專利名稱：液晶顯示裝置的制造方法及用該方法制造的液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用在玻璃基板上形成的薄膜晶體管(以下稱為TFT)驅(qū)動的有源矩陣型等的液晶顯示裝置的制造方法及用該方法制造的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
在液晶顯示裝置的制造工序中，特別是在有源矩陣型TFT液晶面板的制造工序中，與玻璃基板的TFT陣列表面接觸進(jìn)行處理的工序是面板組裝前的毛刷清洗工序或者摩擦(rubbing)工序。毛刷清洗時(shí)，在基板表面上形成成為顯示像素的透明導(dǎo)電膜，此外，在摩擦?xí)r，在基板表面的上述透明電極上形成定向膜，由于清洗用滾動毛刷或者摩擦用滾動布與基板表面的接觸，因而會產(chǎn)生透明導(dǎo)電膜屑和定向膜屑、金屬膜屑等異物。當(dāng)這些異物混入顯示區(qū)的情況下，由于電極間的短路和液晶定向的紊亂等成為缺陷。
作為上述問題點(diǎn)的對應(yīng)措施，即作為防止在摩擦?xí)r產(chǎn)生的各種異物向顯示區(qū)飛散的措施，有在顯示像素的周圍形成偽像素，通過偽像素與偽像素周邊部的高低差捕捉摩擦用滾動布的定向膜屑、金屬膜屑的技術(shù)(例如專利文獻(xiàn)1)，形成將定向膜的高度一部分增高后的部分，在該高低差處捕捉摩擦用滾動布的定向膜屑和金屬膜屑的技術(shù)(例如專利文獻(xiàn)2)，以及在定向膜非形成區(qū)域上用絕緣膜形成凹凸部，通過該溝槽部捕捉附著在摩擦用滾動布上的異物、金屬膜屑、定向膜屑的實(shí)例(例如專利文獻(xiàn)3)。
特開平9-43629號公報(bào)(8頁，圖4)[專利文獻(xiàn)2]特開2004-240142號公報(bào)(11頁，圖2)[專利文獻(xiàn)3]特開2001-318380號公報(bào)(5頁，圖2)在顯示像素的周圍形成偽像素的現(xiàn)有實(shí)例中，來自偽像素的玻璃基板的高度與透明導(dǎo)電膜的高度是一樣的，作為定向膜形成的前工序，不能充分去除在清洗基板表面的毛刷清洗工序中產(chǎn)生的透明導(dǎo)電膜屑，此外，由于透明導(dǎo)電膜也形成在偽像素上，在毛刷清洗和摩擦?xí)r，對從偽像素產(chǎn)生的透明導(dǎo)電膜屑，反倒成為相反的效果。
此外，即使在用定向膜形成高低差的現(xiàn)有實(shí)例中，也沒有考慮到在定向膜形成前進(jìn)行的基板的毛刷清洗工序中產(chǎn)生的透明導(dǎo)電膜屑的除去。此外，在周圍區(qū)域上形成比顯示區(qū)的定向膜的厚度高的定向膜的情況下，在摩擦?xí)r有可能因剝落或缺口而產(chǎn)生定向膜屑。
此外，即使在定向膜外部形成凹凸?fàn)畹漠愇锍ゲ?，捕捉摩擦用滾動布的纖維屑和附著在布上的異物、定向膜屑的情況下，由于在定向膜涂覆部上也產(chǎn)生透明導(dǎo)電膜屑，因而不能完全地除去。進(jìn)而，透明導(dǎo)電膜屑與摩擦用滾動布的纖維屑和定向膜屑不同，即使用水或有機(jī)溶劑的清洗及超聲波清洗也難于除去。進(jìn)而，當(dāng)用現(xiàn)在一般的制造技術(shù)制造由鉻膜與絕緣膜構(gòu)成的凹凸?fàn)畹漠愇锍ゲ繒r(shí)，其高度比上述顯示區(qū)的平均高度低，在上述毛刷清洗工序中的異物捕捉效果不充分。此外，為了形成上述凹凸?fàn)畹漠愇锍ゲ?，需要追加用于形成凹凸的工序，成為制造成本上升的重要原因?br>
