專利名稱：在集成電路微冷卻器的設計和制造中使用自組裝納米結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及移除在芯片組件中使用的集成電路和元件產(chǎn)生的熱量的，以及便于移除所述熱量的封裝。更具體地，本發(fā)明公開了用于改善連接到集成電路器件的散熱器結(jié)構(gòu)性能的自組裝納米結(jié)構(gòu)的應用。
背景技術(shù)：
用于冷卻半導體IC的現(xiàn)有技術(shù)使用了大而昂貴的芯片封裝，其具有連接到陶瓷或塑料封裝的IC芯片的外部安裝地翼狀散熱器。隨著現(xiàn)代集成電路的速度和密度的增長，由這些芯片產(chǎn)生的功率也與增加的密度和功能呈幾何比增加。在視頻處理和CPU應用領(lǐng)域，散發(fā)由現(xiàn)在IC產(chǎn)生的熱量的能力已經(jīng)成為技術(shù)進展的一個重大局限。在現(xiàn)在的技術(shù)中，當裸片“附著”到散熱器上時，加入了相對大的接口熱電阻。這些多個接口具有增加整個裸片的散熱電阻和使得傳熱更困難的不希望有的副作用。
圖1(現(xiàn)有技術(shù))是簡化的集成電路結(jié)構(gòu)的截面示意圖。晶體管結(jié)構(gòu)102形成在襯底100的頂表面附近。電連接106用于和在襯底100上的晶體管102和多個其他相似器件(未示出)連接。利用“焊球”104完成集成電路到印刷電路板或布線引線框架的互連。這種類型的封裝經(jīng)常稱作“倒裝芯片”器件。在現(xiàn)有技術(shù)中，由晶體管102產(chǎn)生的熱能經(jīng)過襯底100被抽取到芯片背面。通過減小由空氣間隙和表面不平產(chǎn)生的界面?zhèn)鳠犭娮瑁梢岳脽醾鬏斦澈蠈?08以提高熱傳導。典型地，這個層可以由熱脂或?qū)岘h(huán)氧樹脂構(gòu)成。這些材料雖然比固體表面/表面接觸更好，當與固體金屬比較時，仍然具有相對差的導熱性。結(jié)果，背部芯片表面界面仍然表現(xiàn)出有效的導熱性，其限制可以從芯片抽取的能量。
最近，美國專利申請公開號US2003/0117770已經(jīng)公開了形成熱界面的工藝，其采用碳納米管以減小在電子器件和散熱器之間的熱阻。對準的納米管束接受以熔化形式注入的高分子材料以產(chǎn)生復合物，該復合物放置在電子器件和散熱器之間。納米管沿熱能方向平行對準。然而，高分子填充物在橫向傳熱上貢獻很小，可能會在器件表面產(chǎn)生局部的熱點。對準的碳納米管束的使用也可以導致減小的熱傳導。理論分子動力學模型已經(jīng)示出了單個的碳納米管展示了異乎尋常高的導熱性，但是當以管到管接觸形成碳納米管束時，導熱性會降低一個數(shù)量級(見例如Savas Berber等，Physics ReviewLetters，84，no.20，4613，2000年5月)。
美國專利申請公開US2003/231471公開了使用在CVD金剛石膜的沉積后生長的單壁或雙壁碳納米管陣列的集成電路封裝。根據(jù)CVD金剛石膜的粗糙度，使用碳納米管以輔助在電路硅裸片和集成散熱器的表面之間形成熱接觸。為了保持彈性，沒有填充在納米管之間的填隙空位。然而該公開未能提供任何方法來減小襯墊(matting)和納米管到納米管的接觸，其減小了結(jié)構(gòu)的有效導熱性。雖然CVD金剛石膜是好的導體，但它們不能與在多種散熱結(jié)構(gòu)中使用的許多其它的金屬材料熱兼容(來自膨脹系數(shù))。另外，由于這些技術(shù)需要700℃至800℃的溫度，所以用于生長碳納米管的公知技術(shù)會阻礙直接在硅電路裸片上沉積碳納米管。將完成的電路裸片曝露在這樣高的溫度下不是一個值得推薦的做法。
所需要的是一種通過集成幾個熱組件以使得從集成電路上的熱表面的熱傳遞的最大化，從而使界面電阻最小化的方法和結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種具有散熱器表面的散熱器主體；多個單獨分開的、用于將熱能從至少一個集成電路芯片的表面?zhèn)鬏數(shù)剿錾崞鞅砻娴臈U狀納米結(jié)構(gòu)，所述多個單獨分開的、桿狀納米結(jié)構(gòu)布置在所述散熱器表面和所述至少一個集成電路芯片的表面之間；以及在所述多個單獨分開的、桿狀納米結(jié)構(gòu)之間的填隙空位內(nèi)布置的導熱材料。
