專利名稱：電致發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光裝置及其制造方法，特別是涉及一種具有高效 能的電致發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED )是一種冷光發(fā)光元件，其利用 半導體材料中電子空穴結(jié)合所釋放出的能量，以光的形式釋出。依據(jù)使用材料的不同，其可發(fā)出不同波長的單色光，而主要可區(qū)分為可見光發(fā)光二極管 與不可見光(紅外線)發(fā)光二極管兩種，由于發(fā)光二極管與傳統(tǒng)燈泡發(fā)光的 形式相比，具有省電、耐震及閃爍速度快等優(yōu)點，因此成為日常生活中不可 或缺的重要元件。請參照圖1所示，現(xiàn)有的一種發(fā)光二極管裝置1包括粘貼于透明基板1 上的至少一個發(fā)光二極管元件10。其中，發(fā)光二極管元件10包括第一半導 體層101>發(fā)光層102及第二半導體層103，第一半導體層101、發(fā)光層102 及第二半導體層103依次設(shè)置，第一接觸電極104連結(jié)于第一半導體層101, 第二接觸電極105連結(jié)于第二半導體層103，以第一半導體層101為n型半 導體層，而第二半導體層103為p型半導體層為例說明，當分別對這些半導 體層IOI、 103施以電壓而產(chǎn)生電流時，利用n型半導體層與p型半導體層 中的電子空穴相結(jié)合，而將電能轉(zhuǎn)換為光能。此外，發(fā)光二極管元件10通 過透明粘貼層12粘貼于透明基板11上，且為提高電流分散效率，發(fā)光二極 管元件IO與透明粘貼層12的連結(jié)面還包括有透明導電層13,通過均勻電流 分布而有效地提高發(fā)光二極管裝置1整體的發(fā)光亮度?，F(xiàn)有技術(shù)一般使用外延基板作為透明基板11,以有機粘貼材料構(gòu)成透明 粘貼層12,由于外延基板及有機粘貼材料的導熱系數(shù)低，因此無法提供發(fā)光 二極管元件IO較佳的散熱路徑，導致搡作中的發(fā)光二極管裝置1存在熱能 積聚不易驅(qū)散等問題，而影響發(fā)光二極管裝置1的發(fā)光效率。由于現(xiàn)階段發(fā)光二極管的發(fā)展仍存在發(fā)光效率偏低的問題，因此業(yè)者多致力于如何有效將發(fā)光二^l管元件10內(nèi)所產(chǎn)生的光子取出，并同時減少光子在發(fā)光二極管元件10內(nèi)持續(xù)反射所產(chǎn)生不必要的熱能；另一方面，也致 力于解決發(fā)光二極管元件io內(nèi)部的熱能驅(qū)散問題，以降低發(fā)光二極管裝置i 整體的^:作溫度，而以達到提高發(fā)光二極管裝置i的發(fā)光效率為最終目的。 因此，如何提供一種更有效地提高電流分散效率及有效地降低熱能積聚的電 致發(fā)光裝置及其制造方法，實為重要課題之一。發(fā)明內(nèi)容因此，為解決上述問題，本發(fā)明提出一種電致發(fā)光裝置及其制造方法， 其為有效地提高電流分散效率及有效地降低熱能積聚的電致發(fā)光裝置及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種電致發(fā)光裝置的制造方法，包括下列步驟 提供板體；形成至少一個發(fā)光二極管元件于板體上，發(fā)光二極管元件依次包 括第一半導體層、發(fā)光層及第二半導體層，第一半導體層形成于板體上；形 成圖案化透明導電層于發(fā)光二極管元件上；形成反射層于圖案化透明導電層 上；粘貼基板于反射層之上；以及移除板體。根據(jù)本發(fā)明的另一目的，提出一種電致發(fā)光裝置，包括基板、反射層、 圖案化透明導電層、至少一個發(fā)光二極管元件、第一接觸電極及第二接觸電 極。其中，反射層設(shè)置于基板之上；圖案化透明導電層設(shè)置于反射層上；發(fā) 光二極管元件設(shè)置于圖案化透明導電層上，發(fā)光二極管元件依次包括第一半 導體層、發(fā)光層及第二半導體層，第二半導體層位于圖案化透明導電層及反 射層上；第一接觸電極與第一半導體層電連接；以及第二接觸電極與第二半 導體層電連接。