專利名稱：電流驅(qū)動型顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置，更特別涉及有機EL顯示器或FED等電流驅(qū)動型顯示 裝置。
背景技術(shù)：
近年來，隨著對薄型、輕型、可高速響應(yīng)的顯示裝置需求的提高，涉及有 機EL (Electro Luminescence: 電致發(fā)光)顯示器或FED (Field Emission Display:場致發(fā)射顯示器)的研究開發(fā)正積極進行。對于有機EL顯示器中包含的有機EL元件，其外加的電壓越高，流過的電流 越多，就以越高的亮度發(fā)光。但是，有機EL元件的亮度與電壓的關(guān)系會受驅(qū)動 時間或周邊溫度等的影響而容易產(chǎn)生變動。因此，如果對有機EL顯示器采用電 壓控制型的驅(qū)動方式，則抑制有機EL元件的亮度偏差將變得非常困難。與之相 反，有機EL元件的亮度與電流大致成比例，而該比例關(guān)系不易受周邊溫度等外 在因素的影響。因此，對有機EL顯示器較好的是采用電流控制型的驅(qū)動方式。另一方面，顯示裝置的像素電路或驅(qū)動電路是利用由非晶硅、低溫多晶硅、 CG (Continuous Grain:連續(xù)晶粒)硅等構(gòu)成的TFT (Thin Film Transistor: 薄膜晶體管)構(gòu)成的。但是，TFT的特性(例如，閾值電壓或遷移率)容易產(chǎn) 生偏差。因此，在有機EL顯示器的像素電路中設(shè)置補償TFT特性偏差的電路， 利用該電路的作用可以抑制有機EL元件的亮度偏差。在電流驅(qū)動型的驅(qū)動方式中補償TFT特性偏差的方法，大致可分為用電流 信號控制流經(jīng)驅(qū)動用TFT的電流量的電流模式方法、和用電壓信號控制該電流 量的電壓模式方法。如果使用電流模式方法，則可以補償閾值電壓和遷移率的 偏差；如果使用電壓模式方法，則只能補償閾值電壓的偏差。然而，電流模式方法存在以下問題第l，由于使用非常微量的電流，因 此像素電路或驅(qū)動電路的設(shè)計很困難；第2，由于在設(shè)定電流信號期間容易受 寄生電容的影響，因此難以大面積化。與之相反，電壓模式方法中，寄生電容等的影響很輕微，電路設(shè)計也比較容易。另外，遷移率偏差對電流量的影響要 比閾值電壓偏差對電流量的影響小，遷移率的偏差可以控制在TFT制造工序的 程度。因此，即使是采用電壓模式方法的顯示裝置，也可以獲得足夠好的顯示 質(zhì)量。對于采用電流驅(qū)動型驅(qū)動方式的有機EL顯示器，以往以來已知有以下所示 的像素電路。圖17是專利文獻1中所述的像素電路的電路圖。圖17所示的像素 電路910具備驅(qū)動用TFT911、開關(guān)用TFT912 914、電容915、 916、以及有機EL 元件917。像素電路910中包含的TFT都是p溝道型。像素電路910中，在電源布線Vp (設(shè)電位為VDD)與接地之間，串聯(lián)設(shè)置驅(qū) 動用TFT911、開關(guān)用TFT914和有機EL元件917。在驅(qū)動用TFT911的柵極端子與 數(shù)據(jù)線Sj之間，串聯(lián)設(shè)置電容915和開關(guān)用TFT912。在驅(qū)動用TFT911的柵極端 子與漏極端子之間設(shè)置開關(guān)用TFT913，在驅(qū)動用TFT911的柵極端子與電源布線 Vp之間設(shè)置電容916。開關(guān)用TFT912的柵極端子與掃描線Gi連接，開關(guān)用TFT913 的柵極端子與自動調(diào)零線AZi連接，開關(guān)用TFT914的柵極端子與照明線ILi連 接。圖18是像素電路910的時序圖。在時刻tO之前，控制掃描線Gi和自動調(diào)零 線AZi的電位為高電平，照明線ILi的電位為低電平，數(shù)據(jù)線Sj的電位為基準(zhǔn)電 位Vstd。在時刻tO，若掃描線Gi的電位變?yōu)榈碗娖?，則開關(guān)用TFT912變成導(dǎo)通 狀態(tài)。然后在時刻tl，若自動調(diào)零線AZi的電位變?yōu)榈碗娖剑瑒t開關(guān)用TFT913 變成導(dǎo)通狀態(tài)。由此，驅(qū)動用TFT911的柵極端子與漏極端子變?yōu)橥娢?。然后在時刻t2，若照明線ILi的電位變?yōu)楦唠娖?，則開關(guān)用TFT914變成非 導(dǎo)通狀態(tài)。此時，電流從電源布線Vp經(jīng)由驅(qū)動用TFT911和開關(guān)用TFT913，流入 驅(qū)動用TFT911的柵極端子，驅(qū)動用TFT911的柵極端子電位在驅(qū)動用TFT911導(dǎo)通 狀態(tài)期間上升。若驅(qū)動用TFT911的柵一源間電壓變?yōu)殚撝惦妷篤th (負值)(亦 即，柵極端子電位變?yōu)?VDD + Vth))，則變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。因此，驅(qū)動用TFT911 的柵極端子電位上升到(VDD + Vth)。然后在時刻t3，若自動調(diào)零線AZi的電位變?yōu)楦唠娖剑瑒t開關(guān)用TFT913變 為非導(dǎo)通狀態(tài)。此時在電容915上保持驅(qū)動用TFT911的柵極端子與數(shù)據(jù)線Sj的 電位差(VDD + Vth — Vstd)。然后在時刻t4，若數(shù)據(jù)線Sj的電位從基準(zhǔn)電位Vstd變?yōu)閿?shù)據(jù)電位Vdata， 則驅(qū)動用TFT911的柵極端子電位只變化相同的量(Vdata — Vstd)，變?yōu)?VDD十Vth + Vdata — Vstd)。然后在時刻t5，若掃描線Gi的電位變?yōu)楦唠娖?，則開 關(guān)用TFT912變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。此時在電容916上保持驅(qū)動用TFT911的柵一源間 電壓(Vth + Vdata —Vstd)。然后在時刻t6，若照明線ILi的電位變?yōu)榈碗娖剑瑒t開關(guān)用TFT914變?yōu)閷?dǎo) 通狀態(tài)。由此，電流從電源布線Vp經(jīng)由驅(qū)動用TFT911和開關(guān)用TFT914流向有機 EL元件917。雖然流經(jīng)驅(qū)動用TFT911的電流量會對應(yīng)于柵極端子電位(VDD + Vth + Vdata — Vstd)而增減，但是即使閾值電壓Vth不同，而如果電位差(Vdata 一Vstd)相同，則電流量也相同。因此，與閾值電壓Vth的值無關(guān)，有機EL元 件917中流經(jīng)與電位Vdata相應(yīng)的量的電流，有機EL元件917就以與數(shù)據(jù)電位 Vdata相應(yīng)的亮度發(fā)光。利用上述像素電路910，可以補償驅(qū)動用TFT911的閾值電壓偏差，從而使 有機EL元件917以期望的亮度發(fā)光。圖19是專利文獻2中所述的像素電路的電路圖。圖17所示的像素電路920具 備驅(qū)動用TFT921、開關(guān)用TFT922 925、電容926、以及有機EL元件927。開關(guān) 用TFT923、 925是n溝道型，其他TFT都是p溝道型。像素電路920中，在電源布線Vp與公用陰極Vcom (設(shè)電位分別為VDD、 VSS) 之間，串聯(lián)設(shè)置驅(qū)動用TFT921、開關(guān)用TFT925和有機EL元件927。在驅(qū)動用 TFT921的柵極端子與數(shù)據(jù)線Sj之間，串聯(lián)設(shè)置電容926和開關(guān)用TFT922。以下， 將驅(qū)動用TFT921與電容926的連接點稱為A，電容926與開關(guān)用TFT922的連接點 稱為B。在連接點B與電源布線Vp之間設(shè)置開關(guān)用TFT923，在連接點A與驅(qū)動用 TFT921的漏極端子之間設(shè)置開關(guān)用TFT924。開關(guān)用TFT922 925的柵極端子都 與掃描線Gi連接。圖20是像素電路920的時序圖。在時刻tO之前，控制掃描線Gi電位在高電 平。在時刻tO，若掃描線Gi的電位變?yōu)榈碗娖剑瑒t開關(guān)用TFT922、 924變成導(dǎo) 通狀態(tài)，開關(guān)用TFT923、 925變成非導(dǎo)通狀態(tài)。從而，連接點B從電源布線Vp斷 開，通過開關(guān)用TFT922與數(shù)據(jù)線Sj連接。另外，驅(qū)動用TFT921的柵極端子與漏 極端子變?yōu)橥娢弧Ｒ虼?，電流從電源線Vp經(jīng)由驅(qū)動用TFT921和開關(guān)用TFT924 流入驅(qū)動用TFT921的柵極端子，連接點A的電位在驅(qū)動用TFT921為導(dǎo)通狀態(tài)的 期間上升。若驅(qū)動用TFT921的柵一源間電壓變?yōu)殚撝惦妷篤th (負值)(亦即， 連接點A的電位變?yōu)?VDD + Vth))，則驅(qū)動用TFT921變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。因此 連接點A的電位上升到(VDD + Vth)。然后在時刻tl，若數(shù)據(jù)線Sj的電位由前次數(shù)據(jù)電位VdataO (寫入上一行像 素電路的數(shù)據(jù)電位)變?yōu)楸敬螖?shù)據(jù)電位Vdata，則連接點B的電位變?yōu)閂data。 因此，在時刻t2之前電容926的電極間的電壓變?yōu)檫B接點A和連接點B的電位差 (VDD + Vth — Vdata)。然后在時刻t2，若掃描線Gi的電位變?yōu)楦唠娖剑瑒t開關(guān)用TFT922、 924變 為非導(dǎo)通狀態(tài)，開關(guān)用TFT923、 925變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。從而，驅(qū)動用TFT921的柵 極端子從漏極端子斷開。另外，連接點B從數(shù)據(jù)線Sj斷開，通過開關(guān)用TFT923 與電源布線Vp連接。從而，連接點B的電位從Vdata變?yōu)閂DD，連接點A的電位隨 之變化僅相同的量(VDD-Vdata;以下稱為VB)，變?yōu)?VDD + Vth + VB)。另外，從時刻t2開始，由于開關(guān)用TFT925成為導(dǎo)通狀態(tài)，因此電流從電源 布線Vp經(jīng)由驅(qū)動用TFT921和開關(guān)用TFT925流入有機EL元件927。雖然流經(jīng)驅(qū)動 用TFT921的電流量會對應(yīng)于柵極端子電位(VDD + Vth + VB)而增減，但是即使 閾值電壓Vth不同，而如果電位差VB相同，則電流量也相同。因此，與閾值電 壓Vth的值無關(guān)，在有機EL元件927中流經(jīng)與電位Vdata相應(yīng)的量的電流，有機 EL元件927就以與數(shù)據(jù)電位Vdata相應(yīng)的亮度發(fā)光。根據(jù)這樣的像素電路920，與像素電路910相同，可以補償驅(qū)動用TFT921的 閾值電壓偏差，使得有機EL元件927以期望的亮度發(fā)光。另外，像素電路920與 像素電路910相比，沒有電容916、自動調(diào)零線AZi以及照明線ILi，因此具有電 路規(guī)模小的優(yōu)點。還有，像素電路920中，為使p溝道型的驅(qū)動用TFT921為導(dǎo)通 狀態(tài)，電位差VB必須是負(亦即，Vdata〉VDD)。