專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及具有防潮環(huán)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，在半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)中，在硅晶片等半導(dǎo)體基板上呈行列狀
地形成多個半導(dǎo)體元件，然后沿著刻痕線(scribe line)切斷該半導(dǎo)體基板，從而得到各個形成有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體芯片，并以此作為半導(dǎo)體器件。
在這樣的半導(dǎo)體芯片中，由于在切斷面露出構(gòu)成半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體層、絕緣層、金屬層等，所以為了抑制大氣中的水分經(jīng)該切斷面侵入半導(dǎo)體器件中，通常在上述切斷面的周邊部形成層結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體器件中的多層布線結(jié)構(gòu)相同的防潮環(huán)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
圖1是表示形成在硅基板11上的通過本發(fā)明的有關(guān)技術(shù)而得到的半導(dǎo)體元件的一部分的俯視圖，圖2表示該半導(dǎo)體元件的包括防潮環(huán)部分的局部剖視圖。
參照圖l，在硅基板11上通過點畫線所示的刻痕線劃分出元件區(qū)域IIA、IIB、 IIC、 IID，各個元件區(qū)域11A、 IIB、 IIC、 11D在防潮環(huán)12A、 12B、12C、 12D的內(nèi)側(cè)，包括構(gòu)成各個半導(dǎo)體元件的電路區(qū)域13。在圖示的例子中，在元件區(qū)域11A形成有電路區(qū)域13，同樣的電路區(qū)域還形成在其他的元件區(qū)域11B 11D的任一個中。
而且在圖l的結(jié)構(gòu)中，為了阻斷劃線時的裂紋傳播，在各個所述元件區(qū)域11A 11D中，在相對應(yīng)的防潮環(huán)12A 12D的外側(cè)與點畫線所示的刻痕線的內(nèi)側(cè)之間的范圍內(nèi)，分別形成有保護(hù)槽部14A 14D。
因此，在圖1的俯視圖中，沿著所述點畫線所示的刻痕線切斷硅基板11，從而以半導(dǎo)體芯片的形式分離成為各個半導(dǎo)體器件。圖2是表示這樣得到的半導(dǎo)體器件10的剖視圖。
參照圖2，所述半導(dǎo)體元件10在形成有元件分離區(qū)域151以及晶體管15Tr的硅基板15上形成，所述晶體管15Tr被SiN膜17A覆蓋，在所述硅基板15上覆蓋所述晶體管15Tr以及SiN膜17A，然后形成多層布線結(jié)構(gòu)，所述多層布線結(jié)構(gòu)是將各個由氧化硅膜制成的層間絕緣膜16A、16B……16G與氮化硅膜17B、 17C……17F交替層疊而成的結(jié)構(gòu)。
在圖示的例子中，在所述層間絕緣膜16A中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)12A的位置，連續(xù)形成有由W等形成的通孔圖案16aR，所述通孔圖案16aR與所述硅基板15的表面接觸，另外，在所述電路區(qū)域13中形成有通孔插件16a，所述通孔插件16a與覆蓋所述晶體管15Tr的擴(kuò)散區(qū)域15a、 15b的硅化物層15c、 15d接觸。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜16B中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)12A的位置，通過單金屬鑲嵌法連續(xù)形成Cu圖案16bR，所述Cu圖案16bR與所述通孔圖案16aR接觸，另外，在所述電路區(qū)域13中也通過單金屬鑲嵌法形成Cu布線圖案16b，所述Cu布線圖案16b與所述W通孔圖案16aR接觸。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜16C中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)12A的位置，通過單金屬鑲嵌法或雙金屬鑲嵌法，連續(xù)形成Cu圖案16cR，所述Cu圖案16cR與其下方的所述Cu圖案16bR接觸，另外，在所述電路區(qū)域13中也通過單金屬鑲嵌法或雙金屬鑲嵌法形成具有通孔插件的Cu布線圖案16c，所述Cu布線圖案16c與所述Cu布線圖案16b接觸。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜16D中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)12A的位置，通過單金屬鑲嵌法或雙金屬鑲嵌法，連續(xù)形成Cu圖案16dR，所述Cu圖案16dR與其下方的所述Cu圖案16cR接觸，另外，在所述電路區(qū)域13中也通過單金屬鑲嵌法或雙金屬鑲嵌法形成具有通孔插件的Cu布線圖案16d，所述Cu布線圖案16d與所述Cu布線圖案16c接觸。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜16E中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)12A的位置，通過雙金屬鑲嵌法連續(xù)形成Cu圖案16eR，所述Cu圖案16eR與其下方的所述Cu圖案(未圖示)接觸，另外，在所述電路區(qū)域13中也通過雙金屬鑲嵌法形成具有通孔插件的Cu布線圖案16e，所述Cu布線圖案16e與所述Cu布線圖案(未圖示)接觸。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜16F中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)12A的位置，通
