專利名稱：粘接帶剝離裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及從板狀構(gòu)件上剝離表面保護帶等粘接帶的裝置，這種粘接帶按照芯片尺寸形成單片化而貼于半導體晶片等板狀構(gòu)件的表面。
背景技術(shù)：
舉例來說，在電子產(chǎn)業(yè)或光學產(chǎn)業(yè)的半導體芯片制造過程中，當于半導體晶片(以下簡稱為晶片)表面形成預定的電路圖形后，為了使晶片的厚薄均勻、或為了去除電路形成時所產(chǎn)生的氧化膜，要對晶片的背面進行研磨，之后，通過針對每個電路切割晶片(單片化)的方式來制造半導體。
但在研磨晶片時會產(chǎn)生研磨屑，一旦該研磨屑接觸電路圖形，有可能破壞電路圖形。
為此，曾提出一種剝離裝置，該裝置采用在晶片的表面貼附表面保護帶以保護晶片表面，并在此狀態(tài)下執(zhí)行晶片的研磨，研磨之后再從晶片表面剝離表面保護帶的方法(請參考專利文獻1)。
此外，由于按每個電路切割晶片(單片化)會產(chǎn)生切削屑，該切削屑接觸電路圖形可能破壞該電路圖形，因此提出一種將表面保護帶從晶片表面剝離的方法，該方法是在表面保護帶貼附于晶片表面的狀態(tài)下進行切割，并在切割后從晶片表面剝離單片化的表面保護帶(請參考專利文獻2)。
專利文獻1日本特開平11-16862號公報專利文獻2日本特開平8-230093號公報然而專利文獻1所記載的剝離裝置是從切割前的晶片剝離表面保護帶的剝離裝置，因此是對表面保護帶已剝離的晶片進行切割，切割所產(chǎn)生的切削屑會附著于電路圖形上而導致上述的問題發(fā)生。
專利文獻2所記載的剝離方法是將在熱收縮性基材上設置粘接劑層而構(gòu)成的表面保護帶貼附于板狀構(gòu)件后，在剝離該表面保護帶時僅對熱收縮性基材進行實質(zhì)上的加熱，使單片化的表面保護帶產(chǎn)生收縮、彎曲而減少表面保護帶與板狀構(gòu)件的接觸面積，由此可容易地從板狀構(gòu)件剝離表面保護帶。
然而，在上述的剝離方法中，必須利用送風、吸引、粘接帶等剝離機構(gòu)從板狀構(gòu)件表面去除每個被收縮、彎曲的表面保護帶，由于該作業(yè)必須用專門的人工操作方式進行，因此有效不高的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題，目的在于提供一種可容易有效地從板狀構(gòu)件剝離單片化后的粘接帶的粘接帶剝離裝置。
為達成上述目的，技術(shù)方案1的發(fā)明是將貼附于板狀構(gòu)件的表面的粘接帶從前述板狀構(gòu)件剝離的剝離裝置，前述粘接帶已按芯片尺寸形成單片化，其特征為，前述剝離裝置包含對安置于吸附臺上的前述板狀構(gòu)件放出剝離帶的剝離帶供給機構(gòu)；將由前述剝離帶供給機構(gòu)放出的剝離帶貼附在已貼附于板狀構(gòu)件表面的前述粘接帶表面整體的剝離帶貼附機構(gòu)；對用上述剝離帶貼附機構(gòu)貼附于粘接帶表面整體的剝離帶連同粘接帶一起進行加熱的加熱機構(gòu)；將由于該加熱機構(gòu)的加熱而附著于剝離帶上的粘接帶與剝離帶一起從板狀構(gòu)件剝離的帶剝離機構(gòu)；將用該帶剝離機構(gòu)從板狀構(gòu)件剝離的粘接帶與剝離帶進行回收的回收機構(gòu)。
技術(shù)方案2的發(fā)明是在技術(shù)方案1的發(fā)明中，前述剝離帶采用連續(xù)的薄片帶，且前述剝離帶貼附機構(gòu)與前述帶剝離機構(gòu)是由共用的滾輪單元所構(gòu)成。
技術(shù)方案3的發(fā)明是在技術(shù)方案1的發(fā)明中，前述剝離帶采用根據(jù)前述板狀構(gòu)件的表面形狀而預先裁剪的帶，并利用剝離頭抓住粘接于該剝離帶的端部的第2粘接帶并拉緊，以將前述粘接帶與剝離帶一起從板狀構(gòu)件剝離。
技術(shù)方案4的發(fā)明是在技術(shù)方案1的發(fā)明中，前述粘接帶通過在熱收縮性基材上設置粘接劑層而構(gòu)成。
技術(shù)方案5的發(fā)明是在技術(shù)方案4的發(fā)明中，前述粘接帶上的粘接劑由紫外線硬化型粘接劑構(gòu)成，并設有對該粘接帶照射紫外線的紫外線照射機構(gòu)。
技術(shù)方案6的發(fā)明是在技術(shù)方案1的發(fā)明中，設有可對被前述加熱機構(gòu)加熱的剝離帶與粘接帶進行冷卻的冷卻機構(gòu)。