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題本發(fā)明是為了解決上述問題而進(jìn)行的，其目的在于得到能夠在顯示區(qū)外攔住并捕捉由毛刷清洗產(chǎn)生的透明導(dǎo)電膜屑，消除因透明導(dǎo)電膜屑與鄰接的像素間和對置電極基板短路而產(chǎn)生的缺陷的制造方法。進(jìn)而，其目的在于不用追加新的工序，就能夠防止在摩擦?xí)r產(chǎn)生的異物向顯示區(qū)內(nèi)的飛散。
解決課題的方法本發(fā)明的特征在于在用于驅(qū)動液晶的TFT陣列基板與對置基板之間夾持液晶的液晶顯示裝置的制造方法中，具有在上述TFT陣列基板上形成TFT陣列的同時(shí)，用與構(gòu)成上述TFT陣列的多種材料同樣的材料，在上述液晶顯示裝置的顯示區(qū)的附近周圍形成用于捕捉異物的屏障的TFT陣列形成工序。
發(fā)明的效果由于在在TFT陣列基板形成TFT陣列的同時(shí)，用與構(gòu)成TFT陣列的多種材料同樣的材料，形成屏障，能夠形成比上述顯示區(qū)的平均高度高的上述屏障，在毛刷清洗工序及摩擦工序時(shí)，能夠得到充分的異物捕捉效果。進(jìn)而，不需要用于形成上述屏障的追加的工序。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式1至2中的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施方式1至2中的像素部及屏障的平面圖。
圖3是本發(fā)明實(shí)施方式1中的像素部及屏障的剖面圖。
圖4是本發(fā)明實(shí)施方式1至2中的柵層及柵線形成工序后的剖面圖。
圖5是本發(fā)明實(shí)施方式1至2中的柵絕緣膜形成工序后的剖面圖。
圖6是本發(fā)明實(shí)施方式1至2中的半導(dǎo)體膜形成工序后的剖面圖。
圖7是本發(fā)明實(shí)施方式1至2中的源/漏層形成、刻蝕及半導(dǎo)體膜刻蝕工序后的剖面圖。
圖8是本發(fā)明實(shí)施方式1至2中的保護(hù)膜形成工序后的剖面圖。
圖9是本發(fā)明實(shí)施方式1中的保護(hù)膜及柵絕緣膜刻蝕用抗蝕劑涂覆、刻蝕工序后的剖面圖。
圖10是本發(fā)明實(shí)施方式1中的保護(hù)膜及柵絕緣膜刻蝕工序后的剖面圖。
圖11是本發(fā)明實(shí)施方式1中的ITO形成工序后的剖面圖。
圖12是本發(fā)明實(shí)施方式1或者2中的毛刷清洗工序的模式圖。
圖13是本發(fā)明實(shí)施方式1中的定向膜形成工序后的剖面圖。
圖14是本發(fā)明實(shí)施方式1或者2中的摩擦工序的模式圖。
圖15是本發(fā)明實(shí)施方式2中的像素部及屏障的剖面圖。
圖16是本發(fā)明實(shí)施方式2中的保護(hù)膜及柵絕緣膜刻蝕用抗蝕劑涂覆、刻蝕工序后的剖面圖。
圖17是在本發(fā)明實(shí)施方式3中的被分割的顯示區(qū)之間設(shè)置了屏障的情況的平面圖。
1液晶顯示裝置、2顯示區(qū)、 3TFT陣列基板、4柵線、5源線、 6屏障、
13端子部區(qū)、 14端子部區(qū)、 16像素部、17TFT、 18漏端子、 19接觸孔、20柵層、 21柵絕緣膜、 22半導(dǎo)體層、23源/漏層、 24保護(hù)膜、 26抗蝕劑、27滾動毛刷、 28異物、30滾動毛刷與玻璃基板間的間隙、 32捕捉異物、33定向膜、34摩擦用滾動布、35異物、 37摩擦用布與玻璃基板間的間隙、39捕捉異物、 40縱切斷線、 41橫切斷線具體實(shí)施方式