承上所述，因依據(jù)本發(fā)明的一種電致發(fā)光裝置及其制造方法，是在電致 發(fā)光裝置中提供圖案化的透明導電層，此圖案化透明導電層例如可以蝕刻的 方式來形成多個島狀圖案，發(fā)光二極管元件可通過圖案化透明導電層的圖案 化使產(chǎn)生的電流分布均勻，而有效避免電流栓塞現(xiàn)象。另外，利用反射層的 設(shè)置以與圖案化透明導電層形成良好的歐姆性接觸，并提供散射及反射光線 的界面，而有效提高外部取光與發(fā)光效率。此外，由于基板與反射層具有高 導熱性，因此與現(xiàn)有技術(shù)相比，更有效增進發(fā)光二極管元件熱能的驅(qū)散。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)
選實施例，并結(jié)合附圖，作詳細說明如下


圖1為一種現(xiàn)有的發(fā)光二極管裝置的示意圖。圖2A至2B、圖3A至3B、圖4A至4C、圖5A至5C、圖6A至6C、 圖7A至7B為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的一種電致發(fā)光裝置的一組示意圖。 圖8為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的一種電致發(fā)光裝置的制造方法流程圖。 圖9A與圖9B為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的一種電致發(fā)光裝置的制造方 法的示意圖。筒單符號說明1:發(fā)光二極管裝置10、24:發(fā)光二極管元件101、241:第一半導體層102、242:發(fā)光層103、243:第二半導體層104、25:第一接觸電極105、26:第二接觸電極11:透明基板12:透明粘貼層13、23:透明導電層2:電致發(fā)光裝置20:板體21:基板22:反射層244:出光面245:抗反射層27:粘貼層28:絕緣層S卜S8、 S41、 S51、 S7'、 S71':流程步驟。
具體實施方式
以下將參照相關(guān)附圖，說明依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的一種電致發(fā)光裝置 及其制造方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。請參照圖2A至圖5C所示，依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的一種電致發(fā)光裝 置2包括基板21、反射層22、圖案化透明導電層23、至少一個發(fā)光二極管 元件24、第一接觸電極25及第二接觸電極26。在本實施例中，基板21可為高導熱系數(shù)基板，其材料選自硅(Si)、砷 化鎵(GaAs )、磷化鎵(GaP )、碳化硅(SiC )、氮化硼(BN )、氮化鋁(A1N )、 鋁(Al)、銅(Cu)及其組合所構(gòu)成的組。反射層22設(shè)置于基板21之上，圖案化透明導電層23設(shè)置于反射層22 上，如圖2至圖5所示，反射層22具有凹凸表面，圖案化透明導電層23充 滿于反射層22的凹入處，而使圖案化透明導電層23形成例如包括有多個島 狀圖案，其中該多個島狀圖案為獨立或連續(xù)的，即該多個島狀圖案可分別為 分離的獨立島狀結(jié)構(gòu)(如圖2A與圖3A所示)，另外，也可為兩兩相連結(jié)成 連續(xù)島狀結(jié)構(gòu)(如圖4A與圖5A所示)，當然，圖案化透明導電層23也可 由上述兩種島狀結(jié)構(gòu)的組合構(gòu)成。其中，島狀圖案的剖面為矩形、圓形、多 邊形或不規(guī)則形狀。在本實施例中，反射層22的材料為具有高反射系數(shù)的金屬，且通過反 射層22的凹凸表面，提供良好的光線反射與散射效果，以增加外部取光效 率。