專利名稱：薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，液晶顯示器(LCD)是一種最廣泛使用的平板顯示器。LCD包括設(shè)置有場產(chǎn)生電極的兩個(gè)面板和插入在其間的液晶(LC)層。LCD通過施加電壓給場產(chǎn)生電極以在LC層中產(chǎn)生電場來顯示圖象，電場決定LC層中LC分子的取向以調(diào)整入射光的偏振。
在各面板上包括場產(chǎn)生電極的LCD之中，按矩陣排列的多個(gè)像素電極設(shè)置在一個(gè)面板上，且設(shè)置共用電極(common electrode)來交迭另一面板的整個(gè)表面。通過向各像素電極施加各電壓來顯示圖象。為施加各電壓，多個(gè)三端子(terminal)的薄膜晶體管(TFT)連接到各像素電極，并在面板上設(shè)置多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線。柵極線傳輸用于控制TFT的信號，而數(shù)據(jù)線傳輸施加給像素電極的電壓。另外，在面板上設(shè)置交迭像素電極以形成存儲電容器的多個(gè)存儲電極。
用于LCD的面板通常具有包括幾個(gè)導(dǎo)體層和絕緣層的分層結(jié)構(gòu)(layered structure)，并需要用于制造LCD面板的幾個(gè)光刻步驟。由于制造成本隨光刻步驟的數(shù)量增加而增加，所以優(yōu)選減少光刻步驟的數(shù)量。為減少制造成本，利用一個(gè)光致抗蝕劑作為蝕刻掩模來構(gòu)圖數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層。光致抗蝕劑包括具有中間厚度的部分。
然而，因?yàn)榘雽?dǎo)體層保留在連接到像素電極的導(dǎo)體下面并在該制造方法中交迭存儲電極，因而產(chǎn)生了屏幕上的閃爍以及殘留影象，由此惡化了LCD的特性。需要一種減少制造成本而不引起這些不良副作用的方法。

發(fā)明內(nèi)容
提供一種薄膜晶體管陣列面板，其包括在絕緣基板上形成的柵極線和柵電極；在絕緣基板上的存儲電極線；在柵極線和存儲電極線上的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上的第一半導(dǎo)體；在第一半導(dǎo)體上以及在柵電極上方所形成的相互間隔開的數(shù)據(jù)線和漏電極；在第一半導(dǎo)體上所形成的并具有暴露漏電極的接觸孔和暴露存儲電極線上的柵極絕緣層的開口的鈍化層；以及通過接觸孔連接到漏電極并通過開口交迭存儲電極線的像素電極。
除在柵電極上的部分以外的第一半導(dǎo)體可以與數(shù)據(jù)線和漏電極具有相同的形狀。薄膜晶體管陣列面板可以進(jìn)一步在與第一半導(dǎo)體相同的層包括第二半導(dǎo)體，其中開口延伸到第二半導(dǎo)體。
開口可以是通過第二半導(dǎo)體延伸的孔。
接觸孔可以與開口交迭。開口可以位于接觸孔內(nèi)。
開口可以延伸進(jìn)漏電極。
存儲電極線可以與柵極線間隔開。
提供薄膜晶體管陣列面板，其包括形成柵極線和存儲電極線；形成覆蓋柵極線和存儲電極線的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成第一半導(dǎo)體和交迭存儲電極線的第二半導(dǎo)體；在第一半導(dǎo)體上形成具有源電極的數(shù)據(jù)線和漏電極；形成具有暴露漏電極的接觸孔和暴露第二半導(dǎo)體的開口的鈍化層；除去通過開口暴露的第二半導(dǎo)體；以及形成通過接觸孔連接到漏電極的像素電極。其中，利用一個(gè)光致抗蝕劑膜作為蝕刻掩模通過光刻形成第一和第二半導(dǎo)體、數(shù)據(jù)線和漏電極。
光致抗蝕劑膜可以包括源電極和漏電極之間的部分上的對應(yīng)溝道區(qū)域及與一部分存儲電極線對應(yīng)的存儲區(qū)域的第一部分，以及對應(yīng)數(shù)據(jù)線和漏電極上的布線區(qū)域(wire area)的第二部分。
可以利用一個(gè)掩模通過光刻來形成光致抗蝕劑膜。
本方法可以進(jìn)一步包括在第一和第二半導(dǎo)體與數(shù)據(jù)線和漏電極之間形成歐姆接觸層。
數(shù)據(jù)線和漏電極、歐姆接觸層以及第一和第二半導(dǎo)體的形成可以包括沉積硅層、摻雜的硅層和導(dǎo)體層；形成光致抗蝕劑膜，包括對應(yīng)源電極和漏電極之間的部分上的溝道區(qū)域和與一部分存儲電極線對應(yīng)的存儲區(qū)域的第一部分、及對應(yīng)數(shù)據(jù)線和漏電極上的布線區(qū)域的第二部分；蝕刻對應(yīng)除存儲、布線和溝道區(qū)域以外的其余區(qū)域的導(dǎo)體層；蝕刻其余區(qū)域上的硅層和摻雜的硅層；除去第一部分以暴露存儲和溝道區(qū)域上的導(dǎo)體層；蝕刻存儲和溝道區(qū)域上的導(dǎo)體層和摻雜的硅層；以及除去第二部分。


通過參考附圖詳細(xì)說明其優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明的上述及其他優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于LCD的TFT陣列面板的布置圖；圖2和3是分別沿線II-II′和III-III′截取的圖1中所示的TFT陣列面板的截面圖；圖4是圖1-3所示的TFT陣列面板根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例在其制造方法的第一步驟中的布置圖；圖5A和5B是分別沿線Va-Va′和Vb-Vb′截取的圖4中所示的TFT陣列面板的截面圖；圖6A和6B是分別沿線Va-Va′和Vb-Vb′截取的圖4中所示的TFT陣列面板的截面圖，并且示例了圖5A和5B中所示步驟之后的步驟；圖7A和7B是分別沿線Va-Va′和Vb-Vb′截取的圖4中所示的TFT陣列面板的截面圖，并且示例了圖6A和6B中所示步驟之后的步驟；圖8是在圖7A和7B中所示步驟之后的步驟中的TFT陣列面板的截面圖；圖9A和9B是分別沿線IXa-IXa′和IXb-IXb′截取的圖8中所示的TFT陣列面板的截面圖；圖10是圖9A和9B中所示步驟之后的步驟中的TFT陣列面板的截面圖；圖11A和11