專利名稱：衰減相移掩模坯件和光掩模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及衰減相移掩模坯件，其用于曝光波長為200納米或以下的平版印刷術(shù)，以及制造這類掩模坯件的方法。
背景技術(shù)：
對相移掩模存在相當(dāng)大的興趣，相移掩模作為提高平版印刷工具的分辨率、對比度和焦深的途徑，是常規(guī)二元掩模技術(shù)所無法比擬的。在幾種相移方案當(dāng)中，由Burn J.Lin在固態(tài)技術(shù)(Solid StateTechnology)，1月，第43頁(1992)中(其中的教導(dǎo)在此引為參考)提出的(嵌入)衰減相移掩模日益得到廣泛的認(rèn)可，因為其易于加工并且節(jié)約相關(guān)的費用。
已經(jīng)提出了幾種衰減相移掩模的技術(shù)方案。在第一種方案中，在基片上提供稍微透明的層，例如非常薄的鉻層，并蝕刻到石英基片中以產(chǎn)生所需要的相移。該方法要求對層的沉積和蝕刻工藝兩者的高度控制。在其他方案中，通過在基片上涂覆一個或多個具有相移和衰減性能的層來提供相移掩模。已經(jīng)提出了單層解決方案，其中一個層提供了180°相移和入射光的衰減。這類單層解決方案例如描述于美國5,942,356、美國5,635,3125、美國6,503,644、美國5,939,225、美國5,477,058和美國2002/0119378A1中。選擇單層解決方案是由于其結(jié)構(gòu)簡單并因此易于制備。然而，在透射和相移的獨立可調(diào)節(jié)性方面，單層解決方案受到限制。特別地，不能獲得用于193納米曝光波長的高透射衰減相移掩模坯件和用于157曝光波長的相移掩模坯件。除單層解決方案之外，還描述了雙層和多層衰減相移掩模坯件。多層已經(jīng)描述于例如美國5,897,977和美國6,274,280。美國5,897,977涉及用于低于400納米波長的嵌入衰減相移掩模坯件(EAPSM)，其包括不同的交替的光學(xué)透明材料例如金屬氧化物、金屬氮化物或者堿土金屬氟化物的層和光吸收材料例如元素金屬、金屬氧化物或者金屬氮化物的層。美國6,274,280描述了用于低于200納米的曝光波長的EAPSM，其包括不同的交替的光學(xué)透明材料的連續(xù)層和光吸收材料的層，所述光學(xué)透明材料基本上由選自Al和Si的氧化物的氧化物組成，和所述光吸收材料基本上由選自Al和Si的氮化物的氮化物組成。在美國6,395,433中還描述了用于低于160納米的曝光波長的相移掩模坯件的單層和多層方案。移相系統(tǒng)包括至少一種具有至少硅、二氧化硅或者氮化硅的材料和吸收性金屬氧化物或者氮化物，以降低相移掩模坯件的透射性能。該文獻(xiàn)強(qiáng)調(diào)多層的每一層應(yīng)該是足夠薄的，以導(dǎo)致多層起假單層的作用。多層方案對于低于200納米的曝光波長是較少優(yōu)選的，因為缺陷不能被修復(fù)。
幾種出版物提到雙層相移掩模坯件JP 04-068352A涉及所有高精確度的相移掩模，其可以容易地檢驗和校正。美國2002/0122991A1描述了單層和雙層中間色相移掩模坯件，其包含由硅、氧和氮構(gòu)成的相移層。任選地，在基片和相移層之間提供蝕刻終止層。相移層的透射通過改變相移層中氧和氮的比率來調(diào)節(jié)。按照該文獻(xiàn)，如果相移層中氮的范圍低于5原子％或者氧的范圍超過60原子％，則薄膜的透射比過高并且失去中間色相移層的功能。美國5,482,799涉及雙層相移掩模坯件，其中相移層包括由大致均質(zhì)材料形成的單層和透射薄膜，在與所述單層薄膜結(jié)合使用時，其透射比對波長的依賴性較小。移相系統(tǒng)的一個層與移相系統(tǒng)的另一個層在光學(xué)性質(zhì)上的這種依賴性對于移相系統(tǒng)是不利的，因為相移和透射比可以被獨立地調(diào)整。美國6,458,496描述了具有雙層相移系統(tǒng)的相移掩模坯件。該掩模坯件具有提高的對基片的蝕刻選擇性比率。根據(jù)其描述，TaSiO是賦予相移掩模坯件以相移性質(zhì)的優(yōu)選的材料。
引用的文獻(xiàn)當(dāng)中沒有一個與解決沉積層中缺陷的問題或者與用于200納米或以下曝光波長的相移掩模坯件中層的均勻性問題的雙層方案有關(guān)。
隨著對降低光掩模特征尺寸的不斷提高的要求，基本上無缺陷的光掩模坯件變得越來越重要。光掩模坯件上的缺陷可能導(dǎo)致光掩模中針孔等缺陷，其導(dǎo)致IC器件中的缺陷。由于特征尺寸的降低，避免掩模坯件上的缺陷的工作變得更加困難。例如對于65和45納米結(jié)點(即晶片上分別為65納米和45納米的特征尺寸)，光掩模使用具有100納米特征尺寸的結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖案化，因此必須避免超過0.5μm粒度的表面缺陷。
因此，本發(fā)明的目的是提供新穎的用于200納米或以下曝光波長的相移掩模坯件，其兼具易于和穩(wěn)定生產(chǎn)的可能性與必要的光學(xué)性質(zhì)、化學(xué)穩(wěn)定性以及無缺陷表面和均勻沉積層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一個方面是用于平版印刷術(shù)的衰減相移掩模，其包含基片和在所述基片的一個表面上的薄膜系統(tǒng)；所述薄膜系統(tǒng)包含相移層，其包含相移控制次層和透射控制次層；所述相移掩模能生產(chǎn)在200納米或以下波長的曝光光下具有基本上180°相移和至少0.001％透光度的光掩模；其中，所述薄膜系統(tǒng)基本上不含具有0.5微米或以上粒度的缺陷。
優(yōu)選該薄膜系統(tǒng)具有最多50個、更優(yōu)選最多20個具有0.3到0.5微米粒度的缺陷。
