專利名稱：相變化存儲裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲裝置及其制造方法，而特別是有關(guān)于一種相變化存 儲裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
相變化存儲器具有非揮發(fā)性、高讀取信號、高密度、高擦寫次數(shù)以及低 工作電壓/電流的特質(zhì)，是相當有潛力的非揮發(fā)性存儲器。其中提高存儲密度、
降低如寫入電流(write current)與重置電流(reset current)等工作電流是重要的 技術(shù)指標。
態(tài)及非結(jié)晶態(tài)， 一般利用溫度的改變來進行兩態(tài)間的轉(zhuǎn)換，由于非結(jié)晶態(tài)混 亂的原子排列而具有較高的電阻，因此藉由簡單的電性能測量即可輕易區(qū)分 出相變化材料的結(jié)晶態(tài)與非結(jié)晶態(tài)。由于相變化材料的相轉(zhuǎn)變?yōu)橐环N可逆反 應(yīng)，因此相變化材料用來當作存儲器材料時，是藉由非結(jié)晶態(tài)與結(jié)晶態(tài)兩態(tài) 之間的轉(zhuǎn)換來進行存儲，也就是說存儲位階(O、 l)是利用兩態(tài)間電阻的差異 來區(qū)分。
請參照圖1,部分顯示了一種現(xiàn)有相變化存儲單元結(jié)構(gòu)的剖面情形。如 圖1所示，相變化存儲單元結(jié)構(gòu)包括了一硅襯底10,其上設(shè)置有如鋁或鎢材 質(zhì)的一底電極12。于底電極12上則設(shè)置有一介電層14。介電層14的一部 內(nèi)設(shè)置有一加熱電極16，于介電層14上則堆疊有一圖案化的相變化材料層 20。圖案化的相變化材料層20設(shè)置于介電層14上的另一介電層18內(nèi)，而 相變化材料層20的底面則部分接觸加熱電極16。于介電層18上則設(shè)置有另 一介電層24。于介電層24內(nèi)設(shè)置有一頂電極22，頂電極22部分覆蓋了介 電層24且部分的頂電極22穿透了介電層24，因而接觸了其下方的相變化材 料層20。于操作時，加熱電極16將產(chǎn)生一電流以加熱介于相變化材料層20與加
熱電極16間的界面，進而視流經(jīng)加熱電極16的電流量與時間長短而使得相 變化材料層20的一部分(未顯示)轉(zhuǎn)變成非晶態(tài)相或結(jié)晶態(tài)相。
然而，為了提升相變化存儲裝置的應(yīng)用價值，便需要進一步縮減相變化 存儲裝置內(nèi)存儲單元的尺寸并提升單位面積內(nèi)的相變化存儲裝置內(nèi)存儲單 元的密度。然而，隨著存儲單元尺寸的縮減，意味著存儲單元的工作電流需 隨存儲單元密度的提升與尺寸的縮小等趨勢而進一步的縮減。
因此，因應(yīng)上述的存儲單元尺寸縮減趨勢，如圖l所示的現(xiàn)有相變化存 儲單元結(jié)構(gòu)可能遭遇以下缺點，即其于操作模式時由于需要極大的寫入電流
(writing current)與重置電流(reset current)以成功地轉(zhuǎn)變相變化材料的相態(tài)，因 此為了于縮減存儲單元尺寸時亦能降低重置電流與寫入電流以產(chǎn)生相變反 應(yīng)，所使用的方法之一即為降低加熱電極16與相變化材料層20的接觸面積， 即藉由降低加熱電極16的直徑Do所達成，進而維持或提高其接口間的電流 密度。然而，加熱電極16的直徑D。仍受限于目前微影工藝的能力，進而使 得其縮小程度為之受限，故無法進一步降低寫入電流與重置電流等工作電 流，如此將不利于其相變化存儲單元結(jié)構(gòu)的微縮。
