專利名稱：凸塊結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種彈性凸塊(compliant-bump)，且特別涉及一種通過增加凸 塊的底部面積以增加其結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的彈性凸塊。
背景技術(shù)：
在顯示器產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展下，平板顯示器(flat-panel display)技術(shù)快速地 朝向更高品質(zhì)特性演進(jìn)。 一方面顯示器的影像分辨率不斷地提高， 一方面產(chǎn) 品的模塊尺寸也不斷地朝更輕薄短小的方向邁進(jìn)。配合的封裝技術(shù)也由管芯 -電路板接合技術(shù)(Chip On Board, COB )轉(zhuǎn)變?yōu)檐浧詣淤N合技術(shù)(Tape Automated Bonding, TAB),再演進(jìn)為現(xiàn)今的微間距(fine pitch )的管芯-玻璃 接合技術(shù)(Chip On Glass, COG)。目前常見的管芯-玻璃接合技術(shù)通常以各向異性導(dǎo)電膜(An-isotropic Conductive Film, ACF )作為芯片與玻璃基板之間電性連接的媒介。而各向異 性導(dǎo)電膜主要是利用其所含的導(dǎo)電顆粒與芯片的金凸塊及玻璃基板的金屬 墊片接觸而達(dá)到電路導(dǎo)通的功能。然而，當(dāng)兩鄰接接腳間距(pitch)縮小到20 微米以下時，兩相鄰接腳之間易產(chǎn)生漏電或短路的現(xiàn)象。因此，便有人提出 利用非導(dǎo)電膜作為芯片與玻璃基板間接合的媒介，以解決因ACF中導(dǎo)電顆 粒所造成的漏電或短路的問題。當(dāng)兩鄰接接腳間距縮小的同時，必須縮小彈性凸塊的面積；然而，當(dāng)彈 性凸塊的面積縮小時，會降低凸塊與基板之間的接著力，導(dǎo)致彈性凸塊發(fā)生 斷裂或剝離的情形，進(jìn)而降低其產(chǎn)品的成品率。美國專利第5,877,556號中披露一種凸塊結(jié)構(gòu)，其是在基板上形成長條 狀的高分子凸塊，之后，再在高分子凸塊上形成多個條狀的導(dǎo)電層，各導(dǎo)電 層電性連接至相對應(yīng)的接墊。然而，由于整個長條狀的高分子凸塊其頂部面 積太大，在進(jìn)行倒裝焊接合時需施加較大的壓力才能使凸塊導(dǎo)通。且膠材固 化后的反彈力也比較大，易使芯片與玻璃基板之間的凸塊裂開。此外，在進(jìn) 行倒裝焊接合時，膠材會凈線限于四條高分子凸塊內(nèi)，形成很大的內(nèi)壓力，故需要施加相當(dāng)大的壓合力量(bonding force)才能使接點(diǎn)接觸導(dǎo)通，且亦有不 易排膠的問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種凸塊結(jié)構(gòu)，此凸塊結(jié)構(gòu)是在高分子凸塊的外圍額外設(shè)置 輔助高分子凸塊，以增加彈性凸塊底部的面積，進(jìn)而提升彈性凸塊與基板間 的接著力。如此，當(dāng)彈性凸塊的面積縮小時，即可避免彈性凸塊發(fā)生斷裂或 剝離的情形，以提升其成品率。本發(fā)明提供一種凸塊結(jié)構(gòu)，適用于具有保護(hù)層的芯片。其主要是在基板 上形成高分子保護(hù)層(protection layer)時，同時在每個接墊上形成相對應(yīng)的高 分子凸塊。如此，高分子保護(hù)層不僅具有保護(hù)元件的功能，且亦可加強(qiáng)高分 子凸塊的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，使其不易斷裂或由基板上剝離。本發(fā)明提出一種凸塊結(jié)構(gòu)，包括至少一接墊、至少一第一高分子凸塊、 至少一第二高分子凸塊以及導(dǎo)電層。接墊配置于基板上。第一高分子凸塊配 置于基板上。第二高分子凸塊配置于基板上，且連接于第一高分子凸塊。導(dǎo) 電層覆蓋第一高分子凸塊，并與接墊電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一高分子凸塊位于接墊之外、部分位于接墊 上或完全位于接墊上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二高分子凸塊連接于第一高分子凸塊的任一 側(cè)或兩側(cè)以上或其外圍。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二高分子凸塊連接相鄰兩個或兩個以上的第 一高分子凸塊。