優(yōu)選相移控制次層基本上不降低相移層的透光度，并且優(yōu)選包含選自硅的氧化物和氧氮化物(oxinitrides)及其混合物的材料。甚至更優(yōu)選，所述相移控制層基本上由SiO2組成。
優(yōu)選透射控制次層基本上不改變相移層的相移，并且優(yōu)選包含選自以下的材料Mg、Si、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Sn、Pb、其氮化物和兩種或多種這些金屬或者氮化物的混合物。按照本發(fā)明的一個實施方案，所述透射控制次層基本上由選自以下的一種材料組成Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W或者其氮化物。
本發(fā)明的第二個方面是制造用于平版印刷術(shù)的衰減相移掩模的方法，其中所述相移掩模包含基片和在所述基片的一個表面上的薄膜系統(tǒng)；所述薄膜系統(tǒng)包含相移層，該相移層包含相移控制次層和透射控制次層；其中所述薄膜系統(tǒng)基本上不含具有0.5微米或以上粒度的缺陷；所述相移掩模能生產(chǎn)在200納米或以下波長的曝光光下具有基本上180°相移和至少0.001％的透光度的光掩模；所述方法包括提供基片；和提供薄膜系統(tǒng)；其中，提供薄膜系統(tǒng)包括以下步驟-在所述基片上形成透射控制次層；-在所述基片上形成相移控制次層。
優(yōu)選透射控制次層和/或相移控制次層通過濺射沉積形成，所述濺射沉積使用選自以下的技術(shù)雙離子束濺射、離子束輔助沉積、離子束濺射沉積、RF匹配網(wǎng)絡(luò)、DC磁控管、AC磁控管和RF二極管。優(yōu)選氙用作濺射氣體。
本發(fā)明的第三個方面是用于平版印刷術(shù)的衰減相移掩模，其包含基片和在所述基片的一個表面上的薄膜系統(tǒng)；所述薄膜系統(tǒng)包含相移層，其包含相移控制次層和透射控制次層；所述相移掩模能生產(chǎn)在200納米或以下波長的曝光光下具有基本上180°相移和至少0.001％透光度的光掩模；其中，所述相移掩模的相移具有最多大約±5°的與平均值的偏差和所述相移掩模的透光度具有最多大約±5％的與平均透光度值的偏差。
優(yōu)選相移控制次層基本上不降低相移層的透光度，并且優(yōu)選包含選自硅的氧化物和氧氮化物及其混合物的材料。甚至更優(yōu)選，所述相移控制層基本上由SiO2組成。
優(yōu)選透射控制次層基本上不改變相移層的相移，并且優(yōu)選包含選自以下的材料Mg、Si、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Sn、Pb、其氮化物和兩種或多種這些金屬或者氮化物的混合物。按照本發(fā)明的一個實施方案，所述透射控制次層基本上由選自以下的一種材料組成Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W或者其氮化物。
本發(fā)明的第四個方面是制造用于平版印刷術(shù)的衰減相移掩模的方法，其中所述相移掩模包括基片和在所述基片的一個表面上的薄膜系統(tǒng)；所述薄膜系統(tǒng)包含相移層，該相移層包含相移控制次層和透射控制次層；其中所述相移掩模的相移具有最多大約±5°的與平均值的偏差和所述相移掩模的透光度具有最多大約±5％的與平均透光度值的偏差；所述相移掩模能生產(chǎn)在200納米或以下波長的曝光光下具有基本上180°相移和至少0.001％透光度的光掩模；所述方法包括提供基片；和提供薄膜系統(tǒng)；其中，提供薄膜系統(tǒng)包括以下步驟在所述基片上形成透射控制次層和在所述基片上形成相移控制次層。
優(yōu)選透射控制次層和/或相移控制次層通過濺射沉積形成，所述濺射沉積使用選自以下的技術(shù)雙離子束濺射、離子束輔助沉積、離子束濺射沉積、RF匹配網(wǎng)絡(luò)、DC磁控管、AC磁控管和RF二極管。優(yōu)選氙用作濺射氣體。
參考以下詳細(xì)說明和附圖將更清楚地理解本發(fā)明的這些和其他目的、特征和優(yōu)點。
應(yīng)當(dāng)理解，前面的一般說明和以下的詳細(xì)說明均僅僅是本發(fā)明的示例，提供用以理解權(quán)利要求所描述的本發(fā)明性質(zhì)和特性的概述或者框架。
優(yōu)選實施方案的詳細(xì)說明正如本領(lǐng)域已知的，“光掩模坯件”或者“掩模坯件”不同于“光掩?！被蛘摺把谀！?，后者用來描述已經(jīng)結(jié)構(gòu)化或者圖案化或者成像之后的光掩模坯件。雖然本文中盡量沿用該習(xí)慣，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解該差別不是本發(fā)明的重要方面。因此，應(yīng)當(dāng)理解，術(shù)語“光掩模坯件”或者“掩模坯件”在本文中以最廣泛意義使用，包括成像的和非成像的光掩模坯件兩者。
措詞“具有基本上180°的相移”指相移掩模坯件提供的入射光相移足以抵消結(jié)構(gòu)的邊界部分中的光并且因此提高邊界處的對比度。優(yōu)選提供160°到190°、更優(yōu)選170°到185°的相移。
本發(fā)明的掩模坯件在波長低于200納米的曝光光下具有至少0.001％、優(yōu)選至少0.5％的透光度。
本發(fā)明的相移掩模或者掩模坯件包含基片和在該基片一個表面上的薄膜系統(tǒng)。所述薄膜系統(tǒng)包含至少以下描述的相移層，但是還可以包含另外的層，例如抗反射層或者吸收層。作為這種吸收層，可以在本發(fā)明的相移掩模坯件的相移層上提供鉻或者TaN層。
