專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管陣列模塊及其構(gòu)裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管陣列模塊(LED array module)及其構(gòu) 裝方法，尤其涉及一種利用半導(dǎo)體制程(semiconductor process)來(lái)完 成的發(fā)光二極管陣列模塊及其構(gòu)裝方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)打印機(jī)所使用的光學(xué)印表頭，乃以單一激光源，經(jīng)過(guò)一套復(fù) 雜的光學(xué)系統(tǒng)將欲打印的資料以光的訊號(hào)方式轉(zhuǎn)移到感光鼓，在感光 鼓上形成靜電潛像，經(jīng)碳粉吸附、轉(zhuǎn)寫(xiě)、熱壓、除電等步驟，以達(dá)到 打印的需求。然而，激光印表頭卻因?yàn)槠涔鈱W(xué)元件多、機(jī)構(gòu)復(fù)雜且光 程(optical path)較長(zhǎng)，而使得激光打印機(jī)在結(jié)構(gòu)上存在著無(wú)法進(jìn)一步 體積縮小的問(wèn)題。因此，目前打印機(jī)設(shè)計(jì)者常使用發(fā)光二極管(LED) 的光源來(lái)替代激光光源，以簡(jiǎn)化傳統(tǒng)過(guò)于復(fù)雜的光學(xué)機(jī)構(gòu)。在發(fā)光二極管打印技術(shù)中，若要提高分辨率(resolution)的話(huà)， 則需要更小尺寸的發(fā)光二極管元件，以使得在相同的打印機(jī)頭體積下， 可容納更多的發(fā)光二極管。然而，在傳統(tǒng)構(gòu)裝方法中，首先需要通過(guò) 高精度的粘晶設(shè)備將發(fā)光二極管陣列(LED array)與驅(qū)動(dòng)集成電路陣 列(drive IC array)精確的平行置放于印刷電路板上；接著在導(dǎo)線(xiàn)接合 步驟中，以A4尺寸600dpi為例，需要通過(guò)約5000條導(dǎo)線(xiàn)以電性連接 于每一個(gè)發(fā)光二極管陣列與每一個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路陣列之間，以使得每一個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路能以電性驅(qū)動(dòng)每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管。因此，已知技術(shù)的構(gòu)裝方法，由于打線(xiàn)的條數(shù)及密度太高，將導(dǎo) 致生產(chǎn)效率不佳及制程難度增加的困擾，因而造成產(chǎn)品良率降低及制 造成本增加。此外，隨著市場(chǎng)上的需求，使用者對(duì)分辨率的要求越來(lái)越高，因此發(fā)光二極管元件會(huì)做得越來(lái)越小，而造成打線(xiàn)接合制程會(huì) 更加的困難。由此，本發(fā)明人提出一種設(shè)計(jì)架構(gòu)，不僅改善已知技術(shù)電性連接 良率低、成本高的困窘，進(jìn)而提升產(chǎn)品分辨率高性能的發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題，在于提供一種發(fā)光二極管陣列模塊 及其構(gòu)裝方法，并且本發(fā)明的發(fā)光二極管陣列模塊為一種光輸出模塊， 其可應(yīng)用在電子照相術(shù)的打印機(jī)中。此外，本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)在于先在一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)上干蝕 刻至少一凹槽，然后將一發(fā)光元件陣列(例如發(fā)光二極管陣列)置放入此凹槽內(nèi)，最后再以半導(dǎo)體制程達(dá)成600dpi 1200dpi高密度的電性連接。因此，本發(fā)明可縮小產(chǎn)品尺寸、降低材料成本、及降低因高 密度電性連接所需的生產(chǎn)成本。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種發(fā)光二極管陣列模塊，其包括 一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)、至少一發(fā)光二 極管陣列、 一粘著元件、及一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。其中，該驅(qū)動(dòng)集成電路 結(jié)構(gòu)的上端具有至少一凹槽。該至少一發(fā)光二極管陣列容置于該至少 一凹槽內(nèi)。該粘著元件設(shè)置于該至少一發(fā)光二極管陣列與該驅(qū)動(dòng)集成 電路結(jié)構(gòu)之間。該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該 至少一發(fā)光二極管陣列之間。再者，該發(fā)光二極管陣列模塊可設(shè)置于一具有至少一輸出/輸入 焊墊的電路板上，并且通過(guò)一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以使得該驅(qū)動(dòng)集成電路 結(jié)構(gòu)及該至少一輸出/輸入焊墊之間產(chǎn)生電性連接。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種發(fā)光二極管陣列模塊的構(gòu)裝方法，其步驟包括首先，成形至少一凹 槽于一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)上；然后，設(shè)置至少一發(fā)光二極管陣列于該 至少一凹槽內(nèi)；最后，通過(guò)半導(dǎo)體制程，以成形一電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該至少一發(fā)光二極管陣列之間的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。其中，該設(shè)置至少一發(fā)光二極管陣列于該至少一凹槽內(nèi)的步驟前， 更進(jìn)一步包括成形一粘著元件于該至少一發(fā)光二極管陣列的下表面 或成形一粘著元件于該至少一凹槽的底面，以使得該粘著元件設(shè)置于 該至少一發(fā)光二極管陣列與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)之間。