專利名稱：附著型區(qū)域傳感器以及具有這種附著型區(qū)域傳感器的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有圖像傳感器功能的附著型(接觸型)區(qū)域傳感器。特別是，本發(fā)明涉及到這樣一種附著型區(qū)域傳感器(adhesion type area sensor)，它具有作為光源的EL元件并且由以矩陣形狀排列的多個(gè)薄膜晶體管構(gòu)成。該EL元件被稱作發(fā)光元件或發(fā)光二極管或OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)，它包括例如基于三重態(tài)的發(fā)光元件和/或基于單態(tài)的發(fā)光元件。另外，本發(fā)明還涉及一種具有附著型區(qū)域傳感器的顯示裝置。
背景技術(shù)：
固體成像裝置具有光電轉(zhuǎn)換元件，例如二極管或CCD，用于從光信號(hào)輸出具有圖像信息的電信號(hào)，該光信號(hào)具有諸如紙面上的字符和圖表之類的信息以及圖像信息，這樣的固體成像裝置近些年已逐漸被使用。固體成像裝置被用于諸如掃描儀和數(shù)碼相機(jī)之類的裝置中。
在具有光電轉(zhuǎn)換元件的固體成像裝置中，具有行傳感器和區(qū)域傳感器。行傳感器是通過掃描在目標(biāo)范圍內(nèi)形成為線狀的光電轉(zhuǎn)換元件而以電信號(hào)接收?qǐng)D像的。
與之相比，區(qū)域傳感器(也被稱為附著型區(qū)域傳感器)是使光電轉(zhuǎn)換元件形成在一個(gè)平面上而且設(shè)置在目標(biāo)上方，并且以電信號(hào)接收?qǐng)D像。與行傳感器不同，沒有必要用區(qū)域傳感器來掃描光電轉(zhuǎn)換元件，因此不需要象電動(dòng)機(jī)這樣的用于掃描的部件。
圖24A和24B顯示出一種常規(guī)的區(qū)域傳感器的結(jié)構(gòu)。圖24A所示的是區(qū)域傳感器的透視圖，而圖24B所示的是區(qū)域傳感器的剖面圖。如圖所示形成有一個(gè)傳感器襯底2501、一個(gè)背景光(源)2502和一個(gè)光散射板2503，在傳感器襯底2501上形成有光電轉(zhuǎn)換元件。
來自于作為光源的背景光2502的光在光散射板2503內(nèi)被折射，并輻射到一個(gè)目標(biāo)2504上。輻射光被目標(biāo)2504所反射，并輻射到傳感器襯底2501上形成的光電轉(zhuǎn)換元件上。當(dāng)光輻射到光電轉(zhuǎn)換元件上時(shí)，就在光電轉(zhuǎn)換元件內(nèi)產(chǎn)生了電流，電流大小與光的亮度相應(yīng)，并且來自于目標(biāo)2504的圖像信息在該區(qū)域傳感器內(nèi)作為電信號(hào)被接收。
采用上述的區(qū)域傳感器，如果來自于背景光2502的光不均勻地輻射到目標(biāo)2504上，那么就會(huì)產(chǎn)生不均勻性，其中讀入圖像部分變亮(淺)并且部分變暗(深)。因此，需要將光散射板2503的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)成使光均勻地輻射到目標(biāo)2504上，并且需要精確地調(diào)節(jié)背景光2502、光散射板2503、傳感器襯底2501和目標(biāo)2504的位置。
另外，難以壓縮背景光2502的尺寸和光散射板2503尺寸，并且因此阻礙了區(qū)域傳感器本身做得更小、更薄和更輕。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的條件，本發(fā)明的目的是提供一種區(qū)域傳感器，它尺寸小、(厚度)薄且重量輕，并且其中不會(huì)產(chǎn)生讀入圖像的亮度不均勻問題。
本發(fā)明的區(qū)域傳感器采用光電二極管作為光電轉(zhuǎn)換元件。另外，采用EL(場致發(fā)光)元件作為光源。
光電二極管具有一個(gè)陰極、一個(gè)陽極以及在陰極和陽極之間形成的一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層。當(dāng)光輻射到光電轉(zhuǎn)換層上時(shí)，由于光電效應(yīng)，就產(chǎn)生電流。
此外，EL元件是一個(gè)自發(fā)光型元件，并主要用于EL顯示器中。EL顯示器也被稱作有機(jī)EL顯示器(OELD)或有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
EL元件具有這樣的結(jié)構(gòu)其中一個(gè)包含有機(jī)化合物的層(在此稱為EL層)被夾置在一對(duì)電極(陽極和陰極)之間，并且EL層通常具有層疊結(jié)構(gòu)。典型的是，采用由柯達(dá)公司(Eastman Kodak Co.)的Tang等人提出的空穴遷移層/發(fā)光層/電子遷移層的層疊結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)具有極高的發(fā)光效率，并且現(xiàn)在幾乎所有對(duì)EL顯示器的研究和開發(fā)都采用這種結(jié)構(gòu)。
在具有一個(gè)陽極層、一個(gè)EL層和一個(gè)陰極層的EL元件中，可獲得通過施加一個(gè)電場而產(chǎn)生的場致發(fā)光。當(dāng)從單激發(fā)態(tài)回到基態(tài)(熒光發(fā)射(fluorescence))時(shí)和當(dāng)從三重激發(fā)態(tài)回到基態(tài)(磷光發(fā)射(phosphorescence))時(shí)，有機(jī)化合物發(fā)光，在此過程中形成光的發(fā)射，并且本發(fā)明的區(qū)域傳感器可使用這兩種發(fā)光形式。
另外，還可以采用其中空穴注入層、空穴遷移層、發(fā)光層和電子遷移層順序?qū)盈B在一個(gè)電極上的結(jié)構(gòu)；或者其中空穴注入層、空穴遷移層、發(fā)光層、電子遷移層和電子注入層順序?qū)盈B在一個(gè)電極上的結(jié)構(gòu)。還可以將諸如熒光顏料之類的材料摻入發(fā)光層中。
在一對(duì)電極間形成的所有層在本說明書中通稱為EL層。因此，上述的空穴注入層、空穴遷移層、發(fā)光層、電子遷移層和電子注入層都包含在EL層內(nèi)。
光電二極管和EL元件是在同一個(gè)傳感器襯底上以矩陣形狀形成的。光電二極管和EL元件的工作則是利用薄膜晶體管(TFT)來控制的，這些薄膜晶體管以同樣的矩陣形狀形成在襯底上。
從EL元件上發(fā)射出的光被一個(gè)目標(biāo)反射并輻射到光電二極管上。根據(jù)輻射到光電二極管上的光，產(chǎn)生一個(gè)電流，并且具有目標(biāo)的圖像信息的一個(gè)電信號(hào)(圖像信號(hào))被輸入到區(qū)域傳感器中。
采用本發(fā)明不會(huì)產(chǎn)生讀入圖像的亮度不均勻的問題，因?yàn)榘凑丈鲜鼋Y(jié)構(gòu)，光是均勻地輻射到目標(biāo)上的。與常規(guī)例子不同，沒有必要與傳感器襯底分離地形成背景光和光散射板，因而也就沒有必要精確地調(diào)節(jié)背景光、光散射板、傳感器襯底和目標(biāo)的位置。從而可實(shí)現(xiàn)小型化的、薄的、輕的區(qū)域傳感器。此外，區(qū)域傳感器自身的機(jī)械強(qiáng)度也得以提高。
采用本發(fā)明的區(qū)域傳感器，可以通過使用EL元件的區(qū)域傳感器來顯示圖像。本發(fā)明中的EL元件具有讀入圖像時(shí)作為光源的功能和顯示圖像時(shí)作為光源的功能之組合。因此，在區(qū)域傳感器中不形成一個(gè)獨(dú)立的電子顯示器的情況下就能顯示圖像。
本發(fā)明的結(jié)構(gòu)如下所述。
根據(jù)本發(fā)明提供了一種區(qū)域傳感器，它包括在一個(gè)襯底上形成的一個(gè)傳感器部分，傳感器部分具有多個(gè)像素，其特征在于這多個(gè)像素的每一個(gè)都具有一個(gè)光電二極管、一個(gè)EL元件和多個(gè)薄膜晶體管。
根據(jù)本發(fā)明提供了一種區(qū)域傳感器，它包括在一個(gè)襯底上形成的一個(gè)傳感器部分，傳感器部分具有多個(gè)像素，其特征在于多個(gè)薄膜晶體管一個(gè)開關(guān)TFT、一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT、一個(gè)復(fù)位TFT、一個(gè)緩沖TFT和一個(gè)選擇TFT；開關(guān)TFT和EL驅(qū)動(dòng)TFT控制從EL元件發(fā)出的光；從EL元件發(fā)出的光在一個(gè)目標(biāo)上被反射并輻射到光電二極管上；并且光電二極管、復(fù)位TFT、緩沖TFT和選擇TFT由輻射到光電二極管上的光產(chǎn)生一個(gè)圖像信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明提供了一種區(qū)域傳感器，它包括在一個(gè)襯底上形成的一個(gè)傳感器部分，傳感器部分具有多個(gè)像素，其特征在于這多個(gè)像素的每一個(gè)都具有一條源信號(hào)線；一條柵信號(hào)線；一條電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；一條復(fù)位柵信號(hào)線；一條傳感器柵信號(hào)線；一條傳感器輸出接線，它連接到一個(gè)恒流源；以及一條傳感器電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；該多個(gè)薄膜晶體管包括一個(gè)開關(guān)TFT、一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT、一個(gè)復(fù)位TFT、一個(gè)緩沖TFT和一個(gè)選擇TFT；開關(guān)TFT的柵極連接到柵信號(hào)線；開關(guān)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到源信號(hào)線，而另一個(gè)連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT的柵極；EL驅(qū)動(dòng)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到電源線，而另一個(gè)連接到EL元件；復(fù)位TFT的源區(qū)連接到傳感器電源線；復(fù)位TFT的漏區(qū)連接到緩沖TFT的柵極和光電二極管；緩沖TFT的漏區(qū)連接到傳感器電源線；選擇TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到傳感器輸出接線，另一個(gè)連接到緩沖TFT的源區(qū)；選擇TFT的柵極連接到傳感器柵信號(hào)線；從EL元件發(fā)出的光在一個(gè)目標(biāo)上被反射并輻射到光電二極管上；并且由輻射到光電二極管上的光產(chǎn)生的一個(gè)圖像信號(hào)被輸入到傳感器輸出接線。
根據(jù)本發(fā)明提供了一種區(qū)域傳感器，它包括在一個(gè)襯底上形成的一個(gè)傳感器部分，傳感器部分具有多個(gè)像素，其特征在于這多個(gè)像素的每一個(gè)都具有一條源信號(hào)線；一條柵信號(hào)線；一條電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；一條復(fù)位柵信號(hào)線；一條傳感器輸出接線，它連接到一個(gè)恒流源；以及一條傳感器電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；該多個(gè)薄膜晶體管包括一個(gè)開關(guān)TFT、一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT、一個(gè)復(fù)位TFT、一個(gè)緩沖TFT和一個(gè)選擇TFT；開關(guān)TFT的柵極連接到柵信號(hào)線；開關(guān)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到源信號(hào)線，而另一個(gè)連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT的柵極；EL驅(qū)動(dòng)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到電源線，而另一個(gè)連接到EL元件；復(fù)位TFT的源區(qū)連接到傳感器電源線；復(fù)位TFT的漏區(qū)連接到緩沖TFT的柵極和光電二極管；緩沖TFT的漏區(qū)連接到傳感器電源線；選擇TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到傳感器輸出接線，另一個(gè)連接到緩沖TFT的源區(qū)；選擇TFT的柵極連接到柵信號(hào)線；開關(guān)TFT和選擇TFT的極性是相同的；從EL元件發(fā)出的光在一個(gè)目標(biāo)上被反射并輻射到光電二極管上；并且由輻射到光電二極管上的光產(chǎn)生的一個(gè)圖像信號(hào)被輸入到傳感器輸出接線。
根據(jù)本發(fā)明提供了一種區(qū)域傳感器，它包括在一個(gè)襯底上形成的一個(gè)傳感器部分，傳感器部分具有多個(gè)像素，其特征在于這多個(gè)像素的每一個(gè)都具有一條源信號(hào)線；一條柵信號(hào)線；一條電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；一條復(fù)位柵信號(hào)線；一條傳感器柵信號(hào)線；一條傳感器輸出接線，它連接到一個(gè)恒流源；以及一條傳感器電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；該多個(gè)薄膜晶體管包括一個(gè)開關(guān)TFT、一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT、一個(gè)復(fù)位TFT、一個(gè)緩沖TFT和一個(gè)選擇TFT；
開關(guān)TFT的柵極連接到柵信號(hào)線；開關(guān)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到源信號(hào)線，而另一個(gè)連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT的柵極；EL驅(qū)動(dòng)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到電源線，而另一個(gè)連接到EL元件；復(fù)位TFT的源區(qū)連接到傳感器電源線；復(fù)位TFT的漏區(qū)連接到緩沖TFT的柵極和光電二極管；緩沖TFT的漏區(qū)連接到傳感器電源線；選擇TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到傳感器輸出接線，另一個(gè)連接到緩沖TFT的源區(qū)；選擇TFT的柵極連接到傳感器柵信號(hào)線；復(fù)位TFT和選擇TFT中的一個(gè)處于ON狀態(tài)時(shí)，另一個(gè)處于OFF狀態(tài)；從EL元件發(fā)出的光在一個(gè)目標(biāo)上被反射并輻射到光電二極管上；并且由輻射到光電二極管上的光產(chǎn)生的一個(gè)圖像信號(hào)被輸入到傳感器輸出接線。
根據(jù)本發(fā)明提供了一種區(qū)域傳感器，它包括在一個(gè)上形成的一個(gè)傳感器部分，傳感器部分具有多個(gè)像素，其特征在于這多個(gè)像素的每一個(gè)都具有一條源信號(hào)線；一條柵信號(hào)線；一條電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；一條復(fù)位柵信號(hào)線；一條傳感器輸出接線，它連接到一個(gè)恒流源；以及一條傳感器電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；該多個(gè)薄膜晶體管包括一個(gè)開關(guān)TFT、一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT、一個(gè)復(fù)位TFT、一個(gè)緩沖TFT和一個(gè)選擇TFT；開關(guān)TFT的柵極連接到柵信號(hào)線；開關(guān)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到源信號(hào)線，而另一個(gè)連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT的柵極；EL驅(qū)動(dòng)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到電源線，而另一個(gè)連接到EL元件；復(fù)位TFT的源區(qū)連接到傳感器電源線；復(fù)位TFT的漏區(qū)連接到緩沖TFT的柵極和光電二極管；
緩沖TFT的漏區(qū)連接到傳感器電源線；選擇TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到傳感器輸出接線，另一個(gè)連接到緩沖TFT的源區(qū)；選擇TFT的柵極連接到柵信號(hào)線；開關(guān)TFT和選擇TFT的極性是相同的；復(fù)位TFT和選擇TFT中的一個(gè)處于ON狀態(tài)時(shí)，另一個(gè)處于OFF狀態(tài)；從EL元件發(fā)出的光在一個(gè)目標(biāo)上被反射并輻射到光電二極管上；并且由輻射到光電二極管上的光產(chǎn)生的一個(gè)圖像信號(hào)被輸入到傳感器輸出接線。
