專利名稱：掩模坯件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及掩模坯件的制造方法、掩模的制造方法、掩模坯件管理系統(tǒng)以及掩模坯件的再生方法，特別涉及到在曝光用掩模的制造中能抑制因抗蝕劑膜的靈敏度變化而導致CD(臨界尺寸最小尺寸)不合格的掩模坯件的制造方法與掩模坯件管理系統(tǒng)。此外還涉及到能使導致CD不合格的抗蝕劑膜靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件進行再生加以有效利用的掩模坯件(mask blank)的再生方法。
背景技術(shù)：
半導體制造中所用曝光用掩模的原模，即附有抗蝕劑膜的掩模坯件，已是周知的。近年來，隨著形成于半導體中的電路圖案的微細化與復雜化，在這種掩模坯件中對于具有高分辨率的化學增強型抗蝕劑的需要性日益增高。
化學增強型抗蝕劑與其他抗蝕劑相比，抗蝕劑在涂布后的靈敏度穩(wěn)定性惡化，從抗蝕劑涂布到描繪工序的經(jīng)過時間段內(nèi)，由于抗蝕劑涂布后的保管環(huán)境，會使抗蝕劑的靈敏度發(fā)生變化。因此，在制造曝光掩模的掩模制造部門(掩模制造廠、器件制造廠等)中，根據(jù)經(jīng)驗法則進行曝光量校正等，以抑制CD(臨界尺寸最小尺寸)的惡化與波動。
近年來，為了提高曝光用掩模的成品率，已對掩模制造部門提供了種種信息(參看特開2002-328463號公報(特許文獻1)、特開2003-149793號公報(特許文獻2))。例如在特許文獻2中。例如在特許文獻2中，當從坯件制造部門(坯件制造廠)將掩模坯件提供給掩模制造部門時，也提供相應(yīng)掩模坯件的缺陷信息。由此，掩模制造部門就可根據(jù)缺陷信息與圖案數(shù)據(jù)選擇適當?shù)难谀Ｅ骷?，從而能提高曝光用掩模的成品率?br> 但是在掩模制造部門中，從坯件制造部門接收掩模坯件之后(涂布、形成抗蝕劑膜后)到描繪工序的日數(shù)、時間不是一定的。這是由于掩模制造部門是根據(jù)半導體制造部門(半導體制造廠等)的曝光裝置的曝光日程，總計一定期間內(nèi)需要的和估計的掩模坯件的種類和數(shù)量，計算出從以往的掩模坯件的需要數(shù)所估計的需要量，向坯件制造部門訂貨后再接收掩模坯件的緣故。
近年來，隨著化學增強型抗蝕劑的高分辨率化，在涂布與形成抗蝕劑膜后到描繪工序這段時間內(nèi)所引起的抗蝕劑靈敏度的變化是很大的。當抗蝕劑靈敏度變化超過允許范圍時，修正抗蝕劑靈敏度的變化是很困難的，從而導致CD不良。這種因抗蝕劑靈敏度變化而發(fā)生的不良現(xiàn)象，即使如特許文獻1、2所示，給掩模制造部門提供各種信息也是不能避免的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于以上所述種種而提出的，第一，目的在于提供于曝光用掩模制造時能抑制因抗蝕劑靈敏度變動而發(fā)生的CD不良的掩模坯件以及掩模的制造方法、掩模坯件的管理系統(tǒng)。
第二，目的在于提供能有效地利用導致CD不良的抗蝕劑模靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件的掩模坯件的再生方法。
為了達到上述目的，本發(fā)明的掩模坯件制造方法是具有于掩模坯件用基片上形成將成為掩模圖案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜上形成抗蝕劑膜的抗蝕劑膜形成工序的掩模坯件制造方法，此方法包括保存包含有將上述抗蝕劑膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蝕劑膜形成信息的工序；將上述抗蝕劑膜形成信息與上述掩模坯件相對應(yīng)的工序；基于上述抗蝕劑膜形成信息，確定形成于上述掩模坯件上的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件的工序；將上述確定的掩模坯件上所形成的抗蝕劑膜剝離的工序；在剝離了上述抗蝕劑膜的上述薄膜上再次形成抗蝕劑膜的工序。
此外，本發(fā)明的掩模坯件的制造方法還具有在上述薄膜形成時或形成后取得并保存與掩模坯件規(guī)格有關(guān)的薄膜的膜信息的工序。
根據(jù)這種方法，在將抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的抗蝕劑膜剝離而再次于薄膜上形成抗蝕劑膜時，可以利用與該掩膜坯件相對應(yīng)保存的薄膜的膜信息的一部或全部。結(jié)果可以部分或全部地省略取得和保存膜信息的工序，而能快速地制造再次形成了抗蝕劑膜的附有抗蝕劑膜的掩模坯件，提供給掩模制造部門。然后，接受上述掩模坯件提供的掩模制造部門就能可靠地回避使用抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的附有抗蝕劑膜的掩模坯件。這樣就能防止因抗蝕劑靈敏度變動而引發(fā)的CD不良。
此外，本發(fā)明的掩模坯件制造方法還具有取得和保存與上述掩模坯件用基片的掩模坯件規(guī)格有關(guān)的基片信息的工序，以及使上述基片信息與上述掩模坯件相對應(yīng)的工序。
根據(jù)上述方法，在將抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的抗蝕劑膜剝離而再次于薄膜上形成抗蝕劑之際，就能夠利用除非剝離薄膜才能獲得的基片信息。這就是說，在需要基片信息的情形可以略去薄膜的剝離工序。
