專利名稱：可移動(dòng)微器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可移動(dòng)微器件，例如可變微電容器和微傳感器件，其通過微 機(jī)械加工技術(shù)制造并具有微小可移動(dòng)部件。
背景技術(shù)：
近年來，通過微機(jī)械加工技術(shù)制造的可移動(dòng)微器件已在各種各樣的技術(shù) 領(lǐng)域引起了注意，并且己有人努力應(yīng)用這些具有微結(jié)構(gòu)的器件。微器件包括 可變微電容器和微傳感器件這類器件，它們具有微小可移動(dòng)部件或振蕩部件?？梢苿?dòng)微器件舉例來說公開于以下專利文獻(xiàn)1至3中。 專利文獻(xiàn)l: JP-A-2002-373829; 專利文獻(xiàn)2: JP-A-2004-505788; 專利文獻(xiàn)3:美國專利第5,959,516號。圖16至圖19示出可變微電容器X4，作為傳統(tǒng)可移動(dòng)微器件的示例。圖 16是可變微電容器X4的俯視圖。圖17是可變微電容器X4的另一俯視圖。圖18和圖19分別是沿圖16中線xvm-xvin和xix-xix取得的剖視圖?？勺兾㈦娙萜鱔4包括可移動(dòng)部件40、框架50以及一對連接部件60。 可變微電容器X4是通過微機(jī)械加工技術(shù)如MEMS技術(shù)，由所謂絕緣體上硅(silicon on insulator, SOI)材料襯底制造的。上述材料襯底具有層疊結(jié)構(gòu)， 該層疊結(jié)構(gòu)包括第一硅層和第二硅層、及位于上述硅層之間的絕緣層。每個(gè) 硅層摻有雜質(zhì)并具有預(yù)定水平的導(dǎo)電率。圖16是俯視圖，主要是要用來明確 由第一硅層形成的結(jié)構(gòu)。為了明確起見，圖16中，由第一硅層形成的那些部 分標(biāo)以陰影線。圖17中，由第二硅層形成的部分標(biāo)以陰影線。可移動(dòng)部件40完全由第一硅層形成，具有可移動(dòng)主要部分41和梳齒形 電極42、 43，并且相對于框架50是可擺動(dòng)或可旋轉(zhuǎn)的。梳齒形電極42是以 從可移動(dòng)主要部分41延伸的多個(gè)電極齒42a設(shè)置的。梳齒形電極43是以從 可移動(dòng)主要部分41延伸的多個(gè)電極齒43a設(shè)置的?？蚣?0包括框架主要部分51和梳齒形電極52、 53。具有層疊結(jié)構(gòu)的框 架主要部分51圍繞可移動(dòng)部件40，上述層疊結(jié)構(gòu)包括上述的第一硅層和第 二硅層以及位于這些硅層之間的絕緣層。梳齒形電極52是以從框架主要部分 51延伸的多個(gè)電極齒52a設(shè)置的。梳齒形電極53是以從框架主要部分51延 伸的多個(gè)電極齒53a設(shè)置的。框架主要部分51形成為在由第一硅層和第二硅 層所形成的部分中的預(yù)定位置具有間隙51a。因?yàn)殚g隙51a和硅層之間的絕 緣層，所以梳齒形電極42、 43與梳齒形電極52、 53電隔離，并且框架50 中梳齒形電極52與梳齒形電極53電隔離。可移動(dòng)部件40的梳齒形電極42與框架50的梳齒形電極52在可變微電 容器X4中構(gòu)成一對電容器電極。在初始位置，梳齒形電極42的電極齒42a 和梳齒形電極52的電極齒52a具有其彼此相對的側(cè)表面。可移動(dòng)部件40的梳齒形電極43與框架50的梳齒形電極53在可變微電 容器X4中構(gòu)成一對驅(qū)動(dòng)器電極。梳齒形電極43是由第一硅層形成的，而梳 齒形電極53是由第二硅層形成的。各連接部件60連接可移動(dòng)部件40和框架50。這對連接部件60限定了 可移動(dòng)部件40相對于框架50的旋轉(zhuǎn)位移的軸線A4。還有，各連接部件60 將框架主要部分51的部件與可移動(dòng)部件40電連接。具有梳齒形電極42、 43 的可移動(dòng)部件40經(jīng)由連接部件60接地。圖20和圖21示出一種用于制造可變微電容器X4的方法。圖20和圖21 順序示出以下步驟的剖視圖形成可移動(dòng)主要部分41，形成梳齒形電極42、 43，形成框架主要部分51，形成梳齒形電極52、 53，以及形成連接部件60。 圖中示出的截面是概念性的合成物，代表來自執(zhí)行微機(jī)械加工的材料襯底(晶 片)的不同截面的各個(gè)部分。在可變電容器X4的制造中，首先，制備如圖20 (a)所示的材料襯底 300。材料襯底300是所謂的SO1，并具有包括硅層301、 302以及位于上述 硅層之間的絕緣層303的層疊結(jié)構(gòu)。接下來，如圖20 (b)所示，在硅層301上形成抗蝕劑圖案304。抗蝕劑 圖案304針對要由可變微電容器X4中的硅層301形成的部分提供圖案。接下來，如圖20 (c)所示，在硅層302上形成抗蝕劑圖案305?？刮g劑 圖案305針對要由可變微電容器X4中的硅層302形成的部分提供圖案。接下來，如圖21 (a)所示，利用抗蝕劑圖案304作為掩模，對硅層301 執(zhí)行各向異性干法蝕刻，由此形成可移動(dòng)主要部分41、梳齒形電極42或電 極齒42a、梳齒形電極43或電極齒43a、框架主要部分51的部件、梳齒形電 極52或電極齒52a以及連接部件60。接下來，如圖21 (b)所示，利用抗蝕劑圖案305作為掩模，對硅層302 執(zhí)行各向異性干法蝕刻，由此形成框架主要部分51的部件以及梳齒形電極 53或電極齒53a。接下來，如圖21 (c)所示，除去抗蝕劑圖案304、 305，并除去絕緣層 303的暴露部分。通過這些步驟，就能夠制造可變微電容器X4。在可變微電容器X4中，能夠通過將預(yù)定電位施加到梳齒形電極53，來 按需要圍繞軸線A4搖動(dòng)或旋轉(zhuǎn)位移可移動(dòng)部件40。由于預(yù)定電位施加到梳 齒形電極53，在梳齒形電極43、 53之間產(chǎn)生了預(yù)定靜電引力(請注意在本 例中梳齒形電極43接地)，因此梳齒形電極43被牽引向梳齒形電極53。結(jié) 果，可移動(dòng)部件40圍繞軸線A4搖動(dòng)，并旋轉(zhuǎn)位移到一定角度，在此角度下， 靜電引力被連接部件60中扭應(yīng)力的總和所平衡。