本發(fā)明涉及具有至少雙層相移層的衰減相移掩模坯件。相移層基本上被分成至少透射控制次層和相移控制次層。在現(xiàn)有技術(shù)中，甚至在雙和多層系統(tǒng)中，至少一個層基本上提供相移層的相移功能和衰減功能兩者。然而，本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，將相移功能和衰減功能實質(zhì)上區(qū)分成至少兩個獨立的次層，對于用于低于200納米的曝光波長的衰減相移掩模坯件是特別有利的。這種衰減相移掩模坯件可以容易地對掩模坯件的透光度進(jìn)行調(diào)整，而不需要改變次層的組成，而是僅僅簡單地通過改變透射控制次層的厚度來進(jìn)行。通過改變相移次層的厚度，掩模坯件的相移可以容易地調(diào)整，而不實質(zhì)上改變掩模坯件的透光度。掩模坯件的相移的調(diào)整通常是使掩模坯件適應(yīng)刻蝕過程所必需的。在這種刻蝕過程期間，基片通常被蝕刻到規(guī)定的深度，因此對相移系統(tǒng)增加了附加的相移。為了使掩模坯件適應(yīng)所述的蝕刻成為掩模坯件，根據(jù)刻蝕過程，不必需將相移精確地設(shè)定為180°，而是可以設(shè)定為大約175°到180°的相移。
如果按照現(xiàn)有技術(shù)，必須改變層的組成以調(diào)整例如掩模坯件的透光度，生產(chǎn)參數(shù)例如流入裝置的氣體和/或甚至層沉積期間的靶均要求重復(fù)優(yōu)化沉積過程，因此帶來額外費用。
因此，本發(fā)明的衰減相移掩模坯件包含基片和相移層，其中相移層由基本上不降低掩模坯件透光度的相移控制次層和基本上不改變掩模坯件相移的透射控制次層組成。
措詞“基本上不改變掩模坯件的相移”指掩模坯件的相移相對于總體相移被改變最多15°、優(yōu)選最多大約10°、最優(yōu)選最多大約5°的量。
在現(xiàn)有技術(shù)中，大多數(shù)具有相移功能的層包含相當(dāng)量的吸收性元件，因此這些層還實質(zhì)上降低相移掩模坯件的透光度。根據(jù)本發(fā)明，措詞“基本上不降低掩模坯件的透光度”指相移控制次層降低坯件掩模的透光度達(dá)到所述透光度的最多大約10％、優(yōu)選最多大約5％的值。
在下文中，描述了本發(fā)明的衰減相移掩模坯件和衰減相移掩模的優(yōu)選結(jié)構(gòu)。
參考圖1a，本發(fā)明優(yōu)選實施方案的掩模坯件包含基片1，在該基片上提供了相移層2。相移層2由透射控制次層3和相移控制次層4組成。優(yōu)選，透射控制次層3作為相移層的第一個次層在基片1上提供，和相移控制次層4作為相移層的第二個次層在所述透射控制次層上提供，這還示于圖1a中。然而，按照本發(fā)明的另一個實施方案，相移控制次層可以作為相移層的第一個次層在基片上提供，和透射控制次層作為相移層的第二個次層在相移控制次層上提供。
為了將示于圖1a的相移掩模坯件轉(zhuǎn)化為如圖1c所示的成像的或者圖案化的或者結(jié)構(gòu)化的光掩模，如圖1c所示，兩步工藝是優(yōu)選的。使用現(xiàn)有技術(shù)中已知的成像技術(shù)，例如在掩模坯件上提供光刻膠和結(jié)構(gòu)化所述光刻膠，首先使用第一蝕刻劑將相移層的第一次層、優(yōu)選相移控制次層圖案化。在第二個步驟中，優(yōu)選使用第二蝕刻劑將相移層的第二次層、優(yōu)選透射控制次層圖案化。
相移控制次層優(yōu)選包含選自硅的氧化物和氧氮化物及其混合物的材料。
通過將氮加入相移控制次層，相移控制次層的折射率變得高于純二氧化硅層的折射率。然而，因為將氮加入二氧化硅層可能損害相移控制次層的化學(xué)穩(wěn)定性，因此氮優(yōu)選的加入量為最多大約10原子％、更優(yōu)選最多大約5原子％。
相移控制次層還可以包含少量的金屬，其選自Mg、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Sn、Pb及其混合物。然而，因為加入這些金屬傾向于降低相移控制次層的透光度，因此優(yōu)選這些金屬僅僅以最多5原子％的量加入。甚至更優(yōu)選，相移控制次層不含這種金屬。此外，包含上述金屬的相移控制次層，特別地以超過5原子％的量包含上述金屬的相移控制次層易于導(dǎo)致具有較高缺陷水平的掩模坯件。因此從相移掩模坯件的薄膜系統(tǒng)的低缺陷水平角度講，也不優(yōu)選加入這種金屬，特別地不優(yōu)選以超過5原子％的量加入這種金屬。
按照本發(fā)明的一個實施方案，相移控制次層基本上由SiO2組成。
相移控制次層的厚度被調(diào)節(jié)成在200納米或以下曝光光波長下提供大約180°的相移。
獲得確定的相移所必需的相移控制次層的厚度取決于形成相移次層的材料的折射率或者折射指數(shù)n和消光系數(shù)k。通常，具有較高折射指數(shù)的材料與具有較低折射指數(shù)的材料相比每單位沉積厚度的相移次層導(dǎo)致較大的相移。
在相移控制次層基本上由SiO2組成的情況下，如果生產(chǎn)高透光度衰減193納米相移掩模坯件，相移控制層優(yōu)選的厚度為至少大約130納米、更優(yōu)選至少大約145納米和最多大約180納米、更優(yōu)選最多大約160納米。在生產(chǎn)衰減157納米相移掩模坯件的情況下，相移控制層優(yōu)選的厚度為至少大約90納米、更優(yōu)選至少100納米和最多120納米、更優(yōu)選最多大約110納米。
透射控制次層由至少一種具有高不透明性的材料形成，并且優(yōu)選包含選自以下的材料Mg、Si、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Sn、Pb、其氮化物和這些金屬或者氮化物的兩種或多種的混合物。更優(yōu)選透射控制層包含選自以下的材料Ta、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo和W。按照本發(fā)明的一個實施方案，透射控制次層優(yōu)選由至少一種選自以下的材料組成Nb、Ta、Ti、Cr、Mo、W、V、Nb、Zn、Zr、Hf、Si、Ge、Sn、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、La、Mg和其氮化物以及這些金屬或者氮化物的兩種或多種的混合物。關(guān)于這一點，一種材料指例如一種元素金屬例如Ti、Ta或者Hf或者一種金屬氮化物例如TaN、TiN或者HfN的層。