B是分別沿線XIa-XIa′和XIb-XIb′截取的圖10中所示的TFT陣列面板的截面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的TFT陣列面板的布置圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的LCD的共用電極面板的布置圖；圖14是含有圖12中所示的TFT陣列面板和圖13中所示的共用電極面板的LCD的布置圖；圖15是沿線XV-XV′截取的圖14中所示的LCD的截面圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的TFT陣列面板的布置圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的LCD的共用電極面板的布置圖；圖18是含有圖16中所示的TFT陣列面板和圖17中所示的共用電極面板的LCD的布置圖；圖19是沿線XIX-XIX′截取的圖18中所示的LCD的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下文中，將參考示出了本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的附圖來更加充分地介紹本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以按許多不同的形式來實(shí)施，而不應(yīng)解釋為局限于此處所展示的實(shí)施例。
在圖中，為便于清楚而放大了層、膜和區(qū)域的厚度。應(yīng)明白，當(dāng)例如層、膜、區(qū)域或基板這樣的元件被稱為“在”另一元件“上”時(shí)，其可以直接在其它元件上或還可以存在中間元件。
現(xiàn)在，將參考圖1至3詳細(xì)說明用于LCD的TFT陣列面板。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例用于LCD的TFT陣列面板的布置圖，以及圖2和3是分別沿線II-II′和III-III′截取的圖1中所示的TFT陣列面板的截面圖。
多條柵極線121和多條存儲電極線131形成在絕緣基板110例如透明玻璃上。
柵極線121基本上沿第一方向延伸、彼此間隔開并傳輸柵極信號。每條柵極線121包括形成多個(gè)柵電極124的多個(gè)突出部分和具有用于接觸其它層或外部驅(qū)動(dòng)電路的大面積的末端部分129。柵極線121可以延伸至連接到驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路可以被集成在絕緣基板110上。
與柵極線121分開的每條存儲電極線131基本上沿與柵極線121相同的方向延伸，并設(shè)置在兩條柵極線121之間。存儲電極線131施加有預(yù)定電壓例如其它面板(未示出)的共用電壓。存儲電極線131可以包括具有大面積的多個(gè)擴(kuò)展部分。
柵極線121和存儲電極線131優(yōu)選由例如Al和Al合金的含Al金屬、例如Ag和Ag合金的含Ag金屬、例如Cu和Cu合金的含Cu金屬、例如Mo和Mo合金的含Mo金屬、Cr、Ti或Ta構(gòu)成。如圖2中所示，柵極線121包括具有不同物理特性的兩層膜，下層膜121p和上層膜121q。上層膜121q優(yōu)選由例如Al和Al合金的含Al金屬的低電阻率金屬構(gòu)成，以用于減少柵極線121中的信號延遲或電壓降，并且上層膜121q具有1000-3000范圍內(nèi)的厚度。另一方面，下層膜121p優(yōu)選由例如Cr、Mo和Mo合金的材料構(gòu)成，該材料具有良好的物理、化學(xué)及與例如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的其它材料的電接觸特性，并且下層膜121p具有100-1000范圍內(nèi)的厚度。下層膜材料和上層膜材料的良好示范性組合是Mo和Al-Nd合金。它們的位置可以互換。在圖2和3中，用附圖標(biāo)記124p和124q來分別指示柵電極124的下層和和層膜，用附圖標(biāo)記129p和129q來分別指示末端部分129的下層和上層膜，用附圖標(biāo)記131p和131q來分別指示存儲電極線131的下層和上層膜?？梢猿艠O線121末端部分129的上層膜129q的部分以暴露下面部分的下層膜129p。
此外，使上層膜121q、124q、129q和131q以及下層膜121p、124p、129p和131p的側(cè)面有斜度以相對基板110的表面形成大約30-80度的角度。
優(yōu)選由氮化硅(SiNx)構(gòu)成的柵極絕緣層140形成在柵極線121上。
優(yōu)選由氫化非晶硅(縮寫成“a-Si”)構(gòu)成的多個(gè)半導(dǎo)體帶狀體151和多個(gè)半導(dǎo)體島狀體157形成在柵極絕緣層140上。每個(gè)半導(dǎo)體帶狀體151基本上沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸并具有向柵電極124擴(kuò)展的多個(gè)突出部分154。每個(gè)半導(dǎo)體島狀體157設(shè)置在存儲電極線131上，并具有設(shè)置在半導(dǎo)體島狀體157的邊界內(nèi)的開口(例如孔)。
優(yōu)選由硅化物或重?fù)诫s有n型雜質(zhì)的n+氫化a-Si構(gòu)成的多個(gè)歐姆接觸帶狀體和島狀體161和165形成在半導(dǎo)體帶狀體151上。每個(gè)歐姆接觸帶狀體161具有多個(gè)突出部分163，并且突出部分163和歐姆接觸島狀體165成對地設(shè)置在半導(dǎo)體帶狀體151的突出部分154上。
使半導(dǎo)體帶狀體151和歐姆接觸161和165的側(cè)面有斜度以相對基板110的表面形成在大約30-80度之間的角度。
多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175形成在歐姆接觸161和165上。
