專利名稱：半導(dǎo)體器件和形成用于無鉛凸塊連接的雙ubm結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及半導(dǎo)體器件和形成用于無鉛凸塊連接的雙凸塊下金屬化(UBM)結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中通常會發(fā)現(xiàn)有半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件在電部件的數(shù)量和密度上有變化。分立的半導(dǎo)體器件一般包括一種電部件，例如發(fā)光二極管(LED)、小信號晶體管、 電阻器、電容器、電感器、以及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M0SFET)。集成半導(dǎo)體器件通常包括數(shù)百到數(shù)百萬的電部件。集成半導(dǎo)體器件的實例包括微控制器、微處理器、電荷耦合器件(CXD )、太陽能電池、以及數(shù)字微鏡器件(DMD )。半導(dǎo)體器件執(zhí)行多種功能，例如信號處理、高速計算、發(fā)射和接收電磁信號、控制電子器件、將日光轉(zhuǎn)換成電、以及為電視顯示器生成可視投影。在娛樂、通信、功率轉(zhuǎn)換、網(wǎng)絡(luò)、計算機(jī)、以及消費品領(lǐng)域中有半導(dǎo)體器件的存在。在軍事應(yīng)用、航空、汽車、工業(yè)控制器、 以及辦公設(shè)備中也有半導(dǎo)體器件的存在。半導(dǎo)體器件利用半導(dǎo)體材料的電特性。半導(dǎo)體材料的原子結(jié)構(gòu)允許通過施加電場或基極電流(base current)或者通過摻雜工藝來操縱(manipulated)它的導(dǎo)電性。摻雜把雜質(zhì)引入半導(dǎo)體材料中以操縱和控制半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電性。半導(dǎo)體器件包括有源和無源電結(jié)構(gòu)。有源結(jié)構(gòu)(包括雙極和場效應(yīng)晶體管)控制電流的流動。通過改變摻雜水平并且施加電場或基極電流，晶體管促進(jìn)或限制電流的流動。 無源結(jié)構(gòu)(包括電阻器、電容器、和電感器)產(chǎn)生執(zhí)行多種電功能所必需的電壓和電流之間的關(guān)系。無源和有源結(jié)構(gòu)被電連接以形成電路，所述電路能夠使半導(dǎo)體器件執(zhí)行高速計算和其它有用的功能。通常利用兩個復(fù)雜的制造工藝來制造半導(dǎo)體器件，即前端制造和后端制造，每個可能包括數(shù)百個步驟。前端制造包括在半導(dǎo)體晶片的表面上形成多個管芯。每個管芯通常相同并且包括通過電連接有源和無源部件形成的電路。后端制造包括從已完成的晶片單體化(singulating)單個管芯并且封裝管芯以提供結(jié)構(gòu)支撐和環(huán)境隔離。半導(dǎo)體制造的一個目標(biāo)是制造更小的半導(dǎo)體器件。更小的半導(dǎo)體器件通常消耗更少功率、具有更高的性能、并且能夠被更有效地制造。另外，更小的半導(dǎo)體器件具有更小的占用空間(footprint)，其對于更小的最終產(chǎn)品而言是期望的。通過改善導(dǎo)致產(chǎn)生具有更小、更高密度的有源和無源部件的管芯的前端工藝可以實現(xiàn)更小的管芯尺寸。通過改善電互連和封裝材料，后端工藝可以產(chǎn)生具有更小占用空間的半導(dǎo)體器件封裝。互連半導(dǎo)體管芯和印刷電路板或其它器件的一種常用技術(shù)涉及使用焊料凸塊。圖
41示出常規(guī)UBM上聚酰亞胺(POU)焊料凸塊結(jié)構(gòu)10。導(dǎo)電層14形成在半導(dǎo)體晶片12的有源表面上，并且充當(dāng)接觸焊盤。針對初始質(zhì)量控制(IQC)來檢查晶片12。絕緣或鈍化層16 形成在半導(dǎo)體晶片12和導(dǎo)電層14上。絕緣層16的一部分通過刻蝕工藝被除去以暴露導(dǎo)電層14的一部分。部分形成的POU結(jié)構(gòu)10經(jīng)歷第一次洗滌器清洗。導(dǎo)電層或濺射的UBM 18形成在絕緣層16和導(dǎo)電層14上。鎳(Ni) UBM或?qū)щ妼?0形成在導(dǎo)電層18上并且被共形地施加到導(dǎo)電層18以充當(dāng)用于稍后形成的凸塊的凸塊焊盤。部分形成的POU結(jié)構(gòu)10 經(jīng)歷第二次洗滌器清洗。聚酰亞胺層充當(dāng)絕緣或鈍化層22，其形成在導(dǎo)電層18和Ni UBM 20上。聚酰亞胺在干膜抗蝕劑(DFR)層壓之前被涂覆、對準(zhǔn)、顯影、固化、清除浮渣、酸洗、以及烘烤。絕緣層22中的開口形成在Ni UBM 20上。DFR被層壓在絕緣層22上并且然后經(jīng)歷邊緣漂洗、對準(zhǔn)、聚乙烯對苯二酸酯(polyethylene terepthalate,PET)去除、顯影、第一次清除浮渣、硬烘(hard bake)、以及第二次清除浮渣。焊料材料被電鍍在Ni UBM 20上以及在DFR層中的開口內(nèi)。剝?nèi)FR，施加等離子體灰，刻蝕Ni UBM 20，并且部分完成的POU 結(jié)構(gòu)10經(jīng)歷第三次洗滌器清洗。焊劑涂層被施加到電鍍的焊料材料，并且焊料材料被回流以形成球形球或凸塊對，球形球或凸塊M形成在Ni UBM 20上并且電連接到Ni UBM 20。 該器件經(jīng)歷焊劑清洗、凸塊測量、以及最后目視檢查(FVI)，產(chǎn)生POU結(jié)構(gòu)10。常規(guī)POU結(jié)構(gòu)，例如POU結(jié)構(gòu)10，包括這樣的風(fēng)險錫(Sn)從凸塊M沿Ni UBM的側(cè)壁行進(jìn)與UBM銅 (Cu)起反應(yīng)而形成金屬間化合物(IMC)。