專利名稱：具有減少接地低頻噪音的連接器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電連接器，其相對(duì)于因“趨膚效應(yīng)”所導(dǎo)致的信號(hào)衰減具有改善的降噪特性。
背景技術(shù)：
由于公知的“趨膚效應(yīng)”現(xiàn)象，電磁場和電流在高頻段通過導(dǎo)體的分布是不均勻的。例如，在被施加頻率增大的電磁波的平面導(dǎo)體的情況下，在零或足夠低的頻率段，在整個(gè)導(dǎo)體中電磁場和電流分布基本上是均勻分布的，且導(dǎo)體的有效電阻處于最小。隨著頻率增加，電磁場和電流幅度隨著進(jìn)入導(dǎo)體深度的增加成指數(shù)地減少。導(dǎo)體中電流密度分布由下述表達(dá)式給出J=J0e-xδ]]>其中，J0是導(dǎo)體表面處的電流密度，x是深入導(dǎo)體的深度，δ是一個(gè)趨膚深度或一個(gè)趨膚厚度，其由下面的表達(dá)式給出δ=1πμσf]]>其中，δ以米表示，f是以每秒若干循環(huán)(赫茲)表示的電磁波頻率，μ是以亨利每米表示的導(dǎo)體滲透率，且σ是以歐姆每米表示的導(dǎo)體傳導(dǎo)率。
因數(shù)δ表示距離，在該距離中滲透到金屬中的厚度是δ許多倍的電流和場會(huì)減少一個(gè)奈培，即它們的幅度將變?yōu)榈扔谒鼈冊趯?dǎo)體表面處的幅度的1/e＝0.36788...倍。由導(dǎo)體承載的總電流可以被精確地計(jì)算為一個(gè)恒定的電流，該電流幅度值等于僅滲透到導(dǎo)體中深度δ的表面處的數(shù)值。
在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)趨膚深度小于導(dǎo)體的物理尺寸時(shí)會(huì)出現(xiàn)趨膚效應(yīng)的影響。由于趨膚深度是信號(hào)頻率的函數(shù)，所以在導(dǎo)體尺寸范圍上的所關(guān)心的趨膚效應(yīng)也與信號(hào)頻率有關(guān)。在音頻頻率，有很小的影響，然而在無線電或微波頻率趨膚效應(yīng)將是主要的因素。
在信號(hào)傳輸系統(tǒng)及其元件中，在常規(guī)的傳輸速率下，由于相對(duì)于頻率的信號(hào)衰減和信號(hào)相對(duì)相位的變化，趨膚效應(yīng)導(dǎo)致一些信號(hào)失真。當(dāng)然，這就在這些應(yīng)用中限制了傳輸線的有用長度。如果信號(hào)振幅損失太嚴(yán)重，將需要使用放大器，這將增加通信系統(tǒng)的成本、體積和復(fù)雜度。與高頻信號(hào)的衰減特性相關(guān)的頻率互連是非常不利的，因?yàn)槠涫沟迷谝粋€(gè)周期上所述線的均衡化基于一個(gè)復(fù)雜和昂貴的過程。在這點(diǎn)上，均衡器必須表現(xiàn)出與衰減特性相關(guān)的補(bǔ)償頻率，該特性是用于預(yù)定信號(hào)路徑的傳輸線的物理和電特性的函數(shù)。
對(duì)于公知的連接器存在相似的缺陷。由于相對(duì)于頻率的信號(hào)衰減和信號(hào)相位的變化，趨膚效應(yīng)導(dǎo)致信號(hào)失真。隨著連接器尺寸的減小，趨膚效應(yīng)缺陷的重要性不斷增加。
前面示出了公知的存在于現(xiàn)有連接器中的缺陷。由此，提供一種直接克服上述一個(gè)或多個(gè)缺陷的具有改進(jìn)的信號(hào)傳輸特性的連接器是有利的。因此，提供一種包括在下文中更加充分公開的特征的適合方案。

發(fā)明內(nèi)容
一種高速信號(hào)連接器包括容納多個(gè)信號(hào)導(dǎo)體和至少一個(gè)接地導(dǎo)體的殼體。該至少一個(gè)接地導(dǎo)體包括不同導(dǎo)電材料的共同擴(kuò)張層，該層至少包括具有預(yù)定導(dǎo)電率和滲透率的第一導(dǎo)電基層和具有不同預(yù)定導(dǎo)電率和滲透率的第二導(dǎo)電頂層。
導(dǎo)電基層的滲透率與導(dǎo)電率的比率與導(dǎo)電頂層的滲透率與導(dǎo)電率的比率之間的關(guān)系由下述表達(dá)式給出μ2σ2>>μ1σ1]]>在整篇說明書中下標(biāo)(1)表示導(dǎo)電頂層以及下標(biāo)(2)表示導(dǎo)電基層。


