專利名稱：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分所述的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
這種發(fā)光裝置廣泛地應(yīng)用在多種應(yīng)用領(lǐng)域中，并且特征在于具有適用
于各應(yīng)用領(lǐng)域的連接燈頭(Anschlufisockel)，所述連接燈頭可與相應(yīng)的 燈座/管座(Fassung)協(xié)同工作。
在饋電線的接觸區(qū)域之間，通常觸點(diǎn)接通/接觸一發(fā)光元件例如螺旋燈絲。
這種發(fā)光裝置通常具有以下缺點(diǎn)，即這種類型的發(fā)光裝置雖然有時(shí)購 買成^Jf艮高但僅具有相對較短的使用壽命，因?yàn)樗霭l(fā)光元件容易損壞， 并且在例如1000工作小時(shí)后已經(jīng)不再能起作用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，創(chuàng)造一種提高了使用壽命的開頭所述類型的發(fā)光 裝置。
這在開頭所述類型的發(fā)光裝置中如此實(shí)現(xiàn)，使得饋電線的接觸區(qū)域觸 點(diǎn)接通發(fā)光芯片單元/布置，所述發(fā)光芯片單元包括至少一個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)。
考慮將具有pn結(jié)的半導(dǎo)體晶體作為發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體晶 體在施加有電壓時(shí)發(fā)射光。這種半導(dǎo)體晶體的特征在于既具有高的能量輸 出又具有長的使用壽命。
本發(fā)明的有利的改進(jìn)方案在從屬權(quán)利要求中給出。通過根據(jù)權(quán)利要求2所述的措施，通過饋電線除了為發(fā)光芯片單元供 給電壓之外，還可確保從在施加有電壓的情況下發(fā)熱的發(fā)光芯片單元中將 熱散出。
如果饋電線與發(fā)光單元如在權(quán)利要求3中所迷的那樣觸點(diǎn)接通，則能 有利地應(yīng)用已知的觸點(diǎn)接通方法。
可選地，形成如在權(quán)利要求4中所述的觸點(diǎn)接通是有利的，以避免發(fā) 光芯片單元上的較高的溫度應(yīng)力。
發(fā)光裝置的較高的光功率可有利地通過根據(jù)權(quán)利要求5或權(quán)利要求6 所述的措施來獲得。
如果多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)結(jié)合在一個(gè)發(fā)光芯片單元中，則當(dāng)所述多個(gè)半導(dǎo) 體結(jié)構(gòu)根據(jù)權(quán)利要求7彼此導(dǎo)電連接時(shí)，是有利的。這種連接比借助如其 在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中通常常見的接合(絲)(B(mden)而形成的連接更穩(wěn)定。
權(quán)利要求8帶來了這樣的優(yōu)點(diǎn)，即雖然所述連接必須克服芯片上的高 度差，但氣相處理/氣相沉積的連接部具有均勻的厚度。
如果發(fā)光芯片單元如在權(quán)利要求9中所述的那樣設(shè)計(jì)，則光輻射可在 基本全部空間方向上實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)權(quán)利要求9所述的本發(fā)明的改進(jìn)方案的優(yōu)點(diǎn)在于，可獲得較高的 光量，并且同時(shí)發(fā)光裝置的工作電壓可達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)電壓源如蓄電池、電源單 元/線路段和標(biāo)準(zhǔn)電網(wǎng)導(dǎo)線所能提供的較高的范圍。
根據(jù)權(quán)利要求IO,發(fā)光裝置的工作電壓可適配于公用電壓源的輸出電壓。
根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置向前和向后發(fā)射光。 用于載體基板/載體基片的有利的材料在權(quán)利要求12中給出。 通過根據(jù)權(quán)利要求13給出的措施實(shí)現(xiàn)了 ，通過發(fā)光裝置的內(nèi)腔從發(fā)光 芯片單元中很好地向外散熱。
如果由發(fā)光芯片單元發(fā)射的光的波長未與所希望的波長一致，則可通 過根據(jù)權(quán)利要求14所述的措施來調(diào)節(jié)。熒光體顆粒吸收射到該焚光體顆粒 上的輻射，并發(fā)射至少一個(gè)另外的波長的輻射。通過合適地選擇熒光體顆?；驘晒怏w顆?；旌衔铮砂l(fā)光芯片單元發(fā)射的輻射可轉(zhuǎn)換為具有另 一光 諳的輻射。
根據(jù)權(quán)利要求15，可以以簡單的方式確保熒光體顆粒的均勻分布。 根據(jù)權(quán)利要求16和17，熒光體顆粒在其均勻分布方面是穩(wěn)定的。 根據(jù)權(quán)利要求18，改善了光通過熒光體顆粒表色(Farbvorgabe )的效率。
可根據(jù)權(quán)利要求19可靠且持久地設(shè)定在熒光體顆粒和發(fā)光半導(dǎo)體之 間的所希望的間距。
根據(jù)權(quán)利要求20,承載半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的、在任何情況下都要設(shè)置的透光 基板可同時(shí)確保在發(fā)光芯片單元的 一側(cè)上的所希望的間距。
