，在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621上形成有吸氣 路徑(未圖示)。通過(guò)在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621上裝載了基板W的狀態(tài)下對(duì)吸氣路 徑內(nèi)排氣，從而在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621上真空吸附基板W的下表面，由此能夠水
平姿勢(shì)保持基板w。
在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621的外方設(shè)置有馬達(dá)660。在馬達(dá)660上連接有旋轉(zhuǎn)軸661 。 另外，在旋轉(zhuǎn)軸661上以在水平方向延伸的方式連接有臂662，在臂662的 前端設(shè)置有液體供給噴嘴650。
通過(guò)馬達(dá)660旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)軸661，并且轉(zhuǎn)動(dòng)臂662。由此，液體供給噴嘴 650在被旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621保持的基板W的中心部上方的位置和基板W的外方 位置之間移動(dòng)(圖6)。
以通過(guò)馬達(dá)660、旋轉(zhuǎn)軸661以及臂662的內(nèi)部的方式設(shè)置有清洗處理 用供給管663。清洗處理用供給管663經(jīng)由閥Va以及閥Vb而連接到清洗液 供給源R1以及沖洗液供給源R2。
通過(guò)控制該閥Va、 Vb的開(kāi)閉，而能夠進(jìn)行向清洗處理用供給管663供 給的處理液的選擇以及供給量的調(diào)整。在圖5的結(jié)構(gòu)中，通過(guò)開(kāi)啟閥Va，而 能夠向清洗處理用供給管663供給清洗液，通過(guò)開(kāi)啟閥Vb，而能夠向清洗 處理用供給管663供給沖洗液。
從清洗液供給源Rl或者沖洗液供給源R2通過(guò)清洗處理用供給管663 向液體供給噴嘴650供給清洗液或者沖洗液。由此，能夠向基板W表面供 給清洗液或者沖洗液。作為清洗液例如可以使用純水、純水中溶解了絡(luò)合物
(離子化的物質(zhì))的液體或者氟類(lèi)藥液等。作為沖洗液例如可以使用純水、 碳酸水、含氫水、電解離子水、HFE (氫氟醚)或者有機(jī)類(lèi)液體等。
另外，作為清洗液或者沖洗液，也可以使用在曝光裝置16中曝光處理 之際采用的浸液液體。作為浸液液體的例子，可以舉出純水、具有高折射率 的丙三醇、混合了高折射率的微粒(如鋁氧化物)和純水的混合液以及有機(jī) 類(lèi)的液體等。作為浸液液體的其他例子，可以舉出在純水中溶解了絡(luò)合物(離 子化的物質(zhì))的液體、碳酸水、含氫水、電解離子水、HFE (氫氟醚)、氫 氟酸、硫酸以及硫酸/過(guò)氧化氫水溶液等。
如圖5所示，被旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621保持的基板W被容納在處理杯623內(nèi)。 在處理杯623的內(nèi)側(cè)設(shè)置有筒狀的隔離壁633。另外，以圍繞旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621 的周?chē)姆绞?，設(shè)置有排液空間631，其用于排出在基板W的處理中使用過(guò) 的處理液(清洗液或者沖洗液)。進(jìn)一步，以圍繞排液空間631的方式，在 處理杯623和隔離壁633之間，形成有用于回收在基板W的處理中使用過(guò)的處理液的回收液空間632。
在排液空間631連接有用于向排液處理裝置(未圖示)導(dǎo)入處理液的排 液管634，在回收液空間632連接有用于向回收處理裝置(未圖示)導(dǎo)入處 理液的回收管636。
在處理杯623的上方，設(shè)置有用于防止來(lái)自基板W的處理液向外方飛 散的防護(hù)裝置624。該防護(hù)裝置624形成為相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸626旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)的形 狀。在防護(hù)裝置624上端部的內(nèi)面呈環(huán)狀地形成有斷面為 < 字狀的排液引導(dǎo) 槽641。
另夕卜，在防護(hù)裝置624的下端部的內(nèi)面，形成有由向外側(cè)下方傾斜的傾 斜面構(gòu)成的回收液引導(dǎo)部642。在回收液引導(dǎo)部642的上端附近，形成有用 于接收處理杯623的隔離壁633的隔離壁容納槽643。
在該防護(hù)裝置624上設(shè)置有由滾珠螺桿機(jī)構(gòu)等構(gòu)成的防護(hù)裝置升降驅(qū)動(dòng) 機(jī)構(gòu)(未圖示)。防護(hù)裝置升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使防護(hù)裝置624在回收液引導(dǎo)部642 與被旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621保持的基板W外周端面對(duì)向的回收位置和排液引導(dǎo)部641 與被旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621保持的基板W外周端面對(duì)向的排液位置之間上下移動(dòng)。在 防護(hù)裝置624處于回收位置(圖5所示的防護(hù)裝置的位置)的情況下，從基 板W向外方飛散的處理液通過(guò)回收液引導(dǎo)部642導(dǎo)入到回收液空間632中， 通過(guò)回收管635被回收。另一方面，在防護(hù)裝置624處于排液位置的情況下， 從基板W向外方飛散的處理液通過(guò)排液引導(dǎo)槽641導(dǎo)入到排液空間631中， 通過(guò)排液管634被排液。通過(guò)以上的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行處理液的排液以及回收。 (3-2)動(dòng)作