圖2示出常規(guī)聚酰亞胺和無鉛凸塊結(jié)構(gòu)觀。導(dǎo)電層32形成在半導(dǎo)體晶片30的有源表面上并且充當(dāng)接觸焊盤。針對IQC來檢查晶片30。絕緣或鈍化層34形成在半導(dǎo)體晶片30上并且接觸導(dǎo)電層32的側(cè)壁。部分形成的凸塊結(jié)構(gòu)觀經(jīng)歷洗滌器清洗并且被烘烤。聚酰亞胺層充當(dāng)絕緣或鈍化層36，并且形成在導(dǎo)電層32和絕緣層34上。聚酰亞胺被涂覆、對準(zhǔn)、顯影、固化、清除浮渣以及酸洗，使得導(dǎo)電層32的一部分被暴露。導(dǎo)電層38形成在導(dǎo)電層32的一部分和絕緣層36的一部分上并且被共形地施加到那里。在一個實施例中，導(dǎo)電層38被濺射以充當(dāng)用于稍后形成的凸塊的UBM并且包括一層或多層的鈦(Ti)、Cu 和Ni。然后器件經(jīng)歷洗滌器清洗，并且DFR層被層壓在絕緣層36和導(dǎo)電層38上。DFR層經(jīng)歷邊緣束漂洗、對準(zhǔn)、PET去除、顯影、第一次清除浮渣、硬烘、以及第二次清除浮渣。焊料材料被電鍍在導(dǎo)電層38上以及在DFR層中的開口內(nèi)。DFR被剝?nèi)ィ瑢?dǎo)電層38被刻蝕，并且器件經(jīng)歷第三次洗滌器清洗、第一次氮氣( )處理、第二次刻蝕、第四次洗滌器清洗、硬烘、 以及氧氣(O2)等離子體處理。焊劑涂層被施加到電鍍的焊料材料，并且焊料材料被回流以形成球形球或凸塊40，球形球或凸塊40形成在導(dǎo)電層38上并且電連接到導(dǎo)電層38。器件然后經(jīng)歷焊劑清洗、第二次N2處理、凸塊測量、第五次洗滌器清洗、以及FVI，產(chǎn)生聚酰亞胺和無鉛凸塊結(jié)構(gòu)觀。對于利用無鉛焊料的倒裝芯片結(jié)合(例如在圖1和2中介紹的那些)來說更加關(guān)注焊接接縫的可靠性。無鉛焊料包括具有Cu和銀(Ag)的錫基合金，其具有比常規(guī)共晶Srfb 焊料更高的熔點。更高的溫度和更高的Sn濃度導(dǎo)致Srfb焊料和UBM之間更劇烈的反應(yīng)， 所述劇烈反應(yīng)可能導(dǎo)致過多IMC形成，所述過多IMC形成可能會引起UBM上的去濕并且導(dǎo)致不牢固的焊接接縫
發(fā)明內(nèi)容
存在改善無鉛凸塊連接的焊接接縫可靠性的需要。因此，在一個實施例中，本發(fā)明是一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟提供具有接觸焊盤的襯底，在襯底和接觸焊盤上形成第一絕緣層，在第一絕緣層上形成第一 UBM并且電連接到接觸焊盤，在第一UBM上形成第二絕緣層，以及在第二絕緣層被固化之后在第二絕緣層上形成第二UBM。第二 UBM電連接到第一 UBM使得第二絕緣層位于第一和第二 UBM的多個部分之間并且分隔第一和第二 UBM的多個部分。所述方法進(jìn)一步包括以下步驟在第二 UBM上形成光致抗蝕劑層并且除去光致抗蝕劑層的一部分以在接觸焊盤上的光致抗蝕劑層中形成開口，在光致抗蝕劑層中的開口內(nèi)沉積導(dǎo)電凸塊材料，除去光致抗蝕劑層，除去第二 UBM的外圍部分使得導(dǎo)電凸塊材料懸于第二 UBM之上，除去第一 UBM的外圍部分使得第二絕緣層懸于第一 UBM 之上，以及回流導(dǎo)電凸塊材料以形成球形凸塊。在另一個實施例中，本發(fā)明是一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟 提供具有接觸焊盤的襯底，在襯底上形成第一 UBM并且電連接到接觸焊盤，在第一 UBM上形成絕緣層，在絕緣層被固化后在絕緣層上形成第二 UBM，以及在第二 UBM上形成凸塊。第二 UBM電連接到第一 UBM使得第二絕緣層分隔第一和第二 UBM的多個部分。在另一個實施例中，本發(fā)明是一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟 提供具有接觸焊盤的襯底，在襯底上形成第一 UBM并且電連接到接觸焊盤，在第一 UBM上形成絕緣層，在絕緣層被固化之后在絕緣層上形成第二 UBM，以及在第二 UBM上形成凸塊。在另一個實施例中，本發(fā)明是一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括具有接觸焊盤的襯底。具有比接觸焊盤的面積更大的面積的第一 UBM形成在襯底上并且被電連接到接觸焊盤。絕緣層形成在第一 UBM上。第二 UBM形成在絕緣層上并且被電連接到第一 UBM使得絕緣層在第一和第二 UBM的多個部分之間。凸塊形成在第二 UBM上。


圖1示出常規(guī)POU結(jié)構(gòu)；
圖2示出常規(guī)聚酰亞胺與無鉛焊料結(jié)構(gòu)；
圖3示出印刷電路板(PCB)，其中不同類型的封裝被安裝到它的表面； 圖4a4c示出安裝到所述PCB的典型半導(dǎo)體封裝的更多細(xì)節(jié)； 圖5a-51示出雙UBM結(jié)構(gòu)；以及圖6示出雙UBM結(jié)構(gòu)的替換實施例。
具體實施例方式參考附圖在下列描述中的一個或多個實施例中描述本發(fā)明，在附圖中相似的數(shù)字表示相同或類似的元件。雖然根據(jù)用來實現(xiàn)本發(fā)明的目的的最佳方式描述本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，它旨在覆蓋可以被包含在由被下列公開和各圖所支持的所附權(quán)利要求及其等效物限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的替代物、變型、和等效物。一般利用兩個復(fù)雜的制造工藝制造半導(dǎo)體器件前端制造和后端制造。前端制造包括在半導(dǎo)體晶片的表面上形成多個管芯。晶片上的每個管芯包括有源和無源電部件，所述有源和無源電部件被電連接以形成功能電路。有源電部件，例如晶體管和二極管，具有控制電流的流動的能力。