因此，便需要一種相變化存儲裝置及其制造方法，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種相變化存儲裝置及其制造方法，以解決上 述的現(xiàn)有問題。
依據(jù)一實施例，本發(fā)明的相變化存儲裝置，包括
一第一介電層，其內(nèi)設(shè)置有一第一導電接觸物； 一相變化材料層，設(shè)置 于該第一介電層上； 一絕緣層，堆疊設(shè)置于該相變化材料層上； 一第一電極， 設(shè)置于該第一介電層上，該第一電極沿第一方向部分覆蓋該絕緣層與該相變 化材料層的一第一側(cè)壁并覆蓋該第一導電接觸物； 一第二電極，設(shè)置于該第 一介電層上，該第二電極沿第二方向部分覆蓋該絕緣層與該相變化材料層的 一第二側(cè)壁，其中該第一側(cè)壁對應(yīng)于該第二側(cè)壁而設(shè)置，而該第一電極與該 第二電極之間為電絕緣； 一第二介電層，設(shè)置于該第一介電層上以覆蓋該第 一電極、該第二電極、該絕緣層以及該相變化材料層，且其內(nèi)設(shè)置一第二導
5電接觸物接觸該第二電極。
依據(jù)一實施例，本發(fā)明的相變化存儲裝置的制造方法，包括 提供一第一介電層，其內(nèi)設(shè)置有一第一導電接觸物而其上設(shè)置有一堆疊
結(jié)構(gòu)，其中該堆疊結(jié)構(gòu)包括依序設(shè)置于該第一介電層上的一相變化材料層以
及一絕緣層，且該堆疊結(jié)構(gòu)不接觸該第一導電接觸物；形成一導電間隔物于
該第一介電層上，以部分覆蓋該第一介電層、該堆疊結(jié)構(gòu)與該第一導電接觸 物，即部分覆蓋該堆疊結(jié)構(gòu)的一頂面，以及該堆疊結(jié)構(gòu)內(nèi)的該相變化材料層
的兩相對側(cè)壁與該第一導電接觸物的一頂面；部分移除位于該堆疊結(jié)構(gòu)的該 頂面上的該導電間隔物，以將該導電間隔物分隔成互為電絕緣的一第一導電 電極以及一第二導電電極，其中該第一導電電極接觸該第一導電接觸物；坦 覆地形成一第二介電層于該第一導電電極、該第二導電電極、該第一介電層、 該第一介電層與該堆疊結(jié)構(gòu)；以及形成一第二導電接觸物于該第二介電層 內(nèi)，其中該第二導電接觸物接觸該第二導電電極。
為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特 舉一優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細i兌明如下。


圖l為一剖面圖，顯示了一現(xiàn)有相變化裝置存儲單元的結(jié)構(gòu)； 圖2、 5、 8、 12與16為一系列示意圖，分別顯示了依據(jù)本發(fā)明一實施 例的相變化存儲裝置的制造方法中不同階段的俯視情形；
圖3為一示意圖，顯示了沿圖2內(nèi)線,爻3-3的一剖面情形； 圖4為一示意圖，顯示了沿圖2內(nèi)線段4-4的一剖面情形； 圖6為一示意圖，顯示了沿圖5內(nèi)線段6-6的一剖面情形； 圖7為一示意圖，顯示了沿圖5內(nèi)線段7-7的一剖面情形； 圖9為一示意圖，顯示了沿圖8內(nèi)線^:9-9的一剖面情形； 圖IO為一示意圖，顯示了沿圖8內(nèi)線段10-10的一剖面情形； 圖11為一示意圖，顯示了沿圖8內(nèi)線-度11-11的一剖面情形； 圖13為一示意圖，顯示了沿圖12內(nèi)線段13-13的一剖面情形； 圖14為一示意圖，顯示了沿圖12內(nèi)線^: 14-14的一剖面情形； 圖15為一示意圖，顯示了沿圖12內(nèi)線段15-15的一剖面情形；圖17為一示意圖，顯示了沿圖
圖18為一示意圖，顯示了沿圖 圖19為一示意圖，顯示了沿圖 圖20為一示意圖，顯示了沿圖
