專利名稱：影像顯示系統(tǒng)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種影像顯示系統(tǒng)的制造方法，特別關(guān)于一種具有彩色濾光 片的包含電激發(fā)光裝置的影像顯示系統(tǒng)的制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)電激發(fā)光顯示器(organic electroluminescence device、 OLED), 依照 其驅(qū)動方式可區(qū)分成有源式(active matrix)與無源式兩種，其中有源式有機(jī)電 激發(fā)光顯示器是以電流驅(qū)動，每一個像素至少要有一開關(guān)薄膜晶體管(switch TFT)，根據(jù)電容儲存電壓的不同來調(diào)節(jié)驅(qū)動電流的大小，即控制像素明亮及 灰階的不同。請參照圖la至le,顯示一系列剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用來說明現(xiàn)有具有彩 色濾光片的電激發(fā)光裝置的制造流程。請參照圖la， 一具有有源區(qū)11及襯墊區(qū)12的基板IO被提供，其中一 薄膜晶體管13形成于該基板10上的有源區(qū)11內(nèi)，以及一金屬襯墊14形成 于該基板10上的襯墊區(qū)12。接著， 一絕緣層15形成于該基板IO之上。接著，請參照圖lb,圖形化該絕緣層15,以形成一漏極接觸窗16及一 襯墊接觸窗17。該漏極接觸窗16露出該薄膜晶體管13的漏極18 ,而該襯 墊接觸窗17且露出該金屬襯墊14。接著，請參照圖lc， 一彩色濾光片19順應(yīng)性形成于該基板IO之上的有 源區(qū)11內(nèi)。在此，該彩色濾光片19經(jīng)由該漏極接觸窗16,而直接與該漏極 18接觸。接著，請參照圖ld,該彩色濾光片19被進(jìn)一步圖形化以形成彩色濾光 片層20。接著，趁覆性形成一平坦層21于該基板IO之上。在此步驟中，該 平坦層21經(jīng)由該漏極接觸窗16及襯墊接觸窗17直接與該漏極18及該金屬 襯墊14接觸。最后，請參照圖le，對該平坦層21進(jìn)行圖形化工藝，以露出 該漏極18及該金屬襯墊14。在上述現(xiàn)有具有彩色濾光片的電激發(fā)光裝置的制造流程中，由于該彩色
濾光片19及(或)平坦層21在形成的步驟中，經(jīng)由漏極接觸窗16而直接與該 漏極接觸，如此一來易導(dǎo)致薄膜晶體管的電極因靜電放電效應(yīng)(electrostatic discharge, ESD)的影響而受到損傷。此外，自從在形成彩色濾光片19及(或) 平坦層21的過程中，金屬襯墊14亦大面積的與該彩色濾光片19及(或)平坦 層21接觸，導(dǎo)致電荷累積產(chǎn)生天線效應(yīng)(antenna effect),擴(kuò)大靜電放電的產(chǎn) 生，造成金屬電極的損傷。因此，發(fā)展出具有較簡化的工藝及高效能的全彩有源式電激發(fā)光裝置的 工藝，以防止靜電放電效應(yīng)的產(chǎn)生，是目前有機(jī)電激發(fā)光裝置工藝技術(shù)上亟 需研究的重點(diǎn)。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種包含全彩電激發(fā)光裝置的影像顯示 系統(tǒng)的制造方法，可防止靜電放電效應(yīng)的產(chǎn)生，符合平面顯示器市場的需求。為達(dá)成本發(fā)明的目的，影像顯示系統(tǒng)的制造方法包括形成一電激發(fā)光裝 置，而該電激發(fā)光裝置的制造方式包括以下的步驟。提供一具有有源區(qū)及襯 墊區(qū)的基板。形成一薄膜晶體管于該基板的有源區(qū)上，及形成一襯墊電極于 該基板的該襯墊區(qū)內(nèi)，其中該薄膜晶體管包含一源極、 一柵極、 一漏極及一 柵極絕緣層。形成一保護(hù)層于該有源區(qū)及襯墊區(qū)之上。形成一彩色濾光片層 于該保護(hù)層之上并位于有源區(qū)之內(nèi)，其中一第一接觸窗形成于該漏極的正上 方，并貫穿該彩色濾光片層，露出該保護(hù)層。