根據(jù)本發(fā)明提供了一種顯示裝置，它包括在一個(gè)襯底上形成的一個(gè)傳感器部分，傳感器部分具有多個(gè)像素，其特征在于這多個(gè)像素的每一個(gè)都具有一個(gè)光電二極管、一個(gè)EL元件、一個(gè)開關(guān)TFT、一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT、一個(gè)復(fù)位TFT、一個(gè)緩沖TFT和一個(gè)地?fù)馮FT；從EL元件發(fā)出的光是根據(jù)開關(guān)TFT和EL驅(qū)動(dòng)TFT來控制的；并且傳感器部分根據(jù)從EL元件發(fā)出的光來顯示一個(gè)圖像；或者從EL元件發(fā)出的光通過在一個(gè)目標(biāo)上被反射而輻射到光電二極管上，并且根據(jù)光電二極管、復(fù)位TFT、緩沖TFT和選擇TFT，由輻射到光電二極管上的光產(chǎn)生一個(gè)圖像信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明提供了一種區(qū)域傳感器，它包括在一個(gè)襯底上形成的一個(gè)傳感器部分，傳感器部分具有多個(gè)像素，其特征在于這多個(gè)像素的每一個(gè)都具有一條源信號(hào)線；一條柵信號(hào)線；一條電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；一條復(fù)位柵信號(hào)線；一條傳感器柵信號(hào)線；一條傳感器輸出接線，它連接到一個(gè)恒流源；以及一條傳感器電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；開關(guān)TFT的柵極連接到柵信號(hào)線；開關(guān)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到源信號(hào)線，而另一個(gè)連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT的柵極；EL驅(qū)動(dòng)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到電源線，而另一個(gè)連接到EL元件；復(fù)位TFT的源區(qū)連接到傳感器電源線；復(fù)位TFT的漏區(qū)連接到緩沖TFT的柵極和光電二極管；緩沖TFT的漏區(qū)連接到傳感器電源線；選擇TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到傳感器輸出接線，另一個(gè)連接到緩沖TFT的源區(qū)；選擇TFT的柵極連接到傳感器柵信號(hào)線；從EL元件發(fā)出的光是根據(jù)開關(guān)TFT和EL驅(qū)動(dòng)TFT來控制的。
根據(jù)本發(fā)明提供了一種區(qū)域傳感器，它包括在一個(gè)襯底上形成的一個(gè)傳感器部分，傳感器部分具有多個(gè)像素，其特征在于這多個(gè)像素的每一個(gè)都具有一條復(fù)位柵信號(hào)線；一條傳感器柵信號(hào)線；一條傳感器輸出接線，它連接到一個(gè)恒流源；以及一條傳感器電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；開關(guān)TFT的柵極連接到柵信號(hào)線；開關(guān)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到源信號(hào)線，而另一個(gè)連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT的柵極；EL驅(qū)動(dòng)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到電源線，而另一個(gè)連接到EL元件；復(fù)位TFT的源區(qū)連接到傳感器電源線；復(fù)位TFT的漏區(qū)連接到緩沖TFT的柵極和光電二極管；緩沖TFT的漏區(qū)連接到傳感器電源線；選擇TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到傳感器輸出接線，另一個(gè)連接到緩沖TFT的源區(qū)；選擇TFT的柵極連接到傳感器柵信號(hào)線；復(fù)位TFT和選擇TFT中的一個(gè)處于ON狀態(tài)時(shí)，另一個(gè)處于OFF狀態(tài)；從EL元件發(fā)出的光是根據(jù)開關(guān)TFT和EL驅(qū)動(dòng)TFT來控制的。
根據(jù)本發(fā)明提供了一種區(qū)域傳感器，它包括在一個(gè)襯底上形成的一個(gè)傳感器部分，傳感器部分具有多個(gè)像素，其特征在于
這多個(gè)像素的每一個(gè)都具有一條源信號(hào)線；一條柵信號(hào)線；一條電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；一條復(fù)位柵信號(hào)線；一條傳感器柵信號(hào)線；一條傳感器輸出接線，它連接到一個(gè)恒流源；以及一條傳感器電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；開關(guān)TFT的柵極連接到柵信號(hào)線；開關(guān)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到源信號(hào)線，而另一個(gè)連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT的柵極；EL驅(qū)動(dòng)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到電源線，而另一個(gè)連接到EL元件；復(fù)位TFT的源區(qū)連接到傳感器電源線；復(fù)位TFT的漏區(qū)連接到緩沖TFT的柵極和光電二極管；緩沖TFT的漏區(qū)連接到傳感器電源線；選擇TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到傳感器輸出接線，另一個(gè)連接到緩沖TFT的源區(qū)；選擇TFT的柵極連接到柵信號(hào)線；開關(guān)TFT和選擇TFT的極性是相同的。
根據(jù)本發(fā)明提供了一種區(qū)域傳感器，它包括在一個(gè)襯底上形成的一個(gè)傳感器部分，傳感器部分具有多個(gè)像素，其特征在于這多個(gè)像素的每一個(gè)都具有一個(gè)光電二極管、一個(gè)EL元件、一個(gè)開關(guān)TFT、一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT、一個(gè)復(fù)位TFT、一個(gè)緩沖TFT、一個(gè)選擇TFT；一條源信號(hào)線；一條信號(hào)線；一條電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；一條復(fù)位柵信號(hào)線；一條傳感器柵信號(hào)線；一條傳感器輸出接線，它連接到一個(gè)恒流源；以及一條傳感器電源線，用于保持一個(gè)恒定的電位；開關(guān)TFT的柵極連接到柵信號(hào)線；開關(guān)TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到源信號(hào)線，而另一個(gè)連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT的柵極；EL驅(qū)動(dòng)TFF的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到電源線，而另一個(gè)連接到EL元件；復(fù)位TFT的源區(qū)連接到傳感器電源線；
復(fù)位TFT的漏區(qū)連接到緩沖TF的柵極和光電二極管；緩沖TFT的漏區(qū)連接到傳感器電源線；選擇TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到傳感器輸出接線，另一個(gè)連接到緩沖TFT的源區(qū)；選擇TFT的柵極連接到柵信號(hào)線；開關(guān)TFT和選擇TFT的極性是相同的；復(fù)位TFT和選擇TFT中的一個(gè)處于ON狀態(tài)時(shí)，另一個(gè)處于OFF狀態(tài)。
EL元件可以具有一個(gè)陽極、一個(gè)陰極以及在陽極和陰極之間形成的一個(gè)EL層。
當(dāng)EL元件的陽極連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT的源區(qū)或漏區(qū)時(shí)，EL驅(qū)動(dòng)TFT可以是一個(gè)p-溝道TFT。
當(dāng)EL元件的陰極連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT的源區(qū)或漏區(qū)時(shí)，EL驅(qū)動(dòng)TFT可以是一個(gè)n-溝道TFT。
光電二極管可以具有一個(gè)陰極、一個(gè)陽極以及在陽極和陰極之間形成的一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層。
當(dāng)光電二極管的陽極連接到復(fù)位TFT的漏區(qū)時(shí)，復(fù)位TFT可以是一個(gè)n-溝道TFT，而緩沖TFT可以是一個(gè)p-溝TFT。
當(dāng)光電二極管的陰極連接到復(fù)位TFT的漏區(qū)時(shí)，復(fù)位TFT可以是一個(gè)p-溝道TFT，而緩沖TFT可以是一個(gè)n-溝道TFT。
顯示裝置可以具有一個(gè)觸筆和一個(gè)接觸面板。


在附圖中圖1是一個(gè)感器部分的電路圖；圖2是一個(gè)像素的電路部分；圖3是圖像讀入到傳感器部分的時(shí)序圖；圖4是彩色圖像讀入到傳感器部分的時(shí)序圖；圖5是一個(gè)數(shù)字驅(qū)動(dòng)區(qū)域傳感器的俯視圖；圖6是當(dāng)讀入圖像時(shí)EL元件的發(fā)光時(shí)序圖；圖7是當(dāng)顯示圖像時(shí)EL元件的發(fā)光時(shí)序圖；圖8是一個(gè)模擬驅(qū)動(dòng)區(qū)域傳感器的俯視圖；
圖9是當(dāng)讀入圖像時(shí)EL元件的發(fā)光時(shí)序圖；圖10是一個(gè)傳感器部分的剖面圖；圖11是一個(gè)傳感器部分的剖面圖；圖12是一個(gè)傳感器部分的剖面圖；圖13是一個(gè)傳感器部分的剖面圖；圖14A到14D是制造傳感器部分的工藝流程圖；圖15A到15D是制造傳感器部分的工藝流程圖；圖16A到16C是制造傳感器部分的工藝流程圖；圖17A和17B是制造傳感器部分的工藝流程圖；圖18A到18D是制造傳感器部分的工藝流程圖；圖19A到19C是制造傳感器部分的工藝流程圖；圖20A到20C是制造傳感器部分的工藝流程圖；圖21A和21B是制造傳感器部分的工藝流程圖；圖22A和22B是本發(fā)明的區(qū)域傳感器的一個(gè)例子的透視圖，該例子是一個(gè)便攜式手動(dòng)掃描儀；圖23是本發(fā)明的區(qū)域傳感器的一個(gè)子的透視圖，該例子是一個(gè)裝有接觸面板的區(qū)域傳感器；圖24A和24B分別是一個(gè)常規(guī)區(qū)域傳感器的透視圖和剖面圖；圖25是一個(gè)傳感器部分的電路圖；圖26A和26B分別是一個(gè)傳感器部分的源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施方式下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的區(qū)域傳感器的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的區(qū)域傳感器具有一個(gè)用于讀入圖像的傳感器部分和一個(gè)用于控制傳感器部分的驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)部分。圖1示出了本發(fā)明的傳感器部分的電路圖。
在傳感器部分101中形成有源信號(hào)線S1-SX、電源線V1-VX、柵信號(hào)線G1-Gy、復(fù)位柵信號(hào)線RG1-RGy、傳感器柵信號(hào)線SG1-SGy、傳感器輸出接線SS1-SSx以及傳感器電源VB。
傳感器部分101具有多個(gè)像素102。像素102具有源信號(hào)線S1-SX之一、電源線V1-VX之一、柵信號(hào)線G1-Gy之一、復(fù)位柵信號(hào)線RG1-RGy之一、傳感器柵信號(hào)線SG1-SGy之一、傳感器輸出接線SS1-SSx之一以及傳感器電源線VB。
傳感器輸出接線SS1-SSx分別連接到恒流源103_1-103_x。
像素102的詳細(xì)結(jié)構(gòu)如圖2所示。用虛線所圍起來的區(qū)域是像素102。應(yīng)當(dāng)指出的是，源信號(hào)線S表示源信號(hào)線S1-SX之一。另外，電源線V表示電源線V1-VX之一。柵信號(hào)線G表示柵信號(hào)線G1-Gy之一，復(fù)位柵信號(hào)線RG表示復(fù)位柵信號(hào)線RG1-RGy之一。此外，傳感器柵信號(hào)線SG表示傳感器柵信號(hào)線SG1-SGy之一，傳感器輸出接線SS表示傳感器輸出接線SS1-SSx之一。
像素102具有一個(gè)開關(guān)TFT 104、一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT 105和一個(gè)EL元件106。另外，圖2中，在像素102中有一個(gè)電容器107，但是，該電容器107是不必形成的。
EL元件106是由一個(gè)陽極、一個(gè)陰極和一個(gè)在陽極和陰極之間形成的EL層組成的。當(dāng)陽極連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的源區(qū)或漏區(qū)時(shí)，陽極是像素電極而陰極是反向(opposing)電極。反過來，當(dāng)陰極連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的源區(qū)或漏區(qū)時(shí)，陽極是反向電極而陰極是像素電極。
開關(guān)TFT 104的柵極連接到柵信號(hào)線G。開關(guān)TFT 104的源區(qū)和漏區(qū)之一連接到源信號(hào)線S，而另一個(gè)連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的柵極。
EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的源區(qū)和漏區(qū)之一連接到電源線V，而另一個(gè)連接到EL元件106。電容器107連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的柵極和電源線V。
此外，像素102具有一個(gè)復(fù)位TFT 110、一個(gè)緩沖TFT 111、一個(gè)選擇TFT112和一個(gè)光電二極管113。
復(fù)位TFT 110的柵極連接到復(fù)位柵信號(hào)線RG。復(fù)位TFT 110的源區(qū)連接到傳感器電源線VB，并且傳感器電源線VB總是保持著恒定的電位(參考電位)。另外，復(fù)位TFT 110的漏區(qū)連接到光電二極管113和緩沖TFT 111的柵極。
盡管在圖中沒有顯示，光電二極管113具有一個(gè)陰極、一個(gè)陽極和一個(gè)在陽極和陰極之間形成的光電轉(zhuǎn)換層。復(fù)位TFT 110的漏區(qū)根據(jù)具體情況連接到光電二極管113的陽極或陰極。
緩沖TFT 111的漏區(qū)連接到傳感器電源線VB，并且總是保持參考電位。緩沖TFT的源區(qū)連接到選擇TFT 112的源區(qū)或漏區(qū)。
選擇TFT 112的柵極連接到柵信號(hào)線SG。選擇TFT 112的源區(qū)和漏區(qū)之一連接到緩沖TFT 111的源區(qū)，如上所述，并且另一個(gè)連接到傳感器輸出接線SS。傳感器輸出接線SS連接到恒流源103(恒流源103_1-103_x之一)，并且總是流過一個(gè)恒定電流。
下面將采用圖1和圖2描述本發(fā)明的區(qū)域傳感器的驅(qū)動(dòng)方法。
像素102的EL元件106用作區(qū)域傳感器的光源，而開關(guān)TFT 104、EL驅(qū)動(dòng)TFT 105和電容器107控制作為光源的EL元件106的工作。
從EL元件發(fā)出的光被一個(gè)目標(biāo)反射并輻射到像素102的光電二極管113上。光電二極管113將輻射的光轉(zhuǎn)換成具有圖像信息的電信號(hào)。由光電二極管11 3產(chǎn)生的具有圖像信息的電信號(hào)然后通過復(fù)位TFT 110、緩沖TFT 111和選擇TFT 112被區(qū)域傳感器接收作為圖像信號(hào)。
圖3是一個(gè)時(shí)序圖，顯示出復(fù)位TFT 110、緩沖TFT 111和選擇TFT 112的工作。應(yīng)當(dāng)指出的是的是，這里所示的時(shí)序圖是下面這種情況復(fù)位TFT110是一個(gè)n-溝道TFT，緩沖TFT是一個(gè)p-溝道TFT，選擇TFT是一個(gè)n-溝道TFT。在本發(fā)明中，復(fù)位TFT 110、緩沖TFT 111和選擇TFT 112每個(gè)都既可以是n-溝道TFT也可以是p-溝道TFT。不過，復(fù)位TFT 110和緩沖TFT 111最好具有相反的極性。
首先，根據(jù)輸入到復(fù)位柵信號(hào)線RG1的一個(gè)復(fù)位信號(hào)，連接到復(fù)位柵信號(hào)線RG1的第一行像素的復(fù)位TFT 110被置于ON(導(dǎo)通)的狀態(tài)。傳感器電源線VB上的參考電位就因此施加到緩沖TFT 111的柵極上。
另外，根據(jù)輸入到傳感器柵信號(hào)線SG1的一個(gè)傳感器信號(hào)，連接到傳感器柵信號(hào)線SG1的第一行像素的選技TFT 112被置于OFF(關(guān)斷)狀態(tài)。緩沖TFT111的源區(qū)因此保持在這樣一個(gè)電位上，其中從參考電位中減去了緩沖TFT 111的源區(qū)和柵極之間的電位差VGS。應(yīng)當(dāng)指出的是，復(fù)位TFT 110處于ON狀態(tài)的周期在整個(gè)說明書中均稱作復(fù)位周期。
輸入到復(fù)位柵信號(hào)線RG1的復(fù)位信號(hào)的電位隨后發(fā)生改變，并且第一行像素的所有復(fù)位TFT 110被置于OFF狀態(tài)。傳感器電源線VB上的參考電位因此就不再施加到第一行像素的緩沖TFT 111的柵極。應(yīng)當(dāng)指出的是，復(fù)位TFT 110處于OFF的狀態(tài)的周期在整個(gè)說明書中均稱作抽樣周期ST。具體地講，第一行像素的復(fù)位TFT 110處于OFF的狀態(tài)的周期被稱作抽樣周期ST1。
在抽樣周期ST1，輸入到傳感器柵信號(hào)線SG1中的傳感器信號(hào)的電位發(fā)生改變，第一行像素的選擇TFT 112被置于ON狀態(tài)。第一行像素的緩TFT 111的源區(qū)因此就通過選擇TFT 112電連接到傳感器輸出接線SS1。傳感器輸出接線SS1連接到恒流源103_1。因此，緩沖TFT 111起到源極跟隨器的作用，并且源區(qū)和柵極之間的電位差VGS是恒定的。
