專利名稱：半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，更具體涉及應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造時有效的技術(shù)，該方法包括在半導(dǎo)體晶片上的電路圖形的形成基本上完成之后，從研磨半導(dǎo)體晶片背面的背面研磨步驟至將半導(dǎo)體芯片分別地切為各個芯片的切割步驟以及進(jìn)一步在襯底上拾取和安裝芯片的管芯鍵合步驟的工序。
背景技術(shù)：
在背面研磨半導(dǎo)體晶片的制造步驟中，通過切割將半導(dǎo)體晶片分為單個芯片，以及在襯底上安裝各個芯片的管芯鍵合，半導(dǎo)體晶片被傳輸，以及在被鍵合至帶的同時施加有預(yù)定的處理。
例如，日本未審專利公開號2003-152058(專利文獻(xiàn)1)描述了一種晶片傳送裝置，包括照射UV-射線至保護(hù)帶的第一UV-射線照射單元、用于放置晶片的放置單元、與環(huán)形支架集成的安裝單元、從晶片的表面釋放保護(hù)帶的保護(hù)帶釋放單元，以及照射UV-射線至切割帶的第二UV-射線照射單元。該裝置可以將與保護(hù)帶粘接的晶片連續(xù)地和自動地傳送至切割帶和環(huán)形支架，與待使用的保護(hù)帶和切割帶的種類無關(guān)，并釋放保護(hù)帶。
而且，為了有效地進(jìn)行待應(yīng)用于晶片背面的背面研磨處理和刻蝕處理，日本未審專利公開號2003-179023(專利文獻(xiàn)2)描述了一種在電路形成面背面研磨與保護(hù)帶粘結(jié)的晶片背面的研磨器裝置、背側(cè)刻蝕由研磨器裝置研磨的背表面的背側(cè)蝕刻裝置和將水傳送到切割帶并從晶片釋放保護(hù)帶的傳送裝置的同軸(in-line)結(jié)構(gòu)。
而且，日本未審專利公開號2003-133395(專利文獻(xiàn)3)描述一種通過使用晶片固定夾具進(jìn)行鍵合步驟、背面研磨步驟、帶交換步驟、拾取步驟以及管芯鍵合步驟的技術(shù)，該固定夾具包括外支架和布置在外支架中的橡膠膜片，該橡膠膜片增加和減小通過供給空氣至其中在晶片和橡膠膜片之間布置的帶變形的內(nèi)部使形狀變形時的體積，以便當(dāng)橡膠部件增加體積時被逐漸地從外側(cè)的中心推進(jìn)到晶片。
日本未審專利公開號2003-152058。
日本未審專利公開號2003-179023。
日本未審專利公開號2003-133395。

發(fā)明內(nèi)容
在背面研磨半導(dǎo)體晶片、通過切割將半導(dǎo)體晶片分別地分為各個芯片以及在襯底上安裝各個芯片的管芯鍵合的制造步驟中存在各種技術(shù)主題。該步驟如下所述進(jìn)行。
首先，在將壓敏粘結(jié)帶粘附到半導(dǎo)體晶片的電路形成面之后，在研磨器裝置上安裝半導(dǎo)體晶片，且通過驅(qū)動旋轉(zhuǎn)研磨部件研磨半導(dǎo)體晶片的背表面，由此使半導(dǎo)體晶片的厚度減小至預(yù)定的厚度(背后研磨步驟)。接著，將半導(dǎo)體晶片的背表面粘附到切割帶，切割帶固定到環(huán)狀支架，以及從半導(dǎo)體晶片的電路形成面釋放壓敏粘結(jié)帶(晶片安裝步驟)。
然后，沿預(yù)定的劃片線切割半導(dǎo)體晶片，并將半導(dǎo)體晶片分別分為各個芯片(切割步驟)。借助于切割帶由推(push-up)針(pin)在其背表面推動各個互不相同的芯片，由此芯片被釋放出切割帶。對應(yīng)于推針在上面安置夾頭并通過夾頭吸附并保持釋放的芯片(拾取步驟)。然后，將夾頭上保持的芯片傳輸?shù)揭r底并鍵合到襯底上的預(yù)定位置(管芯鍵合步驟)。
順便提及，與尺寸下降和厚度減小的電子設(shè)備一樣，也需要減小在其上安裝的芯片厚度。而且，已研制了層疊多個芯片并將它們安裝在一個封裝上的層疊型半導(dǎo)體集成電路器件，以及對于減小芯片厚度的需求越來越增加。由此，在背面研磨步驟中，進(jìn)行研磨，以將半導(dǎo)體晶片的厚度從現(xiàn)有的200μm左右減小至小于100μm。順便提及，當(dāng)半導(dǎo)體晶片的厚度減小至小于100μm時，在半導(dǎo)體晶片中引起的翹曲不利于后續(xù)步驟中半導(dǎo)體晶片的處理或輸送，有時使半導(dǎo)體晶片斷裂。
鑒于上述情況，已研究了在背面研磨步驟中將半導(dǎo)體晶片的厚度減小至小于100μm的方法，然后在研磨器裝置的卡盤工作臺上安裝晶片的狀態(tài)下通過晶片輸送夾具真空吸附半導(dǎo)體晶片的背表面并按照原樣將其傳輸至晶片安裝裝置。半導(dǎo)體晶片可以被無翹曲地傳輸至晶片安裝裝置并使其背表面粘附到切割帶。
但是，在背面研磨(小于0至4小時)之后，由于半導(dǎo)體晶片的背表面被激活，切割帶的膠水和半導(dǎo)體晶片的背表面連接，產(chǎn)生不能從切割帶釋放芯片的問題。在芯片不能被釋放的情況下，通過夾頭不能保持芯片，導(dǎo)致半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)量降低。
而且，由于具有100μm或以上或200μm或以上厚度的半導(dǎo)體晶片較少引起翹曲，因此它可以停留4小時或以上，在此過程中在半導(dǎo)體晶片的背表面上形成自然氧化物層，由此能避免如上所述的問題。但是，停留半導(dǎo)體晶片直到形成自然氧化物層是必須的，這不可避免地降低了TAT(周轉(zhuǎn)時間)。
本發(fā)明旨在提供一種能從切割帶穩(wěn)定地釋放芯片的技術(shù)。
本發(fā)明還打算提供一種能提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的產(chǎn)量和縮短TAT的技術(shù)。
通過結(jié)合附圖閱讀本說明書中的描述將使本發(fā)明的上述及其他目的和新穎性特點(diǎn)變得明白。
在本申請中公開的發(fā)明當(dāng)中，如下簡單地描述了典型發(fā)明的要點(diǎn)。
在一個發(fā)明中，在將壓敏粘結(jié)帶粘附到形成有電路圖形的半導(dǎo)體晶片的電路形成面的同時將半導(dǎo)體晶片的背表面研磨至預(yù)定厚度之后，強(qiáng)制地氧化半導(dǎo)體晶片的背表面。接著，釋放粘附到半導(dǎo)體晶片的電路形成面的壓敏粘結(jié)帶，以及切割帶被粘附到半導(dǎo)體晶片的背表面，通過切割將半導(dǎo)體晶片分為每個單個芯片，借助于切割帶在背表面按壓芯片，由此從切割帶釋放芯片。
而且，另一發(fā)明也包括，在減小厚度之后，晶片的背表面被強(qiáng)制地氧化或形成有粘結(jié)抑制層(包括在晶片的背表面上形成硅或丙烯酸基釋放劑層。在此情況下，可以隨意地調(diào)整分離時的強(qiáng)度。另一方面，與利用無機(jī)處理劑或處理液如臭氧化水相比較，應(yīng)該注意污染。但是，迄今為止在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)嶋H上通常使用硅酮型劑。而且，它可以與強(qiáng)制氧化一起使用。在此情況下，優(yōu)選控制分離時的強(qiáng)度至最優(yōu)值，同時保持與現(xiàn)有的自然氧化物層幾乎相等的狀態(tài))。
下面將在每一章節(jié)中解釋本申請中公開的發(fā)明的其他要點(diǎn)。
1、一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，包括以下步驟(a)在具有第一厚度的半導(dǎo)體晶片的第一主表面上形成電路圖形；(b)在第一主表面上粘結(jié)第一帶；(c)研磨半導(dǎo)體晶片的第二主表面，以使半導(dǎo)體晶片為第二厚度；(d)強(qiáng)制地氧化(這里及在下文中也包括簡單氧化)半導(dǎo)體晶片的第二主表面；以及(e)釋放粘附到半導(dǎo)體晶片的第一主表面的第一帶以及將第二帶粘附到半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
2、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中在整個工序中進(jìn)行步驟(c)、步驟(d)和步驟(e)。
3、根據(jù)如上所述的2的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中半導(dǎo)體晶片的第二厚度小于100μm。
4、根據(jù)如上所述的2的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中半導(dǎo)體晶片的第二厚度小于80μm。
5、根據(jù)如上所述的2的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中半導(dǎo)體晶片的第二厚度小于60μm。
6、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中在步驟(c)和步驟(d)之間，半導(dǎo)體晶片的停留時間在一分鐘的范圍之內(nèi)。
7、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中在步驟(c)和步驟(d)之間，半導(dǎo)體晶片的停留時間在10分鐘的范圍之內(nèi)。
8、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中在步驟(c)和步驟(d)之間，半導(dǎo)體晶片的停留時間在一小時的范圍之內(nèi)。
9、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)用引入臭氧的純水(這里和在下文中也可以包括含化學(xué)液或化學(xué)劑的純水溶液)清洗半導(dǎo)體晶片并強(qiáng)制地氧化半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
10、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)用引入二氧化碳的純水清洗半導(dǎo)體晶片并強(qiáng)制地氧化半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
11、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)將純水和含水的過氧化氫澆注半導(dǎo)體晶片由此強(qiáng)制地氧化半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
12、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)涂敷氧化劑到半導(dǎo)體晶片的第二主表面或與半導(dǎo)體晶片接觸的第二帶的表面并強(qiáng)制地氧化半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
13、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)將氣態(tài)氧噴吹到半導(dǎo)體晶片的第二主表面，由此強(qiáng)制地氧化半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
14、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)將熱風(fēng)噴吹到半導(dǎo)體晶片的第二主表面，由此強(qiáng)制地氧化半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