此外，本發(fā)明的掩模坯件制造方法中，上述膜信息包括缺陷信息、光學特性信息、薄膜形成信息、表面形態(tài)信息等其中的一種信息。
這樣，當再次于薄膜上形成抗蝕劑膜之際，由于省除了為進行取得上述膜信息時所費的時間，故能在縮短制造時間方面取得更大的效果。
本發(fā)明的掩模坯件制造方法中，上述基片信息包括缺陷信息、光學特性信息與表面形態(tài)信息等其中的一種信息。
這樣，當再次于薄膜上形成抗蝕劑膜時，就可利用除非剝離薄膜才能獲得的上述信息。
此外，本發(fā)明的掩膜坯件制造方法還包括有對上述掩模坯件直接或間接地附以識別信息的工序，以使上述掩模坯件、上述抗蝕劑膜形成信息、能與上述薄膜的膜信息以及/或者上述基片信息相關(guān)聯(lián)。
根據(jù)上述方法，附有抗蝕劑膜的掩模坯件、形成抗蝕劑膜的抗蝕劑膜形成信息就能可靠地對應(yīng)薄膜的膜信息以及/或者基片信息，可以防止信息的誤認。
此外，本發(fā)明的掩模坯件制造方法中，上述抗蝕劑膜為化學增強型抗蝕劑膜。
根據(jù)上述方法，通過將本發(fā)明用于一般經(jīng)涂布、形成后的靈敏度穩(wěn)定性低的化學增強型的抗蝕劑膜，可以取得顯著效果。
此外，本發(fā)明的掩模制造方法是將通過上述掩模坯件制造方法制得的掩模坯件的上述薄膜進行圖案化，而于上述掩模坯件用基片上形成掩模圖案的方法。
根據(jù)上述方法，就能在制造掩模時使用附有靈敏度變化在允許范圍內(nèi)的抗蝕劑膜的掩模坯件。這樣就可防止產(chǎn)生因抗蝕劑靈敏度變化所致的CD不良。
本發(fā)明的掩模坯件管理系統(tǒng)構(gòu)成為具有在掩模坯件用基片上形成了成為掩模圖案的薄膜與抗蝕劑膜的掩模坯件之中，對于含有在上述薄膜上形成抗蝕劑膜的日期信息的抗蝕劑膜形成信息進行存儲的形成信息存儲裝置；給予上述掩模坯件以識別信息的識別信息給予裝置；與上述抗蝕劑膜形成信息、上述識別信息相對應(yīng)而將這些信息保存的掩模坯件信息存儲裝置；基于上述日期信息，確定形成于上述掩模坯件上的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件的掩模坯件選定裝置。
采用上述結(jié)構(gòu)后，在剝離抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的抗蝕劑膜而再利用此掩模坯件時，就可有效地利用對應(yīng)于該掩模坯件所保存的薄膜的膜信息的一部或全部。然后在再利用掩模坯件時就可省除取得并保存膜信息的工序的一部或全部，從而能快速地制造掩模坯件并將其提供給掩模制造部門。此外，能使薄膜的膜信息與將有抗蝕劑膜的掩模毛壞以及形成抗蝕劑膜的日期信息可靠地對應(yīng)，故可以防止信息的誤認。這樣，在接受此管理系統(tǒng)所管理的掩模坯件供貨的掩模制造部門，就能可靠地避免使用附有靈敏度變化超過允許范圍的抗蝕劑膜的掩模坯件。由此得以防止因抗蝕劑靈敏度變化產(chǎn)生的CD不良。
此外，本發(fā)明的掩模坯件管理系統(tǒng)還構(gòu)成為具有保存著上述掩模坯件用基片的掩模坯件的規(guī)格有關(guān)的基片信息以及/或者薄膜的膜信息的基片信息存儲裝置以及/或者膜信息存儲裝置，而在上述掩模坯件信息存儲裝置中則保存著上述基片信息以及/或者薄膜的膜信息。
采用上述結(jié)構(gòu)時，在剝離抗蝕劑膜的靈敏度范圍超過允許范圍的抗蝕劑膜而再利用掩模坯件時，就可利用除非剝離薄膜才可以獲得的基片信息。
此外，本發(fā)明的掩模坯件管理系統(tǒng)還構(gòu)設(shè)為設(shè)有信息發(fā)送裝置，將上述識別信息、上述抗蝕劑膜形成信息、上述膜信息以及/或者上述基片信息經(jīng)通信線路提供給掩模制造部門。
采用上述結(jié)構(gòu)時，能將附有抗蝕劑膜的掩模坯件的信息與抗蝕劑膜形成信息、膜信息以及/或者基片信息的識別信息相對應(yīng)，迅速而正確地提供給掩模制造部門。
此外，本發(fā)明的掩模坯件管理系統(tǒng)還構(gòu)成為設(shè)有信息接收裝置，基于上述抗蝕劑膜形成信息，經(jīng)通信線路由掩模制造部門接收形成于掩模坯件中的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件信息。
采用上述結(jié)構(gòu)時，能迅速而正確地從掩模制造部門接收形成于掩模坯件上的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模毛壞的信息。
本發(fā)明的掩模坯件再生方法具有基于掩模坯件用基片上形成抗蝕劑膜的日期信息，確定掩模坯件上形成的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件，而將該已確定的掩模坯件上形成的抗蝕劑膜剝離的工序；在已剝離了上述抗蝕劑膜的上述薄膜上再次形成抗蝕劑膜的工序。
采用上述方法時，可以有效地利用導致發(fā)生CD不良一類的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件。
此外，本發(fā)明的掩模坯件的再生方法是作為用堿性溶劑以及/或者有機溶劑來剝離上述抗蝕劑膜的方法。
采用上述方法時，能夠不損傷掩模坯件用基片和成為掩模圖案的薄膜而將抗蝕劑膜剝離。