再者，該成形該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟中，更進(jìn)一步包括首先， 形成一第一絕緣層于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該至少一發(fā)光二極管陣列 上；然后，圖案化該第一絕緣層，以形成一用于覆蓋該至少一發(fā)光二 極管陣列與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)之間的寬度間隙及曝露出這些驅(qū)動(dòng)集 成電路焊墊與這些發(fā)光二極管焊墊的第一圖案化絕緣層；接著，形成 一第二絕緣層于該第一圖案化絕緣層上，并且該第二絕緣層覆蓋這些 驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊與這些發(fā)光二極管焊墊。接下來(lái)，圖案化該第二絕緣層，以形成一與該第一圖案化絕緣層 相互配合而再次曝露出這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊及這些發(fā)光二極管焊墊 的第二圖案化絕緣層；然后，形成多個(gè)分別電性連接于這些驅(qū)動(dòng)集成 電路焊墊及這些發(fā)光二極管焊墊之間的導(dǎo)電元件；最后，移除該第二 圖案化絕緣層及一部分成形于該至少一發(fā)光二極管陣列上的第一圖案 化絕緣層，以形成一構(gòu)裝完成的發(fā)光二極管陣列模塊。此外，該成形該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟后，更進(jìn)一步包括首先，設(shè)置 該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)于一電路板上，其中該電路板具有至少一輸出/ 輸入焊墊；然后，形成一電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該至少一 輸出/輸入焊墊之間的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明通過(guò)半導(dǎo)體制程來(lái)制作該至少一發(fā)光二極管陣列與 該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)之間的電性連接，而非如傳統(tǒng)制程一樣采用一根 一根進(jìn)行打線(xiàn)接合，因此本發(fā)明不僅具有縮小產(chǎn)品尺寸及降低制造成 本的優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明還具有因使用半導(dǎo)體制程而增加生產(chǎn)速度的優(yōu)點(diǎn)。為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段 及功效，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，相信本發(fā)明的目 的、特征與特點(diǎn)，當(dāng)可由此得一深入且具體的了解，然而所示附圖僅 提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。


圖1為本發(fā)明發(fā)光二極管陣列模塊的構(gòu)裝方法的流程圖；圖2為已圖案化的晶圓的示意圖； 圖3為圖2中A的放大圖； 圖4為圖3中4一4的剖面圖；以及圖5A1至圖5 I分別為本發(fā)明發(fā)光二極管陣列模塊的構(gòu)裝方法的 流程示意圖。圖中符號(hào)說(shuō)明P 發(fā)光二極管陣列模塊1 驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu) 10a 電源焊墊 11 凹槽 110 底面2 粘著元件3 發(fā)光二極管陣列 300 下表面 31 發(fā)光二極管晶粒310 正極端311 負(fù)極端10驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊30發(fā)光二極管悍墊4 第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)5 電路板6 第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu) G 寬度間隙 Ll 第一絕緣層 L10 第一圖案化絕緣層 L2 第二絕緣層 L20 第二圖案化絕緣層 M 光罩 U 紫外光 W 晶圓具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1至圖4、及圖5A1至圖5I所示，其中圖1為本發(fā)明 發(fā)光二極管陣列模塊(LED array module)的構(gòu)裝方法的流程圖；圖3 為圖2中A的放大圖；圖4為圖3中4-4的剖面圖；圖5A1圖至圖5 I圖分別為本發(fā)明發(fā)光二極管陣列模塊(LED array module)的構(gòu)裝方 法的流程示意圖。由圖1的流程圖可知，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管陣列模塊(LED array module)的構(gòu)裝方法，其步驟包括首先，請(qǐng)配合圖2至圖4所 示，提供一已圖案化(patterned)的晶圓(wafer) W，其中該晶圓W 具有多個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)(drive IC structure) 1，并且每一個(gè)驅(qū)動(dòng)集 成電路結(jié)構(gòu)1具有多個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) 10 (S100); 然后，成形至少一凹槽(concave groove) 11于每一個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié) 構(gòu)l上(S102)。其中，這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) 10排 列成一直線(xiàn)形狀(line-sh叩ed)，并且該至少一凹槽11可由干式蝕刻(dry etching)、濕式蝕亥U (wet etching)、機(jī)械力口工(machining)、 或任何成形方式，以形成于相對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)l上。1040導(dǎo)電元件50輸出/輸入焊墊接下來(lái)，圖5A1至圖5 I皆針對(duì)每一個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1進(jìn)行 描述。亦即，下列所描述的步驟S104a至步驟S118為針對(duì)每一個(gè)驅(qū)動(dòng) 集成電路結(jié)構(gòu)1來(lái)進(jìn)行描述的步驟S 。首先，請(qǐng)配合圖5A1所示，成形一粘著元件(adhesive element) 2于至少一發(fā)光二極管陣列3的下表面(lower surface) 300 (S104a)。 