專利文獻l:國際公開第98/48403號手冊專利文獻2:日本國專利特開2005-157308號公報但是，像素電路920中存在無法正確補償驅(qū)動用TFT921的閾值電壓偏差的 問題。例如，當(dāng)前幀中驅(qū)動用TFT921中幾乎沒有電流流過時(顯示黑色時)， 圖20的時刻tO的連接點A的電位VA變?yōu)榧s(VDD+Vth)。若連接點B的電位在時 刻tO和時刻tl之間從VDD變?yōu)閂data，則連接點A的電位也隨之變化。但是，因 為如上所述Vdata〉VDD，因此若連接點A的電位大致為(VDD+Vth)時連接點B 的電位從VDD上升到Vdata，則連接點A的電位比(VDD+Vth)高。因此，控制驅(qū) 動用TFT921，從幾乎沒有電流流過的狀態(tài)變?yōu)楦記]有電流流過的狀態(tài)，使其 無法變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。這種情況下，利用上述方法，無法對驅(qū)動用TFT921的閾值 電壓偏差進行補償。專利文獻2除了記載了像素電路920，也記載了如圖21所示的像素電路930。 像素電路930中，開關(guān)用TFT922、 924的柵極端子與掃描線Gi連接，開關(guān)用 TFT923、 925的柵極端子與控制線Ei連接。根據(jù)像素電路930，使得開關(guān)用TFT924 變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)后，使開關(guān)用TFT925變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)，通過這樣可以將驅(qū)動用 TFT921的柵極端子電位引入公用陰極Vcora的電位VSS。此時由于驅(qū)動用TFT921 變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，因此利用上述方法可以對驅(qū)動用TFT921的閾值電壓偏差進行補 償。此外，雖然專利文獻2中記載了像素電路930的結(jié)構(gòu)，但是沒有寫明使像素 電路930按照上述時序工作。但是，如果使像素電路930按照上述時序工作，則在將驅(qū)動用TFT921的柵極 端子電位引入到公用陰極Vcom的電位VSS時，電流流經(jīng)有機EL元件927，有機EL 元件927發(fā)光。由于無法從外部正確地控制此時的驅(qū)動用TFT921柵極端子的電 位，所以即使從外部控制像素電路930，也無法抑制有機EL元件927的不必要的 發(fā)光。因此，如果使像素電路930按照上述時序工作，則難以進行正確的灰度顯 示。另外，由于即使在黑色顯示時有機EL元件927也發(fā)光，因此顯示畫面的對 比度就會降低。另外，像素電路920中，在掃描線Gi的電位為低電平期間(l個水平掃描期 間)，完成補償驅(qū)動用TFT的閾值電壓偏差的處理。因此，驅(qū)動用TFT921的柵 極端子電位(連接點A的電位)必須在l個水平掃描期間從之前的電位變?yōu)殚撝?狀態(tài)的電位(VDD+Vth)。但是，圖20中的時刻tO的連接點A的電位VA，隨像素電路920中前次寫入的 數(shù)據(jù)電位的不同而完全不同。例如，在時刻tO之前有機EL元件927以最大亮度 發(fā)光時，連接點A的電位最遠離(VDD+Vth)，在時刻tO之前有機EL元件927不 發(fā)光時，連接點A的電位最接近(VDD+Vth)。但是，對于任何一種情況，連接 點A的電位必須在1個水平掃描期間變?yōu)?VDD+Vth)。因此，對于l個水平掃描 期間很短的高清晰的顯示裝置，難以正確補償驅(qū)動用TFT的閾值電壓偏差。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置，該顯示裝置對驅(qū)動元件的閾 值電壓偏差進行正確補償，同時防止電光學(xué)元件不必要的發(fā)光。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的第l種情況是一種電流驅(qū)動型的顯示裝置，具備 對應(yīng)多個掃描線與多個數(shù)據(jù)線的各個交叉點而配置的多個像素電路；利用上述掃描線、選擇寫入對象的像素電路的掃描信號輸出電路；以及 對上述數(shù)據(jù)線、提供與顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的電位的顯示信號輸出電路， 上述像素電路，包括在第1電源布線與第2電源布線之間設(shè)置的電光學(xué)元件；在上述第1電源布線與上述第2電源布線之間、與上述電光學(xué)元件串聯(lián)設(shè)置 的驅(qū)動元件；與所述驅(qū)動元件的控制端子連接第l電極的電容； 在上述電容的第2電極與上述數(shù)據(jù)線之間設(shè)置的第1開關(guān)元件； 在上述電容的第2電極與規(guī)定的電源布線之間設(shè)置的第2開關(guān)元件； 在上述驅(qū)動元件的控制端子與一個電流輸入輸出端子之間設(shè)置的第3開關(guān) 元件；以及一個端子與第3電源布線連接、另一個端子直接或通過上述第3開關(guān)元件與 上述驅(qū)動元件的控制端子連接的第4開關(guān)元件。本發(fā)明的第2種情況是在本發(fā)明的第1種情況中， 在所述第3電源布線上外加電位，以使上述驅(qū)動元件為導(dǎo)通狀態(tài)。 本發(fā)明的第3種情況是在本發(fā)明的第1種情況中，上述第4開關(guān)元件設(shè)置在上述第3電源布線和上述驅(qū)動元件的控制端子之間。本發(fā)明的第4種情況，其特征在于，是在本發(fā)明的第3種情況中， 在對上述像素電路進行寫入時，在第1期間中，控制上述第1和第4開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)，上述第2和第3開 關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)；然后在第2期間中，控制上述第4開關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)，上述第3開關(guān)元 件為導(dǎo)通狀態(tài)；然后在第3期間中，控制上述第1和第3開關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)，上述第2開 關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)。本發(fā)明的第5種情況，其特征在于，是在本發(fā)明的第l種情況中，上述第4開關(guān)元件設(shè)置在上述第3電源布線和上述驅(qū)動元件的一個電流輸 入輸出端子之間，該電流輸入輸出端子與上述第3開關(guān)元件連接。本發(fā)明的第6種情況，其特征在于，是在本發(fā)明的第5種情況中，在對上述像素電路進行寫入時，在第1期間中，控制上述第l、第3和第4開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)，上述第2開 關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)；
然后在第2期間中，控制上述第4開關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)； 然后在第3期間中，控制上述第1和第3開關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)，上述第2開
關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)。
本發(fā)明的第7種情況，其特征在于，是在本發(fā)明的第l種情況中， 上述第2開關(guān)元件設(shè)置在上述第1電源布線和上述電容的第2電極之間。 本發(fā)明的第8種情況，其特征在于，是在本發(fā)明的第7種情況中， 上述第4開關(guān)元件的控制端子與上述第3電源布線連接， 上述第3電源布線的電位在使上述驅(qū)動元件為導(dǎo)通狀態(tài)的電位和使上述第 4開關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)的電位之間進行切換。
本發(fā)明的第9種情況，其特征在于，是在本發(fā)明的第l種情況中， 上述第2開關(guān)元件設(shè)置在上述第3電源布線和上述電容的第2電極之間。 本發(fā)明的第10種情況，其特征在于，是在本發(fā)明的第9種情況中， 上述第3電源布線的電位構(gòu)成為可控制。 本發(fā)明的第ll種情況是在本發(fā)明的第l種情況中，
上述像素電路還包括設(shè)置在上述驅(qū)動元件和上述電光學(xué)元件之間的第5開 關(guān)元件。
本發(fā)明的第12種情況，其特征在于，是在本發(fā)明的第l種情況中， 在對上述像素電路進行寫入期間，控制上述第2電源布線的電位，使得供 給上述電光學(xué)元件的外加電壓低于發(fā)光閾值電壓。
本發(fā)明的第13種情況，其特征在于，是在本發(fā)明的第l種情況中， 上述電光學(xué)元件是由有機EL元件構(gòu)成的。
本發(fā)明的第14種情況，其特征在于，是在本發(fā)明的第l種情況中， 上述驅(qū)動元件以及上述像素電路內(nèi)的所有的開關(guān)元件，都是由薄膜晶體管 構(gòu)成的。
本發(fā)明的第15種情況，其特征在于，是在本發(fā)明的第14種情況中， 上述驅(qū)動元件以及上述像素電路內(nèi)的所有的開關(guān)元件，都是由相同溝道型
的薄膜晶體管構(gòu)成的。
根據(jù)本發(fā)明的第1種或第2種情況，通過給第3電源布線外加使驅(qū)動元件為
導(dǎo)通狀態(tài)的電位，控制第4開關(guān)元件(或是第3和第4開關(guān)元件)為導(dǎo)通狀態(tài)，