過雙金屬鑲嵌法連續(xù)形成Cu圖案16fR，所述Cu圖案16fR與其下方的所述 Cu圖案16eR接觸，另外，在所述電路區(qū)域13中也通過雙金屬鑲嵌法形成 有具有通孔插件的Cu布線圖案16fR，所述Cu布線圖案16fR與其下方的所 對應(yīng)的Cu布線圖案16e接觸。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜16G中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)12A的位置， 通過金屬鑲嵌法連續(xù)形成W圖案16gR，所述W圖案16gR與其下方的所述 Cu圖案16fR接觸，另外，在所述電路區(qū)域13中也通過金屬鑲嵌法形成W 通孔插件16g，所述W通孔插件16g與所述Cu布線圖案16f接觸。
在此，應(yīng)該注意所述Cu布線圖案16b 16f以及Cu圖案16bR 16fR被 Ta等阻擋金屬膜覆蓋，另夕卜，所述W通孔插件16a、 16g以及W圖案16aR、 16gR被TiN等阻擋膜覆蓋。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜16G上，對應(yīng)于所述防潮環(huán)的位置形成被 Ti/TiN結(jié)構(gòu)的粘接膜夾著的Al圖案18A，所述Al圖案18A與所述W圖案 16gR接觸，另外，在所述通孔插件16g上形成相同結(jié)構(gòu)的墊片電極18B，所 述墊片電極18B與所述通孔插件16g接觸。
進(jìn)一步，所述A1圖案18A以及墊片電極18B被氧化硅膜18覆蓋，所述 氧化硅膜18是在所述層間絕緣膜16G上通過高密度等離子CVD (Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)法堆積而成的，進(jìn)一步，在其上形成由 SiN膜構(gòu)成的鈍化膜19。在所述鈍化膜19以及氧化硅膜18中，形成使所述 墊片電極18B露出的開口部19A。
在圖2的結(jié)構(gòu)中，如箭頭所示在圖中左側(cè)端部通過劃片機(jī)進(jìn)行劃線，但 為了阻止此時的裂紋傳播，在所述防潮環(huán)的外側(cè)，形成有之前在圖l中說明 的保護(hù)槽部14A。
另一方面，在圖2所示的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中，由于圖中左側(cè)端部暴露 在大氣中，所以如圖3所示，在層間絕緣膜16A 16F中的防潮環(huán)12A的外 側(cè)部分侵入有水分，但所述防潮環(huán)12阻止這樣的水分侵入電路區(qū)域13中， 因此具有防潮環(huán)12的負(fù)擔(dān)大，易腐蝕的問題。在防潮環(huán)12的一部分出現(xiàn)缺 陷時，水分進(jìn)入該出現(xiàn)缺陷的部分，侵入半導(dǎo)體器件內(nèi)部。在圖3中，在用虛線包圍的構(gòu)成防潮環(huán)12A的Cu圖案16cR上產(chǎn)生了這樣的缺陷。
這樣的防潮環(huán)12的負(fù)擔(dān)的問題尤其在使用密度低的低介電常數(shù)膜即 Low-K膜作為層間絕緣膜16A 16F時，特別顯著。
圖4是表示用于減輕這樣的防潮環(huán)的負(fù)擔(dān)的通過本發(fā)明的有關(guān)技術(shù)而得 到的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。其中，在圖5中，在之前說明的部分上標(biāo)注相同的 附圖標(biāo)記，省略說明。
參照圖4，在圖4的結(jié)構(gòu)中，所述保護(hù)槽部14A形成為深度到達(dá)硅基板 15的表面，而且覆蓋保護(hù)槽部14A的表面地連續(xù)形成SiN鈍化膜19。
結(jié)果是，所述層間絕緣膜16A 16F以及層間絕緣膜16G的各個端部連 續(xù)地被SiN鈍化膜覆蓋，從而能夠期待實質(zhì)性地減輕對所述防潮環(huán)的負(fù)擔(dān)， 提高半導(dǎo)體器件的可靠性。
但是，在形成這樣的所述圖4的結(jié)構(gòu)時，需要在由層間絕緣膜16A 16G 構(gòu)成的層疊體中形成深的槽14A，尤其在掩模上刻畫抗蝕圖案時，可能在刻
畫精度上出現(xiàn)問題。
另外，所述SiN鈍化膜19是聚集應(yīng)力的膜，尤其在所述層間絕緣膜16A 16F為低介電常數(shù)膜的情況下，所述SiN鈍化膜19出現(xiàn)粘接力低下，易于剝 離的問題。
還考慮使用通過高密度等離子CVD法形成的氧化硅膜來形成所述鈍化 膜19，但尤其在所述層間絕緣膜16A 16F是有機(jī)類低介電常數(shù)膜或含有很 多有機(jī)基的低介電常數(shù)膜時，有可能因為成膜時的氧環(huán)境所以所述層間絕緣 膜被侵蝕，因此很難適用該方法。
而且，在圖4的結(jié)構(gòu)中，在使用聚集了應(yīng)力的SiN膜構(gòu)成所述鈍化膜19 時，劃線時產(chǎn)生的破裂經(jīng)過所述鈍化膜19，到達(dá)防潮環(huán)12A的內(nèi)側(cè)的電路 區(qū)域13，從而有可能使半導(dǎo)體器件的可靠性降低。
專利文獻(xiàn)1: JP特開2004-47575號公報；
專利文獻(xiàn)2: JP特開2004-134450號公報；
專利文獻(xiàn)3: JP特開2004-79596號公報；
專利文獻(xiàn)4: JP特開2003-273043號公報；
專利文獻(xiàn)5: JP特開2004-119468號公報；
專利文獻(xiàn)6: JP特開2005-217411號公報；專利文獻(xiàn)7: JP特開2005-260059號公報； 專利文獻(xiàn)8: JP特開2004-296904號公報； 專利文獻(xiàn)9: JP特開2006-114723號公報。 用于解決問題的手段
根據(jù)一個方面，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件具有基板; 層疊體，其形成在所述基板上，包括多層布線結(jié)構(gòu)；防潮環(huán)，其在所述層疊 體中，包圍形成有有源元件的元件區(qū)域并連續(xù)延伸；保護(hù)槽部，其在所述層 疊體中，在所述防潮環(huán)的外側(cè)，沿著所述防潮環(huán)連續(xù)形成，并使所述基板表 面露出；其特征在于，所述層疊體是通過層疊介電常數(shù)比Si02膜低的層間絕 緣膜而構(gòu)成的，所述層疊體的上表面以及所述槽部的側(cè)壁面及底面，除了所 述多層布線結(jié)構(gòu)上的電極墊片之外，被保護(hù)膜連續(xù)覆蓋，在所述保護(hù)膜和所 述保護(hù)槽部側(cè)壁面之間，形成有以Si和C為主要成分的界偷膜。