在本發(fā)明的一個實施例中，一種用于制造微冷卻器件的方法包括在散熱器主體的安裝表面中形成淺腔，在所述淺腔內(nèi)生長桿狀納米結(jié)構(gòu)，在桿狀納米結(jié)構(gòu)之間的填隙空位內(nèi)沉積導熱材料。


當考慮到下面的詳細描述時，將會更好地理解本發(fā)明。本說明書引用了附圖，其中圖1(現(xiàn)有技術(shù))是集成電路結(jié)構(gòu)的截面示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的附著在倒裝芯片集成電路上的集成微冷卻器件的示意性側(cè)視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的附著在多個倒裝芯片集成電路上的集成微冷卻器件的示意性側(cè)視圖；圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)細節(jié)的翼狀集成微冷卻器件的截面示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的具有內(nèi)部流道的集成微冷卻器件的截面示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的碳納米管的電子顯微鏡照片；圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的連接到多個倒裝芯片集成電路的集成微冷卻器件的截面示意圖；圖8是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的翼狀集成微冷卻器件的制造步驟的流程圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例說明具有內(nèi)部流道的集成微冷卻器件的制造步驟的流程圖；和圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例在平坦化過程后的納米結(jié)構(gòu)的部分截面圖。
具體實施例方式
在本說明書的背景技術(shù)部分中已經(jīng)說明了圖1(現(xiàn)有技術(shù))。
圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的附著在倒裝芯片集成電路芯片206上的集成微冷卻器件202的示意性側(cè)視圖200。該集成微冷卻器件202是與芯片206分開的結(jié)構(gòu)，該芯片206包含高導電性、自組裝納米結(jié)構(gòu)并與散熱器件集成。以下為從安裝在電路板210上的集成電路芯片206的表面208傳輸?shù)臒崃刻峁┑蜔嶙柰ǖ馈峤缑鎸?04提供包含納米結(jié)構(gòu)的低電阻界面以增強從芯片206的熱傳導，減小在芯片206中局部熱點的影響，并且橫向傳導熱量到具有比芯片206更大的基底面的散熱器結(jié)構(gòu)202。下面描述微冷卻器件202的結(jié)構(gòu)細節(jié)。本領(lǐng)域技術(shù)人員都知道，可以使用共晶層或熱粘合劑(未示出)把芯片206和微冷卻器202粘合在一起。另外，微冷卻器件202、集成電路芯片206和電路板210可以用機械帶、夾具或保持裝置固定在一起(未示出)。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的附著在多個倒裝芯片集成電路(306a-306d)上的集成微冷卻器件302的示意性側(cè)視圖300。在這個實施例中，微冷卻器302的上和下表面都用來除去來自倒裝芯片IC306a-306d的熱能。安裝在印刷電路板310a上的芯片306a和306b通過界面層304a把熱量從表面308a和308b散發(fā)到器件302。安裝在印刷電路板310b上的芯片306c和306d通過界面層304b把熱量從表面308c和308d散發(fā)到器件302。本領(lǐng)域技術(shù)人員都知道，可以使用共晶層或熱粘合劑(未示出)把芯片306和微冷卻器302粘合在一起(未示出)。另外，微冷卻器件302、集成電路芯片306和電路板310可以用機械帶、夾具或保持裝置固定在一起。雖然圖3中示出的實施例包含四個集成電路，但是通過增加器件302的規(guī)模，可以加入任意數(shù)量的附加集成電路倒裝芯片306，這對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員很顯然的。
圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)細節(jié)的翼狀集成微冷卻器件400的截面示意圖。該器件400包括用于從倒裝芯片402的表面418抽取熱能的散熱片主體404。通過包含層408、410和412的增強傳熱界面結(jié)構(gòu)把熱能傳輸?shù)缴崞鞅砻?20。散熱器主體404裝配有散熱片414(或翼狀結(jié)構(gòu))以通過對流、典型地通過由風扇或其它裝置產(chǎn)生的強迫空氣流來增強抽熱。然而，如果合適也可以采用自然對流。同樣，散熱片414可以浸透在用于除去高能量流的比如水的液體或其它液相冷卻劑中。散熱器主體404可以由硅、金屬或?qū)崽沾芍瞥?。如銅或鋁的金屬是優(yōu)選的，但是也可以使用由硅襯底形成的結(jié)構(gòu)。如果使用硅，可以在散熱片表面涂覆金屬以增強橫向?qū)?。通過本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的方法在散熱主體404內(nèi)部形成散熱腔416以包含傳熱界面層408、410和412。
層408包含提供非常高的導熱性的單獨分開的、桿狀的納米結(jié)構(gòu)以減小界面接觸電阻。這些結(jié)構(gòu)可以包括金屬納米線、或優(yōu)選多壁碳納米管(MWCNT)或多壁碳納米纖維。金屬納米線(例如Au、Cu、Ni、氧化鋅和硼化金屬)是具有尺寸可與聲子平均自由程(在室溫下通常幾十個納米)相比擬的線狀的金屬晶體，以使得從允許有效傳熱特性和熱接觸的量子限制現(xiàn)象中受益。在一個示例中，由于Ni電極所展示出低的歐姆接觸電阻，所以金屬硼化物納米線被認為具有好的熱接觸電阻。優(yōu)選地，該MWCNT大致垂直于表面420和418，平行于熱流動的方向。MWCNT具有非常高(在軸上)的導熱性，通常在800至3000W/m-°K的范圍內(nèi)。它們可能是固體CVD金剛石膜的系數(shù)的兩倍。它們優(yōu)選地生長在微冷卻器400表面作為獨立式、垂直對準的、單獨分開的碳納米管(或納米纖維)的陣列，其占據(jù)了從它們生長的地方開始的15和40％之間的表面。在一些實施例中，通過等離子增強CVD(PECVD)生長方法生長MWCNT。例如，可以使用由Jun Li等(Applied Physics Letters，vol.81，no.5，2002年7月)和L.De1zeit(J.Appl Physics 91，6027，2002年5月)等描述的方法。然而，雖然CNT的軸向?qū)嵝苑浅８?，其橫向?qū)嵝?在從納米管到納米管的非軸向方向)不是非常好。實際上，在軸向?qū)实募{米管之間的橫向接觸能夠減小它們的有效軸向?qū)嵝?。如果附著在襯底上的碳納米管的數(shù)量太大(例如大于40％CNT密度)，Van der Waal力會產(chǎn)生導致差導熱性的束或墊塊的情況。在另一方面，如果覆蓋密度太低(例如小于15％)，由于導熱納米管的數(shù)量的減少，導熱性也會降低。覆蓋密度的優(yōu)選范圍在約15％和40％之間，最優(yōu)選為25％至40％。因此，與CNT的束或墊塊相反，覆蓋率在15％和40％之間的平行CNT能夠提供更好的總導熱性。為了改善橫向?qū)?，在MWCNT之間的填隙空位內(nèi)布置導熱材料。該導熱材料在包含層的納米管內(nèi)提供橫向?qū)帷M向?qū)岽龠M熱量從相對小的硅裸片表面向散熱主體404的大得多得表面區(qū)域擴散。它也減少了在芯片402的表面418上的局部熱點。導熱材料可以是金屬或金屬合金、導熱陶瓷、CVD金剛石或?qū)峋酆衔铩?yōu)選地，導熱材料是如銅、鋁、銀、金的金屬或它們的合金。在這些金屬材料中，金和銅合金是最優(yōu)選的。這通常是由于它們的高導熱率、容易通過電鍍或電化學沉積來沉積以及低的成本。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，銅電鍍是在現(xiàn)代集成電路生產(chǎn)中通用的雙鑲嵌工藝。取決于導熱填充材料的導熱率，層408的厚度可以典型地在50至1000微米之間。