實(shí)施方式1以下，說明在液晶顯示裝置的制造方法中采用本發(fā)明的一個(gè)例子。圖1表示用本發(fā)明實(shí)施方式1的制造方法制造的液晶顯示裝置的平面圖。在圖1所述的液晶顯示裝置1中，第一基板3(以下稱為TFT陣列基板)由玻璃基板42、顯示區(qū)2、屏障6構(gòu)成。上述顯示區(qū)2用在上述玻璃基板42上形成的柵線4與源線5劃分的像素部及驅(qū)動像素部的TFT陣列構(gòu)成為矩陣狀，用環(huán)繞上述顯示區(qū)2的屏障6和用于密封沒有圖示的液晶的密封材料7包圍。此外，上述TFT陣列基板3與沒有圖示的第二基板(以下稱為對置基板)，通過密封材料7保持適當(dāng)?shù)拈g隙夾持液晶。
液晶驅(qū)動電路由在TFT陣列基板3上組裝了COG(Chip OnGlass玻璃上芯片)的源驅(qū)動器8及柵驅(qū)動器9、向這些源驅(qū)動器8及柵驅(qū)動器9供給顯示信號10與控制信號11的控制基板12構(gòu)成，上述源驅(qū)動器8及柵驅(qū)動器9的輸出，通過端子部區(qū)13及14與源線5及柵線4連接。
在圖1中，用點(diǎn)劃線包圍的包含像素部及屏障的區(qū)域15，由構(gòu)成顯示區(qū)2的圖的左端列的像素部與屏障6構(gòu)成，圖2表示其放大圖。在圖2中，16是構(gòu)成矩陣狀的顯示區(qū)2的像素部，由向液晶施加電壓的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。在該實(shí)施方式中，以一般的透射式液晶顯示裝置作為一個(gè)例子說明液晶顯示裝置1。采用ITO(Indium TinOxide，氧化銦錫)作為構(gòu)成像素部16的透明導(dǎo)電膜。以下，將該透明導(dǎo)電膜稱為ITO。此外，像素部16通過接觸孔19與TFT17的漏端子18導(dǎo)通，由TFT17進(jìn)行驅(qū)動。此外，屏障6從顯示區(qū)2的圖2的最左端的源線5間隔預(yù)定的距離延伸配置在圖2的上下方向上，作為整體如圖1所示那樣包圍顯示區(qū)2。
作為屏障6、TFT17及接觸孔19的斷面結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子，圖3表示了圖2所示的A-A間的剖面圖。在圖3中，TFT17是一般的反向交錯型晶體管，如上所述，漏端子18通過接觸孔19與像素部16的ITO膜161連接。屏障6從下層起依次由柵層20或者柵線4、柵絕緣膜21、半導(dǎo)體層22、源/漏層23、保護(hù)膜24構(gòu)成，最上層是保護(hù)膜24，沒有形成構(gòu)成像素部16的ITO膜161。這里，屏障6的柵層20與圖2的柵線4及TFT17的柵層20是同一層，用同樣金屬同時(shí)形成。此外，屏障6的柵絕緣膜21、半導(dǎo)體層22分別與TFT17的柵絕緣膜21、半導(dǎo)體層22是相同材料并同時(shí)形成。同樣的，屏障6的源/漏層23與源線5、漏端子18及TFT17的源/漏層23是同層，用同樣金屬同時(shí)形成。
此外，如圖2所示，在柵線4與屏障6的交叉部25中，柵層20用柵絕緣膜21與柵線4分離，防止鄰接?xùn)啪€彼此之間短路。此外，在交叉部25中，柵線4與其他的部分相比被細(xì)線化，以防止在交叉部中的柵線4的雜散電容增加。