在根據(jù)權(quán)利要求21所述的發(fā)光裝置中，發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)通過平行于基 板平面延伸的印制線路/印制導(dǎo)線(Leiterbahn)連接。這些印制線路可特 別好且特別均勻地通過氣相處理得到(金屬蒸氣沒有被遮蔽)。


下面借助附圖詳細(xì)闡述本發(fā)明的實(shí)施例。附圖示出 圖1A是具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的發(fā)光芯片單元的側(cè)^L圖； 圖1B是根據(jù)圖1A的發(fā)光芯片單元的俯視圖； 圖2A是具有三個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的改變了的發(fā)光芯片單元； 圖2B是根據(jù)圖2A的改變了的發(fā)光芯片單元的俯視圖； 圖3是在圖2A中由一個(gè)橢圓圏出的在兩個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域的 詳細(xì)一見圖4是具有標(biāo)準(zhǔn)的卡口燈頭的發(fā)光裝置，其中饋電線觸點(diǎn)接通發(fā)光芯 片單元，并示出了與卡口燈頭分開的透明的燈泡；
圖5是才艮據(jù)圖4的發(fā)光裝置的放大的詳細(xì)視圖，其中饋電線觸點(diǎn)接通 根據(jù)圖1A和1B的發(fā)光芯片單元；
圖6是與圖5相應(yīng)的附圖，其中發(fā)光芯片單元由具有熒光體顆粒的材 料包??；
7圖7是根據(jù)圖4的改變了的發(fā)光裝置與圖5相應(yīng)的附圖，其中根據(jù)圖 2A和2B的發(fā)光芯片單元觸點(diǎn)接通饋電線；
圖8是具有并聯(lián)的發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的發(fā)光芯片單元；和
圖9是具有串聯(lián)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的、變化了的發(fā)光芯片單元的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
在圖1A和1B中總體以IO標(biāo)注發(fā)光芯片單元，所述發(fā)光芯片單元包 括由藍(lán)寶石玻璃制成的載體基板12。藍(lán)寶石玻璃也凈皮稱為氧化鋁玻璃/剛玉 玻璃(Al203玻璃)。在發(fā)光芯片單元10中，載體基板12具有約400jim 的厚度，然而其也可具有例如5fim和600jtm之間的其它厚度。作為藍(lán)寶 石玻璃的替代，也可將耐高溫玻璃、例如派萊克斯玻璃(Pyrexglas)形式 的更為廉價(jià)的材料用于載體基板12。
載體基板12承載半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)本身包括三個(gè)層。
處于由藍(lán)寶石玻璃制成的載體M 12上的下部層16是由n - GaN或 n-InGaN制成的n型層。
中間層18是MQW層。MQW是"Multiple Quantum Well (多量子 阱)，，的縮寫。MQW材料為超晶格，所述超晶格具有根據(jù)超晶格結(jié)構(gòu)改 變的電子能帶結(jié)構(gòu)并相應(yīng)地在不同波長時(shí)發(fā)射光。通過選擇MQW層可影 響由pn型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14發(fā)出的輻射的光鐠。
上部層20由p型III - V半導(dǎo)體材料制成，例如由p - GaN制成。
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14具有一在俯^f見圖中為U形的、環(huán)繞的臺階部22，其臺 階面24在高度方面處于載體基板12和MQW層18之間。以這種方式，n 型層16在臺階面24的區(qū)域中在側(cè)面突出超過MQW層18和p型層20。 臺階面24由相應(yīng)地為U形的氣相處理的印制線路26覆蓋，所述印制線路 包括兩條平行延伸的印制線路26a和26b以及與它們垂直延伸的印制線路 26c。印制線路26c形成用于n型層16的接觸連接部(KontaktanschluB )。
為了也觸點(diǎn)接通p型層20,在p型層20的上側(cè)上、在從上方看U形 印制線路26置于其兩側(cè)的區(qū)域28旁邊，氣相處理以形成導(dǎo)電面30,所述導(dǎo)電面形成用于p型層20的接觸連接部。三根首先平行延伸的印制線路 32a、 32b、 32c從導(dǎo)電面30開始在p型層20的表面上延伸到p型層20的 區(qū)域28中。如在圖1A中可容易地看到的，兩根外部的印制線路32a和32c 的自由端部分別向中間印制線路32b的方向彎曲了 90° 。
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14的區(qū)域28的面積為280x280 jim至1800 x 1800 ja m。 印制線路26a、 26b、 26c和32a、 32b、 32c以及導(dǎo)電面30通過氣相處 理/氣相沉積銅金合金獲得?？蛇x擇地，還可使用銀合金或鋁合金。在接觸 連接部26c和30的區(qū)域中可設(shè)置有金，其被以本身已知的方式摻雜到p型 層或n型層上，用以連接。