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二高分子凸塊的高度是小于或等于第一高分 子凸塊的高度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二高分子凸塊與第一高分子凸塊間的銜接處 具有溝槽或多個孔洞。在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，導(dǎo)電層是全部覆蓋第 一 高分子凸塊或局部覆蓋 第一高分子凸塊。在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，導(dǎo)電層是全部覆蓋第二高分子凸塊或局部覆蓋 或不覆蓋第二高分子凸塊。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，此凸塊結(jié)構(gòu)還包括保護(hù)層，配置于基板上，以暴露出上述接墊。本發(fā)明另提出一種凸塊結(jié)構(gòu)，包括至少一接墊、至少一第一高分子凸塊、 高分子保護(hù)層以及導(dǎo)電層。接墊配置于基板的表面上。此第一高分子凸塊配 置于基板的表面上。高分子保護(hù)層覆蓋于基板的表面上，且連接于第一高分 子凸塊，其中第一高分子凸塊與高分子保護(hù)層是由同一膜層所組成。導(dǎo)電層 覆蓋第一高分子凸塊，并與接墊電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一高分子凸塊位于該接墊之外、部分位于該 接墊上或完全位于該接墊上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)電層覆蓋第一高分子凸塊且延伸至部分高分 子保護(hù)層上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一高分子凸塊配置于高分子保護(hù)層之上，導(dǎo) 電層覆蓋部分的高分子保護(hù)層及第一高分子凸塊，且與接墊電性連接。在本發(fā)明的 一實(shí)施例中，高分子保護(hù)層與第 一 高分子凸塊間的銜接處具 有溝槽或多個孔洞。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，此凸塊結(jié)構(gòu)還包括第二高分子凸塊，配置于高 分子保護(hù)層上，且連接于第一高分子凸塊。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二高分子凸塊連接于第一高分子凸塊的任一 側(cè)或兩側(cè)以上或其外圍。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二高分子凸塊連接相鄰兩個或兩個以上的第 一高分子凸塊。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二高分子凸塊的高度是小于或等于第一高分 子凸塊的高度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二高分子凸塊與第一高分子凸塊間的銜接處 具有溝槽或多個孔洞。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，此凸塊結(jié)構(gòu)還包括保護(hù)層，配置于基板上，以 暴露出上述接墊。在本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)中，其主要是利用連接于第一高分子凸塊的外圍的 第二高分子凸塊作為輔助凸塊，以增加彈性凸塊底部的面積，進(jìn)而增加彈性凸塊與基板之間的接著力。如此，當(dāng)彈性凸塊的面積縮小時，即可避免彈性 凸塊發(fā)生斷裂或剝離的情形，以提升其成品率。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1繪示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種凸塊結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2A 2F分別為沿圖i中的i-i、 n-n、 m-ni、 iv-iv、 v-v、 vi-vi剖面線所繪的剖面示意圖。圖2G繪示為在圖2A中所示的第一高分子凸塊與第二高分子凸塊之間 形成凹槽的剖面示意圖。圖2H繪示為在圖2A中所示的第一高分子凸塊與第二高分子凸塊之間 形成導(dǎo)角的剖面示意圖。圖3繪示為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種凸塊結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖4A 4F分別為沿圖3中的i-i、 ii-ii、 iii-iii、 iv-iv、 v-v、 vi-vi剖 面線所繪的剖面示意圖。