用于傳輸數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線171基本上沿縱向方向延伸并與柵極線121交叉。每條數(shù)據(jù)線171的朝向漏電極175突出的多個(gè)分支形成多個(gè)源電極173。每對源電極173和漏電極175彼此分開并跨柵電極124彼此定位。柵電極124、源電極173和漏電極175與半導(dǎo)體帶狀體151的突出部分154一起形成具有溝道的TFT，該溝道形成在設(shè)置在源電極173和漏電極175之間的突出部分154中。
數(shù)據(jù)線171和漏電極175也優(yōu)選由例如Al和Al合金的含Al金屬、例如Ag和Ag合金的含Ag金屬、例如Cu和Cu合金的含Cu金屬、例如Mo和Mo合金的含Mo金屬、Cr、Ti或Ta構(gòu)成，并可以具有單層或多層結(jié)構(gòu)。
像柵極線121一樣，數(shù)據(jù)線171和漏電極175具有相對襯底110形成大約30-80度的角度的傾斜的側(cè)面(tapered lateral side)。
歐姆接觸161和165僅插入在下層半導(dǎo)體帶狀體(underlyingsemiconductor stripes)151和上層數(shù)據(jù)線(overlying data lines)171之間。歐姆接觸161減少了半導(dǎo)體帶狀體151和數(shù)據(jù)線171之間的接觸電阻，并且歐姆接觸165由漏電極175覆蓋。另外，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板的半導(dǎo)體帶狀體151與數(shù)據(jù)線171和漏電極175以及下層歐姆接觸161和165具有幾乎相同的平面形狀。然而，半導(dǎo)體帶狀體151的突出部分154包括一些暴露的部分，其沒有被數(shù)據(jù)線171和漏電極175覆蓋，例如位于源電極173和漏電極175之間的部分。
鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、漏電極175和半導(dǎo)體帶狀體151的暴露部分上。鈍化層180優(yōu)選由例如氮化硅或氧化硅的無機(jī)絕緣體、具有良好平坦特性的感光有機(jī)材料、或通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)所形成的例如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介電絕緣材料構(gòu)成。鈍化層180可以具有包括下層無機(jī)膜和上層有機(jī)膜的雙層結(jié)構(gòu)。
鈍化層180具有分別暴露漏電極175以及數(shù)據(jù)線171的末端部分179的多個(gè)接觸孔185和182。鈍化層180和柵極絕緣層140具有暴露柵極線121的末端部分129的多個(gè)接觸孔181。此外，鈍化層180具有與半導(dǎo)體島狀體157的開口一起暴露存儲電極線131上的柵極絕緣層140的多個(gè)開口187。
優(yōu)選由IZO或ITO構(gòu)成的多個(gè)像素電極190與多個(gè)接觸輔助體(contactassistant)81和82形成在鈍化層180上。
像素電極190通過接觸孔185物理且電連接到漏電極175，使得像素電極190從漏電極175中接收數(shù)據(jù)電壓。
返回參考圖2，施加有數(shù)據(jù)電壓的像素電極與在另一面板(未示出)上的共用電極合作產(chǎn)生電場，該電場使設(shè)置在所述電極之間的液晶層3中的液晶分子重新取向。
如上所述，像素電極190和共用電極形成液晶電容器，其在TFT Q截止后存儲所施加的電壓。提供與液晶電容器串聯(lián)的被稱為“存儲電容器”的附加電容器，以用于增強(qiáng)電壓存儲容量。通過將像素電極190與鄰近其的柵極線121(稱為“前面的柵極線”)或存儲電極線131交迭來實(shí)現(xiàn)存儲電容器。
如上面所提到的，位于連接到像素電極的導(dǎo)體下面并交迭存儲電極的半導(dǎo)體層引起屏幕上不理想的閃爍和殘留影象。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，作為存儲電容器的電介質(zhì)的柵極絕緣層140設(shè)置在像素電極190和存儲電極線131之間，從而提供均勻的存儲電容。這樣，在優(yōu)化的區(qū)域中可以使存儲電容最大化。因此，防止了屏幕上的閃爍以及殘留影象，并增強(qiáng)了LCD的特性。
在不同的實(shí)施例中，通過把像素電極190和鄰近其的柵極線121交迭以形成存儲電容器，暴露柵極絕緣層140的鈍化層180的開口187可以設(shè)置在前面的柵極線121上。在該實(shí)施例中，可以延伸柵極線121，使得它們被像素電極190覆蓋。
可選地，像素電極190可以交迭柵極線121和數(shù)據(jù)線171以增加開口率(aperture ratio)。
接觸輔助體81和82分別通過接觸孔181和182連接到柵極線121的暴露末端部分129和數(shù)據(jù)線171的暴露末端部分179。接觸輔助體81和82不是必不可少的，但為優(yōu)選的從而保護(hù)暴露的部分129和179，并用來實(shí)現(xiàn)暴露部分129和179與外部器件的附著性。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，像素電極190由透明導(dǎo)電聚合物構(gòu)成。對于反射型LCD，像素電極190由不透明的反射金屬構(gòu)成。在這些情況下，接觸輔助體81和82可以由與像素電極190不同的材料例如IZO或ITO構(gòu)成。
現(xiàn)在將參考圖4至11B以及圖1至3，詳細(xì)說明制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1至3中所示的TFT陣列面板的方法。
圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1-3所示的TFT陣列面板在其制造方法的第一步驟中的布置圖；圖5A和5B是圖4中所示的TFT陣列面板的分別沿線Va-Va′和Vb-Vb′截取的截面圖；圖6A和6B是圖4中所示的TFT陣列面板的分別沿線Va-Va′和Vb-Vb′截取的截面圖，并且示出了圖5A和5B中所示步驟之后的步驟；圖7A和7B是圖4中所示的TFT陣列面板的分別沿線Va-Va′和Vb-Vb′截取的截面圖，并且示例了圖6A和6B中所示步驟之后的步驟；圖8是TFT陣列面板在圖7A和7B中所示步驟之后的步驟中的截面圖；圖9A和9B是圖8中所示的TFT陣列面板的分別沿線IXa-IXa′和IXb-IXb′截取的截面圖；圖10是TFT陣列面板在圖9A和9B中所示步驟之后的步驟中的截面圖；圖11A和11B是圖10中所示的TFT陣列面板的分別沿線XIa-XIa′和XIb-XIb′截取的截面圖。