11從而給驅(qū)動元件的控制端子提供第3電源布線的電位，與像素電路之前的狀態(tài) 無關(guān)，可以設(shè)定驅(qū)動元件必為導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在控制第3開關(guān)元件為導(dǎo)通狀 態(tài)時，可以設(shè)定驅(qū)動元件確實為閾值狀態(tài)(外加閾值電壓的狀態(tài))，正確補償 驅(qū)動元件的閾值電壓偏差。根據(jù)本發(fā)明的第3種情況，由于第4開關(guān)元件設(shè)置在第3電源布線和驅(qū)動元 件的控制端子之間，因此通過控制第4開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)，可以向驅(qū)動元件 的控制端子提供第3電源布線的電位。根據(jù)本發(fā)明的第4種情況，在第1期間中，對電容的第1電極提供第3電源布 線的電位，對電容的第2電極提供與顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的電位(以下也稱為數(shù)據(jù)電 位)，在電容上保持這兩個電位之差。在第2期間中，電容的第l電極的電位發(fā) 生變化直到驅(qū)動元件變?yōu)殚撝禒顟B(tài)，電容上保持的電位差也隨之變?yōu)閿?shù)據(jù)電位 和驅(qū)動元件的閾值電壓之差。在第3期間中，電容保持上述的電位差不變，電 容的第2電極的電位從數(shù)據(jù)電位變?yōu)橐?guī)定的電源布線的電位。因此，之后驅(qū)動 元件的控制端子的電位變?yōu)閷︱?qū)動元件為閾值狀態(tài)的電位加上規(guī)定電源布線 的電位和數(shù)據(jù)電位之差的電位。因此，即使閾值電壓不同，但如果數(shù)據(jù)電位相 同，則流經(jīng)驅(qū)動元件的電流量也相同。這樣就可以補償驅(qū)動元件的閾值電壓偏 差。根據(jù)本發(fā)明的第5種情況，由于第4開關(guān)元件設(shè)置在第3電源布線和與第3開 關(guān)元件連接的驅(qū)動元件的電流輸入輸出端子之間，因此通過控制第3和第4開關(guān) 元件共同為導(dǎo)通狀態(tài)，可以向驅(qū)動元件的控制端子提供第3電源布線的電位。 另外，由于驅(qū)動元件的控制端子通過第3和第4開關(guān)元件與第3電源布線連接， 所以與驅(qū)動元件的控制端子通過第4開關(guān)元件與第3電源布線連接的情況相比， 與驅(qū)動元件的控制端子連接的開關(guān)元件的數(shù)量少。因此，由于流經(jīng)開關(guān)元件的 漏電流少，而驅(qū)動元件的控制端子電位不易產(chǎn)生變動。從而，可以正確保持電 光學(xué)元件的亮度，提高顯示質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明的第6種情況，在第1期間中，對電容的第1電極提供第3電源布 線的電位，對電容的第2電極提供數(shù)據(jù)電位，在電容上保持這兩個電位之差。 在第2期間中，電容的第l電極的電位發(fā)生變化直到驅(qū)動元件變?yōu)殚撝禒顟B(tài)，電 容上保持的電位差也隨之變?yōu)閿?shù)據(jù)電位和驅(qū)動元件的閾值電壓之差。在第3期 間中，電容保持上述的電位差不變，電容的第2電極的電位從數(shù)據(jù)電位變?yōu)橐?guī) 定的電源布線的電位。所以，之后驅(qū)動元件的控制端子的電位變?yōu)閷︱?qū)動元件為閾值狀態(tài)的電位加上規(guī)定電源布線的電位和數(shù)據(jù)電位之差的電位。因此，即 使閾值電壓不同，但如果數(shù)據(jù)電位相同，則流經(jīng)驅(qū)動元件的電流量也相同。這 樣就可以補償驅(qū)動元件的閾值電壓偏差。根據(jù)本發(fā)明的第7種情況，通過控制第2開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)，可以向電容 的第2電極提供第1電源布線的電位。因此，可以將與電容的第l電極連接的驅(qū) 動元件的控制端子電位保持在與顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的電平。根據(jù)本發(fā)明的第8種情況，通過將第4開關(guān)元件與第3電源布線進行二極管 連接，在規(guī)定的電平之間切換第3電源布線的電位，可以將第4開關(guān)元件切換為 導(dǎo)通狀態(tài)以及非導(dǎo)通狀態(tài)，設(shè)定驅(qū)動元件為導(dǎo)通狀態(tài)。因此，由于不需要控制 第4開關(guān)元件的布線，所以可以減小顯示裝置的電路規(guī)模。根據(jù)本發(fā)明的第9種情況，通過控制第2開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)，可以向電容 的第2電極提供第3電源布線的電位。因此，可以將與電容的第l電極連接的驅(qū) 動元件的控制端子電位保持在與顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的電平。根據(jù)本發(fā)明的第10種情況，由于驅(qū)動元件的控制端子電位會隨第3電源布 線的電位和數(shù)據(jù)電位之差而增減，因此通過控制第3電源布線的電位，可以統(tǒng) 一調(diào)整所有電光學(xué)元件的亮度。因此，可以只追加少量電路，而不變更顯示數(shù) 據(jù)，容易地進行峰值亮度的調(diào)整。根據(jù)本發(fā)明的第ll種情況，在對像素電路進行寫入時，通過控制第5開關(guān) 元件為非導(dǎo)通狀態(tài)，可以切斷從驅(qū)動元件流向電光學(xué)元件的電流。從而可以正 確設(shè)定驅(qū)動元件為閾值狀態(tài)，同時防止電光學(xué)元件不必要的發(fā)光。根據(jù)本發(fā)明的第12種情況，在對像素電路進行寫入時，通過控制第2電源 布線的電位，即使在第1電源布線和第2電源布線之間不設(shè)置開關(guān)元件，也可以 使得電流不流向電光學(xué)元件。從而，可以用更少的電路量，正確設(shè)定驅(qū)動元件 為閾值狀態(tài)，同時防止電光學(xué)元件不必要的發(fā)光。根據(jù)本發(fā)明的第13種情況，可以獲得正確補償驅(qū)動元件的閾值電壓偏差的 有機EL顯示器。根據(jù)本發(fā)明的第14種情況，通過利用薄膜晶體管構(gòu)成驅(qū)動元件以及像素 電路內(nèi)的所有的開關(guān)元件，可以容易且高精度地制造像素電路。根據(jù)本發(fā)明的第15種情況，通過用相同溝道型的晶體管構(gòu)成驅(qū)動元件以 及像素電路內(nèi)的所有的開關(guān)元件，從而所有的晶體管可以用相同掩模以相同工 藝制造，降低顯示裝置的成本。另外，由于相同溝道型的晶體管比不同溝道型的晶體管能更接近進行配置，因此可以將像素電路的面積用于其他用途。


圖1為示出本發(fā)明第1 第7 (除第4)實施形態(tài)的顯示裝置的結(jié)構(gòu)方框圖。 圖2為本發(fā)明第1實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。圖3為圖2所示的像素電路的時序圖。圖4為本發(fā)明第2實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。 圖5為圖4所示的像素電路的時序圖。圖6為本發(fā)明第3實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。圖7為圖6所示的像素電路的時序圖。圖8為表示本發(fā)明第4實施形態(tài)的顯示裝置的結(jié)構(gòu)方框圖。圖9為本發(fā)明第4實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。圖10為圖9所示的像素電路的時序圖。圖11為本發(fā)明第5實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。 圖12為圖11所示的像素電路的時序圖。圖13為本發(fā)明第6實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。 圖14為圖13所示的像素電路的時序圖。圖15為本發(fā)明第7實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。 圖16為圖15所示的像素電路的時序圖。圖17為以往顯示裝置中包含的像素電路(第l例)的電路圖。 圖18為圖17所示的像素電路的時序圖。圖19為以往顯示裝置中包含的像素電路(第2例)的電路圖。 圖20為圖19所示的像素電路的時序圖。圖21為以往顯示裝置中包含的像素電路(第3例)的電路圖。 標(biāo)號說明10、 40……顯示裝置 11……顯示控制電路 12……柵極驅(qū)動器電路 13……源極驅(qū)動器電路. 14……基準(zhǔn)電源調(diào)整電路 21……移位寄存器22……寄存器23……鎖存電路 24……D/A轉(zhuǎn)換器 48……基準(zhǔn)電位控制電路 100、 200、 300、 400、 500、 600、 110、 210、 310、 410、 510、 610、 111 115、 211 214、 311 315、 715……開關(guān)用TFT120、 220、 320、 420、 520、 620、130、 230、 330、 430、 530、 630、Vp……電源布線Vs……基準(zhǔn)電源布線Vcom……公用陰極CAi……陰極布線Wi、 Ri、 Ei……控制線Gi……掃描線Sj……數(shù)據(jù)線700……像素電路 710......驅(qū)動用TFT411 415、 511 515、 611 615、 711 720......電容730……有機EL元件具體實施方式
下面參照圖1 圖16，說明本發(fā)明第1 第7實施形態(tài)的顯示裝置。各實施 形態(tài)的顯示裝置具備包含鬼光學(xué)元件、驅(qū)動元件、電容和多個開關(guān)元件的像素 電路。像素電路包含作為電光學(xué)元件的有機EL元件，包含作為驅(qū)動元件和開關(guān) 元件的由CG硅TFT構(gòu)成的驅(qū)動用TFT和開關(guān)用TFT。還有，驅(qū)動元件和開關(guān)元件 除CG硅TFT以外，也可以用例如非晶硅TFT或低溫多晶硅TFT等構(gòu)成。通過利用 TFT構(gòu)成驅(qū)動元件和開關(guān)元件，可以容易且高精度地制造像素電路。CG硅TFT的結(jié)構(gòu)報道于Inukai等7人的"4.0—in. TFT-OLED Displays and a Novel Digital Driving Method" ， SID' 00 Digest, pp. 924-927。 CG硅TFT 的制造工藝報道于Takayama等5人的"Continuous Grain Silicon Technology and Its Applications for Active Matrix Display" ， AMD-LCD 2000， pp. 25-28。 有豐幾EL元4牛的結(jié)構(gòu)矛艮道于Friend， "Polymer Light—Emitting Diodes for use in Flat Panel Display" ， AM-LCD， 01， pp.211-214。因此，省略這些事項的說明。圖1為示出本發(fā)明第1 第7 (除第4)實施形態(tài)的顯示裝置的結(jié)構(gòu)方框圖。圖l所示的顯示裝置10具備多個像素電路Aij (i為l以上n以下的整數(shù)，j為l以 上m以下的整數(shù))、顯示控制電路ll、柵極驅(qū)動器電路12、源極驅(qū)動器電路13 以及基準(zhǔn)電源調(diào)整電路14。在顯示裝置10中，設(shè)置互相平行的多個掃描線Gi、 和與掃描線Gi正交的互相平行的多個數(shù)據(jù)線Sj。像素電路Aij與掃描線Gi和數(shù) 據(jù)線Sj的各個交叉點對應(yīng)，成矩陣狀配置。此外，在顯示裝置10中，與掃描線Gi平行配置互相平行的多個控制線(Wi、 Ri等，未圖示)。掃描線Gi和控制線與柵極驅(qū)動器電路12連接，數(shù)據(jù)線Sj與源 極驅(qū)動器電路13連接。柵極驅(qū)動器電路12和源極驅(qū)動器電路13起到作為像素電 路Aij的驅(qū)動電路的功能。顯示控制電路11對柵極驅(qū)動器電路12輸出時間信號0E、起始脈沖YI和時鐘 YCK，對源極驅(qū)動器電路13輸出起始脈沖SP、時鐘CLK、顯示數(shù)據(jù)DA和閂脈沖LP， 對基準(zhǔn)電源調(diào)整電路14輸出電壓控制信號PDA。柵極驅(qū)動器電路12包括移位寄存器電路、邏輯運算電路和緩沖器(均未圖 示)。移位寄存器電路與時鐘YCK同步而依次傳輸起始脈沖YI。邏輯運算電路 在從移位寄存器電路的各級輸出的脈沖和時間信號OE之間進行邏輯運算。邏輯 運算電路的輸出經(jīng)由緩沖器，提供給對應(yīng)的掃描線Gi或控制線Wi、 Ri等。