當(dāng)從EL元件106發(fā)出的光被一個(gè)目標(biāo)反射并輻射到光電二極管113上時(shí)，在抽樣周期ST1中，一個(gè)電流就流經(jīng)光電二極管113。因此，在復(fù)位周期中保持于參考電位的緩沖TFT 111的柵極電位，隨著光電二極管113中產(chǎn)生的電流量而變高。
流經(jīng)光電二極管113的電流是與輻射到光電二極管113的光的強(qiáng)度成比例的，因此在光電二極管113中，目標(biāo)的圖像被轉(zhuǎn)化成一個(gè)電信號(hào)。在光電二極管113中產(chǎn)生的電信號(hào)被輸入到緩沖TFT 111的柵極。
緩沖TFT 111的源區(qū)和柵極之間的電位差VGS總是恒定的，因此，緩沖TFT 111的源區(qū)保持這樣的電位，其中從緩沖TFT 111的柵極電位中減去了VGS。所以，如果緩沖TFT 111的柵極電位發(fā)生變化，緩沖TFT 111的源區(qū)電位也隨之發(fā)生變化。
通過選擇TFT 112，緩沖TFT 111的源區(qū)電位作為一個(gè)圖像信號(hào)被輸入到傳感器輸出接線SS1。
接著，根據(jù)輸入到復(fù)位柵信號(hào)線RG1的復(fù)位信號(hào)，連接到復(fù)位柵信號(hào)線RG1的第一行像素的復(fù)位TFT 110被置于ON狀態(tài)，復(fù)位周期就又開始了。根據(jù)輸入到復(fù)位柵信號(hào)線RG2的復(fù)位信號(hào)，連接到復(fù)位柵信號(hào)線RG2的第二行像素的復(fù)位TFT 110同時(shí)被置于OFF狀態(tài)，并且一個(gè)抽樣周期ST2開始了。
與抽樣周期ST1中產(chǎn)生的情況相似，在抽樣周期ST2中，一個(gè)具有圖像信息的電信號(hào)在光電二極管中產(chǎn)生了，并且圖像信號(hào)被輸入到傳感器輸出接線SS2。
如果上述工作重復(fù)進(jìn)行，當(dāng)抽樣周期STy結(jié)束時(shí)，一個(gè)圖像就作為一個(gè)圖像信號(hào)被讀入了。應(yīng)當(dāng)指出的是，在本說明書中，一個(gè)貫穿所有抽樣周期ST1一STy的周期被稱作傳感器幀周期SF。
另外，必需在每個(gè)抽樣周期中使相應(yīng)像素的EL元件總是在發(fā)光。例如，必需在至少是抽樣周期ST1中使第一行像素的EL元件發(fā)光。應(yīng)當(dāng)指出的是，在傳感器幀周期SF中，所有像素可以是總在發(fā)光的。
還應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于彩色圖像被讀入的區(qū)域傳感器，傳感器部分具有對(duì)應(yīng)于每種顏色R(紅)、G(綠)和B(藍(lán))的像素。對(duì)應(yīng)于每種顏色RGB的這些像素具有與RGB對(duì)應(yīng)的三種EL元件，具有用于發(fā)射白色光的EL元件和對(duì)應(yīng)于RGB的三種濾色器，或具有用于發(fā)射藍(lán)色或藍(lán)綠色光的EL元件和一個(gè)熒光體(熒光彩色轉(zhuǎn)換層，CCM)。
從對(duì)應(yīng)于每種顏色RGB的像素發(fā)出的每種顏色RGB的光被依次輻射到目標(biāo)上。然后被目標(biāo)所反射的每種顏色RGB的光被輻射到像素的光電二極管上，并且對(duì)應(yīng)于每種顏色RGB的圖像信號(hào)被接收到區(qū)域傳感器中。
圖4是一個(gè)時(shí)序圖，它顯示出一個(gè)區(qū)域傳感器的復(fù)位TFT 110、緩沖TFT11 1和選擇TFT 112為讀入彩色圖像時(shí)的工作。應(yīng)當(dāng)指出的是，該時(shí)序圖顯示出這樣一種情況，其中復(fù)位TFT 110是一個(gè)n-溝道TFT，緩沖TFT 111是一個(gè)p-溝道TFT，選擇TFT 112是一個(gè)n-溝道TFT。
所有抽樣周期ST1-STy出現(xiàn)在這樣一個(gè)周期中，其中對(duì)應(yīng)于R的像素的EL元件發(fā)光。在對(duì)應(yīng)于R的像素的EL元件發(fā)光的周期中，貫穿所有抽樣周期ST1-STy的周期被稱作R傳感器幀周期SFr。對(duì)應(yīng)于R的圖像信號(hào)在R傳感器幀周期SFr中被接收到區(qū)域傳感器中。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)應(yīng)于G和B的像素在R傳感器幀周期SFr中是不發(fā)光的。
接下來，所有抽樣周期ST1-STy出現(xiàn)在這樣一個(gè)周期中，其中對(duì)應(yīng)于G的像素的EL元件發(fā)光。在對(duì)應(yīng)于G的像素的EL元件發(fā)光的周期中，貫穿所有抽樣周期ST1-STy的周期被稱作G傳感器幀周期SFg。對(duì)應(yīng)于G的圖像信號(hào)在G傳感器幀周期SFg中被接收到區(qū)域傳感器中。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)應(yīng)于R和B的像素在G傳感器幀周期SFg中是不發(fā)光的。
接下來，所有抽樣周期ST1-STy出現(xiàn)在這樣一個(gè)周期中，其中對(duì)應(yīng)于B的像素的EL元件發(fā)光。在對(duì)應(yīng)于B的像素的EL元件發(fā)光的周期中，貫穿所有抽樣周期ST1-STy的周期被稱作B傳感器幀周期SFb。對(duì)應(yīng)于B的圖像信號(hào)在B傳感器幀周期SFb中被接收到區(qū)域傳感器中。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)應(yīng)于R和G的像素在B傳感器幀周期SFb中是不發(fā)光的。
直到R傳感器幀周期SFr、G傳感器幀周期SFg和B傳感器幀周期SFb全部都出現(xiàn)的周期被稱作傳感器幀周期SF。當(dāng)傳感器幀周期SF結(jié)束時(shí)，一個(gè)彩色圖像可作為一個(gè)圖像信號(hào)被讀入。
另外，必需使對(duì)應(yīng)于每種顏色的像素的EL元件在每個(gè)抽樣周期中總在發(fā)光。例如，在B傳感器幀周期內(nèi)的抽樣周期ST1中，必需使第一行像素的對(duì)應(yīng)于b的像素的EL元件總在發(fā)光。另外，在相應(yīng)的R、G和B傳感器幀周期SFr、SFg和SFb中，對(duì)應(yīng)于每種顏色的像素可以總在發(fā)光。
根據(jù)本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)，光是均勻地輻射到目標(biāo)上的，因此，不會(huì)產(chǎn)生讀入圖像的亮度不均勻。不需要形成與傳感器襯底分離的背景光和光散射板，因此就不需要對(duì)背景光、光散射板、傳感器襯底和目標(biāo)精確地定位。傳感器本身就可以做得更小、更薄和更輕。此外，傳感器本身的機(jī)械強(qiáng)度也得以增強(qiáng)。
另外，采用本發(fā)明的區(qū)域傳感器，可以使用EL元件在傳感器部分中顯示圖像。因此，在區(qū)域傳感器中沒有形成一個(gè)電子顯示器的情況下，就可以在傳感器部分中顯示由傳感器部分讀入的圖像，并且可以就此確認(rèn)讀入圖像。
實(shí)施例下面將描述本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)施例1在實(shí)施例1中描述驅(qū)動(dòng)開關(guān)TFT 104和EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的方法，開關(guān)TFT104和EL驅(qū)動(dòng)TFT 105控制EL元件106的工作，如圖2中所示。應(yīng)當(dāng)指出的是，傳感器部分的結(jié)構(gòu)是與實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)是相同的，因此圖1和圖2被用作參考。
圖5顯示出實(shí)施例1的區(qū)域傳感器的俯視圖。參考數(shù)字120表示源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，參考數(shù)字122表示柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，并且兩者控制開關(guān)TFT 104和EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的驅(qū)動(dòng)。另外，參考數(shù)字121表示傳感器源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，參考數(shù)字123表示傳感器柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，并且兩者控制著復(fù)位TFT 110、緩沖TFT 111和選TFT 112的驅(qū)動(dòng)。應(yīng)當(dāng)指出的是，源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120、柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路122、傳感器源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路121以及傳感器柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路123被稱作一個(gè)驅(qū)動(dòng)部分。
源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120具有一個(gè)移位寄存器120a、一個(gè)鎖存器(A)120b和一個(gè)鎖存器(B)120c。在源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120中，一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)(CLK)和一個(gè)起動(dòng)脈沖(SP)被輸入到移位寄存器120a中。移位寄存器120a根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)(CLK)和起動(dòng)脈沖(SP)按順序發(fā)出定時(shí)信號(hào)，并且定時(shí)信號(hào)被順序地供給下游電路。
應(yīng)當(dāng)指出的是，從移位寄存器120a發(fā)出的定時(shí)信號(hào)可以被諸如緩沖器之類的電路(圖中沒顯示)來緩沖-放大，然后以緩沖-放大的定時(shí)信號(hào)順序地供給下游電路。定時(shí)信號(hào)所供給的接線的負(fù)載電容(寄生電容)是很大的，原因是許多電路和元件都連接到該接線上。緩沖器的形成是為了防止由于大負(fù)載電容所產(chǎn)生的定時(shí)信號(hào)在上升和下降時(shí)的鈍化。
從移位寄存器120a發(fā)出的定時(shí)信號(hào)供給鎖存器(A)120b。為了處理數(shù)字信號(hào)，鎖存器(A)120b具有多個(gè)鎖存級(jí)。在定時(shí)信號(hào)輸入的同時(shí)，鎖存器(A)120b按順序?qū)懭氩⒈３謹(jǐn)?shù)字信號(hào)。
應(yīng)當(dāng)指出的是，當(dāng)數(shù)字信號(hào)被鎖存器(A)120b接收時(shí)，數(shù)字信號(hào)可按順序輸入到鎖存器(A)120b的多個(gè)鎖存級(jí)中。然而，本發(fā)明并不局限于這種結(jié)構(gòu)?？梢赃M(jìn)行所謂的分區(qū)驅(qū)動(dòng)，即，鎖存器(A)120b的多個(gè)鎖存級(jí)被分成許多組，然后數(shù)字信號(hào)在同一時(shí)間被并行地輸入到相應(yīng)的組中。應(yīng)當(dāng)指出的是，此時(shí)組數(shù)被稱作分區(qū)數(shù)。例如，如果鎖存電路各自被分組成4級(jí)，那么，它就稱作4-支分區(qū)驅(qū)動(dòng)。
完成將數(shù)字信號(hào)寫入鎖存器(A)120b的所有鎖存級(jí)所需的時(shí)間被稱作行周期。換句話說，行周期被定義為從數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)寫入左端級(jí)的鎖存電路開始一直到數(shù)字信號(hào)寫入鎖存器(A)120b的右端級(jí)的鎖存電路結(jié)束的時(shí)間間隔。實(shí)際上，上面定義的行周期加上水平回掃周期也可一起被稱作行周期。
在一個(gè)行周期結(jié)束后，鎖存信號(hào)供給鎖存器(B)120c。此時(shí)，寫入鎖存器(A)120b并被其保持的數(shù)字信號(hào)一起被發(fā)送到鎖存器(B)120c中并被寫入其所有的鎖存級(jí)且被保持。
在鎖存器(A)120b完成將數(shù)字信號(hào)發(fā)送到鎖存器(B)120c之后，根據(jù)從移位寄存器120a發(fā)出的定時(shí)信號(hào)，數(shù)字信號(hào)再次順序地寫入鎖存器(A)120b中。
在此第二次的行周期中，寫入鎖存器(B)120c并且由其保持的數(shù)字信號(hào)被輸入到源信號(hào)線S1-Sx。
另一方面，柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路122是由一個(gè)移位寄存器和一個(gè)緩沖器(兩者在圖中都沒有示出)組成的。根據(jù)情況的需要，柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路122除了移位寄存器和緩沖器外還可具有一個(gè)電平移動(dòng)器。
在柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路122中，柵信號(hào)是從移位寄存器(圖中沒有示出)供給緩沖器(圖中也沒有示出)的，并且該信號(hào)供給一條對(duì)應(yīng)的柵信號(hào)線。像素的一行部分的開關(guān)TFT 104的柵極連接到柵信號(hào)線G1-Gy的每一個(gè)上。像素的一行部分的所有開關(guān)TFT 104必須同時(shí)被置于ON狀態(tài)，因此，要使用能夠通過大電流的緩沖器。
應(yīng)當(dāng)指出的是，源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)量、它們的結(jié)構(gòu)以及它們的工作方式都不受實(shí)施例1所示結(jié)構(gòu)的限制。本發(fā)明的區(qū)域傳感器可使用已知的源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和已知的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。
圖6中所示的是在通過數(shù)字方法來驅(qū)動(dòng)傳感器部分的開關(guān)TFT 104和EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的情況下的時(shí)序圖。
傳感器部分101的所有像素都發(fā)光的周期被稱作一個(gè)幀周期F。幀周期被分成一個(gè)地址周期Ta和一個(gè)持續(xù)周期Ts。地址周期是這樣的一個(gè)周期，其中一個(gè)數(shù)字信號(hào)在一個(gè)幀周期中被輸入到所有的像素中。持續(xù)周期(又稱作導(dǎo)通周期)表示這樣的一個(gè)周期，其中，EL元件按照地址周期中輸入到像素中的數(shù)字信號(hào)發(fā)光或不發(fā)光，因此顯示得以執(zhí)行。
電源線V1-Vx的電位保持在一個(gè)預(yù)定的電位(電源電位)上。
首先，在地址周期Ta中，EL元件106的反向電極的電位與電源電位保持在同樣的高度。
然后，根據(jù)輸入到柵信號(hào)線G1的一個(gè)柵信號(hào)，連接到柵信號(hào)線G1的所有開關(guān)TFT 104都導(dǎo)通。一個(gè)數(shù)字信號(hào)隨后從源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120輸入到源信號(hào)線S1-Sx。通過處于ON狀態(tài)的開關(guān)TFT 104，輸入到源信號(hào)線S1-Sx的數(shù)字信號(hào)被輸入到EL驅(qū)動(dòng)TFT1 05的柵極。
接著，根據(jù)輸入到柵信號(hào)線G2的一個(gè)柵信號(hào)，連接到柵信號(hào)線G2的所有開關(guān)TFT 104被置于ON狀態(tài)。數(shù)字信號(hào)隨后從源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120輸入到源信號(hào)線S1-Sx。通過處于ON狀態(tài)的開關(guān)TFT 104，輸入到源信號(hào)線S1-Sx的數(shù)字信號(hào)被輸入到EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的柵極。
上述工作被重復(fù)執(zhí)行直到柵信號(hào)線Gy，數(shù)字信號(hào)被輸入到所有像素102的EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的柵極，這樣地址周期就結(jié)束了。
持續(xù)周期是在地址周期Ta結(jié)束的同時(shí)開始的。在持續(xù)周期中，所有開關(guān)TFT 104被置于OFF狀態(tài)。
然后，在持續(xù)周期開始的同時(shí)，所有EL元件的反向電極的電位與電源電位之間的電位差的高度達(dá)到這樣的水平，即，當(dāng)電源電位施加到像素電極時(shí)，EL元件將會(huì)發(fā)光。應(yīng)當(dāng)指出的是，像素電極與反向電極之間的電位差在本說明書中被稱作EL驅(qū)動(dòng)電壓。另外，根據(jù)輸入到每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)TFT 105的柵極的數(shù)字信號(hào)，驅(qū)動(dòng)TFT 105被置于ON狀態(tài)。因此，電源電位施加到EL元件的像素電極，并且所有像素的EL元件都發(fā)光。
在持續(xù)周期結(jié)束的同時(shí)，一個(gè)幀周期就結(jié)束了。根據(jù)本發(fā)明，像素在所有抽樣周期ST1-Sty中都發(fā)光是必需的。因此，當(dāng)使用實(shí)施例1的數(shù)字驅(qū)動(dòng)方法時(shí)，把傳感器幀周期SF包括在持續(xù)周期中是很重要的。