其中，反射層22的金屬選自鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、 4巴(Cr)、 鎳(M)、鈿(Pd)、鈦(Ti)及其組合所構(gòu)成的組。另外，在本實施例中， 也通過反射層22與透明導電層23的連結(jié)而形成有良好的歐姆接觸，以此降 低電阻值以增進電致發(fā)光裝置2的發(fā)光效率。發(fā)光二極管元件24設(shè)置于圖案化透明導電層23上，其包括第一半導體 層241、發(fā)光層242及第二半導體層243,并以第二半導體層243、發(fā)光層 242與第二半導體層241的順序依次形成于圖案化透明導電層23及反射層 22上。在本實施例中，發(fā)光二極管元件24可設(shè)置于具有獨立島狀圖案的圖 案化透明導電層23上，在此，第二半導體層243接觸圖案化透明導電層23 及反射層22 (如圖2A與圖3A所示)；另外，發(fā)光二極管元件24也可設(shè)置于具有連續(xù)島狀圖案的圖案化透明導電層23上，在此，第二半導體層243 接觸圖案化透明導電層23(如圖4A與圖5A所示)，通過圖案化透明導電層 23的圖案化而達到有效均勻化發(fā)光二^1管元件24的電流分布，進而避免發(fā)生電流拴塞的現(xiàn)象。承上，在本實施例中，第一半導體層241可為n型半導體層，而第二半 導體層243可為p型半導體層，然而此4叉為舉例性，當然，第一半導體層241 與第二半導體層243層為n型半導體層及p型半導體層的應用，可依據(jù)實際 需求而加以互換。第一接觸電極25與第一半導體層241電連接，第二接觸電極26與第二 半導體層243電連接，詳細來說，且以第一接觸電極25與第二接觸電極26 相對基板21位于同一側(cè)為例說明，如圖2與圖4所示，第一接觸電極25形 成于第一半導體層241上，而第二接觸電極26形成于第二半導體層243上； 另外，依據(jù)實際需求，如圖3與圖5所示，也可通過蝕刻部分的第二半導體 層243,而暴露部分的圖案化透明導電層23及/或反射層22,在此，第二接 觸電極26可形成于獨立島狀圖案的圖案化透明導電層23及反射層22上(如 圖3A所示)，或是形成于連續(xù)島狀圖案的圖案化透明導電層23上(如圖5A 所示)；再者，如圖6所示，除了蝕刻部分的第二半導體層243外，當圖案 化透明導電層23為連續(xù)島狀圖案時，也可更進一步蝕刻部分的圖案化透明 導電層23后，再將第二接觸電極26形成于圖案化透明導電層23及/或反射 層22上。另外，第一半導體層241除了設(shè)置有第一接觸電極25外，在發(fā)光二極 管元件24的出光面244上，即在第一半導體層241之側(cè)且非第一接觸電極 25設(shè)置的位置上，還可形成有粗糙結(jié)構(gòu)或是抗反射層245,用以導出光線， 以有效4是高出光效率，如圖2B、圖3B所示。又，除上述圖4A、圖5A、圖 6A所示的結(jié)構(gòu)外，導電基板21上除可直接與反射層22接觸外，還可于其 中增加粘貼層27 (如圖4B、圖5B與圖6B所示)，其具有高導熱性質(zhì)。粘 貼層27的材料為銀膏、錫膏、錫銀膏，或其他可導電的粘貼材料，且包括 含鉛與不含鉛的可導電的粘貼材料。由于本實施例粘貼層27的材料的熱傳 導系數(shù)比現(xiàn)有一般使用的有機粘貼材料高，因此更有效達到散除熱能的目 的。另外，如圖4C、圖5C與圖6C所示，當基板21為導電基板時，為避免 發(fā)光二極管元件24與基板21直接導通，本實施例的電致發(fā)光裝置2還可包 括絕緣層28設(shè)置于粘貼晝27與反射層22之間，且為達到較佳的散熱效果，