這樣， 柵極驅(qū)動器電路12起到作為用掃描線Gi選擇寫入對象的像素電路的掃描信號 輸出電路的功能。源極驅(qū)動器電路13包括m比特的移位寄存器21、寄存器22、鎖存電路23以 及m個D/A轉(zhuǎn)換器24。移位寄存器21包含串聯(lián)的m個l比特寄存器。移位寄存器21 與時鐘CLK同步而依次傳輸起始脈沖SP，從各級的寄存器輸出定時脈沖DLP。與 定時脈沖DLP的輸出時刻相應(yīng)，向寄存器22提供顯示數(shù)據(jù)DA。寄存器22依據(jù)定 時脈沖DLP，存儲顯示數(shù)據(jù)DA。如果寄存器22中存儲了1行的顯示數(shù)據(jù)DA，則顯 示控制電路11向鎖存電路23輸出鎖存脈沖LP。若鎖存電路23接受鎖存脈沖LP， 則保持寄存器22中存儲的顯示數(shù)據(jù)。D/A轉(zhuǎn)換器24對各數(shù)據(jù)線Sj逐個設(shè)置。D/A 轉(zhuǎn)換器24將鎖存電路23中保持的顯示數(shù)據(jù)變換為模擬信號電壓，提供給對應(yīng)的 數(shù)據(jù)線Sj。這樣，源極驅(qū)動器電路13起到作為向數(shù)據(jù)線Sj提供與顯示數(shù)據(jù)相應(yīng) 的電位的顯示信號輸出電路的功能。還有，為使顯示裝置10實現(xiàn)小型和低成本化，最好將柵極驅(qū)動器電路12和源極驅(qū)動器電路13的全部或者一部分，使用CG硅TFT或多晶硅TFT等與像素電路 Aij在相同基板上形成?；鶞?zhǔn)電源調(diào)整電路14基于電壓控制信號PDA，調(diào)整外加給基準(zhǔn)電源布線Vs 的電位(以下稱為基準(zhǔn)電位Vstd)的電平。所有的像素電路Aij與基準(zhǔn)電源布 線Vs連接，接受由基準(zhǔn)電源調(diào)整電路14提供的基準(zhǔn)電位Vstd。另外，雖然圖l 中省略了，但在像素電路Aij的配置區(qū)域中，為了提供電源電壓給像素電路Aij， 而配置電源布線Vp和公用陰極Vcom (或陰極布線CAi)。下面，詳細說明各實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路Aij。下面的說 明中，將提供給開關(guān)用TFT的柵極端子的高電平電位稱為GH，低電平電位稱為 GL。另外，下面的說明中，各TFT的溝道型雖然是固定決定的，但是如果能提 供適當(dāng)?shù)目刂菩盘柦o各TFT的柵極端子，則各TFT可以是p溝道型，也可以是n溝 道型。(第l實施形態(tài))圖2為本發(fā)明第1實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。圖2中 所示的像素電路100具備驅(qū)動用TFT110、開關(guān)用TFT111 115、電容120、以及 有機EL元件130。開關(guān)用TFTlll、 114為n溝道型，其他TFT都是p溝道型。像素電路100與電源布線Vp、基準(zhǔn)電源布線Vs、公用陰極Vcom、掃描線Gi、 控制線Wi、 Ri、以及數(shù)據(jù)線Sj相連。其中，在電源布線Vp (第l電源布線)和 公用陰極Vcom (第2電源布線)上，分別外加一定的電位VDD、 VSS，在基準(zhǔn)電 源布線Vs (第3電源布線)上外加基準(zhǔn)電源調(diào)整電路14所得的基準(zhǔn)電位Vstd。 公用陰極Vcom成為顯示裝置內(nèi)的所有有機EL元件130的通用電極。像素電路100中，在電源布線Vp和公用陰極Vcom連接的路徑上，從電源布 線Vp的一側(cè)，依次串聯(lián)設(shè)置驅(qū)動用TFTllO、開關(guān)用TFT115和有機EL元件130。 驅(qū)動用TFT110的柵極端子與電容120的一個電極連接。在電容TFT120的另一個 電極與數(shù)據(jù)線Sj之間設(shè)置開關(guān)用TFTlll。以下，將驅(qū)動用TFT110和電容120的 連接點稱為A，電容120和開關(guān)用TFT111的連接點稱為B。在連接點B與電源布線 Vp之間設(shè)置開關(guān)用TFT112，在連接點A與驅(qū)動用TFT110的漏極端子之間設(shè)置開 關(guān)用TFT113，在連接點A與基準(zhǔn)電源布線Vs之間設(shè)置開關(guān)用TFT114。開關(guān)用TFTlll、 112、 115的柵極端子與掃描線Gi連接，開關(guān)用TFT113的柵 極端子與控制線Wi連接，開關(guān)用TFT114的柵極端子與控制線Ri連接。掃描線Gi 和控制線Wi、 Ri的電位通過柵極驅(qū)動器電路12控制，數(shù)據(jù)線Sj的電位通過源極驅(qū)動器電路13控制。圖3是像素電路100的時序圖。圖3示出外加到掃描線Gi、控制線Wi、 Ri以 及數(shù)據(jù)線Sj上的電位的變化、和連接點A、 B的電位的變化。圖3中，從時刻tO 到時刻t5相當(dāng)于l個水平掃描期間。下面參照圖3，說明像素電路100的工作。在時刻tO之前，控制掃描線Gi與控制線Ri的電位為GL (低電平)，控制線 Wi的電位為GH (高電平)，數(shù)據(jù)線Sj的電位為與前次顯示數(shù)據(jù)(寫入上一行像 素電路的數(shù)據(jù)電位)相應(yīng)的電平。因此，開關(guān)用TFT112、 115處于導(dǎo)通狀態(tài)， 開關(guān)用TFTlll、 113、 114處于非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，連接點A的電位變?yōu)榕c像素 電路100中前次寫入的顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的電位，連接點B的電位變?yōu)閂DD。在時刻tO，若掃描線Gi的電位變?yōu)镚H，則開關(guān)用TFT111變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，開 關(guān)用TFT112、 115變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。在掃描線Gi的電位為GH的期間(從時刻tO 到時刻t5的期間)，由于開關(guān)用TFT115為非導(dǎo)通狀態(tài)，因此電流不流向有機EL 元件130，有機EL元件130不發(fā)光。在掃描線Gi的電位為GH的期間，控制數(shù)據(jù)線Sj的電位為與本次顯示數(shù)據(jù)相 應(yīng)的電平電位(以下稱為數(shù)據(jù)電位Vdata)。在此期間，由于連接點B通過開關(guān) 用TFTlll與數(shù)據(jù)線Sj連接，因此連接點B的電位變?yōu)閂data。另外，從時刻tO到 時刻t5的期間，由于開關(guān)用TFT113、 114為非導(dǎo)通狀態(tài)，因此若連接點B的電位 從VDD變?yōu)閂data，則連接點A的電位也僅變化相同的量(Vdata—VDD)。然后在時刻tl，若控制線Ri的電位變?yōu)镚H，則開關(guān)用TFT114變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。 從而，由于連接點A通過開關(guān)用TFT114與基準(zhǔn)電源布線Vs連接，因此連接點A的 電位變?yōu)閂std。此時由于連接點B通過開關(guān)用TFTlll和數(shù)據(jù)線Sj連接，因此即 使連接點A的電位發(fā)生變化，連接點B的電位仍然是Vdata不變。基準(zhǔn)電源布線Vs的基準(zhǔn)電位Vstd是這樣決定，使得在柵極端子上外加基準(zhǔn) 電位Vstd時，驅(qū)動用TFT110變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，從時刻tl開始，驅(qū)動用TFTllO 必定變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。還有，即使驅(qū)動用TFT110變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，而開關(guān)用TFT115 為非導(dǎo)通狀態(tài)期間，電流也不流向有機EL元件130，有機EL元件130不發(fā)光。然后在時刻t2，若控制線Ri的電位變?yōu)镚L，則開關(guān)用TFT114變?yōu)榉菍?dǎo)通狀 態(tài)。從而，連接點A從基準(zhǔn)電源布線Vs斷開，連接點A的電位被固定。此時在電 容120上保持連接點A和B的電位差(Vstd-Vdata)。然后在時刻t3，若控制線Wi的電位變?yōu)镚L，則開關(guān)用TFT113變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。 從而，驅(qū)動用TFT110的柵極端子和漏極端子之間短路，驅(qū)動用TFT110變?yōu)槎O管連接。從時刻tl到時刻t2的期間，連接點A上外加基準(zhǔn)電位Vstd，即使是時刻t2以后，連接點A的電位通過電容120也保持為Vstd。因此，即使是時刻t3之 后，驅(qū)動用TFT110也必定為導(dǎo)通狀態(tài)。另外，電流從電源布線Vp經(jīng)由驅(qū)動用TFT110和開關(guān)用TFT113流入連接點A， 連接點A的電位(驅(qū)動用TFT110的柵極端子電位)在驅(qū)動用TFT110導(dǎo)通狀態(tài)期 間上升。若驅(qū)動用TFT110的柵一源間電壓變?yōu)殚撝惦妷篤th (負值)(亦即， 連接點A的電位變?yōu)?VDD + Vth))，則變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。因此，連接點A的電 位上升到(VDD + Vth)，驅(qū)動用TFT110變?yōu)殚撝禒顟B(tài)(在柵極一源極之間外加 閾值電壓的狀態(tài))。然后在時刻t4，若控制線Wi的電位變?yōu)镚H,則開關(guān)用TFT113變?yōu)榉菍?dǎo)通狀 態(tài)。此時在電容120上保持連接點A和B的電位差(VDD+Vth-Vdata)。然后在時刻t5，若掃描線Gi的電位變?yōu)镚L，則開關(guān)用TFT112、 115變?yōu)閷?dǎo) 通狀態(tài)，開關(guān)用TFT111變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。從而，連接點B從數(shù)據(jù)線Sj斷開，通 過開關(guān)用TFT112與電源布線Vp連接。因此，連接點B的電位從Vdata變?yōu)閂DD， 連接點A的電位也隨之僅變化相同的量(VDD-Vdata;以下稱為VB)，變?yōu)?(VDD+Vth+VB)。時刻t5之后，由于開關(guān)用TFT115為導(dǎo)通狀態(tài)，因此電流從電源布線Vp經(jīng)由 驅(qū)動用TFT110和開關(guān)用TFT115流向有機EL元件130。雖然流經(jīng)驅(qū)動用TFT110的 電流量會對應(yīng)于柵極端子電位(VDD+Vth+VB)而增減，但是即使閾值電壓Vth 不同，而如果電位差VB (=VDD-Vdata)相同，則電流量也相同。因此，與驅(qū) 動用TFT110的閾值電壓Vth的值無關(guān)，在有機EL元件130中流經(jīng)與數(shù)據(jù)電位 Vdata相應(yīng)的量的電流，有機EL元件130就以指定的亮度發(fā)光。