由這種搖動(dòng)操作而引起的旋 轉(zhuǎn)位移量可通過調(diào)整施加到梳齒形電極53的電位來加以調(diào)整(對于旋轉(zhuǎn)位移 量的調(diào)整可通過控制梳齒形電極43、 53之間的電位差來進(jìn)行，無需將梳齒形 電極43接地)。通過對旋轉(zhuǎn)位移量的調(diào)整，能夠調(diào)整梳齒形電極42、 52之 間相對的面積量(電極齒42a與電極齒52a彼此相對的側(cè)表面的面積)，并 且因此而能夠調(diào)整用作電容器電極的梳齒形電極42、 52之間的靜電容量。另 一方面，如果除去梳齒形電極43、 53之間的靜電引力，每個(gè)連接部件60釋 放其內(nèi)部保持的扭應(yīng)力，從而返回到其自然狀態(tài)，使可移動(dòng)部件40或梳齒形 電極42得以返回至其初始位置。一般在電容器器件中，其電容器電極具有小電阻的電容器器件往往會(huì)具 有高Q值。但是，在通過上述方法由S0I襯底制造的傳統(tǒng)可變微電容器X4 中， 一對電容器電極(梳齒形電極42、 52)是由導(dǎo)電硅材料制成的，并且上 述導(dǎo)電硅材料一般具有比例如金屬材料更高的電阻率。出于這一原因，在可 變微電容器X4 (可移動(dòng)微器件)中有時(shí)不可能取得足夠高的Q值。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是在上述情況下提出的，因此本發(fā)明的目的即為提供一種適于取得高Q值的可移動(dòng)微器件。本發(fā)明的第一方案提供了一種可移動(dòng)微器件，其包括可移動(dòng)部件、框架以及連接部件，具體如下本發(fā)明器件中的可移動(dòng)部件具有可移動(dòng)主要部分、 第一電容器梳齒形電極及第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極，其中第一電容器梳齒形電 極具有從可移動(dòng)主要部分延伸的多個(gè)電極齒，第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極具有從 可移動(dòng)主要部分延伸的多個(gè)電極齒?？蚣芫哂械诙娙萜魇猃X形電極及第二 驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極，其中第二電容器梳齒形電極具有朝向可移動(dòng)部件的第一 電容器梳齒形電極延伸的多個(gè)電極齒，第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極具有朝向第一 驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極延伸的多個(gè)電極齒。連接部件連接可移動(dòng)部件和框架。第 一電容器梳齒形電極和第二電容器梳齒形電極是由金屬材料制成的，并且當(dāng) 處于其初始位置時(shí)電極齒交疊。第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形 電極是在同一材料層中制成，并且當(dāng)處于其初始位置時(shí)沒有電極齒交疊，或 者說當(dāng)處于其初始位置不使得電極齒交疊?？梢苿?dòng)部件可旋轉(zhuǎn)位移，以供第 一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極與第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極之間的電極齒交疊，并改變第 一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極與第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極之間電極齒交疊的程度。在本 發(fā)明中，電極齒交疊是指在一對梳齒形電極(一對電容器梳齒形電極或一對 驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極)中，其中一個(gè)梳齒形電極中的電極齒處于其它梳齒形電 極的電極齒之間，因此其中一個(gè)梳齒形電極中的電極齒與其它梳齒形電極中 的電極齒具有彼此相對的側(cè)表面。本發(fā)明的可移動(dòng)微器件包括由金屬材料制成的第一電容器梳齒形電極和 第二電容器梳齒形電極作為一對電容器電極。金屬材料一般具有比硅材料更 低的電阻率。所以，本發(fā)明的可移動(dòng)微器件例如與傳統(tǒng)可變微電容器X4相 比，更適于取得更高的Q值，在傳統(tǒng)可變微電容器X4中電容器元件是以導(dǎo) 電硅材料制成的一對電容器電極設(shè)置的。另外，本發(fā)明的可移動(dòng)微器件適于在一對驅(qū)動(dòng)器電極之間產(chǎn)生大驅(qū)動(dòng)力， 其中這一對驅(qū)動(dòng)器電極是以第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極設(shè)置的。其中理由如下在上述傳統(tǒng)可變微電容器X4的制造工藝中，梳齒形電極43 (為一對驅(qū)動(dòng)器電極中的一個(gè)部件)和梳齒形電極53(為一對驅(qū)動(dòng)器電極中的另一部件) 形成于SOI襯底即材料襯底300內(nèi)不同的層(硅層301、 302)中。具體地說， 如參考圖21 (a)所描述的，梳齒形電極43是利用抗蝕劑圖案304作為掩模， 通過對硅層301執(zhí)行各向異性蝕刻來形成的。梳齒形電極53則如參考圖21 (b)所描述的，是利用抗蝕劑圖案305作為掩模，通過對硅層302執(zhí)行各向 異性蝕刻來形成的?？刮g劑圖案304 (包括用于梳齒形電極43的掩模)形成 于硅層301上，而抗蝕劑圖案305 (包括用于梳齒形電極53的掩模)形成于 硅層302上，其為材料襯底300中遠(yuǎn)離硅層301的一側(cè)。如上所述，形成于 彼此相對而遠(yuǎn)離的表面上的抗蝕劑圖案304、305在其形成的相對位置方面不 具有高水平精度，亦即它們的對準(zhǔn)精度相對低。抗蝕劑圖案304、 305之間的 對準(zhǔn)精度較低，導(dǎo)致利用抗蝕劑圖案304、 305的一部分作為掩模形成的梳齒 形電極43、 53的位置精度較低(例如在以形成梳齒形電極43的位置作為參 考位置的情況下，形成梳齒形電極53的位置就是不精確的)。