根據(jù)另一方面，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件具有基板; 層疊體，其形成在所述基板上，包括多層布線結(jié)構(gòu)；防潮環(huán)，其在所述層疊 體中，包圍形成有有源元件的元件區(qū)域并連續(xù)延伸；保護(hù)槽部，其在所述層 疊體中，在所述防潮環(huán)的外側(cè)，沿著所述防潮環(huán)連續(xù)形成，并使所述基板表 面露出；其特征在于，在所述層疊體的表面，沿著所述槽部的外邊緣以及內(nèi) 邊緣，第一以及第二金屬掩模圖案分別延伸。
進(jìn)一步，根據(jù)另一方面，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)氣器件具 有基板；層疊體，形成在所述基板上，包括多層布線結(jié)構(gòu)；防潮環(huán)，其在 所述層疊體中，包圍形成有有源元件的元件區(qū)域并連續(xù)延伸；保護(hù)槽部，其 在所述層疊體中，在所述防潮環(huán)的外側(cè)，沿著所述防潮環(huán)連續(xù)形成，并使所 述基板表面露出；其特征在于，所述層疊體的上表面除了所述多層布線結(jié)構(gòu) 上的電極墊片之外，被保護(hù)膜覆蓋，所述保護(hù)膜在所述保護(hù)槽部的內(nèi)側(cè)，將 從所述層疊體的上表面至所述保護(hù)槽部的側(cè)壁面中的內(nèi)邊緣側(cè)側(cè)壁面的部 分連續(xù)覆蓋，所述保護(hù)膜在所述保護(hù)槽部的外邊緣側(cè)側(cè)壁面的外側(cè)的位置上 被部分除去。
發(fā)明的效果
根據(jù)本發(fā)明，在具有在基板上構(gòu)成多層布線結(jié)構(gòu)的層疊體的半導(dǎo)體器件 中，在防潮環(huán)的外側(cè)，形成到達(dá)基板面而形成的深的保護(hù)槽部，由此，能夠進(jìn)行保護(hù)，使所述防潮環(huán)內(nèi)側(cè)的半導(dǎo)體器件主要部不受切割時的裂紋影響。 此時，通過保護(hù)膜覆蓋該保護(hù)槽部的至少內(nèi)壁面，能夠阻止從該保護(hù)槽部側(cè) 壁面向半導(dǎo)體元件中侵入水分。
尤其是，在該多層布線結(jié)構(gòu)通過層疊低介電常數(shù)層間絕緣膜而構(gòu)成時， 有可能侵蝕形成保護(hù)膜時在所述保護(hù)槽部側(cè)壁面露出的層間絕緣膜端面，但 根據(jù)本發(fā)明，通過以Si和C為主要成分的界面膜覆蓋該側(cè)壁面，由此能夠 避免在形成該保護(hù)膜時槽部側(cè)壁面發(fā)生侵蝕的問題。
另外，根據(jù)本發(fā)明，在所述保護(hù)槽部形成在所述層疊體中時，以形成在 所述層疊體表面上的金屬圖案作為硬模來形成保護(hù)槽部，由此，即使存在到 達(dá)硅基板表面的深的槽部，也能夠穩(wěn)定地形成所期望的保護(hù)槽部。
進(jìn)一步，根據(jù)本發(fā)明，在所述保護(hù)槽部的外側(cè)側(cè)壁面或保護(hù)槽部的外側(cè) 除去所述保護(hù)膜，由此即使在通過劃線工序切去所述半導(dǎo)體器件時，也能夠 抑制裂紋在聚集有變形的保護(hù)膜中傳播而侵入半導(dǎo)體器件內(nèi)部，從而提高半 導(dǎo)體器件的制造成品率。


圖1是表示通過本發(fā)明的有關(guān)技術(shù)而得到的半導(dǎo)體晶片的表面的一部分 的俯視圖。
圖2是表示通過本發(fā)明的有關(guān)技術(shù)而得到的半導(dǎo)體器件的一部分的剖視圖。
圖3是表示通過本發(fā)明的其他有關(guān)技術(shù)而得到的半導(dǎo)體器件的一部分的 剖視圖。
圖4是表示通過本發(fā)明的其他有關(guān)技術(shù)而得到的半導(dǎo)體器件的一部分的 剖視圖。
圖5是表示本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 圖6A是說明圖5的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖(其一)。 圖6B是說明圖5的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖(其二)。 圖6A是說明圖5的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖(其一)。 圖6B是說明圖5的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖(其二)。 圖6C是說明圖5的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖(其三)。圖6D是說明圖5的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖(其四)。
圖6E是說明圖5的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖(其五)。
圖6F是說明圖5的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖(其六)。
圖7是表示圖5的半導(dǎo)體器件的一個變形例的剖視圖。
圖8A是說明本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖(其
一) 。
圖8B是說明本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖(其
二) 。
圖8C是說明本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖(其
圖9是表示本發(fā)明的第二實施方式的一個變形例的圖。
圖IO是表示本發(fā)明的第二實施方式的其他變形例的圖。
圖11是表示本發(fā)明的第三實施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的圖。
圖12是表示圖11的半導(dǎo)體器件的一個變形例的圖。
圖13是表示圖11的半導(dǎo)體器件的一個變形例的圖。
圖14是表示本發(fā)明的第四實施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的圖。
圖15是表示圖14的半導(dǎo)體器件的一個變形例的圖。