上述工作中，在時刻t2開關(guān)用TFT114變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)之后，在時刻t3開關(guān) 用TFT113變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。從而，可以防止電流從電源布線Vp經(jīng)由驅(qū)動用TFTllO 和開關(guān)用TFT113、 114流入基準(zhǔn)電源布線Vs，可以穩(wěn)定地保持基準(zhǔn)電源布線Vs 的電位。另外，由于在時刻t2電容120上保持的電位差沒有發(fā)生變化，因此可 以正確地補償閾值電壓的偏差。另外，上述工作中，在時刻t4開關(guān)用TFT113變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)之后，在時刻 t5開關(guān)用TFTlll變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)，開關(guān)用TFT112變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。從而，可以防 止電流從電源布線Vp經(jīng)由驅(qū)動用TFT110和開關(guān)用TFT113流入連接點A，可以正 確保持驅(qū)動用TFT110的柵極端子電位。如上所示，根據(jù)本實施形態(tài)中的顯示裝置，通過在基準(zhǔn)電源布線Vs上外加 使得驅(qū)動用TFT110為導(dǎo)通狀態(tài)的基準(zhǔn)電位Vstd，控制開關(guān)用TFT114為導(dǎo)通狀 態(tài)，從而可以向驅(qū)動用TFT110的柵極端子提供基準(zhǔn)電位Vstd，與像素電路之前 的狀態(tài)無關(guān)，設(shè)定驅(qū)動用TFT110必定為導(dǎo)通狀態(tài)。因此，之后在控制開關(guān)用TFT113為導(dǎo)通狀態(tài)、開關(guān)用TFT115為非導(dǎo)通狀態(tài) 時，可以確實設(shè)定驅(qū)動用TFT110為閾值狀態(tài)，切斷從驅(qū)動用TFT110流向有機EL 元件130的電流。從而，可以正確設(shè)定驅(qū)動用TFT110為閾值狀態(tài)，同時防止有 機EL元件130不必要的發(fā)光。如果可以防止不必要的發(fā)光，就可以提高顯示畫 面的對比度，也可以延長有機EL元件130的壽命。另外，為了設(shè)定P溝道型的驅(qū)動用TFT110為導(dǎo)通狀態(tài)，必須使得外加在柵 極端子上的基準(zhǔn)電位Vstd比驅(qū)動用TFT110的源極端子電位低閾值電壓Vth的量 以上。但是，如果基準(zhǔn)電位Vstd過低，則有時驅(qū)動用TFT110變到閾值狀態(tài)需花 費時間，補償驅(qū)動用TFT110的閾值電壓偏差的處理無法在1個水平掃描期間內(nèi) 完成。因此，基準(zhǔn)電位Vstd限于滿足供給柵極端子時驅(qū)動用TFT110變?yōu)閷?dǎo)通狀 態(tài)的條件，最好是盡可能接近(VDD+Vth)的電位。由于像素電路100基于從外部提供的基準(zhǔn)電位Vstd而工作，所以可以利用 基準(zhǔn)電源調(diào)整電路14等自由設(shè)定基準(zhǔn)電位Vstd的電平。因此，根據(jù)本實施形態(tài) 的顯示裝置，通過利用接近(VDD+Vth)的基準(zhǔn)電位Vstd，可以在短時間內(nèi)補 償驅(qū)動用TFT110的閾值電壓偏差。另外，在使驅(qū)動用TFT110為閾值狀態(tài)之前，雖然在電容120上保持電位差 (Vstd-Vdata)，但是該電位差在所有的像素電路中都相同。因而，即使在假 定不能完全將驅(qū)動用TFT110設(shè)定為閾值狀態(tài)時，也能夠減小有機EL元件的亮度 偏差。(第2實施形態(tài))圖4為本發(fā)明第2實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。圖4中 所示的像素電路200具備驅(qū)動用TFT210、開關(guān)用TFT211 214、電容220、以及 有機EL元件230。開關(guān)用TFT211、 214為n溝道型，其他TFT為p溝道型。像素電路200是對第1實施形態(tài)的像素電路100 (圖2)實施了以下變更刪 除開關(guān)用TFT115，連接有機EL元件130的陰極端子和陰極布線CAi (第2電源布 線)。像素電路200中，在電源布線Vp和陰極布線CAi連接的路徑上，從電源布 線Vp的一側(cè)，依次串聯(lián)設(shè)置驅(qū)動用TFT210和有機EL元件230。除以上方面之外，像素電路200的結(jié)構(gòu)與像素電路100的相同。陰極布線CAi的電位由顯示裝置lO 中包含的電源切換電路(圖中未示)來控制。圖5是像素電路200的時序圖。圖5示出外加到掃描線Gi、控制線Wi、 Ri、 陰極布線CAi以及數(shù)據(jù)線Sj上的電位的變化、和連接點A、 B的電位的變化。圖5 中，從時刻tO到時刻t5相當(dāng)于l個水平掃描期間。如圖5所示，控制陰極布線CAi的電位，在從時刻t0到時刻t5的期間為規(guī)定 的電平Vch，除此以外的時刻為VSS。電位Vch是這樣決定，使得在對將驅(qū)動用 TFT210與有機EL元件230串聯(lián)連接的電路的一端外加電位VDD、對另一端外加電 位Vch時，供給有機EL元件230的外加電壓低于有機EL元件230的發(fā)光閾值電壓。 因此，在陰極布線CAi的電位為Vch的期間(從時刻t0到時刻t5的期間)，有助 于發(fā)光的電流不流向有機EL元件330，有機EL元件330不發(fā)光。除以上方面之外， 像素電路200的工作與像素電路100的相同。如上所示，本實施形態(tài)的顯示裝置中，在對像素電路進行寫入時，將陰極 布線CAi的電位控制為電流不流向有機EL元件230的電平。因此，在電源布線Vp 和陰極布線CAi連接的路徑上，即使不設(shè)置開關(guān)用TFT，也可以獲得與第l實施 形態(tài)相同的效果(在短時間內(nèi)正確補償驅(qū)動用TFT的閾值電壓偏差，防止有機 EL有機不必要的發(fā)光)。 (第3實施形態(tài))圖6為本發(fā)明第3實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。圖6中 所示的像素電路300具備驅(qū)動用TFT310、開關(guān)用TFT311 315、電容320、以及 有機EL元件330。像素電路300中包含的TFT都是p溝道型。像素電路300是對第1實施形態(tài)的像素電路100 (圖2)實施了以下變更將 n溝道型TFT變?yōu)閜溝道型TFT，各TFT的柵極端子與適當(dāng)?shù)男盘柧€連接。像素電 路300中，開關(guān)用TFT311、 313的柵極端子與掃描線Gi連接，開關(guān)用TFT312、 315 的柵極端子與控制線Ei連接，開關(guān)用TFT314的柵極端子與控制線Ri連接。除以 上方面之外，像素電路300的結(jié)構(gòu)與像素電路100的相同?？刂凭€Ei的電位由柵 極驅(qū)動器電路12來控制。圖7是像素電路300的時序圖。圖7示出外加到掃描線Gi、控制線Ei、 Ri以 及數(shù)據(jù)線Sj上的電位的變化、和連接點A、 B的電位的變化。圖7中，從時刻tO 到時刻t4相當(dāng)于l個水平掃描期間。下面，參照圖7說明像素電路300的工作。在時刻tO之前，控制掃描線Gi與控制線Ri的電位為GH，控制線Ei的電位為GL，數(shù)據(jù)線Sj的電位為與前次顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的電平。因此，開關(guān)用TFT312、 315 為導(dǎo)通狀態(tài)，開關(guān)用TFT311、 313、 314處于非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，連接點A的電 位變?yōu)榕c像素電路300中前次寫入的顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的電位，連接點B的電位變?yōu)?■。在時刻tO，若控制線Ei的電位變?yōu)镚H，則開關(guān)用TFT312、 315變?yōu)榉菍?dǎo)通 狀態(tài)。在控制線Ei的電位為GH的期間(從時刻t0到時刻t4的期間)，由于開關(guān) 用TFT315為非導(dǎo)通狀態(tài)，因此電流不流向有機EL元件330，有機EL元件330不發(fā)光。在控制線Ei的電位為GH的期間，控制數(shù)據(jù)線Sj的電位為數(shù)據(jù)電位Vdata。 從時刻tO到時刻tl的期間，由于連接點A、 B從外加電位的布線斷開，因此連接 點A、 B的電位變?yōu)椴淮_定的(實際上是不從時刻tO的電平開始變化)。然后在時刻tl，若掃描線Gi和控制線Ri的電位變?yōu)镚L，則開關(guān)用TFT311、 313、 314變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。從而，由于連接點B通過開關(guān)用TF311和數(shù)據(jù)線Sj連接， 因此連接點B的電位變?yōu)閂data。由于連接點A通過開關(guān)用TFT314與基準(zhǔn)電源布 線Vs連接，因此連接點A的電位變?yōu)閂std?；鶞?zhǔn)電源布線Vs的基準(zhǔn)電位Vstd是 與第l實施形態(tài)相同決定的，它使得在柵極端子上外加基準(zhǔn)電位Vstd時，驅(qū)動 用TFT310變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，時刻tl以后，驅(qū)動用TFT310必定變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。 還有，即使驅(qū)動用TFT310變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，而開關(guān)用TFT315為非導(dǎo)通狀態(tài)期間， 電流也不流向有機EL元件330，有機EL元件330不發(fā)光。另一方面，若開關(guān)用TFT313變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，則驅(qū)動用TFT310的柵極端子和 漏極端子之間短路，驅(qū)動用TFT310變?yōu)槎O管連接。因此，電流從電源布線Vp 經(jīng)由驅(qū)動用TFT310和開關(guān)用TFT313流入連接點A，連接點A的電位從而上升。因 此，連接點A的電位確切地說，變?yōu)楸然鶞?zhǔn)電位Vstd稍高的電位(Vstd+a)。然后在時刻t2，若控制線Ri的電位變?yōu)镚H，則開關(guān)用TFT314變?yōu)榉菍?dǎo)通狀 態(tài)。從而，切斷從基準(zhǔn)電源布線Vs經(jīng)由開關(guān)用TFT314流向連接點A的電流。代 替它的，是電流從電源布線Vp經(jīng)由驅(qū)動用TFT310和開關(guān)用TFT313流入連接點A， 連接點A的電位(驅(qū)動用TFT310的柵極端子電位)在驅(qū)動用TFT310為導(dǎo)通狀態(tài) 期間上升。若驅(qū)動用TFT310的柵一源間電壓變?yōu)殚撝惦妷篤th (負值)(亦即， 連接點A的電位變?yōu)?VDD + Vth))，則變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。