15、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)將半導(dǎo)體晶片放置在與半導(dǎo)體晶片的第二主表面接觸的加熱板上，由此強(qiáng)制地氧化半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
16、根據(jù)如上所述的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，還包括以下步驟(f)切割半導(dǎo)體晶片(通過旋轉(zhuǎn)刀片，激光等)，由此將半導(dǎo)體晶片分為單個芯片；以及(g)借助于第二帶在背表面按壓芯片，由此從第二帶釋放芯片。
17、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中從步驟(c)實現(xiàn)半導(dǎo)體晶片，其第一主表面被真空吸附到晶片輸送夾具，以及然后被載運(yùn)到步驟(d)，其第二主表面被真空吸附到晶片輸送夾具。
18、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中半導(dǎo)體晶片的直徑約為300mm。
19、根據(jù)如上所述的1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中半導(dǎo)體晶片的第一厚度是700μm或以上。
20、一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，包括以下步驟(a)在具有第一厚度的半導(dǎo)體晶片的第一主表面上方形成電路圖形；(b)通過第一壓敏粘結(jié)劑將第一薄片或板狀部件鍵合到第一主表面；(c)研磨或刻蝕半導(dǎo)體晶片的第二主表面，以使半導(dǎo)體晶片為第二厚度；(d)強(qiáng)制地氧化半導(dǎo)體晶片的第二主表面；以及(e)釋放或分離粘附到半導(dǎo)體晶片的第一主表面的第一薄片或板狀部件，以及通過第二壓敏粘結(jié)劑將第二薄片或板狀部件鍵合到半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
21、一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，包括以下步驟(a)在具有第一厚度的半導(dǎo)體晶片的第一主表面上方形成電路圖形；(b)研磨(包括刻蝕)半導(dǎo)體晶片的第二主表面，由此使半導(dǎo)體晶片為第二厚度；(c)除去(該步驟并不總是必需的)形成到半導(dǎo)體晶片的第二主表面的第一層(通過研磨形成的損壞層)。部分損壞層可以用作捕獲層，或損壞層可以被完全地或部分地留下)；(d)形成第二層(雜質(zhì)阻擋層、捕獲層或粘結(jié)控制層)至半導(dǎo)體晶片的第二主表面；以及(e)切割半導(dǎo)體晶片，由此將半導(dǎo)體晶片分為單個芯片。
22、根據(jù)如上所述的21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中第二層的厚度小于第一層的厚度。
23、根據(jù)如上所述的21或22的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中半導(dǎo)體晶片的第二厚度小于100μm。
24、根據(jù)如上所述的21或22的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中半導(dǎo)體晶片的第二厚度小于80μm。
25、根據(jù)如上所述的21或22的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中半導(dǎo)體晶片的第二厚度小于60μm。
26、根據(jù)如上所述的21至25的任意一項的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)澆注引入臭氧的純水至半導(dǎo)體晶片，由此形成氧化物層至半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
27、根據(jù)如上所述的21至25的任意一項的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)澆注引入二氧化碳的純水至半導(dǎo)體晶片，由此形成氧化物層至半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
28、根據(jù)如上所述的21至25的任意一項的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)澆注引入過氧化氫的純水至半導(dǎo)體晶片，由此形成氧化物層至半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
29、根據(jù)如上所述的21至25的任意一項的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)澆注硝酸至半導(dǎo)體晶片，由此形成氧化物層至半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
30、根據(jù)如上所述的21至25的任意一項的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)使通過等離子體放電產(chǎn)生的離子撞擊半導(dǎo)體晶片的第二主表面，清洗半導(dǎo)體晶片的第二主表面并在其中形成損壞層和氧化物層。
31、根據(jù)如上所述的21至25的任意一項的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)噴射磨粒到半導(dǎo)體晶片的第二主表面，清洗半導(dǎo)體晶片的第二主表面并形成研磨層。
32、根據(jù)如上所述的21至25的任意一項的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)研磨半導(dǎo)體晶片的第二主表面并形成晶體缺陷層至半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
33、根據(jù)如上所述的21至25的任意一項的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)離子注入雜質(zhì)到半導(dǎo)體晶片，由此形成損壞層至半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
34、根據(jù)如上所述的21至25的任意一項的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(d)還包括以下子步驟(d1)通過等離子體CVD形成氧化物層或多晶硅層至半導(dǎo)體晶片的第二主表面。
35、根據(jù)如上所述的21至34的任意一項的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中步驟(c)包括以下步驟(c1)除去半導(dǎo)體晶片的第二主表面上形成的第一層，同時留下其部分，并剩下第一層作為步驟(d)中的第二層。
36、一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，包括鍵合壓敏粘結(jié)帶至形成有電路圖形的半導(dǎo)體晶片的電路形成面并研磨半導(dǎo)體的背表面至預(yù)定的厚度，然后強(qiáng)制地氧化半導(dǎo)體晶片的背表面，以及接著，鍵合切割帶至半導(dǎo)體晶片的背表面，釋放鍵合到半導(dǎo)體晶片的電路形成面的壓敏粘結(jié)帶，并將半導(dǎo)體晶片分別切割為每個芯片，借助于切割帶在背表面按壓芯片，以及從切割帶釋放芯片。
37、一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，包括減小晶片的厚度然后強(qiáng)制地氧化背表面或在其上形成損壞層，以形成用于防止雜質(zhì)從晶片背表面擴(kuò)散的吸氣(getter)層或阻擋層，由此抑制器件發(fā)生性能故障。
在本申請中公開的發(fā)明當(dāng)中，下面將簡單地描述通過典型發(fā)明獲得的效果。
亦即，在減小晶片的厚度之后，強(qiáng)制地氧化背表面或形成有粘結(jié)抑制層，由此在將晶片分為或基本上分為小片之后易于與晶片保持部件分離。


圖1是作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體集成電路器件制造方法的步驟圖表；圖2是作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖3(a)、圖3(b)以及圖3(c)分別是說明通過旋轉(zhuǎn)刻蝕法、CMP方法和干拋光法減輕應(yīng)力的設(shè)備的說明性示圖，每種方法作為發(fā)明的優(yōu)選實施例；圖4是接著圖2半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖5是在作為發(fā)明優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法中使用的臭氧化水產(chǎn)生裝置的說明性示圖；圖6是根據(jù)發(fā)明在作為優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法中使用的背面研磨的清洗部分的說明性示圖；圖7是根據(jù)發(fā)明在作為優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法中形成含二氧化碳的水的步驟的說明性示圖；圖8(a)接著圖4的半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖8(b)是在與圖8(a)相同的步驟中半導(dǎo)體集成電路器件的主要部分的平面圖；圖9是接著圖8用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖10是接著圖9用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖11是接著圖10用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖12是接著圖11用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明在作為優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法中從背面研磨到晶片安裝的整個處理設(shè)備的說明性示圖；圖14是作為本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法的步驟圖表；圖15是在作為本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中主要部分的側(cè)視圖；圖16是半導(dǎo)體晶片的背表面部分的主要部分的放大剖面圖；圖17(a)、圖17(b)以及圖17(c)分別是用于說明通過干拋光法、CMP方法和旋轉(zhuǎn)刻蝕法減輕應(yīng)力的設(shè)備的說明性示圖，每種方法作為發(fā)明的另一優(yōu)選實施例；圖18是接著圖15用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖19是根據(jù)發(fā)明的作為另一實施例在應(yīng)力減輕之后使用臭氧化水形成阻擋層的說明性示圖；圖20是根據(jù)發(fā)明作為另一實施例在應(yīng)力減輕之后使用硝酸形成阻擋層的說明性示圖；圖21是接著圖18用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖22是接著圖21用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖23是接著圖22用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖24是接著圖23用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖25是接著圖24用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造步驟過程中的主要部分的側(cè)視圖；圖26是根據(jù)發(fā)明在作為另一優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法中從背面研磨到晶片安裝使用的整個處理設(shè)備的說明性示圖；圖27是根據(jù)本發(fā)明在作為另一優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法中從背面研磨到晶片安裝使用的整個處理設(shè)備的說明性示圖；圖28是根據(jù)本發(fā)明在作為再一優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法中從背面研磨到晶片安裝使用的整個處理設(shè)備的說明性示圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。