形成一平坦層于該基板的有源 區(qū)及襯墊區(qū)之上。形成一第二接觸窗貫穿該位于有源區(qū)的平坦層，以露出位 于漏極正上方的保護(hù)層的上表面。形成一第三接觸窗貫穿位于襯墊區(qū)的平坦 層，以露出位于襯墊電極正上方的保護(hù)層的上表面。形成一漏極接觸窗貫穿 位于有源區(qū)的該保護(hù)層以露出該漏極，其中在完成該彩色濾光片層及平坦層 之后形成該漏極接觸窗。以及，形成一襯墊接觸窗貫穿該保護(hù)層以露出該襯 墊電極，其中在完成該平坦層之后形成該襯墊接觸窗。在本發(fā)明的某一優(yōu)選實(shí)施例中，該影像顯示系統(tǒng)的制造方法包含以下的 步驟提供一具有薄膜晶體管的基板，其中該薄膜晶體管包含一源極、 一柵 極、 一漏極、以及一柵極。接著依序形成一保護(hù)層、 一彩色濾光片層、及一 平坦層于該基板之上，其中一第一接觸窗形成于該漏極之上，并貫穿該彩色 濾光片層。形成一第二接觸窗貫穿該平坦層以露出位于該漏極正上方的保護(hù)
層的上表面。形成一漏極接觸窗貫穿該保護(hù)層，其中在完成該平坦層之后形 成該漏極接觸窗。依據(jù)本發(fā)明的其它優(yōu)選實(shí)施例，該影像顯示系統(tǒng)的制造方法包括，提供 一具有襯墊電極的基板。依序形成一保護(hù)層及一平坦層以覆蓋該襯墊電極。 形成一接觸窗貫穿該平坦層，以露出位于該襯墊電極正上方的保護(hù)層的上表 面。形成一貫穿該保護(hù)層的襯墊接觸窗，其中在完成該平坦層之后形成該襯墊接觸窗。為使本發(fā)明的上述目的、特征能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并 配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖la至le顯示現(xiàn)有的具有COA工藝的電激發(fā)光裝置的制造流程； 圖2顯示本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例所述的電激發(fā)光裝置的俯視示意圖； 圖3a至3h顯示本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例所述的電激發(fā)光裝置的制造流程； 圖4顯示本發(fā)明所述的包含電激發(fā)光裝置的影像顯示系統(tǒng)的配置示意圖。附圖標(biāo)記說明基板 10;有源區(qū) 11;襯墊區(qū) 12;薄膜晶體管 13;金屬襯墊 14;絕 緣層 15;漏極接觸窗 16;襯墊接觸窗 17;漏極 18;彩色濾光片 19;彩 色濾光片層 20;平坦層 21;電激發(fā)光裝置 100;基板 110;有源區(qū) 112; 襯墊區(qū) 114;柵極村墊層 116;數(shù)據(jù)襯墊層 118;薄膜晶體管 120;半導(dǎo)體 層 121;柵極線 122;片冊極 123;柵極絕緣層 125;電連接數(shù)據(jù)線 124;源 才及 127;漏才及 129; 4十墊結(jié)構(gòu) 130;坤于墊電才及 133; <呆護(hù)層 140;彩色濾光 片層 145;第一接觸窗 150;第二接觸窗 151;第三接觸窗 152;光致抗蝕 劑層 160;漏極接觸窗 170;襯墊接觸窗 172;第二接觸窗的尺寸 181;漏 極接觸窗的尺寸 182;第三接觸窗的尺寸 183;襯墊接觸窗尺寸 184;有機(jī) 發(fā)光二極管 180;陰極 185;電激發(fā)光層 186;陽極 187;顯示面板 400; 輸入單元 500;以及，影像顯示系統(tǒng) 600。
具體實(shí)施方式
以下，請配合圖示，顯示符合本發(fā)明所述的包含電激發(fā)光裝置的影像顯