發(fā)明效果采用技術(shù)方案1的發(fā)明，一旦對貼附于粘接帶整個表面的剝離帶連同粘接帶一起進行加熱，由于單片化的粘接帶附著于剝離帶，因此通過將該粘接帶與剝離帶一起從板狀構(gòu)件剝離、并將剝離后的粘接帶與剝離帶回收，即可容易地使形成單片化的粘接帶從板狀構(gòu)件剝離，通過采用含有剝離帶供給機構(gòu)、剝離帶貼附機構(gòu)、加熱機構(gòu)、帶剝離機構(gòu)及回收機構(gòu)所構(gòu)成的剝離裝置來執(zhí)行上述的連續(xù)步驟，能有效地執(zhí)行粘接帶的剝離作業(yè)。
采用技術(shù)方案2的發(fā)明，由于剝離帶是采用連續(xù)的薄片帶，因此能使單片化的粘接帶連續(xù)地貼附于連續(xù)薄片帶上而有效地從板狀構(gòu)件剝離并加以回收。此外，通過以共用的滾輪單元構(gòu)成剝離帶貼附機構(gòu)與帶剝離機構(gòu)，可使剝離裝置的結(jié)構(gòu)簡化并降低成本。
采用技術(shù)方案3的發(fā)明，由于剝離帶采用根據(jù)板狀構(gòu)件的表面形狀預先裁切的帶，并利用剝離頭抓住粘貼于該剝離帶端部的粘接帶并拉緊，因此能容易且有效地使前述粘接帶與剝離帶一起從板狀構(gòu)件剝離。
采用技術(shù)方案4的發(fā)明，粘接帶是在熱收縮性基材上設置粘接層后形成，且該粘接帶一旦被加熱，熱收縮性基材即收縮，單片化的各粘接帶即產(chǎn)生彎曲而減少與板狀構(gòu)件的接觸面積，因此各粘接帶可容易地從板狀構(gòu)件剝離，該粘接帶可容易地附著于剝離帶而從板狀構(gòu)件剝離，并與剝離帶一起回收。
采用技術(shù)方案5的發(fā)明，當利用紫外線照射機構(gòu)對使用紫外線硬化型粘接劑作為粘接層的粘接帶照射紫外線時，由于該粘接帶的粘接劑硬化而降低了對粘接帶的粘接力，可更容易地使單片化的各粘接帶從板狀構(gòu)件剝離，進而容易地與剝離帶一起從板狀構(gòu)件剝離后回收。
采用技術(shù)方案6的發(fā)明，通過對加熱后的剝離帶與粘接帶進行冷卻，可縮短作業(yè)時間以實現(xiàn)更高的效率。


圖1本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置的側(cè)視圖。
圖2本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置的俯視圖。
圖3本發(fā)明實施形態(tài)1中剝離裝置的吸附臺部分的側(cè)視圖。
圖4本發(fā)明實施形態(tài)1中剝離裝置的吸附臺部分的俯視圖。
圖5表面貼附有表面保護帶的晶片的剖視圖。
圖6表面保護帶的剖視圖。
圖7采用本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置所實施的剝離方法的流程說明圖。
圖8采用本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置所實施的剝離方法的流程說明圖。
圖9采用本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置所實施的剝離方法的流程說明圖。
圖10采用本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置所實施的剝離方法的流程說明圖。
圖11采用本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置所實施的剝離方法的流程說明圖。
圖12采用本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置所實施的剝離方法的流程說明圖。
圖13采用本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置所實施的剝離方法的流程說明圖。
圖14采用本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置所實施的剝離方法的流程說明圖。
圖15在采用本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置所實施的剝離方法中，表面貼附有表面保護帶的晶片的剖視圖。