接著，說(shuō)明具有上述結(jié)構(gòu)的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2的處理動(dòng)作。 另外，以下說(shuō)明的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2的各構(gòu)成要素的動(dòng)作可以通 過(guò)圖1的主控制器(控制部)30進(jìn)行控制。
首先，在搬入基板W之際，防護(hù)裝置624下降，并且，圖1的第六中 央機(jī)械手CR6或者接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR將基板W裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621上。 裝載在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621上的基板W被旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621吸附保持。
接著，防護(hù)裝置624移動(dòng)到上述排液位置，并且，液體供給噴嘴650移 動(dòng)到基板W的中心部上方。然后，旋轉(zhuǎn)軸625旋轉(zhuǎn)，伴隨著該旋轉(zhuǎn)，保持 在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621上的基板W旋轉(zhuǎn)。然后，從液體供給噴嘴650向基板W上表面噴出清洗液。由此，進(jìn)行基板w的清洗。
另外，在清洗/干燥處理單元SDl中，在該清洗之際，基板W上的清洗 劑蓋膜的成分溶出到清洗液中。另外，在基板W的清洗中， 一邊旋轉(zhuǎn)基板
w—邊向基板w供給清洗液。此時(shí)，基板w上的清洗液通過(guò)離心力總是向
基板w的周邊部移動(dòng)并飛散。因此，能夠防止溶出到清洗液中的抗蝕劑蓋 膜的成分殘留到基板W上。
此外，例如也可以通過(guò)在基板W上充滿(mǎn)水并保持一定時(shí)間來(lái)使上述抗 蝕劑蓋膜的成分溶出。另外，向基板W的清洗液的供給也可以通過(guò)使用了 雙流體噴嘴的柔性噴射方式進(jìn)行。
經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，停止清洗液的供給，從液體供給噴嘴650噴出沖洗液。 由此，沖走基板W上的清洗液。然后，進(jìn)行后述的干燥處理，由此除去了 基板W上的沖洗液，基板W被干燥。詳細(xì)內(nèi)容后面描述。
然后，使防護(hù)裝置624下降，并且，圖1的第六中央機(jī)械手CR6或者接 口用搬送機(jī)構(gòu)IFR搬出基板W。由此，清洗/干燥處理單元SD1、 SD2中的 處理動(dòng)作結(jié)束。此外，清洗以及干燥處理中的防護(hù)裝置624的位置優(yōu)選根據(jù) 處理液的回收或者排液的必要性進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏?br> 另外，在上述實(shí)施方式中，采用了如下結(jié)構(gòu)在清洗液的供給以及沖洗 液的供給中共用了液體供給噴嘴650，以便從液體供給噴嘴650能夠供給清 洗液以及沖洗液中的任意一種，但也可以采用清洗液供給用的噴嘴和沖洗液 供給用的噴嘴分別獨(dú)立的結(jié)構(gòu)。
另外，在清洗基板W的清洗液采用純水的情況下，也可以使用該清洗 液進(jìn)行后述的干燥處理。
另外，在基板W輕微污染的情況下，也可以不進(jìn)行采用了清洗液的清 洗。此時(shí)，通過(guò)進(jìn)行采用以下所示那樣的沖洗液的干燥處理，而能夠充分除 去基板W上的污染物。
(3-3)基板的干燥處理的詳細(xì)內(nèi)容
下面，詳細(xì)說(shuō)明清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中的基板W的干燥處理。 另外，在本例中使用的基板W的直徑例如為200~300mm。
在利用離心力干燥基板W的情況下，容易在基板W上殘留微小液滴。 這是因?yàn)閷?duì)微小液滴僅作用與質(zhì)量相應(yīng)的離心力，所以很難使其從基板W脫
離。另外，若在基板W的中心部附近存在微小液滴，則對(duì)該微小液滴作用 的離心力進(jìn)一步變小，除掉微小液滴變得更困難。在基板W上的抗蝕劑蓋 膜的疏水性高的情況下，尤其容易產(chǎn)生這樣的微小液滴。
在本實(shí)施方式中，能夠防止在基板W上的微小液滴的形成和附著，能 夠可靠地從基板W除去沖洗液。
圖7以及圖8是用于說(shuō)明基板W的干燥處理的詳細(xì)的圖。另外，圖7 中的(a) 圖7中的(c)以及圖8中的(a) 圖8中的(c)是從上方觀察 基板W的圖，圖7中的(d) 圖7中的(O以及圖8中的(d) 圖8中 的(f)是從側(cè)面觀察基板W的圖。
如上所述，在對(duì)基板W進(jìn)行了清洗處理后，液體供給噴嘴650移動(dòng)到 基板W的中心部上方，向基板W上噴出沖洗液。由此，沖走基板W上的清 洗液。經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，在從液體供給噴嘴650持續(xù)噴出沖洗液的狀態(tài)下， 上升基板W的旋轉(zhuǎn)速度。沖洗液的流量例如為0.2 0.8L/min。此時(shí)，如圖7 中的(a)以及圖7中的(d)所示，以覆蓋基板W—面的方式形成沖洗液的 液層L。
接著，如圖7中的(b)以及圖7中的(e)所示，液體供給噴嘴650從 基板W的中心部上方向外方移動(dòng)。移動(dòng)速度例如為6 10mm/sec。此時(shí)，因 伴隨基板W旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力，液層L的中心部的厚度變小。下面，將厚 度變小的液層L的區(qū)域稱(chēng)為薄層區(qū)域。
液體供給噴嘴650在從基板W的中心部上方移動(dòng)規(guī)定距離的時(shí)刻暫時(shí) 停止。液體供給噴嘴650的停止位置和基板W的旋轉(zhuǎn)軸之間的水平距離例 如為15 25mm。另外，停止時(shí)間例如為IO秒左右。在該期間，如圖7中的