圖1是根據(jù)本發(fā)明在殼體中具有多個(gè)子卡的連接器的一個(gè)實(shí)施例的透視圖；圖2是與圖1的連接器嚙合的配合接口的透視圖；圖3是圖1的子卡和殼體的側(cè)視圖；圖4是諸如應(yīng)用于圖1實(shí)施例中的多個(gè)子卡的剖視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的連接器的第二實(shí)施例的側(cè)視圖；圖6是圖5的連接器的俯視圖；
圖7是沿圖6的線7-7的剖視圖；圖8是沿圖7的線8-8的剖視圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的透視圖；圖10是圖9的連接器的剖視圖；圖11是本發(fā)明的另一實(shí)施例的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
導(dǎo)體的趨膚深度的量在決定通過傳輸線或其它導(dǎo)電信號(hào)傳輸元件的預(yù)定電信號(hào)的衰減方面是非常顯著的。用于電磁場和電流的指數(shù)解提供電流分布的簡化的表示，其中導(dǎo)體中的總電流局限在厚度等于趨膚深度的層。在固體導(dǎo)體的情況下，相對(duì)于一個(gè)趨膚深度的電流的有效局限性建立了導(dǎo)體的每單元寬度和單元長度的有效表面電阻，其由表達(dá)式給出Rs=1σδ]]>其中RS是表面電阻，σ是導(dǎo)體的導(dǎo)電率，且δ是導(dǎo)體的趨膚深度。由于該表面電阻，傳輸線的每單元長度的衰減由表達(dá)式給出α=Rs2wZ0]]>其中w是導(dǎo)體表面的寬度，且Z0是傳輸線的固有阻抗。在這個(gè)例子中，當(dāng)指數(shù)近似值有效時(shí)，每單元寬度和單元長度的導(dǎo)體的內(nèi)部電感由表達(dá)式給出Li=Rs2πf]]>與內(nèi)部阻抗相關(guān)的頻率導(dǎo)致一個(gè)頻率處的信號(hào)相對(duì)于其它頻率處的信號(hào)的相位偏移。
每單元長度的導(dǎo)體的表面電阻的減少將導(dǎo)致信號(hào)傳輸質(zhì)量的改進(jìn)且增加傳輸線的最大有用長度。
重要的是，如果相對(duì)于導(dǎo)電頂層的趨膚深度，導(dǎo)電頂層的厚度被合理確定，通過這個(gè)頂層傳播的信號(hào)的衰減將基本上與頻率無關(guān)。
本發(fā)明的重要方面在于可以實(shí)現(xiàn)多層接地跡線或信號(hào)回路，其中通過接地跡線傳播的信號(hào)衰減基本上與傳輸信號(hào)的頻率無關(guān)，這個(gè)接地由導(dǎo)電基層和導(dǎo)電頂層限定。
以高速連接器形式的本發(fā)明的應(yīng)用有利于這些概念的公開。圖1-3以高密度多片互連10的形式描述了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。一種這樣的裝置是由Tyco Electronics提供的MULTIGIG RT1連接器系統(tǒng)。連接器10具有容納在殼體14中的印刷電路板(PCB)晶片設(shè)計(jì)的多個(gè)子卡12。每個(gè)子卡12包括多個(gè)接觸表面16，18。導(dǎo)電針20電連接到相關(guān)子卡的某些接觸表面16。接觸表面18通過配合接口22而嚙合。對(duì)于這種連接器10的應(yīng)用包括高端服務(wù)器的背板，電話公司轉(zhuǎn)換器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。連接器10可以應(yīng)用在需要用于單端或不同對(duì)信號(hào)的堅(jiān)固連接器的系統(tǒng)中。