使用金屬作為填充材料的另一希望的特征是它在厚度上顯著地低于MWCNT。在某些實施例中，使用層408的平坦化以為良好的“長距離”接觸而維持平整度。然而，“短距離”表面的不規(guī)則性(在幾個微米的數(shù)量級)也能夠顯著影響界面熱電阻。因此，希望MWCNT的一些部分從層408的主體延伸出來，以使得曝露的末端可以與這些表面的不規(guī)則性保持一致并改善熱接觸。當平坦化層408時，較軟的金屬材料被腐蝕得比較硬的納米管更厲害，導致金屬材料的底切。這個底切留下納米管從復合層408延伸的部分。當用CMP(化學-機械平坦化)或電化學蝕刻技術(shù)平坦化層408時，該底切會自動發(fā)生。如果在芯片402和層408之間需要共晶金屬接合，可以加上附加(可選的)粘合層406。在這種情況下，曝露的納米管末端會伸入到該層中`并可能穿過它延伸。優(yōu)選地，粘合層406是共晶金屬，但是也可以使用基于膠結(jié)結(jié)劑成分的熱聚合物。層412是可以與硅散熱主體404結(jié)合使用的界面材料。典型地，層412可以由氮化硅化合物構(gòu)成。對于金屬散熱主體404，層412是可選的，只需要用來輔助粘合催化物金屬層410。使用金屬催化物層410以啟動和控制在層408中的納米管的生長。金屬催化物層410可以從Ti、Co、Cr、Pt、Ni和它們的合金中選擇。優(yōu)選地，金屬催化物層410是Ni以及Ni合金。下面將討論進一步與這些層相關(guān)的工藝條件。
圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的具有內(nèi)部流道514的集成微冷卻器件500的截面示意圖。器件500包括用于從倒裝芯片502的表面518抽取熱能的散熱器主體504。通過包含層508、510和512的增強傳熱界面結(jié)構(gòu)將熱量傳輸?shù)缴崞鞅砻?20。層508-512留在在主體504中形成的散熱腔516中。在這個實施例中，散熱器主體504包含密封的流道514以除去從芯片502傳遞的熱能。液體和氣體冷卻都是可能的，但是對這個實施例，由于例如水的液體冷卻劑的特有熱容量，優(yōu)選液體冷卻。對于非常高速的散熱系統(tǒng)或在非常高速處理器需要次環(huán)境結(jié)溫的情況下，也可能使用致冷劑。由于通過這樣的系統(tǒng)遇到(encounter)高的熱流通量，所以由本發(fā)明實施例提供的低熱電阻對可靠性操作是極其重要的。層506-512具有相同的功能，由如上所述由與相應層406-412相同的材料構(gòu)成。
圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的碳納米管的電子顯微鏡照片。在這個圖中，MWCNT的對準的、單獨分開的、平行的特點是很顯然的。同樣很明顯的是，為了好的橫向?qū)嵝栽诩{米管之間需要填充的填隙空位。
圖7是的附著到根據(jù)本發(fā)明實施例的多個倒裝芯片集成電路的集成微冷卻器件700的截面示意圖。該器件700包括用于從產(chǎn)生熱能的多個倒裝芯片702a和702b抽取熱能的散熱器主體704。通過包含層508a-512a和508b-512b的增強傳熱界面結(jié)構(gòu)將熱量傳輸?shù)缴崞鞅砻?20a和720b。層508a-512a和508b-512b分別留在散熱腔716a和716b中。在這個實施例中，散熱器主體704包含密封的流道714以除去從芯片502傳遞的熱能。對這個實施例，由于增加的熱負荷，由于例如水的液體冷卻劑所特有的熱容量，優(yōu)選液體冷卻。對于除去高的熱負荷或在非常高速處理器需要次環(huán)境結(jié)溫的情況下，也可能使用致冷劑。層706a-712a和706b-712b具有相同的功能并且由如上所述與相應層406-412相同的材料構(gòu)成。