這樣就難以針 對電極齒43a、 53a之間電極齒交疊的狀態(tài)，在梳齒形電極43、 53之間設(shè)計(jì) 小間隙(為了避免在電極齒43a、 53a之間間隙較小的情況下，在梳齒形電極 43、 53之間產(chǎn)生被稱為拉入(pull-in)現(xiàn)象的問題，必須在形成梳齒形電極 43、 53的位置方面取得較高的精度)。為了在一對梳齒形電極之間產(chǎn)生大靜 電引力(驅(qū)動(dòng)力)，有效的是設(shè)計(jì)成在電極齒交疊的狀態(tài)下，梳齒形電極的 電極齒之間的間隙小。但在制造工藝中，抗蝕劑圖案304、 305之間的對準(zhǔn)精 度相對低的情況下，通常難以針對電極齒交疊的狀態(tài)，在可變微電容器X4 中將梳齒形電極43、 53的電極齒43a、 53a之間的間隙設(shè)計(jì)得如此之小。所 以，傳統(tǒng)可變微電容器X4難以在一對驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極43、 53之間產(chǎn)生大 靜電引力(驅(qū)動(dòng)力)。另一方面，本發(fā)明的可移動(dòng)微器件中以第一和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極來 設(shè)置的一對驅(qū)動(dòng)器電極是在同一材料層中制成的。因此，用于第一驅(qū)動(dòng)器梳 齒形電極的掩模或包含該掩模的第一掩模圖案，以及用于第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形 電極的掩模或包含該掩模的第二掩模圖案，能夠在材料層的同一表面上形成， 并且這兩個(gè)電極例如可利用上述掩模圖案，通過對材料層執(zhí)行各向異性蝕刻 來成形。形成于材料層的同一表面上的第一掩模圖案和第二掩模圖案能夠具 有相對高的對準(zhǔn)精度。關(guān)于第一掩模圖案和第二掩模圖案，如果第一掩模圖案和第二掩模圖案包含于在材料層的同一表面上形成的同一單個(gè)掩模圖案 中，則通過相同的光刻操作，理論上沒有任何對準(zhǔn)誤差，即可實(shí)現(xiàn)第一掩模 圖案和第二掩模圖案的形成。使用如上所述的第一掩模圖案和第二掩模圖案， 即能形成具有相對高位置精度的第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形 電極，從而易于針對第一和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極之間電極齒的交疊狀態(tài)， 將電極齒之間的間隙設(shè)計(jì)為小。因此，本發(fā)明的可移動(dòng)微器件適于在一對驅(qū)動(dòng)器電極之間產(chǎn)生大驅(qū)動(dòng)力， 其中這一對驅(qū)動(dòng)器電極是以第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極 來設(shè)置的。如上所述本發(fā)明的可移動(dòng)微器件適于減少要施加到一對驅(qū)動(dòng)器電 極(第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極)的驅(qū)動(dòng)電壓。優(yōu)選地，第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極是在以導(dǎo)電硅 材料設(shè)置的同一材料層中形成的。優(yōu)選地，第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極是通過對材料層執(zhí)行深反應(yīng)離子蝕刻(Deep Reactive Ion Etching, DRIE)操作而同時(shí)形成的。這些配置適于精確地形成第一驅(qū)動(dòng)器梳 齒形電極和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極。優(yōu)選地，第一電容器梳齒形電極和/或第二電容器梳齒形電極包含金屬， 該金屬選自Au、 Ag、 Cu及Al組成的組。優(yōu)選地，第一電容器梳齒形電極 和/或第二電容器梳齒形電極是通過電鍍形成的。這些配置適于形成具有小電 阻率的第一 電容器梳齒形電極和/或第二電容器梳齒形電極。本發(fā)明的第二方案提供了一種可移動(dòng)微器件，其包括可移動(dòng)部件、框架 以及連接部件如下在本發(fā)明的器件中，可移動(dòng)部件具有可移動(dòng)主要部分、 第一 電容器梳齒形電極及第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極，其中第一 電容器梳齒形電 極具有從可移動(dòng)主要部分延伸的多個(gè)電極齒，第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極具有從 可移動(dòng)主要部分延伸的多個(gè)電極齒?？蚣芫哂械诙娙萜魇猃X形電極及第二 驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極，其中第二電容器梳齒形電極具有朝向第一電容器梳齒形 電極延伸的多個(gè)電極齒，第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極具有朝向第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形 電極延伸的多個(gè)電極齒。連接部件連接可移動(dòng)部件和框架。第一電容器梳齒 形電極和第二電容器梳齒形電極是由金屬材料制成的，并且具有當(dāng)處于其初 始位置時(shí)交疊的電極齒。第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極是 由金屬材料制成的，并且具有當(dāng)處于其初始位置時(shí)交疊的電極齒，或具有當(dāng)處于其初始位置時(shí)交疊的電極齒?？梢苿?dòng)部件是可旋轉(zhuǎn)位移的，用以提供第 一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極與第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極之間的電極齒交疊并改變第一 驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極與第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極之間電極齒交疊的程度。