在圖2A和2B中分別示出改變了的發(fā)光芯片單元10'。與根據(jù)圖1A 和1B的發(fā)光芯片單元10的部件相應(yīng)的部件具有加撇號的相同的附圖標(biāo) 記。
在發(fā)光芯片單元l(K中，在載體基板12'上設(shè)置有三個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 14、、 14'b和14'c,這里的三個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與才艮據(jù)圖1A和1B的半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)14基本一致。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14'a、 14'b和14'c串聯(lián)連接，其中，中間 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)K b的導(dǎo)電面3(T與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14' a的印制線路26' c連接， 而半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14' b的印制線路26' c與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14、的導(dǎo)電面30'連接。
例如以半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14'b和14'c之間的連接(參見圖2A)為例，放大 地在圖3中較為詳細(xì)地示出了印制線路26'c與導(dǎo)電面30'之間的連接的優(yōu) 選設(shè)計(jì)方案。
在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)if b和14' c之間設(shè)置有斜坡形的絕緣體34。對此例如 可在相應(yīng)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14'之間濺射電絕緣材料。兩個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14'(在 圖3中為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14'b和14'c)之間的間距為100jim的量級。
在斜坡形的絕緣體34上氣相處理以形成印制線路36 ，該印制線路36 例如可由上述與印制線路26和32、導(dǎo)電面30相關(guān)的相同材料制成。
由于斜坡的形狀，確保了氣相處理的印制線路的厚度均勻。沒有例如 在印制線路部段垂直于載體基板12的平面延伸時(shí)所預(yù)料的被遮蔽的區(qū)域。
通過印制線路36確保了在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14'之間的可靠且耐久的導(dǎo)電連接。傳統(tǒng)使用的、具有極細(xì)的接合絲的接合結(jié)構(gòu)對熱應(yīng)力和/或機(jī)械應(yīng)力的 耐受能力較差。
如在圖3中可看到的，在那里半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14'c進(jìn)行了少許改變，在印 制線路36下面設(shè)置有用斜坡34的絕緣材料填充的凹部38。
在圖4中示出了發(fā)光裝置40，其具有標(biāo)準(zhǔn)的卡口燈頭作為連接燈頭42。 作為卡口燈頭(例如GU10燈頭等)的替代，還可提供標(biāo)準(zhǔn)的愛迪生燈頭 (例如E12、 E26等)、標(biāo)準(zhǔn)的插式燈頭或者標(biāo)準(zhǔn)的楔形燈頭。
由連接燈頭42的在此未特別用附圖標(biāo)記標(biāo)注出的、本身已知的外部連 接區(qū)域開始，兩根饋電線44a、 44b在該連接燈頭內(nèi)部延伸。所述饋電線在 連接燈頭42上方橫穿一由電絕緣材料制成的間隔件46。通過所述間隔件 防止了饋電線44a、 44b接觸，這種接觸會導(dǎo)致短路。
饋電線44a和44b的自由端部48a和48b形成了接觸區(qū)域，所述接觸 區(qū)域觸點(diǎn)接通發(fā)光芯片單元10或1(K，這僅在圖4中示出。
發(fā)光裝置40包括由可透光材料制成的燈泡50，所述燈泡在安裝狀態(tài) 下與連接燈頭42 —起限定發(fā)光裝置40的內(nèi)腔52。
燈泡50例如由玻璃或環(huán)氧樹脂制成，此外如果希望的話還可實(shí)現(xiàn)聚光 系統(tǒng)功能。
內(nèi)腔52填充有硅油(Silikon61) 54，由發(fā)光芯片單元10或l(T產(chǎn)生的 熱經(jīng)由所述珪油散至燈泡50的在徑向上位于外部的區(qū)域。
同樣為了散熱目的，饋電線44a、 44b除導(dǎo)電性外還具有好的導(dǎo)熱性， 所述導(dǎo)熱性優(yōu)選至少要與銅的導(dǎo)熱性相當(dāng)。
因此令人滿意的散熱可通過饋電線44a、 44b來發(fā)生，所述饋電線的直 徑在0.3 mm至2 mm 之間，優(yōu)選在0.5 mm和1.0 mm之間，特另'優(yōu)選約 為0.7 mm。