接著，參照附圖，按照制造工序的順序，就形成具有上述剖面結(jié)構(gòu)的屏障6與TFT17的TFT陣列基板3的制造方法進(jìn)行說明。首先，如圖4所示，在玻璃基板42的表面，用同樣材料同時(shí)成膜構(gòu)成柵線4與TFT17的柵電極及屏障6的最下層的柵層20，并進(jìn)行刻蝕。接著，如圖5所示，在形成柵絕緣膜21后，如圖6所示，用同樣材料同時(shí)成膜半導(dǎo)體膜22，并進(jìn)行刻蝕。接著，如圖7所示，在上述半導(dǎo)體膜22的上面，用同樣材料同時(shí)成膜構(gòu)成源線5、TFT17的源電極、漏電極18的源/漏層23，并進(jìn)行刻蝕。然后，以源/漏層23作為掩膜，將半導(dǎo)體膜22的上面一部分刻蝕成凹狀，形成TFT17的溝道221。接著，在其上面形成圖8所示的保護(hù)膜24，接著，涂覆圖9所示的抗蝕劑26，將其曝光顯影，為了刻蝕圖10所示的接觸孔19與屏障6，除去不需要的抗蝕劑部分。以該抗蝕劑26作為掩膜，一起進(jìn)行刻蝕除去柵絕緣膜21及保護(hù)膜24的露出部分。
通過上述工序，由同樣結(jié)構(gòu)材料同時(shí)形成圖10所示的屏障6及TFT17。然后，僅僅在圖11的接觸孔19的上部及像素部16部上成膜ITO膜161，并進(jìn)行刻蝕，TFT17的漏端子18與由ITO膜161構(gòu)成的像素部16連接。在屏障6上沒有形成ITO膜。
這里，上述柵層20、源/漏層23用CVD法和濺射法在玻璃基板42上形成金屬膜(Al、Cr、Mo等)。此外，柵絕緣膜21與保護(hù)膜24一般使用氮化硅(SiN)。
通過上述工序形成的屏障6的高度是1.5μm～2μm左右，雖然與TFT17幾乎相同，但與占顯示區(qū)2的大部分的像素部16相比僅高出柵層20及半導(dǎo)體膜22的量。由于像素部16的ITO膜161薄到小于等于0.1μm，即使加上它屏障6也充分高。屏障6的寬度其最大值在液晶顯示裝置1的外形制約的允許范圍內(nèi)，能夠自由地設(shè)定，此外，由于需要具有耐受滾動毛刷清洗的剝離強(qiáng)度，其最小值通常設(shè)定在大于等于5μm。
如上所述，通過在TFT陣列基板制造工序中，與TFT陣列同時(shí)，而且使用相同金屬形成屏障6，由此能夠非常簡便而且無需追加工序地在其周圍形成比顯示區(qū)2的平均高度高的屏障。
接著，隨后，將在上述工序中制造的TFT陣列基板3投入到上述面板組裝工序。面板組裝工序的工序順序一般是以定向膜涂覆、摩擦、密封材料涂覆、與對置基板的疊合、密封材料固化、液晶注入、注入口密封的順序流動。這里，為了除去在TFT陣列基板3保管時(shí)粘附的灰塵和異物，需實(shí)施毛刷清洗作為面板組裝工序的最初工序，即作為定向膜涂覆工序的前工序。在毛刷清洗中一般使用旋轉(zhuǎn)的滾動毛刷。
圖12表示在上述毛刷清洗工序中通常使用的滾動毛刷27的動作及異物28的移動的情況。在該圖中，滾動毛刷27最初與顯示區(qū)2的周圍區(qū)域相接，然后向著顯示區(qū)2進(jìn)行。這里，通過滾動毛刷27的旋轉(zhuǎn)及移動方向29，異物28被暫時(shí)掃近用間隙30表示的位置，即滾動毛刷27與TFT陣列基板3的間隙中，并從用移動方向31表示的方向，即從顯示區(qū)2的外側(cè)向屏障6的方向移動。異物28的構(gòu)成要素主要是從之前進(jìn)行了毛刷清洗處理的TFT陣列基板3的像素部16剝離的ITO屑附著在滾動毛刷27上的附著物和從清洗處理中的基板邊緣剝離的ITO屑和其他的金屬膜屑等，其大小為0.02μm～0.05μm左右。如上所述，由于屏障6的高度為1.5μm～2μm左右，且形成在上述周圍區(qū)域，因此異物28首先被屏障6的高低差攔住，如捕捉異物32所示那樣被屏障6的左側(cè)側(cè)壁捕捉。隨后，用屏障6除去了異物的滾動毛刷27進(jìn)而向移動方向29所示的方向前進(jìn)，清洗顯示區(qū)2。