無源電部件，例如電容器、電感器、電阻器、和變壓器，產(chǎn)生執(zhí)行電路功能所必需的電壓和電流之間的關(guān)系。通過包括摻雜、沉積、光刻、刻蝕、和平面化的一系列工藝步驟在半導(dǎo)體晶片的表面上形成無源和有源部件。摻雜通過例如離子注入或熱擴(kuò)散的技術(shù)將雜質(zhì)引入到半導(dǎo)體材料中。所述摻雜工藝改變有源器件中的半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性，將半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)變成絕緣體、 導(dǎo)體，或響應(yīng)于電場或基極電流動態(tài)改變半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性。晶體管包括有變化的摻雜類型和程度的區(qū)域，所述區(qū)域根據(jù)需要被設(shè)置為使晶體管能夠在施加電場或基極電流時促進(jìn)或限制電流的流動。通過具有不同電特性的材料的層形成有源和無源部件。所述層可以通過部分地由被沉積的材料的類型決定的多種沉積技術(shù)形成。例如，薄膜沉積可以包括化學(xué)汽相沉積 (CVD)、物理汽相沉積(PVD)、電解電鍍、以及無電極電鍍(electroless plating)工藝。每個層通常被圖案化以形成有源部件、無源部件、或部件之間的電連接的多個部分?？梢岳霉饪虉D案化所述層，所述光刻包括在將被圖案化的層上沉積光敏材料， 例如光致抗蝕劑。利用光將圖案從光掩模轉(zhuǎn)移到光致抗蝕劑。在一個實施例中，利用溶劑將經(jīng)受光的光致抗蝕劑圖案部分除去，暴露將被圖案化的下層的多個部分。在另一個實施例中，利用溶劑將未經(jīng)受光的光致抗蝕劑圖案部分(負(fù)性光致抗蝕劑)除去，暴露將被圖案化的下層的多個部分。光致抗蝕劑的剩余物被除去，留下被圖案化的層?？商鎿Q地，利用例如無電極電鍍或電解電鍍的技術(shù)通過直接將材料沉積到通過先前的沉積/刻蝕工藝形成的區(qū)域或空隙中來圖案化一些類型的材料。在現(xiàn)有圖案上沉積材料的薄膜可能會放大下面的圖案并且引起不均勻的平面。需要均勻的平面來制造更小和更密集包裝的有源和無源部件?？梢岳闷矫婊瘡木谋砻娉ゲ牧虾椭圃炀鶆蚱矫?。平面化包括利用拋光墊拋光晶片的表面。在拋光期間，磨料和腐蝕性化學(xué)品被添加到晶片的表面。組合的磨料機(jī)械作用和化學(xué)品腐蝕作用除去了任何不規(guī)則的表面形貌(topography)，產(chǎn)生均勻的平面。后端制造指的是將已完成的晶片切割或單體化成單個管芯，并且然后封裝管芯用于結(jié)構(gòu)支撐和環(huán)境隔離。為單體化管芯，沿被叫做劃片街區(qū)(saw street)或劃線的晶片非功能區(qū)域刻劃和斷開所述晶片。利用激光切割工具或鋸條來單體化晶片。在單體化之后， 單個管芯被安裝到封裝襯底，所述封裝襯底包括用來與其它系統(tǒng)部件互連的引腳或接觸焊盤。形成在半導(dǎo)體管芯上的接觸焊盤然后被連接到封裝內(nèi)的接觸焊盤?？梢岳煤噶贤箟K、 柱形凸塊(stud bump)、導(dǎo)電膠、或線結(jié)合(wirebond)來制作電連接。密封劑或其它成型材料被沉積到封裝上以提供物理支撐和電隔離。已完成的封裝然后被插入電系統(tǒng)中并且半導(dǎo)體器件的功能可以用到其它系統(tǒng)部件。圖3示出具有芯片載體襯底或PCB 52的電子器件50，所述芯片載體襯底或印刷電路板(PCB) 52具有多個安裝在它的表面上的半導(dǎo)體封裝。電子器件50可以具有一種半導(dǎo)體封裝、或多種半導(dǎo)體封裝，這取決于應(yīng)用。為了說明的目的，在圖3中示出不同類型的半導(dǎo)體封裝。電子器件50可以是利用半導(dǎo)體封裝來執(zhí)行一個或多個電功能的獨立系統(tǒng)?？商鎿Q地，電子器件50可以是更大系統(tǒng)的子部件。例如，電子器件50可以是蜂窩電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼攝像機(jī)(DVC)或其它電子通信設(shè)備的一部分?？商鎿Q地，電子器件50可以是圖形卡、網(wǎng)絡(luò)接口卡、或能被插入計算機(jī)中的其它信號處理卡。半導(dǎo)體封裝可以包括微處理器、存儲器、專用集成電路(ASIC)、邏輯電路、模擬電路、RF電路、分立器件、或其它半導(dǎo)體管芯或電部件。對于這些將被市場接受的產(chǎn)品來說，小型化和重量減小是必要的。半導(dǎo)體器件之間的距離必須減小以獲得更高的密度。在圖3中，PCB 52提供普通的襯底用于安裝在PCB上的半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)支撐和電互連。利用蒸發(fā)、電解電鍍、無電極電鍍、絲網(wǎng)印刷、或其它合適的金屬沉積工藝將導(dǎo)電信號跡線(trace) M形成在PCB 52的表面上或多個層內(nèi)。信號跡線M提供半導(dǎo)體封裝、安裝的部件、以及其它外部系統(tǒng)部件中的每一個之間的電通信。跡線M也將電源和地連接提供給半導(dǎo)體封裝中的每一個。在一些實施例中，半導(dǎo)體器件可以具有兩個封裝級。第一級封裝是用來將半導(dǎo)體管芯以機(jī)械和電的方式附著到中間載體的技術(shù)。第二級封裝包括將所述中間載體以機(jī)械和電的方式附著到PCB。在其它實施例中，半導(dǎo)體器件可以僅具有第一級封裝，其中管芯被以機(jī)械和電的方式直接安裝到PCB。為了說明的目的，幾種第一級封裝，包括結(jié)合線封裝56和倒裝芯片58，被示出在 PCB 52上。另外，幾種第二級封裝，包括球柵陣列(BGA)60、凸塊芯片載體(BCC)62、雙列直插式封裝(DIP)64、岸面柵格陣列(land grid array，LGA)66、多芯片模塊(MCM)68、四側(cè)無引腳扁平封裝(quad flat non-leaded package, QFN) 70、以及四側(cè)扁平封裝72被示出安裝在PCB 52上。