子卡12包括多個(gè)設(shè)置在子卡的相對(duì)的主表面上的導(dǎo)電跡線。導(dǎo)電跡線包括信號(hào)導(dǎo)體24和接地導(dǎo)體26，28。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的多個(gè)子卡12的剖視圖。子卡12是PCB晶片30設(shè)計(jì)且包括多個(gè)信號(hào)導(dǎo)體24和多個(gè)接地導(dǎo)體26，28。PCB晶片30通常是平面的絕緣襯底。信號(hào)導(dǎo)體24和接地導(dǎo)體26，28作為導(dǎo)電跡線使用公知的PCB制造技術(shù)設(shè)置在PCB晶片30的相對(duì)的主表面上，PCB制造技術(shù)的細(xì)節(jié)與本發(fā)明無關(guān)但是對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員中的任一個(gè)都是理解的。接地導(dǎo)體26由單獨(dú)的導(dǎo)電層構(gòu)成，而接地導(dǎo)體28包括兩個(gè)不同的導(dǎo)電層31，32。
特別適用于頂層31的材料是那些相對(duì)于基層32具有高導(dǎo)電率和/或低滲透率的材料，例如但是并不局限于銀，銅，金，鋁或錫。此外，特別適用于建立基層32的材料是那些相對(duì)于頂層31具有低導(dǎo)電率和/或高滲透率的材料，使得R32＞＞R31。適合的基層32材料包括但是并不局限于鐵，鎳或含有鐵和/或鎳的合金。這種材料允許通過增加導(dǎo)電基層32的表面電阻而使電流密度在高的導(dǎo)電頂層31中增加。
根據(jù)這里的教導(dǎo)，復(fù)合接地導(dǎo)體28的導(dǎo)電基層32和導(dǎo)電頂層31從建立條件R32＞＞R31的材料中選擇。在此種情況下，通過復(fù)合導(dǎo)體傳輸?shù)男盘?hào)的衰減將大致與信號(hào)的頻率無關(guān)。特別是，通過合并趨膚深度δ表達(dá)式與表面電阻R32的關(guān)系，可以看出R31將直接以材料特性的形式表示，如下述表達(dá)式給出的Rs=πfμσ30]]>因此，關(guān)系R32＞＞R31可以直接以導(dǎo)電基層和導(dǎo)電頂層的材料特性的形式再次表示，如下述表達(dá)式給出的μ32σ32>>μ31σ31]]>根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)制成的復(fù)合接地導(dǎo)體28將合并導(dǎo)電基層32，該導(dǎo)電基層32相對(duì)于導(dǎo)電頂層31具有更低的導(dǎo)電率和/或更高的滲透率，使得R32＞＞R31。
特別適用于頂層31的材料是那些相對(duì)于基層32具有高導(dǎo)電率和/或低滲透率的材料，例如但是并不局限于銀，銅，金，鋁或錫。此外，特別適用于建立基層32的材料是那些相對(duì)于頂層31具有低導(dǎo)電率和/或高滲透率的材料，使得R32＞＞R31。合適的基層32材料包括但是并不局限于鐵，鎳或含有鐵和/或鎳的合金。這種材料允許通過增加導(dǎo)電基層32的表面電阻而使電流密度在高的導(dǎo)電頂層31中增加。
根據(jù)本發(fā)明的接地導(dǎo)體28用于高頻信號(hào)傳輸，其允許接地跡線或信號(hào)回路的衰減和相位響應(yīng)的修正作為頻率的函數(shù)進(jìn)行修正。通過改變導(dǎo)電頂層31的厚度和導(dǎo)電基層32與導(dǎo)電頂層31的材料特性，可以調(diào)節(jié)相對(duì)于頻率的信號(hào)相位和衰減的響應(yīng)。在這點(diǎn)上，R32相對(duì)于R31越大，信號(hào)衰減和信號(hào)相位變?yōu)樾盘?hào)頻率的函數(shù)越線性。對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)制成的連接器10，其中導(dǎo)電頂層31的厚度顯著地小于導(dǎo)電頂層31的趨膚深度，在預(yù)定頻率范圍內(nèi)的所有頻率，可以理解的是接地導(dǎo)體28的衰減基本上與所述頻率范圍內(nèi)的頻率無關(guān)。正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員也會(huì)理解的那樣，因?yàn)閷?dǎo)電頂層31制造的厚度相對(duì)于趨膚深度顯著地大，所以在預(yù)定頻率范圍內(nèi)的所有頻率，衰減將變得基本上等于固體導(dǎo)體的衰減。通過在數(shù)值范圍內(nèi)改變頂層厚度31，優(yōu)選至少是趨膚深度的二倍，可以得到各種各樣的需要的頻率響應(yīng)。關(guān)于信號(hào)傳輸?shù)囊粋€(gè)效果將會(huì)是由多個(gè)以本發(fā)明的信號(hào)導(dǎo)體24傳輸?shù)念l率成分構(gòu)成的信號(hào)將顯示出比在現(xiàn)有技術(shù)傳輸線上傳輸?shù)男盘?hào)具有顯著較小的相位失真。