透射控制層具有足夠的厚度以將相移層的透光度調(diào)節(jié)到所需值，并且其厚度基本上取決于透射控制層的材料。厚度可以通過以下公式計算dTc＝-1/α×ln(T/100)其中，T是以％表示的需要的透光度，αλ是在曝光波長λ下的吸光系數(shù)和dTc是計算的透射控制層的厚度。吸光系數(shù)α與消光系數(shù)k有關(guān)，按照以下公式計算α＝4πkλ/λ。
按照本發(fā)明優(yōu)選的實施方案，透射控制層被直接提供在基片上，并且還提供蝕刻終止功能，即具有與石英基片不同的蝕刻選擇性。因此可以容易地防止相移掩模被過度蝕刻進(jìn)入石英基片。按照本發(fā)明的這一實施方案，透射控制次層具有的厚度優(yōu)選為至少大約8納米、最優(yōu)選至少大約10納米。如果厚度低于大約8納米，透射控制次層的蝕刻終止功能是不夠的。
按照本發(fā)明的這一實施方案，透射控制次層優(yōu)選具有不同于相移控制次層的蝕刻選擇性。如果相移控制層使用含氟組分蝕刻，則透射控制層優(yōu)選通過使用氯基氣體例如Cl2、Cl2+O2、CCl4、CH2Cl2的干蝕刻法或者使用酸、堿等的濕蝕刻法進(jìn)行蝕刻。然而，干蝕刻法是優(yōu)選的。作為使用含氟組分的蝕刻法，使用氟氣體例如CHF3、CF4、SF6、C2F6及其混合物的活性離子蝕刻(RIE)是優(yōu)選的。
按照本發(fā)明的第一個方面，相移掩模或者掩模坯件的薄膜系統(tǒng)不含粒度為0.5微米或以上的缺陷。優(yōu)選所述薄膜系統(tǒng)具有最多50個、更優(yōu)選最多20個具有0.3到0.5微米粒度的缺陷。隨著光掩模上的特征尺寸的降低，具有500納米或以上尺寸的缺陷將產(chǎn)生問題，因此必需不存在。對于粒度為0.3到0.5微米的缺陷，每掩模坯件最高50個缺陷的限定的量對于許多應(yīng)用是容許的。
按照本發(fā)明的第三個方面，本發(fā)明的相移掩模坯件在該掩模坯件的所有位置上其相移和透光度具有高均勻性。特別地，所述相移掩模坯件的相移與該相移的平均值的偏離為最多大約±5°，并且所述相移掩模坯件的透光度與平均透光度值的偏離為最多大約±5％。
用于本發(fā)明相移掩模的基片材料優(yōu)選由高純度熔凝硅石、氟摻雜的熔凝硅石(F-SiO2)、氟化鈣等等形成。
本發(fā)明還涉及用于平版印刷術(shù)的衰減相移掩模，其包含基片和在所述基片的一個表面上的薄膜系統(tǒng)；所述薄膜系統(tǒng)包含相移層，其包含相移控制次層和透射控制次層；所述相移掩模能生產(chǎn)在200納米或以下波長的曝光光下具有基本上180°相移和至少0.001％透光度的光掩模；其中，相移控制次層基本上由SiO2組成和透射控制次層基本上由選自以下的金屬組成Ta、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo和W；和其中相移控制次層的厚度和透射控制次層的厚度被選擇成在200納米或以下的曝光波長下具有有效性能。該金屬優(yōu)選是Ta。曝光波長優(yōu)選是157納米或者193納米。
還提供了使用200納米或以下、優(yōu)選157納米或者193納米的曝光波長的平版印刷的方法，其包括使用掩模坯件和/或光掩模的步驟，所述掩模坯件和/或光掩模包含基片和在所述基片的一個表面上的薄膜系統(tǒng)；所述薄膜系統(tǒng)包含相移層，其包含相移控制次層和透射控制次層；所述相移掩模能生產(chǎn)在200納米或以下波長的曝光光下具有基本上180°相移和至少0.001％透光度的光掩模；其中，相移控制次層基本上由SiO2組成和透射控制次層基本上由選自以下的金屬組成Ta、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo和W。
優(yōu)選，相移控制次層的厚度和透射控制次層的厚度被選擇成在200納米或以下的曝光波長、特別地193納米或者157納米的曝光波長下具有有效性能。該金屬優(yōu)選是Ta。
本發(fā)明還涉及制造本發(fā)明的用于平版印刷術(shù)的相移掩?；蛘哐谀Ｅ骷姆椒?，其包括提供基片和在所述基片的一個表面上的薄膜系統(tǒng)；其中，提供所述薄膜系統(tǒng)包括以下步驟-在所述基片上形成透射控制次層的層；-在所述基片上形成相移控制次層的層；所述掩模坯件能夠生產(chǎn)在200納米或以下的選擇波長下具有基本上180°相移和至少0.001％透光度的光掩模坯件。
優(yōu)選透射控制次層和/或相移控制層和/或一個或多個另外的層通過使用選自以下的技術(shù)的濺射沉積來形成雙離子束濺射、離子束輔助沉積、離子束濺射沉積、RF匹配網(wǎng)絡(luò)、DC磁控管、AC磁控管和RF二極管。
按照優(yōu)選的實施方案，相移層的次層和任選的另外的層在淀積設(shè)備的單一室中被沉積，而不中斷超高真空。特別優(yōu)選沉積相移層的兩個層，而不中斷真空。因此，避免了具有表面缺陷的掩模坯件的凈化，并且可以獲得基本上不含缺陷的相移掩模坯件。這種濺射技術(shù)可以例如通過使用允許從幾個靶濺射的濺射工具來實現(xiàn)。因此，可以獲得具有低缺陷密度和/或就層厚度而言具有高度均勻的層的高質(zhì)量相移掩模。
作為濺射靶，可以使用包含元素的靶或者包含組分的靶。在沉積層包含金屬或者半金屬的氧化物、氮化物或者氧氮化物的情況下，可以使用這類金屬或者半金屬的氧化物、氮化物或者氧氮化物作為制靶材料。然而，也可以使用金屬或者半金屬的靶，并且引入氧和/或氮作為活性濺射氣體。在沉積SiO2的情況下，優(yōu)選使用硅的靶并且引入氧作為活性氣體。在沉積層將包含氮的情況下，優(yōu)選引入氮作為活性濺射氣體。