附圖標記i兌明 10 硅襯底； 14 介電層； 18 介電層； 22 頂電極； Do 加熱電才及的直徑； 102、 110、 116 介電層; 106 相變化材料層； 112、 112a、 112b 導電間隔物; 200 存儲單元區(qū)域； OP 開口 。
16內(nèi)線段17-17的一剖面情形； 16內(nèi)線段18-18的一剖面情形； 16內(nèi)線段19-19的一剖面情形；以及 16內(nèi)線段20-20的一剖面情形。
12 底電極； 16 力口熱電才及； 20 相變化材料層； 24 介電層； 100 半導體結(jié)構(gòu)； 104、 118 導電接觸物； 108 絕緣層； 114 犧4生層； S 堆疊結(jié)構(gòu)；
具體實施例方式
本發(fā)明的相變化存儲裝置的制造方法將配合圖2至20作一詳細敘述如 下，其中圖2、 5、 8、 12與16為一系列示意圖，分別顯示了依據(jù)本發(fā)明一 實施例的相變化存儲裝置的制造方法中不同階段的俯視情形，而其余圖式則 分別顯示了上述俯視情形中不同線段的剖面情形。
于本實施例中，上述圖式中僅部分繪示了相變化存儲裝置中多個存儲單 元的制作情形，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能理解本實施例中的相變化存儲單元可更 透過適當?shù)膶щ姌?gòu)件(如內(nèi)連插拴或內(nèi)連導線等)而連結(jié)一有源裝置(例如晶 體管或二極管)與一導線等其它構(gòu)件。然而，基于簡化圖示的目的，此些構(gòu) 件并未繪示于上述圖式中。
請參照圖2,首先提供一大體制備的一半導體結(jié)構(gòu)100。在此，半導體 結(jié)構(gòu)IOO則包括有設(shè)置于一介電層102內(nèi)的兩導電接觸物104以及設(shè)置于介 電層102上的兩堆疊結(jié)構(gòu)S。如圖2所示，此些導電接觸物104以及堆疊結(jié) 構(gòu)S之間相互電性獨立且按照大體平行于圖2上所示的Y方向的一陣列形式
7而對準設(shè)置，其中各堆疊結(jié)構(gòu)S則包括依序堆疊于介電層102上的一相變化 材料層106以及一絕緣層108(請參見圖3)。在此，堆疊結(jié)構(gòu)S與導電接觸物 104的形成順序可視工藝需求而相互調(diào)換，亦即可先行于介電層102內(nèi)形成 導電接觸物104后接著于介電層102上形成圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)S，或者是可 先行于介電層102上形成此些圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)S后再接著于介電層102內(nèi) 形成導電4妻觸物104。
圖3與圖4為一系列示意圖，分別顯示了沿圖2內(nèi)線段3-3與線段4-4 的一剖面情形。圖3大體顯示了一堆疊結(jié)構(gòu)S以及一導電接觸物104的相對 設(shè)置情形，而圖4則大體顯示了兩堆疊結(jié)構(gòu)S的相對設(shè)置情形。堆疊結(jié)構(gòu)S 內(nèi)的相變化材料層106可包括石克屬化合物，例如是如Ge-Te-Sb三元^L屬化 合物或Te-Sb 二元硫?qū)倩衔?，其厚度約為200埃 500埃。而位于相變化材 料層106上的絕緣層108則例如為一氮化硅層，其厚度約為200埃 500埃。 介電層102則可包括如硼磷摻雜氧化硅玻璃(Borophosphosilicate glass ， BPSG)、氧化硅或旋涂玻璃(SOG)的介電材料。而導電4妻觸物104則可包括 如鴒或經(jīng)摻雜的多晶硅的導電材料。在此，導電接觸物104與圖案化的堆疊 結(jié)構(gòu)S可采用現(xiàn)有接觸物工藝以及薄膜沉積與微影與蝕刻等相關(guān)工藝所完 成，故不在此詳述其制作。