本發(fā)明的可移動(dòng)微器件包括作為一對電容器電極的第一電容器梳齒形電 極和第二電容器梳齒形電極，第一 電容器梳齒形電極和第二電容器梳齒形電 極是由金屬材料制成的。因此，本發(fā)明的可移動(dòng)微器件也適于取得較高Q值， 如同根據(jù)本發(fā)明第一方案的可移動(dòng)微器件。在本發(fā)明的第一和第二方案中，優(yōu)選地，第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極的電極 齒在遠(yuǎn)離第一電容器梳齒形電極的電極齒的一側(cè)從可移動(dòng)主要部分延伸。但 是，第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極的電極齒可在與第一電容器梳齒形電極的電極齒 相同的一側(cè)從可移動(dòng)主要部分延伸。優(yōu)選地，連接部件包括與可移動(dòng)部件的第一電容器梳齒形電極電連接的 導(dǎo)電部分。如上所述的這種配置能夠適當(dāng)?shù)貙⒌谝浑娙萜魇猃X形電極與預(yù)定 的外部電路連接。優(yōu)選地，第一 電容器梳齒形電極和/或第二電容器梳齒形電極具有未設(shè)置 介電膜的表面。如果在電容器梳齒形電極的表面上具有介電膜，在介電膜的 表面上電荷就會(huì)以特定的能級被捕獲，并且當(dāng)介電膜進(jìn)入高電場(例如106V/cm或更高)時(shí)，表面上捕獲的電荷隨即被注入介電膜內(nèi)的缺陷能級。 在介電膜中，注入電荷的弛豫時(shí)間常數(shù)可以相當(dāng)大，而這在可移動(dòng)微器件操 作時(shí)能夠增大介電膜中的的電荷累積量，導(dǎo)致電荷累積量不再會(huì)減少的狀態(tài)。 這種電荷捕獲和注入介電膜中的現(xiàn)象是不希望有的，因?yàn)檫@能擾亂可移動(dòng)微 器件的適當(dāng)操作。優(yōu)選地，根據(jù)第一或第二方案的可移動(dòng)微器件制成為可變電容器，用以 改變第一 電容器梳齒形電極與第二電容器梳齒形電極之間的靜電容量。作為 另一選項(xiàng)，根據(jù)第一或第二方案的可移動(dòng)微器件可制成為傳感器件，用以檢 測第一 電容器梳齒形電極與第二電容器梳齒形電極之間的靜電容量。優(yōu)選地，本發(fā)明的可移動(dòng)微器件是利用電絕緣低粘性液體或電絕緣低粘 性氣體作為填充劑來封裝的。這樣一種配置使其能夠提供良好的封裝。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的可移動(dòng)微器件的俯視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的可移動(dòng)微器件的另一俯視圖。圖3是圖1的局部放大圖。圖4是圖2的局部放大圖。圖5是沿圖1中的線V-V取得的放大剖視圖。圖6是沿圖1中的線VI-VI取得的放大的局部剖視圖。圖7示出用以制造圖1所示可移動(dòng)微器件的方法中的步驟。圖8示出在圖7中所示那些步驟之后的步驟。圖9示出在圖8中所示那些步驟之后的步驟。圖10示出在圖9中所示那些步驟之后的步驟。圖11示出可移動(dòng)部件被旋轉(zhuǎn)移位的狀態(tài)。圖12是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的可移動(dòng)微器件的俯視圖。圖13是沿圖12中的線xm-xm取得的剖視圖。圖14是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的可移動(dòng)微器件的俯視圖。圖15是沿圖14中的線XV-XV取得的剖視圖。圖16是傳統(tǒng)可移動(dòng)微器件的俯視圖。圖17是圖16所示可移動(dòng)微器件的另一俯視圖。圖18是沿圖16中的線xvni-xvm取得的剖視圖。圖19是沿圖16中的線XIX-XIX取得的剖視圖。圖20示出用以制造圖16所示傳統(tǒng)可移動(dòng)微器件的方法中的步驟。圖21示出在圖20中所示那些步驟之后的步驟。
具體實(shí)施方式
圖1至圖6示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的可移動(dòng)微器件X1。圖1和圖2 是可移動(dòng)微器件X1的俯視圖。圖3是圖1的局部放大圖，而圖4是圖2的 局部放大圖。圖5是沿圖1中的線V-V取得的剖視圖。圖6是沿線VI-VI取 得的局部的放大剖視圖。可移動(dòng)微器件XI包括可移動(dòng)部件10、框架20以及一對連接部件30。 可移動(dòng)微器件X1是通過如MEMS技術(shù)等微機(jī)械加工技術(shù)由預(yù)定的材料襯底制造的，并且總體上具有層疊結(jié)構(gòu)，主要包括第一層101，以硅材料設(shè)置， 此硅材料摻有雜質(zhì)并具有預(yù)定水平的電導(dǎo)率；第二層102，以金屬材料如Au、Ag、 Cu和Al制成；以及絕緣層103，位于第一層101與第二層102之間。 為了明確起見，在圖1中將第二層102標(biāo)以陰影線，而在圖2中將第一層101 標(biāo)以陰影線?？梢苿?dòng)部件10包括可移動(dòng)主要部分11和梳齒形電極12、 13，并且能夠 以擺動(dòng)或旋轉(zhuǎn)方式，相對于框架20位移。如圖5和圖6所示，可移動(dòng)主要部 分ll具有層疊結(jié)構(gòu)，此層疊結(jié)構(gòu)包括部分lla，此部分是第一層101的一 部分；部分llb，此部分是第二層102的一部分；以及絕緣層llc，絕緣層 11c是絕緣層103的一部分。還有，如圖6所示，可移動(dòng)主要部分ll設(shè)置有 穿透絕緣層llc的導(dǎo)電通孔(或?qū)?lld，用以建立部分lla與部分llb 之間的電連接。梳齒形電極12是第二層102的一部分，并且是以從可移動(dòng)主 要部分11彼此平行地延伸的多個(gè)電極齒12a設(shè)置的。電極齒12a的延伸長度 例如為5pm至5000^im。