在圖5中以放大圖示出，發(fā)光芯片單元10是怎樣用僅有的一半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)14在饋電線44a、 的接觸區(qū)域48a、 48b之間觸點(diǎn)接通的。如在那 里可看出的，饋電線44a的接觸區(qū)域48a通過借助銀焊料56a進(jìn)行的硬釬 焊而觸點(diǎn)接通到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14的印制線路26c上。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14的導(dǎo)電面30同樣也通過用56b標(biāo)注的銀焊料與發(fā)光裝置40的第二饋電線44b 的接觸區(qū)域48b連接。
作為用于觸點(diǎn)接通發(fā)光芯片單元10的銀焊料56a、 56b的替代，饋電 線44a、 44b的接觸區(qū)域48a、 4Sb還可借助于導(dǎo)電粘4、劑與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14 的相應(yīng)的印制線路26c或?qū)щ娒?0導(dǎo)電連接。
在圖6中示出的變化形式中，發(fā)光芯片單元10附加地利用透明材料 58包住，其中均勻地分布有通過點(diǎn)畫出的熒光體顆粒60。材料58例如可 以是透明的雙組分粘接劑。材料58以一掀開的視圖示出。然而發(fā)光芯片單 元10事實(shí)上完全由材料58包住。
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14在施加有電壓時(shí)發(fā)射出紫外光以及在420 nm至480 nm 的波長范圍內(nèi)的藍(lán)光。通過包住發(fā)光芯片單元10的、具有熒光體顆粒60 的材料層58可獲得白光LED。適合的熒光體顆粒60由具有各種色心的透 明固體材料制成。為將由半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14發(fā)出的紫外光和藍(lán)光轉(zhuǎn)變?yōu)榘坠猓?使用三種類型的熒光體顆粒60,這三種類型的熒光體顆粒部分地吸收紫外 光和藍(lán)光，而本身發(fā)出黃光和紅光。另外，如果希望的話，還可額外地混 入發(fā)射藍(lán)光的顆粒。
通過使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14包括以不同于在此給出材料的已知材料制成的 層16、 18、 20，可改變由發(fā)光裝置40產(chǎn)生的光的光語。
作為具有熒光體顆粒60的材料58的可選方案，所述熒光體顆粒還可 均勻分布地設(shè)置在發(fā)光裝置40的內(nèi)腔52中的硅油54中。
在發(fā)光裝置40的一變化形式中，還可不用硅油54。在這種情況下， 燈泡50的內(nèi)腔52的內(nèi)表面例如可涂上上述類型的具有熒光體顆粒60的材 料58的層。
熒光體顆粒60或者容納該熒光體顆粒的材料58還可在外部施加在透 明的塑料外殼或玻璃外殼上，所述外殼設(shè)計(jì)成使得所述材料在全部空間方 向上以基本上相同的間距包圍裝入該外殼中的發(fā)光芯片單元10或l(T的半 導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14。
其中均勻分布有熒光體顆粒60的材料58與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14之間的有利的間距處于約0.3 mm和3.0 mm之間，優(yōu)選在0.5 mm和1.5 mm之間， 尤其優(yōu)選約為1 mm。
在圖7中放大地示出了具有三個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14、、 14'b和14'c的發(fā) 光芯片單元10''通過饋電線44a、 44b的觸點(diǎn)接通。除了是將發(fā)光芯片單元 IO'設(shè)置在該處以外，上述對發(fā)光芯片單元10的觸點(diǎn)接通的描述，如作適 當(dāng)變動(dòng)，也相應(yīng)地適用。發(fā)光芯片單元IO'也可由其中均勻地分布有熒光 體顆粒60的材料58包住，以便獲得白光輻射。所述材料58在圖7中以虛 線畫出。
這樣形成的、具有發(fā)光芯片單元10或10'的發(fā)光裝置40利用其連接 燈頭42旋入或插入相應(yīng)設(shè)計(jì)的、與連接燈頭匹配的燈座中以進(jìn)行工作。通 過該連接燈頭42將一工作電壓施加^t電線44a、 44b和相應(yīng)的發(fā)光芯片 單元10或10'，由此激發(fā)相應(yīng)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14或14'以發(fā)光。
所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14或14'和相應(yīng)的發(fā)光芯片單元10或10'的突出優(yōu)點(diǎn) 在于在具有高的光功率的同時(shí)還具有長的使用壽命。以這種方式實(shí)現(xiàn)了耐 用的發(fā)光裝置，其可替換標(biāo)準(zhǔn)的、使用壽命較短的已知發(fā)光裝置，而無需 例如改變所配屬的燈座中進(jìn)行的結(jié)構(gòu)。
每個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14或14'以約3.5至4V的工作電壓工作，從而使由 三個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)lta、 If b和14'c形成的發(fā)光芯片單元10可在12V下 工作。這特別是對于機(jī)動(dòng)車領(lǐng)域大大有利。