圖16是表示本發(fā)明的第五實施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的圖。
附圖標(biāo)記的說明
10、 20、 40、 60半導(dǎo)體器件
UA 11D元件區(qū)域
12A、 12B、 12C、 12D、 22A防潮環(huán)
13、 23電路區(qū)域
14A、 24A保護(hù)槽部
15、 25半導(dǎo)體基板
15Tr、 25Tr晶體管
15a、 15b、 25a、 25b擴(kuò)散區(qū)域
15c、 15d、 25c、 25d硅化物層
16A、 16B、 16C、 16D、 16E、 16F、 16G、 26A、 26B、 26C、 26D、 26E、 26F層間絕緣膜16a、 16b、 16c、 16d、 16e、 16f、 16g、 26a、 26b、 26c、 26d、 26e、 26f 布線圖案，通孔插件
16aR、 16bR、 16cR、 16dR、 16eR、 16fR、 16gR、 26aR、 26bR、 26cR、 26dR、 26eR、 26fR防潮環(huán)圖案
17A、 17B、 17C、 17D、 17E、 17F、 27A、 27B、 27C、 27D、 27E、 27F 蝕刻阻止膜
18、 28氧化硅膜
18A、 28A、 28C、 29D、 28E Al圖案 18B、 28B Al墊片電極
19、 29 SiN鈍化膜
具體實施例方式
圖5表示本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體器件20的結(jié)構(gòu)。
參照圖5，所述半導(dǎo)體器件20在形成有元件分離區(qū)域251以及晶體管 25Tr的硅基板25上形成，所述晶體管25Tr被SiN膜27A覆蓋，在所述硅 基板25上覆蓋所述晶體管15Tr以及SiN膜27A，然后形成包含多層布線結(jié) 構(gòu)的層疊體，所述層疊體是將層間絕緣膜26A、 26B……26G在其間交互隔 著由SiN或者SiC形成的蝕刻阻止膜27B、 27C……27F而層疊成的結(jié)構(gòu)。
在圖示的例子中，在所述層間絕緣膜26A中，對應(yīng)于防潮環(huán)22A的位 置，連續(xù)形成有由W等構(gòu)成的通孔圖案26aR，所述通孔圖案26aR與所述硅 基板25的表面接觸，另外，在所述防潮環(huán)22A所包圍的電路區(qū)域23中，形 成有通孔插件26a，所述通孔插件26a與對所述晶體管25Tr的擴(kuò)散區(qū)域25a、 25b進(jìn)行覆蓋的硅化物層25c、 25d接觸。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜26B中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)22A的位置，通 過單金屬鑲嵌法連續(xù)形成有Cu圖案26bR，所述Cu圖案26bR與所述通孔 圖案26aR接觸，另外，在所述電路區(qū)域23中也通過單金屬鑲嵌法形成有 Cu布線圖案26b，所述Cu布線圖案26b與所述W通孔圖案26a接觸。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜26C中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)22A的位置，通 過雙金屬鑲嵌法連續(xù)形成有Cu圖案26cR，所述圖案26cR與其下方的所述 Cu圖案26bR接觸，另外，在所述電路區(qū)域23中也通過單金屬鑲嵌法或雙金屬鑲嵌法形成有具有通孔插件的Cu布線圖案26c，所述Cu布線圖案26c 與所述Cu布線圖案26b接觸。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜26D中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)12A的位置， 通過單金屬鑲嵌法或雙金屬鑲嵌法連續(xù)形成有Cu圖案26dR，所述Cu圖案 26dR與其下方的所述Cu圖案26cR接觸，另外，在所述電路區(qū)域23中也通 過雙金屬鑲嵌法形成有具有通孔插件的Cu布線圖案26d，所述Cu布線圖案 26d與所述Cu布線圖案26c接觸。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜26E中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)22A的位置，通 過雙金屬鑲嵌法連續(xù)形成有Cu圖案26eR，所述Cu圖案26eR與其下方的所 述Cu圖案(未圖示)接觸，另外，在所述電路區(qū)域23中也通過雙金屬鑲嵌 法形成有具有通孔插件的Cu布線圖案26e，所述Cu布線圖案26e與所述Cu 布線圖案(未圖示)接觸。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜26F中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)22A的位置，通 過雙金屬鑲嵌法連續(xù)形成有Cu圖案26fR，所述Cu圖案26fR與其下方的所 述Cu圖案26eR接觸，另外，在所述電路區(qū)域23中也通過雙金屬鑲嵌法形 成有具有通孔插件的Cu布線圖案26f，所述Cu布線圖案26f與其下方的所 對應(yīng)的Cu布線圖案26e接觸。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜26G中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)22A的位置， 通過金屬鑲嵌法連續(xù)形成有W圖案26gR，所述W圖案26gR與其下方的所 述Cu圖案26fR接觸，另外，在所述電路區(qū)域23中也通過金屬鑲嵌法形成 有W通孔插件26g，所述通孔插件26g與所述Cu布線圖案26f接觸。
在此，應(yīng)當(dāng)注意所述Cu布線圖案26b 26f以及Cu圖案26bR 26fR被 Ta膜或Ta/TaN層疊膜等的阻擋金屬膜覆蓋，另外，所述W通孔插件26a、 26g以及W圖案26aR、 26gR被TiN等阻擋膜覆蓋。