請繼續(xù)參照圖5,接著于圖2所示結(jié)構(gòu)上順應(yīng)地形成一介電材料以覆蓋 介電層102、堆疊結(jié)構(gòu)S與導電接觸物104,并借由后續(xù)的微影與蝕刻等程 序(皆未顯示)的施行，以形成圖案化的一介電層110。在此，介電層110繪 示為沿圖5中X方向延伸而設(shè)置于部分的介電層102上，其部分覆蓋了各堆 疊結(jié)構(gòu)S以及導電接觸物104。在此，介電層110則可包括如硼磷摻雜氧化 硅玻璃(Borophosphosilicate glass , BPSG)、氧化硅或旋涂玻璃(SOG)的介電材 料，其厚度約為2000埃 3000埃且例如是不同于介電層102的材料，以于其 圖案化過程中提供適當?shù)奈g刻選擇效果。
圖6與圖7為一系列示意圖，分別顯示了沿圖5內(nèi)線段6-6與線段7-7 的一剖面情形。圖6大體顯示了順應(yīng)地形成于介電層102、堆疊結(jié)構(gòu)S以及 導電接觸物104上的介電層110，而圖7則大體顯示了設(shè)置于鄰近兩堆疊結(jié) 構(gòu)S間的介電層110的相對設(shè)置情形。如圖7所示，此時介電層110僅部分 覆蓋了各堆疊結(jié)構(gòu)S并部分露出了堆疊結(jié)構(gòu)S。
請繼續(xù)參照圖8，接著順應(yīng)地沉積一層導電材料(未顯示)于如圖5所示的結(jié)構(gòu)上，并接著藉由后續(xù)的一蝕刻程序(未顯示)以回蝕刻此層導電材料，
進而于對應(yīng)于圖8中Y方向上的介電層110的對應(yīng)側(cè)壁上分別留下一導電間 隔物112，導電間隔物112則分別沿圖8中的X方向延伸并部分覆蓋了未為 介電層110所覆蓋的介電層102、導電接觸物104以及堆疊結(jié)構(gòu)S的頂面。 導電間隔物112可包括如鈦或氮化鈦的導電材料。形成導電間隔物112的導 電材料的沉積方法例如為濺射法或化學氣相沉積法。
圖9、圖10與圖11為一系列示意圖，分別顯示了沿圖8內(nèi)線段9-9、 線段10-10與線段11-11的一剖面情形。請參照圖9，由于導電間隔物并未 形成于介電層110的頂面，故僅大體顯示了順應(yīng)地形成于介電層102、堆疊 結(jié)構(gòu)S以及導電接觸物104上的介電層110。圖IO則大體顯示了設(shè)置于鄰 近兩堆疊結(jié)構(gòu)S間的介電層110的對稱側(cè)壁上的導電間隔物112的設(shè)置情 形。如圖IO所示，此時導電間隔物112分別部分覆蓋了各堆疊結(jié)構(gòu)S的一 頂面并略低于介電層IIO的一頂面，其具有大體扇形的剖面。請參照圖11， 則大體顯示了導電間隔物112與堆疊結(jié)構(gòu)S、介電層102以及導電接觸物104 的相對設(shè)置情形，此時導電間隔物112順應(yīng)地設(shè)置于上述構(gòu)件的表面上并接 觸了堆疊結(jié)構(gòu)S內(nèi)的絕緣層108與相變化材料層106的一對稱側(cè)壁。
請繼續(xù)參照圖12,接著坦覆地形成一犧牲層114于如圖8所示的結(jié)構(gòu)上， 以提供一平坦化表面，并藉由后續(xù)的微影與蝕刻程序(皆未顯示)圖案化此犧 牲層114，進而形成了沿圖12中的Y方向延伸設(shè)置的一開口 OP。此開口 OP部分露出了位于各堆疊結(jié)構(gòu)S中間部分之上的介電層110、導電間隔物 112以及絕緣層108及其鄰近的介電層102等部分。犧牲層114例如為一光 刻膠層，其可為一正型光刻膠或負型光刻膠。