因此，連接點A的電 位上升到(VDD + Vth)，驅(qū)動用TFT310變?yōu)殚撝禒顟B(tài)。然后在時刻t3，若掃描線Gi的電位變?yōu)镚H，則開關(guān)用TFT311、 313變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。此時在電容320上保持連接點A和B的電位差(VDD+Vth-Vdata)。然后在時刻t4，若控制線Ei的電位變?yōu)镚L，則開關(guān)用TFT312、 315變?yōu)閷?dǎo) 通狀態(tài)。從而，連接點B通過開關(guān)用TFT312與電源布線Vp連接。此時，連接點B 的電位從Vdata變?yōu)閂DD，連接點A的電位隨之僅變化相同的量(VDD-Vdata;以 下稱為VB)，變?yōu)?VDD+Vth+VB)。時刻t4之后，由于開關(guān)用TFT315為導(dǎo)通狀態(tài)，因此電流從電源布線Vp經(jīng)由 驅(qū)動用TFT310和開關(guān)用TFT315流向有機EL元件330。雖然流經(jīng)驅(qū)動用TFT310的 電流量會對應(yīng)于柵極端子電位(VDD+Vth+VB)而增減，但是即使閾值電壓Vth 不同，而如果電位差VB (=VDD-Vdata)相同，則電流量也相同。因此，與驅(qū) 動用TFT310的閾值電壓Vth的值無關(guān)，在有機EL元件330中流經(jīng)與數(shù)據(jù)電位 Vdata相應(yīng)的量的電流，有機EL元件330就以指定的亮度發(fā)光。如上所示，在像素電路300中，驅(qū)動用TFT310和所有的開關(guān)用TFT311 315 都是用相同溝道型的晶體管構(gòu)成。即使是具備這樣的像素電路300的本實施形 態(tài)的顯示裝置，通過提供適當(dāng)?shù)目刂菩盘柦o各TFT的柵極端子，也可以獲得與 第l實施形態(tài)相同的效果。另外，由于相同溝道型的晶體管可以用相同掩模以 相同工藝制造，因此可以降低顯示裝置的成本。另外，由于相同溝道型的晶體 管比不同溝道型的晶體管能更接近進行配置，因此可以將像素電路的面積用于 其他用途。(第4實施形態(tài))圖8為本發(fā)明第4實施形態(tài)的顯示裝置的結(jié)構(gòu)方框圖。圖8中所示的顯示裝 置40，是在圖1所示的顯示裝置10中，將基準(zhǔn)電源調(diào)整電路14換成了基準(zhǔn)電位 控制電路48。顯示裝置40中，為了提供基準(zhǔn)電位給像素電路Aij，是用與各行 的像素電路Aij連接的n根控制線Ri，以代替與所有的像素電路Aij連接的基準(zhǔn) 電源布線Vs。基準(zhǔn)電位控制電路48基于電壓控制信號PDA,調(diào)整2種基準(zhǔn)電位(以下稱為 Vsh、 Vsl)的電平。基準(zhǔn)電位控制電路48與n根控制線Ri連接，將控制線Ri的 電位分別在Vsh和Vsl之間切換。圖9為本發(fā)明第4實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。圖9中 所示的像素電路400具備驅(qū)動用TFT410、開關(guān)用TFT411 415、電容420、以及 有機EL元件430。開關(guān)用TFT411為n溝道型，其他TFT都是p溝道型。像素電路400是對第1實施形態(tài)像素電路(圖2)實施了以下變更將開關(guān)用TFT114變?yōu)閜溝道型的TFT，將變更后的TFT與控制線Ri進行二極管連接。在 像素電路400中，開關(guān)用TFT414的柵極端子和漏極端子都與控制線Ri (第3電源 布線)連接。除以上方面之外，像素電路400的結(jié)構(gòu)與像素電路100的相同。圖10是像素電路400的時序圖。圖10示出外加到掃描線Gi、控制線Wi、 Ri 以及數(shù)據(jù)線Sj上的電位的變化、和連接點A、 B的電位的變化。圖10中，從時刻 t0到時刻t5相當(dāng)于l個水平掃描期間。下面參照圖IO，說明像素電路400和像素 電路100的工作的不同點。如圖10所示，將控制線Ri的電位在時刻tl到時刻t2之間控制為Vsl，其他 以外的時刻控制為Vsh?；鶞?zhǔn)電位Vsh、 Vsl由滿足后述條件那樣來決定。在時刻tl，若控制線Ri的電位變?yōu)閂sl，則開關(guān)用TFT414的柵極端子電位 和漏極端子電位都變成Vsl。如果p溝道型開關(guān)用TFT414的柵一源間電壓低于閾 值電壓(亦即，電位Vsl比連接點A的電位低開關(guān)用TFT414的閾值電壓的量以 上)，則開關(guān)用TFT414變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。另外，若開關(guān)用TFT414變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，則電流從連接點A經(jīng)由開關(guān)用TFT414 向控制線Ri流出，連接點A的電位在開關(guān)用TFT414為導(dǎo)通狀態(tài)期間下降。若開 關(guān)用TFT414的柵一源間電壓變?yōu)殚撝惦妷篤th'(負值)(亦即，連接點A的電 位變?yōu)?Vsl-Vth'))，則變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。因此，連接點A的電位下降到 (Vsl-Vth')。而且，如果此時連接點A的電位比驅(qū)動用TFT410的源極端子電位 低閾值電壓Vth (負值)的量以上(亦即，Vsl-Vth，〈VDD+Vth成立)，則驅(qū)動用 TFT410變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，基準(zhǔn)電位Vsl是這樣決定，它與之前的連接點A的電位無關(guān)，若在開 關(guān)用TFT414的柵極端子上外加基準(zhǔn)電位Vsl，則使得開關(guān)用TFT414變?yōu)閷?dǎo)通狀 態(tài)，而且驅(qū)動用TFT410為導(dǎo)通狀態(tài)。與之不同的是，基準(zhǔn)電位Vsh是這樣決定， 它與之前的連接點A的電位無關(guān)，若在開關(guān)用TFT414的柵極端子外加基準(zhǔn)電位 Vsh，則開關(guān)用TFT414變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。通過在滿足這些條件的Vsh和Vsl之間 切換控制線Ri的電位，可以僅利用1根控制線設(shè)定驅(qū)動用TFT410為導(dǎo)通狀態(tài)。如上所示，在像素電路400中，通過將開關(guān)用TFT414與控制線Ri進行二極 管連接之后，在Vsh和Vsl之間切換控制線Ei的電位，可以切換開關(guān)用TFT414為 導(dǎo)通狀態(tài)及非導(dǎo)通狀態(tài)，可以設(shè)定驅(qū)動用TFT410為導(dǎo)通狀態(tài)。因此，即使根據(jù) 具備像素電路400的本實施形態(tài)的顯示裝置，也可以獲得與第l實施形態(tài)相同的 效果。另外，由于不需要控制開關(guān)用TFT414的布線，所以可以減小顯示裝置的電路規(guī)模。(第5實施形態(tài))圖11為本發(fā)明第5實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。圖ll 中所示的像素電路500具備驅(qū)動用TFT510、開關(guān)用TFT511 515、電容520、以 及有機EL元件530。開關(guān)用TFT511、 514為n溝道型，其他TFT都是p溝道型。像素電路500是對第1實施形態(tài)的像素電路100 (圖2)實施了變更，將開關(guān) 用TFT112與基準(zhǔn)電源布線Vs連接。在像素電路500中，在連接點B和基準(zhǔn)電源布 線Vs之間設(shè)置開關(guān)用TFT512。除以上方面之外，像素電路500的結(jié)構(gòu)與像素電 路100的相同。圖12是像素電路500的時序圖。圖12示出外加到掃描線Gi、控制線Wi、 Ri 以及數(shù)據(jù)線Sj上的電位的變化、和連接點A、 B的電位的變化。圖12中，從時刻 t0到時刻t5相當(dāng)于l個水平掃描期間。下面參照圖12，說明像素電路500和像素 電路100的工作的不同點。如圖12所示，像素電路500在時刻tO到時刻t5的期間，與像素電路100同樣 地工作。在時刻t5，若掃描線Gi的電位變?yōu)镚L，則開關(guān)用TFT512、 515變?yōu)閷?dǎo) 通狀態(tài)，開關(guān)用TFT511變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。從而，連接點B從數(shù)據(jù)線Sj斷開，通 過開關(guān)用TFT512與基準(zhǔn)電源布線Vs連接。因此，連接點B的電位從Vdata變?yōu)?Vstd，連接點A的電位也隨之僅變化相同的量(Vstd-Vdata;以下稱為VC)， 變?yōu)?VDD+Vth+VC)。時刻t5之后，由于開關(guān)用TFT515為導(dǎo)通狀態(tài)，因此電流從電源布線Vp經(jīng)由 驅(qū)動用TFT510和開關(guān)用TFT515流向有機EL元件530。雖然流經(jīng)驅(qū)動用TFT510的 電流量會對應(yīng)于柵極端子電位(VDD+Vth+VC)而增減，但是即使閾值電壓Vth 不同，而如果電位差VC (=Vstd-Vdata)相同，則電流量也相同。因此，與驅(qū) 動用TFT510的閾值電壓Vth的值無關(guān)，在有機EL元件530中流經(jīng)與外加在數(shù)據(jù)線 Sj上的電位Vdata相應(yīng)的量的電流，有機EL元件530就以指定的亮度發(fā)光。如上所示，在像素電路500中，開關(guān)用TFT512設(shè)置在連接點B和基準(zhǔn)電源布 線Vs之間。即使根據(jù)具備這樣的像素電路500的本實施形態(tài)的顯示裝置，由于 驅(qū)動用TFT510的柵極端子電位保持在數(shù)據(jù)電位Vdata相應(yīng)的電平，因此也可以 獲得與第l實施形態(tài)相同的效果。此外，根據(jù)本實施形態(tài)的顯示裝置，如下所 示，可以容易地進行為提高顯示品質(zhì)而進行的峰值亮度調(diào)整。在以往的顯示裝置中為了進行峰值亮度調(diào)整，例如，必須將顯示數(shù)據(jù)存儲25到存儲器中并求出峰值亮度，對顯示數(shù)據(jù)實施與所求出的峰值亮度相應(yīng)的變換 處理，將與變換后的顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的電位提供給像素電路。但是，為了進行這 些處理，必須在顯示控制電路或源極驅(qū)動器電路中追加存儲器或運算電路，在 源極驅(qū)動器電路的輸出部分追加與峰值亮度調(diào)整對應(yīng)的電路。因此，如果在以 往的顯示裝置中追加峰值亮度調(diào)整功能，就會大大增加顯示裝置的成本或功 耗。與此不同的是，在本實施形態(tài)的顯示裝置中，由于驅(qū)動用TF510的柵極端 子電位為(VDD+Vth+VC)，電位VDD、 Vth為固定值，因此有機EL元件530的亮 度會隨著電位差VC (=Vstd-Vdata)而增減。