依序在絕緣基板110例如透明玻璃上濺射兩層導(dǎo)電膜即下層導(dǎo)電膜和上層導(dǎo)電膜。下層導(dǎo)電膜優(yōu)選由例如Al和Al合金的材料構(gòu)成并且優(yōu)選具有大約1000-3000范圍內(nèi)的厚度。上層導(dǎo)電膜優(yōu)選由Mo或Mo合金構(gòu)成并且優(yōu)選具有500-1000范圍內(nèi)的厚度。
參考圖4、5A和5B，在上層導(dǎo)電膜上形成光致抗蝕劑之后，利用光致抗蝕劑作為蝕刻掩模依序構(gòu)圖上層導(dǎo)電膜和下層導(dǎo)電膜，以形成包括多個(gè)柵電極124的多條柵極線121和多條存儲電極線131，然后除去光致抗蝕劑。
通過濕法蝕刻進(jìn)行上層膜121q和131q以及下層膜121p和131p的構(gòu)圖，優(yōu)選利用含有CH3COOH、HNO3、H3PO3和其余的H2O的Al蝕刻劑，該Al蝕刻劑能具有傾斜蝕刻輪廓地蝕刻Al和Mo。
參考圖6A和6B，通過CVD依序沉積柵極絕緣層140、本征a-Si層150和非本征a-Si層160，使得層140、150和160分別具有大約1500-5000、大約500-2000和大約300-600的厚度。通過濺射沉積導(dǎo)電層170，并且在導(dǎo)電層170上涂覆大約1-2微米厚度的光致抗蝕劑。通過曝光掩模(未示出)使光致抗蝕劑曝光并顯影從而形成光致抗蝕劑膜52、54。
顯影的光致抗蝕劑膜52、54具有由位置所決定的厚度。圖6A和6B中所示的光致抗蝕劑包括具有減小厚度的多個(gè)第一至第三部分。通過附圖標(biāo)記52和54分別指示位于區(qū)域A上的第一部分和位于區(qū)域C上的第二部分，沒有附圖標(biāo)記指示位于區(qū)域B上的第三部分，這是由于它們基本上具有零厚度從而暴露下面的導(dǎo)電層170的部分。根據(jù)后續(xù)工藝步驟中的工藝條件來調(diào)整第二部分54對第一部分52的厚度比率。優(yōu)選第二部分54的厚度等于或小于第一部分52的厚度的一半，特別地，等于或小于4000。這時(shí)，區(qū)域A對應(yīng)于數(shù)據(jù)線171和漏電極175，區(qū)域C對應(yīng)于源電極173和漏電極175之間的部分以及對應(yīng)于存儲電極線131，區(qū)域B是除區(qū)域A和C以外的其余區(qū)域。
通過幾種技術(shù)得到光致抗蝕劑的由位置所決定的厚度。例如，其可以通過提供曝光掩模上的半透明區(qū)域以及透明區(qū)域和光阻擋不透明區(qū)域來獲得。半透明區(qū)域可以具有縫隙(slit)圖案、網(wǎng)格(lattice)圖案或中等透射率或中等厚度的薄膜。當(dāng)利用縫隙圖案時(shí)，優(yōu)選使縫隙的寬度或縫隙之間的距離小于用于光刻技術(shù)的曝光器的分辨率。
當(dāng)利用適當(dāng)?shù)墓に嚄l件時(shí)，光致抗蝕劑52、54的不同厚度允許下面的層的選擇性蝕刻。因此，如圖8、9A和9B中所示，通過一系列蝕刻步驟，得到了包括多個(gè)源電極173的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏電極175、以及包括多個(gè)突出部分163的多個(gè)歐姆接觸帶狀體161、多個(gè)歐姆接觸島狀體165、以及包括多個(gè)突出部分154的多個(gè)半導(dǎo)體帶狀體151和半導(dǎo)體島狀體157。
為便于說明，區(qū)域A上的導(dǎo)電層170、非本征a-Si層160和本征a-Si層150的部分被稱為第一部分，區(qū)域C上的導(dǎo)電層170、非本征a-Si層160和本征a-Si層150的部分被稱為第二部分，區(qū)域B上的導(dǎo)電層170、非本征a-Si層160和本征a-Si層150的部分被稱為第三部分。
形成這種結(jié)構(gòu)的示范性順序如下(1)除去在區(qū)域B上的導(dǎo)電層170、非本征a-Si層160和本征a-Si層150的第三部分；(2)除去光致抗蝕劑的第二部分54；(3)除去溝道區(qū)域C上的導(dǎo)電層170、非本征a-Si層160的第二部分；以及(4)除去光致抗蝕劑的第一部分52。
另一示范性順序如下(1)除去導(dǎo)電層170的第三部分；(2)除去光致抗蝕劑的第二部分54；(3)除去在非本征a-Si層160和本征a-Si層150的第三部分；(4)除去導(dǎo)電層170的第二部分；(5)除去光致抗蝕劑的第一部分52；以及(6)除去非本征a-Si層160的第二部分。
現(xiàn)在詳細(xì)說明第二例子。
參考圖7A和7B，通過濕法蝕刻或干法蝕刻除去在其余區(qū)域B上的導(dǎo)電層170的暴露的第三部分，以暴露下面的非本征a-Si層160的第三部分。優(yōu)選濕法蝕刻含Al金屬膜，而含Mo金屬膜通過干法蝕刻和濕法蝕刻都可以蝕刻。在相同蝕刻條件下，可以同時(shí)地蝕刻包含Al和Mo的雙層結(jié)構(gòu)。
附圖標(biāo)記174指示包括彼此連接的漏電極175和數(shù)據(jù)線171的導(dǎo)電層170的導(dǎo)體，附圖標(biāo)記177指示留在存儲電極線131上的導(dǎo)體。在光致抗蝕劑膜52、54下過蝕刻導(dǎo)體174和177，由此制作底切(under-cut)結(jié)構(gòu)。
接著，優(yōu)選通過干法蝕刻除去在區(qū)域B上的非本征a-Si層160和本征a-Si層150的第三部分，并除去光致抗蝕劑的第二部分54以暴露導(dǎo)體170的第二部分。與除去非本征a-Si層160和本征a-Si層150的第三部分同時(shí)地或獨(dú)立地進(jìn)行除去光致抗蝕劑的第二部分54。通過灰化(ashing)除去殘留在區(qū)域C上的光致抗蝕劑第二部分54的殘余。
在該步驟中完成半導(dǎo)體帶狀體151，附圖標(biāo)記164和167指示包括彼此連接的歐姆接觸帶狀體和島狀體161和165及設(shè)置在存儲電極線131上的非本征a-Si層160的部分，其稱為“非本征半導(dǎo)體帶狀體”。