梳齒形電極13是第一層101的一部分，并且是以從 可移動(dòng)主要部分11彼此平行地延伸而遠(yuǎn)離電極齒12a的多個(gè)電極齒13a設(shè)置 的。電極齒13a的延伸長度例如為5nm至5000pm。框架20包括主要框架部分21和梳齒形電極22、 23。如圖5和圖6所示， 主要框架部分21具有層疊結(jié)構(gòu)，此層疊結(jié)構(gòu)包括部分21a，此部分是第一 層101的一部分；部分21b，此部分是第二層102的一部分；以及絕緣層21c， 絕緣層21c是絕緣層103的一部分。主要框架部分圍繞可移動(dòng)部件10。梳齒 形電極22是第二層102的一部分，并且是以從主要框架部分21朝向可移動(dòng) 部件10的梳齒形電極12彼此平行地延伸的多個(gè)電極齒22a來設(shè)置的。電極 齒22a的延伸長度例如為5pm至5000pm。梳齒形電極23是第一層101的一 部分，并且是以從主要框架部分21朝向梳齒形電極13彼此平行地延伸的多 個(gè)電極齒23a來設(shè)置的。電極齒23a的延伸長度例如為5pm至5000pm。可移動(dòng)部件10的梳齒形電極12與框架20的梳齒形電極22在微型可變 器件X1中構(gòu)成一對電容器電極，并且如圖3和圖5所示，梳齒形電極12的 電極齒12a和梳齒形電極22的電極齒22a具有在其初始位置彼此相對的側(cè)表 面。換言之，梳齒形電極12、 22具有在其初始位置彼此交疊的電極齒?？梢苿?dòng)部件10的梳齒形電極13與框架20的梳齒形電極23在微型可變器件XI中構(gòu)成一對電容器電極。舉例來說如圖4和圖5所示，根據(jù)本實(shí)施 例，梳齒形電極13、 23不具有在其初始位置彼此交疊的電極齒。梳齒形電極 13、 23可具有在其初始位置彼此交疊的電極齒?？梢苿?dòng)部件10中的梳齒形 電極12、 13、梳齒形電極22以及梳齒形電極23彼此電隔離。如圖6所示，每個(gè)連接部件30包括主要部分31和導(dǎo)電部分32，并且連 接可移動(dòng)部件10和框架20。各連接部件30中的導(dǎo)電部分32包含諸如Au、 Ag、 Cu和Al之類金屬，提供可移動(dòng)主要部分11的部分lib與主要框架部 分21的部分21b之間的電連接。在本實(shí)施例中，包括梳齒形電極12、 13的 可移動(dòng)部件10經(jīng)由連接部件30或?qū)щ姴糠?2接地。連接部件30可設(shè)置有 彼此電隔離的多個(gè)導(dǎo)電部分32。這對連接部件30限定了可移動(dòng)部件10相對 于框架20旋轉(zhuǎn)位移的軸線A1。圖7至圖10示出用于制造可移動(dòng)微器件XI的方法。圖7至圖10順序 地示出以下步驟的剖視圖形成上述的可移動(dòng)主要部分ll，形成梳齒形電極 12、 13，形成框架主要部分21，形成梳齒形電極22、 23，以及形成連接部件 30。圖中示出的截面是概念性的合成物，代表來自執(zhí)行微機(jī)械加工的材料襯 底(晶片)的不同截面的各個(gè)部分。在可移動(dòng)微器件X1的制造中，首先，制備如圖7 (a)所示的材料襯底 200。材料襯底200是所謂的絕緣體上硅(SOI)襯底，并具有包括硅層201、 202以及位于上述硅層之間的絕緣層203的層疊結(jié)構(gòu)。硅層201摻有雜質(zhì)， 且因此而具有預(yù)定水平的電導(dǎo)率。絕緣層203例如由氧化硅制成。硅層201 例如具有50|im至600pm的厚度。硅層202例如具有l(wèi)(im至100|am的厚度。 絕緣層203例如具有0.5pm至50pm的厚度。接下來，如圖7 (b)所示，在硅層201的表面上形成氧化物膜204。還 形成連接部件30的主要部分31。氧化物膜204可通過CVD法，即通過在硅 層201的表面上形成厚度達(dá)lpm的氧化硅膜來形成。例如，可通過首先在硅 層202上形成預(yù)定的抗蝕劑圖案(圖中未示)，且隨后利用抗蝕劑圖案作為 掩模，對硅層202執(zhí)行深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)，來實(shí)現(xiàn)主要部分31的形 成。在DRIE操作中，可利用博仕(Bosch)工藝(其中蝕刻與側(cè)壁保護(hù)彼此 交替地進(jìn)行)來執(zhí)行良好的各向異性蝕刻。在此步驟和以下將描述的其它步 驟中的DRIE操作可通過Bosch工藝來執(zhí)行。接下來，如圖7 (c)所示，形成絕緣膜圖案203'。具體地說，在絕緣層 203上形成抗蝕劑圖案(圖中未示)，且隨后利用蝕劑圖案作為掩模對絕緣 層203執(zhí)行蝕刻。絕緣膜圖案203'具有多個(gè)預(yù)定開口，包括用于形成導(dǎo)電通 孔lld的開口 203a。接下來，在硅層201上形成用于電鍍的底層膜(圖中未示)，以覆蓋絕 緣膜圖案203'和主要部分31，并且此后，形成如圖7 (d)所示的抗蝕劑圖案 205。底層膜可通過濺射方法，舉例來說即通過首先形成厚度為50nm的Ti 膜，且隨后在此Ti膜上形成厚度為500nm的Cu膜來形成?？刮g劑圖案205 具有開口 205a和開口 205b。接下來，如圖8 (a)所示，執(zhí)行電鍍以在開口 203a、 205a、 205b中生 長金屬。這一步驟產(chǎn)生了導(dǎo)電通孔lld和導(dǎo)電部分32。在此步驟中使用的金 屬材料選自Au、 Ag、 Cu及Al組成的組，或包含上述金屬的合金。接下來，通過進(jìn)一步在抗蝕劑圖案205上形成抗蝕劑材料膜，或通過首 先除去抗蝕劑圖案205且隨后重新形成抗蝕劑材料膜，來形成如圖8 (b)所 示的抗蝕劑膜206。接下來，如圖8 (c)所示，將氧化物膜204圖案化以形成氧化物膜圖案 204'，并且此后形成具有多個(gè)預(yù)定開口的抗蝕劑圖案207。氧化物膜圖案204' 是用以形成可移動(dòng)主要部分11、梳齒形電極13、主要框架部分21、及梳齒 形電極23的圖案。接下來，如圖8 (d)所示，利用抗蝕劑圖案207作為掩模，對硅層201 執(zhí)行DRIE，直到到達(dá)硅層201中的厚度中點(diǎn)為止。接下來，如圖9 (a)所示，通過在抗蝕劑圖案207上進(jìn)一步形成抗蝕劑 材料膜，或通過首先除去抗蝕劑圖案207且隨后重新形成抗蝕劑材料膜，來 形成抗蝕劑膜208。接下來，如圖9(b)所示，將抗蝕劑膜206圖案化以形成抗蝕劑圖案206'。 