本實施例的絕緣層28可選自氮化鋁或碳化硅等導熱系數(shù)高的材料構(gòu)成。又，如圖7A所示，第二接觸電極26形成于第二半導體層243上，另外，也可更 進一步移除第二半導體層243，再將第二接觸電極26形成于圖案化透明導電 層23及/或反射層22上，如圖7B所示。承上所述，本實施例的電致發(fā)光裝置2通過這些具有高導熱系數(shù)的絕緣 層28、粘貼層27及基板21,以充分達到降低發(fā)光二極管元件24的操作溫 度的目的，且更具有耐大電流及提供大面積制作的能力，進而大幅提高了電 致發(fā)光裝置2的整體發(fā)光效率。而為使本發(fā)明的一種電致發(fā)光裝置2的內(nèi)容更加清楚，請參照圖8、圖 9A與圖9B所示，說明依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的一種電致發(fā)光裝置的制造方 法，其包括步驟S1至S6,步驟S1為提供板體20;步驟S2為形成至少一個 發(fā)光二極管元件24于板體20上，發(fā)光二極管元件24依次包括第一半導體 層241、發(fā)光層242及第二半導體層243，第一半導體層241形成于板體20 上；步驟S3為形成圖案化透明導電層23于發(fā)光二極管元件24上；步驟S4 為形成反射層22于圖案化透明導電層23上；步驟S5為粘貼基板21于反射 層22之上；以及步驟S6為移除板體20。在步驟S1中，提供板體20,其作為制作發(fā)光二極管元件24的暫時性 基板，其材料包括氧化鋁例如三氧化二鋁(A1203 ),在板體20經(jīng)過適當?shù)?清洗步驟后以進行后續(xù)的發(fā)光二極管元件24的外延層成長。在步驟S2中，形成發(fā)光二極管元件24于板體20上，即在板體20上依 次成長第一半導體層241、發(fā)光層242及第二半導體層243,在本實施例中， 第一半導體層241可為n型半導體層，而第二半導體層243可為p型半導體 層，然而此僅為舉例性，并不僅限于此。在步驟S3中，形成圖案化透明導電層23于發(fā)光二極管元件24上，在 本實施例中，選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、Be、 Ge、 Ni、 Au及其 組合所構(gòu)成的組中的至少一種材料，通過沉積方式形成于發(fā)光二極管元件24 的第二半導體層243上，之后，再利用黃光與蝕刻工藝對其進行圖案化，其 中，蝕刻工藝可選用干式蝕刻或濕式蝕刻，并搭配物理性蝕刻及/或化學性性 刻來完成。在本實施例中，圖案化透明導電層23可包括多個島狀圖案，而 ^衣?lián)g刻深度的不同，例如終止蝕刻步驟于圖案化透明導電層23的任一深 度位置，而使圖案化透明導電層23呈連續(xù)島狀圖案結(jié)構(gòu)(如圖9A所示)；
另外，也可蝕刻至整個圖案化透明導電層23穿透且終止于發(fā)光二極管元件24的第二半導體層243，而使圖案化透明導電層23呈獨立島狀圖案結(jié)構(gòu)(如圖9B所示)。其中，島狀圖案不限定，其剖面可為矩形、圓形、多邊形或不夫見則形一犬。在步驟S4中，形成反射層22于圖案化透明導電層23上，在本實施例 中-選自Pt、 Au、 Ag、 Cr、 Ni、 Pd、 Ti及其組合所構(gòu)成的組中的至少一種 高反射系數(shù)材料，沉積于圖案化透明導電層23上，而依據(jù)圖案化透明導電 層23的圖案化結(jié)構(gòu)使得形成于其上的反射層22具有凹凸表面，且與圖案化 透明導電層23形成歐姆接觸，分別通過增加外部取光效率以及降低電阻值， 來達到有效提高整體的發(fā)光效率。在步驟S4之后，還可包括步驟S41,其形成絕緣層28于反射層22之 上，在本實施例中，絕緣層28選用高導熱系數(shù)的材料例如氮化鋁或碳化硅 以反應性賊射法、非反應性濺射法、高溫氮化法及高溫粉體燒結(jié)法形成于反 射層22之上。在步驟S5中，粘貼基板21于反射層22之上，在本實施例中，基板2i 通過粘貼層27粘貼于絕緣層28上，在此，粘貼層27可涂布于反射層22/ 絕緣層28上或是基板21上，再將基板21貼合，且粘貼層27可覆蓋部分面 積的反射層22/絕緣層28,抑或是完整覆蓋反射層22/絕緣層28的表面。其 中.基板21及粘貼層27具有高導熱性質(zhì)，基板21的材料選自Si、 GaAs、 GaP、 SiC、 BN、 A1N、 Al、 Cu及其組合所構(gòu)成的組中至少其中之一，而粘 貼層27的材料為銀膏、錫膏、錫銀膏，或其他可導電的粘貼材料，且包括 含鉛與不含鉛的可導電的粘貼材料。