根據(jù)系統(tǒng)要求，利用第一和第二級封裝形式的任何組合配置的半導(dǎo)體封裝的任何組合、以及其它電子部件，可以被連接到PCB 52。在一些實施例中，電子器件50包括單個附著的半導(dǎo)體封裝，雖然其它實施例要求多互連封裝。通過在單個襯底上組合一個或多個半導(dǎo)體封裝，制造商可以將預(yù)先制作的部件并入電子器件和系統(tǒng)中。因為所述半導(dǎo)體封裝包括復(fù)雜功能，所以可以利用更便宜的部件和流水線制造工藝來制造電子器件。所得到的器件較少可能失效并且制造起來花費較少，對用戶而言導(dǎo)致更低的成本。圖如-如示出示范性半導(dǎo)體封裝。圖如示出安裝在PCB 52上的DIP 64的更多細(xì)節(jié)。半導(dǎo)體管芯74包括包含模擬或數(shù)字電路的有源區(qū)，所述模擬或數(shù)字電路被實現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計形成在管芯內(nèi)并且被電互連的有源器件、無源器件、導(dǎo)電層、和介電層。例如， 電路可以包括一個或多個晶體管、二極管、電感器、電容器、電阻器、以及形成在半導(dǎo)體管芯 74的有源區(qū)內(nèi)的其它電路元件。接觸焊盤76是一層或多層的導(dǎo)電材料，例如鋁(AL)、Cu、 Sn、Ni、金(Au)、或Ag，并且電連接到形成在半導(dǎo)體管芯74內(nèi)的電路元件。在DIP 64的組裝期間，利用金硅共晶層或粘附材料(例如熱的環(huán)氧或環(huán)氧樹脂)將半導(dǎo)體管芯74安裝到中間載體78。封裝體包括絕緣封裝材料，例如聚合物或陶瓷。導(dǎo)體引線80和結(jié)合線82在半導(dǎo)體管芯74和PCB 52之間提供電互連。密封劑84被沉積在封裝上用于通過防止?jié)駳馀c粒子進(jìn)入所述封裝以及污染管芯74或結(jié)合線82來進(jìn)行環(huán)境保護(hù)。圖4b示出安裝在PCB 52上的BCC 62的更多細(xì)節(jié)。半導(dǎo)體管芯88利用底層填充材料或環(huán)氧樹脂粘附材料92被安裝到載體90上。結(jié)合線94在接觸焊盤96和98之間提供第一級封裝互連。模塑料或密封劑100被沉積在半導(dǎo)體管芯88和結(jié)合線94上以為所述器件提供物理支撐和電隔離。接觸焊盤102利用電解電鍍或無電極電鍍這樣合適的金屬沉積工藝形成在PCB 52的表面上以防止氧化。接觸焊盤102電連接到PCB 52中的一個或多個導(dǎo)電信號跡線討。凸塊104被形成在BCC 62的接觸焊盤98與PCB 52的接觸焊盤102 之間。
在圖如中，利用倒裝芯片型第一級封裝將半導(dǎo)體管芯58面朝下地安裝到中間載體106。半導(dǎo)體管芯58的有源區(qū)108包含模擬或數(shù)字電路，所述模擬或數(shù)字電路被實現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計形成的有源器件、無源器件、導(dǎo)電層、和介電層。例如，該電路可以包括一個或多個晶體管、二極管、電感器、電容器、電阻器、以及在有源區(qū)108內(nèi)的其它電路元件。 半導(dǎo)體管芯58通過凸塊110被以機(jī)械和電的方式連接到載體106。BGA 60利用凸塊112使用BGA型第二級封裝以機(jī)械和電的方式連接到PCB 52。 半導(dǎo)體管芯58通過凸塊110、信號線114、以及凸塊112電連接到導(dǎo)電信號跡線M。模塑料或密封劑116被沉積在半導(dǎo)體管芯58和載體106上以為所述器件提供物理支撐和電隔離。 倒裝芯片半導(dǎo)體器件提供從半導(dǎo)體管芯58上的有源器件到PCB 52上的導(dǎo)電軌跡的短導(dǎo)電路徑以便減小信號傳播距離、降低電容、并且改善總的電路性能。在另一個實施例中，半導(dǎo)體管芯58可以在沒有中間載體106的情況下利用倒裝芯片型第一級封裝被以機(jī)械和電的方式直接連接到PCB 52。相對于圖3和如-4(，圖5a_51示出形成包括用于無鉛凸塊連接的雙UBM結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的過程。圖fe示出具有基底襯底材料122的半導(dǎo)體晶片120，所述基底襯底材料例如是硅、鍺、砷化鎵、磷化銦或碳化硅，用于結(jié)構(gòu)支撐。多個半導(dǎo)體管芯或部件1 形成在晶片120上，如上所述那樣被劃片街區(qū)1 分開。圖恥示出半導(dǎo)體晶片120的一部分的截面圖。每個半導(dǎo)體管芯124具有后表面 128和有源表面130，該有源表面130包含模擬或數(shù)字電路，所述模擬或數(shù)字電路被實現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計和功能形成在管芯內(nèi)并且電互連的有源器件、無源器件、導(dǎo)電層、和介電層。例如，該電路可以包括一個或多個晶體管、二極管、和形成在有源表面130內(nèi)的其它電路元件以實現(xiàn)模擬電路或數(shù)字電路(例如數(shù)字信號處理器(DSP)、ASIC、存儲器、或其它信號處理電路)。半導(dǎo)體管芯124也可以包括IPD，例如電感器、電容器、和電阻器，用于RF信號處理。半導(dǎo)體管芯124也可以是倒裝芯片類型的半導(dǎo)體管芯。導(dǎo)電層132形成在有源表面130上并且在有源表面130上延伸，使得導(dǎo)電層132的頂表面產(chǎn)生不平坦的表面，并且相對于有源表面130具有非平面表面形貌。利用PVD、CVD、 電解電鍍、無電極電鍍工藝或其它適當(dāng)?shù)慕饘俪练e工藝形成導(dǎo)電層132。