(c)以及圖7中的(f)所示，由于離心力，液層L在薄層區(qū)域內(nèi)被分割， 在液層L的中心部形成了孔部(以下稱(chēng)為干燥中心C)。
此時(shí)，通過(guò)暫時(shí)停止液體供給噴嘴650，從而液層L的薄層區(qū)域的擴(kuò)大 被限制。若薄層區(qū)域擴(kuò)大，則有時(shí)在該薄層區(qū)域內(nèi)形成多個(gè)干燥中心。在本 實(shí)施方式中，防止了形成多個(gè)干燥中心C，僅形成一個(gè)干燥中心C。
暫時(shí)停止液體供給噴嘴650的位置以及停止的時(shí)間通過(guò)實(shí)驗(yàn)等事先進(jìn)行 確定，使得能夠可靠地僅形成一個(gè)干燥中心C。另外，優(yōu)選根據(jù)基板W的種 類(lèi)、大小、表面狀態(tài)以及旋轉(zhuǎn)速度、來(lái)自液體供給噴嘴650的沖洗液的噴出
流量、以及液體供給噴嘴650的移動(dòng)速度等各種條件，來(lái)適當(dāng)設(shè)定使液體供
給噴嘴650暫時(shí)停止的定時(shí)(timing)以及位置。
干燥中心C形成后，如圖8中的(a)以及圖8中的(d)所示，液體供 給噴嘴650再次向外方移動(dòng)。伴隨于此，由于離心力，以干燥中心C為起點(diǎn) 不存在沖洗液的干燥區(qū)域Rl在基板W上擴(kuò)大。
接著，如圖8中的(b)以及圖8中的(e)所示，當(dāng)液體供給噴嘴650 移動(dòng)至基板W的周邊部上方時(shí)，基板W的旋轉(zhuǎn)速度下降。液體供給噴嘴650 的移動(dòng)速度維持原樣。
然后，停止噴出沖洗液，并且，使液體供給噴嘴650向基板W的外方 移動(dòng)。由此，如圖8中的(c)以及圖8中的(f)所示，干燥區(qū)域R1擴(kuò)展 至基板W的整體，基板W被干燥。
這樣，在基板W旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，液體供給噴嘴650 —邊噴出沖洗液一 邊從基板W的中心部上方移動(dòng)到周邊部上方，由此，在基板W上一體地保 持沖洗液的液層L的狀態(tài)下，干燥區(qū)域R1不斷擴(kuò)大。此時(shí)，因液層L的表 面張力而能夠防止在干燥區(qū)域Rl上形成微小液滴。由此，能夠可靠地干燥 基板W。
另外，在液體供給噴嘴650移動(dòng)規(guī)定距離之際，暫時(shí)停止液體供給噴嘴 650，由此能夠調(diào)整液層L的薄層區(qū)域的面積，能夠可靠地形成一個(gè)干燥中 心C。在沒(méi)有形成一個(gè)干燥中心C而形成了多個(gè)干燥中心C的情況下，無(wú)法 穩(wěn)定地?cái)U(kuò)大干燥區(qū)域R1。另外，由于以多個(gè)干燥中心C為起點(diǎn)，多個(gè)干燥 區(qū)域R1分別擴(kuò)大，所以多個(gè)干燥區(qū)域R1相互干擾，容易形成微小液滴。因 此，通過(guò)僅形成一個(gè)干燥中心C，而能夠穩(wěn)定地進(jìn)行基板W的干燥，并且能 夠可靠地防止在基板W上殘留微小液滴。
接著，說(shuō)明干燥處理時(shí)的基板W的旋轉(zhuǎn)速度的變化。圖9是表示基板 W的旋轉(zhuǎn)速度的變化之一例的圖。在圖9中，橫軸表示基板W的旋轉(zhuǎn)軸和 液體供給噴嘴650之間的水平距離，縱軸表示基板W的旋轉(zhuǎn)速度。
在圖9所示例子中，基板W的旋轉(zhuǎn)軸和液體供給噴嘴650之間的水平 距離在0 60mm期間，基板W的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定為1800 2100rpm。若基板 W的旋轉(zhuǎn)軸和液體供給噴嘴650之間的水平距離超過(guò)60mm，則基板W的旋 轉(zhuǎn)速度設(shè)定為1000 1200rpm。即，相比液體供給噴嘴650在基板W的中心
部上方移動(dòng)期間的基板W的旋轉(zhuǎn)速度，液體供給噴嘴650在基板W的周邊 部上方移動(dòng)期間的基板W的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定得低。
在基板w旋轉(zhuǎn)時(shí)，基板w周邊部的圓周速度大于基板w中心部的圓周
速度。另外，在基板W的周邊部容易產(chǎn)生沖洗液的紊流。因此，當(dāng)基板W 的旋轉(zhuǎn)速度恒定的情況，噴出到基板W周邊部的沖洗液比噴出到基板W的 中心部的沖洗液更容易飛散。若從基板W周邊部飛散的沖洗液作為微小液 滴附著到基板W的干燥區(qū)域Rl，則很難在此后除去。
于是，在液體供給噴嘴650在基板W的周邊部上方移動(dòng)之際，降低基 板W的旋轉(zhuǎn)速度，由此能夠防止噴出到基板W周邊部的沖洗液飛散。因此， 能夠進(jìn)一步可靠地防止微小液滴殘留在基板W上，能夠進(jìn)一步可靠地干燥 基板W。
另外，在本實(shí)施方式中，干燥處理時(shí)，基板W的旋轉(zhuǎn)速度被調(diào)整為兩 個(gè)階段，但并不限于此，也可以三個(gè)階段以上的多個(gè)階段調(diào)整基板W的旋 轉(zhuǎn)速度，或者，在液體供給噴嘴650從基板W的中心部上方向基板W的周 邊部上方移動(dòng)的期間，連續(xù)降低基板W的旋轉(zhuǎn)速度也可。 (4)實(shí)施方式的效果
在本實(shí)施方式的基板處理裝置500中，在接口區(qū)15的清洗/干燥處理單 元SD2中對(duì)曝光處理后的基板W實(shí)施干燥處理，基板W被可靠地干燥。由 此，能夠防止曝光處理時(shí)附著在基板W上的液體落到基板處理裝置500內(nèi)。 因此，能夠防止基板處理裝置500的電氣系統(tǒng)的異常等動(dòng)作不良。
另外，能夠防止環(huán)境中的塵埃等附著到曝光處理后的基板W上，所以 能夠防止基板W的污染。進(jìn)一步，通過(guò)防止在基板W上殘留液體，而能夠 防止該液體對(duì)基板W上的抗蝕膜以及抗蝕劑蓋膜的壞影響。由此，能夠防 止基板W的處理不良。
另外，由于能夠防止附著了液體的基板W在基板處理裝置500內(nèi)搬送， 所以能夠防止曝光處理時(shí)附著在基板W上的液體對(duì)基板處理裝置500內(nèi)的 環(huán)境造成影響。由此，能夠容易調(diào)整基板處理裝置500內(nèi)的溫度和濕度。