在優(yōu)選實施例中，如果為了方便有必要它們就分為多個部分或?qū)嵤├枋?，但是除非另有?guī)定，它們不是彼此無相關(guān)的，而是處于一種是其它的一種或全部的改進(jìn)例子、細(xì)節(jié)或補(bǔ)充描述的關(guān)系。而且，在下列實施例中，當(dāng)提到元件數(shù)目等(包括零件數(shù)、數(shù)值、數(shù)量、范圍等)時，這些不局限于具體的數(shù)目，而是可以大于或小于具體的數(shù)目，除非另有規(guī)定或原則上明顯限于具體的數(shù)目。而且，在下列實施例中，構(gòu)成因素(也包括基本步驟)并不總是必要的，除非另有規(guī)定或除原則上它明顯是必需的情況之外。以同樣方式，在下列實施例中，當(dāng)提到構(gòu)成因素的形狀和位置關(guān)系時，它們也包括與該形狀等基本上相似或相應(yīng)的那些形狀和位置關(guān)系，除非另有規(guī)定或原則上可以明顯認(rèn)為不是這樣。這也適用于如上所述的數(shù)值和范圍。而且，在用于描述優(yōu)選實施例的所有附圖中，具有相同功能的那些元件用相同的參考標(biāo)號表示，由其將省略重復(fù)的操作。而且，在用于優(yōu)選實施例的附圖中，即使平面圖有時也可以畫陰影線，用于使附圖便于觀看。
而且，在本申請中提到的晶片主要包括Si(硅)單晶晶片，但是它還意指用于在其上形成集成電路的SOI(絕緣體上的硅)晶片或絕緣膜襯底。形狀不局限于圓形或基本上圓形，而是包括正方形和矩形形狀。而且，當(dāng)在申請中提及氣體、固體和液體成分時，它包括作為一種主組分描述的組分，但是這不排除其他組分，除非另有規(guī)定或原則上它明顯地應(yīng)該被排除。
(實施例1)參考圖1至圖13按照步驟順序描述根據(jù)實施例1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法。圖1是用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法的步驟圖表，圖2至圖4和圖8(a)以及圖9至圖12是半導(dǎo)體集成電路器件的主要部分的側(cè)視圖。圖8(b)是半導(dǎo)體集成電路器件的主要部分的上平面圖，圖5是臭氧化水產(chǎn)生裝置的說明性示圖，圖6是背面研磨的清洗部分的說明性示圖。圖7是形成引入二氧化碳水的步驟的說明性示圖，以及圖13是從背面研磨到晶片安裝的整個處理設(shè)備的說明性示圖。在下列描述中，僅僅描述從在半導(dǎo)體晶片上形成電路圖形之后的背面研磨到在襯底上鍵合各個互不相同的芯片的管芯鍵合的每個步驟。
首先，集成電路形成至半導(dǎo)體晶片的電路形成面(第一主表面)(圖1中的步驟P1)。半導(dǎo)體襯底晶片包括硅單晶且其直徑是例如300mm以及厚度(第一厚度)是例如700μm或以上。
然后，判斷在半導(dǎo)體晶片上制備的每個芯片是否是完整的或有缺陷的(圖1中的步驟P2)。該半導(dǎo)體晶片被放置在測量臺上，探針與集成電路的電極焊盤接觸，以及當(dāng)從輸入端輸入信號波形時，從輸出端輸出信號波形。通過由測試器閱讀波形，判斷芯片是否是完整或有缺陷。在此情況下，使用其中對應(yīng)于集成電路的所有電極焊盤布置探針的探針卡。對應(yīng)于每個探針的信號線從探針卡引出并連接到測試器，每個探針對應(yīng)于每個溝槽。用有缺陷的標(biāo)記壓印被判斷為有缺陷的芯片。
然后，將壓敏粘結(jié)帶(第一帶)鍵合到半導(dǎo)體晶片的電路形成面(圖1中的步驟P3)。壓敏粘結(jié)帶可以是可自釋放的帶，亦即UV-固化型或熱固化型或EB固化型帶。而且，它可以是非UV-固化型壓敏粘結(jié)帶，亦即，它可以不是熱固化型、UV固化型或EB固化型的普通壓敏粘結(jié)帶(不能自釋放的帶)。就非自釋放的帶而言，盡管自釋放是不可得的，但是它提供能避免寫入存儲電路如非易失性存儲器的信息變化的優(yōu)點(diǎn)，避免在照射UV-射線(能量射線照射或加熱)至晶片器件表面的情況下產(chǎn)生的表面保護(hù)部件，如由聚酰亞胺層或重布線絕緣材料制成的部件的性能改變或不合需要的表面性能變化。下面將描述UV-射線固化帶的例子。在壓敏粘結(jié)帶上涂敷UV-可固化的壓敏粘結(jié)劑，由此使壓敏粘結(jié)帶與半導(dǎo)體晶片的電路形成面鍵合。壓敏粘結(jié)帶由例如作為襯底的聚亞氨酯膜形成，對其涂敷丙烯酸UV固化型粘合劑，以及其上還附加由聚酯形成的釋放材料。釋放部件是例如釋放紙，以及在釋放了釋放部件之后壓敏粘結(jié)帶被鍵合到半導(dǎo)體晶片。壓敏粘結(jié)帶的厚度是例如180μm，以及粘附力例如在紫外線照射之前是200至400g/25mm，在紫外線照射之后是20至30g/25mm。也可以使用沒有釋放部件但是在其后面應(yīng)用有釋放處理的壓敏粘結(jié)帶。
然后，如圖2所示，半導(dǎo)體晶片1的背表面(與電路形成面相對的表面；第二主表面或第二表面)被粗糙地研磨，以使半導(dǎo)體晶片1的厚度減小至小于100μm、小于80μm或小于60μm(圖1中的步驟P4)。從之后將描述的步驟P4(背面研磨)至步驟P7(晶片安裝)，用于半導(dǎo)體晶片1的輸送和處理一直在真空吸附的狀態(tài)下進(jìn)行，以免半導(dǎo)體晶片1翹曲，以及例如通過之后將描述的整個加工應(yīng)用連續(xù)的處理。半導(dǎo)體晶片1被輸送到研磨器裝置，以及在真空吸附半導(dǎo)體晶片1的形成電路至卡盤工作臺2之后，推動旋轉(zhuǎn)研磨部件(例如，#_360粗糙度[突起數(shù)每單位面積約360N])3至半導(dǎo)體晶片1的背表面，以應(yīng)用粗研磨，以使半導(dǎo)體晶片1的厚度減小至預(yù)定厚度(第二厚度)。由于壓敏粘結(jié)帶BT被鍵合到半導(dǎo)體晶片1的電路形成面，因此不會破壞集成電路。
然后，半導(dǎo)體晶片1的背表面進(jìn)行最后研磨。在此情況下，在使用與圖2相同的研磨器裝置真空吸附半導(dǎo)體晶片1的電路形成面至卡盤工作臺之后，推動旋轉(zhuǎn)研磨部件(例如，#_1500或#_2000粗糙度)至半導(dǎo)體晶片1的背表面，以應(yīng)用最后研磨，由此可以除去粗研磨過程中引起的在半導(dǎo)體晶片1的背表面的張力，以及可以提高芯片的強(qiáng)度。
然后，除去通過背面研磨在半導(dǎo)體晶片1的背表面產(chǎn)生的研磨條紋(圖1中的步驟P5)。通過晶片輸送夾具真空吸附其電路形成面被真空吸附到研磨器裝置的卡盤工作臺2的半導(dǎo)體晶片1的背表面，卡盤工作臺2的真空被破壞，以及通過晶片輸送夾具保持半導(dǎo)體晶片1，半導(dǎo)體晶片1被照原樣輸送到應(yīng)力減輕裝置。而且，在真空吸附其電路形成面至應(yīng)力減輕裝置的轉(zhuǎn)臺或壓頭之后半導(dǎo)體晶片1施加有應(yīng)力減輕。通過應(yīng)力減輕除去包括非晶層/多晶層/微裂層/應(yīng)變層(應(yīng)力傳送層)/完全結(jié)晶層以及非晶層/多晶層/微裂層的研磨條紋。
在應(yīng)力減輕中，如圖3所示，使用旋轉(zhuǎn)蝕刻方法(圖3(a))、CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)方法(圖3(b))或干拋光方法(圖3(c))。旋轉(zhuǎn)蝕刻法是在轉(zhuǎn)臺4上放置半導(dǎo)體晶片1的同時使用氟硝酸5的刻蝕方法。盡管該方法具有能除去大量的優(yōu)點(diǎn)，但是它包含廢氣或廢液的處理是困難的以及對于其處理花費(fèi)相當(dāng)成本的問題。CMP方法是在按壓裝配半導(dǎo)體晶片1的背表面至附加到壓盤7表面的研磨焊墊8的同時通過壓頭PH保持半導(dǎo)體晶片1并拋光晶片的方法，同時使膏劑(研磨液)6流動，且它可以提供均勻的制造表面。但是，由于它需要更多材料成本或安裝成本，例如用于膏劑6的成本，與其他方法相比較增加了成本。此外，盡管與其他方法相比較干拋光方法可以減小成本，但是由于通過粘附有磨粒的拋光布(通過膠合劑在纖維的表面用硅石淀積的并硬化為墊狀形狀的布，例如，約400mmΦ和26mm厚)10拋光放置在轉(zhuǎn)臺11上的半導(dǎo)體晶片1的背表面，施加于半導(dǎo)體晶片1的力易于作用于半導(dǎo)體晶片1的周邊的芯片。對于所有半導(dǎo)體晶片1來說沒有必要應(yīng)用應(yīng)力減輕，而是根據(jù)芯片需要的強(qiáng)度應(yīng)用。
然后，如圖4所示，強(qiáng)制地氧化半導(dǎo)體晶片1的背表面，以形成具有1nm或更小厚度的氧化物層TF(圖1中的步驟P6)。用于在背面研磨(圖1中的步驟P4)或應(yīng)力減輕(圖1中的步驟P5)至強(qiáng)制氧化之間停留半導(dǎo)體晶片的時間在一分鐘、10分鐘或一小時之內(nèi)。通過晶片輸送夾具真空吸附被真空-吸附至應(yīng)力減輕裝置的轉(zhuǎn)臺或壓頭的半導(dǎo)體晶片1，并且轉(zhuǎn)臺或壓頭的真空被破壞，由此通過晶片輸送夾具保持半導(dǎo)體晶片1，以及然后半導(dǎo)體晶片1照原樣輸送至氧化裝置。此外，半導(dǎo)體晶片1被真空-吸附到氧化裝置的卡盤工作臺，并且然后應(yīng)用氧化處理。