圖8是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的翼狀集成微冷卻器件的制造的示例步驟的流程圖800。在802，為襯底或散熱器主體(例如404)選擇適當?shù)牟牧?。隨后步驟涉及其中選擇硅為襯底的過程。在804，在第一(或底)表面上構(gòu)圖形成散熱腔(例如416)。在806，蝕刻散熱腔，在808，在腔(例如416)中沉積界面材料(例如412)。如上所述，在某些實施例中這個界面材料是氮化硅。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員選擇沉積氮化硅有很多技術(shù)，例如CVD或濺射?？蛇x擇地，如果選擇金屬或陶瓷作為散熱主體材料，通過機械加工可以制造散熱腔。在810，在界面層上沉積可選的導電層以促進隨后催化物層的沉積和粘合。導電層可以由厚度在3nm-200nm的范圍內(nèi)的Ti、Cr或Pt構(gòu)成。如果散熱器主體是金屬，那么可以不需要導電層。在812，使用CVD、PVD、電鍍或無電鍍沉積來對從選自Ti、Co、Cr、Pt、Ni和它們的合金的催化物材料進行沉積，并沉積3nm至30nm的厚度。在814，生長單獨分開的碳納米管的碳納米管陣列(例如作為層408的一部分)。在某些實施例中，該陣列分別經(jīng)前面提到的J.Li和A.Delzeit的方法通過PECVD生長陣列。在816，在碳納米管之間沉積導熱材料。對于金屬的導熱材料，典型地通過電化學沉積或CVD來沉積該材料對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是公知的。如果使用CVD金剛石填隙物質(zhì)，可以使用本領(lǐng)域已知的CVD工藝。在818，通過CMP、電化學腐蝕或者兩者的結(jié)合來平坦化包含層(例如408)的碳納米管。在820，如果需要，則增加適當厚度的可選共晶粘合層(例如406)。在822，散熱片(例如414)在硅襯底的第二(或頂)表面中構(gòu)圖。在824，用公知的方法腐蝕散熱片。在826，散熱片涂覆有可選的金屬涂層或CVD金剛石，其沉積了適當厚度以使得沿著散熱片表面的溫度梯度最小化。對于金屬散熱器主體(例如400)的情況，通過已知機械工藝制造散熱片。
圖9是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的具有內(nèi)部流道的集成微冷卻器件的制造步驟的流程圖900。在902，在傳熱主體(例如504)中制造流道(例如514)。對于金屬主體，可以使用標準的機械加工技術(shù)。對于硅襯底，可以如圖8中示出的實施例中描述的那樣制造散熱片。合適的金屬、陶瓷或硅片或蓋子粘合地與散熱片的頂部的平坦表面接合以建立封閉通道(例如514)。
圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例的在平坦化過程后的納米結(jié)構(gòu)的部分截面圖1000。如圖所示，碳納米管或納米線1008從金屬/催化物層1002以大致平行的結(jié)構(gòu)生長。如前面所述，導熱填充材料1004放置在納米結(jié)構(gòu)1008之間的空隙中。納米結(jié)構(gòu)的平坦化在納米結(jié)構(gòu)的末端和填充材料的凹陷的平坦化表面之間產(chǎn)生間隙1006。當包含顯著不同硬度的成分的復合材料被平坦化時，間隙1006由化學機械平坦化(CMP)工藝產(chǎn)生。在納米結(jié)構(gòu)是MWCNT以及填料是如銅、鋁或銀的金屬的情況下，由于金屬比碳納米管軟得多，所以平坦化工藝會底切填料。由于比如銅的基本金屬比相對化學不活潑的碳納米管更容易反應并對化學溶劑敏感，所以采用化學(或電化學)蝕刻填料金屬的時候會產(chǎn)生相同的效應。
在間隙1006中未支撐的納米結(jié)構(gòu)是相對有彈性的，使得曝露的末端扭曲或彎曲(在微米級)，以與復合在集成電路芯片的熱產(chǎn)生表面中的起伏和缺陷。這種“毛刷”效應產(chǎn)生與納米結(jié)構(gòu)末端的密切接觸，允許沿著納米管的導熱性為最大的軸上進行抽熱。如果使用共晶或粘合層，納米結(jié)構(gòu)的曝露端會伸入該層中，并會使得當共晶或粘合層是液體時符合相對表面，這可能出現(xiàn)在兩個表面接合之前。所期望的間隙尺寸1006取決于電路、硅裸片和平坦化的微冷卻器表面的表面平坦度。表面粗糙度的RMS值被認為在0.2um至3um的范圍內(nèi)，并最優(yōu)選在該范圍的下端。