圖16在采用本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置所實施的剝離方法中，剝離帶貼在加熱后的晶片表面的表面保護帶上的狀態(tài)的剖視圖。
圖17本發(fā)明實施形態(tài)2的剝離裝置的俯視圖。
圖18采用本發(fā)明實施形態(tài)3的剝離裝置所實施的剝離方法的流程說明圖。
圖19采用本發(fā)明實施形態(tài)3的剝離裝置所實施的剝離方法的流程說明圖。
圖20采用本發(fā)明實施形態(tài)3的剝離裝置所實施的剝離方法的流程說明圖。
圖21在采用本發(fā)明實施形態(tài)3的剝離裝置所實施的剝離方法中，加熱后的表面保護帶與剝離帶狀態(tài)的剖視圖。
圖22在采用本發(fā)明實施形態(tài)3的剝離裝置所實施的剝離方法中，從晶片表面剝離表面保護帶與剝離帶狀態(tài)的剖視圖。
符號說明1剝離裝置2表面保護帶(粘接帶)2A熱收縮性基材2B粘接劑層2a單片化表面保護帶(粘接帶)3剝離帶3a.剝離紙10.吸附臺11圓框20剝離帶單元(剝離帶供給機構(gòu))21剝離帶卷筒25剝離紙卷取軸30.貼附/剝離滾輪單元(剝離帶貼附機構(gòu)/帶剝離機構(gòu))31、32滾輪35移動用單軸機械手37.上下移動用汽缸40加熱/冷卻單元(加熱機構(gòu)/冷卻機構(gòu))41加熱器本體44.滑動用汽缸50卷帶單元(回收機構(gòu))55剝離帶卷取軸61剝離帶卷筒62～65.滾輪66卷取軸67粘接帶68剝離頭70.框夾頭單元71框卡匣72.滑軌73平臺74導軌75滑軌76滑塊77框夾頭80UV照射單元(紫外線照射機構(gòu))90搬送單元91吸附臂92.滑軌93滑塊94滑軌95支承臂96滑塊W半導體晶片(板狀構(gòu)件)W1單片化半導體晶片M1～M4馬達具體實施方式
以下，根據(jù)

本發(fā)明的實施形態(tài)。
<實施形態(tài)1>
圖1是本發(fā)明實施形態(tài)1的剝離裝置的側(cè)視圖，圖2是圖1的剝離裝置的俯視圖，圖3是圖1中剝離裝置的吸附臺部分的側(cè)視圖，圖4是該吸附臺部分的俯視圖，圖5是表面貼附有表面保護帶(粘接帶)的晶片的剖視圖，圖6是表面保護帶(粘接帶)的剖視圖。
本實施形態(tài)的剝離裝置1在半導體制造過程中從圖5所示的表面貼附有單片化表面保護帶2a的晶片W表面剝離單片化表面保護帶2a。
在本實施形態(tài)中，當晶片表面形成特定的電路圖形后，如圖5所示，貼附表面保護帶2，并于上述狀態(tài)下對晶片W的背面進行研磨，隨后根據(jù)每個電路將該晶片W連同表面保護帶2一起進行切割(單片化)。在圖5中，2a表示形成單片化的表面保護帶，W1表示形成單片化的晶片。
如圖6所示，表面保護帶2是在由經(jīng)充分延伸加工的聚乙烯所形成的熱收縮性基材2A的表面涂布粘接劑層2B后構(gòu)成，通過將由丙烯酸系粘接劑所形成的粘接劑層2B粘接于晶片W表面，將表面保護帶2貼附于晶片W的表面。
如圖1所示，本實施形態(tài)的剝離裝置1包含1)吸附臺10；2)對安裝于上述吸附臺10上的晶片W放出剝離帶3的剝離帶供給機構(gòu)、即剝離帶單元20；3)由剝離帶貼附機構(gòu)和帶剝離機構(gòu)一體形成的貼附/剝離滾輪單元30，剝離帶貼附機構(gòu)將由前述剝離帶單元20放出的剝離帶3貼附在已貼附于晶片W表面的前述表面保護帶2(2a)的整個表面，帶剝離機構(gòu)將由于后述的加熱/冷卻單元40的加熱而附著于剝離帶3的表面的保護帶2(2a)與剝離帶3一起從晶片W表面剝離；4)由加熱機構(gòu)和冷卻機構(gòu)所一體形成的加熱/冷卻單元40，加熱機構(gòu)對用上述貼附/剝離滾輪單元30貼附于表面保護帶2(2a)的整個面的剝離帶3與表面保護帶2(2a)一起進行加熱，冷卻機構(gòu)對由上述加熱機構(gòu)加熱的剝離帶3與表面保護帶2(2a)一起進行冷卻；5)將由上述貼附/剝離滾輪單元30從晶片W表面剝離的表面保護膜2(2a)與剝離膜3加以回收的回收機構(gòu)、即卷帶單元50。
以下針對吸附臺10、剝離帶單元20、貼附/剝離滾輪單元30、加熱/冷卻單元40及卷帶單元50詳細說明。
1)吸附臺圓柱形的吸附臺10如圖4所示，在貼附著表面保護帶2的面的相反側(cè)，隔著切割帶(dicing tape)4固定于圓框11上，將與表面保護帶2一起形成單片化的晶片W定位配置，同時吸附圓框11與晶片W的底面而形成支承。