抗蝕劑圖案206'具有用以在可移動(dòng)微器件X1中形成第二層102(可移動(dòng)主要 部分11的部分llb、梳齒形電極12、主要框架部分21的部分21b以及梳齒 形電極22)的開口 206a。接下來，如圖9 (c)所示，執(zhí)行電鍍以在開口 206a中生長金屬材料， 且由此而形成可移動(dòng)主要部分11的部分llb、梳齒形電極12或電極齒12a、主要框架部分21的部分21b、及梳齒形電極22或電極齒22a。在此步驟中使 用的金屬材料選自Au、 Ag、 Cu及Al組成的組，或包含上述金屬的合金。接下來，如圖9 (d)所示，除去抗蝕劑圖案206'和抗蝕劑膜208。抗蝕 劑圖案206'和抗蝕劑膜208的除去可通過預(yù)定的去除劑來進(jìn)行。此后，除去 為了電鍍而形成的底層膜(圖中未示)的暴露部分。通過以預(yù)定的蝕刻劑進(jìn) 行的濕法蝕刻或通過離子銑(ionmilling)，即可實(shí)現(xiàn)底層膜的部分除去。接下來，如圖10 (a)所示，形成具有預(yù)定開口的抗蝕劑圖案209。接下 來，如圖10 (b)所示，利用抗蝕劑圖案209作為掩模，對于硅層201從形 成有抗蝕劑圖案209的這一側(cè)執(zhí)行DRIE，直到到達(dá)硅層201中的厚度中點(diǎn) 為止。然后，如圖10 (c)所示，利用氧化物膜圖案204'作為掩模，對于硅層 201從形成有氧化物膜圖案204'的這一側(cè)執(zhí)行DRIE。這一步驟在可移動(dòng)微器 件X1中產(chǎn)生了第一層101 (可移動(dòng)主要部分11的部分lla、梳齒形電極13 或電極齒13a、主要框架部分21的部分21a、及梳齒形電極23或電極齒23a)。接下來，如圖10 (d)所示，蝕刻掉絕緣層203的暴露部分和氧化物膜 圖案204'。通過上述的系列步驟，即能制造可移動(dòng)微器件X1。在可移動(dòng)微器件X1中，能夠通過將預(yù)定電位施加到梳齒形電極23，來 按需要圍繞軸線Al搖動(dòng)或旋轉(zhuǎn)位移可移動(dòng)部件10。因?yàn)閷㈩A(yù)定電位施加到 梳齒形電極23，所以梳齒形電極13、 23之間產(chǎn)生預(yù)定的靜電引力(請注意 本實(shí)施例中的梳齒形電極13接地)，并且梳齒形電極13因此被牽引向梳齒 形電極23。結(jié)果，舉例來說如圖11所示，可移動(dòng)部件10圍繞軸線A4搖動(dòng)， 并旋轉(zhuǎn)位移到一定角度，在此角度下靜電引力被連接部件30中扭應(yīng)力的總和 所平衡。由這種搖動(dòng)操作引起的旋轉(zhuǎn)位移量可通過調(diào)整施加到梳齒形電極23 的電位來加以調(diào)整。通過對旋轉(zhuǎn)位移量的調(diào)整，即能調(diào)整梳齒形電極12、 22 之間相對的面積量(電極齒12a與電極齒22a彼此相對的側(cè)表面的面積)， 并且因此而能調(diào)整用作一對電容器電極的梳齒形電極12、 22之間的靜電容 量。另一方面，如果除去梳齒形電極13、 23之間的靜電引力，每個(gè)連接部件 60就會(huì)釋放其內(nèi)部保持的扭應(yīng)力，從而返回到其自然狀態(tài)，使可移動(dòng)部件IO 或梳齒形電極12得以返回至其初始位置。根據(jù)可移動(dòng)微器件XI ， 一對電容器電極是以金屬材料制成的梳齒形電極12、 22設(shè)置的。金屬材料一般具有比硅材料更低的電阻率。所以，可移動(dòng)微 器件X1更適于取得比傳統(tǒng)的可變微電容器X4 (其中電容器電極是由導(dǎo)電硅 材料制成的)更高的Q值。另外，可移動(dòng)微器件X1適于在由梳齒形電極13、 23設(shè)置的驅(qū)動(dòng)器電極 對之間產(chǎn)生大驅(qū)動(dòng)力。如上所述，利用在硅層201上形成的氧化物膜圖案204' 作為掩模，通過DRIE由相同的材料層(硅層201)，在可移動(dòng)微器件X1中 形成用作一對驅(qū)動(dòng)器電極的梳齒形電極13、 23。抗蝕劑圖案204'包括用于梳 齒形電極13的第一掩模圖案和用于梳齒形電極23的第二掩模圖案。以相對 高的對準(zhǔn)精度形成掩模圖案，如在材料層的同一表面上形成的第一掩模圖案 和第二掩模圖案。第一掩模圖案和第二掩模圖案的圖案包含在材料層的同一 表面上形成的同一單個(gè)掩模圖案(抗蝕劑圖案204')中，從而可通過同一光 刻操作來形成，因此理論上沒有對準(zhǔn)誤差。利用如上所述的第一掩模圖案和 第二掩模圖案，即能形成具有高相對位置精度的梳齒形電極13、 23，從而易 于針對用作一對驅(qū)動(dòng)器電極的梳齒形電極13、 23之間交疊的電極齒，設(shè)計(jì)出 電極齒13a、 23a之間的窄間隙。所以，可移動(dòng)微器件XI適于在以梳齒形電 極13、 23設(shè)置的驅(qū)動(dòng)器電極對之間產(chǎn)生大驅(qū)動(dòng)力。如上所述的可移動(dòng)微器件 XI適于減少要施加到這個(gè)驅(qū)動(dòng)器電極對(梳齒形電極13、 23)的驅(qū)動(dòng)電壓。根據(jù)可移動(dòng)微器件X1，用作一對電容器電極的梳齒形電極12、 22在其 表面沒有介電膜。這樣就能夠避免發(fā)生于介電膜中的電荷捕獲和注入。在可移動(dòng)微器件X1中，第一層101 (可移動(dòng)主要部分11的部分lla、 梳齒形電極13、主要框架部分21的部分21a以及梳齒形電極23)并非必須 由導(dǎo)電硅材料制成，而是可由金屬材料形成。上述金屬材料優(yōu)選為選自Au、 Ag、 Cu和Al組成的組的金屬，或包含上述金屬的合金。作為可移動(dòng)微器件 Xl中的另一變化，整個(gè)可移動(dòng)部件10可形成為連續(xù)的金屬結(jié)構(gòu)。無論采用 哪一種配置，可移動(dòng)微器件XI都適于取得高Q值。以上所描述的可移動(dòng)微器件XI可設(shè)計(jì)成可變電容器，用以改變梳齒形 電極12、 22之間的靜電容量，或設(shè)計(jì)成傳感器件，用以檢測梳齒形電極12、 22之間的靜電容量。圖12和圖13示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的可移動(dòng)微器件X2。圖12是可移動(dòng)微器件X2的俯視圖。圖13是沿圖12中的線xm-xni取得的剖視圖?？