另外，能夠防止曝光處理時(shí)附著在基板W上的液體附著于分度器機(jī)械 手IR以及第一 第六中央機(jī)械手CR1 CR6上，所以能夠防止液體附著于 曝光處理前的基板W上。由此，能夠防止環(huán)境中的塵埃等附著于曝光處理
前的基板W上，所以能夠防止基板W受污染。其結(jié)果是，能夠防止曝光處 理時(shí)的分辨性能的惡化，并且，能夠防止曝光裝置16內(nèi)的污染。
另外，在從清洗/干燥處理單元SD2向顯影處理部70搬送基板W的期 間，能夠可靠地防止抗蝕劑成分或者抗蝕劑蓋膜成分溶解于殘留在基板W上 的清洗液以及沖洗液中。由此，能夠防止形成于抗蝕膜上的曝光圖案的變形。 其結(jié)果能夠可靠地防止顯影處理時(shí)線寬精度的降低。
另外，在清洗/干燥處理單元SD2中，在干燥處理前進(jìn)行基板W的清洗 處理。此時(shí)，即使在曝光處理時(shí)附著了液體的基板W上附著了環(huán)境中的塵 埃等，也能夠除去該附著物。由此，能夠防止基板W的污染。其結(jié)果是， 能夠可靠地防止基板的處理不良。
另外，在曝光裝置16中進(jìn)行基板W的曝光處理之前，在清洗/干燥處理 單元SD1中進(jìn)行基板W的清洗處理。在該清洗處理時(shí)，基板W上的一部分 抗蝕劑蓋膜的成分溶出到清洗液或者沖洗液中而被沖洗掉。因此，在曝光裝 置16中，即使基板W與液體接觸，基板W上的抗蝕劑蓋膜的成分幾乎不會(huì) 溶出到液體中。另外，能夠除去附著在曝光處理前的基板W上的塵埃等。 其結(jié)果是，防止了曝光裝置16內(nèi)的污染。
另外，在從清洗/干燥處理單元SDl中，基板W的清洗處理后進(jìn)行基板 W的干燥處理。由此，能夠除去清洗處理時(shí)附著在基板W上的清洗液或者 沖洗液，所以能夠防止清洗處理后的基板W上再次附著環(huán)境中的塵埃等。 其結(jié)果是，能夠可靠地防止曝光裝置16內(nèi)的污染。
另外，通過(guò)除去清洗處理時(shí)附著在基板W上的清洗液或者沖洗液，從 而能夠防止在曝光處理前清洗液或者沖洗液滲入到基板W上的抗蝕劑蓋膜 或者抗蝕膜中。由此，能夠防止曝光處理時(shí)的分辨性能的惡化。 (5)清洗/干燥處理單元的其他例
圖10是表示清洗/干燥處理單元SD1、SD2的其他結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)視圖， 圖11是圖10的清洗/干燥處理單元SD1、 SD2的示意性俯視圖。下面，說(shuō)明 圖10以及圖11所示的清洗/干燥處理單元SD1、SD2與圖5以及圖6所示的 清洗/干燥處理單元SDl、 SD2的不同點(diǎn)。
在該清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中，在隔著旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621與馬達(dá)660 對(duì)向的位置上設(shè)置有馬達(dá)671。在馬達(dá)671上連接有旋轉(zhuǎn)軸672。旋轉(zhuǎn)軸672
上以在水平方向延伸的方式連接有臂673，在臂673的前端設(shè)置有氣體供給 噴嘴670。
通過(guò)馬達(dá)671使旋轉(zhuǎn)軸672旋轉(zhuǎn)，并且，轉(zhuǎn)動(dòng)臂673。由此，氣體供給 噴嘴670在被旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621保持的基板W的中心部上方位置和基板W的外 方位置之間移動(dòng)。此時(shí)，液體供給噴嘴650和氣體供給噴嘴670從基板W中 心部上方相互向著反對(duì)側(cè)方向移動(dòng)到基板W的外方位置。
以通過(guò)馬達(dá)671、旋轉(zhuǎn)軸672以及臂673的內(nèi)部的方式設(shè)置有干燥處理 用供給管674。干燥處理用供給管674經(jīng)由閥Vc連接到非活性氣體供給源 R3。通過(guò)控制該閥Vc的開(kāi)閉，而能夠調(diào)整供給到干燥處理用供給管674的 非活性氣體的供給量。
非活性氣體從非活性氣體供給源R3通過(guò)干燥處理用供給管674供給到 氣體供給噴嘴670中。由此能夠向基板W的表面供給非活性氣體。作為非 活性氣體，例如可以使用氮?dú)?。另外也可以代替非活性氣體而使用空氣等其 他氣體。
接著，說(shuō)明在圖10以及圖11的清洗/干燥處理單元SD1、 SD2中的基板 W的干燥處理。圖12是表示圖10以及圖11的清洗/干燥處理單元SD1、SD2 中的基板W的干燥處理的一部分的圖。
關(guān)于液體供給噴嘴650的動(dòng)作以及基板W的旋轉(zhuǎn)速度的變化，與圖5 以及圖6的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2相同。在此，主要說(shuō)明氣體供給噴 嘴670的動(dòng)作。
在液體供給噴嘴650開(kāi)始從基板W的中心部上方移動(dòng)后(參考圖7中 的(b)以及圖7中的(e))，氣體供給噴嘴670移動(dòng)到基板W的中心部。 然后，當(dāng)在液層L上形成干燥中心C時(shí)(參考圖7中的(c)以及圖7中的 (f))，如圖12中的(a)以及圖12中的(d)所示，氣體供給噴嘴670 向基板W的中心部吹出非活性氣體。
此時(shí)，以在液層L上形成的第一個(gè)干燥中心C為起點(diǎn)，干燥區(qū)域R1瞬 間擴(kuò)大。由此，能夠防止在形成第一個(gè)干燥中心C后形成其他干燥中心C。 如上所述，若形成多個(gè)干燥中心C，則很容易在基板W上形成微小液滴。因 此，在本例中能夠進(jìn)一步可靠地防止形成微小液滴。
另外，吹出非活性氣體的定時(shí)可以通過(guò)實(shí)驗(yàn)等事先確定，以便在形成第
一個(gè)干燥中心C后，不形成其他干燥中心C。另外，優(yōu)選根據(jù)基板W的種
類(lèi)、大小、表面狀態(tài)以及旋轉(zhuǎn)速度、來(lái)自液體供給噴嘴650的沖洗液的噴出 流量、以及液體供給噴嘴650的移動(dòng)速度等各種條件，適當(dāng)設(shè)定吹出非活性 氣體的定時(shí)。