參考圖8、9A和9B，除去在區(qū)域C上的導(dǎo)體170及非本征a-Si條狀體160的第二部分、以及光致抗蝕劑的第一部分52。
如圖9B中所示，可以除去在區(qū)域C上的本征半導(dǎo)體帶狀體151的突出部分154和島狀體157的頂部部分以減少厚度，并蝕刻光致抗蝕劑的第一部分52到預(yù)定厚度。
這樣，每個(gè)導(dǎo)體174分成將被完成的數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175，而每個(gè)非本征半導(dǎo)體帶狀體164分成將被完成的歐姆接觸帶狀體161和多個(gè)歐姆接觸島狀體165。
參考圖10、11A和11B，通過氮化硅的CVD、通過丙烯酸有機(jī)絕緣膜的涂覆、或通過低介電絕緣材料例如具有低介電常數(shù)的Si:C:O和Si:O:F的PECVD，來形成鈍化層180。此后，光蝕刻鈍化層180和柵極絕緣層140以形成多個(gè)接觸孔181、182和185以及開口187。此時(shí)，鈍化層180和柵極絕緣層140的蝕刻條件相對于半導(dǎo)體部分具有高蝕刻選擇性。因此，通過開口187暴露的半導(dǎo)體島狀體157防止半導(dǎo)體島狀體157下面的柵極絕緣層受到蝕刻。優(yōu)選地開口187的邊界設(shè)置在半導(dǎo)體島狀體157的邊界內(nèi)以防止暴露存儲電極線131。
最后，如圖1-3中所示，蝕刻通過開口187暴露的半導(dǎo)體島狀體157以暴露存儲電極線131上的柵極絕緣層140。然后，通過濺射和光蝕刻ITO或IZO層，在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極190和多個(gè)接觸輔助體81和82。IZO膜的蝕刻可以包括利用例如HNO3/(NH4)2Ce(NO3)6/H2O的Cr蝕刻劑的濕法蝕刻，Cr蝕刻劑不會(huì)侵蝕通過接觸孔182、181和185暴露的柵極線121、數(shù)據(jù)線171和漏電極175的Al部分。
由于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板的制造方法僅僅利用一個(gè)光刻工藝，就同時(shí)地形成數(shù)據(jù)線171、漏電極175、半導(dǎo)體151和154以及歐姆接觸161和165，所以簡化了制造工藝。更具體地，相對于現(xiàn)有工藝省略光刻步驟。
在根據(jù)本發(fā)明的制造方法中，因?yàn)槌チ讼袼仉姌O190和存儲電極線131之間的半導(dǎo)體島狀體157，僅柵極絕緣層140用做存儲電容器的電介質(zhì)，所以能提供均勻的存儲電容。
另一方面，通過場產(chǎn)生電極中的切口(cutout)和場產(chǎn)生電極中的突出部分能實(shí)現(xiàn)LCD的寬視角。由于切口和突出部分能決定LC分子的傾斜方向，通過利用切口和突出部分可以沿幾個(gè)方向分布傾斜方向，使得視角加寬。
將參考圖12-15說明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD。
圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的TFT陣列面板的布置圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的LCD的共用電極面板的布置圖；圖14是含有圖12中所示的TFT陣列面板和圖13中所示的共用電極面板的LCD的布置圖；以及圖15是沿線XV-XV′截取的圖14中所示的LCD的截面圖。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD包括TFT陣列面板100、共用電極面板200和插入在面板100和200之間并包含大量LC分子310的LC層3，LC分子310基本上垂直于面板100和200的表面排列。
如圖12-15中所示，根據(jù)本實(shí)施例的LCD的TFT陣列面板的分層結(jié)構(gòu)與圖1-3中所示的基本相同。
也就是說，包括多個(gè)柵電極124的多條柵極線121和多條存儲電極線131形成在基板110上，依序在其上形成柵極絕緣層140、包括多個(gè)突出部分154的多個(gè)半導(dǎo)體帶狀體151、以及包括多個(gè)突出部分163的多個(gè)歐姆接觸帶狀體161和多個(gè)歐姆接觸島狀體165。包括多個(gè)源電極173的多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175形成在歐姆接觸161和165上，并且其上形成鈍化層180。鈍化層180和/或柵極絕緣層140處設(shè)置多個(gè)接觸孔182、185和181，多個(gè)像素電極190與多個(gè)接觸輔助體81和82形成在鈍化層180上。
與圖1至3中所示的TFT陣列面板不同，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列面板提供了包括形成多個(gè)柵電極124的多個(gè)突出部分的多條柵極線121、以及具有形成多個(gè)存儲電極135的多個(gè)突出部分的多條存儲電極線131。
每個(gè)漏電極175從末端部分向上/向下延伸并包括具有用于接觸其它層的大面積的擴(kuò)展部分，每個(gè)源電極173成曲形以部分包圍漏電極175的末端部分。漏電極175的擴(kuò)展部分交迭存儲電極135，并具有暴露存儲電極135上的柵極絕緣層140的開口75。漏電極175的與柵極線121平行的邊界平行于存儲電極135的邊界。
鈍化層180具有多個(gè)接觸孔185，使漏電極175的開口75和部分漏電極175暴露。像素電極190通過接觸孔185連接到漏電極175，并通過開口75經(jīng)柵極絕緣層140交迭存儲電極135。
在本實(shí)施例中，接觸孔185設(shè)置在存儲電極135上以使像素電極190連接到漏電極175，但可以擴(kuò)展漏電極175和開口75比存儲電極135大，如圖1的開口187。
每個(gè)像素電極190在其左側(cè)角處斜切，并且像素電極190的斜切邊緣與柵極線121成大約45度角。