進(jìn)一步，在所述層間絕緣膜26G上，對應(yīng)于所述防潮環(huán)的位置，形成有 被Ti/TiN結(jié)構(gòu)的粘接膜夾著的Al圖案28A，所述Al圖案28A與所述W圖 案26gR接觸，另外，在所述通孔插件26g上形成有相同結(jié)構(gòu)的墊片電極28B， 所述墊片電極28B與所述通孔插件26g接觸。在圖示的例子中，所述層間絕 緣膜26G由氧化硅膜形成。
進(jìn)一步，所述Al圖案28A以及墊片電極28B被氧化硅膜28覆蓋，所述氧化硅膜28是在所述層間絕緣膜26G上通過高密度等離子CVD法堆積而成 的，進(jìn)一步，在其之上，例如通過等離子CVD法形成有由SiN膜形成的鈍 化膜29。在所述鈍化膜29以及氧化硅膜29中，形成使所述墊片電極28B 露出的開口部29A。
作為所述層間絕緣膜26A 26F可以使用以注冊商標(biāo)Flare或SiLK等名 稱出售的烴類絕緣膜、有機(jī)或無機(jī)硅氧垸膜、或者上述這些膜的多孔質(zhì)膜。 這些層間絕緣膜能夠通過等離子CVD法或涂敷法來形成。所述層間絕緣膜 26A 26D的膜厚例如形成為200 400nm左右，所述層間絕緣膜26E、 26F 的膜厚例如形成為400 600nm左右。
此時，在本實施方式中，與之前的圖1的保護(hù)槽部14A相同，在所述層 疊體中，在所述防潮環(huán)22A的外側(cè)，沿著所述防潮環(huán)22A連續(xù)形成有到達(dá) 所述硅基板25的表面的保護(hù)槽部24A,所述氧化硅膜28以及鈍化膜29連 續(xù)覆蓋該保護(hù)槽部24A的內(nèi)壁面、底面以及外壁面。
另外，所述保護(hù)槽部24A是通過對層疊所述層間絕緣膜26A 26G而成 的層疊體執(zhí)行以抗蝕圖案為掩模的干式蝕刻，直到所述硅基板25的表面露 出為止而形成的。
進(jìn)一步，在本實施方式中，通過等離子CVD法，在所述氧化硅膜28 '-3 所述保護(hù)槽部24A的內(nèi)壁面、底面以及外壁面之間，形成膜厚為5 200nm 的SiC界面膜281。
通過形成該界面膜281，能夠抑制在將所述氧化硅膜28形成在所述保護(hù) 槽部24A的內(nèi)壁面、底面以及外壁面時，在所述內(nèi)壁面或外壁面露出的低介 電常數(shù)層間絕緣膜26A 26F發(fā)生損傷。
此外，作為所述界面膜281，不限于成分為SiC的膜，只要是在界面膜 成膜時能夠抑制所述低介電常數(shù)層間絕緣膜26A 26F發(fā)生損傷即可，可以 使用以Si和C為主要成分的例如SiCH膜、SiOC膜、SiOCH膜等。
在利用SiC膜形成所述界面膜281時，例如利用等離子CVD法，所述 等離子CVD法是供給四甲基硅烷作為原料，在350 40(TC的基板溫度下等 離子激發(fā)四甲基硅垸的方法。
這樣，根據(jù)本實施方式，在所述保護(hù)槽部24A的表面，即內(nèi)側(cè)側(cè)壁面、 底面以及外側(cè)側(cè)壁面通過高密度等離子CVD法形成所述氧化硅膜28之前，利用界面膜281連續(xù)覆蓋所述保護(hù)槽部24A的表面，由此抑制所述氧化硅膜 28形成時的所述保護(hù)槽部24A表面因氧分子以及氧離子而產(chǎn)生損傷。所述 界面膜281的形成是在氧很少的條件下進(jìn)行的，因此實際上不損傷所述層間 絕緣膜26A 26F的在所述保護(hù)槽部24A中的露出端面。
另外，通過在SiN鈍化膜29的正下方形成該氧化硅膜28，能夠抑制易 于聚集應(yīng)力的SiN鈍化膜29的剝離。
在圖示的例子中，圖中左端被劃線，端面露出在大氣中，但大氣中的水 分主要在所述保護(hù)槽部24A中被所述SiN鈍化膜29阻止，從而能夠大大地 減輕防潮環(huán)22A的負(fù)擔(dān)。
以下，參照圖6A 6G說明所述半導(dǎo)體器件20的制造工序。
參照圖6A，在形成有有源元件25Tr的硅基板25上，形成有層疊所述層 間絕緣膜26A 26G而成的層疊體，在所述層疊體中，對應(yīng)于所述防潮環(huán)22A 的位置，形成層疊W或Cu圖案26aR 26gR而成的結(jié)構(gòu)，在最上部形成Al 圖案28A。另外，在所述層疊體中，與所述電路區(qū)域23中的多層布線結(jié)構(gòu) 相對應(yīng)，形成層疊W或Cu圖案26a 26g而成的結(jié)構(gòu)，在圖6B的工序中， 在所述防潮環(huán)22A的外側(cè)，通過將CF類氣體以及02、 Ar等的混合氣體作 為蝕刻氣體的干式蝕刻，形成保護(hù)槽部24A，以使所述硅基板25露出。在 圖6B的工序中，在通過抗蝕掩模保護(hù)所述層疊體表面中的除所述保護(hù)槽部 24A的形成區(qū)域以外的區(qū)域的狀態(tài)下，執(zhí)行所述干式蝕刻工序。
在所述圖6B的工序中，伴隨著所述保護(hù)槽部24A的形成，所述層間絕 緣膜26A 26F在所述保護(hù)槽部24A中暴露在大氣中，對于所述層間絕緣膜 26A 26F，即使在劃線前的狀態(tài)下，也在所述防潮環(huán)22A的外側(cè)吸濕，但 在圖6C的工序中，對所述圖6B的結(jié)構(gòu)進(jìn)行脫水處理，進(jìn)一步，在所述圖 6B的結(jié)構(gòu)上，通過之前說明的等離子CVD法，以之前說明的膜厚形成所述 SiC膜281。在所述SiC膜281的膜厚在5nm以下時，不能夠得到所述SiC 膜28I的作為界面膜的效果，另外，在所述SiC膜281的膜厚在200nm以上 時，處理時間變長而不必要。
接著在圖6D的工序中，在所述圖6C的結(jié)構(gòu)上，所述氧化硅膜28 使用硅垸和氧為原料，以700W左右的等離子功率，在40(TC左右的基板 溫度下，施加4kW左右的基板偏壓，從而形成膜厚例如1200 1500nm的所述氧化硅膜28，進(jìn)一步，在圖6E的工序中，在所述圖6D的結(jié)構(gòu)上， 使用硅烷和氨為原料，在400。C左右的基板溫度下，以750W左右的等離 子功率，形成膜厚500nm的所述SiN鈍化膜29。
進(jìn)一步，在圖6F的工序中，在所述SiN鈍化膜29中形成使所述電極墊 片28B露出的開口部29A。
進(jìn)一步，在圖6F的工序后，沿著圖1的刻痕線對所述硅片劃線，由此 得到圖5的半導(dǎo)體器件20。
此外，在所述SiN鈍化膜29具有足夠的粘接性的情況下，可以在形成 所述保護(hù)槽部24A之前形成所述氧化硅膜28，在對應(yīng)于所述保護(hù)槽部24A 形成到達(dá)基板25的槽之后，如圖7所示，在所述保護(hù)槽部24A，與所述界 面膜281直接接觸地形成SiN鈍化膜29。