梢苿?dòng)微器件X2包括可移動(dòng)部件IOA、框架20A及一對連接部件30， 不同于可移動(dòng)微器件XI之處在于，可移動(dòng)部件10和框架20分別由可移動(dòng) 部件10A和框架20A替代。可移動(dòng)部件10A不同于可移動(dòng)微器件XI的可移動(dòng)部件10之處在于，可 移動(dòng)部件10A具有可移動(dòng)主要部分11和梳齒形電極12、 13、 14，即可移動(dòng) 部件IOA額外地具有梳齒形電極14。如圖13所示，梳齒形電極14是第二層 102的一部分，并且是以多個(gè)電極齒14a來設(shè)置的，上述多個(gè)電極齒14a在 與電極齒13a相同的一側(cè)從可移動(dòng)主要部分11彼此平行地延伸。電極齒14a 的延伸長度例如為5pm至5000pm?？梢苿?dòng)部件10A中的可移動(dòng)主要部分11 和梳齒形電極12、13與可移動(dòng)部件10中的可移動(dòng)主要部分11和梳齒形電極 12、 13相同。框架20A具有主要框架部分21和梳齒形電極22、 23，不同于可移動(dòng)微 器件X1的框架20之處在于，框架20A額外地具有梳齒形電極24。如圖13 所示，梳齒形電極24是第二層102的一部分，并且是以多個(gè)電極齒24a來設(shè) 置的，上述多個(gè)電極齒24a從主要框架部分21朝向梳齒形電極14彼此平行 地延伸。電極齒24a的延伸長度例如為5pm至5000iam?？蚣?0A中的主要 框架部分21和梳齒形電極22、 23與框架20中的主要框架部分21和梳齒形 電極22、 23相同。可移動(dòng)部件10A的梳齒形電極12與框架20A的梳齒形電極22在可移動(dòng) 微器件X2中構(gòu)成一對電容器電極。此外，可移動(dòng)部件10A的梳齒形電極14 與框架20A的梳齒形電極24構(gòu)成另一對電容器電極。在其初始位置，梳齒 形電極12的電極齒12a與梳齒形電極22的電極齒22a具有彼此相對的側(cè)表 面，而梳齒形電極14的電極齒14a與梳齒形電極24的電極齒24a具有彼此 相對的側(cè)表面。換言之，梳齒形電極12、 22具有在初始位置交疊的電極齒且 梳齒形電極14、 24也具有在初始位置交疊的電極齒。如上所述，可移動(dòng)微器 件X2包括兩對電容器電極。可移動(dòng)部件10A中的梳齒形電極12、 13、 14， 梳齒形電極22，梳齒形電極23以及梳齒形電極24彼此電隔離。可移動(dòng)微器件X2的所有其它方面與上述可移動(dòng)微器件XI相同。 可移動(dòng)微器件X2適于取得高Q值，如同可移動(dòng)微器件X1，并且適于在 用作一對驅(qū)動(dòng)器電極的梳齒形電極13、 23之間產(chǎn)生大驅(qū)動(dòng)力。另外，具有兩對電容器電極的可移動(dòng)微器件X2作為電容器器件適于取得大靜電容量。圖14和圖15示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的可移動(dòng)微器件X3。圖14是 可移動(dòng)微器件X3的俯視圖。圖15是沿圖14中的線XV-XV取得的剖視圖。可移動(dòng)微器件X3實(shí)質(zhì)上包括兩個(gè)可移動(dòng)微器件XI 。具體地說，可移動(dòng) 微器件X3包括主要框架部分21，其被兩個(gè)可移動(dòng)微器件X1部分地共用； 兩對電容器電極(每個(gè)電容器電極對是以梳齒形電極12、 22來設(shè)置的)；以 及兩對驅(qū)動(dòng)器電極(每個(gè)驅(qū)動(dòng)器電極對是以梳齒形電極13、 23來設(shè)置的)。 可移動(dòng)微器件X3可用這種方式來控制每個(gè)可移動(dòng)部件10將進(jìn)行相同的旋 轉(zhuǎn)位移，或每個(gè)可移動(dòng)部件10各自進(jìn)行旋轉(zhuǎn)位移。所述可移動(dòng)微器件X3適于取得高Q值，如同可移動(dòng)微器件X1，并且適 于在梳齒形電極13、 23之間產(chǎn)生大驅(qū)動(dòng)力。另夕卜，具有兩對電容器電極的可 移動(dòng)微器件X3作為電容器器件適于取得大靜電容量。
權(quán)利要求
1.一種可移動(dòng)微器件，包括可移動(dòng)部件，包括可移動(dòng)主要部分、第一電容器梳齒形電極以及第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極，所述第一電容器梳齒形電極具有從所述可移動(dòng)主要部分延伸的多個(gè)電極齒，所述第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極具有從所述可移動(dòng)主要部分延伸的多個(gè)電極齒；框架，包括第二電容器梳齒形電極和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極，所述第二電容器梳齒形電極具有朝向所述第一電容器梳齒形電極延伸的多個(gè)電極齒，所述第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極具有朝向所述第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極延伸的多個(gè)電極齒；以及連接部件，將所述可移動(dòng)部件與所述框架彼此連接；其中所述第一電容器梳齒形電極和所述第二電容器梳齒形電極是由金屬材料制成，并且具有在初始位置交疊的電極齒，其中所述第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極和所述第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極是在同一材料層中制成，并且其中所述可移動(dòng)部件是可旋轉(zhuǎn)的，用以改變所述第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極與所述第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極之間所述電極齒交疊的程度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可移動(dòng)微器件，其中所述第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電 