示系統(tǒng)的制造方法。本發(fā)明提供一具有電激發(fā)光裝置的影像顯示系統(tǒng)的制造方法，該方法可 避免在工藝中，彩色濾光片層、平坦層及工藝所使用到的光致抗蝕劑層直接 與金屬導(dǎo)電層(即漏極與襯墊電極)接觸，如此一來可以避免因靜電放電而受 損害，因此工藝成品率可望提升。圖2為一部份俯視示意圖，顯示本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例所述的電激發(fā)光裝 置100，其包含一有源陣列基板。該有源陣列基板包括一定義有一有源區(qū)112 及一襯墊區(qū)114的基板110。 一柵極襯墊層116及一數(shù)據(jù)襯墊層118形成于 襯墊區(qū)114,其中該柵極襯墊層116經(jīng)由一柵極線122與一柵極123電連接， 且該數(shù)據(jù)襯墊層118經(jīng)由一數(shù)據(jù)線124與一源極127電連接。圖3a至3h為一系列對應(yīng)于圖2中A-A，及B-B，切線的像素區(qū)域剖面結(jié) 構(gòu)示意圖，用來說明本發(fā)明所述的電激發(fā)光裝置的 一優(yōu)選實(shí)施例的制造流 程。首先，請參照圖3a，該具有該有源區(qū)112及襯墊區(qū)114的基板110被 提供。其中，一薄膜晶體管(TFT) 120形成于該基板IIO上的有源區(qū)112內(nèi)， 而一襯墊結(jié)構(gòu)130形成于該基板的襯墊區(qū)114內(nèi)。該薄膜晶體管120包含一 半導(dǎo)體層121、 一源極127、 一柵極123、 一漏極129及一柵極絕緣層125; 而該襯墊結(jié)構(gòu)130包含一襯墊電極133。本發(fā)明對于該薄膜晶體管120的選 用上并無限制，可例如為一非晶硅薄膜晶體管(amorphous-silicon thin film transistor)、 j氐溫多晶硅薄月莫晶體管(low temperature poly-silicon thin film transistor)、或是有機(jī)薄膜晶體管(organic thin film transistor)。然而，圖中所 示的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)僅為本發(fā)明的一例，本發(fā)明所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)亦可為其它結(jié)構(gòu)。在此實(shí)施例中，該柵極絕緣層125材質(zhì)可為氮化硅，而該基板 IIO為一透光基板，例如可為玻璃或塑料基板。此外，該薄膜晶體管120的源極127及漏極129與該襯墊電極133可為 相同材質(zhì)且經(jīng)相同的步驟所制造而成。接著，請參照圖3b,順應(yīng)性形成一保護(hù)層140于該基板110，以覆蓋該 薄膜晶體管120及該襯墊結(jié)構(gòu)130。在此，該保護(hù)層140的材質(zhì)可為氮化硅、 氣化硅、硼磷硅玻璃(Boron Phosphate Silicon Glass、 BPSG)、磷硅玻璃 (phosphosilicate glass、 PSG)或是有機(jī)樹脂層。接著，請參照圖3c,形成一圖形化的彩色濾光片層145于該有源區(qū)112 內(nèi)的保護(hù)層140之上，其中該圖形化的彩色濾光片層145由一第一接觸窗146 所分隔(意即在形成該圖形化彩色濾光片層145時，同時形成一該第一接觸 窗146)，其中該第一接觸窗146位于該漏極的正上方區(qū)域。該彩色濾光片層 145可包含紅、藍(lán)、綠三種彩色濾光單元，以使該電激發(fā)光裝置獲致全彩。 由于該保護(hù)層140完全覆蓋該漏極129及襯墊電極133，如此一來可避免在 形成彩色濾光片層、平坦層、或是其它任何工藝中所形成的光致抗蝕劑層與 該金屬導(dǎo)電層(即漏極129及襯墊電極133)直接接觸。接著，請參照圖3d，毯覆性形成一平坦層150于該基板110之上。在 此，該平坦層150的材質(zhì)可為氧化硅、氮化硅、旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(spin-on glass 、 SOG)或是絕緣的有機(jī)材料。值得注意的是，該平坦層150及該金屬導(dǎo)電層(即 漏極129及襯墊電極133)被該保護(hù)層140所分隔。接著，請參照圖3e,圖形化該平坦層150以形成一第二接觸窗151及一 第三接觸窗152貫穿該平坦層150。該第二接觸窗151露出位于該漏極129 正上方的保護(hù)層140的表面；而該第三接觸窗152露出位于該襯墊電極133 正上方的該保護(hù)層140的表面。