應(yīng)當(dāng)指出的是，在實(shí)施例1描述的是為讀入單色圖像而驅(qū)動(dòng)區(qū)域傳感器的方法，但讀入彩色圖像的情況是相似的。不過，對(duì)于讀入彩色圖像的區(qū)域傳感器而言，一個(gè)幀周期被分成對(duì)應(yīng)于RGB的三個(gè)子幀周期，并且在每個(gè)子幀周期中都形成一個(gè)地址周期和一個(gè)持續(xù)周期。一個(gè)數(shù)字信號(hào)如此輸入到所有像素中，使得只有對(duì)應(yīng)于R的像素的EL元件發(fā)光，并且只有對(duì)應(yīng)顏色R的EL元件在持續(xù)周期中發(fā)光。對(duì)應(yīng)于G和B的子幀周期是相似的，并且只有對(duì)應(yīng)于相應(yīng)顏色的像素的EL元件在每個(gè)持續(xù)周期中發(fā)光。
對(duì)于讀入彩色圖像的區(qū)域傳感器而言，對(duì)應(yīng)于RGB的三個(gè)子幀周期的每個(gè)持續(xù)周期都分別包含一個(gè)對(duì)應(yīng)R、G和B的傳感器幀周期(SFr、SFg、SFb)是很重要的。
實(shí)施例2在實(shí)施例2中描述當(dāng)在傳感器部分101中顯示一個(gè)圖像時(shí)驅(qū)動(dòng)開關(guān)TFT 104和EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的方法。應(yīng)當(dāng)指出的是，傳感器部分的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)是相同的，因此圖1和圖2可用作參考。
在圖7中所示的是當(dāng)通過數(shù)字方法實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的區(qū)域傳感器的傳感器部分101中的圖像顯示時(shí)的時(shí)序圖。
首先，一個(gè)幀周期F被分成n個(gè)子幀周期SF1-SFn。一個(gè)幀周期的子幀周期的數(shù)量還隨著灰度級(jí)數(shù)的增加而增加。應(yīng)當(dāng)指出的是，當(dāng)區(qū)域傳感器的傳感器部分顯示一個(gè)圖像時(shí)，一個(gè)幀周期F表示這樣一個(gè)周期，其中傳感器部分的所有像素顯示一個(gè)圖像。
對(duì)應(yīng)實(shí)施例2的情況，最好是每秒設(shè)置60個(gè)或更多的幀周期。通過設(shè)定每秒顯示的圖像數(shù)量為60個(gè)或更多，就有可能從視覺上抑制圖像閃爍。
子幀周期被分成一個(gè)地址周期Ta和一個(gè)持續(xù)周期Ts。地址周期是一個(gè)子幀周期內(nèi)的這樣一個(gè)周期，其中一個(gè)數(shù)字視頻信號(hào)輸入到所有像素中。應(yīng)當(dāng)指出的是，數(shù)字視頻信號(hào)是一個(gè)具有圖像信息的數(shù)字信號(hào)。持續(xù)周期(又稱作導(dǎo)通周期)表示這樣一個(gè)周期，其中，根據(jù)地址周期中輸入到像素中的數(shù)字視頻信號(hào)，EL元件被置于發(fā)光或不發(fā)光狀態(tài)，因此顯示得以執(zhí)行。應(yīng)當(dāng)指出的是，數(shù)字視頻信號(hào)表示具有圖像信息的數(shù)字信號(hào)。
SF1-SFn的地址周期Ta被稱作地址周期Ta1-Tan，SF1-SFn的持續(xù)周期Ts被稱作持續(xù)周期Ts1一Tsn。
電源線V1-Vx上的電位保持在一個(gè)預(yù)定的電位(電源電位)上。
首先，在地址周期Ta中，EL元件106的反向電極的電位保持在與電源電位同樣的高度上。
其次，根據(jù)輸入到信號(hào)線G1的一個(gè)柵信號(hào)，連接到柵信號(hào)線G1的所有開關(guān)TFT 104被置于ON狀態(tài)。隨后數(shù)字視頻信號(hào)從源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120輸入到源信號(hào)線S1-Sx。數(shù)字視頻信號(hào)具有“0”或“1”信息，并且“0”或“1”數(shù)字視頻信號(hào)之一是一個(gè)具有“HI(高)”電壓的信號(hào)，而另一個(gè)是一個(gè)具有“LO(低)”電壓的信號(hào)。
然后，通過處在ON狀態(tài)的開關(guān)TFT 104，輸入到源信號(hào)線S1-Sx的數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的柵極。
連接到柵信號(hào)線G1的所有開關(guān)TFT 104都被置于OFF狀態(tài)，并且根據(jù)輸入到柵信號(hào)線G2的一個(gè)柵信號(hào)，連接到柵信號(hào)線G2的所有開關(guān)TFT 104都被置于ON狀態(tài)。隨后數(shù)字視頻信號(hào)從源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120輸入到源信號(hào)線S1-Sx。通過處在ON狀態(tài)的開關(guān)TFT 104，輸入到源信號(hào)線S1-Sx的數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的柵極。
上述工作被重復(fù)執(zhí)行直到柵信號(hào)線Gy，并且數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到所有像素102的EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的柵極，這樣地址周期就結(jié)束了。
在地址周期Ta結(jié)束的同時(shí)，持續(xù)周期Ts開始了。在持續(xù)周期中，所有的開關(guān)TFT 104都處于OFF狀態(tài)。所有EL元件的反向電極的電位與電源電位之間電位差的高度達(dá)到這樣的水平，即，當(dāng)電源電位施加到像素電極時(shí)，EL元件將會(huì)發(fā)光。
當(dāng)數(shù)字視頻信號(hào)具有“0”信息時(shí)，實(shí)施例2中的EL驅(qū)動(dòng)TFT 105被置于OFF狀態(tài)。EL元件的像素電極因此保持在反向電極的電位上。結(jié)果是，當(dāng)具有“0”信息的數(shù)字視頻信號(hào)輸入到像素中時(shí)，EL元件106就不發(fā)光。
另一方面，當(dāng)數(shù)字視頻信號(hào)具有“1”信息時(shí)，EL驅(qū)動(dòng)TFT被置于ON狀態(tài)。從而電源電位就施加到EL元件106的像素電極。結(jié)果是，被輸入具有“1”信息的數(shù)字視頻信號(hào)的像素的EL元件106就發(fā)光。
由此，根據(jù)輸入到像素的數(shù)字視頻信號(hào)的信息，EL元件被置于發(fā)光或不發(fā)光狀態(tài)，因而這些像素實(shí)現(xiàn)了顯示。
在持續(xù)周期結(jié)束的同時(shí)，一個(gè)子幀周期就結(jié)束了。隨后，另一個(gè)子幀周期出現(xiàn)，地址周期就又一次開始了。在數(shù)字視頻信號(hào)輸入到所有像素中后，持續(xù)周期又開始了。應(yīng)當(dāng)指出的是，子幀周期SF1-SFn的出現(xiàn)順序是隨機(jī)的。
然后，相似的工作在剩余的子幀周期中重復(fù)，因此顯示得以執(zhí)行。在所有n個(gè)子幀周期結(jié)束后，一個(gè)圖像就被顯示出來，并且一個(gè)幀周期結(jié)束。當(dāng)一個(gè)幀周期結(jié)束時(shí)，下一個(gè)幀周期的子幀周期就出現(xiàn)了，并且上述的工作就又重復(fù)進(jìn)行。
相應(yīng)n個(gè)子幀周期的地址周期Ta1-Tan的長度在本發(fā)明中都是一樣的。另外，n個(gè)持續(xù)周期Ts1、…、Tsn的長度比率可表示為Ts1∶Ts2∶Ts3∶…∶Ts(n-1)∶Tsn＝20∶2-1∶2-2∶…∶2-(n-2)∶2-(n-1)。
每個(gè)像素的灰度級(jí)是根據(jù)在一個(gè)幀周期的子幀周期中使像素發(fā)光的情況來決定的。例如，當(dāng)n＝8，并且將在所有持續(xù)周期中都發(fā)光的像素的亮度設(shè)為具有100％的值時(shí)，那么在Ts1和Ts2中發(fā)光的像素可表示為75％的亮度，并且對(duì)于選擇Ts3、Ts5和Ts8的情況，可表示為16％的亮度。
應(yīng)當(dāng)指出的是，實(shí)施例1和實(shí)施例2可自由地組合。
實(shí)施例3在實(shí)施例1和2中，在地址周期中反向電極的電位保持與電源電位相同。因此，EL元件不發(fā)光。然而，本發(fā)明不局限于這種結(jié)構(gòu)。如果反向電位與電源電位之間形成的電位差總是在EL元件會(huì)發(fā)光的量級(jí)上，當(dāng)電源電位施如到像素電極時(shí)，與顯示周期相似，在地址周期中顯示同樣可以執(zhí)行。
然而，當(dāng)將其中EL元件被用作區(qū)域傳感器的光源的實(shí)施例1與實(shí)施例3結(jié)合時(shí)，重要的是，傳感器幀周期SF應(yīng)包括在讀入單色圖像的區(qū)域傳感器的幀周期內(nèi)。另外，重要的是，對(duì)應(yīng)于RGB的三個(gè)子幀周期應(yīng)分別包括在讀入彩色圖像的區(qū)域傳感器的R、G和B傳感器幀周期中。
此外，當(dāng)將其中圖像是在傳感器部分顯示的實(shí)施例2與實(shí)施例3結(jié)合時(shí)，整個(gè)子幀周期實(shí)際上成為了一個(gè)執(zhí)行顯示的周期，因此，子幀周期的長度被設(shè)定為SF1∶SF2∶SF3∶…∶SF(n-1)∶SFn＝20∶2-1∶2-2∶…∶2-(n-2)∶2-(n-1)。與地址周期中不發(fā)光的驅(qū)動(dòng)方法相比，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)可獲得具有高亮度的圖像。
實(shí)施例4在實(shí)施例4中描述開關(guān)TFT 104和EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的驅(qū)動(dòng)方法的一個(gè)例于，開關(guān)TFT 104和EL驅(qū)動(dòng)TFT 105通過不同于實(shí)施例1的方法控制如圖2所示的EL元件106的工作。應(yīng)當(dāng)指出的是，傳感器部分的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)相同，因此，圖1和圖2可被用作參考。
圖8中顯示出實(shí)施例4的區(qū)域傳感器的俯視圖。參考數(shù)字130表示源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，參考數(shù)字132表示柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，并且兩者控制開關(guān)TFT 104和EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的驅(qū)動(dòng)。另外，參考數(shù)字131表示傳感器源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，參考數(shù)字133表示傳感器柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，并且兩者控制復(fù)位TFT 110、緩沖TFT 111和選擇TFT 112的驅(qū)動(dòng)。源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路在實(shí)施例4中形成為各自一個(gè)，但本發(fā)明并不局限于此結(jié)構(gòu)。也可以形成兩個(gè)源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。此外，也可以形成兩個(gè)柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。
應(yīng)當(dāng)指出的是，源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路130、柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路132、傳感器源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路131以及傳感器柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路133在整個(gè)說明書中被稱作一個(gè)驅(qū)動(dòng)部分。
源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路130具有一個(gè)移位寄存器130a、一個(gè)電平移動(dòng)器130b以及一個(gè)抽樣電路130c。應(yīng)當(dāng)指出的是，電平移動(dòng)器只在需要時(shí)才使用。另外，實(shí)施例4采用的是其中電平移動(dòng)器形成在移位寄存器130a和抽樣電路130c之間的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明不局限于此結(jié)構(gòu)。也可以采用其中電平移動(dòng)器130b包括在移位寄存器130a內(nèi)的結(jié)構(gòu)。
一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)CLK和一個(gè)起動(dòng)脈沖信號(hào)SP被輸入到源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路130中的移位寄存器130a。一個(gè)抽樣信號(hào)從移位寄存器130a中輸出，以便對(duì)一個(gè)模擬信號(hào)進(jìn)行抽樣。輸出的抽樣信號(hào)被輸入到電平移動(dòng)器130b，并且它的電位幅度被增大而輸出。
從電平移動(dòng)器130b輸出的抽樣信號(hào)被輸入到抽樣電路130c。輸入到抽樣電路130c的模擬信號(hào)隨后由抽樣信號(hào)進(jìn)行抽樣，并被輸入到源信號(hào)線S1-Sx。
另一方面，柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路132具有一個(gè)移位寄存器和一個(gè)緩沖器(兩者在圖中都沒有示出)。另外，根據(jù)情況需要，柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路132除了移位寄存器和緩沖器外還可具有一個(gè)電平移動(dòng)器。
在柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路132中，一個(gè)柵信號(hào)從移位寄存器(圖中沒有示出)供給緩沖器(圖中也沒有示出)，并且這個(gè)(信號(hào))供給對(duì)應(yīng)的柵信號(hào)線。一行像素部分的開關(guān)TFT 104的柵極被連接到柵信號(hào)線G1-Gy，并且一行像素部分的所有開關(guān)TFT 104必須同時(shí)被置于ON狀態(tài)，因此要使用可流過大電流的緩沖器。
應(yīng)當(dāng)指出的是，源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)量、它們的結(jié)構(gòu)以及它們的工作方式都不受實(shí)施例4所示結(jié)構(gòu)的限制。本發(fā)明的區(qū)域傳感器可使用已知的源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和已知的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。
圖9中所示的是在通過模擬方法來驅(qū)動(dòng)傳感器部分的開TFT 104和EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的情況下的時(shí)序圖。傳感器部分的所有像素都發(fā)光的周期被稱作一個(gè)幀周期F。一個(gè)行周期L表示從選擇一條柵信號(hào)線到選擇下一條分離的柵信號(hào)線的周期。在圖2所示的區(qū)域傳感器的情況中，具有y條柵信號(hào)線，所以在一個(gè)幀周期內(nèi)就形成了個(gè)行周期L1-Ly。
一個(gè)幀周期內(nèi)行周期的數(shù)量隨著分辨率的增加而增加，并且驅(qū)動(dòng)電路必須以高頻來驅(qū)動(dòng)。
首先，電源線V1-Vx的電位保持在恒定的電源電位上。反向電位，即EL元件106的反向電極的電位，同樣保持在恒定的電位上。電源電位與反向電位具有一個(gè)電位差，該電位差處于這樣的量級(jí)當(dāng)電源電位施加到EL元件106的像素電極時(shí)，EL元件106將發(fā)光。
在第一個(gè)行周期L1中，根據(jù)從柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路132輸入到柵信號(hào)線G1的一個(gè)柵信號(hào)，連接到柵信號(hào)線G1的所有開關(guān)TFT 104被置于ON狀態(tài)。隨后模擬信號(hào)從源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路130順序地輸入到源信號(hào)線S1-Sx。通過處于ON狀態(tài)的開關(guān)TFT 104，輸入到源信號(hào)線S1-Sx的模擬信號(hào)被輸入到EL驅(qū)動(dòng)TFT105的柵極。
流經(jīng)EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的溝道形成區(qū)的電流的大小，是由輸入到EL驅(qū)動(dòng)TFT105柵極的信號(hào)的電位(電壓)的高度來控制的。因此，施加到EL元件106的像素電極的電位是由輸入到EL驅(qū)動(dòng)TFT 105的柵極的模擬信號(hào)的電位(電壓)的高度確定的。EL元件106是由模擬信號(hào)的電位來控制的，并且執(zhí)行光的發(fā)射。應(yīng)當(dāng)指出的是，在實(shí)施例4的情況中，輸入到所有像素的模擬信號(hào)都保持在具有同等高度的電位上。