如后所述，利用上述的貼附/剝離滾輪單元30將剝離帶3貼附于已貼附在晶片W表面的表面保護帶2的整個表面上，此時，圓框11的高度設定成略低于晶片W的表面，以避免剝離帶3貼到圓框11上。
2)剝離帶單元如圖1所示，在剝離帶單元20上，可自由轉(zhuǎn)動地支承著將剝離帶3卷繞后形成的滾筒狀剝離帶卷筒21，并于該剝離帶卷筒21的軸上固定著滑輪22。在剝離帶卷筒21的附近配置扭力馬達M1，并在固定于該扭力馬達M1的輸出軸端的滑輪23與上述滑輪22之間裝有環(huán)形皮帶24。
在本實施形態(tài)中，剝離帶3采用在聚對苯二甲酸乙二酯的類的耐熱薄膜上設置感熱性粘接劑層而成的感熱性粘接帶，感熱性粘接劑層被剝離紙3a所覆蓋。
此外，在上述扭力馬達M1的下方配置另一個馬達M2，在該馬達M2的輸出軸上連結(jié)固定著用來卷取從前述剝離帶3分離的剝離紙3a的剝離紙卷取軸25。
不僅如此，在剝離帶單元20還設有夾持從上述剝離帶卷筒21放出的剝離帶3、以使剝離紙3a從剝離帶3分離的上下一對滾輪26a、26b；對從剝離帶3分離的剝離紙3a進行引導的引導輪27a～27d。在本實施形態(tài)中，上述引導輪中的一個引導輪27c，構(gòu)成可沿著沿上下方向形成的導槽28上下移動的緩沖滾輪，該緩沖滾輪27c被未圖示的按壓機構(gòu)始終朝下方按壓并將剝離紙3a拉緊，以防止剝離紙3a松弛。
3)貼附/剝離滾輪單元如圖1所示，貼附/剝離滾輪單元30是上下配置2個被支承而可自由轉(zhuǎn)動的滾輪31、32，貼附/剝離滾輪單元30是通過滑車34而可自由移動地支承于一對滑軌33上，該一對滑軌33是平行地設置于裝置本體上。該貼附/剝離滾輪單元30通過與上述滑軌33裝置平行地設置于本體上的移動用單軸機械手35(請參考圖2)而在滑軌33上朝箭頭方向往復移動。
此外，貼附/剝離滾輪單元30如圖2所示，被支承成可沿著配置于上下方向的2根導軸36作上下移動，并可通過設置于導軸36的上下移動用汽缸37而沿著上述的導軸36作上下移動。
在貼附/剝離滾輪單元30的上述滾輪31、32上，卷繞著已將剝離紙3a分離的剝離帶3。
4)加熱/冷卻單元加熱/冷卻單元40如圖1所示，具有作為加熱機構(gòu)的加熱器本體41與圖中未示的冷卻風扇等冷卻機構(gòu)，加熱/冷卻單元40通過滑車43支承在與前述導軌33正交的左右一對滑軌42上，可沿與圖1的紙面正交的方向自由移動。使加熱/冷卻單元40沿著滑軌42往復移動的滑動用汽缸44與上述滑軌42平行設置(請參考圖2)。
此外，在加熱/冷卻單元40中，前述加熱器本體41支承成可沿著多根導軸45上下自由移動，該加熱器本體41可通過上下移動用汽缸46上下移動(請參考圖1)。
5)卷帶單元卷帶單元50如圖1所示，配置于前述剝離帶單元20的上方，且該剝離帶單元50設有由馬達3所驅(qū)動旋轉(zhuǎn)的送料輪51、與送料輪51抵接而從動旋轉(zhuǎn)的壓輪52、配置于壓輪52兩側(cè)的引導輪52、53、及將剝離帶3與附于剝離帶3上的表面保護帶2(2a)一起卷取的剝離帶卷取軸55。在剝離帶卷取軸55的附近配置扭力馬達M4，并于連結(jié)固定在該扭力馬達M4的輸出軸端的滑輪56與連結(jié)固定于前述剝離帶55的滑輪57之間，裝有環(huán)形皮帶58。
經(jīng)由上述貼附/剝離滾輪單元30的滾輪31而送往卷帶單元50的剝離帶3及附著于該剝離帶3上的表面保護帶2(2a)經(jīng)由引導輪53而被送料輪51與壓輪52所夾持，進而經(jīng)由引導輪54抵達剝離帶卷取軸55，并卷繞于該剝離帶卷取軸55上以作回收。
接下來說明具有上述結(jié)構(gòu)的剝離裝置1的作用，并根據(jù)圖7～16說明單片化的表面保護帶2a的剝離方法。其中圖7～14是剝離方法的步驟說明圖，圖15是剝離帶貼在朝晶片表面的表面保護帶上的貼附狀態(tài)剖視圖，圖16是加熱后的表面保護帶與剝離帶狀態(tài)的剖視圖。
本實施形態(tài)的剝離方法是將貼在晶片W的表面、且按芯片尺形成單片化的表面保護帶2a從同樣形成單片化的晶片W1表面剝離的方法，實施以下的剝離帶貼附步驟、加熱/冷卻步驟及帶剝離步驟。