每個(gè)像素電極190具有下部切口(lower cutout)92a、中部切口91和上部切口92b，它們把像素電極190分成多個(gè)分區(qū)(partition)。切口91、92a和92b相對于等分像素電極190的假想橫斷線基本上具有反對稱性。
下部和上部切口92a和92b分別靠近右上角和右下角從像素電極190的右側(cè)邊緣傾斜延伸，到大約像素電極190的左側(cè)邊緣的中部。下部和上部切口92a和92b分別設(shè)置在像素電極190的下和上半部分處，其可以由假想橫斷線分開。下部和上部切口92a和92b與柵極線121成大約45度角，并且它們基本上相互垂直延伸。
中部切口91沿假想橫斷線延伸并具有自像素電極190右側(cè)邊緣的入口，其具有基本上分別平行于下部切口92a和上部切口92b的一對傾斜邊緣。
因此，像素電極190的下半部分被下部切口92a分成兩個(gè)下部分區(qū)，像素電極190的上半部分同樣被上部切口92b分成兩個(gè)上部分區(qū)。分區(qū)的數(shù)量或切口的數(shù)量根據(jù)設(shè)計(jì)因素而變，例如像素大小、像素電極的橫向邊緣和縱向邊緣的比率、液晶層3的類型和特性等。
下面參考圖13-15說明共用電極面板200。
用于防止光泄漏的被稱為黑矩陣的擋光部件220形成在絕緣基板210例如透明玻璃上。
擋光部件220可以包括面向像素電極190的多個(gè)開口，并可以與像素電極190具有基本上相同的平面形狀。否則，擋光部件220可以包括對應(yīng)于數(shù)據(jù)線171的線性部分(linear portion)和對應(yīng)于TFT的其它部分。
多個(gè)濾色器230形成在基板210上并且它們基本上設(shè)置在由擋光部件220包圍的區(qū)域中。濾色器230可以基本上按沿像素電極190的縱向方向延伸。濾色器230可以表現(xiàn)基色即紅色、綠色和藍(lán)色中的一種。
用于防止濾色器暴露并用于提供平坦表面的涂層250形成在濾色器230和擋光部件220上。
優(yōu)選由透明導(dǎo)電材料例如ITO和IZO構(gòu)成的共用電極270形成在涂層250上。
共用電極270具有多組切口71、72a、72b。
一組切口71-72b面向像素電極190并包括下部切口72a、中部切口71和上部切口72b。切口71-72b的每個(gè)設(shè)置在像素電極190的相鄰切口91-92b之間或在下部或上部切口92a或92b與像素電極190的斜切邊緣之間。此外，切口71-72b的每個(gè)具有平行于像素電極190的下部切口92a或上部切口92b延伸的至少一個(gè)傾斜部分，并且兩個(gè)相鄰切口71-72b和91-92b之間的距離、相互平行的其傾斜部分、其傾斜邊緣和像素電極190的斜切邊緣基本上相同。切口71-72b相對于等分像素電極190的上述橫斷線基本上具有反對稱性。
下部和上部切口72a和72b的每個(gè)包括基本從像素電極190左側(cè)邊緣延伸到像素電極190的基本下部或上部邊緣的傾斜部分，橫向和縱向部分沿像素電極190的邊緣從傾斜部分的各自末端延伸，交迭像素電極190邊緣的并與傾斜部分成鈍角。
中部切口71包括近似從像素電極190左側(cè)邊緣的中部延伸的中部橫向部分、從中部橫向部分的一末端近似延伸到像素電極的右側(cè)邊緣并與中部橫向部分成鈍角的一對傾斜部分、以及交迭像素電極190右側(cè)邊緣的從各傾斜部分的末端沿像素電極190右側(cè)邊緣延伸并與各傾斜部分成鈍角的一對末端縱向部分。
切口71-72b的數(shù)量可根據(jù)設(shè)計(jì)因素而改變，擋光部件220還可以交迭切口71-72b從而阻擋通過切口71-72b的光泄漏。
可以為垂直性(homeotropic)的取向?qū)?1和21涂覆在面板100和200的內(nèi)表面上，偏振器12和22設(shè)置在面板100和200的外部表面上，使得它們的偏振軸可為交叉并且透射軸(transmissive axes)中的一個(gè)可平行于柵極線121。當(dāng)LCD為反射LCD時(shí)，可以省略偏振器中的一個(gè)。
LCD可以進(jìn)一步包括用于補(bǔ)償LC層3的延遲的至少一層延遲膜(retardation film)(未示出)。延遲膜具有雙折射并給出與LC層3所給出的延遲相反的延遲。延遲膜可以包括單軸或雙軸光補(bǔ)償膜，特別地為負(fù)單軸補(bǔ)償膜。
LCD可以進(jìn)一步包括通過偏振器12和22、延遲膜和面板100與200提供光給LC層3的背光單元(未示出)。
優(yōu)選LC層3具有負(fù)介電各向異性并且服從垂直排列，其中LC層3中的LC分子310排列為使得不存在電場時(shí)它們的長軸基本上垂直于面板100和200的表面。
如圖14中所示，一組切口91-92b和71-72b把像素電極190分成多個(gè)子區(qū)域，并且每個(gè)子區(qū)域具有兩個(gè)主邊緣。
在對共用電極270施加共用電壓和對像素電極190施加數(shù)據(jù)電壓時(shí)，產(chǎn)生基本上垂直于面板100和200表面的電場。LC分子310響應(yīng)該電場趨向改變它們的方向，使得它們的長軸垂直于場方向。
電極190和270的切口91-92b和71-72b及像素電極190的邊緣使電場扭曲從而具有基本上垂直于切口91-92b和71-72b的邊緣以及像素電極190的邊緣的水平分量。因此，在每個(gè)子區(qū)域上的LC分子通過水平分量沿一方向傾斜，并且傾斜方向的方位角分布定位于四個(gè)方向，由此增加了LCD的視角。
優(yōu)選切口91-92b和71-72b的寬度在9-12μm的范圍內(nèi)。
切口91-92b和71-72b中的至少一個(gè)可以用突出部分(未示出)或凹陷部分(未示出)取代。突出部分優(yōu)選由有機(jī)或無機(jī)材料構(gòu)成并設(shè)置在場產(chǎn)生電極190或270上或其下面，突出部分的寬度優(yōu)選在5-10μm的范圍內(nèi)。
切口91-92b和71-72b的形狀和排列可以改變。
由于全部域的傾斜方向與柵極線121成約45度角，柵極線平行于或垂直于面板100和200的邊緣，傾斜方向與偏振器12和22的透射軸的45度交叉給出最大透射率，偏振器12和22可以附加為使得偏振器12和22的透射軸平行于或垂直于面板100和200的邊緣，這樣減少了制造成本。