圖5繪示為根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種凸塊結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖6A 6D分別為沿圖5中的i-i、 n-n、 m-in、 iv-iv剖面線所繪的剖面示意圖。圖7繪示為根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種凸塊結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖8A 8D分別為沿圖7中的i-i、 n-n、 m-ni、 iv-iv剖面線所繪的剖面示意圖。圖9繪示為根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的一種凸塊結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖10A iOD分別為沿圖9中的i國i、 n-n、 ni國ni、 iv-iv剖面線所繪的剖面示意圖。圖11繪示為根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的一種凸塊結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖12A 12D分別為沿圖11中的I-I、 n-n、 m-ni、 IV-IV剖面線所繪的剖面示意圖。 附圖標(biāo)記說明100:基板 102:保護(hù)層 110:接墊120、 220、 320、 420、 520、 620:第一高分子凸塊130a、 130b、 130c、 230a、 230b、 230c、 330a、 330b、 630a、 630b:第二高分子凸塊140:導(dǎo)電層 142:測試墊 150:高分子保護(hù)層 R:凹槽具體實(shí)施方式
一般而言，芯片可區(qū)分為具有保護(hù)層的芯片以及沒有形成保護(hù)層的芯 片。而以下先說明本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)應(yīng)用于沒有保護(hù)層的芯片的情形。圖1繪示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種凸塊結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖 2A 2F分別為沿圖1中的I-I、 II-II、 III-III、 IV-IV、 V-V、 VI-VI剖面線所 繪的剖面示意圖；圖2G繪示為在圖2A中所示的第一高分子凸塊與第二高 分子凸塊之間形成凹槽的剖面示意圖。首先，請同時參考圖1、圖2A及2B， 此凸塊結(jié)構(gòu)主要包括多個接墊110、多個第一高分子凸塊120、多個第二高 分子凸塊130a及多個導(dǎo)電層140。而為簡化說明，以下將以其中接墊IIO、 對應(yīng)于此接墊110的第一高分子凸塊120及第二高分子凸塊130a，以及覆蓋 于此接墊IIO及高分子凸塊上的導(dǎo)電層140為例以作說明。接墊110配置于基板100上。位于基板IOO左右兩側(cè)的這些接墊110是 沿Y方向排列，而位于基板IOO上下兩側(cè)的這些接墊IIO是沿X方向排列。 基板IOO例如是硅基板、玻璃基板、印刷電路板、可撓式線路板或陶資基板， 且基板100中例如是已形成有許多電子元件或集成電路。接墊110的材質(zhì)例 如是金屬。此外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，基板100可選擇性地形成保護(hù)層102, 其暴露出接墊IIO，以保護(hù)基板IOO免于受損。而保護(hù)層102的材質(zhì)例如是 氮化硅或其他適合的介電材質(zhì)。在第一實(shí)施例中，第一高分子凸塊120配置于基板IOO上，且位于接墊 IIO之外。此外，第一高分子凸塊120的材質(zhì)例如是聚亞酰胺(PI)、環(huán)氧樹 脂(epoxy)或壓克力(acrylic)材料。第二高分子凸塊130a同樣配置于基 板100上，且連接于第一高分子凸塊120的周圍。本發(fā)明主要是通過連接于 第一高分子凸塊120 —側(cè)的第二高分子凸塊130a,以增加第一高分子凸塊 120底部的面積，如此，即可提升高分子凸塊與基板100間的接著力，以防 止高分子凸塊發(fā)生斷裂或剝離的問題，進(jìn)而提高接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的成品率。上述的 第一高分子凸塊120及連接于其一側(cè)的第二高分子凸塊130a可由相同的膜 層所組成。由圖1及圖2A可知，第二高分子凸塊130a是連接于第一高分子凸塊 120的一側(cè)，且沿著圖1中所示的Y方向朝基板100的內(nèi)部延伸。其目的是 欲通過第二高分子凸塊130a的設(shè)置而增加第一高分子凸塊120的底部面積，以增加高分子凸塊與基板100間的接著力，進(jìn)而避免彈性凸塊發(fā)生斷裂或剝離的情形。此外，第二高分子凸塊130a的高度可小于第一高分子凸塊120 的高度，以利于排膠；然而，第二高分子凸塊130a的高度亦可等于第一高 分子凸塊120的高度。