1)剝離帶貼附步驟如圖3所示，在吸附臺10上的圓框11的內(nèi)側(cè)，表面貼有表面保護帶2的晶片W以表面保護帶2側(cè)朝上的方式定位，并隔著切割帶4與圓框11一起被吸附固定，表面保護帶2通過切割而與晶片W一起按芯片尺寸形成單片化。
首先，上述的貼附/剝離滾輪單元30在圖1、2所示的位置上待機，該貼附/剝離滾輪單30的2個滾輪31、32在圖7所示的位置上，使掛在滾輪31、32上的剝離帶3在晶片W的側(cè)方待機。
在上述的狀態(tài)下，一旦驅(qū)動上述移動用單軸機械手35、并使貼附/剝離滾輪單元30沿著滑軌33向圖1、2中的左方移動時，該貼附/剝離滾輪單元30的滾輪31、32即從圖8的虛線位置朝箭頭方向移動到實線位置。此時，馬達M3形成鎖定狀態(tài)，通過滾輪31、32的移動，一邊從剝離帶卷筒21拉出已分離了剝離紙3a的剝離帶3，一邊形成移動，且在晶片W的上方，掛于滾輪32與一對滾輪26a、26b間的剝離帶3形成傾斜。
在拉出剝離帶3的過程中，通過扭力馬達M1對剝離帶3施加一定的張力。此外，在剝離紙3a拉出之際，緩沖滾輪27c因按壓機構(gòu)的作用而移動至圖1中虛線所示的位置，故可吸收松弛的部分。接下來，一旦向晶片W貼附剝離帶3的動作結(jié)束，馬達M2即開始動作，一旦緩沖滾輪27c被圖中未示的傳感器檢測到，便開始卷取剝離紙3a。
接下來，驅(qū)動上下移動用汽缸37，以使貼附/剝離滾輪單元30沿著導軸30形成上下移動，且如圖9所示，滾輪32與剝離帶3一起緊密接觸于晶片W表面的一端。如此一來，剝離帶3便貼附于已貼附在晶片W表面的表面保護帶2(2a)的一端，在這樣的狀態(tài)下驅(qū)動移動用單軸機械手35，使剝離滾輪單元30沿著滑軌33朝圖1、2中的右方移動。
如此一來，貼附/剝離滾輪單元30的滾輪31、32即從圖10中的虛線位置朝箭頭方向移動到實線位置，由于滾輪32是一邊將剝離帶3按壓于晶片W表面的表面保護帶2(2a)上一邊移動，因此可將剝離帶3貼附于表面保護帶2的整個表面(請參考圖15)。
2)加熱/冷卻步驟在上述剝離帶貼附步驟中，一旦剝離帶3被貼附于表面保護帶2的整個表面，再一次驅(qū)動上述的移動用單軸機械手35，并在使貼附/剝離滾輪單元30沿著滑軌33向圖1、2中的左方移動后驅(qū)動上下移動用汽缸37，使貼附/剝離滾輪單元30沿著導軸36上下移動，使?jié)L輪32從晶片W表面離開。這樣一來，貼附/剝離滾輪單元30的滾輪31、32就從圖11的虛線位置朝箭頭方向移動至實線位置。
在上述的狀態(tài)下，對滑動用汽缸44進行驅(qū)動，以使加熱/冷卻單元40沿著滑軌42朝圖2的下方移動，并將該加熱/冷卻單元40定位于晶片W的上方。
隨后，驅(qū)動加熱/冷卻單元40的上下移動用汽缸46，使加熱/冷卻單元40的加熱器本體41沿著導軸45上下移動，且如圖12所示，使該加熱器本體41與貼附于晶片W表面的表面保護帶2(2a)上的剝離帶3抵接。接下來，在上述的狀態(tài)下對加熱器本體41通電以將剝離帶3與表面保護帶2(2a)加熱至特定溫度。
這里，加熱溫度與加熱時間取決于表面保護帶2的材質(zhì)，不過一般為40～200℃(最好是70～130℃)，0.5～120秒(最好是1～10秒)左右。
如上所述(請參考圖6)，由于表面保護帶2是于熱收縮性基材2A的表面涂布粘接劑層2B所構(gòu)成，一旦對其加熱將造成熱收縮性基材2A收縮，單片化的各個表面保護帶2a將如圖6所示形成彎曲。因此，可減少單片化的各表面保護帶2a與晶片W的接觸面積，使各表面保護帶2a容易從晶片W的表面剝離。
隨后，驅(qū)動上下移動用汽缸46，使加熱/冷卻單元40的加熱器本體41沿著導軸45上下移動，并如圖13所示，使該加熱器本體41離開晶片W，在該狀態(tài)下通過圖中未示的冷卻風扇之類冷卻機構(gòu)對剝離帶3與表面保護帶2進行冷卻。
3)帶剝離步驟一旦如上述那樣對剝離帶3與表面保護帶2進行冷卻，就對滑動用汽缸44進行驅(qū)動，以使加熱/冷卻單元40沿著滑軌42朝圖2中的上方移動，使該加熱/冷卻單元40從晶片W上方退出。
在此之后，一旦驅(qū)動上述移動用單軸機械手35并使貼附/剝離滾輪單元30沿著滑軌33向第1、2圖中的右方移動，該貼附/剝離滾輪單元30的滾輪31、32就從圖4中的虛線位置朝箭頭方向移動至實線位置，此時，同時驅(qū)動馬達M3與扭力馬達M4。在本實施形態(tài)中，由于扭力馬達M4對剝離帶3作用一定程度的張力，因此其旋轉(zhuǎn)力經(jīng)由滑輪56、皮帶58及滑輪57傳達至卷帶軸55，而使得該卷帶軸55被驅(qū)動，故剝離帶3及附著于剝離帶3的表面保護帶2(2a)從晶片W表面剝離。