接著，如圖12中的(b)以及圖12中的(e)所示，液體供給噴嘴650 一邊噴出沖洗液一邊向外方移動(dòng)，并且，氣體供給噴嘴670—邊吹出非活性 氣體一邊向與液體供給噴嘴650相反的方向移動(dòng)。液體供給噴嘴650的移動(dòng) 速度和氣體供給噴嘴670的移動(dòng)速度被調(diào)整為大致相同。由此，氣體供給噴 嘴670相比于液體供給噴嘴650總是處于接近基板W的旋轉(zhuǎn)軸的位置，向 基板W上的干燥區(qū)域R1吹出非活性氣體。
然后，液體供給噴嘴650停止噴出沖洗液并且向外方移動(dòng)，氣體供給噴 嘴670停止吹出非活性氣體并且向外方移動(dòng)。由此，如圖12中的(c)以及 圖12中的(f)所示，干燥區(qū)域R1擴(kuò)展到基板W上整體，基板W被干燥。
這樣，氣體供給噴嘴670 —邊吹出非活性氣體一邊從基板W的中心部 上方向外方移動(dòng)，從而能夠可靠地防止在基板W上的干燥區(qū)域R1中殘留微 小液滴。另外，能夠可靠地?cái)U(kuò)大干燥區(qū)域Rl，能夠有效且可靠地干燥基板 W。
另外，液體供給噴嘴650和氣體供給噴嘴670在反方向上移動(dòng)，由此從 液體供給噴嘴650噴出的沖洗液和從氣體供給噴嘴670吹出的非活性氣體不 會(huì)相互干涉。由此，能夠防止由與非活性氣體的干涉而引起的沖洗液的飛散， 能夠防止在干燥區(qū)域R1上附著沖洗液的微小液滴。
另外，由于沖洗液和非活性氣體不干涉，從而設(shè)定非活性氣體的流量以 及吹出角度等的自由度變大。由此，能夠更有效地干燥基板W。
另外，在上述例子中，氣體供給噴嘴670—邊吹出非活性氣體一邊從基 板W的中心部上方向周邊部上方移動(dòng)，但也可以?xún)H在形成干燥中心C后的 短時(shí)間(如l秒)內(nèi)，氣體供給噴嘴670吹出非活性氣體。即，也可以向如 圖12中的(a)以及圖12中的(d)所示的基板W中心部例如吹出一秒左右 非活性氣體，然后停止吹出非活性氣體。此時(shí)，非活性氣體的流量例如調(diào)整 為10L/min。
另外，氣體供給噴嘴670無(wú)需從基板W的中心部上方移動(dòng)，向基板W 的中心部持續(xù)數(shù)秒吹出非活性氣體也可。此時(shí)，非活性氣體的流量例如調(diào)整
為10L/min。
另外，在上述例子中，液體供給噴嘴650和氣體供給噴嘴670從基板W 的中心部上方互相反方向移動(dòng)，但只要能抑制沖洗液和非活性氣體之間的干 涉，則液體供給噴嘴650和氣體供給噴嘴670在例如垂直的方向上移動(dòng)也可， 或者在相同方向上移動(dòng)也可。在液體供給噴嘴650和氣體供給噴嘴670在相 同方向上移動(dòng)的情況下，液體供給噴嘴650和氣體供給噴嘴670也可以成一 體。
(6)清洗/干燥處理單元的又一例
圖13是表示清洗/干燥處理單元SD1、SD2的又一結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)視圖。 下面，說(shuō)明圖13所示的清洗/干燥處理單元SD1、 SD2與圖5以及圖6所示 的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2的不同點(diǎn)。
在該清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中，設(shè)置有三通閥Vt、旁通管663a 以及流量調(diào)整閥680。旁通管663a的一端經(jīng)由三通閥Vt連接到閥Vb上游 側(cè)的清洗處理用供給管663的部分，旁通管663a的另一端連接到三通閥Vt 和閥Vb之間的清洗處理用供給管663的部分。流量控制閥680安裝在旁通 管663a上。通過(guò)流量控制閥680降低了經(jīng)旁通管663a供給到液體供給噴嘴 650中的沖洗液的流量。
在圖5以及圖6的清洗/干燥處理單元SD1、 SD2中，干燥處理時(shí)，若液 體供給噴嘴650移動(dòng)到基板W的周邊部上方，則基板W的旋轉(zhuǎn)速度變低。 由此能夠防止噴出到基板W周邊部的沖洗液飛散。
相對(duì)于此，在圖13所示的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中，干燥處理 時(shí)，若液體供給噴嘴650移動(dòng)到基板W的周邊部上方，則切換三通閥Vt， 使得沖洗液導(dǎo)入到旁通管663a中。另外，基板W旋轉(zhuǎn)速度如在1800 2100rpm中維持恒定。此時(shí)，相比于噴出到基板W中心部附近的沖洗液的流 量，噴出到基板W周邊部的沖洗液的流量減少。由此能夠防止噴出到基板 W周邊部的沖洗液飛散。
另外，在本例中，干燥處理時(shí)，沖洗液的流量被調(diào)整為兩個(gè)階段，但并 不限于此，也可以三個(gè)階段以上的多個(gè)階段調(diào)整沖洗液的流量，或者，在液 體供給噴嘴650從基板W的中心部上方向基板W的外方移動(dòng)的期間，連續(xù) 降低沖洗液的流量也可。
另外，圖13所示的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中，也可以設(shè)置有圖 10的馬達(dá)671、旋轉(zhuǎn)軸672、臂673以及氣體供給噴嘴670。
(7) 清洗/干燥處理單元的又一例
圖14是表示清洗/干燥處理單元SD1、SD2的又一結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)視圖。 以下，說(shuō)明圖14所示的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2和圖13所示的清洗/ 干燥處理單元SD1、 SD2的不同點(diǎn)。
在該清洗/干燥處理單元SD1、 SD2中，代替流量調(diào)整闊680而設(shè)置有減 壓閥681。通過(guò)減壓閥681降低了經(jīng)旁通管663a供給到液體供給噴嘴650中 的沖洗液的供給壓。
在該清洗/干燥處理單元SD1、 SD2中，干燥處理時(shí)，若液體供給噴嘴 650移動(dòng)到基板W的周邊部上方，則切換三通閥Vt，使得沖洗液導(dǎo)入到旁 通管663a中。此時(shí)，相比于向基板W中心部附近的沖洗液的噴出壓，向基 板W周邊部的沖洗液的噴出壓變低。由此能夠防止噴出到基板W周邊部的 沖洗液飛散。