導(dǎo)電層132可以是一層或多層的Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag或其它適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料。導(dǎo)電層132用作電連接到有源表面130上的電路的接觸焊盤。圖5c示出半導(dǎo)體晶片120的一部分的放大截面圖，集中于導(dǎo)電層132和直接包圍接觸焊盤的區(qū)域。針對IQC來檢查晶片120。然后，通過跨越有源表面130向上延伸到導(dǎo)電層132的側(cè)壁并且跨越接觸焊盤的頂表面延伸，絕緣或鈍化層134被共形地施加到晶片 120和導(dǎo)電層132并遵循晶片120和導(dǎo)電層132的輪廓。絕緣層134具有頂表面138，所述頂表面138在晶片120上高度發(fā)生變化。形成在晶片120上和導(dǎo)電層132的占用空間以外的第一部分頂表面138具有高度HI。形成在晶片120上和導(dǎo)電層132上的第二部分頂表面138具有高度H2，其中H2大于HI。絕緣層134可以是一層或多層的二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、五氧化二鉭(Τει205)、鋯石Ur02)、氧化鋁(A1203)、聚酰亞胺、 苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(polybenzoxazole，ΡΒ0)、或具有合適電絕緣特性的其它材料。利用PVD、CVD、印刷、旋涂、帶有固化的燒結(jié)(sintering with curing)、或熱氧化來圖案化或毯式沉積絕緣層134。通過刻蝕工藝除去絕緣層134的一部分以在絕緣層134中形成開口 136，所述開口 136暴露導(dǎo)電層132的一部分。開口 136從絕緣層134的頂表面138 延伸到絕緣層134的底表面139。導(dǎo)電層132的另外的部分仍舊被絕緣層134覆蓋。部分完成的雙UBM結(jié)構(gòu)然后經(jīng)歷第一次洗滌器清洗。在圖5d中，通過使用圖案化和金屬沉積工藝，例如印刷、PVD、CVD、濺射、電解電鍍和無電極電鍍，導(dǎo)電層140被形成在絕緣層134和導(dǎo)電層132上并且被共形地施加到絕緣層134和導(dǎo)電層132。在一個實施例中，導(dǎo)電層140是通過濺射形成的Ti、鈦鎢(TiW)、或鉻 (Cr)。可替換地，導(dǎo)電層140可以是一層或多層的Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、或其它合適導(dǎo)電材料。導(dǎo)電層140跨越頂表面138、沿開口 136內(nèi)的絕緣層134的側(cè)壁、和跨越開口 136內(nèi)的導(dǎo)電層132的頂表面遵循絕緣層134的輪廓。導(dǎo)電層140包括在開口 136內(nèi)并且在導(dǎo)電層132上的區(qū)域142。區(qū)域142基本上是平的，并且比導(dǎo)電層132的面積小。導(dǎo)電層140用作稍后形成的凸塊的第一 UBM層。部分完成的雙UBM結(jié)構(gòu)然后經(jīng)歷第二次洗滌器清洗。在圖k中，利用PVD、CVD、絲網(wǎng)印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)或熱氧化，絕緣或鈍化層144 被沉積或涂覆在導(dǎo)電層140上并且被共形地施加到導(dǎo)電層140。在一個實施例中，絕緣層 144包括聚酰亞胺、ΡΒ0、或BCB?？商鎿Q地，絕緣層144包括一層或多層的Si02、Si3N4、Si0N、 Ta205、Al203、或具有類似絕緣和結(jié)構(gòu)特性的其它材料。絕緣層144的底表面146遵循導(dǎo)電層 140的輪廓。絕緣層144的頂表面148是平坦的并且基本上平行于有源表面130。因此，在底表面146和頂表面148之間測量的絕緣層144的厚度跨越晶片120而變化。絕緣層144 用作用于稍后形成的第二 UBM層的基底。圖5f示出絕緣層144被對準(zhǔn)和顯影，并且絕緣層的多個部分被除去以在絕緣層中制造開口 152和154。開口 152形成在導(dǎo)電層140的區(qū)域142上。開口 152從絕緣層144 的頂表面148穿過絕緣層延伸到絕緣層的底表面146。開口 152的占用空間具有的面積比導(dǎo)電層140的區(qū)域142小。開口 152通過圖案化和刻蝕絕緣層144的工藝形成并且暴露導(dǎo)電層140的一部分。導(dǎo)電層140的另外的部分仍舊被絕緣層144覆蓋。開口 152為稍后形成的第二 UBM層的形成提供位置。開口 152的側(cè)壁基本上是垂直的或有角度的。開口 IM形成在導(dǎo)電層132的占用空間以外的絕緣層144的周邊并且在具有高度 Hl的一部分絕緣層134上。開口巧4從絕緣層144的頂表面148穿過絕緣層延伸到絕緣層的底表面146。在開口 IM的周邊的絕緣層144的剩余部分包括足夠容納稍后形成的凸塊的區(qū)域。在一個實施例中，絕緣層144的剩余部分具有比導(dǎo)電層132的面積大的面積。在絕緣層144被圖案化和刻蝕以形成開口 152和IM后，以高溫度劇增(high temperature excursion)來固化絕緣層。因為絕緣層144在第二 UBM層的形成之前被固化了，所以在高溫劇增期間在導(dǎo)電層140的Ti和稍后形成的第二 UBM層的Cu之間形成IMC 的風(fēng)險被減小了。在固化之后絕緣層144經(jīng)歷清除浮渣處理。在圖5g中，通過利用圖案化和金屬沉積工藝，例如印刷、PVD、CVD、濺射、電解電鍍和無電極電鍍，導(dǎo)電層160被形成在絕緣層144和導(dǎo)電層140上并且被共形地施加到絕緣層144和導(dǎo)電層140。在一個實施例中，導(dǎo)電層160包括Ti和Cu、TiW和Cu、或Cr和Cu， 并且利用濺射或其它合適的金屬沉積工藝形成。可替換地，導(dǎo)電層160可以是一層或多層的Al、CU、Sn、Ni、AU、Ag、或其它合適導(dǎo)電材料。導(dǎo)電層160跨越導(dǎo)電層的頂表面、沿絕緣層 144的側(cè)壁、跨越絕緣層144的頂表面148、沿絕緣層144中的開口 152內(nèi)的絕緣層144的側(cè)壁、以及跨越被開口 152暴露的該部分區(qū)域142遵循導(dǎo)電層140的輪廓。導(dǎo)電層160用