在本實施形態(tài)中，如上所述(請參考圖16)，單片化的各表面保護帶2a形成彎曲而可容易地從晶片W表面剝離，因而上述的表面保護帶2a附著于剝離帶3，也容易從晶片W的表面剝離。
然后，已從晶片W表面剝離的剝離帶3與附著于其表面的表面保護帶2a一起被卷帶單元50的卷帶軸55所卷取后回收。
在上述的說明中，根據(jù)本實施形態(tài)，一旦對貼附于整個表面保護帶2表面的剝離帶3與表面保護帶2(2a)一起加熱，由于單片化的表面保護帶2a在附著于剝離帶3的狀態(tài)下產(chǎn)生收縮，故可容易地從晶片W的表面將單片化的表面保護帶2a剝離，而上述的整個步驟是利用由吸附臺10、剝離帶單元20、貼附/剝離滾輪單元30、加熱/冷卻單元40及卷帶單元50所構(gòu)成的剝離裝置1來實施，可有效地執(zhí)行表面保護帶2(2a)的剝離作業(yè)。
再者，在本實施形態(tài)中，由于剝離帶3是采用連續(xù)的薄片狀帶，因此可使單片化的表面保護帶2a連續(xù)地附著于連續(xù)狀的剝離帶3，并有效地從晶片W表面剝離回收。
此外，在本實施形態(tài)中，由于剝離帶貼附機構(gòu)與帶剝離機構(gòu)是以共用的貼附/剝離滾輪單元30所構(gòu)成，因此可達成剝離裝置1的結(jié)構(gòu)單純化與降低成本。
此外，在本實施形態(tài)中，由于對加熱后的剝離帶3與表面保護帶2(2a)進行冷卻，因此可縮短作業(yè)時間而達成更高效率化。
不過，在本實施形態(tài)的剝離裝置1中，雖然部分作業(yè)(譬如將晶片W安裝于吸附臺10)是以手動的方式執(zhí)行，但若全部作業(yè)都以自動化的方式構(gòu)成，還可實現(xiàn)全自動化的剝離裝置。
<實施形態(tài)2>
接下來根據(jù)圖17說明本發(fā)明的第2實施形態(tài)。而圖17為本實施形態(tài)的剝離裝置的俯視圖。
本實施形態(tài)的剝離裝置1′是將促使晶片W(與圓框11一體化的晶片)自由進出框卡匣71的框夾頭單元70與對由紫外線硬化型粘接劑構(gòu)成圖6所示的粘接劑層2B的表面保護帶2(2a)照射紫外線(UV)的UV照射單元80設成兩個獨立部分，其它的構(gòu)造與上述的第1實施形態(tài)相同，具備吸附臺10、剝離帶單元20、貼附/剝離滾輪單元30、加熱/冷卻單元40及卷帶單元50。
上述的框夾頭單元70從沿上下方向以適當間隔收納于上述框卡匣71內(nèi)的多個晶片W中取出一枚晶片W，并從所取出的晶片W表面將表面保護帶2(2a)剝離，再將剝離了面保護帶2(2a)的晶片W收納于框卡匣71內(nèi)，其具備平臺73，該平臺73可沿著豎立于上下方向的滑軌72上下移動。平臺73上設有朝上述框卡匣71的開口部互相平行延伸的一對導軌74，并于上述一對導軌74之間設有一對平行的滑軌75。
上述滑軌75上設有可自由滑動的滑塊76，該滑塊76由于圖中未示的驅(qū)動機構(gòu)的作用而于滑軌75上來回移動，于該滑塊76上安裝著夾取晶片W(實際上是圓框11)的框夾頭77。
上述的UV照射單元80是用來對貼附于晶片W表面的表面保護帶2(2a)照射紫外線(UV)的，被搬送單元90的吸附臂91支承的晶片W以貼有表面保護帶2(2a)的那一側(cè)向下的狀態(tài)通過該UV照射單元80的上方，由此向表面保護帶2(2a)照射紫外線。
在本實施形態(tài)中，上述的搬送單元90具備沿與前述滑軌75正交的方向配設的、互相平行的一對滑軌92，在該滑軌92上設有可自由滑動的滑塊93。在該滑塊93上，與滑軌92正交且彼此保持平行的一對滑軌94被支承成可沿著滑塊93的上下方向(垂直于圖17紙面的方向)自由滑動，在該滑軌94上，隔著滑塊96而可自由滑動地支承著L字形的支承臂95的基部，在該支承臂95的前端部支承著上述吸附臂91。支承臂95上設有圖中未示的可促使上述吸附臂91正反面反轉(zhuǎn)的機構(gòu)。
在進行從收納于上述框卡匣71內(nèi)的多個晶片W剝離表面保護帶2(2a)的作業(yè)時，使框夾頭單元70的平臺73沿著滑軌72上下移動，一旦平臺73抵達期望的晶片W的高度位置，平臺73的移動便停止，框夾頭77在滑軌75上朝框卡匣71滑動，從框卡匣71內(nèi)夾出所需的晶片W(實際上為圓框11)，并使與圓框11形成一體的的晶片W沿著導軌74移動而搬送到圖17中以實線所示的特定位置。