這里，當(dāng)假設(shè)沒有形成屏障6時(shí)，如圖所示那樣凝集并大型化了的異物28飛散到顯示區(qū)2內(nèi)。這里，雖然TFT17的高度與屏障6幾乎相同，由于為了提高透射率以盡可能小的尺寸形成在像素部16的左下角，不能期待攔住異物28的效果。因此，凝集在用間隙30表示的位置并大型化了的導(dǎo)電性異物28飛散到像素部16上的可能性高。當(dāng)凝集的異物28飛散到顯示區(qū)2內(nèi)時(shí)，在像素部16與對置電極之間引起短路，或在鄰接的像素部16彼此之間引起短路，成為導(dǎo)致像素缺陷的原因。
此外，在毛刷清洗工序中，在考慮能夠充分清洗顯示區(qū)2而且難于產(chǎn)生像素部16的ITO膜剝落的條件后，進(jìn)行將滾動毛刷27按向TFT陣列基板3的壓力的設(shè)定。當(dāng)將上述按壓過分提高時(shí)，即當(dāng)使玻璃基板42與滾動毛刷27的間隔過分狹窄時(shí)，ITO膜剝離增加。在本實(shí)施方式中，如圖3所示，作為屏障6的結(jié)構(gòu)，使用構(gòu)成TFT陣列基板3的多種材料，形成屏障6使其比顯示區(qū)2的平均高度高，容易捕捉異物28。此外，如上所述，異物28的大小是0.02μm～0.05μm左右。由于如上所述形成屏障6，因此能夠如捕捉異物32那樣捕捉掃近的異物28的大部分。
此外，如上所述，由于在屏障6上沒有形成ITO膜，因此即使形成為比顯示區(qū)2的平均高度高，在毛刷清洗工序中，也沒有從屏障6表面剝落ITO膜，滯留在其后的顯示區(qū)上的問題。
接著，說明在摩擦工序中的屏障6的作用。在上述面板組裝工序中，在摩擦工序前有定向膜涂覆工序，在本實(shí)施方式中，如圖13所示，不僅在顯示區(qū)2上而且在屏障6的上部也形成定向膜33。該定向膜33在定向膜涂覆工序中形成。即僅僅在決定定向膜的涂覆范圍的復(fù)制版上附加包圍顯示區(qū)2的屏障6的圖形，就能夠容易地實(shí)現(xiàn)。涂覆了定向膜33后屏障6的高度，至少形成為比像素部16高，能夠提高異物捕捉效果。
這里，說明摩擦工序中的異物捕捉的情況。能夠考慮將圖12中的滾動毛刷27置換成摩擦用滾動布。圖14表示上述摩擦工序中的摩擦用滾動布34的動作及異物35的移動情況。在該圖中，摩擦用滾動布34最初接近顯示區(qū)2的周圍區(qū)域，然后向著顯示區(qū)2進(jìn)行。這里，通過摩擦用滾動布34的旋轉(zhuǎn)及移動方向36，異物35被暫時(shí)掃近用間隙37表示的位置，即被暫時(shí)掃近摩擦用滾動布34與TFT陣列基板3的間隙中，并向移動方向38表示的方向，即從顯示區(qū)2的外側(cè)朝向屏障6的方向移動。
異物35的構(gòu)成要素主要是從之前進(jìn)行了摩擦工序處理的TFT陣列基板3的像素部16剝離的定向膜屑附著在摩擦用滾動布34上的附著物和從基板邊緣部剝離的金屬膜屑和定向膜屑等，其大小為0.15μm～0.2μm左右，當(dāng)凝縮的塊飛散到顯示區(qū)2上時(shí)，成為因短路和定向不良引起的亮點(diǎn)缺陷的原因。但是，如上所述，由于屏障6的高度為1.5μm～2μm左右，且形成在上述周圍區(qū)域，因此異物35首先被屏障6的高低差攔住，如捕捉異物39所示那樣被屏障6的側(cè)壁的左側(cè)面捕捉。用屏障6除去了異物35的摩擦用滾動布34一邊在圖示的方向上旋轉(zhuǎn)一邊進(jìn)而在移動方向36所示的方向上前進(jìn)，接觸顯示區(qū)2的定向膜，實(shí)施摩擦處理。