接著，參照圖8A 8C說明本發(fā)明的第二實施方式。其中，在圖8A 8C 中，對與之前說明的部分相對應(yīng)的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略說明。
在之前的實施方式中，在圖6B的工序中為了通過干式蝕刻形成所述保 護(hù)槽部24A，使用了抗蝕工藝，但在形成這樣深的保護(hù)槽部24A時，干式蝕 刻時間變長，尤其是在層間絕緣膜的數(shù)量多的半導(dǎo)體器件中，產(chǎn)生抗蝕圖案 經(jīng)受不了長時間的干式蝕刻的問題。
本實施方式對應(yīng)于這樣的多層布線結(jié)構(gòu)中的層間絕緣膜的數(shù)量多，形成 所述保護(hù)槽部24A所需要的時間長的情況，如圖8A所示，在所述最上層的 氧化硅膜26G上，與所述Al圖案28A以及28B同時，使用同一掩模形成 Al圖案28C以及28D，以劃分出所述保護(hù)槽部24A的形成區(qū)域，以該Al圖 案28C以及28D為硬模，在所述圖案28C以及28D之間對所述層間絕緣膜 26A 26G的層疊體進(jìn)行干式蝕刻，從而形成所述保護(hù)槽部24A。
在本實施方式中，接著在圖8B的工序中，在對所述圖8A的結(jié)構(gòu)進(jìn)行脫 水處理之后，與之前圖6C的工序相同，形成所述界面膜281，進(jìn)一步，在圖 8C的工序中，在所述界面膜28I上，與之前圖6E的工序相同，形成所述鈍 化膜29。此外，圖8C進(jìn)一步示出了半導(dǎo)體器件被劃線后的狀態(tài)。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠如之前說明的那樣穩(wěn)定地形成所述保護(hù)槽部24A，避 免例如用于形成所述保護(hù)槽部24A的干式蝕刻工藝在側(cè)方進(jìn)行，使防潮環(huán)22A露出等的問題。
在圖8A 8C中，說明了 SiN鈍化膜29與所述界面膜281直接接觸的情 況，但本實施方式不限于該特定的情況，對于在所述界面膜281與SiN鈍化 膜29之間存在通過高密度等離子CVD法形成的、與所述氧化硅膜28相同 的氧化硅膜，也同樣有效。
即使這樣形成所述Al圖案28C以及28D，也不增加掩模數(shù)量，不使半 導(dǎo)體器件的制造工序變復(fù)雜。
圖9表示所述圖8A的一個變形例。
參照圖9，在本實施方式中，所述A1圖案28A兼用作圖8A的A1圖案 28D，由此，圖9中，如箭頭W所示，與圖8A相比能夠減小芯片尺寸。 圖10表示所述圖8A的另一個變形例。
參照圖IO，在本實施方式中，在所述保護(hù)槽部24A的外側(cè)，形成由Cu 或W圖案26aP 26bP層疊而成的與所述防潮環(huán)22A相同的另一個防潮環(huán) 22B，所述A1圖案28C作為所述防潮環(huán)22B的最上部的圖案而形成。
該結(jié)構(gòu)也能夠通過將所述Al圖案28A以及28C作為掩模進(jìn)行干式蝕刻， 能夠正確地控制所述保護(hù)槽部24A的形狀。
這樣的另一個防潮環(huán)22B能夠與所述防潮環(huán)22A同時形成，不增加工序 數(shù)。另外，由于在所述保護(hù)槽部24A的外側(cè)存在防潮環(huán)，所以能夠通過該增 加的防潮環(huán)結(jié)構(gòu)，抑制在界面?zhèn)鞑サ牧鸭y的擴(kuò)散。
圖11表示本發(fā)明的第三實施方式的半導(dǎo)體器件40的結(jié)構(gòu)。其中，在圖 中對與之前說明的部分相對應(yīng)的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略說明。
參照圖11 ，在本實施方式中，所述SiN鈍化膜29直接覆蓋所述保護(hù)槽 部24A的內(nèi)側(cè)側(cè)壁面以及底面，但使用將用于形成所述槽部24A的掩模數(shù) 據(jù)微小地向刻痕線方向錯動而形成的掩模圖案，通過與形成所述槽部24A相 同的干式蝕刻工序，除去所述鈍化膜29中的覆蓋所述槽部24A的外側(cè)側(cè)壁 面的部分。另外，該干式蝕刻工序的結(jié)果是，在圖11的例子中，在所述保 護(hù)槽部24A的外側(cè)側(cè)壁面形成階梯部24a。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在通過劃線工序?qū)⑺霭雽?dǎo)體器件分離時，使用聚集了變 形的SiN鈍化膜29阻止裂紋侵入防潮環(huán)22A內(nèi)側(cè)的電路區(qū)域。另外，在本實施方式中，通過與使所述墊片電極28B露出的開口部29A 的形成工序同時進(jìn)行所述保護(hù)槽部22A中的SiN鈍化膜29的除去工序，能 夠避免增加掩模數(shù)量。此時，在所述墊片電極22B露出的時刻，實際上在所 述開口部29A停止蝕刻，僅在保護(hù)槽部24A的外側(cè)側(cè)壁面，蝕刻進(jìn)一步進(jìn) 行。
在圖11的例子中，所述層間絕緣膜26A 26F由氧化硅膜形成，所述 SiN鈍化膜29在所述保護(hù)槽部24A直接與所述層間絕緣膜26A 26F接觸， 但如之前圖5或圖7說明的那樣，在所述層間絕緣膜26A 26F是介電常數(shù) 比Si02低的低介電常數(shù)膜的情況下，優(yōu)選在所述保護(hù)槽部24A中，在所述 SiN鈍化膜29與保護(hù)槽部表面之間存在氧化硅膜28和界面膜281，或者存在 界面膜281。
圖12表示所述圖11的一個變形例，是在所述保護(hù)槽部24A的外側(cè)側(cè)壁 面的一部分上殘留有所述SiN鈍化膜的情況。 本實施方式還包括這樣的情況。
進(jìn)一步，圖13表示所述圖11的另一個變形例，是在對所述保護(hù)槽部24A 外側(cè)的側(cè)壁面進(jìn)行蝕刻時，殘留有SiN鈍化膜29的一部分而形成突出部的 情況。
本實施方式還包括這樣的情況。 [第四實施方式]
圖14表示本發(fā)明的第四實施方式的半導(dǎo)體器件60的結(jié)構(gòu)。
參照圖14，在本實施方式中，所述SiN鈍化膜29連續(xù)覆蓋所述保護(hù)槽 部24A的內(nèi)側(cè)側(cè)壁面、底面以及外側(cè)側(cè)壁面，在所述層間絕緣膜26A 26G 的層疊體表面中的所述槽部24A的外側(cè)，與所述開口部29A同時，以包圍 所述保護(hù)槽部24A的方式連續(xù)形成開口部29B。
通過該結(jié)構(gòu)，即使在所述半導(dǎo)體器件的劃線工序中，在所述SiN鈍化膜 29產(chǎn)生裂紋，裂紋傳播也被所述開口部29B阻止，從而裂紋不侵入防潮環(huán) 22A內(nèi)側(cè)的電路區(qū)域。