接下來，搬送單元90受到驅(qū)動，裝于支承臂95前端的吸附臂91沿著滑軌92朝框夾頭單元70側(cè)移動并沿著滑軌94移動，一旦到達在圖17的實線位置上待機的晶片W的上方，即沿著滑塊93上下移動，并吸附圓框11后支承圓框11連同晶片W。然后該吸附臂19再度向上移動而沿著滑軌92移動，并使晶片W通過UV照射單元80的上方，由此對貼附于該晶片W表面的表面保護帶2(2a)照射紫外線(UV)。如此一來，表面保護帶2(2a)的紫外線硬化型粘接劑產(chǎn)生硬化，該表面保護帶2(2a)對晶片W表面的粘接力減弱。此時，晶片W以貼附有表面保護帶2(2a)的表面?zhèn)认蛳碌臓顟B(tài)被支承。
一旦如上述那樣對表面保護帶2(2a)照射紫外線時，吸附臂91便沿著搬送單元90的滑軌92移動，并使晶片W的正、反面反轉(zhuǎn)，以與第1實施形態(tài)的剝離裝置1同樣地將晶片W以貼有表面保護帶2的表面朝上的狀態(tài)置于吸附臺10上。然后采用與第1實施形態(tài)相同的方式，從晶片W上剝除貼于晶片W表面的表面保護帶2(2a)。
然后，被剝除了單片化表面保護帶2a的晶片W被吸附臂91吸附而被搬送到框夾頭單元70的導軌74上的特定位置(圖17中以實線標示的位置)，并在被框夾頭77夾住的狀態(tài)下利用滑塊76而沿著導軌74往框卡匣71的方向運送，并被收納于該框卡匣71的特定場所。
通過反復執(zhí)行上述的作業(yè)，能以全自動的方式從多片晶片W表面剝離表面保護帶2(2a)，可達成省力化并提高作業(yè)效率。
此外，在本實施形態(tài)的剝離裝置1′中，作為將剝離帶貼附于晶片W的前道工序，是利用UV照射單元80對表面保護帶2(2a)照射紫外線，因此表面保護帶2(2a)的紫外線硬化型粘接劑產(chǎn)生硬化而降低表面保護帶2(2a)的粘接力，單片化的表面保護帶2a更容易從晶片W的表面剝離，連同剝離帶而容易從晶片W的表面剝離回收。
此外，本實施態(tài)中的剝離裝置1′可獲得與第1實施形態(tài)相同的效果。
<第3實施形態(tài)>
接下來根據(jù)圖18～22說明本發(fā)明的第3實施形態(tài)。圖18～20是采用本發(fā)明第3實施形態(tài)的剝離裝置所實施的剝離方法的流程說明圖，圖21是表示加熱后的表面保護帶與剝離帶狀態(tài)的剖視圖，圖22是從晶片表面剝離表面保護帶與剝離帶的狀態(tài)剖視圖。
本實施形態(tài)的剝離方法與上述第1、2實施形態(tài)相同，是將貼附于晶片W表面后按芯片尺寸單片化的表面保護帶2a從晶片W表面剝離的方法，而剝離帶3采用預先按照晶片W表面形狀裁切的圓形帶，這點有別于第1、2實施形態(tài)。
換言之，在本實施形態(tài)中，如圖18所示，是將預先按照晶片W表面形狀裁切成圓形的多個剝離帶3以適當間隔暫時粘附在卷繞于剝離帶卷筒61上的薄片狀剝離紙3a上，從剝離帶卷筒61拉出的剝離紙3a被滾輪62～65引導而卷繞于卷取軸66上。
在本實施形態(tài)中，表面保護帶2與上述第1實施形態(tài)相同，是在熱收縮性基材的表面涂布粘接劑層所構(gòu)成，而剝離帶3則是在聚對苯二甲酸乙二酯的類的耐熱薄膜上設置感熱性粘接劑層所構(gòu)成的感熱性粘接帶。
然而，如圖18所示，在晶片W的上方，剝離紙3a通過2個滾輪63、64而張掛成略水平狀態(tài)，暫時粘著于該剝離紙3a下側(cè)面的圓形剝離帶3定位于晶片W的上方。
接下來，使加熱/冷卻單元40的加熱器本體41上下移動，如圖19所示，該加熱器本體41將剝離帶3按壓于晶片W表面的表面保護帶2上，并將該剝離帶3與表面保護帶2一起加熱至特定的溫度。如此一來，預先裁切成圓形的剝離帶3便貼附于晶片W表面上的表面保護帶2的整個表面。
由于表面保護帶2是在熱收縮性基材的表面涂布粘接劑層所構(gòu)成，因此一旦對其加熱，將導致熱收縮性基材產(chǎn)生收縮，如圖21所示，單片化的各表面保護帶2a產(chǎn)生彎曲。據(jù)此，可減少各單片化表面保護帶2a對晶片W的接觸面積，故各表面保護帶2a可容易地從晶片W表面剝離。
在此之后，一旦使加熱/冷卻單元40的加熱器本體41向上移動，即如圖20所示，剝離帶3從剝離紙3a分離而殘留于晶片W表面，只有剝離紙3a被滾輪64、65引導而卷繞于卷取軸66上。