本發(fā)明的掩模坯件制造方法是在掩模坯件用基片上形成了成為掩模圖案的薄膜的附有薄膜的基片的上述薄膜上形成的抗蝕劑膜的掩模坯件的制造方法，此方法包括將包含有于上述薄膜上形成上述抗蝕劑膜時的日期信息的抗蝕劑膜形成信息保持于形成信息存儲裝置中的工序；使上述形成信息存儲裝置所保存的上述抗蝕劑膜形成信息與上述掩模坯件相對應(yīng)的工序；基于上述抗蝕劑膜形成信息與上述掩模坯件的對應(yīng)關(guān)系，將上述掩模坯件上形成的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件的上述抗蝕劑膜剝離的工序；于剝離了上述抗蝕劑膜的上述薄膜上再次形成抗蝕劑膜的工序。
此外，本發(fā)明的掩模坯件的制造方法是在上述抗蝕劑膜的剝離工序中將上述抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件加以確定，再將上述確定的掩模坯件上形成的上述抗蝕劑膜予以剝離。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在掩模制造部門制造曝光用掩模之際能可靠地避免使用附有抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的抗蝕劑膜的掩模坯件。這樣就可防止因抗蝕劑膜靈敏度變動而產(chǎn)生的CD不良。


圖1是示明掩模坯件管理系統(tǒng)概略結(jié)構(gòu)的框圖。
圖2是示明坯件制造部門與掩模制造部門之間信息交換的說明圖。
圖3是示明坯件制造部門與掩模制造部門之間物品交換的說明圖。
圖4是示明掩模坯件制造方法的流程圖。
具體實施例方式
下面參照

本發(fā)明的實施形式[掩模坯件管理系統(tǒng)]
首先參照圖1-3說明掩模坯件管理系統(tǒng)的實施形式。
圖1是示明掩模坯件管理系統(tǒng)概略結(jié)構(gòu)的框圖，圖2是示明坯件制造部門與掩模制造部門之間信息交換的說明圖。圖3是示明坯件制造部門與掩模制造部門之間物品交換的說明圖。
在本發(fā)明中，坯件制造部門與掩模制造部門不僅僅指同一企業(yè)間的各個部門，也意味著不同企業(yè)的坯件制造廠與掩模制造廠。
如圖1所示，掩模坯件管理系統(tǒng)包括制造附有抗蝕劑膜的掩模坯件(以下稱作掩模坯件)的坯件制造部門100的終端10；將由坯件制造部門100取得的薄膜的膜信息與抗蝕劑膜的形成信息、掩模坯件等的識別信息集中存儲的服務(wù)器11；制造曝光用掩模的掩模制造部門200的終端20；將示明掩模制造部門200對掩模坯件使用狀況的信息，掩模坯件上形成的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件的信息等集中存儲的服務(wù)器21；將上述服務(wù)器11、21作可通信連接的通信線路30。終端10、20由個人計算機等構(gòu)成。此外，通信線路30既可以由包括服務(wù)器11、21的網(wǎng)絡(luò)32構(gòu)成，也可以由專用線路構(gòu)成。
此外，上述坯件制造部門100的終端10例如設(shè)置于掩模坯件的每道制造工序中，保存各工序中取得的后述基片信息、膜信息、抗蝕劑膜形成信息，經(jīng)LAN與服務(wù)器11連接，將這些信息收集到服務(wù)器11中。
如圖2所示，坯件制造部門100的服務(wù)器11中設(shè)有掩模坯件信息存儲裝置110。掩模坯件信息存儲裝置110對應(yīng)于提供給掩模制造部門200的掩模坯件的識別信息，存儲從各終端收集的基片信息與薄膜的膜信息，抗蝕劑膜的形成信息等?；畔⒅邪砻媾c內(nèi)部的缺陷信息，光學特性信息(透過率等)，表面形態(tài)信息(表面糙度、平坦度等)。薄膜的膜信息中包括薄膜的缺陷信息與光學特性信息(透過率、反射率)、薄膜形成信息(成膜條件、膜應(yīng)力等)、表面形態(tài)信息(表面糙度、平坦度等)，等等。此外，抗蝕劑膜的形成信息中則包含影響抗蝕劑膜靈敏度變化的信息，具體地說，在基片上涂布與形成抗蝕劑膜的日期、抗蝕劑種類、加熱條件、掩模坯件保管環(huán)境等。
掩模坯件識別信息直接或間接地給予各掩模坯件。在圖2與3所示例子中，將交貨用的坯件收納箱30的收納箱號與保持坯件收納箱30的掩模坯件的各收納槽上所附的槽號作為識別信息，以確定各掩模坯件。此外，當坯件收納箱30只收納一片掩模坯件時，即將收納箱號作為掩模坯件識別信息。
掩模制造部門的服務(wù)器21中設(shè)有掩模坯件使用狀況存儲裝置210與退還信息形成裝置220。掩模坯件使用狀況存儲裝置210存儲掩模制造部門200中掩模坯件的使用狀況，具體地說，與掩模坯件制造部門100提供的掩模坯件識別信息相關(guān)聯(lián)，具有保存抗蝕劑種類、抗蝕劑膜形成日期、掩模坯件保管環(huán)境等信息的掩模坯件的庫存清單230，通過從中刪除使用完的掩模坯件信息，而存儲掩模坯件的使用狀況。
退還信息形成裝置220從掩模坯件庫存清單230中所含的未使用掩模坯件之中抽出抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件，制成應(yīng)退還到掩模坯件制造部門100的掩模坯件的退還清單。掩模坯件退還清單中包括退還的掩模坯件識別信息(坯件收納箱號、槽號等)、抗蝕劑種類等數(shù)據(jù)。具體地說，退還信息形成裝置200根據(jù)抗蝕劑膜的形成信息、掩模制造部門200中掩模坯件的保管環(huán)境等，應(yīng)用預測抗蝕劑膜的靈敏度變化的靈敏度變化預測裝置，確定抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件，制成掩模坯件退還清單。