另外，在本例中，干燥處理時(shí)的沖洗液的噴出壓被調(diào)整為兩個(gè)階段，但 并不限于此，也可以三個(gè)階段以上的多個(gè)階段調(diào)整沖洗液的噴出壓，或者在 液體供給噴嘴650從基板W的中心部上方向基板W的外方移動(dòng)的期間，連 續(xù)降低沖洗液的噴出壓也可。
另外，圖14所示的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中，也可以設(shè)置有圖 10的馬達(dá)671、旋轉(zhuǎn)軸672、臂673以及氣體供給噴嘴670。
(8) 其他實(shí)施方式
也可以不設(shè)置抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13。此時(shí)，在清洗/干燥處理單元SD1 中清洗處理時(shí)，抗蝕膜成分中的一部分溶出到清洗液中。由此，在曝光裝置 16中，即使抗蝕膜與液體接觸，也能夠防止抗蝕劑成分溶出到液體中。其結(jié) 果，能夠防止曝光裝置16內(nèi)的污染。
另外，在沒(méi)有設(shè)置抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13的情況下，也可以不設(shè)置抗 蝕劑蓋膜除去區(qū)14。由此能夠減少基板處理裝置500的占地面積(foot print)。 此外，在沒(méi)有設(shè)置抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13和抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14的情況下， 在顯影處理區(qū)12的顯影用熱處理部121中進(jìn)行基板W的曝光后烘焙。
另夕卜，在上述實(shí)施方式中，清洗/干燥處理單元SDl、 SD2配置在接口區(qū) 15內(nèi)，但清洗/干燥處理單元SD1、 SD2中的至少一個(gè)也可以配置在圖1所 示的抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14內(nèi)?；蛘咭部梢詫⒑星逑?干燥處理單元SD1、 SD2中的至少一個(gè)的清洗/干燥處理區(qū)配置在圖1所示的抗蝕劑蓋膜除去區(qū) 14和接口區(qū)15之間。
另外，清洗/干燥處理單元SD1、清洗/干燥處理單元SD2、涂布單元 BARC、 RES、 COV、顯影處理單元DEV、除去單元REM、加熱單元HP、 冷卻單元CP以及裝載兼冷卻單元P-CP的個(gè)數(shù)可以根據(jù)各處理區(qū)的處理速度 進(jìn)行適當(dāng)變更。例如，在設(shè)置兩個(gè)邊緣曝光部EEW的情況下，也可以將清 洗/干燥處理單元SD2的個(gè)數(shù)設(shè)置成兩個(gè)。
(9)本發(fā)明觀點(diǎn)的各構(gòu)成要素和實(shí)施方式的各要素之間的對(duì)應(yīng)
以下，說(shuō)明本發(fā)明觀點(diǎn)的各構(gòu)成要素和實(shí)施方式的各要素之間的對(duì)應(yīng) 例，但本發(fā)明并不限于下述例子。
在上述實(shí)施方式中，防反射膜用處理區(qū)10、抗蝕膜用處理區(qū)11、顯影 處理區(qū)12、抗蝕劑蓋膜用處理區(qū)13以及抗蝕劑蓋膜除去區(qū)14為處理部的例 子，接口區(qū)15為交接部的例子，清洗/干燥處理單元SDl、 SD2為干燥處理 單元的例子。
另外，旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)621為基板保持裝置的例子，卡盤(pán)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)636為 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置的例子，液體供給噴嘴650為沖洗液供給部的例子，馬達(dá)660 為沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)的例子，氣體供給噴嘴670為氣體供給部的例子，馬 達(dá)671為氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)的例子，涂布單元RES為感光膜形成單元的例子。
作為本發(fā)明觀點(diǎn)的各構(gòu)成要素，也可以使用具有本發(fā)明觀點(diǎn)所述構(gòu)成或 者功能的其他各種各樣的要素。
權(quán)利要求
1. 一種基板處理裝置，相鄰于曝光裝置而配置，其特征在于，該基板處理裝置具有處理部，其用于對(duì)基板進(jìn)行處理；交接部，其用于在所述處理部和所述曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接；所述處理部和所述交接部中的至少一個(gè)包括進(jìn)行基板的干燥處理的干燥處理單元，所述干燥處理單元包括基板保持裝置，其將基板保持為近似水平；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由所述基板保持裝置保持的基板圍繞垂直于該基板的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；沖洗液供給部，其向由所述基板保持裝置保持的基板上供給沖洗液；沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使所述沖洗液供給部移動(dòng)，以便從旋轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液；所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置使基板的旋轉(zhuǎn)速度階段性地或者連續(xù)性地變化，使得在向基板的中心部供給沖洗液的狀態(tài)下，使基板以第一旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，在向基板的周邊部供給沖洗液的狀態(tài)下，使基板以低于所述第一旋轉(zhuǎn)速度的第二旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。
2. 如權(quán)利要求l所述的基板處理裝置，其特征在于，所述沖洗液供給移 動(dòng)機(jī)構(gòu)在向基板的從中心部離開(kāi)規(guī)定距離的位置處供給沖洗液的狀態(tài)下，使 所述沖洗液供給部的移動(dòng)暫時(shí)停止。
3. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述干燥處理單元 還包括氣體供給部，所述氣體供給部在由所述沖洗液供給部向基板的從中心 離開(kāi)的位置處供給沖洗液的狀態(tài)下，向基板的中心部吹出氣體。
4. 如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，所述干燥處理單元 還包括氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述氣體供給部移動(dòng)， 使得基板上的氣體的供給位置處于比通過(guò)所述沖洗液供給部供給的沖洗液 的供給位置更接近基板的中心部的位置，而從基板的中心部向基板的周邊部 移動(dòng)。
5. 如權(quán)利要求l所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述處理部還包括感光膜形成單元，其在曝光處理前的基板上形成由感光材料構(gòu)成的感光膜；顯影處理單元，其對(duì)曝光處理后的基板進(jìn)行顯影處理；所述干燥處理單元在由所述曝光裝置進(jìn)行曝光處理后且由所述顯影處 理單元進(jìn)行顯影處理前進(jìn)行基板的干燥處理。
6. —種基板處理裝置，相鄰于曝光裝置而配置，其特征在于，該基板處 理裝置具有處理部，其用于對(duì)基板進(jìn)行處理；交接部，其用于在所述處理部和所述曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接； 所述處理部和所述交接部中的至少一個(gè)包括進(jìn)行基板的干燥處理的干 燥處理單元，所述干燥處理單元包括基板保持裝置，其將基板保持為近似水平；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由所述基板保持裝置保持的基板圍繞垂直于該基板 的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；沖洗液供給部，其向由所述基板保持裝置保持的基板上供給沖洗液； 沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使所述沖洗液供給部移動(dòng)，以便從旋轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液；所述沖洗液供給部使沖洗液的流量階段性地或者連續(xù)性地變化，使得以第一流量向基板的中心部供給沖洗液，以比所述第一流量少的第二流量向基板的周邊部供給沖洗液。
7. 如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，所述沖洗液供給移 動(dòng)機(jī)構(gòu)在向基板的從中心部離開(kāi)規(guī)定距離的位置處供給沖洗液的狀態(tài)下，使 所述沖洗液供給部的移動(dòng)暫時(shí)停止。
8. 如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，所述干燥處理單元 還包括氣體供給部，所述氣體供給部在由所述沖洗液供給部向基板的從中心 離開(kāi)的位置處供給沖洗液的狀態(tài)下，向基板的中心部吹出氣體。
9. 如權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，所述干燥處理單元 還包括氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述氣體供給部移動(dòng)，使得基板上的氣體的供給位置處于比通過(guò)所述沖洗液供給部供給的沖洗液 的供給位置更接近基板的中心部的位置，而從基板的中心部向基板的周邊部 移動(dòng)。
10. 如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述處理部還包括感光膜形成單元，其在曝光處理前的基板上形成由感光材料構(gòu)成的感光膜；顯影處理單元，其對(duì)曝光處理后的基板進(jìn)行顯影處理；所述干燥處理單元在由所述曝光裝置進(jìn)行曝光處理后且由所述顯影處 理單元進(jìn)行顯影處理前進(jìn)行基板的干燥處理。
11. 一種基板處理裝置，相鄰于曝光裝置而配置，其特征在于，該基板處理裝置具有處理部，其用于對(duì)基板進(jìn)行處理；交接部，其用于在所述處理部和所述曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接； 所述處理部和所述交接部中的至少一個(gè)包括進(jìn)行基板的干燥處理的干 燥處理單元，所述干燥處理單元包括基板保持裝置，其將基板保持為近似水平；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由所述基板保持裝置保持的基板圍繞垂直于該基板 的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；沖洗液供給部，其向由所述基板保持裝置保持的基板上供給沖洗液； 沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使沖洗液供給部移動(dòng)，以便從旋轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液；所述沖洗液供給部使沖洗液的供給壓階段性地或者連續(xù)性地變化，以便以第一供給壓向基板的中心部供給沖洗液，以低于所述第一供給壓的第二供給壓向基板的周邊部供給沖洗液。
12. 如權(quán)利要求ll所述的基板處理裝置，其特征在于，所述沖洗液供給 移動(dòng)機(jī)構(gòu)在向基板的從中心部離幵規(guī)定距離的位置處供給沖洗液的狀態(tài)下， 使所述沖洗液供給部的移動(dòng)暫時(shí)停止。
13. 如權(quán)利要求ll所述的基板處理裝置，其特征在于，所述干燥處理單 元還包括氣體供給部，該氣體供給部在由所述沖洗液供給部向基板的從中心 離開(kāi)的位置處供給沖洗液的狀態(tài)下，向基板的中心部吹出氣體。