根據(jù)前述實(shí)施例的LCD的許多上述特征可以適合于圖12-15中所示的TFT陣列面板。
將參考圖16-19詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD。
圖16是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的TFT陣列面板的布置圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的共用電極面板的布置圖；圖18是含有圖16中所示的TFT陣列面板和圖17中所示的共用電極面板的LCD的布置圖；以及圖19是圖18中所示的LCD沿線XIX-XIX′截取的截面圖。
參考圖16-19，根據(jù)該實(shí)施例的LCD也包括TFT陣列面板100、共用電極面板200、插入在面板100和200之間的LC層3和附著在面板100和200的外部表面上的一對偏振器12和22。
根據(jù)該實(shí)施例的面板100和200的層結(jié)構(gòu)與圖1-4中所示的那些幾乎相同。
關(guān)于TFT陣列面板100，包括柵電極124和末端部分129的多條柵極線121與包括存儲電極135的多條存儲電極線131形成在基板110上，其上依序形成柵極絕緣層140、包括突出部分154的多個(gè)半導(dǎo)體帶狀體151、以及包括突出部分163的多個(gè)歐姆接觸帶狀體161和多個(gè)歐姆接觸島狀體165。包括源電極173和末端部分179的多條數(shù)據(jù)線171與在存儲電極135上具有開75的多個(gè)漏電極175形成在歐姆接觸161和165上，并且鈍化層180形成在其上。多個(gè)接觸孔181、182和185設(shè)置在鈍化層180和柵極絕緣層140處。多個(gè)像素電極190與多個(gè)接觸輔助體81和82形成在鈍化層180上，并且取向?qū)?alignment layer)11涂覆在其上。
關(guān)于共用電極面板200，具有多個(gè)開口的擋光部件220、多個(gè)濾色器230、涂層250、共用電極270和取向?qū)?1形成在絕緣基板210上。
每個(gè)像素電極190具有形成傾斜邊緣的四個(gè)斜切角A，多個(gè)屏蔽電極88形成在與像素電極190相同的層。
優(yōu)選傾斜邊緣的長度等于大約四至十微米，特別地，優(yōu)選大于在用于形成像素電極190和屏蔽電極88的光刻步驟中所使用的曝光器的分辨率。因此，顯著地減少了導(dǎo)電殘余物殘留在像素電極190的角A附近的概率，從而當(dāng)允許像素電極190和屏蔽電極88相互靠近時(shí)防止像素電極190和屏蔽電極88之間的短路。
此外，當(dāng)像素電極190和屏蔽電極88在像素電極190的角A附近短路時(shí)，由于屏蔽電極88和像素電極190之間的距離在角A處大，所以利用低放大倍率光學(xué)器件能很容易地檢測出短路的位置，并利用激光束能很容易地修復(fù)短路。
屏蔽電極88具有沿柵極線121延伸的多個(gè)水平部分和沿?cái)?shù)據(jù)線171延伸的多個(gè)縱向部分。優(yōu)選水平部分比柵極線121窄而縱向部分比數(shù)據(jù)線171寬。
屏蔽電極88施加有共用電壓，并且它們可通過穿透柵極絕緣層140和鈍化層180的接觸孔(未示出)連接到存儲電極線131或連接到共用電壓從TFT陣列面板100傳送到共用電極面板200的短路點(diǎn)(short points)(未示出)。屏蔽電極88和像素電極190之間的距離優(yōu)選地最小化以改善開口率。
施加有共用電壓的屏蔽電極88可以屏蔽像素電極190和數(shù)據(jù)線171之間以及共用電極270和數(shù)據(jù)線171之間所產(chǎn)生的電場，以便減少像素電極190的電壓的失真和由數(shù)據(jù)線171傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓的信號延遲。
此外，由于要求像素電極190與屏蔽電極88間隔開以防止其間的短路，所以像素電極190離數(shù)據(jù)線171更遠(yuǎn)，從而其間的寄生電容降低。而且，由于LC層3的介電常數(shù)比鈍化層180的介電常數(shù)大，所以與數(shù)據(jù)線171和共用電極270之間沒有屏蔽電極88的情況相比，數(shù)據(jù)線171和屏蔽電極88之間的寄生電容減小。
另外，由于像素電極190和屏蔽電極88由相同層構(gòu)成，所以能均勻地保持它們之間的距離，這樣也能使其間的寄生電容均勻。盡管像素電極190和數(shù)據(jù)線171之間的寄生電容在分區(qū)域曝光(divisional exposure)工藝中所分開的曝光區(qū)域之間仍會(huì)變化，但由于相對減少了像素電極190和數(shù)據(jù)線171之間的寄生電容，總寄生電容可以幾乎均勻。
此外，像素電極190的切口91、92、93a、93b、94a、94b、95a和95b與共用電極270的切口71、72、73a、73b、74a、74b、75a和75b的排列和形狀稍微不同。特別地，共用電極270的切口71、72、73a、73b、74a、74b、75a和75b具有用于控制切口71、72、73a、73b、74a、74b、75a和75b中LC分子310的排列的凹口(notch)。
擋光部件220包括對應(yīng)于數(shù)據(jù)線171的線性部分和對應(yīng)于TFT的其它部分。
同時(shí)，由于共用電極270和屏蔽電極88施加有相同的電壓即共用電壓，所以共用電極270和屏蔽電極88之間的電場的大小幾乎為零。因此，放置在共用電極270和屏蔽電極88之間的LC分子310保持它們最初的垂直排列，使得在那些區(qū)域上入射的光可被阻擋而不是透射。
如上所述，本發(fā)明通過利用含有中等厚度的光致抗蝕劑的單個(gè)光刻工藝來構(gòu)圖層而簡化了制造工藝。
并且，因?yàn)橥ㄟ^除去像素電極和存儲電極線之間的半導(dǎo)體而僅僅設(shè)置了柵極絕緣層作為存儲電容器的電介質(zhì)，所以能提供均勻的存儲電容，并且存儲電容在優(yōu)化的區(qū)域中可最大化。因此，可以增強(qiáng)LCD的特性和增加像素的開口率。