靈敏感度變化預測裝置300可以設(shè)置于坯件制造部門100的終端10或服務(wù)器11中以及/或者設(shè)于掩模制造部門200的終端20或服務(wù)器21之中。坯件制造部門100用靈敏度變化預測裝置300預測抗蝕劑膜靈敏度變化時，可以在掩模制造部門200與坯件制造部門100之間共用掩模制造部門200的掩模坯件庫存清單信息。
<掩模坯件的制造方法以及掩模坯件的提供方法>
下面參照圖2-4說明掩模坯件的制造方法與掩模坯件的提供方法兩者的實施形式。
圖2說明坯件制造部門100與掩模制造部門200之間的信息交換。
圖3說明掩模坯件的制造方法、掩模坯件的再生方法以及坯件制造部門100與掩模制造部門200之間的物品交換。圖4是掩模坯件的制造方法與掩模坯件提供方法兩者的實施形式的流程圖。
圖4中從工序1-a至工序1-i是有關(guān)坯件制造部門100進行的掩模坯件制造方法，而從工序2-a至工序2-f是有關(guān)掩模制造部門200進行的掩模制造方法。
(工序1-a)首先于掩模坯件用基片上形成掩模圖案薄膜。
成為掩模圖案的薄膜根據(jù)掩模的種類包括遮光膜、相移膜、反射膜、吸收體膜與防反射膜等。這些薄膜用來使復制曝光光通過或阻止其通過，相對于復制曝光光起到某種作用，以將規(guī)定的復制圖案像形成于復制對象之上。因此，本發(fā)明的掩模坯件廣義上用來包括形成具有遮斷復制曝光光功能的遮光膜的光掩模坯件；形成相對于復制曝光光帶來相差功能的相移膜的相移掩模坯件；形成相對于復制曝光光兼具有遮光功能與帶來相差變化功能的半透膜的半色調(diào)型相移掩模坯件；形成具有反射復制曝光光功能的反射膜、具有吸收復制曝光光抑制反射功能的吸收體膜的反射型掩模坯件等。
此外，掩模坯件包括LSI(半導體集成電路)用掩模坯件、各種PD(平板顯示器)用掩模坯件等所有的掩模坯料。
掩模坯件用基片材料并無特別限制，可以使用石英玻璃、無堿玻璃、硼硅玻璃、鋁硅玻璃、鈉鈣玻璃等。作為反射型掩模用基片材料可以使用超低膨脹玻璃或超低膨脹陶瓷。圖3中于基片32上順次形成了半色調(diào)模33、遮光膜34、抗蝕劑膜35。
(工序1-b)接著于薄膜上涂布、形成抗蝕劑膜35，制備附有抗蝕劑膜的掩模坯件31。
抗蝕劑膜35可采用陽圖型或陰圖型?？刮g劑的種類無特別限制。例如可采用光線(紫外線、遠紫外線)曝光描繪用、電子射線曝光描繪用的。
抗蝕劑膜35的涂布，形成方法并無特別限定。例如可采用旋涂法、毛細涂布法、掃描涂布法等。
(工序1-c)再于上述工序1-b中在薄膜上涂布、形成抗蝕劑膜35的抗蝕劑膜形成信息予以保存。
上述的抗蝕劑膜形成信息為影響抗蝕劑膜35靈敏度變化的信息。即于基片32上涂布、形成抗蝕劑膜35的日期、抗蝕劑種類、加熱處理條件、掩模坯件保管環(huán)境等。
抗蝕劑膜形成信息的保存可以直接保存于坯件制造部門100終端10內(nèi)的坯件信息存儲裝置中，或是與掩模制造部門200進行信息交換的服務(wù)器11內(nèi)的掩模坯件信息存儲裝置110內(nèi)。
(工序1-d)準備好將掩模坯件提供給掩模制造部門200時使用的坯件收納箱30，此坯件收納箱30中收納已制成的掩模坯件。然后將坯件收納箱30中收納的掩模坯件的抗蝕劑膜形成信息與掩模坯件的識別信息相對應(yīng)，記錄保存于掩模坯件信息存儲裝置110中。
作為使抗蝕劑膜形成信息與坯件收納箱30中收納的掩模坯件相對應(yīng)的手段，存在有對各掩模坯件直接給予識別信息而使此識別信息與抗蝕劑膜形成信息相對應(yīng)的方法；以及使坯件收納箱30的箱號和同時給予坯件收納箱30內(nèi)各收納槽的槽號作為識別信息(此時，用于識別掩模坯件的識別信息是間接地給予掩模坯件的)，而將此箱號與槽號同抗蝕劑膜形成信息相對應(yīng)的方法。
在此也可將保存工序所保存的掩模坯件的識別信息、形成薄膜之前取得的基片表面和內(nèi)部的缺陷信息、光學特性信息(透過率等)、表面形態(tài)信息(表面糙度、平坦度等)等等的基片信息，與保存工序所保存的薄膜形成時或形成后取得的薄膜缺陷信息和光學特性信息(透過率、反射率等)、薄膜形成信息(成膜條件、膜應(yīng)力等)、表面形態(tài)信息(表面糙度、平坦度等)等等的膜信息相對應(yīng)，而記錄、保存于掩模坯件信息存儲裝置110中。
(工序1-e)
在此將制備的掩模坯件通過坯件收納箱30同時將掩模坯件信息存儲裝置110中保存的抗蝕劑膜形成信息，利用通信線路30等提供給掩模制造部門200。作為提供抗蝕劑膜形成信息的具體方法有配置坯件制造部門100的服務(wù)器11與掩模制造部門200的服務(wù)器21，隨即將抗蝕劑膜形成信息保存于坯件制造部門100的服務(wù)器11中，掩模制造部門200便可訪問掩模坯件制造部門100的服務(wù)器11而取得抗蝕劑膜形成信息的方法；在坯件制造部門100的服務(wù)器11與掩模制造部門200的服務(wù)器21之間安裝專用線路，而從坯件制造部門100的服務(wù)器11將抗蝕劑膜形成信息直接發(fā)送給掩模制造部門200的服務(wù)器21的方法。
掩模制造部門200保管坯件制造部門100提供的掩模坯件，同時根據(jù)掩模坯件的識別信息與其抗蝕劑膜形成信息制成掩模毛壞庫存清單230，記錄，保存于掩模坯件使用狀況存儲裝置210(掩模制造部門200的終端20或服務(wù)器21)中。
掩模坯件庫存清單230中包括用于確定各掩模坯件的識別信息(直接給予掩模坯件的識別號、箱號、槽號等)、抗蝕劑種類、涂布與形成抗蝕劑膜35的日期、掩模坯件保管環(huán)境(掩模制造部門的保管環(huán)境)等信息。