在連接燈頭42的內(nèi)腔中必要時(shí)可設(shè)置額外的電子部件如一個(gè)或多個(gè) 相應(yīng)的串聯(lián)電阻等，其連接在連接燈頭42的外部連接區(qū)域和饋電線44a、 44b之間，并在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14或14'上確保了基本上恒定的工作電流強(qiáng)度。 此外，在連接燈頭42的內(nèi)腔中可設(shè)置這樣的電子部件，使得通過所述電子 部件可將與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14或14'所需的工作電壓不同的外部供電電壓例如 電源電壓轉(zhuǎn)換為所需的工作電壓。
在耗用功率為1W時(shí)，每個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14或14'獲得約40Lumen (流 明)的光功率。
在根據(jù)圖8的發(fā)光芯片單元中，在一個(gè)載體^ 12上設(shè)置有六個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14,所述各個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)由于通過接觸部36形成的觸點(diǎn)接通而彼此并聯(lián)地電連接。
在根據(jù)圖9的發(fā)光芯片單元10中，在一個(gè)載體基板12上設(shè)置有六個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14,所述六個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)交替地利用其n型層或其p型層鄰接于載體基板12,所述n型層或p型層均承載兩個(gè)透明電極。因此六個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可通過平行于基板平面延伸的印制線路70和72串聯(lián)連接，所述印制線路可容易地通過氣相處理形成所需的厚度和均勻性。
處于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)14之間的空間通過透明的絕緣材料體74填充。這些絕緣材料體可通過篩選玻璃料、然后使玻璃料熔合或燒結(jié)來獲得。
1權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，特別是用于機(jī)動(dòng)車，該發(fā)光裝置具有a)連接燈頭(42)；b)由透光材料制成的燈泡(50)，所述燈泡至少部分地限定一內(nèi)腔(52)和由所述連接燈頭(42)支承；c)第一饋電線(44a)和第二饋電線(44b)，能夠通過所述連接燈頭(42)為所述饋電線施加工作電壓，所述饋電線以接觸區(qū)域(48a、48b)插入所述內(nèi)腔(52)中，其特征在于，d)所述饋電線(44a、44b)的接觸區(qū)域(48a、48b)與一發(fā)光芯片單元(10、110)連接，所述發(fā)光芯片單元包括至少一個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(14、114)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述饋電線(44a、 44b)的直徑在0.3 mm和2 mm 之間，優(yōu)選地在0.5 mm和1.0 mm之間， 特別優(yōu)選約為0.7 mm,所述饋電線由導(dǎo)熱性好的導(dǎo)電材料制成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述饋電線 (44a、 44b)的接觸區(qū)域分別通過硬釬焊接觸部(56a、 56b)，特別是通過銀焊料接觸部，與發(fā)光芯片單元(IO、 110)連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述饋電線 (44a、 44b)的接觸區(qū)域通過導(dǎo)電粘合劑與發(fā)光芯片單元(10、 110 )連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所 述發(fā)光芯片單元(110)包括至少兩個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(114a、 114b、 114c)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光芯片單 元包括三個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)Ul4a、 114b、 114c)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)(114a、 114b、 114c)借助氣相處理的印制線路(136)彼此導(dǎo)電連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，多個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(144a、 114b、 114c)串聯(lián)地電連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(114a、 1114b )以相同的層指向一承載所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的載體M (12 )，并通過由斜坡(34)承載的印制線路(36)連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，如此選擇串聯(lián)連接的發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(114a、 114b、 114c)的數(shù)目，使得總電壓降為12V、 24V、 1匿或220V。