應當認為上述的多個實施例僅僅作為本發(fā)明的示例。它們并不傾向于窮盡或限制本發(fā)明公開的形式。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會很容易知道在不脫離這里描述的本發(fā)明的精神的情況下，可以進行其它修改和變化。因此，本發(fā)明是由下面的權(quán)利要求所限定的。
權(quán)利要求
1.一種微冷卻器件結(jié)構(gòu)，包括具有散熱器表面的散熱器主體；多個單獨分開的、用于將熱能從至少一個集成電路芯片的表面?zhèn)鬏數(shù)剿錾崞鞅砻娴臈U狀納米結(jié)構(gòu)，所述多個單獨分開的、桿狀納米結(jié)構(gòu)布置在所述散熱器表面和所述至少一個集成電路芯片的表面之間；以及在所述多個單獨分開的、桿狀納米結(jié)構(gòu)之間的填隙空位內(nèi)布置的導熱材料。
2.如權(quán)利要求1所述的微冷卻器件，其中所述多個單獨分開的、桿狀納米結(jié)構(gòu)是多壁碳納米管。
3.如權(quán)利要求2所述的微冷卻器件，其中所述多壁碳納米管的取向基本垂直于所述至少一個集成電路芯片的表面。
4.如權(quán)利要求1所述的微冷卻器件，其中所述多個單獨分開的、桿狀納米結(jié)構(gòu)是金屬納米線。
5.如權(quán)利要求4所述的微冷卻器件，其中所述金屬納米線的取向基本垂直于所述至少一個集成電路芯片的表面。
6.如權(quán)利要求1所述的微冷卻器件，其中所述導熱材料包括銅。
7.如權(quán)利要求1所述的微冷卻器件，其中所述導熱材料包括銅的合金。
8.如權(quán)利要求1所述的微冷卻器件，其中所述導熱材料包括銀。
9.如權(quán)利要求1所述的微冷卻器件，其中所述導熱材料包括鋁。
10.如權(quán)利要求1所述的微冷卻器件，其中所述散熱器主體由散熱片冷卻。
11.如權(quán)利要求1所述的微冷卻器件，其中所述散熱器主體由流經(jīng)在其中形成的通道的液體冷卻。
12.一種制造微冷卻器件的方法，包括在散熱器主體的安裝表面中形成散熱腔；在所述淺腔中生長桿狀納米結(jié)構(gòu)；和在所述桿狀納米結(jié)構(gòu)之間的填隙空位中沉積導熱材料。
13.如權(quán)利要求12所述的制造微冷卻器件的方法，其中所述桿狀納米結(jié)構(gòu)是多壁碳納米管。
14.如權(quán)利要求12所述的制造微冷卻器件的方法，其中所述桿狀納米結(jié)構(gòu)是金屬納米線。
15.如權(quán)利要求12所述的制造微冷卻器件的方法，其中所述導熱材料包括銅。
16.如權(quán)利要求12所述的制造微冷卻器件的方法，其中所述導熱材料包括鋁。
17.如權(quán)利要求12所述的制造微冷卻器件的方法，其中所述導熱材料包括銀。
18.如權(quán)利要求12所述的制造微冷卻器件的方法，其中所述桿狀納米結(jié)構(gòu)是單獨分開的并且取向基本垂直于所述散熱器主體的所述安裝表面。
19.如權(quán)利要求18所述的制造微冷卻器件的方法，進一步包括平坦化所述桿狀納米結(jié)構(gòu)的末端以使得所述桿狀納米結(jié)構(gòu)延伸出所述導熱材料的平坦化表面。
20.如權(quán)利要求19所述的制造微冷卻器件的方法，進一步包括在所述桿狀納米結(jié)構(gòu)的末端上沉積粘合層。
全文摘要
公開了采用碳納米管或納米線陣列以減小在集成電路芯片和散熱器之間熱接觸電阻的散熱器結(jié)構(gòu)。碳納米管陣列與布置在納米管之間的導熱金屬填料結(jié)合。這個結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了具有高軸向和橫向?qū)嵝缘臒峤缑妗?br> 文檔編號H01L21/469GK1856871SQ200480024282
公開日2006年11月1日 申請日期2004年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月25日
發(fā)明者C·丹格洛 申請人:納米傳導公司