盡管參考優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)介紹了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)明白，在不脫離權(quán)利要求中所闡明的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，對其可以作出各種修改和替換。
本專利申請要求于2004年12月20日申請的韓國專利申請No.10-2004-0109056的優(yōu)先權(quán)，這里引入其全部內(nèi)容供參考。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括柵極線，其形成在絕緣基板上并具有柵電極；存儲電極線，其在所述絕緣基板上；柵極絕緣層，其在所述柵極線和所述存儲電極線上；第一半導(dǎo)體，其在所述柵極絕緣層上；數(shù)據(jù)線和漏電極，其形成在所述第一半導(dǎo)體上、相互間隔開、及位于所述柵電極之上；鈍化層，其形成在所述第一半導(dǎo)體層上并具有暴露所述漏電極的接觸孔和暴露所述存儲電極上的所述柵極絕緣層的開口；以及像素電極，其通過所述接觸孔連接到所述漏電極并通過所述開口交迭所述存儲電極。
2.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管陣列面板，其中除了所述柵電極上的部分以外的所述第一半導(dǎo)體與所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極具有相同的形狀。
3.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管陣列面板，進(jìn)一步包括與所述第一半導(dǎo)體在相同層的第二半導(dǎo)體，其中所述開口延伸到所述第二半導(dǎo)體。
4.如權(quán)利要求3的薄膜晶體管陣列面板，其中所述開口是通過所述第二半導(dǎo)體延伸的孔。
5.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管陣列面板，其中所述接觸孔與所述開口交迭。
6.如權(quán)利要求5中的薄膜晶體管陣列面板，其中所述開口位于所述接觸孔內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6的薄膜晶體管陣列面板，其中所述開口延伸進(jìn)所述漏電極。
8.如權(quán)利要求7的薄膜晶體管陣列面板，其中所述存儲電極線與所述柵極線間隔開。
9.一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，該方法包括形成柵極線和存儲電極線；形成覆蓋所述柵極線和所述存儲電極線的柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成第一半導(dǎo)體和交迭所述存儲電極線的第二半導(dǎo)體；在所述第一半導(dǎo)體上形成具有源電極的數(shù)據(jù)線和漏電極；形成具有暴露所述漏電極的接觸孔和暴露所述第二半導(dǎo)體的開口的鈍化層；除去通過所述開口暴露的所述第二半導(dǎo)體；以及形成通過所述接觸孔連接到所述漏電極的像素電極，其中通過利用單個(gè)光致抗蝕劑膜作為蝕刻掩模的光刻形成所述第一和第二半導(dǎo)體、及所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極。
10.如權(quán)利要求9的方法，其中所述光致抗蝕劑膜包括與在所述源電極和所述漏電極之間的部分上的溝道區(qū)域和對應(yīng)所述存儲電極線的部分的存儲區(qū)域?qū)?yīng)的第一部分、及與所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極上的布線區(qū)域?qū)?yīng)的第二部分。
11.如權(quán)利要求10的方法，其中通過利用單個(gè)掩模的光刻形成所述光致抗蝕劑膜。
12.如權(quán)利要求9的方法，進(jìn)一步包括在所述第一和第二半導(dǎo)體與所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極之間形成歐姆接觸層。
13.如權(quán)利要求12的方法，其中所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極、所述歐姆接觸層、以及所述第一和第二半導(dǎo)體的形成包括沉積硅層、摻雜的硅層和導(dǎo)體層；形成光致抗蝕劑膜，其包括與在所述源電極和所述漏電極之間的部分上的溝道區(qū)域和對應(yīng)所述存儲電極線的部分的存儲區(qū)域?qū)?yīng)的第一部分、及與所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極上的布線區(qū)域?qū)?yīng)的第二部分；蝕刻與所述存儲、布線和溝道區(qū)域以外的其余區(qū)域?qū)?yīng)的所述導(dǎo)體層；蝕刻所述其余區(qū)域上的所述硅層和所述摻雜的硅層；除去所述第一部分從而暴露所述存儲和所述溝道區(qū)域上的所述導(dǎo)體層；蝕刻所述存儲和所述溝道區(qū)域上的所述導(dǎo)體層和所述摻雜的硅層；及除去所述第二部分。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管(TFT)陣列面板。該TFT陣列面板包括在絕緣基板上形成的柵極線和柵電極；在絕緣基板上的存儲電極線；在柵極線和存儲電極線上的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上的第一半導(dǎo)體；在第一半導(dǎo)體上所形成、位于柵電極上方且相互間隔開的數(shù)據(jù)線和漏電極；在第一半導(dǎo)體上所形成并具有暴露漏電極的接觸孔和暴露存儲電極上的柵極絕緣層的開口的鈍化層；以及通過接觸孔連接到漏電極并通過開口交迭存儲電極的像素電極。
文檔編號H01L29/786GK1794066SQ20051002294
公開日2006年6月28日 申請日期2005年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月20日
發(fā)明者全宰弘, 金彰洙 申請人:三星電子株式會(huì)社