請繼續(xù)參考圖1及圖2A，導(dǎo)電層140覆蓋住第一高分子凸塊120,且與 接墊110電性連接。此導(dǎo)電層140會延伸至第一高分子凸塊120的外圍，且 延伸至第一高分子凸塊120外圍的導(dǎo)電層140即可作為測試墊142來使用。 導(dǎo)電層140可以往第一高分子凸塊120外圍的任一處延伸，其可端視實(shí)際元 件設(shè)計(jì)而定。在此實(shí)施例中，導(dǎo)電層140是完全覆蓋住第一高分子凸塊120 及部分的第二高分子凸塊130a。而第一高分子凸塊120以及位于其上方的導(dǎo) 電層140便構(gòu)成彈性凸塊。此外，導(dǎo)電層140的材質(zhì)例如是金屬。再者，在 第一實(shí)施例中，用以進(jìn)行電性測試的測試墊142位于接墊110的上方。
請參考圖2C及圖2D,圖2C及圖2D中所示的凸塊結(jié)構(gòu)大致上與圖2A 及圖2B中所示的凸塊結(jié)構(gòu)雷同，而二者不同的處主要在于在圖2C及圖 2D的凸塊結(jié)構(gòu)中，其第二高分子凸塊130a是連接于兩相鄰的第一高分子凸 塊120之間，由此第二高分子凸塊130b將相鄰的第一高分子凸塊120連接 在一起，以增加彈性凸塊的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。在此實(shí)施例中，是在兩相鄰的第一高 分子凸塊120之間設(shè)置第二高分子凸塊130b，然而，亦可在所有的第一高分 子凸塊120之間皆設(shè)置第二高分子凸塊130b(即形成一整條長條型的高分子 凸塊)，以進(jìn)一步地增加彈性凸塊的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
接下來，請參考圖2E及圖2F，圖2E及圖2F中所示的凸塊結(jié)構(gòu)大致上 與圖2A及圖2B中所示的凸塊結(jié)構(gòu)雷同，而二者不同的處主要在于在圖 2E及圖2F所示的凸塊結(jié)構(gòu)中，其第二高分子凸塊130c不僅是連接于兩相 鄰的第一高分子凸塊120之間，且亦沿著圖1中所示的負(fù)X方向朝基板IOO 的內(nèi)部延伸。其連接于第一高分子凸塊120 —側(cè)的第二高分子凸塊130c不 僅是朝基板100內(nèi)部延伸，且亦連接于兩相鄰的第一高分子凸塊120之間， 以更進(jìn)一步地增加第一高分子凸塊120的底部面積，進(jìn)而提升高分子凸塊與 基板100間的接著力。
此外，為防止圖2A中所示的形成于第一高分子凸塊120與第二高分子 凸塊130a上的導(dǎo)電層140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生破裂的問題，請參考圖2G所示， 可在第一高分子凸塊120與第二高分子凸塊130a間的銜*接處選擇性地形成凹槽R或多個不連續(xù)的孔洞(圖中未示)，以避免導(dǎo)電層140產(chǎn)生破裂的情形。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)電層140可以完全覆蓋、部分覆蓋或不覆蓋凹槽 R(或孔洞)均可。上述的凹槽或孔洞的設(shè)計(jì)可適用于任何第一高分子凸塊與 第二高分子凸塊銜接的處，以使覆蓋于第一高分子凸塊及第二高分子凸塊上的導(dǎo)電層不致破裂，且能維持其導(dǎo)電功能。請參考圖2H所示，除了上述之凹槽R或多個不連續(xù)的孔洞以外，亦可 在第一高分子凸塊120與第二高分子凸塊130a間的辨f接處形成導(dǎo)角160，以 避免導(dǎo)電層140產(chǎn)生破裂的情形。圖3繪示為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種凸塊結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖 4A 4F分別為沿圖3中的I-I、 II畫II、 ni-III、 IV-IV、 V隱V、 VI匿VI剖面線所 繪的剖面示意圖。首先，請同時參考圖3、圖4A及圖4B，此凸塊結(jié)構(gòu)大致 上與圖1、圖2A及2B中所示的凸塊結(jié)構(gòu)雷同，因此，對于其結(jié)構(gòu)部分不再 多作贅述。而二者不同的處在于在第二實(shí)施例中，其第一高分子凸塊220 是完全位于接墊110上，而測試墊142則位于第一高分子凸塊220以外的接 墊IIO上。