當(dāng)模擬信號(hào)向源信號(hào)線S1-Sx的輸入完成時(shí)，第一個(gè)行周期L1就結(jié)束了。應(yīng)當(dāng)指出的是，直到模擬信號(hào)向源信號(hào)線S1-Sx的輸入完成時(shí)的周期可以與一個(gè)水平逆程周期結(jié)合并作為一個(gè)行周期。第二個(gè)行周期L2接著開始，并且連接到柵信號(hào)線G1的所有開關(guān)TFT 104都被置于OFF狀態(tài)。根據(jù)輸入到柵信號(hào)線G2的一個(gè)柵信號(hào)，連接到柵信號(hào)線G2的所有開關(guān)TFT 104隨后都被置于ON狀態(tài)。因此，與第一個(gè)行周期L1相似，模擬信號(hào)按順序輸入到源信號(hào)線S1-Sx。
上述工作重復(fù)執(zhí)行直到柵信號(hào)線Gy，并且所有行周期L1-Ly就結(jié)束了。當(dāng)所有行周期L1-Ly結(jié)束時(shí)，一個(gè)幀周期就結(jié)束了。通過完成一個(gè)幀周期，所有像素的EL元件都發(fā)光。應(yīng)當(dāng)指出的是，所有行周期L1-Ly可以和一個(gè)垂直逆程周期結(jié)合并作為一個(gè)幀周期。
對(duì)于本發(fā)明，必需使像素在所有抽樣周期ST1-STy中都發(fā)光，并且在實(shí)施例4的驅(qū)動(dòng)方法的情況下，傳感器幀周期SF包括在幀周期內(nèi)是重要的。
應(yīng)當(dāng)指出的是，在實(shí)施例4中描述的是為讀入單色圖像而驅(qū)動(dòng)區(qū)域傳感器的方法，但讀入彩色圖像的情況是相似的。不過，對(duì)于讀入彩色圖像的區(qū)域傳感器而言，一個(gè)幀周期被分成對(duì)應(yīng)于RGB的三個(gè)子幀周期。一個(gè)模擬信號(hào)則是如此輸入到所有像素中，即在一個(gè)R子幀周期中只有對(duì)應(yīng)于R的像素的EL元件發(fā)光，因此只有對(duì)應(yīng)顏色R的EL元件發(fā)光。對(duì)應(yīng)G和B的子幀周期是相似的，并且只有對(duì)應(yīng)于相應(yīng)顏色的像素的EL元件發(fā)光。
對(duì)于讀入彩色圖像的區(qū)域傳感器而言，重要的是，對(duì)應(yīng)于RGB的三個(gè)子幀周期的每個(gè)持續(xù)周期分別包括對(duì)應(yīng)于R、G和B傳感器幀周期(SFr、SFg、SFb)。
應(yīng)當(dāng)指出的是，在實(shí)施例4的驅(qū)動(dòng)方法中，對(duì)于在傳感器部分101顯示一個(gè)圖像的情況，如果一個(gè)具有圖像信息的模擬視頻信號(hào)替換該模擬信號(hào)，那么在傳感器部分101中顯示圖像就成為可能的。
實(shí)施例5在實(shí)施例5中對(duì)本發(fā)明的一個(gè)區(qū)域傳感器的剖面圖進(jìn)行說明。
圖10顯示出實(shí)施例5的區(qū)域傳感器的剖面圖。參考數(shù)字401表示一個(gè)開關(guān)TFT，參考數(shù)字402表示一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT，403表示一個(gè)復(fù)位TFT，404表示一個(gè)緩沖TFT，并且參考數(shù)字405表示一個(gè)選擇TFT。
另外，參考數(shù)字406表示一個(gè)陰極，407表示一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層，并且參考數(shù)字408表示一個(gè)陽極。光電二極管421是由陰極406、光電轉(zhuǎn)換層407和陽極408形成的。參考數(shù)字414表示一條傳感器接線，并且傳感器接線連接到陽極408和一個(gè)外部電源。
另外，參考數(shù)字409表示一個(gè)像素電極(陰極)，410表示一個(gè)發(fā)光層，411表示一個(gè)空穴注入層，412表示一個(gè)反向電極(陽極)。一個(gè)EL元件422是由像素電極(陰極)409、發(fā)光層410、空穴注入層411以及反向電極(陽極)412形成的。應(yīng)當(dāng)指出的是，參考數(shù)字413表示一個(gè)觸排(bank)，并且相鄰像素的發(fā)光層10是分離的。
參考數(shù)字423表示一個(gè)目標(biāo)，從EL元件422發(fā)出的光被目標(biāo)423反射并輻射到光電二極管421上。在實(shí)施例5中，目標(biāo)423設(shè)在一個(gè)傳感器襯底430的形成有TFT的一側(cè)。
在實(shí)施例5中，開關(guān)TFT 401、EL驅(qū)動(dòng)TFT 402、緩沖TFT 404以及選擇TFT 405都是n-溝道TFT。另外，復(fù)位TFT 403是一個(gè)p-溝道TFT。應(yīng)當(dāng)指出的是，本發(fā)明不局限于這個(gè)結(jié)構(gòu)。因此，開關(guān)TFT 401、EL驅(qū)動(dòng)TFT 402、緩沖TFT 404、選擇TFT 405以及復(fù)位TFT 403既可以是n-溝道TFT也可以是p-溝道TFT。
不過，當(dāng)EL驅(qū)動(dòng)TFT 402的源區(qū)或漏區(qū)電連接到EL元件的陰極時(shí)，如實(shí)施例5中那樣，EL驅(qū)動(dòng)TFT 402最好是一個(gè)n-溝道TFT。反過來，當(dāng)EL驅(qū)動(dòng)TFT402的源區(qū)或漏區(qū)電連接到EL元件的陽極時(shí)，EL驅(qū)動(dòng)TFT 402最好是一個(gè)p-溝道TFT。
此外，復(fù)位TFT 403的漏區(qū)電連接到光電二極管421的陰極406時(shí)，如實(shí)施例5中那樣，復(fù)位TFT 403最好是一個(gè)p-溝道TFT。反過來，當(dāng)復(fù)位TFT 403的漏區(qū)電連接到光電二極管421的陽極408，并且傳感器接線414連接到陰極406時(shí)，復(fù)位TFT 403最好是一個(gè)n-溝道TFT，而緩沖TFT 404最好是一個(gè)p-溝道TFT。
應(yīng)當(dāng)指出的是，可以將實(shí)施例5與實(shí)施例1-4自由地組合。
實(shí)施例6在實(shí)施例6中對(duì)本發(fā)明的一個(gè)區(qū)域傳感器的剖面圖進(jìn)行說明，該區(qū)域傳感器不同于實(shí)施例5的區(qū)域傳感器。
圖11顯示出實(shí)施例6的區(qū)域傳感器的剖面圖。參考數(shù)字501表示一個(gè)開關(guān)TFF，參考數(shù)字502表示一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT，503表示一個(gè)復(fù)位TFT，504表示一個(gè)緩沖TFT，并且參考數(shù)字505表示一個(gè)選擇TFT。
另外，參考數(shù)字506表示一個(gè)陰極，507表示一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層，并目參考數(shù)字508表示一個(gè)陽極。一個(gè)光電二極管521是由陰極506、光電轉(zhuǎn)換層507以及陽極508形成的。參考數(shù)字514表示一條傳感器接線，并且傳感器接線連接到陽極508和一個(gè)外部電源上。此外，光電二極管521的陰極506和復(fù)位TFT 503的漏區(qū)電連接。
參考數(shù)字509表示一個(gè)像素電極(陽極)，510表示一個(gè)EL層，511表示一個(gè)反向電極(陰極)。一個(gè)EL元件522是由像素電極(陽極)509、EL層510以及反向電極(陰極)511形成的。應(yīng)當(dāng)指出的是，參考數(shù)字512表示一個(gè)觸排，并且相鄰像素的EL層510是分離的。
參考數(shù)字523表示一個(gè)目標(biāo)，從EL元件522發(fā)出的光被目標(biāo)523反射并輻射到光電二極管521上。與實(shí)施例5不同，在實(shí)施例6中目標(biāo)523設(shè)在一個(gè)傳感器襯底530的沒有形成TFT的一側(cè)。
在實(shí)施例6中，開關(guān)TFT 501、緩沖TFT 504以及選擇TFT 505都是n-溝道TFT。此外，EL驅(qū)動(dòng)TFT 502和復(fù)位TFT 503是p-溝道TFT。應(yīng)當(dāng)指出的是，本發(fā)明不局限于這個(gè)結(jié)構(gòu)。因此，開關(guān)TFT 501、EL驅(qū)動(dòng)TFT 502、緩沖TFF504、選擇TFT 505以及復(fù)位TFT 503既可以是n-溝道TFT也可以是p-溝道TFT。
不過，當(dāng)EL驅(qū)動(dòng)TFT 502的源區(qū)或漏區(qū)電連接到EL元件522的陽極509時(shí)，如實(shí)施例6中那樣，EL驅(qū)動(dòng)TFT 502最好是一個(gè)p-溝道TFT。反過來，當(dāng)EL驅(qū)動(dòng)TFT 502的源區(qū)或漏區(qū)電連接到EL元件522的陰極時(shí)，EL驅(qū)動(dòng)TFT 502最好是一個(gè)n-溝道TFT。
此外，當(dāng)復(fù)位TFT 503的漏區(qū)電連接到光電二極管521的陰極506時(shí)，如實(shí)施例6中那樣，復(fù)位TFT 503最好是一個(gè)p-溝道TFT，并且緩沖TFT 504最好是一個(gè)n-溝道TFT。反過來，當(dāng)復(fù)位TFT 503的漏區(qū)電連接到光電二極管521的陽極508，并且傳感器接線514連接到陰極506時(shí)，復(fù)位TFT 503最好是一個(gè)n-溝道TFT，而緩沖TFT 504最好是一個(gè)p-溝道TFT。
應(yīng)當(dāng)指出的是，實(shí)施例6的光電二極管和其他TFT可同時(shí)形成，因此工藝步驟可以減少。
還應(yīng)當(dāng)指出的是，可將實(shí)施例6與實(shí)施例1-4自由地組合。
實(shí)施例7在實(shí)施例7中對(duì)本發(fā)明的一個(gè)區(qū)域傳感器的剖面圖進(jìn)行說明，該區(qū)域傳感器不同于實(shí)施例5和6的區(qū)域傳感器。
圖12顯示出實(shí)施例7的區(qū)域傳感器的剖面圖。參考數(shù)字601表示一個(gè)開關(guān)TFT，參考數(shù)字602表示一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT，603表示一個(gè)復(fù)位TFT，604表示一個(gè)緩沖TFT，并且參考數(shù)字605表示一個(gè)選擇TFT。
另外，參考數(shù)字606表示一個(gè)陰極，607表示一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層，608表示一個(gè)陽極。一個(gè)光電二極管621是由陰極606、光電轉(zhuǎn)換層607以及陽極608形成的。參考數(shù)字614表示一條傳感器接線，并且傳感器接線連接到陽極608和一個(gè)外部電源上。此外，光電二極管621的陰極606和復(fù)位TFT 603的漏區(qū)電連接。
參考數(shù)字609表示一個(gè)像素電極(陽極)，610表示一個(gè)EL層，611表示一個(gè)反向電極(陰極)。一個(gè)EL元件622是由像素電極(陽極)609、EL層610以及反向電極(陰極)611形成的。應(yīng)當(dāng)指出的是，參考數(shù)字612表示一個(gè)觸排，并且相鄰像素的EL層610是分離的。
參考數(shù)字623表示一個(gè)目標(biāo)，從EL元件622發(fā)出的光被目標(biāo)623反射并輻射到光電二極管621上。與實(shí)施例5不同，在實(shí)施例7中目標(biāo)623設(shè)在一個(gè)傳感器襯底630的沒有形成TFT的一側(cè)。
在實(shí)施例7中，開關(guān)TFT 601、緩沖TFT604以及選擇TFT605都是n-溝道TFT。此外，EL驅(qū)動(dòng)TFT602和復(fù)位TFT 603是p-溝道TFT。應(yīng)當(dāng)指出的是，本發(fā)明不局限于這個(gè)結(jié)構(gòu)。因此，開關(guān)TFT 601、，EL驅(qū)動(dòng)TFT 602、緩沖TFT604、選擇TFT 605以及復(fù)位TFT 603既可以是n-溝道TFT也可以是p-溝道TFT。
不過，當(dāng)EL驅(qū)動(dòng)TFT 602的源區(qū)或漏區(qū)電連接到EL元件的陽極時(shí)，如實(shí)施例7中那樣，EL驅(qū)動(dòng)TFT 602最好是一個(gè)p-溝道TFT。反過來，當(dāng)EL驅(qū)動(dòng)TFT602的源區(qū)或漏區(qū)電連接到EL元件的陰極時(shí)，EL驅(qū)動(dòng)TFT 602最好是一個(gè)n-溝道TFT。
此外，當(dāng)復(fù)位TFT 603的漏區(qū)電連接到光電二極管621的陰極606時(shí)，如實(shí)施例7中那樣，復(fù)位TFT 603最好是一個(gè)p-溝道TFT，并且緩沖TFT 604最好是一個(gè)n-溝道TFT。反過來，當(dāng)復(fù)位TFT 603的漏區(qū)電連接到光電二極管621的陽極608，并且傳感器接線614連接到陰極606時(shí)，復(fù)位TFT 603最好是一個(gè)n-溝道TFT，而緩沖TFT 604最好是一個(gè)p-溝道TFT。
應(yīng)當(dāng)指出的是，可以將實(shí)施例7與實(shí)施例1-4自由地組合。
實(shí)施例8在實(shí)施例8中對(duì)本發(fā)明的一個(gè)區(qū)域傳感器的剖面圖進(jìn)行說明，該區(qū)域傳感器不同于實(shí)施例5-7的區(qū)域傳感器。
圖13顯示出實(shí)施例8的區(qū)域傳感器的剖面圖。參考數(shù)字701表示一個(gè)開關(guān)TFT，702表示一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT，703表示一個(gè)復(fù)位TFT，704表示一個(gè)緩沖TFT，705表示一個(gè)選擇TFT。
另外，參考數(shù)字706表示一個(gè)陰極，707表示一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層，708表示一個(gè)陽極。一個(gè)光電二極管721是由陰極706、光電轉(zhuǎn)換層707以及陽極708形成的。參考數(shù)字714表示一條傳感器接線，并且傳感器接線連接到陰極706和一個(gè)外部電源上。此外，光電二極管721的陽極708和復(fù)位TFT 703的漏區(qū)電連接。
參考數(shù)字709表示一個(gè)像素電極(陰極)，710表示一個(gè)發(fā)光層，711表示一個(gè)空穴注入層，712表示一個(gè)反向電極(陽極)。一個(gè)EL元件722是由像素電極(陰極)709、EL層710、空穴注入層711以及反向電極(陽極)712形成的。應(yīng)當(dāng)指出的是，參考數(shù)字713表示一個(gè)觸排，并且相鄰像素的發(fā)光層710是分離的。
參考數(shù)字723表示一個(gè)目標(biāo)，從EL元件722發(fā)出的光被目標(biāo)723反射并輻射到光電二極管721上。在實(shí)施例8中，目標(biāo)723設(shè)在一個(gè)傳感器襯底730的形成有TFT的一側(cè)。
在實(shí)施例8中，開關(guān)TFT 701、EL驅(qū)動(dòng)TFT 702和復(fù)位TFT 703都是n-溝道TFT。此外，緩沖TFT 704和選擇TFT 705是p-溝道TFT。應(yīng)當(dāng)指出的是，本發(fā)明不局限于這個(gè)結(jié)構(gòu)。因此，開關(guān)TFT 701、EL驅(qū)動(dòng)TFT702、緩沖TFT 704、選擇TFT 705以及復(fù)位TFT 703既可以是n-溝道TFT也可以是p-溝道TFT。
不過，當(dāng)EL驅(qū)動(dòng)TFT 702的源區(qū)或漏區(qū)電連接到EL元件722的陰極709時(shí)，如實(shí)施例8中那樣，EL驅(qū)動(dòng)TFT 702最好是一個(gè)n-溝道TFT。反過來，當(dāng)EL驅(qū)動(dòng)TFT 702的源區(qū)或漏區(qū)電連接到EL元件722的陽極712時(shí)，EL驅(qū)動(dòng)TFT 702最好是一個(gè)p-溝道TFT。
此外，復(fù)位TFT 703的漏區(qū)電連接到光電二極管721的陽極708時(shí)，如實(shí)施例8中那樣，復(fù)位TFT 703最好是一個(gè)n-溝道TFT，并且緩沖TFT 704最好是一個(gè)p-溝道TFT。反過來，當(dāng)復(fù)位TFT 703的漏區(qū)電連接到光電二極管721的陰極706，并且傳感器接線714連接到陽極708時(shí)，復(fù)位TFT 703最好是一個(gè)p-溝道TFT，而緩沖TFT 704最好是一個(gè)n-溝道TFT。
應(yīng)當(dāng)指出的是，實(shí)施例8的光電二極管721和其他TFT可同時(shí)形成，因此工藝步驟可以減少。
還應(yīng)當(dāng)指出的是，可將實(shí)施例8與實(shí)施例1-4自由地組合。
實(shí)施例9下面將采用圖14-16描述本發(fā)明的區(qū)域傳感器的傳感器部分的制造方法。
首先，如圖14A所示，在一個(gè)玻璃襯底200上形成厚度為300nm的一層底膜201。在實(shí)施例9中，覆蓋一層氧氮化硅(silicon oxinitride)薄膜作為底膜201。為此，在接觸玻璃襯底200的薄膜中氮的濃度設(shè)定為10到25wt(重量)％是合適的。此外，底膜201具有熱輻射效果是有效的，并且還可設(shè)置一層DLC(類金剛石碳)薄膜。
下一步，通過已知的淀積方法，在底膜201上形成厚度50nm的一層非晶硅薄膜(圖中沒有示出)。應(yīng)當(dāng)指出的是，不必局限于非晶硅薄膜，也可以使用含有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體薄膜(包括微晶半導(dǎo)體薄膜)。此外，還可以使用含有非晶結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體薄膜，諸如非晶鍺-硅薄膜。另外，薄膜的厚度可做成20-100nm。