因此，即使不分別變更數(shù)據(jù)電位 Vdata，而通過用基準(zhǔn)電源調(diào)整電路14與峰值亮度對應(yīng)調(diào)整基準(zhǔn)電位Vstd，也 可以統(tǒng)一調(diào)整有機EL元件530的亮度。在這種情況下，不需要對源極驅(qū)動器電 路的輸出部追加電路。因此，根據(jù)本實施形態(tài)的顯示裝置，只追加少量的電路， 而不變更顯示數(shù)據(jù)，就可以容易地進行峰值亮度調(diào)整。 (第6實施形態(tài))圖13為本發(fā)明第6實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。圖13 中所示的像素電路600具備驅(qū)動用TFT610、開關(guān)用TFT611 615、電容620、以 及有機EL元件630。開關(guān)用TFT612、 614、 615為p溝道型，其他TFT是n溝道型。像素電路600是對第5實施形態(tài)的像素電路500 (圖ll)實施了以下變更 將驅(qū)動用TFT510與開關(guān)用TFT513變?yōu)閚溝道型TFT，將開關(guān)用TFT514變?yōu)閜溝道 型TFT，變更了電源布線Vp和公用陰極Vcom連接的路徑上的元件的配置順序。 在像素電路600中，在電源布線Vp和公用陰極Vcom連接的路徑上，從電源布線 Vp的一側(cè)，依次串聯(lián)設(shè)置有機EL元件630、開關(guān)用TFT615和驅(qū)動用TFT610。除 以上方面之外，像素電路600的結(jié)構(gòu)與像素電路500的相同。圖14是像素電路600的時序圖。圖14示出外加到掃描線Gi、控制線Wi、 Ri 以及數(shù)據(jù)線Sj上的電位的變化、和連接點A、 B的電位的變化。圖14中，從時刻 t0到時刻t5相當(dāng)于l個水平掃描期間。下面參照圖14，說明像素電路600的工作。在時刻tO之前，控制掃描線Gi與控制線Wi的電位為GL，控制線Ri的電位為 GH，數(shù)據(jù)線Sj的電位為與前次顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的電平。因此，開關(guān)用TFT612、 615 處于導(dǎo)通狀態(tài)，開關(guān)用TFT611、 613、 614處于非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，連接點A的 電位變?yōu)榕c像素電路600中前次寫入的顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的電位，連接點B的電位變 為Vstd。26在時刻t0，若掃描線Gi的電位變?yōu)镚H，則開關(guān)用TFT611變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，開 關(guān)用TFT612、 615變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。在掃描線Gi的電位為GH的期間(從時刻t0 到時刻t5的期間)，由于開關(guān)用TFT615為非導(dǎo)通狀態(tài)，因此電流不流向有機EL 元件630，有機EL元件630不發(fā)光。在掃描線Gi的電位為GH的期間，控制數(shù)據(jù)線Sj的電位為數(shù)據(jù)電位Vdata。 在此期間，由于連接點B通過開關(guān)用TFT611與數(shù)據(jù)線Sj連接，因此連接點B的電 位變?yōu)閂data。另外，在從時刻t0到時刻t5的期間，由于開關(guān)用TFT613、 614為 非導(dǎo)通狀態(tài)，因此若連接點B的電位從Vstd變?yōu)閂data，則連接點A的電位也僅 變化相同的量(Vdata — Vstd)。然后在時刻tl，若控制線Ri的電位變?yōu)镚L，則開關(guān)用TFT614變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。 從而，由于連接點A通過開關(guān)用TFT614與基準(zhǔn)電源布線Vs連接，因此連接點A的 電位變?yōu)閂std。此時由于連接點B通過開關(guān)用TFT611和數(shù)據(jù)線Sj連接，因此即 使連接點A的電位發(fā)生變化，連接點B的電位也仍然是Vdata不變?；鶞?zhǔn)電源布線Vs的基準(zhǔn)電位Vstd是這樣決定，使得在柵極端子上外加基準(zhǔn) 電位Vstd時，驅(qū)動用TFT610變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，從時刻U開始，驅(qū)動用TFT610 必定變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。還有，即使驅(qū)動用TFT610變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，而開關(guān)用TFT615 為非導(dǎo)通狀態(tài)期間，電流也不流向有機EL元件630，有機EL元件630不發(fā)光。然后在時刻t2，若控制線Ri的電位變?yōu)镚H，則開關(guān)用TFT614變?yōu)榉菍?dǎo)通狀 態(tài)。從而，連接點A從基準(zhǔn)電源布線Vs斷開，連接點A的電位被固定。此時在電 容620上保持連接點A和B的電位差(Vstd-Vdata)。然后在時刻t3，若控制線Wi的電位變?yōu)镚H，則開關(guān)用TFT613變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。 從而，驅(qū)動用TFT610的柵極端子和漏極端子之間短路，驅(qū)動用TFT610變?yōu)槎O 管連接。在從時刻tl到時刻t2的期間，連接點A上外加基準(zhǔn)電位Vstd，即使是 時刻t2以后，連接點A的電位也通過電容620保持為Vstd。因此，即使是時刻t3 之后，驅(qū)動用TFT610也必定為導(dǎo)通狀態(tài)。另外，電流從連接點A經(jīng)由開關(guān)用TFT613和驅(qū)動用TFT610向公用陰極Vcom 流出，連接點A的電位(驅(qū)動用TFT610的柵極端子電位)在驅(qū)動用TFT610為導(dǎo) 通狀態(tài)期間下降。若驅(qū)動用TFT610的柵一源間電壓變?yōu)殚撝惦妷篤th (正值)(亦即，連接點A的電位變?yōu)?VSS + Vth))，則變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。因此，連 接點A的電位下降到(VSS + Vth)，驅(qū)動用TFT610變?yōu)殚撝禒顟B(tài)。然后在時刻t4，若控制線Wi的電位變?yōu)镚L，則開關(guān)用TFT613變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。此時在電容620上保持連接點A和B的電位差(VSS+Vth-Vdata)。然后在時刻t5，若掃描線Gi的電位變?yōu)镚L，則開關(guān)用TFT612、 615變?yōu)閷?dǎo) 通狀態(tài)，開關(guān)用TFT611變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。從而，連接點B從數(shù)據(jù)線Sj斷開，通 過開關(guān)用TFT612與基準(zhǔn)電源布線Vs連接。因此，連接點B的電位從Vdata變?yōu)?Vstd，連接點A的電位也隨之僅變化相同的量(Vstd-Vdata;以下稱為VC)， 變?yōu)?VSS+Vth+VC)。時刻t5之后，由于開關(guān)用TFT615為導(dǎo)通狀態(tài)，因此從電源布線Vp經(jīng)由開關(guān) 用TFT615和驅(qū)動用TFT610流向公用陰極Vcom的電流也流向有機EL元件630。雖 然流經(jīng)驅(qū)動用TFT610的電流量會對應(yīng)于柵極端子電位(VSS+Vth+VC)而增減， 但是即使閾值電壓Vth不同，而如果電位差VC (=Vstd-Vdata)相同，則電流 量也相同。因此，與驅(qū)動用TFT610的閾值電壓Vth的值無關(guān)，在有機EL元件630 中流經(jīng)與數(shù)據(jù)線Sj上外加的電位Vdata相應(yīng)的量的電流，有機EL元件630就以指 定的亮度發(fā)光。如上所示，像素電路600中包含n溝道型的驅(qū)動用TFT610。即使根據(jù)具備這 樣的像素電路600的本實施形態(tài)的顯示裝置，也與第5實施形態(tài)相同，可以獲得 與第l實施形態(tài)相同的效果，同時還可以獲得容易進行峰值亮度調(diào)整的效果。 (第7實施形態(tài))圖15為本發(fā)明第7實施形態(tài)的顯示裝置中包含的像素電路的電路圖。圖15 中所示的像素電路700具備驅(qū)動用TFT710、開關(guān)用TFT711 715、電容720、以 及有機EL元件730。開關(guān)用TFT711、 714為n溝道型，其他TFT為p溝道型。像素電路700是對第5實施形態(tài)的像素電路500 (圖ll)實施了變更，將開 關(guān)用TFT514連接到不同的位置。圖15中，將驅(qū)動用TFT710與開關(guān)用TFT713、 715 的連接點稱為C。在像素電路700中，在連接點C和基準(zhǔn)電源布線Vs之間設(shè)置開 關(guān)用TFT714。除以上方面之外，像素電路700的結(jié)構(gòu)與像素電路500的相同。圖16是像素電路700的時序圖。圖16示出外加到掃描線Gi、控制線Wi、 Ri 以及數(shù)據(jù)線Sj上的電位的變化、和連接點A、 B的電位的變化。圖16中，從時刻 t0到時刻t4相當(dāng)于l個水平掃描期間。下面參照圖16，說明像素電路700和像素 電路500的工作的不同點。像素電路700在時刻tO到時刻tl之間，與像素電路500相同(亦即與像素電 路100相同)進行工作。在時刻tl，若控制線Wi的電位變?yōu)镚L，控制線Ri的電 位變?yōu)镚H，則開關(guān)用TFT713、 714變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。從而，由于連接點A通過開關(guān)用TFT713、 714與基準(zhǔn)電源布線Vs連接，因此連接點A的電位變?yōu)閂std?；鶞?zhǔn)電源布線Vs的基準(zhǔn)電位Vstd是這樣決定，使得在柵極端子上外加基準(zhǔn) 電位Vstd時，驅(qū)動用TFT710變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，從時刻tl開始，驅(qū)動用TFT710 必定變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。還有，即使驅(qū)動用TFT710變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，而開關(guān)用TFT715 為非導(dǎo)通狀態(tài)期間，電流也不流向有機EL元件730，有機EL元件730不發(fā)光。另一方面，若開關(guān)用TFT713變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，則驅(qū)動用TFT710的柵極端子和 漏極端子之間短路，驅(qū)動用TFT710變?yōu)槎O管連接。因此，電流從電源布線Vp 經(jīng)由驅(qū)動用TFT710和開關(guān)用TFT713流入連接點A，連接點A的電位從而上升。