在研磨或應(yīng)力減輕完成時，半導(dǎo)體晶片1被減小厚度，且引起翹曲。但是，由于借助于壓敏粘結(jié)帶BT固定它且通過卡盤工作臺2、轉(zhuǎn)臺4，11、壓頭PH或晶片輸送夾具真空吸附，因此并未發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體1的翹曲。但是，在背面研磨或應(yīng)力減輕完成的情況下，半導(dǎo)體晶片1的背表面(硅表面)被激活以及當(dāng)在此狀態(tài)將半導(dǎo)體晶片1安裝在切割帶上時，切割帶的膠水和半導(dǎo)體晶片的背表面相連，使從切割帶釋放芯片變得不可能。然后，通過半導(dǎo)體晶片1的背表面的強(qiáng)制氧化形成氧化物層TF，以鈍化硅表面和使切割帶易于從切割帶釋放。例如通過以下第一至第七方法的任何方法進(jìn)行半導(dǎo)體晶片1的背表面的強(qiáng)制氧化。在第一方法中，當(dāng)背面研磨或應(yīng)力減輕完成之后清洗半導(dǎo)體晶片1的背表面時，使用通過引入臭氧(O3)到純水(H2O)中形成的清洗水。通過圖5中所示的臭氧化水產(chǎn)生裝置形成清洗水。首先，在電解超純水以產(chǎn)生臭氧氣體之后，臭氧氣體被溶于超純水中，以形成臭氧化水。接著，如圖6所示，臭氧化水13被澆注到半導(dǎo)體晶片1的背表面約10秒，以致臭氧化水散布到放置在轉(zhuǎn)臺12上的半導(dǎo)體晶片1的全部背表面。認(rèn)為半導(dǎo)體晶片的溫度是常溫，以及對于臭氧化水13的濃度的合適范圍例如是從0.1至20ppm(該范圍不被限制，而是可以依據(jù)條件而變化)。此外，由于該范圍適合于大規(guī)模生產(chǎn)，因此它被認(rèn)為是從0.3至8ppm，并且此外，認(rèn)為約1至2ppm的范圍如從0.6至4ppm的范圍是最適合的。由于第一方法在清洗半導(dǎo)體晶片1的背表面的同時可以進(jìn)行氧化，因此它可以避免增加步驟數(shù)目。此外，因為利用通過溶解臭氧氣體到超純水中形成沒有雜質(zhì)的臭氧化水13，第一方法需要更少的運(yùn)行成本以及可以進(jìn)行清洗氧化，但是它需要高昂的安裝成本。
在第二方法中，當(dāng)在背面研磨或應(yīng)力減輕完成之后清洗半導(dǎo)體晶片1的背表面時，使用通過引入二氧化碳(CO2)到純水中形成的清洗水。認(rèn)為純水中溶解的CO2的合適濃度范圍是例如從1至1000ppm(該范圍不被限制，而是可以依據(jù)條件而變化)。此外，由于該范圍適合于大規(guī)模生產(chǎn)，因此它被認(rèn)為是從10至500ppm，并且此外，認(rèn)為約100至200ppm的范圍如從80至300ppm的范圍是最適合的。通過圖7所示的引入CO2的水形成步驟形成清洗水。通過從CO2氣體蓄積室15注入預(yù)定量的CO2氣體到超純水14中形成引入CO2的水。用于引入CO2水的供應(yīng)管線中插入比重計16以及通過監(jiān)視CO2濃度，CO2氣體的流速可以表示到質(zhì)量流量控制器。在半導(dǎo)體集成電路器件的制造中已采用了第二方法，以及其可以被容易地引入到半導(dǎo)體晶片1的背表面的氧化。而且，盡管第二方法與如上所述的第一方法一樣需要高昂的安裝成本，但是運(yùn)行成本是廉價的以及可以進(jìn)行清洗氧化。
在第三方法中，當(dāng)在背面研磨或應(yīng)力減輕完成之后清洗半導(dǎo)體晶片1的背表面時，與純水一起澆注含水的過氧化氫(H2O2)。盡管第三方法需要高昂的安裝成本，但是與第一方法一樣可以進(jìn)行清洗氧化。
在第四方法中，氧化劑(釋放劑)被涂敷到半導(dǎo)體晶片1的背表面或切割帶的表面。盡管在第四方法中可能擔(dān)心氧化劑污染，但是它可以減小運(yùn)行成本和安裝成本。
在第五方法中，當(dāng)在背面研磨或應(yīng)力減輕完成之后在半導(dǎo)體晶片1的閑置期間時，氣態(tài)氧(O2)噴吹到半導(dǎo)體晶片1的背表面。在此情況下，它可以被加熱到例如約100℃的溫度。在第六方法中，通過使用例如熱噴射到半導(dǎo)體晶片1的背表面應(yīng)用熱吹風(fēng)。在第七方法中，半導(dǎo)體晶片1被放置在與其背表面接觸的熱板上。第五、第六和第七方法可以減小運(yùn)行成本和安裝成本。
然后，如圖8所示，半導(dǎo)體晶片1被傳送和粘附到切割帶(第二帶)DT而沒有停留(圖1中的步驟P7)。在強(qiáng)制氧化完成之后，通過晶片傳送夾具真空吸附半導(dǎo)體晶片1且照原樣傳送到安裝裝置。被傳送到安裝裝置的半導(dǎo)體晶片1首先被發(fā)送到用于通過切口或取向平面對準(zhǔn)的對準(zhǔn)臺，然后半導(dǎo)體晶片1被發(fā)送到用于進(jìn)行晶片安裝的晶片安裝臺。在晶片安裝中，提供與切割帶DT預(yù)先粘附的圓形支架18，且半導(dǎo)體晶片1被粘附到切割帶DT，其電路形成面向上。在此情況下，通過強(qiáng)制氧化半導(dǎo)體晶片1的背表面形成有氧化物層TF，以及去活狀態(tài)的背表面被粘附為與切割帶DT接觸。切割帶DT包括例如聚烯烴襯底，其上涂敷丙烯酸UV固化型粘合劑，且在其上還粘附由聚酯制成的釋放材料。釋放材料是例如釋放紙，且在剝?nèi)メ尫挪牧现?，壓敏粘結(jié)帶粘附到半導(dǎo)體晶片1。切割帶DT具有例如90μm的厚度和例如在UV照射之前是200g/25mm的粘結(jié)強(qiáng)度，在UV照射之后具有10至20g/25mm的粘結(jié)強(qiáng)度。也可以使用沒有釋放材料但是在襯底的背面處應(yīng)用有釋放處理的壓敏粘結(jié)帶。
順便提及，在約幾個小時中半導(dǎo)體晶片1的背表面從激活態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槿ゼせ顟B(tài)。由此，由于半導(dǎo)體晶片具有100μm或以上或200μm或以上的厚度，使得即使在停留之后也發(fā)生較少翹曲，因此通過在背面研磨或應(yīng)力減輕完成之后停留4小時或以上形成自然氧化物層，半導(dǎo)體晶片的背表面可以轉(zhuǎn)變?yōu)槿セ顟B(tài)。在此情況下，可以節(jié)省用于半導(dǎo)體晶片的背表面的強(qiáng)制氧化。但是，由于半導(dǎo)體晶片必須停留直到形成自然氧化物層，因此需要多余的時間。然后，對于具有100μm或以上或200μm或以上厚度的半導(dǎo)體晶片強(qiáng)制地氧化背表面為去活態(tài)且不停留地粘附到切割帶DT也是可以的。
然后，安裝有半導(dǎo)體晶片1的支架18被發(fā)送到壓敏帶釋放臺。在該臺，UV-射線照射到粘附于半導(dǎo)體晶片1和壓敏帶BT的粘合劑，以降低粘附力至約例如20至30g/25mm，然后釋放壓敏帶BT。由于在后續(xù)切割步驟中參考在半導(dǎo)體晶片1的電路形成面上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記作為基準(zhǔn)進(jìn)行切割，所以必須使用具有對準(zhǔn)標(biāo)記的電路形成面作為上表面，因此半導(dǎo)體晶片1被傳送和再次粘附到支架18。即使當(dāng)壓敏粘結(jié)帶BT被釋放，由于通過粘附到支架18的切割帶DT固定半導(dǎo)體晶片1，因此在半導(dǎo)體晶片1中沒有發(fā)現(xiàn)翹曲。
然后，如圖9所示，切割半導(dǎo)體晶片1(圖1中的步驟P8)。盡管半導(dǎo)體晶片1被分為單個芯片SC，但是由于在個別地分開之后通過粘附到支架18的切割帶DT固定各個芯片SC，因此它們保持布置的狀態(tài)。首先，通過晶片輸送夾具在半導(dǎo)體晶片1的電路形成面真空吸附半導(dǎo)體晶片1，并將其照原樣傳送至切割裝置并放置在切割臺19上。接著，通過使用鍵合有細(xì)金剛砂的非常薄的圓刀片20沿劃片線縱向地和橫向地切割半導(dǎo)體晶片1，細(xì)金剛砂稱為金剛石鋸。
然后，如圖10所示，照射UV-射線至半導(dǎo)體晶片1(圖1中的步驟P9)。首先，從切割帶DT的背面照射UV-射線，以降低在與每個芯片SC接觸的表面處的切割帶DT的粘附力至例如約10至20g/25mm。因此每個芯片易于從切割帶DT釋放。
然后，如圖11所示，在步驟P2中判斷完整的芯片SC被拾取(圖1中的步驟P10)。首先，通過切割帶DT由推針22按壓芯片SC的背表面，以從切割帶DT釋放芯片SC。接著，夾頭23移到推針22之上且與推針22相對的位置，通過夾頭23真空吸附釋放的芯片SC的電路形成面，芯片SC被釋放并且從切割帶DT一個接一個地被拾取。由于通過UV-照射減弱了切割帶DT和芯片SC之間的粘附力，以及通過氧化物層TF的形成去活芯片SC的背表面，因此即使強(qiáng)度減小的薄芯片SC也可以被可靠地拾取。夾頭23具有例如基本上圓柱形的外部外形以及位于底部的吸附部分由例如柔軟的合成橡膠形成。
然后，如圖12所示在襯底24上安裝芯片SC(圖1中的步驟P11)。拾取的芯片SC被粘附并夾持到夾頭以及傳送至襯底24上的預(yù)定位置。接著，在襯底24的電鍍島上放置膏劑材料25，輕微地按壓芯片SC至襯底24并應(yīng)用有在約100至200℃的溫度下的硬化處理。因此，芯片SC被鍵合到襯底24。膏劑材料25可以包括例如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂或硅樹脂。而且，除用膏劑材料25粘附之外，可以通過輕微地磨擦芯片SC的背表面以粘附到電鍍島，或在電鍍島和芯片SC之間插入一小片金帶，以制備金和硅的共晶晶體。
在完成將完整的芯片粘附到切割帶DT的管芯鍵合和去除損壞的芯片之后，從支架18釋放切割帶DT，以及支架18再循環(huán)。
然后，電連接芯片SC上的電極和襯底24上的電極，此外用鑄模樹脂密封芯片SC而被保護(hù)。接著，在鑄模樹脂上壓印產(chǎn)品名稱等并從襯底24分開各個芯片。然后，根據(jù)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)選擇完成的芯片SC，以及通過檢查步驟完成產(chǎn)品。
如上所述，根據(jù)實施例1，即使當(dāng)通過背面研磨或應(yīng)力減輕激活半導(dǎo)體晶片1的背表面時，由于通過強(qiáng)制氧化在半導(dǎo)體晶片1的背表面上形成了氧化物層TF以提供去活態(tài)，因此在從切割帶DT拾取芯片SC時，也可以從切割帶DT穩(wěn)定地釋放芯片SC。由于這些可以穩(wěn)定地釋放芯片SC和抑制通過夾頭23保持芯片SC的故障，因此可以防止由于通過夾頭23保持芯片SC的故障而降低半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)量。此外，通過在背面研磨或應(yīng)力減輕完成之后在半導(dǎo)體晶片1的背表面上形成氧化物層TF，由于半導(dǎo)體晶片1可以不停留地粘附到切割帶DT，因此可以縮短TAT。
然后，將參考圖13中所示的整個加工設(shè)備的說明性示圖描述從背面研磨(圖1中的步驟P4)到晶片安裝(圖1中的步驟P7)的連續(xù)處理的例子。
整個加工設(shè)備26包括背面研磨器臺、干拋光臺、清洗臺以及晶片安裝臺。每個臺設(shè)置有用于裝載半導(dǎo)體晶片1的裝載機(jī)27以及用于卸載晶片1的卸載機(jī)28，并且每個臺還可以被獨(dú)立地使用。此外，在背面研磨臺和干拋光臺之間提供輸送機(jī)械手29，用于在兩者之間傳輸半導(dǎo)體晶片1。以同樣方式，在干拋光臺和清洗臺之間提供輸送機(jī)械手30，以及在清洗臺和晶片安裝臺之間提供輸送機(jī)械手31，用于分別在兩個臺之間傳輸半導(dǎo)體晶片。
首先，在背面研磨臺中的裝載機(jī)27上放置安裝多個半導(dǎo)體晶片1的FOUP(前開式晶圓傳送盒)之后，通過輸送機(jī)械手32從FOUP取出一個半導(dǎo)體晶片1并裝載到背面研磨臺中的加工室33中。FOUP是用于半導(dǎo)體晶片的批輸送的緊密閉合容器且容納通常25，12或6片等單元上的半導(dǎo)體晶片。FOUP的容器外壁除了精細(xì)的通風(fēng)過濾部分之外還具有氣密結(jié)構(gòu)，并且基本上完全地排除灰塵。由此，即使當(dāng)它們在1000級氣氛中傳輸時，內(nèi)部也可以保持在1級清潔度。通過設(shè)備側(cè)邊上的機(jī)械手拖曳FOUP的門至內(nèi)部，在保持清潔度的狀態(tài)下進(jìn)行與設(shè)備的停放。接著，在卡盤工作臺34上放置半導(dǎo)體晶片1之后和在真空吸附之后，半導(dǎo)體晶片1的背表面被研磨以減小半導(dǎo)體晶片1的厚度至預(yù)定的厚度。