這樣，通過在顯示區(qū)2的周圍區(qū)域形成屏障6，即使在摩擦工序中也能夠捕捉異物35，能夠抑制顯示不良的發(fā)生。
如圖1所示，在上述實(shí)施方式中，屏障6包圍顯示區(qū)2，在圖的橫方向中，位于柵線4的端子部區(qū)域14與顯示區(qū)2之間，如圖2所示，通過在屏障6與柵線4交叉的位置分離柵線4與柵層20，防止鄰接的柵線彼此之間短路。同樣的，在圖的縱方向中，屏障6位于源線5的端子部區(qū)域13與顯示區(qū)2之間，通過在屏障6與源線5交叉的位置分離源線5與源層23，防止鄰接源線彼此之間短路。此外，由于將屏障6設(shè)置在端子部區(qū)域13及14與顯示區(qū)2之間，因此有效地利用其間的空余區(qū)域，能夠避免因設(shè)置屏障6引起的TFT陣列基板3的大型化。此外，如上所述，通過使屏障6與柵線4或者源線5如上述交叉，也能夠?qū)⑵琳?形成在顯示區(qū)2的極近旁，能夠抑制在其間產(chǎn)生的異物。
此外，在上述記述中，雖然屏障6包圍顯示區(qū)2，但在工序中，預(yù)先決定毛刷清洗和摩擦的方向，只要沒有其方向變更的可能性，在顯示區(qū)2的圖中，能夠在縱方向或者橫方向，或者在兩方向上形成，此外，只要設(shè)計(jì)上可能，能夠在顯示區(qū)2的上下左右上形成多條，具有與本實(shí)施方式同樣的效果，這是顯而易見的。
此外，在本實(shí)施方式1中，雖然就屏障6用直線包圍顯示區(qū)的周圍的形狀進(jìn)行了說明，但只要能夠捕捉異物，不必特定為直線，只要設(shè)計(jì)上能夠確保設(shè)置的區(qū)域，即使在折線形狀和矩形波形狀其他形狀中，也具有與本實(shí)施方式1同樣的異物捕捉的效果。
此外，在圖1中，雖然屏障6形成在顯示區(qū)2與密封材料7之間，但只要是顯示區(qū)2的外側(cè)的周圍區(qū)域即可，即使是密封材料7的外部也沒有問題不限定特殊位置。
進(jìn)而，在本實(shí)施方式1中，雖然就使用具有透射性的ITO金屬膜作為像素部16的導(dǎo)電膜材料進(jìn)行了說明，但并不限定于這種材料，也可以使用其他的導(dǎo)電性材料。例如，在液晶顯示裝置1是反射型顯示裝置的情況下，采用鋁(Al)和銀(Ag)等高反射率的非透射性的金屬作為構(gòu)成像素部16的導(dǎo)電膜。進(jìn)而，即使在分割成非透射性的金屬與透射性金屬(半透射型顯示裝置的情況)形成像素部16的情況下，也與本實(shí)施方式1同樣具有異物捕捉的效果，這是顯而易見的。
實(shí)施方式2在上述實(shí)施方式1中，如從圖9的抗蝕劑26的形狀及圖3的剖面結(jié)構(gòu)所了解的那樣，屏障6的側(cè)面露出柵層20、半導(dǎo)體層22、源/漏層23等金屬層。
但是，當(dāng)金屬在側(cè)壁面露出時(shí)，考慮到因使用的金屬膜的種類不同，對液晶中的微小的水分等的浸透引起的金屬腐蝕的耐性降低。這種情況下，如在圖15的屏障6的剖面圖所示那樣，通過使之成為在屏障6的側(cè)壁面上保留柵絕緣膜21與保護(hù)膜24的結(jié)構(gòu)，能夠提高抗腐蝕性。這種情況，如圖16的抗蝕劑26的形狀所示，通過擴(kuò)展用屏障6的上部的抗蝕劑覆蓋的區(qū)域，能夠容易地實(shí)現(xiàn)。其他的TFT17和屏障6的制造工序、圖12所示的毛刷清洗工序的情況與實(shí)施方式1相同，故省略對其他制造工序的說明。