圖13、圖14與圖15為一系列示意圖，分別顯示了沿圖12內(nèi)線段13-13、 線段14-14與線段15-15的一剖面情形。請參照圖13，此時開口 OP大體露 出堆疊結(jié)構(gòu)S的中間部分上方的介電層110。而圖14則大體顯示了位于為 開口 OP所露出的兩鄰近兩堆疊結(jié)構(gòu)S間的介電層110的對稱側(cè)壁上的導電 間隔物112的設(shè)置情形，其大致相同于先前的圖10。請參照圖15，則顯示 了大體露出位于堆疊結(jié)構(gòu)S的中間部分上的導電間隔物112部分的開口 OP 以及犧4生層114。
請繼續(xù)參照圖16，接著對如圖12所示的結(jié)構(gòu)施行一蝕刻程序(未顯示) 并采用犧牲層114作為蝕刻掩模，進而去除開口內(nèi)露出的導電間隔物112部分并留下位于先前開口 OP兩側(cè)的經(jīng)斷線的導電間隔物112a與112b。接著 于蝕刻去除犧牲層114后坦覆地形成一介電層116以平坦化結(jié)構(gòu)表面并覆蓋 介電層110、導電間隔物112a與112b、介電層102以及堆疊結(jié)構(gòu)S等構(gòu)件。 接著于介電層116內(nèi)形成多個導電接觸物118，其分別接觸了導電間隔物 112b之一。在此，此些導電接觸物118之間相互電性獨立且按照大體準直于 圖16上所示的Y方向的一陣列形式設(shè)置。介電層116則例如為旋涂玻璃 (SOG)，其可藉由如旋涂的方法所形成，而導電接觸物118則可包括如鴒或 經(jīng)摻雜的多晶硅的導電材料并藉由現(xiàn)有接觸物工藝所形成，故不在此詳述其 制作。
圖17、圖18、圖19與圖20為一系列示意圖，分別顯示了沿圖16內(nèi)線 段17-17、線段18-18、線段19-19與線段20-20的一剖面情形。請參照圖17， 此時介電層116覆蓋于介電層110之上且導電接觸物118形成并埋設(shè)于介電 層116內(nèi)。而圖18則大體顯示了介電層116覆蓋了介電層110、介電層102 以及堆疊結(jié)構(gòu)S的情形。請參照圖19，則顯示了經(jīng)斷線的導電間隔物112a 與112b等導電線段以及覆蓋于其上的介電層116。此時導電間隔物112a覆 蓋了導電接觸物104，而導電間隔物112b則與埋設(shè)于介電層116內(nèi)的導電接 觸物118相接觸，上述導電間隔物112a與112b則分別接觸了堆疊結(jié)構(gòu)S中 的相變化材料層的一側(cè)壁并部分覆蓋其上的絕緣層108的部分頂面。請參照 圖20,則大體繪示了如同圖18的剖面情形，此時于介電層110的對稱側(cè)壁 上則分別形成有一導電間隔物112a，其分別部分覆蓋絕緣層108并具有大體 扇形的一剖面情形，此點并未見于圖18內(nèi)。同樣地，其余的導電間隔物112a 部分以及導電間隔物112b亦具有相同的剖面形狀及類似的設(shè)置情形。
請參照圖16的俯視情形以及圖17-20的剖面情形，于圖16內(nèi)的一區(qū)域 200內(nèi)則大體為依據(jù)一實施例的相變化存儲裝置所設(shè)置的一區(qū)域，此相變化 存儲裝置包括
一第一介電層(如介電層102)，其內(nèi)設(shè)置有一第一導電接觸物(如導電接 觸物104); —相變化材料層(如相變化材料層106)，設(shè)置于該第一介電層上； 一絕緣層(如絕緣層108)，設(shè)置于該相變化材料層上； 一第一電極(如導電間 隔物112a)，設(shè)置于該第一介電層上，該第一電極沿水平于該第一介電層的 一頂面的一第一方向延伸，以部分覆蓋該絕緣層與該相變化材料層的一第一 側(cè)壁并覆蓋該第一導電接觸物； 一第二電極(如導電間隔物112b),設(shè)置于該第一介電層上，該第二電極沿水平于該第一介電層的一頂面的一第二方向延 伸，以部分覆蓋該絕緣層與該相變化材料層的一第二側(cè)壁，其中該第一側(cè)壁