同樣地，在圖4A及圖4B所示的凸塊結(jié)構(gòu)中，其第二高分子凸塊230a 則是連接于第一高分子凸塊220的一側(cè)，且沿著圖3中所示的Y方向朝基板 100的內(nèi)部延伸，藉以增加第一高分子凸塊220底部的面積。而在圖4C及 圖4D所示的凸塊結(jié)構(gòu)中，其第二高分子凸塊230a是連接于兩相鄰的第一高 分子凸塊120之間。此外，在圖4E及圖4F所示的凸塊結(jié)構(gòu)中，其第二高分 子凸塊230c不僅是連接于兩相鄰的第一高分子凸塊220之間，且亦沿著圖3 中所示的負(fù)X方向朝基板100的內(nèi)部延伸。上述的連接于第一高分子凸塊 220的第二高分子凸塊230a、 230b及230c雖然是沿著不同方向(X方向或Y 方向)延伸，然而，其目的同樣是欲通過第二高分子凸塊的設(shè)置，以增加第 一高分子凸塊120的底部面積，進(jìn)而提升高分子凸塊與基板100間的接著力， 以增加彈性凸塊的成品率。圖5繪示為根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種凸塊結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖 6A 6D分別為沿圖5中的I-I、 II-II、 III-III、 IV-IV剖面線所繪的剖面示意圖。 首先，請同時參考圖5、圖6A及圖6B，此凸塊結(jié)構(gòu)大致上與圖3、圖4C 及4D中所示的凸塊結(jié)構(gòu)雷同，因此，對于其結(jié)構(gòu)部分不再多作贅述。而二 者不同的處在于在第三實(shí)施例中，其第一高分子凸塊320是完全位于接墊110上，而導(dǎo)電層140是覆蓋整個第一高分子凸塊320及第二高分子凸塊 330a,且位于第二高分子凸塊330a上的導(dǎo)電層140即可作為一測試墊142， 以進(jìn)行電性測試。而在圖6C及圖6D所示的凸塊結(jié)構(gòu)中，其第二高分子凸 塊330b不僅是連接于兩相鄰的第一高分子凸塊320之間，且亦沿著圖5中 所示的Y方向延伸。接下來將詳細(xì)說明本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)應(yīng)用于具有保護(hù)層的芯片的情形。圖7繪示為根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種凸塊結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖 8A 8D分別為沿圖7中的I匿I、 II-II、 III-III、 IV畫IV剖面線所繪的剖面示意圖。 首先，請同時參考圖7、圖8A及8B,此凸塊結(jié)構(gòu)主要包括多個接墊110、 多個第一高分子凸塊420、高分子保護(hù)層150及多個導(dǎo)電層140。接墊110配置于基板100上。高分子保護(hù)層150配置于基板100的表面 上，以保護(hù)其表面上所形成的元件免于受損。在此實(shí)施例中，是在形成高分 子保護(hù)層150時，同時在每個接墊110上形成相對應(yīng)的第一高分子凸塊420。 這些第一高分子凸塊420與高分子保護(hù)層150是由相同的材料所組成，只是 第一高分子凸塊420比高分子保護(hù)層150具有較高的高度而已。如此，高分 子保護(hù)層150不僅具有保護(hù)元件的功能，且亦可加強(qiáng)第一高分子凸塊420的 結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，使其不易斷裂或由基板100上剝離。導(dǎo)電層140同樣是覆蓋住第一高分子凸塊420，且與接墊110電性連接。 此導(dǎo)電層140會延伸至第一高分子凸塊420的外圍，且延伸至第一高分子凸 塊420外圍的導(dǎo)電層140即可作為一測試墊142來使用。在此實(shí)施例中，接 墊110具有較長的長度，如此，第一高分子凸塊420僅位于部分的接墊110 上，而位于4妾墊110上其它部分的導(dǎo)電層140即可作為測試墊142,以進(jìn)4亍 電性測試。圖8C及圖8D所示的凸塊結(jié)構(gòu)大致上與圖8A及圖8B所示的凸塊結(jié)構(gòu) 雷同。不過，其接墊110的長度較短，而第一高分子凸塊420會位于部分的 接墊110上，且導(dǎo)電層140會延伸至部分高分子保護(hù)層150上，以作為測試 墊142來使用。同樣地，在高分子保護(hù)層150與第一高分子凸塊120的游f接處及/或第一 高分子凸塊120與第二高分子凸塊130a的銜接處可選擇性地形成凹槽或多 個不連續(xù)的孔洞，以避免導(dǎo)電層140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生破裂的情形。此外， 導(dǎo)電層140可以完全覆蓋、部分覆蓋或不覆蓋凹槽(或孔洞)均可。