在步驟S5之后，還包括步驟S51,即翻轉(zhuǎn)電致發(fā)光裝置，以進行后續(xù) 移除暫時性基板的步驟。在步驟S6中，移除板體20,即移除作為成長發(fā)光二極管元件24的暫 時性基板。在本實施例中，翻轉(zhuǎn)電致發(fā)光裝置的步驟也可在步驟S6之后執(zhí) 行。在步驟S6之后，還包括步驟S7,形成第一接觸電極25以電連接于第 一半導體層241,在本實施例中，第一接觸電極25形成于第一半導體層241 的一側(cè)，且于步驟S7中，在第一半導體層241之側(cè)且于不具有第一接觸電 極25的位置形成有粗糙結(jié)構(gòu)或抗反射層245，以增進導出光線的機會。
此外，在步驟S6之后，也可還包括步驟S7'，移除部分的發(fā)光二極管 元件24,如圖9A與圖9B所示，可移除部分的第一半導體層241及發(fā)光層 242,之后，將第二接觸電極26形成于第二半導體層243上，另外，也可更 進一步移除第二半導體層243,再將第二4妄觸電極26形成于圖案化透明導電 層23及/或反射層22上，換言之，即依據(jù)不同深度的部分發(fā)光二極管元件 24移除后，再將第二接觸電極26形成于該移除部分上(步驟S8)，并使第 二接觸電極26與第二半導體層243電連接而完成。另外，依據(jù)不同島狀圖案的圖案化透明導電層23，因此在步驟S7'之 后，還可包括步驟S71，，移除部分的圖案化透明導電層23，之后，再將第 二接觸電極26形成于該移除部分上(步驟S8)，并與第二半導體層243相 連結(jié)以電連接而完成。綜上所述，因依據(jù)本發(fā)明的一種電致發(fā)光裝置及其制造方法，在電致發(fā) 光裝置中提供圖案化的透明導電層，此圖案化透明導電層例如可以蝕刻的方 式來形成多個島狀圖案，發(fā)光二極管元件可通過圖案化透明導電層的圖案化 使產(chǎn)生的電流分布均勻，而有效避免電流栓塞現(xiàn)象。另外，利用反射層的設(shè) 置以與圖案化透明導電層形成良好的歐姆性接觸，并提供散射及反射光線的 界面，而有效提高外部取光與發(fā)光效率。此外，由于基板與反射層具有高導 熱性，因此與現(xiàn)有技術(shù)相比，更有效增進發(fā)光二極管元件熱能的驅(qū)散。以上所述僅為舉例性，而非限制性的。任何未脫離本發(fā)明的精神與范圍， 而對其進行的等同修改或變更，均應包含于權(quán)利要求之中。
權(quán)利要求
1. 一種電致發(fā)光裝置的制造方法，包括下列步驟提供板體；形成至少一個發(fā)光二極管元件于該板體上，該發(fā)光二極管元件依次包括第一半導體層、發(fā)光層及第二半導體層，該第一半導體層形成于該板體上；形成圖案化透明導電層于該發(fā)光二極管元件上；形成反射層于該圖案化透明導電層上；粘貼基板于該反射層之上；以及移除該板體。
2、 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在移除該板體步驟之后，還包 括步驟形成第一接觸電極于該第一半導體層的一側(cè)，且該第一接觸電極電連接 于該第一半導體層、該第一半導體層之側(cè)于不具有該第一接觸電極的位置形 成粗糙結(jié)構(gòu)或抗反射層。
3、 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在移除該板體步驟之后，還包 括步驟移除部分的該發(fā)光二極管元件； 移除部分的該圖案化透明導電層；以及形成第二接觸電極于該移除部分上，且該第二接觸電極電連接于該第二半導體層。
4、 如權(quán)利要求3所述的制造方法，其中移除部分的該第一半導體層及 該發(fā)光層，或是移除部分的該第二半導體層。
5、 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在形成該反射層于該圖案化透 明導電層之上步驟之后，還包括步驟形成絕緣層于該反射層之上；其中，該絕緣層以反應性濺射法、非反應性賊射法、高溫氮化法及高溫 粉體燒結(jié)法形成于該反射層之上。