本發(fā)明的連接器10具有含導(dǎo)電基層32和導(dǎo)電頂層31的多層接地導(dǎo)體28，其中導(dǎo)電基層32具有相對(duì)于導(dǎo)電頂層31更低的導(dǎo)電率和/或更高的滲透率，使得R32＞＞R31。
這種多層接地導(dǎo)體28可以限定在連接器結(jié)構(gòu)的范圍內(nèi)。導(dǎo)電頂層31可以通過例如但是并不局限于無電極電鍍、無電鍍或真空蒸汽沉積的公知方法設(shè)置在導(dǎo)電基層32上?？商鎿Q的實(shí)施例可以具有由翼型元件限定的層31，32。
現(xiàn)在參考圖5-8，在這里示出本發(fā)明的第二實(shí)施例。連接器100包括容納在聚合物殼體129中的多個(gè)信號(hào)導(dǎo)體124，125和接地導(dǎo)體126。圖7示出了連接器100的剖視圖，其中信號(hào)導(dǎo)體124，125在接地導(dǎo)體126的對(duì)立面設(shè)置成兩排，該接地導(dǎo)體位于兩排的中央。信號(hào)導(dǎo)體124，125保持在與接地導(dǎo)體126預(yù)定的距離，該接地導(dǎo)體126形成為單獨(dú)的接地總線。接地導(dǎo)體126包括兩個(gè)不同的導(dǎo)電層131，132。
特別適用于頂層131的材料是那些相對(duì)于基層132具有高導(dǎo)電率和/或低滲透率的材料，例如但是并不局限于銀，銅，金，鋁或錫。此外，可能特別適用于建立基層132的材料是那些相對(duì)于頂層131具有低導(dǎo)電率和/或高滲透率的材料，使得R132＞＞R131。適合的基層132材料包括但是并不局限于鐵，鎳或含有鐵和/或鎳的合金。這種材料允許通過增加導(dǎo)電基層132的表面電阻而使電流密度在高的導(dǎo)電頂層131中增加。
根據(jù)這里的教導(dǎo)，接地導(dǎo)體126的導(dǎo)電基層132和導(dǎo)電頂層131從建立條件R132＞＞R131的材料中選擇。在此種情況下，通過復(fù)合導(dǎo)體傳輸?shù)男盘?hào)的衰減將基本上與信號(hào)的頻率無關(guān)。特別是，通過合并用于趨膚深度δ表達(dá)式與表面電阻R132的關(guān)系，可以看出R131將直接以材料特性的形式表示，如下述表達(dá)式給出的Rs=πfμσ]]>因此，關(guān)系R132＞＞R131可以直接以導(dǎo)電基層和導(dǎo)電頂層的材料特性的形式再次表示，如下述表達(dá)式給出的μ132σ132>>μ131σ131]]>根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)制成的接地導(dǎo)體126將結(jié)合導(dǎo)電基層132，該導(dǎo)電基層相對(duì)于導(dǎo)電頂層131具有更低的導(dǎo)電率和/或更高的滲透率的，使得R132＞＞R131。
特別適用于頂層131的材料是那些相對(duì)于基層132具有高導(dǎo)電率和/或低滲透率的材料，例如但是并不局限于銀，銅，金，鋁或錫。此外，可能特別適用于建立基層132的材料是那些相對(duì)于頂層131具有低導(dǎo)電率和/或高滲透率的材料，使得R132＞＞R131。適合的基層132材料包括但是并不局限于鐵，鎳或含有鐵和/或鎳的合金。這種材料允許通過增加導(dǎo)電基層132的表面電阻而使電流密度在高的導(dǎo)電頂層131中增加。
接地導(dǎo)體126用于高頻信號(hào)傳輸，其允許接地跡線或信號(hào)回路的衰減和相位響應(yīng)作為頻率的函數(shù)進(jìn)行修正。通過改變導(dǎo)電頂層131的厚度和導(dǎo)電基層132與導(dǎo)電頂層131的材料特性，可以調(diào)節(jié)相對(duì)于頻率的信號(hào)相位和衰減的響應(yīng)。在這點(diǎn)上，R132相對(duì)于R131越大，信號(hào)衰減和信號(hào)相位變?yōu)樾盘?hào)頻率的函數(shù)越線性。