10作稍后形成的凸塊的第二 UBM或凸塊焊盤。因為導(dǎo)電層160遵循開口 152的輪廓并且形成在絕緣層144的頂表面148上，所以絕緣層形成在導(dǎo)電層160和導(dǎo)電層140的一部分之間并且分隔該部分導(dǎo)電層160和導(dǎo)電層140。通過絕緣層144在導(dǎo)電層140和導(dǎo)電層160之間的分隔減小了形成Sn-Cu IMC的風(fēng)險。在常規(guī)POU結(jié)構(gòu)中，例如圖1中所示的POU 10， 來自凸塊M的Sn將沿Ni UMB 20的側(cè)壁行進(jìn)以與UBM Cu 18反應(yīng)，從而產(chǎn)生Sn-Cu IMC0 包括導(dǎo)電層140、絕緣層144、和導(dǎo)電層160的雙UBM結(jié)構(gòu)減小了來自稍后形成的凸塊的Sn 與UBM Cu反應(yīng)的風(fēng)險。在形成導(dǎo)電層160之后，部分完成的雙UBM結(jié)構(gòu)經(jīng)歷洗滌器清洗過程。在圖證中，光致抗蝕劑166被沉積在導(dǎo)電層160上。光致抗蝕劑166的底表面 168覆蓋并且遵循導(dǎo)電層160的輪廓。光致抗蝕劑166的頂表面170基本上是平的。光致抗蝕劑166包括具有PET支撐膜的DFR材料。DFR被層疊，經(jīng)歷邊緣漂洗，在導(dǎo)電層160上被對準(zhǔn)，PET支撐膜被除去，然后DFR材料被顯影。可以利用可見光激光器照射DFR以形成期望的圖案。被照射的DFR材料然后經(jīng)受顯影劑處理，所述顯影劑選擇性地溶解光致抗蝕劑材料的未被照射的部分并且使光致抗蝕劑材料的被照射的部分保持原樣。因此，圖證進(jìn)一步示出光致抗蝕劑166被圖案化和被刻蝕以形成開口 172。開口 172從光致抗蝕劑166的頂表面170穿過光致抗蝕劑層延伸到光致抗蝕劑層的底表面168。 開口 172的占用空間具有的面積大于開口 152的面積并且小于絕緣層144的剩余部分。在一個實施例中，開口 172包括比導(dǎo)電層132的占用空間小的占用空間。開口 172暴露導(dǎo)電層160的一部分。導(dǎo)電層160的另外的部分仍舊被光致抗蝕劑166覆蓋。開口 172為隨后凸塊材料的沉積提供位置。在形成開口 172之后，DFR經(jīng)歷第一次清除浮渣、硬烘、以及第二次清除浮渣。在圖5i中，利用蒸發(fā)、電解電鍍、無電極電鍍、或絲網(wǎng)印刷工藝將導(dǎo)電凸塊材料 176沉積在開口 172內(nèi)和導(dǎo)電層160上。當(dāng)使用絲網(wǎng)印刷工藝時，凸塊材料176在被沉積時是膏劑并且需要回流循環(huán)以在除去光致抗蝕劑層166之前固化凸塊材料。回流凸塊材料 176固化所述膏劑并且防止凸塊材料隨著隨后光致抗蝕劑層166的除去而被除去或洗掉。 當(dāng)利用蒸發(fā)、電解電鍍、或無電極電鍍沉積凸塊材料176時，凸塊材料形成固體凸塊并且不需要額外的回流循環(huán)。在一個實施例中，凸塊材料176是無鉛焊料?？商鎿Q地，凸塊材料176可以是任何金屬或其它導(dǎo)電材料，例如Sn、Ni、Au、Ag、Pb、Bi、及其合金，以及可選的焊劑材料。例如， 焊料材料可以是共晶Sn/Pb、高鉛、或無鉛。在圖5j中，光致抗蝕劑層166被除去。在一個實施例中，通過利用等離子體或活性氯氣除去DFR層以暴露凸塊材料176的側(cè)壁。光致抗蝕劑層166被剝掉，留下凸塊材料 176在導(dǎo)電層160上。在圖證中，導(dǎo)電層160被刻蝕以除去被凸塊材料176暴露的一部分導(dǎo)電層。導(dǎo)電層160的刻蝕也除去了在凸塊材料176下面的外圍區(qū)域中的一部分導(dǎo)電層。導(dǎo)電層160 的外圍部分的除去形成了凹進(jìn)180，所述凹進(jìn)180部分地但不完全地在凸塊材料176之下延伸。因此，在形成凹進(jìn)180之后，凸塊材料176延伸到導(dǎo)電層160的端部以外并且懸于導(dǎo)電層之上。導(dǎo)電層160具有比導(dǎo)電層132的面積小的面積，或可替換地，可以具有比導(dǎo)電層 132的面積大的面積。類似地，導(dǎo)電層140被刻蝕以除去被絕緣層144暴露的一部分導(dǎo)電層。導(dǎo)電層140的刻蝕也除去了在絕緣層144下面的外圍區(qū)域中的一部分導(dǎo)電層。導(dǎo)電層 140的外圍部分的除去形成了凹進(jìn)182，所述凹進(jìn)182部分地但不完全地在絕緣層144之下延伸。因此，在形成凹進(jìn)182之后，絕緣層144延伸到導(dǎo)電層140的端部以外并且懸于導(dǎo)電層之上。被刻蝕的導(dǎo)電層140可以具有等于或大于導(dǎo)電層132的面積的面積。在刻蝕之后， 部分完成的雙UBM結(jié)構(gòu)經(jīng)歷洗滌器清洗過程。在圖51中，通過將凸塊材料176加熱到它的熔點以上來回流凸塊材料176以形成球形球或凸塊188。凸塊材料176也可以利用可選的焊劑材料來被回流。在一些應(yīng)用中， 凸塊188被二次回流以改善到導(dǎo)電層160的電接觸。凸塊188代表一種可以形成在導(dǎo)電層 160上的互連結(jié)構(gòu)。所述互連結(jié)構(gòu)也可以使用3D互連、導(dǎo)電膠、柱形凸塊、微凸塊、或其它電互連。在形成凸塊188之后，雙UBM結(jié)構(gòu)經(jīng)歷可選的焊劑清潔，凸塊被測量，并且雙UBM結(jié)構(gòu)經(jīng)歷FVI。