或者，請(qǐng)配合圖5A2所示，該步驟S104a可更換為成形一粘著元件 (adhesive element) 2于該至少一凹槽11的底面(base surface) 110 (S104b)。其中，該粘著元件2可為一銀膠(silver adhesive)、聚合 物(polymide)、或任何具有粘性的膠體。然后，請(qǐng)配合圖5B1及圖5B2所示(圖5B1圖為剖面圖；圖5B2 為俯視圖)，設(shè)置該至少一發(fā)光二極管陣列(LED array) 3于該至少 一凹槽ll內(nèi)，其中該至少一發(fā)光二極管陣列3具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)這些驅(qū) 動(dòng)集成電路焊墊10的發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 30及多個(gè)分別電性 連接于這些發(fā)光二極管焊墊(LED pad)30的發(fā)光二極管晶粒(LED die) 31 (S106)，以使得該粘著元件2設(shè)置于該至少一發(fā)光二極管陣列3 與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1之間。再者，該至少一發(fā)光二極管陣列3與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1之間 形成兩個(gè)寬度間隙(width gap) G。其中，該至少一發(fā)光二極管陣列3 與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1之間的兩個(gè)寬度間隙G的寬度分別介于5~10 微米(/mi)，并且該至少一發(fā)光二極管陣列3與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu) l之間的縱向高度(longitudinal height)約為10微米(/xm)左右。此 外，這些發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 30排列成與這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊 墊(drive IC pad) IO相同的一直線(xiàn)形狀(line-shaped)，并且每一個(gè)發(fā) 光二極管晶粒31的正極端310及負(fù)極端311分別電性連接于兩個(gè)相對(duì) 應(yīng)的發(fā)光二極管焊墊30。接下來(lái)，請(qǐng)配合圖5C所示，形成一第一絕緣層(first insulative成電路結(jié)構(gòu)1及該至少一發(fā)光二極管陣列3上(S108)，其中該第一絕緣層為一正光阻層(positive photo resist)。 亦即，該正光阻層分別通過(guò)涂布(coating)及預(yù)烤(pre-cure)步驟而 成形在該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1及該至少一發(fā)光二極管陣列3上。接下來(lái)，請(qǐng)配合圖5D，圖案化(patterning)該第一絕緣層Ll， 以形成一用于覆蓋該至少一發(fā)光二極管陣列3與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 之間的寬度間隙(width gap) G及曝露出這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive ICpad) IO與這些發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 30的第一圖案化絕緣層 (patterned insulative layer) L 10 (S110)。換言之，通過(guò)一具有預(yù)定 圖案的光罩(mask) M遮避該第一絕緣層L1并配合紫外光U照射該第 一絕緣層L1，以產(chǎn)生該用于覆蓋該至少一發(fā)光二極管陣列3與該驅(qū)動(dòng) 集成電路結(jié)構(gòu)1之間的寬度間隙(width gap) G及曝露出這些驅(qū)動(dòng)集 成電路焊墊(drive IC pad) 10與這些發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 30 的第一圖案化絕緣層(patterned insulative layer) L 10。接下來(lái)，請(qǐng)配合圖5E所示，形成一第二絕緣層(second insulative layer) L 2于該第一 圖案化絕緣層L 10上，并且該第二絕緣層L2覆蓋 這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) 10與這些發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 30 (S112);緊接著，請(qǐng)配合圖5F所示，圖案化(patterning)該第二絕緣層L 2 (與圖5D1的方式相同，通過(guò)一具有預(yù)定圖案的光罩(圖未示)與紫 外光照射的配合)，以形成一與該第一圖案化絕緣層LIO相互配合而 再次曝露出這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive ICpad) IO及這些發(fā)光二極 管焊墊(LED pad) 30的第二圖案化絕緣層(second patterned insulative layer) L 20 (S114)。因此，通過(guò)該第一圖案化絕緣層L 10與該第二 圖案化絕緣層L20的配合，以形成多個(gè)連通于這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊 (drive IC pad) 10及這些發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 30之間的"n 字型'，凹槽(concave groove)。然后，請(qǐng)配合圖5G1及圖5G2所示(圖5G1為剖面圖；圖5G2 為俯視圖)，形成多個(gè)分別電性連接于這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) 10及這些發(fā)光二極管悍墊(LED pad) 30之間的導(dǎo)電元件 (conductive element) 40 (SI 16)。亦艮卩，通過(guò)蒸鍍(vapor plating)、 濺鍍(sputtering)、噴涂(spray)或涂布(coating)的方式，以成形 一電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1及該至少一發(fā)光二極管陣列3之 間的第 一 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(first conductive structure) 4 ，并且該第 一 導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 4由這些導(dǎo)電元件40所組成。