然后，在半導(dǎo)體晶片1的背面研磨完成之后，通過輸送機(jī)械手29從后面研磨臺卸載半導(dǎo)體晶片1并裝載到拋光臺，以及，此外，通過輸送機(jī)械手38將半導(dǎo)體晶片1裝載到干拋光臺中的加工室36中。在真空吸附條件下將半導(dǎo)體晶片1放置在卡盤工作臺37上之后，使半導(dǎo)體晶片1的背表面變平。
然后，在半導(dǎo)體晶片1的干拋光完成之后，通過輸送機(jī)械手30從干拋光臺卸載半導(dǎo)體晶片1并傳輸?shù)角逑磁_，以及，此外，通過輸送機(jī)械手38將半導(dǎo)體晶片1裝載到清洗設(shè)備的加工室39中。加工室39具有例如如圖6所示的結(jié)構(gòu)，其中通過引入臭氧至純水形成的清洗水被澆注至半導(dǎo)體晶片1的背表面。這些對半導(dǎo)體晶片1進(jìn)行清洗并同時強(qiáng)制氧化半導(dǎo)體晶片1的背表面。
然后，在半導(dǎo)體晶片1的清洗完成之后，通過輸送機(jī)械手31從清洗臺卸載半導(dǎo)體晶片1并傳輸?shù)骄惭b臺。在通過輸送機(jī)械手40真空吸附半導(dǎo)體晶片1的背表面之后，半導(dǎo)體晶片1的真空吸附表面被交換以及真空吸附電路形成面。接著，半導(dǎo)體晶片1被裝載到晶片安裝臺中的加工室41中。在該臺中，在將電路形成面向上的半導(dǎo)體晶片1粘附到固定到圓形支架的切割帶之后，將電路形成面向上的半導(dǎo)體晶片1粘附到切割帶，然后釋放壓敏粘結(jié)帶。然后，半導(dǎo)體晶片1被傳送到晶片安裝臺的卸載機(jī)28，以及從晶片安裝臺取出半導(dǎo)體晶片1并返回到FOUP。
如上所述，通過使用整個加工設(shè)備26從背面研磨到晶片安裝短時間處理半導(dǎo)體晶片，以及由于半導(dǎo)體晶片1的背表面被強(qiáng)制地氧化為去活狀態(tài)，因此在連續(xù)的切割之后在管芯鍵合中可以穩(wěn)定地拾取芯片。
(實施例2)鑒于減小芯片厚度的需要，在背面研磨中半導(dǎo)體晶片被研磨至例如小于100μm的厚度。研磨的半導(dǎo)體晶片的背表面包括非晶層/多晶層/微裂層/原子級應(yīng)變層(應(yīng)力傳遞層)/完全結(jié)晶層，其中非晶層/多晶層/微裂層是晶體缺陷層。晶體缺陷層的厚度是例如約1至2μm。
在半導(dǎo)體晶片的背表面上存在晶體缺陷層的情況下，這些導(dǎo)致由半導(dǎo)體晶片分為單片芯片的彎曲強(qiáng)度(在簡單彎曲應(yīng)力施加到芯片時芯片被破壞的應(yīng)力值)的問題。在具有厚度小于100μm的芯片中顯著地出現(xiàn)彎曲強(qiáng)度降低。然后，背面研磨之后接著應(yīng)用應(yīng)力減輕，以除去晶體缺陷層，以及使半導(dǎo)體晶片的背表面制成鏡面，由此防止芯片的彎曲強(qiáng)度降低。對于應(yīng)力減輕，例如使用干拋光方法、CMP方法或化學(xué)刻蝕法。
順便提及，當(dāng)半導(dǎo)體晶片1的背表面處的晶體缺陷層被除去時，污染雜質(zhì)淀積到半導(dǎo)體晶片的背表面，例如，重金屬雜質(zhì)如銅(Cu)、鐵(Fe)、鎳(Ni)或鉻(Cr)容易侵入半導(dǎo)體晶片中。這種污染雜質(zhì)侵入到所有半導(dǎo)體制造設(shè)備如氣體管道或加熱器管線中，并且處理氣體也可以是污染雜質(zhì)的污染源。侵入半導(dǎo)體晶片背表面的污染雜質(zhì)進(jìn)一步擴(kuò)散到半導(dǎo)體晶片中并被吸引到接近電路形成面的晶體缺陷。污染雜質(zhì)直到擴(kuò)散至電路形成面的附近，例如在禁帶中形成載流子俘獲能級。而且，污染雜質(zhì)固體溶解到氧化硅/硅邊界增加例如邊界能級。因此，導(dǎo)致由污染雜質(zhì)引起半導(dǎo)體器件的性能故障，降低半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)量。例如，在快閃存儲器如非易失性半導(dǎo)體存儲器中，由污染雜質(zhì)引起的擦除/寫入時的故障扇區(qū)增加，使得由于挽救扇區(qū)數(shù)目不足產(chǎn)生性能故障。而且，在普通的DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和偽SRAM中，由于污染雜質(zhì)引起泄漏型故障如刷新性能或自刷新性能的退化。在快閃型存儲器中，它們引起數(shù)據(jù)保持故障。亦即，盡管在背面研磨之后可以通過應(yīng)力減輕改進(jìn)厚度減小的晶片或芯片的彎曲強(qiáng)度，但是在通過干拋光或通過CMP等拋光的應(yīng)力減輕中由于研磨(pulverization)層被除去或未形成對晶片背表面的阻擋層，因此降低了阻止污染雜質(zhì)從晶片的背表面侵入的吸氣效果。當(dāng)污染雜質(zhì)的擴(kuò)散進(jìn)行接近器件表面時，器件性能波動，有時引起操作故障。
當(dāng)在半導(dǎo)體晶片的背表面上留下晶體缺陷層時，盡管可以防止淀積到半導(dǎo)體晶片背表面的污染雜質(zhì)的侵入，但是這些不能防止芯片彎曲強(qiáng)度的降低。
本實施例中公開的發(fā)明之一的目的是提供一種能抑制由于污染雜質(zhì)引起的半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)量降低的技術(shù)。
本實施例中公開的發(fā)明之一的目的是提供一種通過清洗厚度減小的晶片背表面或在晶片的背表面上形成氧化物層作為阻止污染雜質(zhì)擴(kuò)散的阻擋層或形成提高吸氣效果的損壞層能除去從晶片的背表面侵入的污染雜質(zhì)的技術(shù)，由此能提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的產(chǎn)量和縮短TAT。
參考圖14至28按照步驟順序描述根據(jù)實施例2的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法。圖14是用于半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法的步驟圖表，圖15、圖18以及圖21至25是半導(dǎo)體集成電路器件的主要部分的側(cè)視圖，圖16是半導(dǎo)體集成電路器件的背表面的截面放大視圖，圖17是應(yīng)力減輕系統(tǒng)的說明性示圖，圖19是在應(yīng)力減輕之后使用臭氧化水形成阻擋層的說明性示圖，圖20是在應(yīng)力減輕之后通過使用硝酸形成阻擋層的說明性示圖，以及圖26至圖28是從背面研磨至晶片安裝的整個加工設(shè)備的說明性示圖。在下面的描述中，僅僅描述在半導(dǎo)體晶片上形成電路圖形之后從背面研磨到在襯底各自分開鍵合的管芯鍵合的每個步驟。
首先，集成電路形成至半導(dǎo)體晶片的電路形成面(第一表面或第一主表面)(圖14中的步驟P1)。半導(dǎo)體晶片包括硅單晶且具有例如300mm的直徑以及具有例如700μm或以上的厚度(第一厚度)。
然后，它判斷在半導(dǎo)體晶片上制備的每個芯片是否是完整的或有缺陷的(圖14中的步驟P2)。半導(dǎo)體晶片被放置在測量臺上，探針與集成電路的電極焊盤接觸，以及當(dāng)從輸入端輸入信號波形時，從輸出端輸出信號波形。通過由測試器讀取波形，判斷芯片是否是完整的或缺陷的。在此情況下，使用其中對應(yīng)于集成電路的所有電極焊盤布置探針的探針卡。對應(yīng)于每個探針的信號線從探針卡引出并連接到測試器，每個探針對應(yīng)于每個溝槽。用有缺陷的標(biāo)記壓印被判斷為有缺陷的芯片。
然后，壓敏粘結(jié)帶(第一帶)鍵合到半導(dǎo)體晶片的電路形成面(圖14中的步驟P3)。壓敏粘結(jié)帶可以是可自釋放的帶，亦即UV-固化型或熱固化型或EV固化型帶。而且，它可以是非UV-固化型壓敏粘結(jié)帶，亦即，它可以是非熱固化型、UV固化型或EB固化型的普通壓敏粘結(jié)帶(不能自釋放的帶)。就不能自釋放的帶而言，盡管自釋放是不可能的，但是它提供能避免寫入存儲電路如非易失性存儲器的信息變化的優(yōu)點(diǎn)，避免在照射UV-射線(能量射線照射或加熱)至晶片器件表面的情況下產(chǎn)生表面保護(hù)部件如由聚酰亞胺層或重布線的絕緣材料制成的性能改變或表面特征的不理想變化。下面描述不可自釋放帶的例子。在壓敏粘結(jié)帶上涂敷壓敏粘合劑，由此壓敏粘結(jié)帶與半導(dǎo)體晶片的電路形成面(器件表面)粘接。壓敏粘結(jié)帶例如由聚烯烴形成，作為襯底，涂敷丙烯酸粘合劑，以及其上還附加由聚酯形成的釋放材料。釋放部件是例如釋放紙，且在剝離了釋放材料之后壓敏粘結(jié)帶被粘附到半導(dǎo)體晶片。壓敏粘結(jié)帶的厚度是例如130至150μm，以及粘附力是例如20至30g/20mm(由20mm帶釋放的強(qiáng)度表示)。也可以使用不具有釋放材料但在其背面應(yīng)用有釋放處理的壓敏粘結(jié)帶。
然后，如圖15所示，半導(dǎo)體晶片51的背表面(與電路形成面相對的表面；第二主表面或第二表面)被粗糙地研磨，以使半導(dǎo)體晶片51的厚度減小至小于100μm、小于80μm或小于60μm(圖14中的步驟P3)。半導(dǎo)體晶片51被傳送到研磨器裝置，以及在真空吸附半導(dǎo)體晶片51的電路形成面至卡盤工作臺52之后，推動旋轉(zhuǎn)研磨部件53(例如，#_320至#_360粗糙度，突起數(shù)每單位面積約320至360N，在其他部分也使用相同的標(biāo)記)至半導(dǎo)體晶片51的背表面，以應(yīng)用粗研磨使半導(dǎo)體晶片51的厚度減小至預(yù)定厚度(第二厚度)。由于壓敏粘結(jié)帶BT2被粘附到半導(dǎo)體晶片51的電路形成面，因此集成電路不被破壞。
然后，半導(dǎo)體晶片51的背表面被最后研磨。在此情況下，在使用與圖2相同的研磨器裝置真空吸附半導(dǎo)體晶片51的電路形成面至卡盤工作臺之后，推動旋轉(zhuǎn)研磨部件(例如，#_1500或#_2000粗糙度)至半導(dǎo)體晶片51的背表面，以施加最后研磨，由此可以除去粗研磨過程中在半導(dǎo)體晶片51的背表面處引起的張力，以及可以提高芯片的強(qiáng)度。
然后，除去由背面研磨在半導(dǎo)體晶片1的背表面產(chǎn)生的研磨條紋(圖14中的步驟P5)。通過晶片輸送夾具真空吸附其電路形成面被真空吸附到研磨器裝置的卡盤工作臺的半導(dǎo)體晶片51的背表面，卡盤工作臺的真空被破壞，以及通過晶片輸送夾具保持半導(dǎo)體晶片51，以及半導(dǎo)體晶片51被照原樣傳送到應(yīng)力減輕裝置。而且，在真空吸附其電路形成面至應(yīng)力減輕裝置的轉(zhuǎn)臺或壓頭之后，半導(dǎo)體晶片51應(yīng)用有應(yīng)力減輕。
如圖16所示，當(dāng)在背面研磨中在半導(dǎo)體晶片51的背表面上的完全結(jié)晶層上形成原子級應(yīng)變層(應(yīng)力傳遞層)和晶體缺陷層(非晶層/多晶層/微裂層第一層)54時，通過應(yīng)力減輕除去應(yīng)力缺陷層54。晶體缺陷層54的厚度是例如約1至2μm，以及通過除去晶體缺陷層54可以改進(jìn)芯片的彎曲強(qiáng)度。當(dāng)晶體缺陷層54被除去時，部分原子級應(yīng)變層也可以被除去。
在應(yīng)力減輕中，例如，如圖17所示，使用干拋光方法(圖17(a))、CMP方法(圖17(b))或化學(xué)刻蝕法(圖17(c))。干拋光方法是用粘附有磨粒的拋光布56(通過由粘結(jié)劑沉積硅石至纖維表面并硬化為盤狀例如約400mmΦ和約26mm厚度而形成的布干拋光輪)拋光放置在轉(zhuǎn)臺55上的半導(dǎo)體晶片51的背表面。與其他方法相比較干拋光方法可以減小成本，但是涉及施加在半導(dǎo)體晶片51上的壓力易于使半導(dǎo)體晶片51的周邊傾斜的問題。CMP方法是通過壓頭PH2夾持半導(dǎo)體晶片51、以及通過按壓使其背表面與粘附到壓盤58表面的拋光墊59配合同時流動膏劑(拋光研磨液)57的方法。盡管CMP方法可以提供均勻的制造表面，但是由于它需要高材料成本例如膏劑57和安裝成本，因此與其他方法相比這些需要更高的成本。此外，化學(xué)刻蝕法是將半導(dǎo)體晶片51放置在轉(zhuǎn)臺60上并通過使用氟硝酸(HF+HNO3)61刻蝕半導(dǎo)體晶片51的方法。盡管化學(xué)刻蝕法具有能除去大量的優(yōu)點(diǎn)，但是廢氣和廢液的處理是困難的，需要更多的成本用于處理。