掩模制造部門200將由坯件制造部門100提供的掩模坯件保管在具有使抗蝕劑膜35的靈敏度變化比例盡可能小的環(huán)境的保管庫，或以裝入坯件收納箱30的狀態(tài)一直保管到掩模制造工序開始之前。
掩模制造部門200也可將掩模坯件使用狀況存儲裝置210中保存的掩模坯件庫存清單230利用通信線路30等提供給坯件制造部門100。具體地說，存在有下述各種方法在掩模制造部門200的服務(wù)器21中保存著掩模坯件庫存清單230，坯件制造部門100訪問掩模制造部門200的服務(wù)器21而獲得掩模坯件庫存清單230；或者，于掩模制造部門200的服務(wù)器21與坯件制造部門100的服務(wù)器11之間設(shè)置專門線路，而從掩模制造部門200的服務(wù)器21將掩模坯件庫存清單230直接發(fā)送給坯件制造部門100的服務(wù)器11。
(工序1-f)現(xiàn)在參考抗蝕劑膜形成信息，確定抗蝕劑膜35的靈敏度變化超過預定允許范圍的掩模坯件。
具體可按以下方法進行。
(1)掩模制造部門200參照掩模坯件庫存清單230的抗蝕劑膜形成信息，預測未使用的掩模坯件上形成的抗蝕劑膜35的靈敏度變化(工序2-b)。
預測抗蝕劑膜35的靈敏度變化時，可以利用涂布、形成抗蝕劑膜35的日期、抗蝕劑種類、掩模坯件保管環(huán)境等信息，依過去的經(jīng)驗法則進行。例如有對各種抗蝕劑設(shè)定使用期限而將此使用期限與抗蝕劑形成日期相比較的方法，或是對此再加上掩模坯件保管環(huán)境信息以修正使用期限的方法。
(2)掩模制造部門200從掩模坯件庫存清單230中確定抗蝕劑膜35的靈敏度變化超過預定的允許范圍的掩模坯件(工序2-c)。
上述允許范圍可以適當?shù)卦O(shè)定成，當掩模制造工序中因抗蝕劑膜35的靈敏度變化引起的CD變動超過允許值時，不使圖案缺陷發(fā)生。此外，取代上述方法，也可以于在掩模坯件上形成的抗蝕劑膜35上，進行描繪、顯像處理，求出實際上的CD變動，來判定是否超過預定的靈敏度變化。此時，對于超過了預定的靈敏度變化的允許范圍的掩模坯件可從上述掩模坯件庫存清單230之中予以確定。再者，上述工序2-b、2-c也可于坯件制造部門100中進行。坯件制造部門100在預測抗蝕劑膜35的靈敏度變化時，將此結(jié)果經(jīng)通信線路30通知掩模制造部門200的服務(wù)器21，推薦應(yīng)退回的掩模坯件。
(3)掩模制造部門200制成將退還給坯件制造部門100的掩模坯件的退還信息(工序2-d)。
掩模坯件的退還信息由掩模制造部門200的終端20之中的退還信息制成裝置制成。掩模坯件的退還信息可以很好地確定擬退還的掩模坯件，包括用于確定掩模坯件的識別信息(直接給予掩模坯件的識別信息、坯件收納箱的箱號、槽號等)，抗蝕劑種類等。
(4)掩模制造部門200將退還給坯件制造部門100的掩模坯件收納于坯件收納箱30之中，退還給坯件制造部門100，同時將上述制成的掩模坯件的退還信息發(fā)送給坯件制造部門100(工序2-e)。
掩模坯件的退還信息可以添加到收納退還的掩模坯件的坯件收納箱30之上返還，也可以利用通信線路30等只是將掩模坯件的退還信息發(fā)送給掩模坯件制造部門100的服務(wù)器11。
(5)坯件制造部門100對于從掩模制造部門200退還的掩模坯件，可根據(jù)掩模坯件的退還信息從掩模坯件信息存儲裝置110之中確定。
(工序1-g)此后，坯件制造部門100將掩模制造部門200退還的掩模坯件的抗蝕劑膜35剝離。
剝離抗蝕劑膜35的方法可以用溶解抗蝕劑膜35且不損傷掩模坯件用基片32以及基片32上形成的薄膜的溶劑或是灰化等方法進行。
當抗蝕劑膜35是化學增強型抗蝕劑或酚醛清漆型抗蝕劑的抗蝕劑膜時，若是采用堿性溶劑和/或有機溶劑，則不會損傷掩模坯件用基片32或?qū)⒊蔀檠谀D案的薄膜，可以很好地剝離抗蝕劑膜35。
此外，當抗蝕劑膜35為高分子型抗蝕劑膜時，若是采用有機溶劑，則不會損傷掩模坯件用基片32以及將成為掩模圖案的薄膜，能很好地剝離抗蝕劑膜35。
(工序1-h)然后，坯件制造部門100于形成有將成為掩模圖案的薄膜的基片32上，再次涂布、形成抗蝕劑膜35而制成附有抗蝕劑膜的掩模坯件31。這樣，掩模坯件信息存儲裝置110中保存的抗蝕劑膜形成信息便更新而保存著新形成的抗蝕劑膜信息。
(工序1-i)坯件制造部門100隨即將制作的掩模坯件與更新的抗蝕劑膜形成信息一起提供給掩模制造部門200。掩模制造部門200將提供的掩模坯件轉(zhuǎn)移到掩模制造工序，制作曝光用掩模(工序2-f)。
在上述的掩模坯件制造方法中，也可以在工序1-a之前設(shè)置取得包括基片表面與內(nèi)部的缺陷信息、光學特性信息(透過率等)、表面形態(tài)信息(表面糙度、平坦度等)等等基片信息的基片信息取得工序、保存基片信息的工序。此外，也可在工序1-b與工序1-c之間，設(shè)置取得包括薄膜的缺陷信息以及光學特性信息(透過率、反射率、相差等)、薄膜形成信息(成膜條件、膜應(yīng)力等)、表面形態(tài)信息(表面糙度、平坦度等)等等薄膜的膜信息的膜信息取得工序以及保存膜信息的工序。在設(shè)置有這些工序時，將上述基片信息和/或膜信息與掩模坯件識別信息相對應(yīng)，記錄保存于掩模坯件信息存儲裝置110中。
在由掩模制造部門100退還的掩模坯件上再涂布、形成抗蝕劑而制成的掩模毛壞上附以薄膜的膜信息而提供給掩模制造部門200時，最好于工序1-g和工序1-h之間設(shè)置再測定與抗蝕劑膜35接觸的薄膜的膜信息，將其記錄、保存于掩模坯件信息存儲裝置110之中的工序，此再測定的薄膜的膜信息可以與退還前的薄膜的膜信息重寫，也可以與退還前的薄膜的膜信息相關(guān)聯(lián)而進行保存。