如上所述，在保留屏障6的側(cè)壁面的柵絕緣膜21與保護(hù)膜24的結(jié)構(gòu)的情況下，屏障6的剖面形狀成為類似臺形形狀。如上所述，在將屏障6設(shè)置在密封材料7的外部的情況下和在制造TFT陣列基板后到投入面板組裝工序?yàn)橹沟谋９軙r(shí)間長的情況下等，作為屏障6與外氣接觸時(shí)間長的情況的預(yù)防腐蝕對策是有效的。
實(shí)施方式3圖17表示在以多個(gè)顯示區(qū)劃分由一枚玻璃基板42構(gòu)成的TFT陣列基板一起形成TFT陣列，并在完成面板工序后進(jìn)行切斷得到多個(gè)液晶顯示裝置的方法中，形成上述屏障6，捕捉異物的實(shí)施方式。在該圖中，4枚顯示區(qū)2被分配在一枚玻璃基板42上，只要用預(yù)先決定的多個(gè)縱切斷線40及橫切斷線41切斷TFT陣列基板及對置基板，就能夠組裝多個(gè)同一規(guī)格的液晶顯示裝置。
在圖17中，在用縱切斷線40與橫切斷線41包圍的4個(gè)顯示區(qū)2的邊界區(qū)及最外周上，用與實(shí)施方式1同樣的方法形成屏障6。如上所述，即使在本實(shí)施方式3中，由于上述屏障6形成在顯示區(qū)2的周邊部上，因此與實(shí)施方式1同樣，能夠在面板組裝工序中的上述毛刷清洗工序中捕捉異物。
這種情況下，由于在組裝液晶顯示裝置時(shí)屏障6被切斷并廢棄，不殘存于液晶顯示裝置1內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置的制造方法，是第二基板具有間隙地被粘合在在顯示區(qū)內(nèi)具有TFT陣列和由該TFT陣列驅(qū)動構(gòu)成像素部的導(dǎo)電膜的第一基板上，在上述間隙中夾持液晶而成的液晶顯示裝置的制造方法，具備在上述第一基板上，形成上述TFT陣列的同時(shí)，在上述顯示區(qū)的附近周圍的至少一部分上，用與構(gòu)成上述TFT陣列的多種材料同樣的材料，形成屏障的TFT陣列形成工序。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于作為構(gòu)成上述屏障的材料，上述導(dǎo)電膜不在此列。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于具備形成在側(cè)壁面上具有柵絕緣膜或者保護(hù)膜的上述屏障的TFT陣列形成工序。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于具備在使清洗用毛刷接觸上述屏障并通過后，使之與上述顯示區(qū)接觸，進(jìn)行上述第一基板清洗的清洗工序。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于具備在形成了上述TFT陣列的顯示區(qū)與上述屏障的上部，同時(shí)形成使上述液晶定向的定向膜的定向膜形成工序。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于上述定向膜形成工序，形成定向膜使在上述屏障上形成的定向膜比在上述顯示區(qū)上形成的定向膜的平均高度高。
7.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于具備在使摩擦用布接觸上述屏障上的定向膜并通過后，使之與上述顯示區(qū)上的定向膜接觸，進(jìn)行摩擦的摩擦工序。