然后，如圖18所示，在半導(dǎo)體晶片51(圖中的步驟P6)的背表面上形成阻擋層(第二層)BL。通過晶片輸送夾具真空吸附被真空吸附到應(yīng)力減輕裝置的轉(zhuǎn)臺或壓頭的半導(dǎo)體晶片51，用于轉(zhuǎn)臺或壓頭的真空被破壞，以及通過晶片輸送夾具保持半導(dǎo)體晶片51，半導(dǎo)體晶片51被照原樣傳送到阻擋層形成裝置。被傳送到阻擋層形成裝置的半導(dǎo)體晶片51在其電路形成面被真空吸附到例如阻擋層形成裝置的卡盤工作臺，以及在其背表面處形成阻擋層BL。
在應(yīng)力減輕已完成的情況下，晶體缺陷層54被除去，以及原子級應(yīng)變層暴露于半導(dǎo)體晶片51的背表面。由此，當(dāng)污染雜質(zhì)例如重金屬雜質(zhì)淀積至半導(dǎo)體晶片51的背表面(原子級應(yīng)變層)時，它們?nèi)菀浊秩氚雽?dǎo)體晶片51。侵入半導(dǎo)體晶片51的污染雜質(zhì)擴(kuò)散到半導(dǎo)體晶片51中并到達(dá)半導(dǎo)體晶片51的電路形成面，使得電路形成面中形成的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生性能故障。然后，阻擋層BL形成至半導(dǎo)體晶片51的背表面(原子級應(yīng)變層)，以通過阻擋層BL抑制污染雜質(zhì)在半導(dǎo)體晶片51中擴(kuò)散。在重金屬當(dāng)中，Cu具有6.8×10-2/秒(在150℃下)的擴(kuò)散系數(shù)，與其他重金屬的擴(kuò)散系數(shù)(例如，F(xiàn)e具有2.8×10-13/秒(在150℃下)的擴(kuò)散系數(shù))相比，其擴(kuò)散系數(shù)更高，且易于到達(dá)半導(dǎo)體晶片51的電路形成面，由此，它被認(rèn)為是導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的性能故障的主污染雜質(zhì)之一。人們認(rèn)為阻擋層BL的厚度合適范圍是例如0.5nm或以上(在僅僅考慮帶的釋放性能的情況下，由于沒有實際問題只要它不少于能形成穩(wěn)定層的下限值)(該范圍不被限制，而是可以根據(jù)條件改變)。而且，人們認(rèn)為適合于大規(guī)模生產(chǎn)的范圍是1nm或以上(亦即，為了保證各種熱處理的自由度相對大的厚度是有利的)，以及人們認(rèn)為2nm或以上的范圍是最適當(dāng)?shù)摹?br> 阻擋層BL例如由以下的第一方法至第七方法的任意一種形成。在第一方法中，在應(yīng)力減輕完成之后，在通過使用純水清洗半導(dǎo)體晶片51的背表面之前，澆注通過引入臭氧到純水中形成的臭氧化水，以在半導(dǎo)體晶片51的背表面上形成氧化物層(阻擋層BL)。圖5中示出了通過臭氧化水形成裝置形成臭氧化水。
首先，如圖19所示，在電解超純水以產(chǎn)生臭氧氣體之后，臭氧氣體被溶于超純水中，以形成臭氧化水62。接著，澆注臭氧化水62至半導(dǎo)體晶片51的背表面約30至60秒，這樣使得臭氧化水散布到放置在轉(zhuǎn)臺63上的半導(dǎo)體晶片51的全部背表面，由此在半導(dǎo)體晶片51的背表面上形成氧化物層(阻擋層BL)。轉(zhuǎn)臺63的旋轉(zhuǎn)數(shù)目是例如500至1000pm以及半導(dǎo)體晶片的溫度是常溫。人們認(rèn)為臭氧化水62的合適濃度范圍是例如0.1至20ppm(該范圍不被限制，而是可以根據(jù)條件變化)。此外，人們認(rèn)為適合于大規(guī)模生產(chǎn)的范圍是0.3至8ppm，此外，人們認(rèn)為約1至2ppm的范圍如從0.6至4ppm的范圍是最適合的。
然后，純水65被澆注到半導(dǎo)體晶片51的背表面，以便散布到放置在轉(zhuǎn)臺63上的半導(dǎo)體晶片51的全部背表面并清洗半導(dǎo)體晶片51的背表面。旋轉(zhuǎn)臺63的旋轉(zhuǎn)數(shù)目是例如3000rpm。在該實施例中，在澆注臭氧化水62至半導(dǎo)體晶片51的背表面之后澆注純水65。但是，這些是非限制性的，而是在澆注臭氧化水62的過程中可以在預(yù)定周期中提供純水65，然后可以停止臭氧化水的提供，接著停止純水。
在第一方法中，由于在半導(dǎo)體晶片51的背表面上形成阻擋層BL，以及可以進(jìn)行用于半導(dǎo)體晶片的背表面的清洗，因此可以避免步驟數(shù)目增加。在第一方法中，運(yùn)行成本是廉價的，且因為使用不包含雜質(zhì)的臭氧化水62因此可以應(yīng)用清洗氧化，在臭氧化水62中臭氧氣體溶于超純水。
在第二方法中，在應(yīng)力減輕完成之后，在清洗半導(dǎo)體晶片51的背表面之前，澆注通過引入二氧化碳(CO2)至純水形成的清洗水，由此形成氧化物層(阻擋層BL)至半導(dǎo)體晶片51的背表面。人們認(rèn)為純水中溶解的CO2的合適濃度范圍是例如1至1000ppm(該范圍是非限制性的，而是可以根據(jù)條件而變化)。此外，人們認(rèn)為適合于大規(guī)模生產(chǎn)的范圍是10至500ppm，此外，人們認(rèn)為約100至200ppm的范圍如80至300ppm的范圍是最適合的。圖7示出了通過CO2水形成步驟形成的CO2水。在該實施例中，在澆注CO2水至半導(dǎo)體晶片51的背表面之后澆注純水。但是，這些是非限制性的，而是在澆注CO2水的過程中可以在預(yù)定周期供應(yīng)純水，然后可以停止CO2水的供應(yīng)，接著停止純水(純水清洗并不總是必需的。例如，它可以是干洗。純水可以是清潔的化學(xué)溶液或包含化學(xué)劑的水溶液，亦即，化學(xué)液)。
在半導(dǎo)體集成電路器件的制造中已采用了第二種方法，以及第二方法可以被容易地引入，以為半導(dǎo)體晶片51的背表面形成氧化物層(阻擋層BL)。而且，在第二方法中，運(yùn)行成本是廉價的以及與如上所述的第一方法一樣可以進(jìn)行清洗氧化。
在第三方法中，在應(yīng)力減輕完成之后在清洗半導(dǎo)體晶片51的背表面之前，澆注通過引入過氧化氫(H2O2)至純水形成的清洗水，由此形成氧化物層(阻擋層BL)至半導(dǎo)體晶片51的背表面。但是，這些是非限制性的，而是在澆注H2O2水的過程中可以在預(yù)定周期中供應(yīng)純水，然后可以停止H2O2水的供應(yīng)，接著停止純水。在第三方法中，可以用和第一方法一樣的方法進(jìn)行清洗氧化。
在第四方法中，在應(yīng)力減輕完成之后，通過使用純水清洗半導(dǎo)體晶片51的背表面之前，澆注硝酸(HNO3)，以在半導(dǎo)體晶片51的背表面形成氧化物層(阻擋層BL)。首先，如圖20所示，硝酸67被澆注到放置在轉(zhuǎn)臺66上的半導(dǎo)體晶片51的背表面例如約30至60秒，以便散布到半導(dǎo)體晶片51的全部背表面，由此在半導(dǎo)體晶片51的背表面上形成氧化物層(阻擋層BL)。轉(zhuǎn)臺66的旋轉(zhuǎn)數(shù)目是例如500至1000rpm。然后，純水69被澆注到放置在轉(zhuǎn)臺66上的半導(dǎo)體晶片51的背表面，以便散布到半導(dǎo)體晶片51的全部背表面，由此清洗半導(dǎo)體晶片51的背表面。旋轉(zhuǎn)臺66的旋轉(zhuǎn)數(shù)目是例如3000rpm。在該實施例中，在澆注硝酸67至半導(dǎo)體晶片51的背表面之后澆注純水69。但是，這些是非限制性的，而是例如從澆注硝酸67的中途澆注純水69之后，可以停止硝酸67的供應(yīng)，接著停止純水69。
在第五方法中，在應(yīng)力減輕完成之后，在半導(dǎo)體晶片51的背表面上形成微晶體缺陷(阻擋層BL)。污染雜質(zhì)，特別重金屬雜質(zhì)易于集中在晶體缺陷層中，且通過有意形成微晶體缺陷層可以防止污染雜質(zhì)從半導(dǎo)體晶片51的背表面侵入。例如如下所述可以形成微晶體缺陷層。例如，通過等離子體放電產(chǎn)生離子，且它們被撞擊，以在半導(dǎo)體晶片51的背表面上形成損壞層(微晶體缺陷層)。等離子體條件包括例如使用CF4或CF6作為氣體，1至1.8Torr的真空度(133.322至239.980Pa)，15至20℃的溫度以及約一分鐘的時間或使用Cl作為氣體，20至50mmTorr的真空度(2666.45至6666.12mPa)，15至25℃的溫度以及約一小時。在此條件下，形成具有例如約2至10nm厚度的微晶體缺陷層。通過等離子體形成損壞層的方法可以提供能通過等離子體清洗半導(dǎo)體晶片51的背表面以及形成等離子體損壞層至清洗的背表面以及同時能形成氧化物層(絕緣層或相似的其他輔助層)作為雜質(zhì)擴(kuò)散層或可釋放改進(jìn)層至損壞層的表面的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，盡管未提供上述三種方法的組合效果，但是液體處理具有較少損壞的優(yōu)點(diǎn)。特別地，使用引入各種氣體種類(引入氣體的純水)的純水的方法可以提供減小運(yùn)行成本的附加優(yōu)點(diǎn)。
另一種方案，通過噴砂形成研磨層(微晶體缺陷層)至半導(dǎo)體晶片51的背表面。首先，露出半導(dǎo)體晶片51的背表面，以及形成掩模材料。對于掩模材料，可以使用例如通過光刻法形成的抗蝕劑圖形。接著，與加壓至例如約2至3kgf/cm2的氣體一起濺射磨粒，以清洗半導(dǎo)體晶片51的背表面，以及進(jìn)一步形成研磨層至清洗的背表面。磨粒是例如SiC或鋁，以及晶粒尺寸是例如約幾個至數(shù)百μm。然后，除去掩模材料以及清洗半導(dǎo)體晶片51。
另一種方案，在應(yīng)力減輕中，不完全地除去晶體缺陷層(非晶層/多晶層/微裂層) 4，而是部分地留下晶體缺陷層54用作微晶體缺陷層。
另一種方案，通過使用細(xì)篩磨石研磨半導(dǎo)體晶片51的背表面以形成微晶體缺陷層。在研磨中，可以使用與圖2一樣的研磨器裝置。亦即，在真空吸附半導(dǎo)體晶片51的電路形成面至卡盤工作臺之后，推動旋轉(zhuǎn)研磨部件(例如，#_8000至#_10000粗糙度)至半導(dǎo)體晶片51的背表面，并進(jìn)行研磨以形成微晶體缺陷層。在微晶體缺陷層的形成中，與粗研磨相比研磨材料具有較精細(xì)的粗糙度(例如，研磨部件的粗糙度從#_320至#_360)，然后進(jìn)行最終研磨(研磨部件的粗糙度#_1500到#_2000)。
在第六方法中，在應(yīng)力減輕完成之后，雜質(zhì)被離子注入到半導(dǎo)體51的背表面中，以形成損壞層(阻擋層BL)。離子噴射條件，例如離子類型，150keV的能量以及5×1015cm-2的劑量速率。
在第七方法中，通過等離子體CVD方法在半導(dǎo)體晶片51的背表面上淀積氧化物層或多晶硅層作為阻擋層BL，用于防止污染雜質(zhì)的侵入。亦即，在氧化物層或多晶硅層中淀積污染雜質(zhì)。用于形成氧化物層的等離子體CVD條件包括，例如使用O2作為氣體，3至4Torr的真空度(399.967至533.289Pa)，400℃的溫度以及約10秒的時間。在此條件下，可以形成例如約30nm厚度的阻擋層BL。