接著，請(qǐng)配合圖5H所示，移除該第二圖案化絕緣層L2及一部分 成形于該至少一發(fā)光二極管陣列3上的第一圖案化絕緣層L10 (為了 能使該至少一發(fā)光二極管陣列3的這些發(fā)光二極管晶粒31曝露出來(lái))， 以形成一構(gòu)裝完成的發(fā)光二極管陣列模塊(LED array module) P (S118)。接下來(lái)，該步驟S118之后，將每一個(gè)構(gòu)裝完成的發(fā)光二極管陣列 模塊P從該晶圓W切割下來(lái)(S120)。緊接著，請(qǐng)配合圖5I所示，設(shè)置該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1于一電 路板(PCB) 5上，其中該電路板5具有至少一輸出/輸入焊墊(input/output pad) 50 (S122)，(圖5 I揭露出二個(gè)輸出/輸入焊墊 50);最后，形成一電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1及該至少一輸 出/輸入焊墊50之間的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(second conductive structure) 6(S124)(圖5 I揭露出二個(gè)第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)6)，其中該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 6通過(guò)一打線(xiàn)(wire-bounding)方式，以電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié) 構(gòu)i的其中一電源焊墊(power pad) 10 a及該至少一輸出/輸入焊墊 50之間(圖5 I揭露出二組相對(duì)應(yīng)的電源焊墊10a及該輸出/輸入焊 墊50)。換言之，由圖5I可知，該構(gòu)裝完成的發(fā)光二極管陣列模塊(LED arraymodule) P包括該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)l、該粘著元件2、該至少 一發(fā)光二極管陣列3、及該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4。其中，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié) 構(gòu)1的上端具有至少一凹槽11及多個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive ICpad) 10。該至少一發(fā)光二極管陣列3容置于該至少一凹槽11內(nèi)，并且該至 少一發(fā)光二極管陣列3具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊10的發(fā) 光二極管焊墊(LED pad) 30及多個(gè)分別電性連接于這些發(fā)光二極管焊 墊(LED pad) 30的發(fā)光二極管晶粒(LED die) 31。該粘著元件2設(shè) 置于該至少一發(fā)光二極管陣列3與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1之間。該第 一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)4電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1及該至少一發(fā)光二極 管陣列3之間(這些導(dǎo)電結(jié)構(gòu)40分別電性連接于這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊 墊(drive IC pad) 10及這些發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 30之間)。再者，該構(gòu)裝發(fā)光二極管陣列模塊(LED array module) P可設(shè)置 于該具有至少一輸出/輸入焊墊(i叩ut/outputpad) 50的電路板(PCB) 5上，并且通過(guò)該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(second conductive structure) 6，以使 得該電源焊墊(power pad) 10 a及該至少一輸出/輸入焊墊50之間產(chǎn) 生電性連接。此外，上述這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) IO可以彼此交 錯(cuò)的(interlaced)方式排列而成，并且上述這些發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 30亦可以彼此交錯(cuò)的(interlaced)方式排列而成。因此，該至少 一發(fā)光二極管陣列3的多個(gè)發(fā)光二極管晶粒31可以較緊密(compact) 的方式排列在一起。綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管陣列模塊P為一種光輸出模塊 (light exposure module)，其可應(yīng)用在電子照相術(shù)(Electrophotography, EPG)打印機(jī)中。此外，本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)在于先在該驅(qū)動(dòng)集成電路 結(jié)構(gòu)(drive IC structure) 1上干蝕刻該至少一凹槽11，然后將該發(fā)光 二極管陣列(LED array)置放入此凹槽11內(nèi)，最后再以半導(dǎo)體制程達(dá)成600dpi 1200dpi (dots per inch)高密度的電性連接。因此，本發(fā)明 可縮小產(chǎn)品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度電性連接所需的生 產(chǎn)成本。因此，本發(fā)明通過(guò)半導(dǎo)體制程(semiconductor process)來(lái)制作該 至少一發(fā)光二極管陣列3與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1之間的電性連接， 而非如傳統(tǒng)制程一樣采用一根一根進(jìn)行打線(xiàn)接合，因此本發(fā)明不僅具 有縮小產(chǎn)品尺寸及降低制造成本的優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明還具有因使用半導(dǎo)體 制程而增加生產(chǎn)速度的優(yōu)點(diǎn)。