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光芯片單元(10、 110 )包括一由透明材料制成的載體基板(12、 112 ),所述載體基板承載所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(14、 114)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述載體基板(12、 112)的透明材料是藍(lán)寶石玻璃或者耐高溫玻璃。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述內(nèi)腔(42)填充有導(dǎo)熱且電絕緣的液體例如硅油(54)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光芯片單元(10、 110)至少局部地由基本上均勻分布的熒光體顆粒包圍，所述熒光體顆粒這樣吸收由所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(14)發(fā)出的光并部分地轉(zhuǎn)換成互補(bǔ)光，使得所述發(fā)光裝置總體上基本發(fā)出白光。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體顆粒中的至少一部分基本上均勻地分布在一載體介質(zhì)中，優(yōu)選在液態(tài)載體介質(zhì)例如硅油(54)中。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述熒光體顆粒的至少一部分由所述發(fā)光芯片單元(10)承載。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述焚光體顆粒的至少一部分由所述燈泡(50)承載，優(yōu)選施加到該燈泡的內(nèi)表面上。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14至17中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述基本上均勻分布的熒光體顆粒和發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(14、 114)之間保留約0.3 mm至3.0 mm，優(yōu)選約0.5 mm至1.5 mm,尤其優(yōu)選約為1 mm的間距。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(14、 114)設(shè)置在兩個(gè)透光的基板之間，所述基板的厚度與所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(14、 114)和熒光體顆粒之間的所希望的間距相當(dāng)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述透光的基板中的一個(gè)通過一承栽所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(14、 114)的透明板形成。
21. 4艮據(jù)權(quán)利要求8至20中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(14)中的至少一部分設(shè)置成成對地以不同的側(cè)指向載體基板(12)，并通過平行于載體基板平面延伸的印制線路(36、 37)串聯(lián)連接。
22. 根據(jù)權(quán)利要求1至21中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(14)中的至少一部分設(shè)置成成對地以相同的層指向載體基板，并通過平行于載體基板平面延伸的印制線路(36、 37)連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置(40)，該發(fā)光裝置具有標(biāo)準(zhǔn)的連接燈頭(42)和由透光材料制成的、限定一內(nèi)腔(52)的遮蓋物(50)。在至少兩根饋電線(44a、44b)的接觸區(qū)域(48a、48b)之間觸點(diǎn)接通一發(fā)光芯片單元(10、110)，所述發(fā)光芯片單元包括至少一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(14、114)。
文檔編號H01L25/075GK101681908SQ200780052513
公開日2010年3月24日 申請日期2007年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月23日
發(fā)明者F·通霍弗爾, G·迪亞曼蒂迪斯 申請人:諾克特龍金融控股有限公司