14. 如權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于，所述干燥處理單 元還包括氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述氣體供給部移 動(dòng)，使得基板上的氣體的供給位置處于比通過(guò)所述沖洗液供給部供給的沖洗 液的供給位置更接近基板的中心部的位置，而從基板的中心部向基板的周邊 部移動(dòng)。
15. 如權(quán)利要求ll所述的基板處理裝置，其特征在于，所述處理部還包括感光膜形成單元，其在曝光處理前的基板上形成由感光材料構(gòu)成的感光膜；顯影處理單元，其對(duì)曝光處理后的基板進(jìn)行顯影處理； 所述干燥處理單元在由所述曝光裝置進(jìn)行曝光處理后且由所述顯影處 理單元進(jìn)行顯影處理前進(jìn)行基板的干燥處理。
16. —種基板處理方法，在基板處理裝置中處理基板，該基板處理裝置 相鄰于曝光裝置而配置，且包含有處理部和交接部，其特征在于，該基板處 理方法包括通過(guò)所述處理部對(duì)基板進(jìn)行曝光前的處理的工序；通過(guò)所述交接部將由所述處理部處理過(guò)的基板從所述處理部交接到所 述曝光裝置的工序；通過(guò)所述交接部將由所述曝光裝置進(jìn)行曝光處理后的基板從所述曝光 裝置交接到所述處理部的工序；通過(guò)所述處理部對(duì)基板進(jìn)行曝光處理后的處理的工序；在所述處理部和所述交接部中的至少一個(gè)中對(duì)基板進(jìn)行干燥處理的工序；對(duì)所述基板進(jìn)行干燥處理的工序包括將基板保持為近似水平并使基板圍繞垂直于基板的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的工序； 從旋轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液的工序； 在使所述基板進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的工序中，使基板的旋轉(zhuǎn)速度階段性地或者連續(xù) 性地變化，使得在向基板的中心部供給沖洗液的期間，以第一旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn) 基板，在向基板的周邊部供給沖洗液的期間，以低于所述第一旋轉(zhuǎn)速度的第 二旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)基板。
17. —種基板處理方法，在基板處理裝置中處理基板，該基板處理裝置 相鄰于曝光裝置而配置，并且包含有處理部和交接部，其特征在于，該基板 處理方法包括通過(guò)所述處理部對(duì)基板進(jìn)行曝光前的處理的工序；通過(guò)所述交接部將由所述處理部處理過(guò)的基板從所述處理部交接到所 述曝光裝置的工序；通過(guò)所述交接部將由所述曝光裝置曝光處理后的基板從所述曝光裝置 交接到所述處理部的工序；通過(guò)所述處理部對(duì)基板進(jìn)行曝光處理后的處理的工序；在所述處理部和所述交接部中的至少一個(gè)中對(duì)基板進(jìn)行干燥處理的工序；對(duì)所述基板進(jìn)行干燥處理的工序包括將基板保持為近似水平并使基板圍繞垂直于基板的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的工序； 從旋轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液的工序； 在供給所述沖洗液的工序中，使沖洗液的流量階段性地或者連續(xù)性地變化，使得向基板的中心部以第一流量供給沖洗液，向基板的周邊部以比所述第一流量少的第二流量供給沖洗液。
18. —種基板處理方法，在基板處理裝置中處理基板，該基板處理裝置 相鄰于曝光裝置而配置，并且包含有處理部和交接部，其特征在于，該基板 處理方法包括通過(guò)所述處理部對(duì)基板進(jìn)行曝光前的處理的工序；通過(guò)所述交接部將由所述處理部處理過(guò)的基板從所述處理部交接到所 述曝光裝置的工序；通過(guò)所述交接部將由所述曝光裝置曝光處理后的基板從所述曝光裝置 交接到所述處理部的工序；通過(guò)所述處理部對(duì)基板進(jìn)行曝光處理后的處理的工序；在所述處理部和所述交接部中的至少一個(gè)中對(duì)基板進(jìn)行干燥處理的工序； 對(duì)所述基板進(jìn)行干燥處理的工序包括將基板保持為近似水平并使基板圍繞垂直于基板的軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的工序；從旋轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)地供給沖洗液的工序；在供給所述沖洗液的工序中，使沖洗液的供給壓階段性地或者連續(xù)性地 變化，使得向基板的中心部以第一供給壓供給沖洗液，向基板的周邊部以低 于所述第一供給壓的第二供給壓供給沖洗液。
全文摘要
一種基板處理裝置和基板處理方法，在清洗基板后，基板進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，液體供給噴嘴一邊噴出沖洗液，一邊從基板的中心部上方向外方移動(dòng)。此時(shí)，沒(méi)有沖洗液的干燥區(qū)域在基板上擴(kuò)大。若液體供給噴嘴移動(dòng)至基板周邊部上方，則基板的旋轉(zhuǎn)速度下降。液體供給噴嘴的移動(dòng)速度維持原狀態(tài)。然后，停止噴出沖洗液，并且，液體供給噴嘴移動(dòng)到基板的外方。由此，干燥區(qū)域擴(kuò)展到基板上整體，基板被干燥。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101388333SQ200810212379
公開(kāi)日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2008年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月13日
發(fā)明者安田周一, 宮城聰, 真田雅和, 茂森和士, 金岡雅 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迅動(dòng)