以上所述，僅為本發(fā)明最佳的一的具體實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明與圖式， 惟本發(fā)明的特征并不局限于此，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明的所有 范圍應(yīng)以下述的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍為準(zhǔn)，凡合于本發(fā)明申請(qǐng)專(zhuān)利范圍的精 神與其類(lèi)似變化的實(shí)施例，皆應(yīng)包含于本發(fā)明的范疇中，任何熟悉該項(xiàng)技藝者在本發(fā)明的領(lǐng)域，可輕易思及的變化或修飾皆可涵蓋在本案 的專(zhuān)利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于，包括一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)，其表面具有至少一凹槽；至少一發(fā)光二極管陣列，其容置于上述至少一凹槽內(nèi)；以及一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其電性連接于上述驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及上述至少一發(fā)光二極管陣列之間。
2. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于該至 少一凹槽為一由蝕刻或機(jī)械加工所形成的容置空間。
3. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于，更進(jìn) 一步包括 一粘著元件，其設(shè)置于該至少一發(fā)光二極管陣列與該驅(qū)動(dòng) 集成電路結(jié)構(gòu)之間。
4. 如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于該粘 著元件為一銀膠或聚合物。
5. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于該至 少一發(fā)光二極管陣列與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)之間形成兩個(gè)寬度間隙。
6. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于該至 少一發(fā)光二極管陣列與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)之間的兩個(gè)寬度間隙的寬 度分別介于5 10/rni/微米。
7. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于，更進(jìn)一步包括用以覆蓋該兩個(gè)寬度間隙的絕緣層。
8. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于該驅(qū) 動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)具有多個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊，并且該至少一發(fā)光二極管陣列具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊的發(fā)光二極管焊墊。
9. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于這些 驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊及這些發(fā)光二極管焊墊皆排列成一直線(xiàn)形狀。
10. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于這 些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊以彼此交錯(cuò)的方式排列而成，并且這些發(fā)光二極 管焊墊亦以彼此交錯(cuò)的方式排列而成。
11. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于該 至少一發(fā)光二極管陣列具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)這些發(fā)光二極管焊墊的發(fā)光二 極管晶粒，并且每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的正極端及負(fù)極端分別電性連 接于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管焊墊。
12. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于該 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有多個(gè)導(dǎo)電元件，并且每一個(gè)導(dǎo)電元件電性連接于每一個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊及每一個(gè)發(fā)光二極管焊墊之間。
13. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于，更 進(jìn)一步包括 一電路板，其具有至少一輸出/輸入焊墊，其中該驅(qū)動(dòng) 集成電路結(jié)構(gòu)設(shè)置于該電路板上。
14. 如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管陣列模塊，其特征在于，更 進(jìn)一步包括 一電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該至少一輸出/輸 入焊墊之間的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
15. —種發(fā)光二極管陣列模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于，包括下 列步驟成形至少一凹槽于一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)上； 設(shè)置至少一發(fā)光二極管陣列于該至少一凹槽內(nèi)；以及通過(guò)半導(dǎo)體制程，以成形一電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該 至少一發(fā)光二極管陣列之間的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