接下來，如果如圖21所示，將粘接帶67的一端粘接在剝離帶3的一端，而該剝離帶3已貼附于晶片W表面的表面保護帶的整個面上，再將該粘接帶67彎折成圖22所示的橫U字形，且用剝離頭68夾持另一端并朝圖中箭頭方向移動，剝離帶3與附著于剝離帶3上的表面保護帶2a便被剝離頭68拉緊而依序從晶片W剝離回收。
在本實施形態(tài)中，如上所述，單片化的各表面保護帶2a彎曲后容易從晶片W表面剝離，因此，上述表面保護帶2a附著于剝離帶3上而容易從晶片W表面剝離。
在本實施態(tài)中，也能容易且有效地從晶片W表面將單片化表面保護帶2a剝離，并獲得與第1實施形態(tài)相同的效果。
(產(chǎn)業(yè)上的可利用性)本發(fā)明適用于將按照芯片尺寸單片化后貼于板狀構(gòu)件表面的表面護帶之類粘接帶從板狀構(gòu)件剝離的方法與裝置，除了半導體制造領(lǐng)域外，也適用于鏡頭、二極管、波長轉(zhuǎn)換組件一類光學機器或電子構(gòu)件的制造領(lǐng)域。
權(quán)利要求
1.一種粘接帶剝離裝置，是將貼附于板狀構(gòu)件的表面的粘接帶從前述板狀構(gòu)件剝離的剝離裝置，前述粘接帶已按芯片尺寸形成單片化，其特征在于，前述剝離裝置包含對安置于吸附臺上的前述板狀構(gòu)件放出剝離帶的剝離帶供給機構(gòu)；將由前述剝離帶供給機構(gòu)放出的剝離帶貼附在已貼附于板狀構(gòu)件表面的前述粘接帶的整個表面上的剝離帶貼附機構(gòu)；對用上述剝離帶貼附機構(gòu)貼附于粘接帶整個表面上的剝離帶連同粘接帶一起進行加熱的加熱機構(gòu)；將由于該加熱機構(gòu)的加熱而附著于剝離帶上的粘接帶與剝離帶一起從板狀構(gòu)件剝離的帶剝離機構(gòu)；將用該帶剝離機構(gòu)從板狀構(gòu)件剝離的粘接帶與剝離帶進行回收的回收機構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的粘接帶剝離裝置，其特征在于，前述剝離帶采用連續(xù)的薄片帶，前述剝離帶貼附機構(gòu)與前述帶剝離機構(gòu)由共用的滾輪單元構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的粘接帶剝離裝置，其特征在于，前述剝離帶采用根據(jù)前述板狀構(gòu)件的表面形狀而預先裁剪的帶，并利用剝離頭抓住粘接于該剝離帶的端部的第2粘接帶并拉緊，由此將前述粘接帶與剝離帶一起從板狀構(gòu)件剝離。
4.如權(quán)利要求1所述的粘接帶剝離裝置，其特征在于，前述粘接帶通過在熱收縮性基材上設置粘接劑層而構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求4所述的粘接帶剝離裝置，其特征在于，前述粘接帶上的粘接劑由紫外線硬化型粘接劑構(gòu)成，并設有對該粘接帶照射紫外線的紫外線照射機構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的粘接帶剝離裝置，其特征在于，設有可對被前述加熱機構(gòu)加熱的剝離帶與粘接帶進行冷卻的冷卻機構(gòu)。
全文摘要
一種可容易且有效地從板狀構(gòu)件上剝離形成單片的粘接帶的粘接帶剝離裝置，是把貼附于按芯片尺寸單片化的晶片(W)表面的表面保護帶(2a)從晶片剝離的裝置，包含對安置于吸附臺(10)上的晶片放出剝離帶(3)的剝離帶供給機構(gòu)(20)；使該剝離帶供給機構(gòu)放出的剝離帶貼附于已貼附在晶片表面的表面保護帶(2a)整個表面的貼附機構(gòu)；對粘接帶與利用上述貼附機構(gòu)而貼附于整個粘接帶表面的剝離帶進行加熱的加熱機構(gòu)；可從板狀構(gòu)件剝離由于上述加熱機構(gòu)的加熱而附著于剝離帶的粘接帶和剝離帶的帶剝離機構(gòu)；可回收由上述帶剝離機構(gòu)從板狀構(gòu)件剝離的粘接帶與剝離帶的回收機構(gòu)。
文檔編號H01L21/78GK1867506SQ200480030449
公開日2006年11月22日 申請日期2004年10月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月17日
發(fā)明者明地武志 申請人:琳得科株式會社