因 此，連接點A的電位確切地說，變?yōu)楸萔std稍高的電位(Vstd+e)。然后在時刻t2，若控制線Ri的電位變?yōu)镚L，則開關(guān)用TFT714變?yōu)榉菍?dǎo)通狀 態(tài)。從而，切斷從基準(zhǔn)電源布線Vs經(jīng)由開關(guān)用TFT714流向連接點A的電流。代 替它的，是電流從電源布線Vp經(jīng)由驅(qū)動用TFT710和開關(guān)用TFT713流入連接點A， 連接點A的電位(驅(qū)動用TFT710的柵極端子電位)在驅(qū)動用TFT710為導(dǎo)通狀態(tài) 的期間上升。若驅(qū)動用TFT710的柵一源間電壓變?yōu)殚撝惦妷篤th (負值)(亦 即，連接點A的電位變?yōu)?VDD + Vth))，則變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。因此，連接點A 的電位上升到(VDD + Vth)，驅(qū)動用TFT710變?yōu)殚撝禒顟B(tài)。像素電路700在時刻t3以后，進行與像素電路500在時刻t4之后的相同的工 作。時刻t4以后，與驅(qū)動用TFT710的閾值電壓Vth的值無關(guān)，有機EL元件730中 流經(jīng)與數(shù)據(jù)電位Vdata相應(yīng)的量的電流，有機EL元件730以指定的亮度發(fā)光。如上所示，在像素電路700中，開關(guān)用TFT714與基準(zhǔn)電源布線Vs和驅(qū)動用 TFT710的漏極端子(與開關(guān)用TFT713連接的電流輸入輸出端子)連接。即使根 據(jù)具備這樣的像素電路700的本實施形態(tài)的顯示裝置，也與第5實施形態(tài)相同， 獲得與第l實施形態(tài)相同的效果，同時還可以獲得容易進行峰值亮度調(diào)整的效 果。另外， 一般的像素電路中，因為開關(guān)元件中有漏電流流過，所以存在以下 問題，即電容中保持的電荷會在電光學(xué)元件發(fā)光期間增加或減少，電光學(xué)元件 的亮度會隨時間經(jīng)過而發(fā)生變動。這里，與連接點A連接的開關(guān)用TFT的個數(shù)， 在像素電路500中為2個，而不同的是在像素電路700中為1個。因此，在像素電 路700中，由于與驅(qū)動用TFT710的柵極端子連接的開關(guān)用TFT的個數(shù)很少，因此 漏電流也少，保持在電容720上的電荷也不易發(fā)生變動。因此，根據(jù)本實施形 態(tài)的顯示裝置，可以抑制驅(qū)動用TFT710的柵極端子電位的變動，提高顯示品質(zhì)。還有，像素電路700是對第5實施形態(tài)的像素電路500實施了以下變更它將一個端子與基準(zhǔn)電源布線Vs連接的開關(guān)用TFT的另一個端子與驅(qū)動用TFT的 漏極端子連接，但也可以對第1 第4及第6實施形態(tài)的像素電路實施相同的變 更。即使根據(jù)具備變更后的像素電路的顯示裝置，也與第7實施形態(tài)相同，可 以抑制驅(qū)動用TFT的柵極端子電位的變動，提高顯示品質(zhì)。如上所示，根據(jù)各實施形態(tài)的顯示裝置，可以正確補償驅(qū)動用TFT的閾值 電壓偏差，防止有機EL元件的不必要的發(fā)光，提高顯示畫面的對比度，延長有 機EL元件的壽命。另外，本發(fā)明并不限定于各實施形態(tài)，也可以對各實施形態(tài) 的特征進行適當(dāng)?shù)慕M合。工業(yè)上的實用性本發(fā)明的顯示裝置具有以下效果，即可以正確補償驅(qū)動元件的閾值電壓偏 差，防止電光學(xué)元件不必要的發(fā)光，因此可以用于有機EL顯示器或FED等具備 電流驅(qū)動型顯示元件的各種顯示裝置。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，是電流驅(qū)動型的顯示裝置，其特征在于，具備對應(yīng)多個掃描線與多個數(shù)據(jù)線的各個交叉點而配置的多個像素電路；利用所述掃描線、選擇寫入對象的像素電路的掃描信號輸出電路；以及對所述數(shù)據(jù)線、提供與顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的電位的顯示信號輸出電路，所述像素電路，包括在第1電源布線與第2電源布線之間設(shè)置的電光學(xué)元件；在所述第1電源布線與所述第2電源布線之間、與所述電光學(xué)元件串聯(lián)設(shè)置的驅(qū)動元件；與所述驅(qū)動元件的控制端子連接第1電極的電容；在所述電容的第2電極與所述數(shù)據(jù)線之間設(shè)置的第1開關(guān)元件；在所述電容的第2電極與規(guī)定的電源布線之間設(shè)置的第2開關(guān)元件；在所述驅(qū)動元件的控制端子與一個電流輸入輸出端子之間設(shè)置的第3開關(guān)元件；以及一個端子與第3電源布線連接、另一個端子直接或通過所述第3開關(guān)元件與所述驅(qū)動元件的控制端子連接的第4開關(guān)元件。
2. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其特征在于， 在所述第3電源布線上外加電位，以使所述驅(qū)動元件為導(dǎo)通狀態(tài)。
3. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其特征在于，所述第4開關(guān)元件設(shè)置在所述第3電源布線和所述驅(qū)動元件的控制端子之間。
4. 如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于， 在對所述像素電路進行寫入時，在第1期間中，控制所述第1和第4開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)，所述第2和第3開 關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)；然后在第2期間中，控制所述第4開關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)，所述第3開關(guān)元 件為導(dǎo)通狀態(tài)；然后在第3期間中，控制所述第1和第3開關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)，所述第2開 關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)。
5. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其特征在于，所述第4開關(guān)元件設(shè)置在所述第3電源布線和所述驅(qū)動元件的一個電流輸 入輸出端子之間，該電流輸入輸出端子與所述第3開關(guān)元件連接。
6. 如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于， 在對所述像素電路進行寫入時，在第1期間中，控制所述第l、第3和第4開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)，所述第2開關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)；然后在第2期間中，控制所述第4開關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)； 然后在第3期間中，控制所述第1和第3開關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)，所述第2開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)。
7. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其特征在于，所述第2開關(guān)元件設(shè)置在所述第1電源布線和所述電容的第2電極之間。
8. 如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第4開關(guān)元件的控制端子與所述第3電源布線連接， 所述第3電源布線的電位在使所述驅(qū)動元件為導(dǎo)通狀態(tài)的電位和使所述第4開關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)的電位之間進行切換。
9. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其特征在于，所述第2開關(guān)元件設(shè)置在所述第3電源布線和所述電容的第2電極之間。
10. 如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第3電源布線的電位構(gòu)成為可控制。
11. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其特征在于，所述像素電路還包括設(shè)置在所述驅(qū)動元件和所述電光學(xué)元件之間的第5開 關(guān)元件。
12. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其特征在于，在對所述像素電路進行寫入時，控制所述第2電源布線的電位，使得對所 述電光學(xué)元件的外加電壓低于發(fā)光閾值電壓。
13. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其特征在于， 所述電光學(xué)元件由有機EL元件構(gòu)成。
14. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其特征在于，所述驅(qū)動元件以及所述像素電路內(nèi)的所有的開關(guān)元件由薄膜晶體管構(gòu)成。
15. 如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其特征在于，所述驅(qū)動元件以及所述像素電路內(nèi)的所有的開關(guān)元件由相同溝道型的薄 膜晶體管構(gòu)成。
全文摘要
像素電路(100)中，在電源布線(Vp)與公用陰極(Vcom)之間設(shè)置驅(qū)動用TFT(110)、開關(guān)用TFT(115)和有機EL元件(130)，在驅(qū)動用TFT(110)的柵極端子與數(shù)據(jù)線(Sj)之間設(shè)置電容(120)和開關(guān)用TFT(111)。在電容(120)和開關(guān)用TFT(111)的連接點(B)與電源布線(Vp)之間設(shè)置開關(guān)用TFT(112)，在驅(qū)動用TFT(110)的柵極端子與漏極端子之間設(shè)置開關(guān)用TFT(113)，在驅(qū)動用TFT(110)的柵極端子與基準(zhǔn)電源布線(Vs)之間設(shè)置開關(guān)用TFT(114)。在基準(zhǔn)電源布線(Vs)上外加使得驅(qū)動用TFT(110)為導(dǎo)通狀態(tài)的電位。從而，可以正確補償驅(qū)動元件的閾值電壓偏差，防止電光學(xué)元件不必要的發(fā)光。
文檔編號H01L51/50GK101405785SQ20068005395
公開日2009年4月8日 申請日期2006年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月30日
發(fā)明者仙田孝裕 申請人:夏普株式會社