對于濺射氣體，優(yōu)選使用惰性氣體例如氦、氬或者氙。這類惰性氣體可以與活性氣體例如氧、氮、一氧化氮、二氧化氮和氧化二氮或者其混合物混合?；钚詺怏w是可以與濺射的離子反應(yīng)并且因此成為沉積層的一部分的氣體。按照本發(fā)明優(yōu)選的實施方案，在濺射相移控制層期間，將惰性氣體和氧的混合物用作附加的濺射氣體。在提供層厚度具有高度均勻性并且因此相移和/或透光度具有高度均勻性的相移掩模坯件的情況下，優(yōu)選使用氙作為非活性的濺射氣體。氙作為濺射氣體導(dǎo)致高度均勻的濺射層。
圖13圖解地顯示了按照本發(fā)明優(yōu)選的實施方案用于通過離子束濺射(IBS)或者離子束沉積(IBD)制造光掩模坯件的淀積設(shè)備的裝置。設(shè)備10包括真空室12，其可以通過泵系統(tǒng)抽空。
沉積粒子源或者更具體地離子沉積源20產(chǎn)生第一粒子或者離子束22。沉積離子源20是高頻(HF)離子源，然而還可以使用其他類型的離子源。濺射氣體24在進(jìn)口26處被導(dǎo)入沉積離子源20，并且通過利用電子的原子碰撞在沉積離子源20內(nèi)被電離，所述電子通過誘導(dǎo)耦合電磁場被加速。彎曲的三柵極離子提取組合件28被用來加速初級的離子，該初級離子包含在第一離子束22中，并且將它們聚焦到靶40。
初級離子從沉積離子源20提取并且打擊靶或者濺射靶40，由此引起原子碰撞的級連并且將靶原子轟出。這種將靶濺射或者蒸發(fā)的工藝稱為濺射工藝。濺射靶40是例如包含鉭、鈦、硅、鉻或者任何其他上述金屬或者由其組成的靶，這取決于要被沉積的層。淀積設(shè)備優(yōu)選安裝有許多不同的濺射靶，它們在化學(xué)組成上不同，使得濺射工藝可以改為另一個靶，而不需要中斷真空。優(yōu)選，濺射工藝和層的沉積在適合的真空中進(jìn)行。
可以調(diào)節(jié)幾種參數(shù)來影響初級離子和靶原子之間的動量轉(zhuǎn)移功能，以優(yōu)化激光質(zhì)量。這些方法參數(shù)是-初級離子的質(zhì)量，-每秒鐘初級離子的數(shù)目(即離子電流)，-第一離子束22的能量，由加速電壓決定，-第一離子束相對于靶法線44的入射角，-靶的密度和純度。
當(dāng)初級離子的質(zhì)量相當(dāng)于靶原子的質(zhì)量時，到靶原子的動量轉(zhuǎn)移是最大的。因為惰性氣體容易處理，因此優(yōu)選將氦、氬或者氙用作濺射氣體24。優(yōu)選氙用作濺射氣體，因為在濺射期間使用氙能提高沉積層厚度的均勻性。
在濺射工藝中，由于動量轉(zhuǎn)移的結(jié)果離開靶的濺射離子42的幾何圖形和能量的統(tǒng)計分布通過至少一種上述方法參數(shù)調(diào)節(jié)或者控制。
特別地，濺射原子(在該情況下為鉻原子)的平均能量，通過第一離子束22的能量和/或入射角來調(diào)節(jié)或者控制。第一離子束22相對于靶法線44的入射角通過旋轉(zhuǎn)靶40來調(diào)節(jié)。
至少一部分濺射離子42在到基片50的方向中從靶40出來。濺射離子42打擊基片50，其能量大大高于常規(guī)的汽相沉積能量，在基片50上沉積或者形成高度穩(wěn)定的和致密的層或者薄膜。
基片50可旋轉(zhuǎn)地裝在三軸轉(zhuǎn)動裝置上。濺射離子相對于基片50的法線54的入射角α通過圍繞第一軸旋轉(zhuǎn)基片50來調(diào)節(jié)。通過調(diào)節(jié)入射角，可以控制和從而提高均勻性、內(nèi)部薄膜結(jié)構(gòu)和機(jī)械參數(shù)，特別是薄膜應(yīng)力。
此外，基片50可以垂直于表示第二旋轉(zhuǎn)軸的法線54旋轉(zhuǎn)，以提高沉積的均勻性。
基片還可圍繞第三軸旋轉(zhuǎn)，使得基片可以移出射束，以便例如剛好在沉積之前對基片50進(jìn)行清潔。
此外，設(shè)備10包括輔助粒子源或者輔助離子源60。操作原理與沉積源20相同。第二粒子或者離子束62被導(dǎo)向基片50，用于例如基片50和/或沉積在基片50上的薄膜的平化、調(diào)理、摻雜和/或其它處理。其它活性和/或惰性氣體64可以通過氣體入口66引入。第二離子束62通過直線三柵極提取系統(tǒng)68加速。
第二離子束62基本上覆蓋整個基片50，以獲得在整個基片區(qū)域上的均勻的離子分布或者處理。第二離子束62特別被用于-用氧、氮、碳和/或其他離子摻雜薄膜，-在沉積前清潔基片，例如用氧等離子體，-通過平化薄膜提高薄膜的界面質(zhì)量。
優(yōu)選，輔助源60被用來將活性氣體例如氧和氮引入系統(tǒng)。
取決于特定的處理，用第二離子束62輻射基片50和/或沉積在基片50上的薄膜可以在薄膜在基片50上的沉積之前、同時和/或之后進(jìn)行。正如可以在圖1中看到的，基片50相對于第二離子束62的軸65傾斜一角度β。
在上文和下述實施例中，所有溫度是未校正的攝氏溫度。
在上文和以下引用的所有申請、專利和出版物的全部公開內(nèi)容在此加入作為參考。


在附圖中圖1顯示本發(fā)明的掩模坯件(圖1a)和掩模(圖1c)的截面示意圖。
圖2顯示Ta、SiO2和SiTiO的色散曲線。
圖3顯示F-SiO2基片、在F-SiO2上的Ta單層、在F-SiO2基片上的SiO2單層和本發(fā)明示例性的相移掩模坯件的激光壽命測定的結(jié)果。
圖4顯示作為按照本發(fā)明優(yōu)選實施方案的透射控制次層和相移控制次層的厚度的函數(shù)的本發(fā)明示例性掩模坯件的透光度的模擬。
圖5顯示作為相移控制次層和透射控制次層的厚度的函數(shù)的本發(fā)明示例性掩模坯件的相移的模擬。