其中，該第二接觸窗151及該第三接觸窗152 經(jīng)由相同的圖形化步驟所形成。接著，請參照圖3f,形成一光致抗蝕劑層160于該平坦層150之上。特 別的是，該光致抗蝕劑層160形成于位于該第二及第三接觸窗151及152內(nèi) 的平坦層150的側(cè)壁上，請參照圖3f。接著，以該光致抗蝕劑層160作為蝕 刻掩模蝕刻該保護(hù)層140，以在有源區(qū)112形成一漏極接觸窗170及在襯墊 區(qū)114形成一襯墊接觸窗172,其中該第二接觸窗151位于該漏極接觸窗170 之上，而第三接觸窗152位于該襯墊接觸窗172之上。請參照圖3g,接著移 除該光致抗蝕劑層160。該漏極接觸窗170露出漏極129，而該襯墊接觸窗 172露出該襯墊電極133。值得注意的是，該漏極接觸窗170及該襯墊接觸 窗172在形成該彩色濾光片層145及該平坦層150后，以一相同步驟所形成。 此外，該第二接觸窗151的尺寸181大于該漏極接觸窗170的尺寸182，因 此該第二接觸窗151露出位于該漏極接觸窗170內(nèi)的該保護(hù)層140的上表面； 該第三接觸窗152的尺寸183大于該襯墊接觸窗172的尺寸184,因此該第 三接觸窗152露出位于該村墊接觸窗172內(nèi)的該保護(hù)層140的上表面。請參照圖3h, —有機(jī)發(fā)光二極管180形成于該平坦層150之上，其中該 有機(jī)發(fā)光二極管180包含一陰極185、電激發(fā)光層186、及一陽極187。值得
注意的是，該有機(jī)發(fā)光二極管180以該陰極185與該漏極129電連接。至此， 完成本發(fā)明所述的影像顯示系統(tǒng)的制造方法的一優(yōu)選實(shí)施例。在此，該有機(jī) 發(fā)光二極管180發(fā)出白光。自從該彩色濾光片層、平坦層及光致抗蝕劑層在形成的過程中不會經(jīng)由 漏極接觸窗(或襯墊接觸窗)與該漏極(或該襯墊電極)直接接觸，因此發(fā)明所 述的具有電激發(fā)光裝置的影像顯示系統(tǒng)可以有效避免薄膜晶體管的電極受 到靜電放電效應(yīng)(ESD)的損害。請參照圖4，顯示本發(fā)明所述的包含電激發(fā)光裝置的影像顯示系統(tǒng)的配 置示意圖，其中該包含電激發(fā)光裝置的影像顯示系統(tǒng)600包含一顯示面板有源有機(jī)電激發(fā)光裝置100)，而該顯示面板400可例如為有機(jī)電激發(fā)光二極 管面板。仍請參照圖4，該顯示面板400可為一電子裝置的一部份。 一般來 說，該影像顯示系統(tǒng)600包含顯示面板400及一輸入單元500,與該顯示面 板400耦接，其中該輸入單元500傳輸信號至該顯示面板，以使該顯示面板 400顯示影像。該影像顯示系統(tǒng)600可例如為移動電話、數(shù)字相機(jī)、PDA(個 人數(shù)字助理)、筆記型計(jì)算機(jī)、桌上型計(jì)算機(jī)、電視、車用顯示器、或是可 攜式DVD》文映才幾。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動 與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種影像顯示系統(tǒng)的制造方法，其中該影像顯示系統(tǒng)包含一電激發(fā)光裝置，包括以下的步驟提供一具有有源區(qū)及襯墊區(qū)的基板；形成一薄膜晶體管于該基板的有源區(qū)上，及形成一襯墊電極于該基板的該襯墊區(qū)內(nèi)，其中該薄膜晶體管包含一源極、一柵極、一漏極及一柵極絕緣層；形成一保護(hù)層于該有源區(qū)及襯墊區(qū)之上；形成一彩色濾光片層于該保護(hù)層之上并位于有源區(qū)之內(nèi)，其中一第一接觸窗形成于該漏極的正上方，并貫穿該彩色濾光片層，露出該保護(hù)層；形成一平坦層于該基板的有源區(qū)及襯墊區(qū)之上；形成一第二接觸窗貫穿該位于有源區(qū)的平坦層，以露出該位于漏極正上方的保護(hù)層的上表面；形成一第三接觸窗貫穿該位于襯墊區(qū)的平坦層，以露出該位于襯墊電極正上方的保護(hù)層的上表面；形成一漏極接觸窗貫穿位于有源區(qū)的該保護(hù)層以露出該漏極，其中在完成該彩色濾光片層及平坦層之后形成該漏極接觸窗；以及形成一襯墊接觸窗貫穿該保護(hù)層以露出該襯墊電極，其中在完成該平坦層之后形成該襯墊接觸窗。