隨后，通過已知技術(shù)使非晶硅薄膜結(jié)晶，形成一層結(jié)晶硅薄膜(也被稱作多晶硅薄膜)202。作為已知結(jié)晶方法有使用電爐的熱結(jié)晶、使用激光的激光退火結(jié)晶以及使用紅外燈的燈退火結(jié)晶。在實(shí)施例9中，采用準(zhǔn)分子激光(它使用氯化氙(XeCl)氣體)進(jìn)行結(jié)晶。
應(yīng)當(dāng)指出的是，在實(shí)施例9中采用一個(gè)形成為線狀的脈沖發(fā)射準(zhǔn)分子激光，但也可以采用矩形的激光。還可以采用持續(xù)發(fā)射型的氬激光和持續(xù)發(fā)射型的準(zhǔn)分子激光。
在本實(shí)施例中，盡管結(jié)晶硅薄膜被用作TFT的有源層，但也可使用非晶硅薄膜作為有源層。
應(yīng)當(dāng)指出的是，由非晶硅薄膜形成其中需要降低關(guān)斷電流的開關(guān)TFT的有源層和由結(jié)晶硅薄膜形成電流控制TFT的有源層是有效的。由于載流子遷移率低，電流在非晶硅薄膜中難以流動(dòng)，因此關(guān)斷電流不容易流動(dòng)。換句話說，可利用兩者的最大優(yōu)點(diǎn)是，電流難以流過非晶硅薄膜，但電流容易流過結(jié)晶硅薄膜。
下一步，如圖14B所示，在結(jié)晶硅薄膜202上形成一層保護(hù)膜203，保護(hù)膜203是用130nm厚的氧化硅薄膜形成的。該厚度可在100-200nm范圍內(nèi)選擇(最好在130-170nm之間)。另外，也可采用其它薄膜，諸如包含硅的絕緣膜。形成保護(hù)膜203是為了使結(jié)晶硅薄膜在添加雜質(zhì)時(shí)不直接暴露于等離子體，并且這樣可以對(duì)雜質(zhì)的濃度進(jìn)行精確的控制。
隨后在保護(hù)膜203上形成抗蝕劑掩模204a、204b和204c，并且通過保護(hù)膜203添加一種雜質(zhì)元素，這種雜質(zhì)元素賦予n-型電導(dǎo)(以下稱作n-型雜質(zhì)元素)。應(yīng)當(dāng)指出的是，屬于周期表V族的元素通常被用作n-型雜質(zhì)元素，并且典型的情況是可以使用磷或砷。應(yīng)當(dāng)指出的是，采用等離子體摻雜方法，其中，磷化氫(PH3)在不進(jìn)行質(zhì)量分離的情況下被等離子體激發(fā)，并且在實(shí)施例9中磷是以1×1018原子/cm3的濃度來添加的。當(dāng)然，也可以采用離子注入方法，其中要進(jìn)行質(zhì)量分離。
劑量是如此調(diào)節(jié)的在通過該工藝而形成n-型雜質(zhì)區(qū)(b)205a、205b中包含n-型雜質(zhì)元素，其濃度為2×1016-5×1019原子/cm3(典型值處于5×1017和5×1018原子/cm3之間)。
下一步，如圖14C所示，保護(hù)膜203和抗蝕劑掩模204a、204b和204c被去除，并且對(duì)所添加的n-型雜質(zhì)元素進(jìn)行激活?？刹扇∫阎募せ罴夹g(shù)作為激活手段。不過，在實(shí)施例9中的激活是通過準(zhǔn)分子激光的輻射(激光退火)來完成的。當(dāng)然，脈沖發(fā)射準(zhǔn)分子激光和持續(xù)發(fā)射型準(zhǔn)分子激光都可以被采用，并且不必對(duì)使用準(zhǔn)分子激光進(jìn)行任何限制。目的是要激活所添加的雜質(zhì)元素，并且輻射最好在結(jié)晶硅薄膜不熔化的能級(jí)上來進(jìn)行。應(yīng)當(dāng)指出的是，激光輻射也可在保護(hù)膜203存在的情況下進(jìn)行。
除了通過激光來激活雜質(zhì)元素之外，還可以通過熱處理(爐內(nèi)退火)激活雜質(zhì)元素。當(dāng)通過熱處理來激活時(shí)，考慮到襯底的耐熱性，適宜在大約450-550℃的溫度下進(jìn)行熱處理。
通過這個(gè)工藝，在n-型雜質(zhì)區(qū)(b)205a、205b的周邊上劃定了一個(gè)與n-型雜質(zhì)區(qū)(b)205a、205b的端部相連的邊界部分(連接部分)，也就是其中沒有添加n-型雜質(zhì)元素的區(qū)域。這意味著，當(dāng)TFT在以后完成時(shí)，在LDD區(qū)和溝道形成區(qū)之間可形成非常好的連接部分。
接下來，結(jié)晶硅薄膜的不需要部分被去除，如圖14D所示，并且形成島形的半導(dǎo)體薄膜(下稱有源層)206-210。
然后，如圖15A所示，形成一層?xùn)沤^緣膜211，它覆蓋有源層206-210。可以采用這樣一層絕緣膜作為柵絕緣膜211，它包含硅并且其厚度為10-200nm，最好為50-150nm?？刹捎脝螌咏Y(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例9中采用了厚度為110nm的氧氮化硅薄膜。
此后，形成一層厚度為200-400nm的導(dǎo)電膜，并進(jìn)行構(gòu)圖來形成柵極212-216。在實(shí)施例9中，柵極和電連接到柵極用于提供導(dǎo)電路徑的接線(下稱柵極接線)是由同樣的材料制成的。當(dāng)然，柵極和柵極接線可用彼此不同的材料來形成。更具體地講，柵極接線是由具有比柵極低的電阻率的材料做成的。這是因?yàn)?，柵極使用了一種能夠進(jìn)行精細(xì)加工的材料，而柵極接線是由一種能提供較小接線電阻但不適合精細(xì)加工的材料形成的。采用這種結(jié)構(gòu)，柵極接線的接線電阻可做得非常小，因此，可形成具有大的表面積的像素顯示區(qū)(像素部分)。即，當(dāng)實(shí)現(xiàn)具有10英寸或更大的對(duì)角尺寸(此外還有30英寸或更大的對(duì)角尺寸)的傳感器部分的區(qū)域傳感器時(shí)，上述的像素結(jié)構(gòu)是非常有效的。
盡管柵極可由單層導(dǎo)電膜制成，但如需要的話，最好做成兩層或三層的層疊薄膜。任何已知的導(dǎo)電膜都可用作柵極212-216 。
典型的是，可使用由選自下列元素組的一種元素做成的薄膜鋁(Al)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)和硅；上述元素的氮化物薄膜(典型的是氮化鉭薄膜、氮化鎢薄膜或氮化鈦薄膜)；上述元素組合而成的合金薄膜(典型的是Mo-W合金或Mo-Ta合金)；或著上述元素的硅化物薄膜(典型的是硅化鎢薄膜或硅化鈦薄膜)。當(dāng)然，這些薄膜既可以作為單層使用也可以作為疊層使用。
在實(shí)施例9中，采用了厚度為30nm的氮化鎢(WN)薄膜和厚度為370nm的鎢(W)薄膜構(gòu)成的層疊薄膜。這可通過濺射形成。當(dāng)添加一種惰性氣體，諸如Xe或Ne，作為濺射氣體時(shí)，可防止由于應(yīng)力而造成的薄膜剝落。
此時(shí)分別形成柵極213和216，它們通過柵絕緣膜211與n-型雜質(zhì)區(qū)(b)205a和205b的一部分重疊。這個(gè)重疊部分以后將成為重疊于柵極的LDD區(qū)。
下一步，如圖15B所示，以柵極212-216作為掩模，以自調(diào)整方式添加一種n-型雜質(zhì)元素(在實(shí)施例9中使用磷元素)。該添加過程是如此調(diào)節(jié)的磷被添加到由此形成的n-型雜質(zhì)區(qū)(c)217-224，其濃度為n-型雜質(zhì)區(qū)(b)205a和205b的1/10-1/2(典型的是1/4-1/3)。特別是，濃度最好為1×1016-5×1018原子/cm3(典型的是3×1017-3×1018原子/cm3)。
下一步，形成抗蝕劑掩膜225a-225c，它們的形狀能覆蓋柵極212、214和215，如圖15C所示，并且添加一種n-型雜質(zhì)元素(在實(shí)施例9中使用磷元素)，形成含高濃度磷的雜質(zhì)區(qū)(a)226-233。在此也進(jìn)行使用磷化氫(PH3)的離子摻雜，并且這些區(qū)的磷的濃度被調(diào)整而設(shè)定為1×1020-1×1021原子/cm3(典型的是2×1020-5×1020原子/cm3)。
通過該工藝形成了n-溝道TFT的源區(qū)或漏區(qū)，并且在n-溝道TFT中，由圖15B的工藝形成的n-型雜質(zhì)區(qū)(c)217、218、222和223的一部分得以保留。這些保留區(qū)對(duì)應(yīng)于LDD區(qū)。
下一步，如圖15D所示，去除抗蝕劑掩膜225a-225c，并且形成新的抗蝕劑掩膜234a和234b。隨后添加一種p-型雜質(zhì)元素(在實(shí)施例9中使用硼)，形成含高濃度硼的p-型雜質(zhì)區(qū)235和236。通過使用乙硼烷(B2H6)進(jìn)行離子摻雜，在此添加的硼的濃度為3×1020-3×1021原子/cm3(典型的是5×1020-1×1021原子/cm3)。
應(yīng)當(dāng)指出的是，磷已經(jīng)以1×1020-1×1021原子/cm3的濃度添加到雜質(zhì)區(qū)235和236，但在此添加的硼的濃度至少是磷的三倍或更多。因此，已經(jīng)形成的n-型雜質(zhì)區(qū)與p-型完全相反，并且起到p-型雜質(zhì)區(qū)的功能。
下一步，在去除抗蝕劑掩膜234a和234b后，以相應(yīng)濃度添加到有源層的n-型或p-型雜質(zhì)元素被激活?？捎脿t內(nèi)退火、激光退火或燈退火來作為激活的手段。在實(shí)施例9中，熱處理是在一個(gè)電爐中、在氮?dú)夥罩幸?50℃的溫度進(jìn)行4小時(shí)。
此時(shí)，重要的是盡可能將氧從周圍氣氛中去除。這是因?yàn)闁艠O的暴露表面會(huì)被氧化，只要有少量的氧存在，它就會(huì)導(dǎo)致電阻的增加。相應(yīng)地，對(duì)于激活工藝，周圍氣氛中氧的濃度設(shè)定為1ppm或更低，最好為0.1ppm或更低。
下一步，如圖16A所示，形成第一層間絕緣膜237。含有硅的單層絕緣膜被用作第一層間絕緣膜237，或著也可以使用層疊膜。另外，可使用400nm-1.5μm的膜厚度。在實(shí)施例9中使用了一種層疊結(jié)構(gòu)，它由厚度為200nm的氧氮化硅薄膜和其上的厚度為80mm氧化硅薄膜構(gòu)成。
此外，在含有3-100％的氫的氣氛中，在300-450℃溫度下，進(jìn)行1-12小時(shí)的熱處理，實(shí)現(xiàn)氫化。該工藝是通過熱激發(fā)的氫實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜中的懸空鍵的氫端接(終止)。作為另一種氫化方法，也可以進(jìn)行等離子體氫化(使用由等離子體激發(fā)的氫)。
應(yīng)當(dāng)指出的是，氫化工藝也可以插入到第一層間絕緣膜237形成過程中。即，在形成200nm厚的氧氮化硅薄膜后，按上述方式進(jìn)行氫化處理，隨后，形成剩余的800nm厚的氧化硅薄膜。
下一步，在柵絕緣膜211和第一層間絕緣膜237中形成一個(gè)接觸孔，并且形成源極接線238-242和漏極接線243-247。在本實(shí)施例中，這個(gè)電極是由三層結(jié)構(gòu)的層疊薄膜做成的，其中通過濺射連續(xù)形成厚度為100nm的鈦薄膜、含有鈦并且厚度為300nm的鋁薄膜和厚度為150nm的鈦薄膜。當(dāng)然，也可以使用其它導(dǎo)電膜。
隨后形成厚度為50-500nm(典型的是200-300nm)的第一鈍化膜248。在實(shí)施例9中，一層厚度為300nm的氧氮化硅薄膜被用作第一鈍化膜248。這也可以用氮化硅薄膜替代。應(yīng)當(dāng)指出的是，在形成氧氮化硅薄膜之前，使用含有氫的氣體諸如H2或NH3進(jìn)行等離子體處理是有效的。通過這個(gè)預(yù)處理工藝激活的氫供給第一層間絕緣膜237，并且通過進(jìn)行熱處理提高第一鈍化膜248的薄膜質(zhì)量。與此同時(shí)，添加到第一層間絕緣膜237中的氫擴(kuò)散到下側(cè)，于是有源層可被有效地氫化。
下一步，如圖16B所示，形成由有機(jī)樹脂做成的第二層間絕緣膜249。作為有機(jī)樹脂，可使用聚酰亞胺、聚酰按、丙烯、BCB(苯并環(huán)丁烯)或類似的材料。特別是，由于第二層間絕緣膜249主要是用于調(diào)平，那么調(diào)平特性優(yōu)異的丙烯是優(yōu)選的。在本實(shí)施例中，丙烯酸薄膜形成為足夠的厚度以調(diào)平由TFT形成的階梯形部分。這個(gè)厚度適宜做成1-5μm(更適宜做成2-4μm)。
下一步，在第二層間絕緣膜249和第一鈍化膜248中形成一個(gè)觸及漏極接線245的接觸孔，并且形成光接收二極管(光電轉(zhuǎn)換元件)的陰極250，陰極250接觸漏極接線245。在實(shí)施例9中，通過濺射形成的一層鋁薄膜被用作陰極250，但也可以使用其它金屬，例如鈦、鉭、鎢和銅。此外，也可使用由鈦、鋁和鈦?zhàn)龀傻膶盈B薄膜。
在整個(gè)襯底表面上淀積一層含有氫的非晶硅薄膜后，進(jìn)行構(gòu)圖，并且形成一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層251。隨后，在整個(gè)襯底表面上形成一層透明導(dǎo)電膜。在實(shí)施例9中，通過濺射淀積一層200nm厚的ITO薄膜作為透明導(dǎo)電膜。對(duì)透明導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成一個(gè)陽極252(圖16C)。
隨后，如圖17A所示，形成第三層間絕緣膜253。通過使用諸如聚酰亞胺、聚酰胺、氨基聚酰亞胺或丙烯酸之類的樹脂作為第三層間絕緣膜，可獲得一個(gè)平的表面。在實(shí)施例9中，在整個(gè)襯底表面上形成一層厚度為0.7μm的聚酰亞胺薄膜作為第三層間絕緣膜253。
下一步，在第三層間絕緣膜253、第二層間絕緣膜249和第一鈍化膜248中形成一個(gè)觸及漏極接線247的接觸孔，并且形成像素電極255。另外，在第三層間絕緣膜253中形成一個(gè)觸及陽極252的接觸孔，并且形成一條傳感器接線254。在實(shí)施例9中，形成一層厚度為300nm的鋁合金薄膜(包括1wt％的鈦的鋁薄膜)，并且隨后進(jìn)行構(gòu)圖，同時(shí)形成傳感器接線254和像素電極255。然后，如圖17B所示，形成由樹脂材料做成的觸排256。觸排256可通過對(duì)厚度為1-2μm的丙烯酸薄膜或聚酰亞胺薄膜來形成。觸排256在像素間形成為條狀。觸排256可沿著并在源極接線241形成，也可沿著并在柵極接線上(圖中沒有示出)形成。應(yīng)當(dāng)指出的是，可將諸如顏料之類的材料混入形成觸排256的樹脂材料中，觸排256可用作屏蔽膜。
下一步，形成一個(gè)發(fā)光層257。具體地講，一種用于形成發(fā)光層257的有機(jī)EL材料被溶解到一種溶劑中，這種溶劑諸如氯仿、二氯甲烷、二甲苯、甲苯和四氫呋喃，并且隨后被涂敷。此后，進(jìn)行熱處理使該溶劑揮發(fā)。通過這種方式，就形成了一層由該有機(jī)EL材料做成的薄膜(發(fā)光層)。
應(yīng)當(dāng)指出的是，在實(shí)施例9中只描繪了一個(gè)像素。不過，發(fā)紅色光的發(fā)光層、發(fā)綠色光的發(fā)光層和發(fā)藍(lán)色光的發(fā)光層全都在此時(shí)同時(shí)形成。在實(shí)施例9中，氰-聚苯撐乙烯撐被用于形成發(fā)紅色光的發(fā)光層，聚苯撐乙烯撐被用于形成發(fā)綠色光的發(fā)光層，聚烷基苯撐被用于形成發(fā)藍(lán)色光的發(fā)光層。這些發(fā)光層每個(gè)都形成50nm的厚度。此外，1.2二氯甲烷被用作一種溶劑，并且隨后通過在一個(gè)熱盤上以80-150℃的溫度進(jìn)行1-5分鐘的熱處理使其揮發(fā)。
下一步，形成厚度為20nm的空穴注入層258。由于空穴注入層258可以為所有像素共同設(shè)置，因此適宜通過使用旋涂方法或印刷方法來形成空穴注入層。在實(shí)施例9中，聚噻吩(PEDOT)被供給作為一種溶液，并且在一個(gè)熱盤上以100-150℃的溫度進(jìn)行1-5分鐘熱處理，從而蒸發(fā)掉它的水分。在這種情況下，可形成空穴注入層258，同時(shí)不會(huì)溶解發(fā)光層257，因?yàn)榫蹃啽交蚁位蚓弁榛綋问遣豢扇艿摹?br> 可以使用低分子有機(jī)EL材料作為空穴注入層258。在這種情況下，適宜通過蒸發(fā)方法來形成空穴注入層。
在實(shí)施例9中，形成了由發(fā)光層和空穴注入層做成的兩層結(jié)構(gòu)。不過，還可以設(shè)置其它的層，諸如空穴遷移層、電子注入層和電子遷移層。這些層組合的各種層疊結(jié)構(gòu)的例子已有報(bào)導(dǎo)，并且在本發(fā)明中可使用任何一種結(jié)構(gòu)。
在形成發(fā)光層257和空穴注入層258后，形成一個(gè)由透明導(dǎo)電膜做成的厚度為120nm的陽極259，作為一個(gè)反向電極。在實(shí)施例9中，摻雜10-20wt％氧化鋅的氧化銦被用作透明導(dǎo)電膜。作為薄膜淀積方法，最好在室溫下通過蒸發(fā)來形成陽極259，這樣發(fā)光層257和空穴注入層258就不會(huì)受到有害影響。
在形成陽極259后，如圖17B所示，形成第四層間絕緣膜260。通過使用諸如聚酰亞胺、聚酰胺、氨基聚酰亞胺或丙烯酸之類的樹脂作為第四層間絕緣膜，可獲得一個(gè)平的表面。在實(shí)施例9中，在整個(gè)襯底表面上形成厚度為0.7μm的聚酰亞胺薄膜作為第四層間絕緣膜260。
由此，一個(gè)具有如圖17B所示結(jié)構(gòu)的傳感器襯底就完成了。應(yīng)當(dāng)指出的是，在形成觸排256后，對(duì)于直到第四層間絕緣膜60的形成為止的形成薄膜的工藝而言，連續(xù)地并且在不暴露于空氣的情況下使用薄膜淀積設(shè)備的多室方法(或在線方法)是有效的。
參考數(shù)字270顯示出一個(gè)緩沖TFT，271顯示出一個(gè)選擇TFT，272顯示出一個(gè)復(fù)位TFT，273顯示出一個(gè)開關(guān)TFT，274顯示出EL驅(qū)動(dòng)TFT。
在實(shí)施例9中，緩沖TFT270和開關(guān)TFT 273是n-溝道TFT，并且源區(qū)側(cè)和漏區(qū)側(cè)具有LDD區(qū)281-284。應(yīng)當(dāng)指出的是，LDD區(qū)281-284并不通過柵絕緣膜211與柵極212和215重疊。緩沖TFT 270和開關(guān)TFT 273的上述構(gòu)成能盡可能地減少熱載流子注入。
LDD區(qū)283和286只在漏區(qū)側(cè)上形成是考慮到為了減少熱載流子注入和不引起工作速度降低。此外，沒有必要過多關(guān)心選擇TFT 271和EL驅(qū)動(dòng)TFT274的關(guān)斷電流的值，而更重要的問題在于工作速度。因此，對(duì)于LDD區(qū)283和286而言，最好與柵極213和216完全重疊并且盡可能地降低電阻分量。即，應(yīng)當(dāng)消除所謂的偏移。特別是，當(dāng)源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路或柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路以15V-20V來驅(qū)動(dòng)時(shí)，實(shí)施例9中EL驅(qū)動(dòng)TFT 274的上述結(jié)構(gòu)能有效地減少熱載流子注入并且還不會(huì)降低工作速度。