極和所述第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極是在導(dǎo)電硅材料的同一材料層中制成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可移動(dòng)微器件，其中所述第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電 極和所述第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極是通過對所述材料層執(zhí)行深反應(yīng)離子蝕刻操 作而同時(shí)形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可移動(dòng)微器件，其中所述第一電容器梳齒形電 極和所述第二電容器梳齒形電極至少其中之一包含選自Au、 Ag、 Cu及Al 的金屬。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可移動(dòng)微器件，其中所述第一電容器梳齒形電 極和所述第二電容器梳齒形電極至少其中之一是通過電鍍形成。
6. —種可移動(dòng)微器件，包括可移動(dòng)部件，包括可移動(dòng)主要部分、第一電容器梳齒形電極以及第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極，所述第一電容器梳齒形電極具有從所述可移動(dòng)主要部分延 伸的多個(gè)電極齒，所述第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極具有從所述可移動(dòng)主要部分延 伸的多個(gè)電極齒；框架，包括第二電容器梳齒形電極和第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極，所述第二 電容器梳齒形電極具有朝向所述第一 電容器梳齒形電極延伸的多個(gè)電極齒， 所述第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極具有朝向所述第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極延伸的多個(gè)電極齒；以及連接部件，將所述可移動(dòng)部件與所述框架彼此連接；其中所述第一電容器梳齒形電極和所述第二電容器梳齒形電極是由金屬 材料制成，并且具有在初始位置交疊的電極齒，其中所述第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極和所述第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極是由金屬 材料制成，并且其中所述可移動(dòng)部件是可旋轉(zhuǎn)的，用以改變所述第一驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極 與所述第二驅(qū)動(dòng)器梳齒形電極之間所述電極齒交疊的程度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的可移動(dòng)微器件，其中所述第一驅(qū)動(dòng)器梳齒 形電極的電極齒從所述可移動(dòng)主要部分的遠(yuǎn)離所述第一電容器梳齒形電極的 電極齒的一側(cè)延伸。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的可移動(dòng)微器件，其中所述第一驅(qū)動(dòng)器梳齒 形電極的電極齒與所述第一電容器梳齒形電極的電極齒從所述可移動(dòng)主要部 分的同一側(cè)延伸。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的可移動(dòng)微器件，其中所述連接部件包括與 所述可移動(dòng)部件的所述第一電容器梳齒形電極電連接的導(dǎo)電部分。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的可移動(dòng)微器件，其中所述第一電容器梳 齒形電極和所述第二電容器梳齒形電極至少其中之一具有未設(shè)置介電膜的表 面。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的可移動(dòng)微器件，設(shè)置為可變電容器，用 以改變所述第一 電容器梳齒形電極與所述第二電容器梳齒形電極之間的靜電
12. 根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的可移動(dòng)微器件，設(shè)置為傳感器件，用以 檢測所述第一電容器梳齒形電極與所述第二電容器梳齒形電極之間的靜電容13.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的可移動(dòng)微器件，利用電絕緣低粘性液體 或電絕緣低粘性氣體作為填充劑來封裝。
全文摘要
一種可移動(dòng)微器件，包括可移動(dòng)部件、框架及連接部件?？梢苿?dòng)部件具有主要部分、第一電容器電極及第一驅(qū)動(dòng)器電極。電容器電極和驅(qū)動(dòng)器電極具有從主要部分延伸的電極齒。框架包括第二電容器電極和第二驅(qū)動(dòng)器電極，其中第二電容器電極具有朝向第一電容器電極延伸的電極齒，而第二驅(qū)動(dòng)器電極具有朝向第一驅(qū)動(dòng)器電極延伸的電極齒。連接部件將可移動(dòng)部件連接到框架。第一電容器電極和第二電容器電極的電極齒在其初始位置交疊?？梢苿?dòng)部件可旋轉(zhuǎn)以改變第一驅(qū)動(dòng)器電極與第二驅(qū)動(dòng)器電極之間交疊的程度。
文檔編號H01G5/00GK101256899SQ20081008133
公開日2008年9月3日 申請日期2008年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月26日
發(fā)明者上田知史, 今井雅彥, 宓曉宇, 島內(nèi)岳明 申請人:富士通株式會(huì)社