當薄膜為多層疊置的疊層膜時，根據(jù)抗蝕劑膜不接觸的基片側(cè)薄膜的膜信息以及基片信息與從掩模制造部門200退還的掩模坯件退還信息，首先取出提供給掩模制造部門200的膜信息，能原樣地加以利用。從而也可只對不接觸抗蝕劑膜35的薄膜的膜信息進行再測定、記錄與保存。
對精磨的石英玻璃基片32的表面缺陷進行檢查，取得基片32的缺陷信息。此外測定玻璃基片表面的表面糙度與平坦度，取得表面形態(tài)信息。這些信息相對于各個基片32記錄，保存于坯件制造部門100的終端10的坯件信息存儲裝置中。
再于石英玻璃基片32上用濺射法形成將成為掩模圖案的鉬硅化物氮化膜的半色調(diào)膜33。
對半色調(diào)膜33進行缺陷檢查，取得半色調(diào)膜33的膜信息。作為膜信息，于掩模制造工序中有可能成為圖案不良的某種缺陷的位置信息(x坐標、y坐標)、缺陷的大小(也能以級別表示這種大小)、缺陷的種類(針孔、粒子與其他)可以通過缺陷檢查裝置取得，將其結(jié)果相對于各掩模坯件記錄、保存于坯件制造部門100的終端10的坯件信息存儲裝置中。此外，作為膜信息的由分光光度計與相差測定器測定的透過率與相差等光學特性以及由表面糙度測定和與平面度測定機測定的膜表面的表面糙度與平面度等表面形態(tài)信息等，也可相對于各掩模坯件存儲，保存于掩模信息存儲裝置中。
上述位置信息以切口標記為基準，根據(jù)玻璃基片的尺寸算出玻璃基片主表面的中心，以此為基點O，此通過該基點與玻璃基片各邊平行的線為假想的x軸、y軸，保存在此xy坐標系中的各缺陷的x坐標與y坐標。在此，上述的粒子是指膜上或膜中附著的粒狀物質(zhì)的狀態(tài)，而針孔是指一旦附著于膜中的粒狀物質(zhì)掉落時留下的痕跡，亦即指膜脫落時的狀態(tài)。膜脫落是指膜的基底狀態(tài)能確認為完全無膜的狀態(tài)以及膜的基底狀態(tài)不能確認的局部膜厚度薄的狀態(tài)兩者。
再于半色調(diào)膜33上通過濺射法形成氮化鉻膜/碳化鉻膜/氮氧化鉻膜的疊層膜組成的帶有防反射功能的遮光膜34。
繼而與前述相同，對具有防反射功能的遮光膜34進行缺陷檢查，取得遮光膜34的光信息，將對于各個掩模坯件取得的遮光膜34的膜信息記錄，保存于坯件制造部門100的終端10的坯件信息存儲裝置中。
在此，與上述相同。作為遮光膜34的膜信息的透過率與反射率的光學特性以及表面糙度與平面度的表面形態(tài)信息等，是相對于各個掩模坯件記錄保存于坯件信息存儲裝置中。
在通過旋涂法于遮光膜34上涂布，形成化學增強型抗蝕劑(富士社制FEP171)后，用加熱處理制成多片附有ArF準分子激光曝光用抗蝕劑膜的半色調(diào)型相移掩模坯件31(以下稱為掩模坯件)。
這里也可進行抗蝕劑膜35的缺陷檢查取得抗蝕劑膜35的膜信息。此時，所取得的抗蝕劑膜35的膜信息也與上述相同相對于各個掩模坯件而記錄，保存于坯件制造部100的終端10的坯件信息存儲裝置中。
將制得的多片掩模坯件31收納于坯件收納箱30中。對坯件收納箱30給予固有的箱號。此箱號與槽號相組合成為確定、識別掩模坯件的識別信息。箱號并不局限于可通過視覺識別的那種。例如也可以是條碼、磁記錄媒體、IC芯片之類的可用光學方法讀取的或可磁讀的。
坯件收納箱30具有蓋與外箱，外箱之中還收納有內(nèi)箱、內(nèi)箱中從上往下形成有許多槽(隔間)，槽間的溝中可收納多片掩模坯件31。槽雖然是掩模坯件間的間隔，但為了方便說明，將置放掩模坯件31的溝部分稱之為槽。例如在存在有置放5片掩模坯件31的溝時，則與各溝相對應(yīng)地給予槽號，而分別稱作1號槽、2號槽、......5號槽。
將記錄，保存于收納在坯件收納箱30中各末端的掩模坯件的抗蝕劑膜形成信息，薄膜的膜信息，基片信息，都記錄，保存于坯件制造部門100的服務(wù)器11中所設(shè)的掩模坯件信息存儲裝置110中。記錄，保存于掩模坯件信息存儲裝置110之中的具體信息為箱號、槽號(由此兩者確定掩模坯件)、基片信息、薄膜的膜信息、形成于掩模坯件31上的抗蝕劑種類(具體是FEP171)及其涂布與形成的日期、掩模坯件的保管環(huán)境(有無干燥劑以及氮氣的封入等)。
將坯件收納箱30中收納的坯件31提供給掩模制造部門200。此外將上述掩模坯件信息存儲裝置110中保存的基片信息、薄膜的膜信息、抗蝕劑膜形成信息經(jīng)由通信線路30提供給掩模制造部門200。具體地說，將坯件制造部門100的服務(wù)器11與掩模制造部門200的服務(wù)器21通過網(wǎng)絡(luò)32連接，同時將提供給掩模制造部門200的掩模坯件31的抗蝕劑膜形成信息，薄膜的膜信息以及基片信息保存于坯件制造部門100的服務(wù)器11中，而掩模制造部門200的服務(wù)器21則訪問坯件制造部門100的服務(wù)器11，取得所交納的掩模坯件31的抗蝕劑膜形成信息、薄膜的膜信息與基片信息。
掩模制造部門200將交納的掩模坯件31與從坯件制造部門100的服務(wù)器11取得的抗蝕劑膜形成信息相核對，將這些信息登錄于掩模制造部門200的服務(wù)器21中掩模坯件使用狀態(tài)存儲裝置210的掩模坯件庫存清單230內(nèi)。登錄于掩模坯件庫存清單230中的具體信息是用于確定各掩模坯件31的識別信息(具體為坯件收納箱30的箱號與槽號)、抗蝕劑種類(具體為FEP171(富士フイルムア-チ社制，正型化學增強型抗蝕劑)、涂布與形成抗蝕劑膜35的日期，掩模坯件保管環(huán)境(用坯件收納箱30時的保管環(huán)境以及掩模制造部門200的保管環(huán)境)等。