另外，在實(shí)施例9中，復(fù)位TFT 272是p-溝道TFT并且沒有LDD區(qū)。對(duì)于p-溝道TFT而言，幾乎不用考慮由于熱載流子注入所造成的性能降低，因此就不需要特別形成LDD區(qū)。當(dāng)然，為了防止熱載流子，也可以形成與n-溝道TFT相似的一個(gè)LDD區(qū)。另外，復(fù)位TFT272可以是n-溝道TFT。
應(yīng)當(dāng)指出的是，實(shí)際上，在直到圖17B的工藝完成后，為了不暴露于大氣，最好使用具有高氣密性和很少放氣的一層保護(hù)膜(諸如層疊薄膜或紫外線硬化的樹脂薄膜)或一個(gè)透光密封部件來封裝(密封)。如果在密封部件的內(nèi)部充有惰性氣體并且在密封部件內(nèi)設(shè)置有干燥劑(例如氧化鋇)，EL元件的可靠性會(huì)得到提高。
另外，在通過封裝工藝提高了氣密性之后，通過安裝一個(gè)連接器(軟性印刷電路，F(xiàn)PC)，該器件作為一件成品就完成了，所說的連接器用于將從襯底上形成的元件或電路引出的端子與外部信號(hào)端子連接。這種準(zhǔn)備裝運(yùn)的狀態(tài)在整個(gè)說明書中被稱作EL顯示器(EL模塊)。
應(yīng)當(dāng)指出的是，本發(fā)明不局限于上述的制造方法，并且可以采用已知的方法來制造。應(yīng)當(dāng)指出的是，可以將本實(shí)施例9與實(shí)施例1-4組合。
實(shí)施例10使用圖18A-21B描述本發(fā)明中采用的制造區(qū)域傳感器的一種方法。
在圖18A中，襯底300使用的是一種非堿性的玻璃襯底，典型的是，例如，Coming公司的1737玻璃襯底。隨后，在襯底300的將形成TFT的表面上，通過等離子體CVD(化學(xué)汽相淀積)或?yàn)R射方法形成一層底膜301。盡管圖中未示出，底膜301是由厚度為25-100nm(典型的是50nm)的氮化硅薄膜和厚度為50-300nm(典型的是150nm)的氧化硅薄膜形成的。此外，底膜301也可只由氮化硅薄膜或只有氮氧化硅(silicon nitride oxide)薄膜來形成。
下一步，通過等離子體CVD，在底膜301上形成厚度為50nm的非晶硅薄膜。盡管取決于非晶硅薄膜中氫的含量，但通過優(yōu)選在400-550℃的溫度下的幾小時(shí)的熱處理來進(jìn)行脫氫，并且優(yōu)選以等于或少于5原子％的含氫量來進(jìn)行結(jié)晶工藝。另外，非晶硅薄膜也可通過其它制造方法形成，例如，濺射或蒸發(fā)，但薄膜內(nèi)雜質(zhì)元素比如氧或氫的含量最好被充分地降低。
底膜和非晶硅薄膜兩者在此都是通過等離子體CVD來制造的，因此底膜和非晶硅薄膜也可以在真空(環(huán)境)內(nèi)連續(xù)地形成。在形成底膜301后，通過采用一個(gè)不暴露于大氣的工藝，可以防止表面污染，并且可以降低制造的TFT的特性分散。
隨后，使非晶硅薄膜通過已知方法結(jié)晶，從而形成結(jié)晶硅薄膜(也被稱作聚結(jié)晶硅薄膜和多晶硅薄膜)302(參見圖18A)。作為已知的結(jié)晶方法有使用電爐的熱結(jié)晶方法、使用激光的激光退火結(jié)晶方法和使用紅外線的燈退火結(jié)晶方法。在實(shí)施例10中，結(jié)晶是使用從氯化氙(XeCl)氣體發(fā)出的準(zhǔn)分子激光實(shí)現(xiàn)的。
應(yīng)當(dāng)指出的是，在實(shí)施例10中使用的是線狀的脈沖發(fā)射型準(zhǔn)分子激光，但也可使用一個(gè)矩形的激光，并且還可使用持續(xù)發(fā)射型氬激光和持續(xù)發(fā)射型準(zhǔn)分子激光。
另外，在實(shí)施例10中，結(jié)晶硅薄膜302被用作TFT的有源層，但也可使用非晶硅薄膜作為有源層。
應(yīng)當(dāng)指出的是，通過非晶硅薄膜形成其中需要降低關(guān)斷電流的開關(guān)TFT的有源層是有效的，而通過結(jié)晶硅薄膜來形成EL驅(qū)動(dòng)TFT的有源層是有效的。非晶硅薄膜具有低的載流子遷移率，因此電流變得難以流動(dòng)，并且關(guān)斷電流不容易流動(dòng)。換句話說，可以給出的兩者的優(yōu)點(diǎn)是，非晶硅薄膜中電流難以流動(dòng)，而結(jié)晶硅薄膜中電流容易流動(dòng)。
對(duì)由此形成的結(jié)晶硅薄膜302進(jìn)行構(gòu)圖，形成島形的半導(dǎo)體層(下稱有源層)303-308。
下一步，通過以氧化硅或氮化硅為主要成分的材料來形成一層?xùn)沤^緣膜309，它覆蓋有源層303-308。柵絕緣膜309可以由氮氧化硅薄膜形成，它通過等離子體CVD采用N2O和SiH4作為原材料制成，厚度為10-200nm，最好為50-150nm。在此形成的厚度為100nm(參見圖18B)。
隨后，在柵絕緣膜309的表面上形成第一導(dǎo)電膜310和第二導(dǎo)電膜311，第一導(dǎo)電膜310將成為第一柵極，第二導(dǎo)電膜311將成為第二柵極。第一導(dǎo)電膜310可由從硅(Si)和鍺(Ge)中選出的一種元素的半導(dǎo)體薄膜形成，或者由以這兩種元素之一作為主要成分的半導(dǎo)體薄膜形成。另外，第一導(dǎo)電膜310的厚度必須為5-500nm，最好為10-30nm。在此形成20mm厚度的硅薄膜。
可以將一種雜質(zhì)元素添加到用作第一導(dǎo)電膜310的半導(dǎo)體薄膜中，這種雜質(zhì)元素賦予n-型導(dǎo)電或p-型導(dǎo)電。對(duì)于這個(gè)半導(dǎo)體薄膜的制造方法，可采用以下的已知方法。例如，它可采用低壓CVD制造，其中襯底溫度為450-500℃，并且以250SCCM(流量)導(dǎo)入二硅烷(Si2H6)和以300SCCM導(dǎo)入氦(He)。此時(shí)還可同時(shí)混入0.1-2％的PH3到二硅烷中，從而形成n-型半導(dǎo)體薄膜。
將成為第二柵極的第二導(dǎo)電膜311可以由下列一種元素形成鈦、鉭、鎢和鉬，或者由以這些元素之一作為主要成分的化合物形成。這樣做是考慮到要降低柵極的電阻，并且可使用例如鉬-鎢混合物。在比使用的是鉭，并且通過濺射方法來形成200-1000nm的厚度，典型的是400nm。(參見圖18C)。
下一步，使用已知的構(gòu)圖技術(shù)來形成一個(gè)抗蝕劑掩模，并進(jìn)行蝕刻第二導(dǎo)電膜311和形成第二柵極312-317的步驟。第二導(dǎo)電膜311是由鉭薄膜形成的，因此進(jìn)行的是于刻蝕。干刻蝕是按照下列條件進(jìn)行的以80SCCM導(dǎo)入Cl2，壓強(qiáng)為100毫乇，輸入的高頻電功率為500W。由此形成第二柵極312-317，如圖18D所示。
即使在蝕刻后仍有微量的殘留，也可通過SPX清洗液或諸如EKC之類的溶液清洗去除。
此外，第二導(dǎo)電膜311也可通過濕蝕刻來去除。例如，當(dāng)使用鉭時(shí)，它可以由氟蝕刻液很容易地去除。
下一步，進(jìn)行添加n-型雜質(zhì)元素的工藝。該工藝是用于形成LDD區(qū)的一個(gè)工藝。在此使用磷化氫(PH3)進(jìn)行離子摻雜。通過該工藝，磷通過柵絕緣膜309和第一導(dǎo)電膜310添加到有源層303-308中，因此，加速電壓被設(shè)定在相當(dāng)高的80keV。添加到有源層303-308的磷的濃度最好為1×1016-1×1019原子/cm3，在此設(shè)定為1×1018原子/cm3。按上述濃度添加磷的有源層的多個(gè)區(qū)(n-區(qū))320-331就形成了。(參見圖18D)。
磷還被添加到第一導(dǎo)電膜310的不與第二柵極312-317重疊的一個(gè)區(qū)中。這個(gè)區(qū)的磷的濃度沒有特別地規(guī)定，但可獲得降低第一導(dǎo)電層310的電阻率的效果。
下一步，形成n-溝道TFT的區(qū)被抗蝕劑掩模332和334所覆蓋，并且進(jìn)行去除第一導(dǎo)電膜310的一部分的工藝。在此這是通過干刻蝕進(jìn)行的。第一導(dǎo)電膜310是硅，因此干刻蝕是按下列條件進(jìn)行的以50SCCM導(dǎo)入CF4，以45SCCM導(dǎo)入O2，壓強(qiáng)為50毫乇，輸入的高頻電功率為200W。結(jié)果是，第一導(dǎo)電膜的標(biāo)示為336和338的部分以及第一柵極337和339保留下來。
隨后，在形成p-溝道TFT的區(qū)中進(jìn)行添加一種p-型雜質(zhì)元素的工藝。雜質(zhì)元素是使用乙硼烷(B2H6)通過離子摻雜方法添加的。在此，加速電壓同樣被設(shè)定為80keV，并且硼是以2×1020原子/cm3的濃度來添加的。如圖19A所示，高濃度添加硼的雜質(zhì)區(qū)(p+區(qū))340-343就形成了。
此外，抗蝕劑掩模332和334被完全去除，并且形成新的抗蝕劑掩模348-353。隨后，使用抗蝕劑掩模348、349、351和352來蝕刻第一導(dǎo)電膜336和338的部分，并且形成第一導(dǎo)電膜的新的部分354、355和357以及第一柵極356。
隨后進(jìn)行添加一種n-型雜質(zhì)元素的工藝。在此使用磷化氫(PH3)進(jìn)行離子摻雜。磷通過柵絕緣膜309添加到下面的有源層，因此，這個(gè)工藝同樣將加速電壓設(shè)定在相當(dāng)高的80keV。添加有磷的區(qū)(n+區(qū))358-365就形成了。這些區(qū)的磷的濃度與n-區(qū)相比是高的，并且(該濃度)最好為1×1019-1×1021原子/cm3。在此，濃度被設(shè)定為1×1020原子/cm3。(參見圖19B)被抗蝕劑掩模348、349和352覆蓋的n-區(qū)320、321、322、323、328和329由該工藝確定為LDD區(qū)。
此外，抗蝕劑掩模348-353被去除，并且形成新的抗蝕劑掩模366-371。形成抗蝕劑掩模366、367和370的目的是由第一導(dǎo)電膜354、355和357的部分形成第一柵極。通過抗蝕劑掩模的長度，LDD區(qū)可在通過柵絕緣膜309與第一柵極重疊的區(qū)中和不重疊的區(qū)中自由地確定。在確定TFT溝道形成區(qū)的結(jié)構(gòu)時(shí)，抗蝕劑掩模366、367和370的溝道縱向長度對(duì)于形成n-溝道TFT是很重要的(參見圖19C)。
如圖20A所示，第一柵極372、373、359和374就形成了。
下一步，抗蝕劑掩模366-371被去除，并且進(jìn)行形成絕緣膜375和第一層間絕緣膜376的工藝。首先由50nm厚的氮化硅形成絕緣膜375。絕緣膜375是通過等離子體CVD按下列條件形成的以5SCCM導(dǎo)入SiH4，以40SCCM導(dǎo)入NH3，以100SCCM導(dǎo)入N2，壓強(qiáng)為0.7乇，輸入的高頻電功率為300W。接著，按下列條件形成950nm厚的氧化硅薄膜以500SCCM導(dǎo)入TEOS，以50SCCM導(dǎo)入O2，壓強(qiáng)為1乇，輸入的高頻電功率為200W。
隨后進(jìn)行一個(gè)熱處理工藝。為了激活能賦予n-型或p-型導(dǎo)電并且已經(jīng)以各種濃度被添加的雜質(zhì)元素，必需進(jìn)行熱處理工藝。該熱處理工藝可采用使用電熱爐的熱退火、使用上述準(zhǔn)分子激光的激光退火以及使用鹵素?zé)舻目焖贌嵬嘶?RTA)。在此激活工藝是通過熱退火來進(jìn)行的。熱處理工藝是在300-700℃，優(yōu)選350-550℃溫度下，這里是在450℃溫度下，在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行2小時(shí)。
下一步，在第一層間絕緣膜376和絕緣膜375中形成觸及相應(yīng)TFT的源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔，并且形成源極接線377-382和漏極接線383-388。盡管圖中沒有示出，在實(shí)施例10中采用的是三層結(jié)構(gòu)，其中通過濺射方法連續(xù)形成有100nm厚的鈦薄膜、300nm厚的含鈦鋁薄膜和150nm厚的鈦薄膜。(參見圖20B)下一步形成一層鈍化膜390，它覆蓋源極接線377-382、漏極接線383-388以及第一層間絕緣膜376。鈍化膜390是由厚度為50nm的氮化硅薄膜形成的。此外，用有機(jī)樹脂形成厚度約為1000nm的第二層間絕緣膜391。可用作有機(jī)樹脂薄膜的材料諸如聚酰亞胺、丙烯酸和氨基聚酰亞胺。有機(jī)樹脂薄膜有下列優(yōu)點(diǎn)形成薄膜的方法簡單；其固有介電常數(shù)低，因此可減小寄生電容；它具有優(yōu)異的調(diào)平特性。應(yīng)當(dāng)指出的是，也可使用除了上述以外的其它有機(jī)樹脂薄膜。在此使用的是熱聚合型聚酰亞胺，并且在涂敷到襯底上以后，它是通過在300℃溫度下加熱來形成的。(參見圖20C)下一步，在第二層間絕緣膜391和鈍化膜390中形成觸及漏極接線388和386的接觸孔，并且形成像素電極392和傳感器接線393。在實(shí)施例10中，形成厚度為110nm的氧化銦和氧化錫(ITO)薄膜，隨后進(jìn)行構(gòu)圖，從而同時(shí)形成傳感器接線393和像素電極392。此外，也可采用透明導(dǎo)電膜，其中將2-20％的氧化鋅(ZnO)混入到氧化銦中。像素電極392成為EL元件的陽極。(參見圖21A)下一步由樹脂材料形成一個(gè)觸排394。觸排394可通過對(duì)厚度為1-2μm的丙烯酸樹脂薄膜或聚酰亞胺薄膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成。觸排394在像素之間形成為條狀。觸排394可在源極接線381上并沿著它形成，并可以在柵極接線(圖中未示出)上并沿著它形成。應(yīng)當(dāng)指出的是，通過將一種顏料或類似的物質(zhì)混入到形成觸排394的樹脂材料中，觸排394也可用作屏蔽薄膜。
下一步，通過真空蒸發(fā)方法，在不暴露于大氣的情況下，連續(xù)地形成一個(gè)EL層395和一個(gè)陰極(MgAg電極)396。應(yīng)當(dāng)指出的是，EL層395的薄膜厚度可設(shè)為80-200nm(典型的是100-120nm)，而陰極396的厚度可設(shè)為180-300nm(典型的是200-250nm)。還應(yīng)當(dāng)指出的是，在實(shí)施例10的圖中只顯示出一個(gè)像素，但可以同時(shí)形成一個(gè)發(fā)紅色光的EL層、一個(gè)發(fā)綠色光的EL層和一個(gè)發(fā)藍(lán)色光的EL層。
對(duì)于相應(yīng)于紅色的像素、相應(yīng)于綠色的像素和相應(yīng)于藍(lán)色的像素，EL層395和陰極396是順序形成的。不過，EL層395具有較弱的耐溶液性，因而在不使用光刻技術(shù)的情況下，每種顏色必須分別地形成。最好使用一金屬掩模來覆蓋需要的像素的外部區(qū)域，并且僅在所需位置選擇性地形成EL層395和陰極396。
換句話說，一個(gè)掩模首先設(shè)定成覆蓋除了對(duì)應(yīng)于紅色的像素之外的所有像素，并且利用該掩模選擇性地形成用于發(fā)紅色光的EL層和陰極。其次，一個(gè)掩模設(shè)定成覆蓋除了對(duì)應(yīng)于綠色的像素之外的所有像素，并且利用該掩模選擇性地形成用于發(fā)綠色光的EL層和陰極。相似地，一個(gè)掩模設(shè)定成覆蓋除了對(duì)應(yīng)于藍(lán)色的像素之外的所有像素，并且利用該掩模選擇性地形成用于發(fā)藍(lán)色光的EL層和陰極。應(yīng)當(dāng)注意的是，在此指出了使用全部不同的掩模，但同一掩膜還可以再次使用。此外，在針對(duì)所有像素的EL層和陰極都形成之前，工藝的進(jìn)行最好不脫離真空環(huán)境。
應(yīng)當(dāng)指出的是，在實(shí)施例10中，EL層395是一個(gè)單層結(jié)構(gòu)的發(fā)光層，但除了發(fā)光層外，EL層還可具有其它層，諸如空穴遷移層、空穴注入層、電子遷移層和電子注入層。這些組合類型的各種例子已有報(bào)導(dǎo)，并且所有的結(jié)構(gòu)都可以采取。可用一種已知的材料作為EL層395。考慮到EL驅(qū)動(dòng)電壓，最好使用一種已知的有機(jī)材料。此外，在實(shí)施例10中示出了使用MgAg電極來作為EL元件的陰極的例子，但也可使用其它已知材料。
由此，一個(gè)具有如圖21B所示結(jié)構(gòu)的傳感器襯底就完成了。應(yīng)當(dāng)指出的是，使用薄膜形成設(shè)備的多室方法(或在線方法)，在不暴露于大氣的情況下，連續(xù)地進(jìn)行從形成觸排394之后一直到形成陰極396的工藝是有效的。
在實(shí)施例10中，描述了制造傳感器部分的TFT的方法，但驅(qū)動(dòng)部分的TFT也可參照上述工藝同時(shí)在襯底上形成。
參考數(shù)字491表示一個(gè)緩沖TFT，參考數(shù)字492表示一個(gè)選擇TFT，參考數(shù)字493表示一個(gè)復(fù)位TFT，參考數(shù)字494表示一個(gè)光電二極管TFT，參考數(shù)字495表示一個(gè)開關(guān)TFT，參考數(shù)字496表示一個(gè)EL區(qū)動(dòng)TFT。
在實(shí)施例10中，開關(guān)TFT 495采用單柵極結(jié)構(gòu)，但也可以采用雙柵極結(jié)構(gòu)，并且還可以采用具有三個(gè)或更多柵極的多柵極結(jié)構(gòu)。通過將開關(guān)TFT 495做成雙柵極結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)就有效地成為兩個(gè)串聯(lián)的TFT，它具有減小關(guān)斷電流的優(yōu)點(diǎn)。
應(yīng)當(dāng)指出的是，在實(shí)施例10中，在光電二極管494上形成的第一柵極356和第二柵極315保持在這樣一個(gè)電位上，即，當(dāng)光不輻射到光電二極管494上時(shí)，電流不能在形成于陽極498和陰極499之間的光電轉(zhuǎn)換層497中流動(dòng)。
另外，在實(shí)施例10中，在所有TFT中形成的LDD區(qū)不與柵極重疊。當(dāng)一個(gè)源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路或一個(gè)柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路在10V或更低的電壓下被驅(qū)動(dòng)時(shí)，就不用非常擔(dān)心熱載流子注入，因此，實(shí)施例10中的TFT的結(jié)構(gòu)是有效的。