6、 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該圖案化透明導電層包括多個 島狀圖案，該島狀圖案為獨立或連續(xù)的，且該島狀圖案的剖面為矩形、圓形、多邊形或不規(guī)則形狀。
7、 一種電致發(fā)光裝置，包括 基板；反射層，設(shè)置于該基板之上； 圖案化透明導電層，設(shè)置于該反射層上；至少一個發(fā)光二極管元件，設(shè)置于該圖案化透明導電層上，該發(fā)光二極 管元件依次包括第一半導體層、發(fā)光層及第二半導體層，該第二半導體層位 于該圖案化透明導電層及該反射層上；第一接觸電極，與該第一半導體層電連接；以及第二接觸電極，與該第二半導體層電連接。
8、 如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其中該反射層為歐姆接觸金屬 層，且該反射層的材料選自鉑、金、銀、把、鎳、粕、鈦及其組合所構(gòu)成的組。
9、 如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其中該反射層具有凹凸表面。
10、 如權(quán)利要求9所述的電致發(fā)光裝置，其中該圖案化透明導電層充滿 該反射層的凹入處。
11、 如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其中該圖案化透明導電層包括多個島狀圖案。
12、 如權(quán)利要求11所述的電致發(fā)光裝置，其中該島狀圖案為獨立或連 續(xù)的，且該島狀圖案的剖面為矩形、圓形、多邊形或不規(guī)則形狀。
13、 如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，還包括 粘貼層，設(shè)置于該反射層與該基板之間。
14、 如權(quán)利要求13所述的電致發(fā)光裝置，其中該基板及該粘貼層具有 高導熱性質(zhì)。
15、 如權(quán)利要求14所述的電致發(fā)光裝置，其中該基板的材料選自硅、 砷化鎵、磷化鎵、碳化硅、氮化硼、氮化鋁、紹、銅及其組合所構(gòu)成的組， 且該粘貼層的材料為銀膏、錫膏、錫銀膏，或其他可導電的粘貼材料。
16、 如權(quán)利要求13項所述的電致發(fā)光裝置，還包括 絕緣層，設(shè)置于該粘貼層與該反射層之間。
17、 如權(quán)利要求16所述的電致發(fā)光裝置，其中該絕緣層的材料為氮化 鋁或碳化硅。
18、 如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其中該第一接觸電極形成于該第一半導體層上。
19、 如權(quán)利要求18所述的電致發(fā)光裝置，其中該第一半導體層之側(cè)于 不具有該第 一接觸電極的位置形成粗糙結(jié)構(gòu)或抗反射層。
20、 如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其中該第二接觸電極形成于該 第二半導體層上或該圖案化透明導電層上，或是該第二接觸電極形成于該圖 案化透明導電層及反射層上。
全文摘要
一種電致發(fā)光裝置，包括基板、反射層、圖案化透明導電層、至少一個發(fā)光二極管元件、第一接觸電極以及第二接觸電極。其中，反射層設(shè)置于基板之上；圖案化透明導電層設(shè)置于反射層上；發(fā)光二極管元件設(shè)置于圖案化透明導電層上，發(fā)光二極管依次包括第一半導體層、發(fā)光層及第二半導體層，第二半導體層位于圖案化透明導電層及反射層上；第一接觸電極與第一半導體層電連接；第二接觸電極與第二半導體層電連接。
文檔編號H01L33/00GK101212010SQ20061017176
公開日2008年7月2日 申請日期2006年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月29日
發(fā)明者廖學國, 程傳嘉, 薛清全, 陳世鵬, 陳煌坤 申請人:臺達電子工業(yè)股份有限公司