對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)制成的連接器100，其中導(dǎo)電頂層131的厚度顯著地小于導(dǎo)電頂層131的趨膚深度，在預(yù)定頻率范圍內(nèi)的所有頻率，可以理解的是接地導(dǎo)體126的衰減將大致與所述頻率范圍內(nèi)的頻率無關(guān)。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員還將理解的那樣，因?yàn)閷?dǎo)電頂層131制造的厚度相對(duì)于趨膚深度顯著地大，所以在預(yù)定頻率范圍內(nèi)的所有頻率，衰減將變得大致等于固體導(dǎo)體的衰減。通過在數(shù)值范圍內(nèi)改變頂層厚度131，優(yōu)選地至少是趨膚深度的二倍，可以得到多種所需的頻率響應(yīng)。關(guān)于信號(hào)傳輸?shù)囊粋€(gè)效果將會(huì)是由以連接器100的信號(hào)導(dǎo)體124，125傳輸?shù)念l率成分構(gòu)成的信號(hào)將顯示出比在現(xiàn)有技術(shù)的傳輸線上傳輸?shù)男盘?hào)具有顯著較小的相位失真。
導(dǎo)電頂層131可以通過例如但是并不局限于電鍍，無電極電鍍，或真空蒸汽沉積的公知方法設(shè)置在導(dǎo)電基層132上?？商鎿Q的實(shí)施例可以具有由翼型元件限定的層。
現(xiàn)在參考圖9-11，在這里示出了本發(fā)明的其它實(shí)施例。連接器200包括容納多個(gè)設(shè)置成兩排的信號(hào)導(dǎo)體224，225的殼體229，以及設(shè)置在兩排中間的接地導(dǎo)體226。圖10示出了連接器200的剖視圖，其中信號(hào)導(dǎo)體224，225保持在離開接地導(dǎo)體226的預(yù)定距離處。接地導(dǎo)體226包括兩個(gè)不同的導(dǎo)電層231，232。如圖9到11所示，導(dǎo)電層231通常是細(xì)長的條，其平行延伸于信號(hào)導(dǎo)體224，225。在圖10中，每個(gè)導(dǎo)電層231在相關(guān)的一對(duì)信號(hào)導(dǎo)體224，225之間直接對(duì)齊。作為比較，圖11示出了本發(fā)明的另一實(shí)施例，其中導(dǎo)電層231從含有相鄰信號(hào)導(dǎo)體對(duì)224，225的一個(gè)平面偏移。也可以使用對(duì)齊和偏移導(dǎo)電層231(未示出)的結(jié)合。
根據(jù)這里的教導(dǎo)，復(fù)合接地導(dǎo)體126的導(dǎo)電基層232和導(dǎo)電頂層231從建立條件R232＞＞R231的材料中選擇。根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)制成的復(fù)合接地導(dǎo)體226將合并導(dǎo)電基層232，該導(dǎo)電基層232相對(duì)于導(dǎo)電頂層231具有更低的導(dǎo)電率和/或更高的滲透率，使得R232＞＞R231。
特別適用于頂層231的材料是那些相對(duì)于基層232具有高導(dǎo)電率和/或低滲透率的材料，例如但是并不局限于銀，銅，金，鋁或錫。此外，特別適用于建立基層232的材料是那些相對(duì)于頂層231具有低導(dǎo)電率和/或高滲透率的材料，使得R232＞＞R231。合適的基層232材料包括但是并不局限于鐵，鎳或含有鐵和/或鎳的合金。這種材料允許通過增加導(dǎo)電基層232的表面電阻而使電流密度在高的導(dǎo)電頂層231中增加。
接地導(dǎo)體226用于在信號(hào)觸點(diǎn)224，225之間帶有最小串音的高頻信號(hào)傳輸。通過改變導(dǎo)電頂層231的厚度和導(dǎo)電基層232與導(dǎo)電頂層231的材料特性，在接地導(dǎo)體226中流動(dòng)的回路電流基本上限制于與信號(hào)觸點(diǎn)224，225緊密連接的接地部分。通過限制在頂層231中流動(dòng)的回路電流，連接器200具有改進(jìn)的串音減小。重要的是，通過提供導(dǎo)電頂層231通常垂直于信號(hào)導(dǎo)體224，225流動(dòng)的電流被最小化。