掩模制造部門200按照半導體制造者的定貨，從掩模坯件的在庫清單230中選擇用于制造掩模的掩模坯件31，進入掩模制造工序。此時，已選擇的掩模坯件31的信息便從掩模坯件庫存清單230中刪除(或者在使用完后附加信息)。
隨后在掩模制造部門200以未使用的掩模坯件31為對象，根據(jù)掩模坯件庫存清單230的抗蝕劑膜形成信息與掩模坯件保管環(huán)境，預測抗蝕劑膜35的靈敏度變化。求出不發(fā)生CD不良的抗蝕劑膜35的靈敏度變化的允許范圍，預測超過允許范圍的日期，保存于掩模坯件庫存清單230中。具體地說，掩模坯件表面內(nèi)CD平均值的變動值以15nm為允許范圍。
掩模制造部門200當存在有預定的抗蝕劑膜35的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件31時，即于掩模坯件庫存清單230中將其確定，并將此確定的掩模坯件31退還給坯件制造部門100。
在從掩模制造部門200將掩模坯件31退還到坯件制造部門100之際，制成掩模坯件退還清單，與掩模坯件31一起提供給坯件制造部門100。掩模坯件退還清單可以附于收納將是還的坯件31的坯件收納箱30中，也可以經(jīng)由通線線路或服務(wù)器提供。掩模坯件退還清單可以是特定將退還的坯件31的信息，具體地說是掩模制造部門200在收貨時所收納的坯件收納箱30的箱號、槽號。此外，掩模坯件退還清單中也可以加入抗蝕劑種類的信息。
坯件制造部門100從掩模坯件信息存儲裝置110中確定由掩模制造部門200退還的掩模坯件31。
然后用剝離液(具體為堿性溶劑)將掩模坯件31上形成的抗蝕劑膜35剝離，再對已剝離了抗蝕劑膜35的遮光膜表面進行洗凈處理。
此外，與前述相同，對附有防反射功能的遮光膜34進行缺陷檢查，取得遮光模34的膜信息，而將取得的遮光膜34的膜信息作為由坯件制造部門100的終端10的坯件信息存儲裝置確定的掩模坯件31的信息，予以記錄、保存。
于遮光膜34上再次涂布、形成抗蝕劑膜35，制成附有抗蝕劑膜的掩膜坯件31。制成的掩模坯件31再次提供給掩模制造部門200。此再次提供給掩模制造部門200的掩模坯件31，其抗蝕劑靈敏度基本無變化，不會產(chǎn)生因抗蝕劑靈敏度變化導致CD不良。
有關(guān)此再次提供給掩模制造部門200的掩模坯件31的基片信息、薄膜的膜信息、抗蝕劑膜形成信息，在將信息更新后提供給掩模制造部分200。在此提供給掩模制造部門200的薄膜的膜信息之中，半色調(diào)膜33的膜信息能將先前提供的半色調(diào)膜33的膜信息原樣地利用、提供。至于遮光膜34的膜信息則最好再次檢查缺陷而提供更新的遮光膜34的膜信息。
坯件制造部門100也可根據(jù)掩模坯件31的退還信息確定從掩模制造部門200退還的掩模坯件31，在附有形成了與此確定的掩模坯件31有相同光學特性的薄膜(半色調(diào)膜33與遮光膜34)不同的薄膜的基片32上，新形成抗蝕劑膜35而制作附有抗蝕劑膜的掩模坯件31，同時保持有形成抗蝕劑膜時的日期信息，而將此掩模坯件31與包含上述日期信息的抗蝕劑膜形成信息等信息一起提供給掩模制造部門200。
工業(yè)實用性本發(fā)明的附有抗蝕劑膜的掩模坯件的制造方法與掩模坯件再生方法可以用于包括有坯件制造部門的終端或服務(wù)器以及掩模制造部門的終端或服務(wù)器的掩模坯件管理系統(tǒng)。采用本發(fā)明后，在制造曝光用掩模之際，能極其有效地用來抑制因抗蝕劑膜靈敏度變化所產(chǎn)生的CD不良。
權(quán)利要求
1.一種掩模坯件制造方法，它是具有于掩模坯件用基片上形成將成為掩模圖案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜上形成抗蝕劑膜的抗蝕劑膜形成工序的掩模坯件制造方法，此方法其特征在于包括保存包含有將上述抗蝕劑膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蝕劑膜形成信息的工序；將上述抗蝕劑膜形成信息與上述掩模坯件相對應(yīng)的工序；基于上述抗蝕劑膜形成信息，確定形成于上述掩模坯件上的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件的工序；將上述確定的掩模坯件上所形成的抗蝕劑膜剝離的工序；在剝離了上述抗蝕劑膜的上述薄膜上再次形成抗蝕劑膜的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模坯件制造方法，其特征在于，它具有在上述薄膜形成時或形成后取得并保存與掩模坯件規(guī)格有關(guān)的薄膜的膜信息的工序；以及使上述膜信息與上述掩模坯件相對應(yīng)的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模坯件的制造方法，其特征在于，它具有取得和保存與上述掩模坯件用基片的掩模坯件規(guī)格有關(guān)的基片信息的工序，以及使上述基片信息與上述掩模坯件相對應(yīng)的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模坯件制造方法，其特征在于，上述膜信息包括缺陷信息、光學特性信息、薄膜形成信息、表面形態(tài)信息等其中的一種信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模坯件制造方法，其特征在于上述基片信息包括缺陷信息、光學特性信息與表面形態(tài)信息等其中的一種信息。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模坯件制造方法，其特征在于，它包括有對上述掩模坯件直接或間接地附以識別信息的工序，以使上述掩模坯件、上述抗蝕劑膜形成信息、能與上述薄膜的膜信息以及/或者上述基片信息相對應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模坯件制造方法，其特征在于，上述抗蝕劑膜為化學增強型抗蝕劑膜。