因此，通過在倒裝芯片組裝和可靠性測試期間減少裂縫和分層，雙UBM結(jié)構(gòu)相對于常規(guī)聚酰亞胺和無鉛凸塊結(jié)構(gòu)提供了改善的低k電介質(zhì)設(shè)計。此外，因為絕緣層144在第二 UBM層形成之前并且在第一和第二 UBM層的Ti和Cu接觸之前被固化，所以在高溫度劇增期間在Ti和Cu之間形成IMC的風(fēng)險被減小了。另外，因為導(dǎo)電層160遵循開口 152 的輪廓并且形成在絕緣層144的頂表面148上，所以絕緣層形成在一部分導(dǎo)電層140和160 之間并且分隔該部分導(dǎo)電層140和160。通過絕緣層144在導(dǎo)電層140和160之間的分隔降低了形成Sn-Cu IMC的風(fēng)險。在常規(guī)POU結(jié)構(gòu)中，例如圖1中所示的POU 10，來自凸塊 M WSn沿Ni UMB 20的側(cè)壁行進(jìn)以與UBM Cu 18反應(yīng)，從而產(chǎn)生Sn-Cu IMC。最后，對于大量制造(HVM)而言，所述方法和器件提供的工藝窗口比另外由常規(guī)POU凸塊結(jié)構(gòu)提供的工藝窗口更寬。更寬的HVM窗口起因于多種應(yīng)力緩沖材料和剝離器的增加，所述多種應(yīng)力緩沖材料和剝離器可以被用來制造雙UBM結(jié)構(gòu)而沒有化學(xué)損傷問題。類似于圖51，圖6示出半導(dǎo)體晶片196的一部分的放大截面圖，集中于雙UBM結(jié)構(gòu)194。導(dǎo)電層198形成在半導(dǎo)體晶片196的有源表面上并且在半導(dǎo)體晶片196的有源表面上延伸，使得導(dǎo)電層198的頂表面產(chǎn)生不平坦的表面，并且相對于半導(dǎo)體晶片196具有非平面表面形貌。絕緣或鈍化層200形成在半導(dǎo)體晶片196上并且直接接觸導(dǎo)電層198的側(cè)壁。絕緣層200與圖5c中的絕緣層134的不同之處在于沒有在相鄰導(dǎo)電層198上延伸。 在圖5c中，絕緣層134在相鄰導(dǎo)電層132上延伸。圖6進(jìn)一步示出通過利用圖案化和金屬沉積工藝(例如印刷、PVD、CVD、濺射、電解電鍍、和無電極電鍍)被形成在絕緣層200和導(dǎo)電層198上并且被共形地施加到絕緣層200和導(dǎo)電層198的導(dǎo)電層202。在一個實施例中， 導(dǎo)電層202是通過濺射形成的Ti，包括具有平面表面形貌的頂部和底部表面，并且用作第 -UBM0利用PVD、CVD、絲網(wǎng)印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)或熱氧化，絕緣或鈍化層204被沉積在導(dǎo)電層202上并且被共形地施加到導(dǎo)電層202。在一個實施例中，絕緣層204包括聚酰亞胺、 ΡΒ0、或BCB。在第二 UBM層形成之前，利用高溫度劇增固化絕緣層204。因此在高溫度劇增期間在導(dǎo)電層202的Ti和稍后形成的第二 UBM層的Cu之間的IMC形成的風(fēng)險被降低了。 在一個實施例中，絕緣層204具有比導(dǎo)電層198的面積大的面積。導(dǎo)電層202被刻蝕以形成凹進(jìn)203，所述凹進(jìn)203部分地但不是完全地在絕緣層204之下延伸。因此，在形成凹進(jìn) 203之后，絕緣層204延伸到導(dǎo)電層202的端部以外并且懸于導(dǎo)電層之上。通過利用圖案化和金屬沉積工藝，導(dǎo)電層206形成在絕緣層204和導(dǎo)電層202上并且被共形地施加到絕緣層204和導(dǎo)電層202。在一個實施例中，導(dǎo)電層206是一層或多層的Ti、Cu、Ni、Ti和Cu、 Tiff和Cu、或Cr和Cu，并且利用濺射或其它合適的金屬沉積工藝形成。導(dǎo)電層206用作用于稍后形成的凸塊的第二 UBM或凸塊焊盤。絕緣層204形成在導(dǎo)電層202和206的一部分之間并且分隔該部分導(dǎo)電層202和206。通過絕緣層204在導(dǎo)電層202和206之間的分隔降低了形成Sn-Cu IMC的風(fēng)險。導(dǎo)電層206具有比導(dǎo)電層198的面積小的面積，或可替換地，可以具有比導(dǎo)電層198的面積大的面積。球形球或凸塊208形成在導(dǎo)電層206上并且電連接到導(dǎo)電層206。凸塊208包括任何合適的導(dǎo)電材料，并且在一個實施例中是無鉛焊料。在一個實施例中，凸塊208的占用空間具有的面積大于導(dǎo)電層198的面積并且小于絕緣層204。 雖然已經(jīng)詳細(xì)說明本發(fā)明的一個或多個實施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由下列權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的范圍的情況下可以對那些實施例進(jìn)行變型和修改。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括 提供具有接觸焊盤的襯底；在襯底和接觸焊盤上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成第一凸塊下金屬化(UBM)，所述第一凸塊下金屬化(UBM)電連接到接觸焊盤；在第一 UBM上形成第二絕緣層；在第二絕緣層被固化之后在第二絕緣層上形成第二 UBM，第二 UBM電連接到第一 UBM使得第二絕緣層在第一和第二 UBM的多個部分之間并且分隔第一和第二 UBM的多個部分；在第二 UBM上形成光致抗蝕劑層并且除去光致抗蝕劑層的一部分以在接觸焊盤上的光致抗蝕劑層中形成開口；在光致抗蝕劑層中的開口內(nèi)沉積導(dǎo)電凸塊材料； 除去光致抗蝕劑層；除去第二 UBM的外圍部分使得導(dǎo)電凸塊材料懸于第二 UBM之上； 除去第一 UBM的外圍部分使得第二絕緣層懸于第一 UBM之上；以及回流導(dǎo)電凸塊材料以形成球形凸塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第二絕緣層是利用高溫度劇增被固化的聚酰亞胺。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中導(dǎo)電凸塊材料無鉛。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一UBM是鈦、鈦鎢、或鉻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第二UBM是鈦和銅、鈦鎢和銅、或鉻和銅。