圖9繪示為根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的一種凸塊結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖10A ioD分別為沿圖9中的i-i、 n-n、 ni隱m、 iv-iv剖面線所繪的剖面示意圖。請同時參考圖9、圖IOA及圖10B,此凸塊結(jié)構(gòu)大致上與圖7、圖8A 及8B中所示的凸塊結(jié)構(gòu)雷同，因此，對于其結(jié)構(gòu)部分不再多作贅述。而二 者不同的處在于在第五實(shí)施例中，其中部分的第一高分子凸塊520位于接 墊110上，而其余部分的第一高分子凸塊520則位于高分子保護(hù)層150上。 而位于接墊IIO上的導(dǎo)電層140即可作為測試墊142來使用。圖IOC及圖IOD所示的凸塊結(jié)構(gòu)大致上與圖IOA及圖IOB所示的凸塊 結(jié)構(gòu)雷同。不過，其接墊110的長度較短，因此，導(dǎo)電層140會延伸至部分 高分子保護(hù)層150上，以作為測試墊142來使用。圖11繪示為根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的一種凸塊結(jié)構(gòu)的俯視示意圖； 圖12A 12D分別為沿圖11中的I-I、 II-II、 III-III、 IV-IV剖面線所繪的剖面 示意圖。請同時參考圖11、圖12A及圖12B，此凸塊結(jié)構(gòu)大致上與圖9、圖 IOA及10B中所示的凸塊結(jié)構(gòu)雷同，因此，對于其結(jié)構(gòu)部分不再多作贅述。 而二者不同的處在于在第六實(shí)施例中，第一高分子凸塊620位于接墊110 之外，且位于高分子保護(hù)層150上。而導(dǎo)電層140覆蓋于第一高分子凸塊620 及部分的高分子保護(hù)層150上，且與接墊110電性連接，而位于接墊110上 的導(dǎo)電層140即可作為測試墊142來使用。此外，在圖12A及圖12B的凸塊結(jié)構(gòu)中，其還包括第二高分子凸塊630a， 此第二高分子凸塊630a是連接于相鄰的兩個第一高分子凸塊620之間，以 加強(qiáng)彈性凸塊的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。而在圖12C及圖12D所示的凸塊結(jié)構(gòu)中，各第 一高分子凸塊620是彼此分離，且第二高分子凸塊630b是連接于第一高分 子凸塊620的一側(cè)，且沿著圖11中的Y方向延伸，以避免因凸塊的高度較 高而易發(fā)生損毀的情形。綜上所述，本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)是在第一高分子凸塊的外圍額外設(shè)置第二 高分子凸塊，此第二高分子凸塊可連接于兩相鄰的第一高分子凸塊之間，或 僅連接于第一高分子凸塊的一側(cè)，以通過第二高分子凸塊的設(shè)置而增加彈性 凸塊底部的面積，進(jìn)而提升彈性凸塊與基板間的接著力。如此，當(dāng)彈性凸塊 的面積縮小時，即可避免彈性凸塊發(fā)生斷裂或剝離的情形，以提升其成品率。此外，本發(fā)明另提出一種凸塊結(jié)構(gòu)，適用于具有保護(hù)層的芯片。其主要 是在基板上形成高分子保護(hù)層時，同時在每個接墊上形成相對應(yīng)的高分子凸塊。如此，高分子保護(hù)層不僅具有保護(hù)元件的功能，且亦可加強(qiáng)高分子凸塊 的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，使其不易斷裂或由基板上剝離。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng) 域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因 此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種凸塊結(jié)構(gòu)，包括至少一接墊，配置于基板上；至少一第一高分子凸塊，配置于該基板上；至少一第二高分子凸塊，配置于該基板上，且連接于該第一高分子凸塊；以及導(dǎo)電層，覆蓋該第一高分子凸塊，并與該接墊電性連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該第一高分子凸塊位于該接墊之 外、部分位于該接墊上或完全位于該接墊上。
3. 如權(quán)利要求1所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該第二高分子凸塊連接于該第一 高分子凸塊的任一側(cè)或兩側(cè)以上或其外圍。
4. 如權(quán)利要求1所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該第二高分子凸塊連接相鄰兩個 或兩個以上的第一高分子凸塊。