對應(yīng)于該第二側(cè)壁而設(shè)置，而該第一電極與該第二電極之間為電絕緣； 一第 二介電層(如介電層116),設(shè)置于該第一介電層上以覆蓋該第一電極、該第 二電極、該絕緣層與該相變化材料層；以及一第二導電接觸物(如導電接觸 物118),設(shè)置于該第二介電層內(nèi)，以接觸該第二電極，其中該第一電極與該 第二電極具有 一 間隔物狀剖面。
參照上述的相變化存儲裝置的設(shè)置，本領(lǐng)域技術(shù)人員當能藉由于介電層 102下方及于介電層116上方設(shè)置其它適當?shù)挠性礃?gòu)件(如晶體管或二極管) 與無源構(gòu)件(導線)并使之電連接于導電接觸物104與118而進行此相變化存 儲裝置的操作。導電接觸物104與118可作為一底電極以及一頂電極之用， 而導電間隔物112a與112b之一則可作為加熱電極之用，藉以加熱相變化材 料層106。由于本實施例中的相變化材料層106僅借由其一側(cè)壁而接觸了導 電間隔物112a與112b，再加上導電間隔物112a與112b為具有一扇形剖面 的間隔物型態(tài)，因而導電間隔物112a與112b僅可部分接觸了相變化材料層 106的一部。因此藉由調(diào)整相變化材料層106的厚度以及形成導電間隔物 112a與112b的導電材料層的厚度而適度縮減相變化材料層與加熱電極間的 接觸面積，進而可適度縮減用于操作相變化存儲裝置的工作電流，而不受限 于現(xiàn)有微影工藝能力限制。因此上述實施例的相變化存儲裝置的制造方法極 適用于制作尺寸縮減的相變化存儲裝置并藉以達成更為縮減的工作電流。
雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng) 域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤 飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權(quán)利要求書所界定者為準。
權(quán)利要求
1. 一種相變化存儲裝置，包括第一介電層，其內(nèi)設(shè)置有第一導電接觸物；相變化材料層，設(shè)置于該第一介電層上；絕緣層，堆疊設(shè)置于該相變化材料層上；第一電極，設(shè)置于該第一介電層上，該第一電極沿第一方向部分覆蓋該絕緣層與該相變化材料層的第一側(cè)壁并覆蓋該第一導電接觸物；第二電極，設(shè)置于該第一介電層上，該第二電極沿第二方向部分覆蓋該絕緣層與該相變化材料層的第二側(cè)壁，其中該第一側(cè)壁對應(yīng)于該第二側(cè)壁而設(shè)置，而該第一電極與該第二電極之間為電絕緣；以及第二介電層，設(shè)置于該第一介電層上以覆蓋該第一電極、該第二電極、該絕緣層以及該相變化材料層，且其內(nèi)設(shè)置接觸該第二電極的第二導電接觸物。
2. 如權(quán)利要求1所述的相變化存儲裝置，其中該第一方向與該第二方向相對且位于該相變化材料層的相對兩側(cè)。
3. 如權(quán)利要求2所述的相變化存儲裝置，其中該第一電極更設(shè)置于鄰近該相變化材料層的該第一側(cè)壁的該絕緣層之上，而該第二電極更設(shè)置于鄰近該相變化材料層的該第二側(cè)壁的該絕緣層上，而該第一電極與該第二電極電絕緣。
4. 如權(quán)利要求3所述的相變化存儲裝置，其中該相變化材料層不接觸該第一導電接觸物。
5. 如權(quán)利要求1所述的相變化存儲裝置，其中該相變化材料層包括硫?qū)倩衔铩?br> 6. 如權(quán)利要求1所述的相變化存儲裝置，其中該第一電極與該第二電極之一為加熱電才及。