2. 如權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng)的制造方法，更包含形成一有機(jī)發(fā)光二極管于該有源區(qū)，其中該有機(jī)發(fā)光二極管包含一 陰 極，該陰極經(jīng)由該第二接觸窗及該漏極接觸窗與漏極電連接。
3. 如權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng)的制造方法，其中該第二接觸窗 的尺寸大于該漏極接觸窗的尺寸，且該第二接觸窗露出位于該漏極接觸窗內(nèi) 的該保護(hù)層的上表面。
4. 如權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng)的制造方法，其中該第三接觸窗的 尺寸大于該襯墊接觸窗的尺寸，且該第三接觸窗露出位于該襯墊接觸窗內(nèi)的 該保護(hù)層的上表面。
5. 如權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng)的制造方法，其中該漏極接觸窗 位于該第一接觸窗的下方。
6. 如權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng)的制造方法，其中該襯墊接觸窗 位于該第三接觸窗的下方。
7. 如權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng)的制造方法，其中該第二接觸窗及該第三接觸窗經(jīng)由相同的步驟所形成。
8. 如權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng)的制造方法，其中該漏極接觸窗及 該襯墊接觸窗經(jīng)由相同的步驟所形成。
9. 一種影像顯示系統(tǒng)的制造方法，包括提供一具有薄膜晶體管的基板，其中該薄膜晶體管包含一源極、 一柵極、 一漏才及、以及一^冊才及；依序形成一保護(hù)層、 一彩色濾光片層、及一平坦層于該基板之上，其中 一第一接觸窗形成于該漏極之上，并貫穿該彩色濾光片層；形成一第二接觸窗貫穿該平坦層以露出位于該漏極正上方的保護(hù)層的上表面；形成一漏極接觸窗貫穿該保護(hù)層，其中在完成該彩色濾光片層及平坦層 之后形成該漏極接觸窗。
10. —種影像顯示系統(tǒng)的制造方法，包括 提供一 具有襯墊電極的基板；依序形成一保護(hù)層及一平坦層以覆蓋該襯墊電極； 形成一接觸窗貫穿該平坦層，以露出位于該襯墊電極正上方的保護(hù)層的 上表面；以及形成一貫穿該保護(hù)層的襯墊接觸窗，其中在完成該平坦層之后形成該襯墊接觸窗。
全文摘要
本發(fā)明提供一種影像顯示系統(tǒng)的制造方法，該影像顯示系統(tǒng)包含電激發(fā)光裝置，包括以下步驟。提供具有有源區(qū)及襯墊區(qū)的基板。分別形成薄膜晶體管和襯墊電極于有源區(qū)上和襯墊區(qū)內(nèi)。形成保護(hù)層于有源區(qū)及襯墊區(qū)上。形成彩色濾光片層于保護(hù)層上并位于有源區(qū)內(nèi)，貫穿彩色濾光片層的第一接觸窗形成于薄膜晶體管的漏極的正上方以露出保護(hù)層。形成平坦層于基板的有源區(qū)及襯墊區(qū)上。分別形成第二和第三接觸窗貫穿位于有源區(qū)和襯墊區(qū)的平坦層，以分別露出位于漏極和襯墊電極正上方的保護(hù)層的上表面。分別形成漏極和襯墊接觸窗貫穿位于有源區(qū)和襯墊區(qū)的保護(hù)層以分別露出漏極和襯墊電極，形成漏極和襯墊接觸窗的步驟在完成彩色濾光片層及平坦層后。
文檔編號H01L21/768GK101118875SQ200710143468
公開日2008年2月6日 申請日期2007年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月3日
發(fā)明者劉俊彥, 張世昌, 曾章和, 石一汎, 許國斌 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司