圖6a顯示對于在193納米的曝光波長下使用，兩個本發(fā)明示例性掩模坯件的透光度依賴于透射控制次層和相移控制次層的厚度的變化的模擬。
圖6b顯示對于在157納米的曝光波長下使用，本發(fā)明示例性掩模坯件的透光度依賴于透射控制層和相移控制層的厚度的變化的模擬。
圖7a顯示本發(fā)明示例性掩模坯件在重復(fù)清潔周期過程中的透光度變化。
圖7b顯示本發(fā)明示例性掩模坯件在重復(fù)清潔周期過程中的相移變化。
圖8a顯示本發(fā)明示例性掩模坯件的透射控制次層的厚度的均勻性。
圖8b顯示本發(fā)明示例性掩模坯件的相移控制次層的厚度的均勻性。
圖9a顯示本發(fā)明示例性相移掩模坯件的透光度的均勻性。
圖9b顯示本發(fā)明示例性相移掩模坯件的相移的均勻性。
圖10顯示本發(fā)明另一個示例性掩模坯件的相移控制層的厚度的均勻性。
圖11顯示本發(fā)明示例性掩模坯件的缺陷圖和圖12顯示該掩模坯件的粒度柱狀圖。
圖13顯示優(yōu)選的用于制造本發(fā)明掩模坯件的裝置的示意圖。
具體實施例方式
實驗在下文中，描述了本發(fā)明掩模坯件的設(shè)計和加工。
沉積工具和參數(shù)所有層使用如示于圖13中的雙離子束濺射工具進(jìn)行沉積。具體地，Veeco Nexus LDD離子束沉積工具被用于所有沉積。
表A顯示用于按照實施例和對比實施例使用的材料的濺射的一般沉積參數(shù)表A

1)沉積后的薄膜厚度通過GIXR測定橢率計色散數(shù)據(jù)使用Woollam VASE光譜橢率計，從橢率計測定獲得在157和193納米下的n和k值。通常，光譜掃描在55和65度下進(jìn)行。采用透光度數(shù)據(jù)來改進(jìn)模型擬合。
圖2顯示Ta、SiO2和SiTiO的色散曲線。圖2的列從左到右顯示測定的Ta、SiO2和SiTiO的單層色散曲線。上排顯示折射率n和下排顯示消光系數(shù)k。
表1列出了這些材料和F-SiO2基片在193納米和157平版印刷波長下的色散值。
表1

這些值被用于以下用于193納米和157納米的相移掩模坯件的薄膜設(shè)計。
薄膜設(shè)計和透光度調(diào)整將上述表1的色散數(shù)據(jù)用于進(jìn)行以下計算。所有模擬基于廣泛使用的利用Matlab的用于薄膜的矩陣算法，如A.Macleod，“薄膜光學(xué)濾光器”，第2版，1986，Bristol，Adam Hilger所描述的，用于數(shù)值計算。這些模擬的結(jié)果示于圖4。
圖4舉例說明了用于衰減157納米(6％透光度)和高(20％)透光度193納米相移掩模坯件的設(shè)計。實線對應(yīng)于波長157納米的相移次層的透光度與薄膜厚度的關(guān)系。虛線對應(yīng)于作為用于193納米波長相移掩模坯件的相移次層的薄膜厚度的函數(shù)的透光度。零薄膜厚度相當(dāng)于未涂覆的基片。在基片上，提供了薄的Ta層(在193納米掩模坯件情況下為11納米，在157納米掩模坯件情況下為20納米)。圖形顯示了透光度隨著鉭層薄膜厚度的增大呈指數(shù)遞減，該鉭層薄膜起相移掩模坯件的透射控制次層的作用。在Ta的薄層上提供了SiO2層，作為相移控制次層(在193納米相移掩模坯件情況下為152納米，在157納米掩模坯件情況下為106納米)。透射控制次層與相移控制次層的界面用垂直細(xì)線表示。電介SiO2層顯示典型的由干涉所引起的圍繞平均透光度值的波動。在最終與空氣的界面處獲得了需要的透光度值。這類相移控制次層基本上不改變相移掩模坯件的透光度，而是僅僅對得到的透光度值具有較小的貢獻(xiàn)。對于零薄膜厚度，透光度值是1，對于較好的分辨率，其是平截的。
圖5顯示了作為薄膜厚度的函數(shù)的相移。零薄膜厚度相當(dāng)于零相移。鉭層的相移首先是稍微負(fù)的，然后稍微升高，并且在界面處又接近零。因此，其對相移掩模坯件的總相移的貢獻(xiàn)可忽略。相當(dāng)近似地，電介層隨著薄膜厚度增大而導(dǎo)致相角的線性增大，其被干涉效應(yīng)所疊加。在與空氣的最終界面處獲得了需要的180°的相角。
圖4和5舉例說明相移掩模坯件可以在寬范圍內(nèi)對透光度和相角進(jìn)行獨立控制。通過獨立地調(diào)節(jié)單個次層的厚度可以適應(yīng)不同的波長和透光度要求。
圖6a和6b舉例說明對于雙相移系統(tǒng)透光度的可調(diào)性。x-軸為SiO2薄膜厚度和y-軸為鉭薄膜厚度。近似垂直的實線表示SiO2層和Ta層的薄膜厚度的綜合，其導(dǎo)致180°相移。近似水平的圖形相當(dāng)于對應(yīng)于不同次層厚度的不同的透光度值。線波動是由干涉效應(yīng)所引起的。這類波動作用可以很大地改變透光度，然而它們基本上不降低相移控制次層的透光度，而是最多導(dǎo)致實質(zhì)上較高的透光度。因為在200納米或以下的曝光波長下，大多數(shù)的材料具有非常低的透光度，象可以導(dǎo)致較高透光度的所述波動這種作用是相當(dāng)有利的。
左側(cè)圖形分別顯示透光度和相移與193納米掩模坯件系統(tǒng)的不同的薄膜厚度的關(guān)系。為了能起到可靠的蝕刻終止作用，假定最小鉭層厚度為10納米。在這樣的條件下，透光度可以被調(diào)整到高達(dá)22％。右側(cè)圖形分別顯示透光度和相移與157納米掩模坯件系統(tǒng)的不同的薄膜厚度的關(guān)系。可以獲得28％的透光度值。對于兩種波長，可以生產(chǎn)衰減和高透光度相移掩模坯件。
實施例和對比實施例利用上述用于193納米曝光波長的高透光度衰減相移掩模坯件和用于157納米曝光波長的衰減相移掩模坯件的設(shè)計來制造掩模坯件。
表2顯示了掩模坯件的結(jié)構(gòu)和結(jié)果。
表2