圖14表示所述半導(dǎo)體器件被劃線之前的狀態(tài)，可知通過所述開口部 29B，在所述層疊體中的所述保護(hù)槽部24A外側(cè)的部分侵入水分。另外，該 部分在劃線時也暴露在大氣中，雖然侵入有水分，但在所述保護(hù)槽部24A的內(nèi)側(cè)，通過所述SiN鈍化膜29，阻止水分的侵入，從而大大地減輕了防潮環(huán)
22A的負(fù)擔(dān)。
在圖14的例子中，所述層間絕緣膜26A 26F由氧化硅膜形成，所述 SiN鈍化膜29在所述保護(hù)槽部24A直接與所述層間絕緣膜26A 26F接觸， 但如之前圖5或圖7說明的那樣，在所述層間絕緣膜26A 26F是介電常數(shù) 低于Si02的低介電常數(shù)膜時，優(yōu)選在所述槽部24A中，在所述SiN鈍化膜 29與保護(hù)槽部表面之間存在氧化硅膜28和界面膜281，或者存在界面膜281。
圖15是所述圖14的一個變形例，在所述層疊體上，對應(yīng)于所述開口部 29C，與所述A1圖案28A以及28B同時，以連續(xù)包圍所述保護(hù)槽部24A的 方式形成Al圖案28E。
在本實施方式中，在形成所述開口部29C時，在相應(yīng)部位形成有所述 A1圖案28E，因此在該A1圖案29C上，用于形成所述開口部29C的干式蝕 刻停止，從而不會深的侵入層疊體內(nèi)部。
另外，所述層疊體中的所述保護(hù)槽部外側(cè)的部分在劃線前的狀態(tài)下不出 現(xiàn)侵入水分的情況。
圖15表示本發(fā)明的第五實施方式的半導(dǎo)體器件80的結(jié)構(gòu)。其中，在圖 中，對與之前說明的部分相對應(yīng)的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略說明。
參照圖15，在本實施方式中，在硅基板25上通過層疊層間絕緣膜26A 26G而形成的層疊體中，形成在所述防潮環(huán)22A的外側(cè)的保護(hù)槽部24A被 SiN鈍化膜29連續(xù)覆蓋，進(jìn)一步，在該鈍化膜29上，以填充所述保護(hù)槽部 24A的方式形成有水溶性樹脂等樹脂層30。
在本實施方式中，在形成有該樹脂層30的狀態(tài)下對硅晶片進(jìn)行劃線， 因此，裂紋的能量被該樹脂層30吸收，從而抑制裂紋向電路部分23傳播。
此外，該樹脂層30不限于圖15的結(jié)構(gòu)，能夠適用于之前說明的所有的 實施方式。
以上說明了本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式，但本發(fā)明不限于這些特定的實施 方式，能夠在權(quán)利要求書中記載的內(nèi)容內(nèi)進(jìn)行各種變形和變更。
以上，說明了本發(fā)明的優(yōu)選的實施例，但本發(fā)明不限于該特定的實施例， 能夠在權(quán)利要求書中記載的內(nèi)容內(nèi)進(jìn)行各種變形和變更。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，具有基板；層疊體，其形成在所述基板上，包括多層布線結(jié)構(gòu)；防潮環(huán)，其在所述層疊體中，包圍形成有有源元件的元件區(qū)域并連續(xù)延伸；保護(hù)槽部，其在所述層疊體中，在所述防潮環(huán)的外側(cè)，沿著所述防潮環(huán)連續(xù)形成，并使所述基板表面露出；其特征在于，所述層疊體是通過層疊介電常數(shù)比SiO2膜低的層間絕緣膜而成的，所述層疊體的上表面以及所述保護(hù)槽部的側(cè)壁面及底面，除了所述多層布線結(jié)構(gòu)上的電極墊片之外，被保護(hù)膜連續(xù)覆蓋，在所述保護(hù)膜與所述保護(hù)槽部側(cè)壁面之間，形成有以Si和C為主要成分的界面膜。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述界面膜具有5 200nm的大致一定的膜厚。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述保護(hù)膜由在氮氧化硅膜或氧化硅膜上層疊的層疊膜形成。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述保護(hù)膜由氮化硅膜或氮氧化硅膜形成。
5. 如權(quán)利要求1 4中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述介電常數(shù)比SiOJ莫低的層間絕緣膜在膜中含有烴基。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述介電常數(shù)比Si02膜低的層間絕緣膜由有機(jī)絕緣膜形成。
7. —種半導(dǎo)體器件，具有基板；層疊體，其形成在所述基板上，包括多層布線結(jié)構(gòu)；防潮環(huán)，其在所述層疊體中，包圍形成有有源元件的元件區(qū)域并連續(xù)延伸；保護(hù)槽部，其在所述層疊體中，在所述防潮環(huán)的外側(cè)，沿著所述防潮環(huán) 連續(xù)形成，并使所述基板表面露出；其特征在于，在所述層疊體的表面，沿著所述保護(hù)槽部的外邊緣以及內(nèi)邊緣，第一以 及第二金屬掩模圖案分別延伸。
8. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第二金屬掩模圖案由所述防潮環(huán)的最上層圖案構(gòu)成。
9. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述層疊體中，在所述保護(hù)槽部的外側(cè)，與所述防潮環(huán)相同層結(jié)構(gòu)的 另一個環(huán)連續(xù)延伸，所述第一金屬掩模圖案由所述另一個環(huán)的最上層圖案構(gòu)成。
10. 如權(quán)利要求7 9中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述層疊體的上表面以及所述保護(hù)槽部的側(cè)壁面及底面，除了所述多層配線結(jié)構(gòu)上的電極墊片之外，被保護(hù)膜連續(xù)覆蓋。
11. 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述保護(hù)膜由在氮氧化硅膜或氧化硅膜上層疊的層疊膜形成。