8.一種掩模制造方法，其特征在于，它是將通過權(quán)利要求1的掩模坯件制造方法制得的掩模坯件的上述薄膜進行圖案化，而于上述掩模坯件用基片上形成掩模圖案。
9.一種掩模坯件管理系統(tǒng)，其特征在于具有在掩模坯件用基本上形成了成為掩模圖案的薄膜與抗蝕劑膜的掩模坯件之中，對于含有在上述薄膜上形成抗蝕劑膜的日期信息的抗蝕劑膜形成信息進行存儲的形成信息存儲裝置；給予上述掩模坯件以識別信息的識別信息給予裝置；與上述抗蝕劑膜形成信息、上述識別信息相對應(yīng)而將這些信息保存的掩模坯件信息存儲裝置；基于上述日期信息，確定形成了上述掩模坯件上的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件的掩模坯件的選定裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩模坯件管理系統(tǒng)，其特征在于，它具有保存著上述掩模坯件用基片的掩模坯件的規(guī)格有關(guān)的基片信息以及/或者薄膜的膜信息的基片信息存儲裝置以及/或者膜信息存儲裝置，而在上述掩模坯件信息存儲裝置中則保存著上述基片信息以及/或者上述薄膜的膜信息。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的掩模坯件管理系統(tǒng)，其特征在于，它設(shè)有信息發(fā)送裝置，將上述識別信息、上述抗蝕劑膜形成信息、上述膜信息以及/或者上述基片信息經(jīng)通信線路提供給掩模制造部門。
12.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的掩模坯件管理系統(tǒng)，其特征在于，它設(shè)有信息接收裝置，基于上述抗蝕劑膜形成信息，經(jīng)通信線路由掩模制造部門接收形成于掩模坯件中的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件信息。
13.一種掩模坯件再生方法，其特征在于，它具有基于掩模坯件用基片上含有形成抗蝕劑膜的日期信息的抗蝕劑膜形成信息，確定掩模坯件上形成的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件，而將該已確定的掩模坯件上形成的抗蝕劑膜剝離的工序；在已剝離了上述抗蝕劑膜的上述薄膜上再次形成抗蝕劑膜的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的掩模坯件的再生方法，其特征在于，它是用堿性溶劑以及/或者有機溶劑來剝離上述抗蝕劑膜。
15.一種掩模坯件制造方法，它是在掩模坯件用基片上形成了成為掩模圖案的薄膜的附有薄膜的基片的上述薄膜上形成的抗蝕劑膜的掩模坯件的制造方法，其特征在于，它包括將包含有于上述薄膜上形成上述抗蝕劑膜時的日期信息的抗蝕劑膜形成信息保存于形成信息存儲裝置中的工序；使上述形成信息存儲裝置所保存的上述抗蝕劑膜形成信息與上述掩模坯件相對應(yīng)的工序；基于上述抗蝕劑膜形成信息與上述掩模坯件的對應(yīng)關(guān)系，將上述掩模坯件上形成的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件的上述抗蝕劑膜剝離的工序；于剝離了上述抗蝕劑膜的上述薄膜上再次形成抗蝕劑膜的工序。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的掩模坯件的制造方法，其特征在于在上述抗蝕劑膜的剝離工序中將上述抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件加以確定，再將上述確定的掩模坯件上形成的上述抗蝕劑膜予以剝離。
全文摘要
于掩模坯件用基片上形成將成為掩模圖案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜上形成抗蝕劑膜的抗蝕劑膜形成工序的掩模坯件制造方法，此方法包括保存包含有將上述抗蝕劑膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蝕劑膜形成信息的工序；將上述抗蝕劑膜形成信息與上述掩模坯件相對應(yīng)的工序；基于上述抗蝕劑膜形成信息，確定形成于上述掩模坯件上的抗蝕劑膜的靈敏度變化超過允許范圍的掩模坯件的工序；將上述確定的掩模坯件上所形成的抗蝕劑膜剝離的工序；在剝離了上述抗蝕劑膜的上述薄膜上再次形成抗蝕劑膜的工序。
文檔編號H01L21/027GK101027607SQ20058003260
公開日2007年8月29日 申請日期2005年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月8日
發(fā)明者大久保靖 申請人:Hoya株式會社