激光壽命激光壽命測試通過具有用于157納米應(yīng)用的Novatube的LambdaPhysik LPX120進(jìn)行。在測試期間的重復(fù)速率是50赫茲，流量為每脈沖大約2mJ/cm2。實驗室用不銹鋼制成，并且用99.999N2吹掃，在輻射期間維持在O2含量低于1.0ppm。透光度測定方案使用了利用光束分裂器的雙光束測定(主光束和參考光束)。監(jiān)測激光脈沖的能量探頭由Star Tech Instruments生產(chǎn)(PV16C型)。在輻射前和后的結(jié)果與通過Woollam橢率計進(jìn)行的透光度測定一致。
圖3顯示了F-SiO2基片、Ta和SiO2單層和完整的Ta-SiO2相移掩模坯件的原地透光度測定。大部分透光度變化發(fā)生在緊接著輻射開始之后。這可能是由于表面污染的脫除。現(xiàn)場透光度測定還顯示了顯著的噪音。因此進(jìn)行了Woollam橢率計透光度測定，以確定透光度變化，并且因此確定樣品的激光穩(wěn)定性。
結(jié)果示于表3。
表3

表3顯示了用橢率計在輻射之前和之后測定的透光度。氟摻雜的熔凝硅石基片(F-SiO2)的值被用來確認(rèn)測定的正確性。在輻射之前用Woollam得到的值為83.8％，其與現(xiàn)場透光度值(84.8％)具有良好的一致性，而在6kJ/cm2劑量之后的Woollam透光度為84.4％，其與現(xiàn)場透光度值(86.7％)相比是非常小的值。然而，因為大部分由激光引起的透光度變化可能是由于表面污染的除去(主要是水)，因此很可能一旦樣品暴露于常規(guī)實驗室環(huán)境，所述表面將重新被污染，給出可與輻射之前的透光度相比的值。
示于圖3中的Ta和Ta-SiO2薄膜的現(xiàn)場透光度值顯示顯著的噪音。由于儀器的動態(tài)范圍的限制，對于我們的裝置，在小的透光度范圍下通常會觀察到這一現(xiàn)象。然而，Ta-SiO2的激光穩(wěn)定性是很好的，如表中所示，在5.8kJ/cm2劑量之后透光度從6.32％改變?yōu)?.51％。
化學(xué)穩(wěn)定性清潔對透光度和相移的影響是任何衰減相移掩模坯件中的重要特征。使掩模清潔不應(yīng)該顯著地改變相移或者透光度。為了測試清潔對實施側(cè)的相移掩模坯件的影響，使圖案化的Ta-SiO2相移掩模坯件(實施例2)和圖案化的Ta-SiTiO相移掩模坯件(對比實施例1)經(jīng)受重復(fù)清潔周期。利用硫酸過氧化物混合物在90℃下清潔每個板并且用稀釋的氨漂洗液漂洗。然后利用MPM193測定相移和透光度。在下一個清潔周期之前經(jīng)過至少一天，以便最小化可能的天然的氧化物的任何影響。對于該部分的薄膜特征測試，每個掩模經(jīng)歷四個清潔周期。
圖7a和7b顯示了這些實驗的結(jié)果。示于圖7a和7b中的重復(fù)清潔測試的結(jié)果表明，多次清潔對相移具有最小的影響(每次清潔有～0.25°損失)，透光度有輕微的提高(每次清潔有～0.08％點的提高)。兩種相移掩模坯件在清潔方面均是可接受的。
相移和透光度的均勻性利用兩種不同的方法對實施例進(jìn)行分析。第一種方法是利用N&K照相分光計的厚度擬合。使用固定的色散值，分光計從測定的反射和透射數(shù)據(jù)中計算薄膜厚度。通常，該方法對于電介層比對于金屬層更精確。為了改進(jìn)對于金屬層的擬合質(zhì)量，使用固定薄膜厚度進(jìn)行分布擬合，該固定薄膜厚度先用切向入射X射線反射計測定。圖8a和8b顯示了實施例2的掩模坯件的結(jié)果，其中相移層使用氬氣作為濺射氣體被沉積。
圖8a顯示了在140毫米×140毫米區(qū)域中測定的鉭層厚度的等值線圖。包括角落的范圍/平均均勻性值是5.4％。排除角落點，該值是2.9％。
圖8b顯示了SiO2層的等值線圖。此時，包括角落的范圍/平均均勻性值是6.5％。排除角落點，該值是3.2％。
在為了用MPM193進(jìn)行測定而將掩模坯件結(jié)構(gòu)化之后，通過MPM193測定透射和相移均勻性。圖9a和9b顯示了結(jié)果。圖9a顯示測定的透光度均勻性。平均值是4.3％和3sigma是0.6％。圖9b顯示了測定的相角均勻性。平均值是137.5°和3sigma是3.6°。圖9a和9b顯示了與圖8a和8b中的等值線圖相同的旋轉(zhuǎn)對稱分布。透光度和相移的不均勻性由薄膜厚度不均勻性得到解釋。
薄膜均勻性可以通過使用氙的濺射來改進(jìn)。圖10顯示了這種改進(jìn)的掩模坯件(實施例2)的等值線圖。
SiO2層的厚度不均勻性改進(jìn)了四倍。包括角落的范圍/平均值現(xiàn)在是僅僅1.4％。這已經(jīng)得到了±1.3°的相移均勻性。
缺陷水平的測定缺陷水平使用高分辨率激光掃描器缺陷檢驗工具測定。用激光束逐行掃描坯件的兩個表面。用兩個光電倍增器檢測反射的和透射的漫射光。用軟件從四個測定信號當(dāng)中計算粒子的類別、位置和尺寸。結(jié)果作為位置圖和尺寸柱狀圖顯示。在圖中，粒子尺寸被簡化為三種類別，即大約0.2到0.5微米的粒子，0.5和1微米之間的粒子和超過1微米的粒子。點表明0.2到0.5微米的粒子，圓和方形表明較大粒子尺寸的粒子。
圖11和12顯示了按照實施例2的本發(fā)明相移掩模坯件的粒子含量。圖11顯示了粒子圖和圖12顯示了尺寸分布柱狀圖。具有0.3到0.5微米粒度的粒子的總數(shù)僅僅是14，并且沒有檢測到粒度超過0.5微米的粒子。
對比實施例的相移掩模坯件顯示了粒度在0.5微米和1微米之間和甚至超過1微米的粒子。據(jù)推測是由于基質(zhì)內(nèi)部的鈦原子起粒子的種子的作用。
通過對用于前述實施例中的、一般地或者特別地描述的本發(fā)明反應(yīng)物和/或操作條件進(jìn)行替代，可以同樣成功地重復(fù)前述實施例。
根據(jù)上文的說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易地確定本發(fā)明的必要特征，并且在不背離其精神和范圍下，可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改變和改進(jìn)，以使其適合于各種應(yīng)用和條件。