應(yīng)當(dāng)指出的是，實(shí)際上，在直到圖21B的工藝完成之后，最好使用具有高氣密性和很少放氣的一層保護(hù)膜(諸如層疊薄膜或紫外線硬化的樹脂薄膜)和一種透光密封材料，在不暴露于大氣的情況下進(jìn)行封裝(密封)。通過在密封材料內(nèi)部形成惰性氣體氣氛并且在密封材料內(nèi)部設(shè)置干燥劑(例如氧化鋇)，EL元件的可靠性會(huì)得到提高。
另外，在按照封裝工藝或類似工藝提高了氣密性之后，安裝一個(gè)連接器(軟性印刷電路，F(xiàn)PC)，以便將從襯底上形成的元件和電路引出的端子與外部信號(hào)端子連接。這樣就完成了最終的產(chǎn)品。產(chǎn)品準(zhǔn)備發(fā)貨的這種狀態(tài)在整個(gè)說明書中被稱作區(qū)域傳感器。
應(yīng)當(dāng)指出的是，本發(fā)明不局限于上述的制造方法，并且可以采用已知的方法來制造。另外，可以將本實(shí)施例10與實(shí)施例1-4中的任一個(gè)自由地組合。
實(shí)施例11利用圖22A和22B描述一種便攜式手動(dòng)掃描儀，它作為本發(fā)明的區(qū)域傳感器的一個(gè)例子。
圖22A是一種便攜式手動(dòng)掃描儀，并且包括一個(gè)主體901、一個(gè)傳感器部分902、一個(gè)上蓋903、一個(gè)外部接口904和一個(gè)工作開關(guān)905。圖22B是與圖22A相同的便攜式手動(dòng)掃描儀的示意圖，只不過上蓋903是關(guān)閉的。
可以使用本發(fā)明的區(qū)域傳感器來在傳感器部分902中顯示一個(gè)輸入圖像，并且在區(qū)域傳感器中不形成新的電子顯示器的情況下，可以現(xiàn)場校驗(yàn)讀入的圖像。
另外，由區(qū)域傳感器902讀入的圖像信號(hào)可從外部接口904發(fā)送到便攜式手動(dòng)掃描儀的外部，并且可以利用軟件進(jìn)行諸如圖像修正、合成和編輯之類的操作。
應(yīng)當(dāng)指出的是，可以將實(shí)施例11與實(shí)施例1-10中的任一個(gè)自由地組合。
實(shí)施例12利用圖23描述一個(gè)與實(shí)施例11不同的便攜式手動(dòng)掃描儀，它作為本發(fā)明的區(qū)域傳感器的一個(gè)例子。
參考數(shù)字801表示一個(gè)傳感器襯底，參考數(shù)字802表示一個(gè)傳感器部分，參考數(shù)字803表示一個(gè)接觸面板，參考數(shù)字804表示一個(gè)觸筆。接觸面板803具有透光特性，從傳感器部分802發(fā)出的光和輻射到傳感器部分802的光可穿過接觸面板803。一個(gè)目標(biāo)的圖像可通過接觸面板803讀入。另外，當(dāng)一個(gè)圖像顯示在傳感器部分802中時(shí)，通過接觸面板803，就可以看到傳感器部分802上的圖像。
當(dāng)觸筆804接觸到接觸面板803時(shí)，觸筆804與接觸面板803接觸部分的位置上的信息可以被區(qū)域傳感器接收為一個(gè)電子信號(hào)。關(guān)于在實(shí)施例12中所用的接觸面板803和觸筆804，只要接觸面板803具有透光特性，并且觸筆804與接觸面板803接觸部分的位置上的信息可以被區(qū)域傳感器接收為一個(gè)電子信號(hào)，就可以采用已知的接觸面板和觸筆。
具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的區(qū)域傳感器讀入一個(gè)圖像并顯示讀入到傳感器部分802的圖像，而且可通過觸筆804向讀入的圖像中寫入(其它信息)。本發(fā)明的區(qū)域傳感器可進(jìn)行圖像讀入、圖像顯示和向圖像的寫入，所有這些操作都在傳感器部分802中(進(jìn)行)。因此，區(qū)域傳感器本身的尺寸可被壓縮，并且區(qū)域傳感器可做成具有多種功能。
應(yīng)當(dāng)指出的是，可以將實(shí)施例12與實(shí)施例1-10中的任一個(gè)自由地組合。
實(shí)施例13在實(shí)施例13中描述與圖1不同的一種區(qū)域傳感器的傳感器部分的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。
圖25顯示出實(shí)施例13的區(qū)域傳感器的傳感器部分的電路圖。在傳感器部分1001中形成有源信號(hào)線S1-SX、電源線V1-VX、柵信號(hào)線G1-Gy、復(fù)位柵信號(hào)線RG1-RGy、傳感器輸出接線SS1-SSx以及一個(gè)傳感器電源線VB。
傳感器部分1001具有多個(gè)像素1002。像素1002具有源信號(hào)線S1-SX之一、電源線V1-VX之一、柵信號(hào)線G1-Gy之一、復(fù)位柵信號(hào)RG1-RGy之一、傳感器輸出接線SS1-SSx之一以及傳感器電源線VB。
傳感器輸出接線SS1-SSx分別連接到恒流源1003_1-1003_x。
像素1002具有一個(gè)開關(guān)TFT 1004、一個(gè)EL驅(qū)動(dòng)TFT 1005和一個(gè)EL元件1006。另外，在圖25中，在像素1002中有一個(gè)電容器1007，但電容器1007是不必形成的。此外，像素1002具有一個(gè)復(fù)位TFT 1010、一個(gè)緩TFT 1011、一個(gè)選擇TFT 1012和一個(gè)光電二極管1013。
EL元件1006是由一個(gè)陽極、一個(gè)陰極以及在陽極和陰極之間形成的一個(gè)EL層組成的。當(dāng)陽極連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT 1005的源區(qū)或漏區(qū)時(shí)，陽極成為一個(gè)像素電極而陰極成為一個(gè)反向電極。反過來，當(dāng)陰極連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT 1005的源區(qū)或漏區(qū)時(shí)，陽極成為一個(gè)反向電極而陰極成為一個(gè)像素電極。
開關(guān)TFT 1004的柵極連接到柵信號(hào)線G1-Gy。開關(guān)TFT 1004的源區(qū)和漏區(qū)之一連接到源信號(hào)線S，而另一個(gè)連接到EL驅(qū)動(dòng)TFT 1005的柵極。EL驅(qū)動(dòng)TFT 1005的源區(qū)和漏區(qū)之一連接到電源線V1-Vx，而另一個(gè)連接到EL元件1006。電容器1007連接到EL驅(qū)TFT 1005的柵極和電源線V1-Vx。
復(fù)位TFT 1010的柵極連接到復(fù)位柵信號(hào)線RG1-RGx。復(fù)位TFT 1010的源區(qū)連接到傳感器電源線VB，并且傳感器電源線VB總是保持著恒定的電位(標(biāo)準(zhǔn)電位)。另外，復(fù)位TFT 1010的漏區(qū)連接到光電二極管1013和緩沖TFT 1011的柵極。
盡管在圖中沒有示出，光電二極管1013具有一個(gè)陰極、一個(gè)陽極以及在陰極和陽極之間形成的一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層。復(fù)位TFT1010的漏區(qū)連接到光電二極管1013的陽極或陰極。
緩沖TFF 1011的漏區(qū)連接到傳感器電源線VB，并且總是保持標(biāo)準(zhǔn)電位。緩沖TFT 1011的源區(qū)連接到選擇TFT 1012的源區(qū)或漏區(qū)。
選擇TFT012的柵極連接到柵信號(hào)線G1-Gx。選擇TFT 1012的源區(qū)和漏區(qū)之一連接到緩沖TFT 1011的源區(qū)，如上所述，并且另一個(gè)連接到傳感器輸出接線SS1-SSx。傳感器輸出接線SS1-SSx連接到恒流源1003(恒流源1003_1-1003_x)，并且其中流動(dòng)的總是一個(gè)恒定電流。
在實(shí)施例13中，開關(guān)TFT 1004和選擇TFT 1012的極性是一樣的。即，當(dāng)開關(guān)TFT 1004是一個(gè)n-溝道TFT時(shí)，選擇TFT 1012也是一個(gè)n-溝道TFT，當(dāng)開關(guān)TFT 1004是一個(gè)p-溝道TFT時(shí)，選擇TFT1012也是一個(gè)p-溝道TFT。
與圖1中所示的區(qū)域傳感器不同，在實(shí)施例13的區(qū)域傳感器的傳感器部分中，開關(guān)TFT1004的柵極和選擇TFT1012的柵極兩者都連接到柵信號(hào)線G1-Gx。因此，對(duì)于實(shí)施例13的區(qū)域傳感器，每個(gè)像素的EL元件1006發(fā)光的周期與抽樣周期ST1-STn長度相同。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在實(shí)施例13的區(qū)域傳感器中，接線的數(shù)量可比圖1中做得要少。
應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于實(shí)施例13的區(qū)域傳感器，在傳感器部分1001中也可以顯示圖像。
可以將實(shí)施例13的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例3-12的任一個(gè)自由地組合。
實(shí)施例14在實(shí)施例14中描述圖5中所示的傳感器源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路121和傳感器柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路123的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
圖26A顯示出傳感器源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路121的結(jié)構(gòu)。傳感器源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路121具有一個(gè)偏置電路121a、一個(gè)信號(hào)處理電路121b和一個(gè)信號(hào)輸出線驅(qū)動(dòng)電路121c。
偏置電路121a具有一個(gè)恒流源，并與每個(gè)像素的緩沖TFT 111配對(duì)，這形成一個(gè)源極輸出電路。輸入到每條傳感器輸出接線SS的信號(hào)被抽樣，并輸入到下游信號(hào)處理電路121b中。
在信號(hào)處理電路121b中設(shè)有這樣的電路，諸如存儲(chǔ)一次并保持輸入信號(hào)的電路、進(jìn)行模/數(shù)轉(zhuǎn)換的電路和減少噪音的電路等。根據(jù)從信號(hào)輸出線驅(qū)動(dòng)電路121C所輸出的信號(hào)，在信號(hào)處理電路121b中處理的信號(hào)被按順序地輸出到一個(gè)輸出放大電路121d中。
輸出放大電路121d對(duì)從信號(hào)處理電路121b中輸出的信號(hào)進(jìn)行放大。對(duì)于信號(hào)不進(jìn)行放大的情況，就不需要輸出放大電路121d，但現(xiàn)在通常都包括(此電路)。
從輸出放大電路121d輸出的信號(hào)被諸如CPU之類的器件(圖中未顯示)接收。
圖26B顯示出傳感器柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路123的結(jié)構(gòu)。傳感器柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路123具有一個(gè)選擇信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路123a和一個(gè)復(fù)位信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路123b。
選擇信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路123a將一個(gè)信號(hào)按順序地輸入到每條選擇信號(hào)線上，以便其柵極連接到選擇信號(hào)線的每個(gè)選擇TFT 112都將導(dǎo)通。另外，復(fù)位信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路123b將一個(gè)信號(hào)按順序地輸入到每條復(fù)位柵信號(hào)線上，以便其柵極連接到復(fù)位柵信號(hào)線的每個(gè)復(fù)位TFT 110都將導(dǎo)通。
應(yīng)當(dāng)指出的是，在實(shí)施例14中描述了圖5中所示的傳感器源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路121和傳感器柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路123，但圖8中所示的傳感器源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路131和傳感器柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路133也可具有與實(shí)施例14所示的相同的結(jié)構(gòu)。
可以通過與實(shí)施例1-13的任一個(gè)自由地組合來實(shí)現(xiàn)實(shí)施例14。
根據(jù)本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)，因?yàn)楣馐蔷鶆虻剌椛涞侥繕?biāo)上，所以不會(huì)產(chǎn)生讀入圖像的亮度不均勻問題。不需要與傳感器襯底分離地形成背景光和光散射板，因此，與常規(guī)的例子不同，不需要精確地調(diào)節(jié)背景光、光散射板、傳感器襯底和目標(biāo)的位置。傳感器本身的機(jī)械強(qiáng)度也得以增強(qiáng)。進(jìn)一步，可以實(shí)現(xiàn)更小、更薄和更輕的傳感器。
采用本發(fā)明的區(qū)域傳感器，可以使用EL元件在傳感器部分中顯示圖像。因此，在區(qū)域傳感器中不形成新的電子顯示器的情況下，就可以在傳感器部分中顯示由傳感器部分讀入的圖像，并且可以現(xiàn)場校驗(yàn)讀入的圖像。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括襯底；在像素中提供在所述襯底上的光電二極管，所述光電二極管包括陰極、陽極以及提供在陽極和陰極之間的光電轉(zhuǎn)換層；在所述像素中提供在所述襯底上的EL元件；在所述像素中提供在所述襯底上的復(fù)位TFT；在所述像素中提供在所述襯底上的緩沖TFT；在所述像素中提供在所述襯底上的選擇TFT；提供在所述襯底上的復(fù)位柵信號(hào)線；提供在所述襯底上的傳感器柵信號(hào)線；提供在所述襯底上且連接到恒流源的傳感器輸出接線；和提供在所述襯底上用于保持恒定電位的傳感器電源線；其中，復(fù)位TFT的源區(qū)連接到傳感器電源線；復(fù)位TFT的漏區(qū)連接到緩沖TFT的柵極和光電二極管；緩沖TFT的漏區(qū)連接到傳感器電源線；選擇TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到傳感器輸出接線，另一個(gè)連接到緩沖TFT的源區(qū)；選擇TFT的柵極連接到傳感器柵信號(hào)線；光電二極管的陰極連接至復(fù)位TFT的漏區(qū)；所述復(fù)位TFT為p溝道TFT；且所述緩沖TFT為n溝道TFT。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括觸筆和接觸面板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中緩沖TFT的漏區(qū)維持在參考電位。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述光電轉(zhuǎn)換層包括非晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置包括在掃描儀中。
6.一種半導(dǎo)體裝置，包括襯底；在像素中提供在所述襯底上的光電二極管，該光電二極管包括陰極、陽極以及提供在陽極和陰極之間的光電轉(zhuǎn)換層；在所述像素中提供在所述襯底上的EL元件；在所述像素中提供在所述襯底上的復(fù)位TFT；在所述像素中提供在所述襯底上的緩沖TFT；在所述像素中提供在所述襯底上的選擇TFT；提供在所述襯底上的復(fù)位柵信號(hào)線；提供在所述襯底上的傳感器柵信號(hào)線；提供在所述襯底上且連接到恒流源的傳感器輸出接線；和提供在所述襯底上用于保持恒定電位的傳感器電源線；其中，復(fù)位TFT的源區(qū)連接到傳感器電源線；復(fù)位TFT的漏區(qū)連接到緩沖TFT的柵極和光電二極管；緩沖TFT的漏區(qū)連接到傳感器電源線；選擇TFT的源區(qū)和漏區(qū)中的一個(gè)連接到傳感器輸出接線，另一個(gè)連接到緩沖TFT的源區(qū)；選擇TFT的柵極連接到傳感器柵信號(hào)線；光電二極管的陽極連接至復(fù)位TFT的漏區(qū)；所述復(fù)位TFT為n溝道TFT；且所述緩沖TFT為p溝道TFT。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，還包括觸筆和接觸面板。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中緩沖TFT的漏區(qū)維持在參考電位。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述光電轉(zhuǎn)換層包括非晶硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置包括在掃描儀中。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種重量輕、(厚度)薄、尺寸小的附著型區(qū)域傳感器。該區(qū)域傳感器的像素具有作為光源的EL元件和作為光電轉(zhuǎn)換元件的光電二極管。為了控制EL元件和光電二極管的工作，該附著型區(qū)域傳感器使用了TFT。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101090139SQ200710112200
公開日2007年12月19日 申請(qǐng)日期2001年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月31日
發(fā)明者山崎舜平, 小山潤 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所