6.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括 提供具有接觸焊盤的襯底；在襯底上形成第一凸塊下金屬化(UBM)，所述第一凸塊下金屬化(UBM)電連接到接觸焊盤；在第一 UBM上形成絕緣層；在絕緣層被固化后在絕緣層上形成第二 UBM，第二 UBM電連接到第一 UBM使得第二絕緣層分隔第一和第二 UBM的多個部分；以及在第二 UBM上形成凸塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中絕緣層是利用高溫度劇增被固化的聚酰亞胺。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中凸塊無鉛。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中第一UBM是鈦、鈦鎢、或鉻。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中第二UBM是鈦和銅、鈦鎢和銅、或鉻和銅。
11.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中第一UBM具有比接觸焊盤的面積大的面積。
12.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中第一和第二UBM的外圍部分被除去使得凸塊懸于第二 UBM之上并且絕緣層懸于第一 UBM之上。
13.—種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括 提供具有接觸焊盤的襯底；在襯底上形成第一凸塊下金屬化(UBM)，第一凸塊下金屬化(UBM)電連接到接觸焊盤； 在第一 UBM上形成絕緣層；在絕緣層被固化之后在絕緣層上形成第二 UBM，以及；在第二 UBM上形成凸塊。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中絕緣層是利用高溫度劇增被固化的聚酰亞胺。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中凸塊無鉛。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中第一UBM是鈦、鈦鎢、或鉻，并且第二 UBM是鈦和銅、 鈦鎢和銅、或鉻和銅。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中第一UBM具有比接觸焊盤的面積大的面積。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中第一和第二UBM的多個部分被除去使得凸塊懸于第二 UBM之上并且絕緣層懸于第一 UBM之上。
19.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中絕緣層在第一和第二UBM的多個部分之間。
20.一種半導(dǎo)體器件，包括 具有接觸焊盤的襯底；具有比接觸焊盤的面積更大的面積的第一凸塊下金屬化(UBM)，所述第一凸塊下金屬化(UBM)形成在襯底上并且被電連接到接觸焊盤； 形成在第一 UBM上的絕緣層；第二 UBM，所述第二 UBM形成在絕緣層上并且被電連接到第一 UBM使得絕緣層在第一和第二 UBM的多個部分之間；以及形成在第二 UBM上的凸塊。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件，其中絕緣層是高溫固化的聚酰亞胺。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件，其中凸塊無鉛。
23.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件，其中第一UBM是鈦、鈦鎢、或鉻。
24.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件，其中第二UBM是鈦和銅、鈦鎢和銅、或鉻和銅。
25.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件，其中凸塊懸于第二UBM之上并且絕緣層懸于第一 UBM之上。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和形成用于無鉛凸塊連接的雙UBM結(jié)構(gòu)的方法。一種半導(dǎo)體器件具有包括接觸焊盤的襯底。第一絕緣層形成在襯底和接觸焊盤上。第一凸塊下金屬化(UBM)形成在第一絕緣層上并且被電連接到接觸焊盤。第二絕緣層形成在第一UBM上。第二UBM在第二絕緣層被固化之后形成在第二絕緣層上。第二UBM被電連接到第一UBM。第二絕緣層在第一和第二UBM的多個部分之間并且分隔第一和第二UBM的多個部分。接觸焊盤上的具有開口的光致抗蝕劑層被形成在第二UBM上。導(dǎo)電凸塊材料被沉積在光致抗蝕劑層中的開口內(nèi)。光致抗蝕劑層被除去，并且導(dǎo)電凸塊材料被回流以形成球形凸塊。
文檔編號H01L23/485GK102201351SQ201110073590
公開日2011年9月28日 申請日期2011年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月25日
發(fā)明者·A ·墨菲 S, 孫偉, 林立人 申請人:新科金朋有限公司, 星科金朋(上海)有限公司