7. —種相變化存儲裝置的制造方法，包括提供第一介電層，其內(nèi)設(shè)置有第一導電接觸物而其上設(shè)置有堆疊結(jié)構(gòu)，其中該堆疊結(jié)構(gòu)包括依序設(shè)置于該第 一介電層上的相變化材料層以及絕緣層，且該堆疊結(jié)構(gòu)不接觸該第一導電接觸物；形成導電間隔物于該第一介電層上，以部分覆蓋該第一介電層、該堆疊結(jié)構(gòu)與該第一導電接觸物，即部分覆蓋該堆疊結(jié)構(gòu)的頂面，以及該堆疊結(jié)構(gòu)內(nèi)的該相變化材料層的兩相對側(cè)壁與該第 一導電接觸物的頂面；部分移除位于該堆疊結(jié)構(gòu)的該頂面上的該導電間隔物，以將該導電間隔物分隔成互為電絕緣的第一導電電極以及第二導電電極，其中該第一導電電極接觸該第 一導電接觸物；坦覆地形成第二介電層于該第一導電電極、該第二導電電極、該第一介電層與該堆疊結(jié)構(gòu)上；以及形成第二導電接觸物于該第二介電層內(nèi)，其中該第二導電接觸物接觸該第二導電電極。
8. 如權(quán)利要求7所述的相變化存儲裝置的制造方法，其中形成該導電間隔物于該第一介電層上，以部分覆蓋該第一介電層、該堆疊結(jié)構(gòu)與該第一導電接觸物包括沉積導電層于該堆疊結(jié)構(gòu)、該第一介電層與該第一導電接觸物的露出表面上；以及部分蝕刻去除該導電層，以形成該導電間隔物于該第一介電層上。
9. 如權(quán)利要求8所述的相變化存儲裝置的制造方法，其中部分移除位于該堆疊結(jié)構(gòu)的該頂面上的該導電間隔物，以將該導電間隔物分隔成互為電絕緣的該第 一導電電極以及該第二導電電極包括坦覆地形成犧牲層，以覆蓋該導電間隔物、該第一介電層、該堆疊結(jié)構(gòu)與該第一導電接觸物；于該犧牲層內(nèi)形成開口 ，其中該開口部分露出覆蓋該堆疊結(jié)構(gòu)的該頂面的該導電間隔物及其鄰近的部分堆疊結(jié)構(gòu)與該第 一介電層；以及去除為該開口所露出的該導電間隔物的部分，以將該導電間隔物截斷成互為電絕緣的該第 一 導電電極以及該第二導電電極。
10. 如權(quán)利要求7所述的相變化存儲裝置的制造方法，其中該第一導電電極與該第二導電電極之一作為加熱電極之用，以加熱該相變化材料層。
全文摘要
一種相變化存儲裝置，包括一第一介電層，其內(nèi)設(shè)置有一第一導電接觸物；一相變化材料層，設(shè)置于該第一介電層上；一絕緣層，堆疊設(shè)置于該相變化材料層上；一第一電極，設(shè)置于該第一介電層上，沿第一方向部分覆蓋該絕緣層與該相變化材料層的一第一側(cè)壁并覆蓋該第一導電接觸物；一第二電極，設(shè)置于該第一介電層上，沿第二方向部分覆蓋該絕緣層與該相變化材料層的一第二側(cè)壁；一第二介電層，設(shè)置于該第一介電層上以覆蓋該第一電極、該第二電極、該絕緣層以及該相變化材料層；以及一第二導電接觸物，設(shè)置于該第二介電層內(nèi)，以接觸該第二電極，其中該第一電極與該第二電極為一導電間隔物。本發(fā)明亦提供了一種相變化存儲裝置的制造方法。
文檔編號H01L27/24GK101459191SQ200710199849
公開日2009年6月17日 申請日期2007年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月14日
發(fā)明者涂麗淑 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院;力晶半導體股份有限公司;南亞科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;華邦電子股份有限公司