5. 如權(quán)利要求1所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該第二高分子凸塊的高度是小于 或等于該第一高分子凸塊的高度。
6. 如權(quán)利要求1所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該第二高分子凸塊與該第一高分 子凸塊間的移f接處具有溝槽或多個孔洞。
7. 如權(quán)利要求1所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層是全部或局部覆蓋該第 一高分子凸塊。
8. 如權(quán)利要求1所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層是全部或局部覆蓋該第 二高分子凸塊。
9. 如權(quán)利要求1所述的凸塊結(jié)構(gòu)，還包括保護(hù)層，配置于該基板上，并 暴露出該4妄墊。
10. —種凸塊結(jié)構(gòu)，包括 至少一接墊，配置于基板的表面上； 至少一第一高分子凸塊，配置于該基板的該表面上； 高分子保護(hù)層，覆蓋于該基板的該表面上，且連接于該第一高分子凸塊，其中該第一高分子凸塊與該高分子保護(hù)層是由同一膜層所組成；以及 導(dǎo)電層，覆蓋該第一高分子凸塊，并與該接墊電性連接。
11. 如權(quán)利要求IO所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該第一高分子凸塊位于該接墊之外、部分位于該接墊上或完全位于該接墊上。
12. 如權(quán)利要求IO所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層覆蓋該第一高分子凸 塊且延伸至部分該高分子保護(hù)層上。
13. 如權(quán)利要求IO所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該第一高分子凸塊配置于該高 分子保護(hù)層之上，該導(dǎo)電層覆蓋部分該高分子保護(hù)層及該第一高分子凸塊， 且與該接墊電性連接。
14. 如權(quán)利要求IO所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該高分子保護(hù)層與該第一高分 子凸塊間的銜接處具有溝槽或多個孔洞。
15. 如權(quán)利要求IO所述的凸塊結(jié)構(gòu)，還包括第二高分子凸塊，配置于該 高分子保護(hù)層上，且連接于該第一高分子凸塊。
16. 如權(quán)利要求15所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該第二高分子凸塊連接于該第 一高分子凸塊的任一側(cè)或兩側(cè)以上或其外圍。
17. 如權(quán)利要求15所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該第二高分子凸塊連接相鄰兩 個或兩個以上的第一高分子凸塊。
18. 如權(quán)利要求15所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該第二高分子凸塊的高度是小 于或等于該第一高分子凸塊的高度。
19. 如權(quán)利要求15所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中該第二高分子凸塊與該第一高 分子凸塊間的銜接處具有溝槽或多個孔洞。
20. 如權(quán)利要求10所述的凸塊結(jié)構(gòu)，還包括保護(hù)層，配置于該基板上， 并暴露出該接墊。
全文摘要
本發(fā)明公開一種凸塊結(jié)構(gòu)，包括至少一接墊、至少一第一高分子凸塊、至少一第二高分子凸塊以及導(dǎo)電層。接墊配置于基板上。第一高分子凸塊配置于基板上。第二高分子凸塊配置于基板上，且連接于第一高分子凸塊。導(dǎo)電層覆蓋第一高分子凸塊，并與接墊電性連接。
文檔編號H01L23/48GK101335248SQ20071012634
公開日2008年12月31日 申請日期2007年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月29日
發(fā)明者張世明, 毅 曾, 高國書 申請人:臺灣薄膜電晶體液晶顯示器產(chǎn)業(yè)協(xié)會;中華映管股份有限公司;友達(dá)光電股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美電子股份有限公司;財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院;統(tǒng)寶光電股份有限公司