對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)制成的連接器200，其中導(dǎo)電頂層231的厚度顯著地小于導(dǎo)電頂層231的趨膚深度，在預(yù)定頻率范圍內(nèi)的所有頻率，可以理解的是接地導(dǎo)體226的衰減將大致與所述頻率范圍內(nèi)的頻率無關(guān)。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員也理解的那樣，因?yàn)閷?dǎo)電頂層231制造的厚度相對(duì)于趨膚深度顯著地大，所以在預(yù)定頻率范圍內(nèi)的所有頻率，衰減將變得大致等于固體導(dǎo)體的衰減。
權(quán)利要求
1.一種高速信號(hào)連接器，其包括容納多個(gè)信號(hào)導(dǎo)體和至少一個(gè)接地導(dǎo)體的殼體，其中該至少一個(gè)接地導(dǎo)體包括不同導(dǎo)電材料的共同擴(kuò)張層，該層至少包括具有預(yù)定導(dǎo)電率和滲透率的第一導(dǎo)電基層和具有不同預(yù)定導(dǎo)電率和滲透率的第二導(dǎo)電頂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速信號(hào)連接器，其中，在一個(gè)傳輸頻率，所述第二導(dǎo)電頂層具有至少是趨膚深度二倍的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速信號(hào)連接器，其中，所述殼體包括至少一個(gè)具有相對(duì)的主表面的印刷電路板晶片，信號(hào)導(dǎo)體設(shè)置在其中一個(gè)主表面上，且該至少一個(gè)接地導(dǎo)體設(shè)置在另一個(gè)主表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速信號(hào)連接器，其中，所述殼體包括多個(gè)具有相對(duì)的主表面的印刷電路板晶片，信號(hào)導(dǎo)體設(shè)置在晶片的主表面上，且進(jìn)一步包括設(shè)置在主表面上的多個(gè)上述接地導(dǎo)體，每一個(gè)接地導(dǎo)體與各自的其中一個(gè)信號(hào)導(dǎo)體相對(duì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速信號(hào)連接器，其中，所述信號(hào)導(dǎo)體設(shè)置成兩排，且所述接地導(dǎo)體位于兩排的中央。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高速信號(hào)連接器，其中，所述第二導(dǎo)電頂層形成多個(gè)平行延伸于信號(hào)導(dǎo)體的條。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高速信號(hào)連接器，其中，每個(gè)所述條在相關(guān)成對(duì)的信號(hào)導(dǎo)體之間對(duì)齊。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高速信號(hào)連接器，其中，每個(gè)所述條從包括一相關(guān)成對(duì)的信號(hào)導(dǎo)體的一個(gè)平面偏移。
全文摘要
本發(fā)明公開一種高速信號(hào)連接器，其包括容納多個(gè)信號(hào)導(dǎo)體(24；124，125；224，225)和至少一個(gè)接地導(dǎo)體(28；126；226)的殼體(14；29；129)。該至少一個(gè)接地導(dǎo)體包括不同導(dǎo)電材料的共同擴(kuò)張層，該層至少包括具有預(yù)定導(dǎo)電率和滲透率的第一導(dǎo)電基層(32；132；232)和具有不同預(yù)定導(dǎo)電率和滲透率的第二導(dǎo)電頂層(31；131；231)。
文檔編號(hào)H01R12/00GK1674364SQ20051006409
公開日2005年9月28日 申請日期2005年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月13日
發(fā)明者約翰·F·丹布羅西亞, 史蒂文·J·米勒德, 邁克爾·W·福格 申請人:蒂科電子公司