8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于上述TFT陣列形成工序，在具備被劃分的多個(gè)顯示區(qū)的上述第一基板上，在上述各顯示區(qū)內(nèi)形成TFT陣列的同時(shí)，在劃分上述各顯示區(qū)的邊界上形成上述屏障。
9.一種液晶顯示裝置的制造方法，是第二基板具有間隙地被粘合在在顯示區(qū)內(nèi)具有TFT陣列和由該TFT陣列驅(qū)動構(gòu)成像素部的導(dǎo)電膜的第一基板上，在上述間隙中夾持液晶而成的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于在上述第一基板上，在形成上述TFT陣列的同時(shí)，位于連接配置在上述顯示區(qū)的外側(cè)的液晶驅(qū)動電路的端子部區(qū)域與上述顯示區(qū)之間，而且，在上述TFT陣列的相鄰的柵驅(qū)動用布線的間隙或者相鄰的源驅(qū)動用布線的間隙的至少一方上，用與構(gòu)成上述TFT陣列的多種材料同樣的材料形成屏障。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于具備在形成連接上述TFT的源或者漏端子與上述導(dǎo)電膜的接觸孔的同時(shí)，刻蝕上述屏障的外形的接觸孔形成工序。
11.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于作為構(gòu)成上述屏障的材料，上述導(dǎo)電膜不在此列。
12.一種液晶顯示裝置的制造方法，是第二基板具有間隙地被粘合在在顯示區(qū)內(nèi)具有TFT陣列和由該TFT陣列驅(qū)動構(gòu)成像素部的導(dǎo)電膜的第一基板上，在上述間隙中夾持液晶而成的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于具備在上述第一基板上，在形成上述TFT陣列的同時(shí)，在上述顯示區(qū)的附近周圍的至少一部分上，用與構(gòu)成上述TFT陣列的多種材料同樣的材料，形成屏障的TFT陣列形成工序；在形成連接上述TFT的源或者漏端子與上述導(dǎo)電膜的接觸孔的同時(shí)，刻蝕上述屏障的外形的接觸孔形成工序。
13.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于作為構(gòu)成上述屏障的材料，上述導(dǎo)電膜不在此列。
14.一種液晶顯示裝置，用權(quán)利要求1、9、12中的任何一項(xiàng)所述的制造方法制造。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于得到能夠在顯示區(qū)外攔住并捕捉由毛刷清洗產(chǎn)生的異物，消除異物與鄰接像素間和對置電極基板間的短路產(chǎn)生的缺陷的制造方法。其實(shí)現(xiàn)方法是在液晶顯示裝置1的顯示區(qū)2的附近周圍形成用于捕捉異物28的屏障6。作為屏障6的制造方法，具有在形成TFT16的同時(shí)，用與構(gòu)成TFT16的多種材料同樣的材料形成屏障6的工序。
文檔編號H01L21/027GK1790142SQ20051013177
公開日2006年6月21日 申請日期2005年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月17日
發(fā)明者箕輪憲一, 大橋剛 申請人:三菱電機(jī)株式會社