然后，在清洗和干燥半導(dǎo)體晶片51(圖14中的步驟7)之后，如圖21所示，半導(dǎo)體晶片51被傳送并粘附到切割帶DT2(圖14中的步驟P8)。在阻擋層BL的形成完成之后，通過晶片傳送夾具真空吸附半導(dǎo)體晶片51且照原樣傳送到安裝裝置。被傳送到安裝裝置的半導(dǎo)體晶片51首先被發(fā)送到用于通過切口或取向平面對準(zhǔn)的對準(zhǔn)臺，然后半導(dǎo)體晶片51被發(fā)送到用于進(jìn)行晶片安裝的晶片安裝臺。在晶片安裝中，提供與切割帶DT2預(yù)先粘附的圓形支架70，且半導(dǎo)體晶片51被粘附到切割帶DT2，其電路形成面向上。切割帶DT2包括例如聚烯烴襯底，其上涂敷丙烯酸UV固化型粘合劑，并且在其上還粘附由聚酯制成的釋放材料。釋放材料是例如釋放紙，并在剝離釋放材料之后，壓敏粘結(jié)帶粘附到半導(dǎo)體晶片51。切割帶DT2具有例如90μm的厚度以及在UV照射之前具有200g/25mm的粘結(jié)強(qiáng)度，在UV照射之后具有10至20g/25mm的粘結(jié)強(qiáng)度。也可以使用沒有釋放材料但在襯底的背面處應(yīng)用有釋放處理的壓敏粘結(jié)帶。
然后，安裝有半導(dǎo)體晶片51的支架70被發(fā)送到壓敏帶釋放臺。在該臺，半導(dǎo)體晶片51和壓敏帶BT2被釋放。由于在后續(xù)切割步驟中進(jìn)行切割時參考在半導(dǎo)體晶片51的電路形成面上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記作為基準(zhǔn)，所以使用具有對準(zhǔn)標(biāo)記的電路形成面作為上表面是必需的，因此半導(dǎo)體晶片51被傳送和再次粘附到支架70。即使當(dāng)壓敏粘結(jié)帶BT2被釋放時，由于通過粘附到支架70的切割帶DT2固定半導(dǎo)體晶片51，因此不能發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體晶片51中的翹曲。
然后，如圖22所示，切割半導(dǎo)體晶片51(圖14中的步驟P9)。盡管半導(dǎo)體晶片51被分為單個芯片SC2，但是由于在各自分開之后通過粘附到支架70的切割帶DT2固定各個芯片SC2，因此它們保持布置的狀態(tài)。首先，通過晶片輸送夾具在半導(dǎo)體晶片51的電路形成面真空吸附半導(dǎo)體晶片51，半導(dǎo)體晶片51被照原樣傳送至切割裝置并放置在切割臺71上。接著，通過使用鍵合有細(xì)金剛砂的非常薄的圓刀片72沿劃片線縱向地和橫向地切割半導(dǎo)體晶片51，細(xì)金剛砂稱為金剛石鋸(可以通過使用激光的方法分開晶片。這些可以提供極大地減小切割寬度的附加優(yōu)點(diǎn))。
然后，如圖23所示，照射UV-射線至半導(dǎo)體晶片51(圖14中的步驟P10)。首先，從切割帶DT2的背面照射UV-射線，以降低與每個芯片SC接觸的表面的切割帶DT2的粘附力至例如約10至20g/25mm。這些使每個芯片能容易地從切割帶DT2釋放。
然后，如圖24所示，在圖14的步驟P2中判斷完整的芯片SC2被拾取(圖14中的步驟P11)。通過推針73按壓芯片SC2的背表面以從切割帶DT2釋放芯片SC2。接著，夾頭74移到推針 3之上且與推針73相對的位置，并且通過夾頭74真空吸附釋放的芯片SC2的電路形成面，由此芯片SC2被釋放以及從切割帶DT2一個接一個地被拾取。由于通過UV-照射減弱了切割帶DT2和芯片SC2之間的粘附力，因此即使強(qiáng)度減小的薄芯片SC2也可以被可靠地拾取。夾頭74具有例如基本上圓柱形的外部形狀以及位于底部的由例如柔軟的合成橡膠形成的吸附部分。
然后，如圖25所示，在襯底75上安裝芯片SC2(圖14中的步驟P12)。拾取的芯片SC2被粘附并夾持到夾頭以及被傳送至襯底75上的預(yù)定位置。接著，在襯底75的電鍍島上設(shè)置膏劑材料76，對其輕微地按壓芯片SC2并在約100至200℃溫度下應(yīng)用有硬化處理。因此，芯片SC2被鍵合到襯底75。膏劑材料76可以包括，例如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂或硅樹脂。而且，除用膏劑材料76粘附之外，可以通過輕微地摩擦芯片SC2的背表面以粘附到電鍍島，或在電鍍島和芯片SC2之間插入一小片金帶，以制備金和硅的共晶晶體。
在完成將完整的芯片粘附到切割帶DT2的管芯鍵合和去除損壞的芯片之后，從支架70釋放切割帶DT2，以及支架70再循環(huán)。
然后，電連接芯片SC2上的電極和襯底75上的電極，此外用鑄模樹脂密封芯片SC2而被保護(hù)。接著，在鑄模樹脂上壓印產(chǎn)品名稱等并從襯底75分開各個芯片。然后，根據(jù)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)選擇完成的芯片SC2，以及通過檢查步驟完成產(chǎn)品。
如上所述，通過用于增加芯片SC2的彎曲強(qiáng)度的應(yīng)力減輕除去研磨至例如小于100μm厚度的半導(dǎo)體晶片51的背表面上的晶體缺陷層54。根據(jù)實施例2，由于在半導(dǎo)體晶片51的背表面上形成(或留下部分晶體缺陷層54)阻擋層BL(例如，氧化物層、微晶體缺陷層、損壞層等等)，因此可以防止通過晶體缺陷層54的去除污染雜質(zhì)從半導(dǎo)體晶片51的背表面侵入以及可以防止污染雜質(zhì)進(jìn)一步擴(kuò)散至半導(dǎo)體晶片51的電路形成面。這些可以防止由污染雜質(zhì)從半導(dǎo)體晶片51的背表面侵入引起的半導(dǎo)體器件的性能故障以及可以抑制通過去除晶體缺陷層54降低半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)量。
然后，將參考圖26至28中所示的整個加工設(shè)備的說明性示圖描述從背面研磨(圖14中的步驟P4)到晶片安裝(圖14中的步驟P8)的連續(xù)加工的例子。
圖26所示的整個加工設(shè)備77包括背面研磨器臺、干拋光臺、清洗臺以及晶片安裝臺。盡管干拋光方法描述作為應(yīng)力減輕的例子，但是也可以使用CMP方法或化學(xué)刻蝕法。此外，盡管使用臭氧化水(如上所述的第一方法)的清洗臺被描述為用于形成阻擋層BL的例子，但是也可以使用CO2水(第二方法)、H2O2水(第三方法)或硝酸(第四方法)。每個臺設(shè)置有用于裝載半導(dǎo)體晶片51的裝載器78以及用于卸載晶片51的卸載機(jī)79，并且每個臺還可以被獨(dú)立地使用。此外，在背面研磨臺和干拋光臺之間提供輸送機(jī)械手80，用于在兩者之間傳輸半導(dǎo)體晶片51。以同樣方式，在干拋光臺和清洗臺之間提供輸送機(jī)械手81，以及在清洗臺和晶片安裝臺之間提供輸送機(jī)械手82，用于分別在兩個臺之間傳輸半導(dǎo)體晶片51。
首先，在背面研磨臺中的裝載機(jī)78上放置安裝多個半導(dǎo)體晶片51的FOUP之后，通過輸送機(jī)械手83從FOUP取出一個半導(dǎo)體晶片51并裝載到背面研磨臺中的加工室84中。FOUP是用于半導(dǎo)體晶片的批輸送的緊密密閉容器且容納通常25、12或6片等單元上的半導(dǎo)體晶片。FOUP的容器外壁除了精細(xì)的通風(fēng)過濾部分之外還具有氣密結(jié)構(gòu)以及基本上完全地排除灰塵。由此，即使當(dāng)它們在第1000級氣氛中傳輸時，內(nèi)部也可以保持在1級清潔度。通過設(shè)備側(cè)邊上的機(jī)械手拖曳至FOUP的門內(nèi)部，在保持清潔度的狀態(tài)下進(jìn)行與設(shè)備的?？?。接著，在卡盤工作臺85上放置半導(dǎo)體晶片51之后和在真空吸附之后，半導(dǎo)體晶片51的背表面被研磨，以減小半導(dǎo)體晶片51的厚度至預(yù)定的厚度。
然后，在用于半導(dǎo)體晶片51的背面研磨完成之后，通過輸送機(jī)械手80從背面研磨臺卸載半導(dǎo)體晶片51并裝載到拋光臺，以及，此外，通過輸送機(jī)械手86將半導(dǎo)體晶片51裝載到干拋光臺中的加工室87中。在真空吸附條件下將半導(dǎo)體晶片1放置在卡盤工作臺88上之后，從半導(dǎo)體晶片51的背表面除去晶體缺陷層54。
然后，在半導(dǎo)體晶片51的干拋光完成之后，通過輸送機(jī)械手81從干拋光臺卸載半導(dǎo)體晶片51并傳輸?shù)角逑磁_，以及，此外，通過輸送機(jī)械手89將半導(dǎo)體晶片51裝載到清洗設(shè)備的加工室90中。加工室90具有例如如圖19所示的結(jié)構(gòu)，其中臭氧化水被澆注至半導(dǎo)體晶片51的背表面。這些在半導(dǎo)體晶片51的背表面上形成氧化物層。
然后，在用純水清洗半導(dǎo)體晶片51完成之后，通過輸送機(jī)械手82從清洗臺卸載半導(dǎo)體晶片51并傳送到晶片安裝臺，在通過輸送機(jī)械手91真空吸附半導(dǎo)體晶片51的背表面之后，半導(dǎo)體晶片51的真空吸附表面被交換以及真空吸附電路形成面。接著，半導(dǎo)體晶片51被裝載到晶片安裝臺中的加工室92中。在該臺中，在將電路形成面向上的半導(dǎo)體晶片51粘附到粘附并固定于圓形支架的切割帶之后，將電路形成面向上的半導(dǎo)體晶片51粘附到切割帶然后釋放壓敏粘結(jié)帶BT2。然后，半導(dǎo)體晶片51被傳送到晶片安裝臺的卸載機(jī)79，以及從晶片安裝臺取出半導(dǎo)體晶片51并返回到FOUP。
在圖27所示的整個加工設(shè)備93中，清洗臺被提供到在圖26所示的整個加工設(shè)備中的干拋光臺的晶片放電區(qū)。
在圖28所示的整個加工設(shè)備94中，用等離子刻蝕臺代替圖26中所示的整個加工設(shè)備中的清洗臺。盡管等離子體刻蝕被示出作為用于形成阻擋層BL的例子，但是也可以使用形成阻擋層BL的其他方法。例如，可以用噴砂臺、細(xì)篩研磨臺、離子注入臺以及等離子體CVD部分代替清洗臺。
如上所述，通過使用整個加工設(shè)備77，93或94可以短時間內(nèi)從背面研磨到晶片安裝處理半導(dǎo)體晶片51。此外，由于在半導(dǎo)體晶片51的背表面上形成阻擋層BL，因此可以防止污染雜質(zhì)從半導(dǎo)體晶片51的背表面侵入。
盡管分開地描述了實施例1和2，但是前者中的發(fā)明和后者中的發(fā)明不是相異的，而是從技術(shù)觀點(diǎn)來看是緊密相關(guān)的，例如可以通過前者的例子來實現(xiàn)后者的目的。此外，盡管沒有詳細(xì)描述，但是本申請中的例子包括前者的對策和后者的對策的組合應(yīng)用。此外，前者中的相似對策和后者中的對策(或在兩者中的)顯然可以組合應(yīng)用。
盡管通過優(yōu)選實施例已經(jīng)具體地描述了由本發(fā)明人進(jìn)行的發(fā)明，顯然本發(fā)明不局限于如上所述的實施例，而是在不脫離其要點(diǎn)的范圍內(nèi)可以進(jìn)行多種改變。
例如，盡管實施例1中示出了第一至第七方法作為強(qiáng)制氧化半導(dǎo)體晶片的背表面的方法，但是是非限制性的，且也可以應(yīng)用能氧化半導(dǎo)體晶片的背表面為去活態(tài)的其他技術(shù)。此外，盡管實施例2中示出了第一至第七方法作為在半導(dǎo)體晶片的背表面上形成阻擋層的方法，但是是非限制性的，且也可以應(yīng)用能防止污染雜質(zhì)從半導(dǎo)體晶片的背表面侵入的其他技術(shù)。
根據(jù)如上所述的實施例，當(dāng)半導(dǎo)體晶片被制造為薄膜，然后強(qiáng)制氧化其背表面或形成有粘結(jié)抑制層時，通過從晶片保持部件(不局限于通過上推部件而且也可以使用超聲波。此外它們也可以組合使用)分開或基本上分開半導(dǎo)體晶片(不局限于切割而且例如也可以是激光切割等等)得到小片的分開。