16. 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管陣列模塊的構(gòu)裝方法，其特 征在于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)從一己圖案化的晶圓上切割下來(lái)。
17. 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管陣列模塊的構(gòu)裝方法，其特 征在于該至少一凹槽由蝕刻或機(jī)械加工所形成。
18. 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管陣列模塊的構(gòu)裝方法，其特 征在于該設(shè)置至少一發(fā)光二極管陣列于該至少一凹槽內(nèi)的步驟前， 更進(jìn)一步包括成形一粘著元件于該至少一發(fā)光二極管陣列的下表面， 以使得該粘著元件設(shè)置于該至少一發(fā)光二極管陣列與該驅(qū)動(dòng)集成電路 結(jié)構(gòu)之間。
19. 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管陣列模塊的構(gòu)裝方法，其特 征在于該設(shè)置至少一發(fā)光二極管陣列于該至少一凹槽內(nèi)的步驟前， 更進(jìn)一步包括成形一粘著元件于該至少一凹槽的底面，以使得該粘 著元件設(shè)置于該至少一發(fā)光二極管陣列與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)之間。
20. 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管陣列模塊的構(gòu)裝方法，其特 征在于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)具有多個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊，并且該至 少一發(fā)光二極管陣列具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊的發(fā)光二極管焊墊。
21. 如權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管陣列模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于該成形該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟中，更進(jìn)一步包括形成一第一絕緣層于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該至少一發(fā)光二極管 陣列上；圖案化該第一絕緣層，以形成一用于覆蓋該至少一發(fā)光二極管陣列與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)之間的寬度間隙及曝露出這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊與這些發(fā)光二極管焊墊的第一圖案化絕緣層；形成一第二絕緣層于該第一圖案化絕緣層上，并且該第二絕緣層覆蓋這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊與這些發(fā)光二極管焊墊；圖案化該第二絕緣層，以形成一與該第一圖案化絕緣層相互配合 而再次曝露出這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊及這些發(fā)光二極管焊墊的第二圖 案化絕緣層；形成多個(gè)分別電性連接于這些驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊及這些發(fā)光二極 管焊墊之間的導(dǎo)電元件；以及移除該第二圖案化絕緣層及一部分成形于該至少一發(fā)光二極管陣 列上的第一圖案化絕緣層，以形成一構(gòu)裝完成的發(fā)光二極管陣列模塊。
22. 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管陣列模塊的構(gòu)裝方法，其特 征在于該成形該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟后，更進(jìn)一步包括設(shè)置該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)于一電路板上，其中該電路板具有至少 一輸出/輸入焊墊；以及形成一電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該至少一輸出/輸入焊 墊之間的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
23. 如權(quán)利要求22所述的發(fā)光二極管陣列模塊的構(gòu)裝方法，其特 征在于該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過(guò)一打線(xiàn)方式所形成。
全文摘要
一種發(fā)光二極管陣列模塊，其包括一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)、至少一發(fā)光二極管陣列、一粘著元件、及一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)的上端具有至少一凹槽。該發(fā)光二極管陣列容置于該凹槽內(nèi)。該粘著元件設(shè)置于該至少一發(fā)光二極管陣列與該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)之間。該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該至少一發(fā)光二極管陣列之間。該發(fā)光二極管陣列模塊設(shè)置于一具有至少一輸出/輸入焊墊的電路板上，并且通過(guò)一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以使得該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該至少一輸出/輸入焊墊之間產(chǎn)生電性連接。本發(fā)明可縮小產(chǎn)品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度電性連接所需的生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101330081SQ20071011213
公開(kāi)日2008年12月24日 申請(qǐng)日期2007年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月19日
發(fā)明者吳明哲 申請(qǐng)人:環(huán)隆電氣股份有限公司