12. 如權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述保護(hù)膜由氧化硅膜或氮化硅膜形成。
13. 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述層疊體是通過層疊介電常數(shù)比Si02膜低的層間絕緣膜而形成的。
14. 如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在所述保護(hù)膜與所述保護(hù)槽部側(cè)壁面之間，形成有以Si以及C為主要成分的界面膜。
15. —種半導(dǎo)體器件，具有 基板；層疊體，其形成在所述基板上，包括多層布線結(jié)構(gòu)；防潮環(huán)，其在所述層疊體中，包圍形成有有源元件的元件區(qū)域并連續(xù)延伸；保護(hù)槽部，其在所述層疊體中，在所述防潮環(huán)的外側(cè)，沿著所述防潮環(huán) 連續(xù)形成，并使所述基板表面露出； 其特征在于，所述層疊體的上表面除了所述多層布線結(jié)構(gòu)上的電極墊片之外，被保護(hù)膜覆蓋，所述保護(hù)膜在所述保護(hù)槽部內(nèi)側(cè)，連續(xù)覆蓋從所述層疊體的上表面至所 述槽部側(cè)壁面中的內(nèi)邊緣側(cè)側(cè)壁面的部分，所述保護(hù)膜在所述保護(hù)槽部的外邊緣側(cè)側(cè)壁面的外側(cè)的位置處被部分 除去。
16. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述保護(hù)膜在所述保護(hù)槽部的外邊緣側(cè)側(cè)壁面上被除去。
17. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述保護(hù)膜在所述層疊體上，在所述保護(hù)槽部外側(cè)的部分處被除去。
18. 如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述保護(hù)膜在所述層疊體上，在所述保護(hù)槽部外側(cè)部分處被除去，從而使沿著所述保護(hù)槽部而形成的金屬圖案露出。
19. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述保護(hù)膜由在氮氧化硅膜或在氧化硅膜上層疊的層疊膜形成。
20. 如權(quán)利要求15或19所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述保護(hù)膜由氮化硅膜或氧化硅膜形成。
21. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述半導(dǎo)體器件在通過層疊介電常數(shù) 比Si02膜低的層間絕緣膜而成且包括有多層布線結(jié)構(gòu)的層疊體中具有防潮 環(huán)，所述防潮環(huán)包圍所述多層布線結(jié)構(gòu)；其特征在于，包括在所述防潮環(huán)的外側(cè)且在與刻痕線之間的位置處，在所述層疊體上形成 到達(dá)半導(dǎo)體基板表面的槽的工序；覆蓋所述槽的側(cè)壁面以及底面而形成以Si和C為主要成分的界面膜的 工序；在所述界面膜上沿著所述槽的側(cè)壁面以及底面形成保護(hù)膜的工序。
22. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述半導(dǎo)體器件在包括多層布線結(jié)構(gòu) 的層疊體中具有防潮環(huán)，所述防潮環(huán)包圍所述多層布線結(jié)構(gòu)；其特征在于， 包括在所述防潮環(huán)的外側(cè)且在與刻痕線之間的位置處，形成到達(dá)半導(dǎo)體基板 表面的槽的工序；覆蓋所述槽的側(cè)壁面以及底面而形成保護(hù)膜的工序；形成所述槽的工序是以形成在所述多層布線結(jié)構(gòu)上的金屬圖案為掩模 來執(zhí)行的。
23. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述半導(dǎo)體器件在包括多層布線結(jié)構(gòu)的層疊體中具有防潮環(huán)，所述防潮環(huán)包圍所述多層布線結(jié)構(gòu)；其特征在于，包括在所述防潮環(huán)的外側(cè)且在與刻痕線之間的位置處，形成到達(dá)半導(dǎo)體基板 表面的槽的工序；覆蓋所述槽中的接近所述防潮環(huán)的內(nèi)側(cè)側(cè)壁面、底面以及接近所述刻痕線的外側(cè)側(cè)壁面而形成保護(hù)膜的工序；至少部分除去所述保護(hù)膜中的覆蓋所述外側(cè)側(cè)壁面的部分的工序。
24. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述半導(dǎo)體器件在多層布線結(jié)構(gòu)中具 有防潮環(huán)；其特征在于，包括在所述防潮環(huán)的外側(cè)且在與刻痕線之間的位置處，形成到達(dá)半導(dǎo)體基板 表面的槽的工序；覆蓋所述槽的側(cè)壁面以及底面而形成保護(hù)膜的工序； 在所述層疊體上，在所述槽的外側(cè)的位置處除去所述保護(hù)膜的工序。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件，具有基板；層疊體，其形成在所述基板上，包括多層布線結(jié)構(gòu)；防潮環(huán)，其在所述層疊體中，包圍形成有有源元件的元件區(qū)域并連續(xù)延伸；保護(hù)槽部，其在所述層疊體中，在所述防潮環(huán)的外側(cè)，沿著所述防潮環(huán)連續(xù)形成，并使所述基板表面露出；所述層疊體是通過層疊介電常數(shù)比SiO₂膜低的層間絕緣膜而構(gòu)成的，所述層疊體的上表面以及所述保護(hù)槽部的側(cè)壁面及底面，除了所述多層布線結(jié)構(gòu)上的電極墊片之外，被至少包含氮化硅膜的保護(hù)膜連續(xù)覆蓋，在所述保護(hù)膜和所述保護(hù)槽部側(cè)壁面之間，形成有以Si和C為主要成分的界面膜。
文檔編號H01L21/768GK101641776SQ200780052450
公開日2010年2月3日 申請日期2007年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者三沢信裕, 大塚敏志, 渡邊健一 申請人:富士通微電子株式會社