權(quán)利要求
1.用于平版印刷術(shù)的衰減相移掩模，其包含基片和在所述基片的一個表面上的薄膜系統(tǒng)；所述薄膜系統(tǒng)包含相移層，其包含相移控制次層和透射控制次層；所述相移掩模能生產(chǎn)在200納米或以下波長的曝光光下具有基本上180°相移和至少0.001％透光度的光掩模；其中，所述薄膜系統(tǒng)基本上不含具有0.5微米或以上粒度的缺陷。
2.權(quán)利要求1的相移掩模，其中薄膜系統(tǒng)具有最多50個粒度為0.3到0.5微米的缺陷。
3.權(quán)利要求1的相移掩模，其中薄膜系統(tǒng)具有最多20個粒度為0.3到0.5微米的缺陷。
4.權(quán)利要求1的相移掩模，其中所述相移控制次層基本上不改變相移掩模的透光度。
5.權(quán)利要求1的相移掩模，其中所述相移控制次層包括選自硅的氧化物和氧氮化物的材料。
6.權(quán)利要求1的相移掩模，其中所述相移控制層基本上由SiO2組成。
7.權(quán)利要求1的相移掩模，其中所述透射控制次層基本上不改變相移掩模的相移。
8.權(quán)利要求1的相移掩模，其中所述透射控制次層包括選自以下的材料Mg、Si、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Sn、Pb、其氮化物和兩種或多種這些金屬或者氮化物的混合物。
9.權(quán)利要求8的相移掩模坯件，其中所述透射控制次層基本上由一種選自以下的材料組成Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W或者其氮化物。
10.制造用于平版印刷術(shù)的衰減相移掩模的方法，其中所述相移掩模包含基片和在所述基片的一個表面上的薄膜系統(tǒng)；所述薄膜系統(tǒng)包含相移層，該相移層包含相移控制次層和透射控制次層；其中所述薄膜系統(tǒng)基本上不含具有0.5微米或以上粒度的缺陷；所述相移掩模能生產(chǎn)在200納米或以下波長的曝光光下具有基本上180°相移和至少0.001％的透光度的光掩模；所述方法包括提供基片；和提供薄膜系統(tǒng)；其中，提供薄膜系統(tǒng)包括以下步驟-在所述基片上形成透射控制次層；-在所述基片上形成相移控制次層。
11.用于平版印刷術(shù)的衰減相移掩模，其包含基片和在所述基片的一個表面上的薄膜系統(tǒng)；所述薄膜系統(tǒng)包含相移層，其包含相移控制次層和透射控制次層；所述相移掩模能生產(chǎn)在200納米或以下波長的曝光光下具有基本上180°相移和至少0.001％透光度的光掩模；其中，所述相移掩模的相移具有最多大約±5°的與平均值的偏差和所述相移掩模的透光度具有最多大約±5％的與平均透光度值的偏差。
12.權(quán)利要求11的相移掩模，其中所述相移控制次層基本上不改變相移掩模的透光度。
13.權(quán)利要求11的相移掩模，其中所述相移控制次層包括選自硅的氧化物和氧氮化物的材料。
14.權(quán)利要求11的相移掩模，其中所述相移控制層基本上由SiO2組成。
15.權(quán)利要求11的相移掩模，其中所述透射控制次層基本上不改變相移掩模的相移。
16.權(quán)利要求11的相移掩模，其中所述透射控制次層包括選自以下的材料Mg、Si、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Sn、Pb、其氮化物和兩種或多種這些金屬或者氮化物的混合物。
17.權(quán)利要求16的相移掩模坯件，其中所述透射控制次層基本上由一種選自以下的材料組成Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W或者其氮化物。
18.制造用于平版印刷術(shù)的衰減相移掩模的方法，其中所述相移掩模包括基片和在所述基片的一個表面上的薄膜系統(tǒng)；所述薄膜系統(tǒng)包含相移層，該相移層包含相移控制次層和透射控制次層；其中所述相移掩模的相移具有最多大約±5°的與平均值的偏差和所述相移掩模的透光度具有最多大約±5％的與平均透光度值的偏差；所述相移掩模能生產(chǎn)在200納米或以下波長的曝光光下具有基本上180°相移和至少0.001％透光度的光掩模；所述方法包括提供基片；和提供薄膜系統(tǒng)；其中，提供薄膜系統(tǒng)包括以下步驟在所述基片上形成透射控制次層和在所述基片上形成相移控制次層。
19.權(quán)利要求18的方法，其中透射控制次層通過使用選自以下的技術(shù)的濺射沉積形成雙離子束濺射、離子束輔助沉積、離子束濺射沉積、RF匹配網(wǎng)絡(luò)、DC磁控管、AC磁控管和RF二極管。
20.權(quán)利要求18的方法，其中相移控制次層通過使用選自以下的技術(shù)的濺射沉積形成雙離子束濺射、離子束輔助沉積、離子束濺射沉積、RF匹配網(wǎng)絡(luò)、DC磁控管、AC磁控管和RF二極管。
21.權(quán)利要求18的方法，其中氙被用作濺射氣體。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于平版印刷術(shù)的衰減相移掩模坯件，制造這種掩模坯件的方法。
文檔編號C23C14/14GK1603948SQ20041006875
公開日2005年4月6日 申請日期2004年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月5日
發(fā)明者H·貝克, U·布特格雷特, G·赫斯, O·戈茨伯格, F·施米特, F·索貝, M·倫諾, S·J·徹伊 申請人:肖特股份有限公司, 國際商業(yè)機(jī)器公司