而且，根據(jù)如上所述的實施例，由于在應(yīng)力減輕之后形成能防止污染雜質(zhì)侵入的阻擋層至半導(dǎo)體晶片的背表面，因此可以防止污染雜質(zhì)擴(kuò)散到半導(dǎo)體晶片的電路形成面，以抑制半導(dǎo)體器件性能故障的發(fā)生。
本發(fā)明應(yīng)用于在半導(dǎo)體晶片上形成電路圖形的在先步驟和一個接一個地檢查芯片之后進(jìn)行的裝配芯片為產(chǎn)品的后續(xù)步驟。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，包括以下步驟(a)在具有第一厚度的半導(dǎo)體晶片的第一主表面上或上方形成電路圖形；(b)在所述第一主表面上粘結(jié)第一帶；(c)研磨所述半導(dǎo)體晶片的第二主表面，以使所述半導(dǎo)體晶片為第二厚度；(d)強(qiáng)制地氧化所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面；以及(e)釋放粘附到所述半導(dǎo)體晶片的所述第一主表面的所述第一帶以及將第二帶粘附到所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中在整個工序中進(jìn)行所述步驟(c)、所述步驟(d)和所述步驟(e)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述半導(dǎo)體晶片的所述第二厚度小于100μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述半導(dǎo)體晶片的所述第二厚度小于80μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述半導(dǎo)體晶片的所述第二厚度小于60μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中在所述步驟(c)和所述步驟(d)之間，所述半導(dǎo)體晶片的停留時間在一分鐘的范圍之內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中在所述步驟(c)和所述步驟(d)之間，所述半導(dǎo)體晶片的停留時間在10分鐘的范圍之內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中在所述步驟(c)和所述步驟(d)之間，所述半導(dǎo)體晶片的停留時間在一小時的范圍之內(nèi)
9.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)用引入臭氧的純水清洗所述半導(dǎo)體晶片并強(qiáng)制地氧化所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)用引入二氧化碳的純水清洗所述半導(dǎo)體晶片并強(qiáng)制地氧化所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)將純水和含水的過氧化氫澆注所述半導(dǎo)體晶片由此強(qiáng)制地氧化所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)涂敷氧化劑到所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面或與所述半導(dǎo)體晶片接觸的所述第二帶的表面并強(qiáng)制地氧化所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)將氣態(tài)氧噴吹到所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面由此強(qiáng)制地氧化所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)將熱風(fēng)噴吹到所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面由此強(qiáng)制地氧化所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)將所述半導(dǎo)體晶片放置在與所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面接觸的加熱板上，由此強(qiáng)制地氧化所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，還包括以下步驟(f)切割所述半導(dǎo)體晶片，由此將所述半導(dǎo)體晶片分為單個芯片；以及(g)借助于所述第二帶在背表面按壓芯片，由此從所述第二帶釋放所述芯片。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中從所述步驟(c)卸載所述半導(dǎo)體晶片，其第一主表面被真空吸附到晶片輸送夾具，以及然后被載運(yùn)到所述步驟(d)，其所述第二主表面被真空吸附到晶片輸送夾具。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中半導(dǎo)體晶片的直徑約為300mm。
19.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述半導(dǎo)體晶片的所述第一厚度是700μm或以上。
20.一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，包括以下步驟(a)在具有第一厚度的半導(dǎo)體晶片的第一主表面上方形成電路圖形；(b)通過第一壓敏粘結(jié)劑將第一薄片或板狀部件鍵合到所述第一主表面；(c)研磨或刻蝕所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面，以使所述半導(dǎo)體晶片為第二厚度；(d)強(qiáng)制地氧化所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面；以及(e)釋放或分離粘附到所述半導(dǎo)體晶片的所述第一主表面的所述第一薄片或所述板狀部件，以及通過第二壓敏粘結(jié)劑將第二薄片或板狀部件鍵合到所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
21.一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，包括以下步驟(a)在具有第一厚度的半導(dǎo)體晶片的第一主表面上方形成電路圖形；(b)研磨所述半導(dǎo)體晶片的第二主表面，由此使所述半導(dǎo)體晶片為第二厚度；(c)除去形成至所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面的第一層；(d)形成第二層至所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面；以及(e)切割所述半導(dǎo)體晶片，由此將所述半導(dǎo)體晶片分為單個芯片。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述第二層的厚度小于所述第一層的厚度。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述半導(dǎo)體晶片的所述第二厚度小于100μm。
24.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述半導(dǎo)體晶片的所述第二厚度小于80μm。
25.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述半導(dǎo)體晶片的所述第二厚度小于60μm。
26.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)澆注引入臭氧的純水至所述半導(dǎo)體晶片，由此形成氧化物層至所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
27.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)澆注引入二氧化碳的純水至所述半導(dǎo)體晶片，由此形成氧化物層至所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
28.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)澆注引入過氧化氫的純水至所述半導(dǎo)體晶片，由此形成氧化物層至所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
29.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)澆注硝酸至所述半導(dǎo)體晶片，由此形成氧化物層到所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
30.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)使通過等離子體放電產(chǎn)生的離子撞擊所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面，以及形成損壞層至所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
31.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)噴射研磨粒至所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面，以及形成研磨層至所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
32.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)研磨所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面并形成晶體缺陷層至所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
33.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)離子注入雜質(zhì)到所述半導(dǎo)體晶片，由此形成損壞層至所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
34.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(d)還包括以下子步驟(d1)通過等離子體CVD形成氧化物層或多晶硅層至所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面。
35.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，其中所述步驟(c)包括以下子步驟(c1)除去所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主表面上方形成的所述第一層，同時留下其一部分，并剩下所述第一層作為所述步驟(d)中的所述第二層。
全文摘要
提供一種能從切割帶穩(wěn)定地釋放芯片的技術(shù)，包括在將壓敏粘結(jié)帶粘附到形成有集成電路的半導(dǎo)體晶片的電路形成面的同時，將半導(dǎo)體晶片的背表面研磨為預(yù)定厚度以及強(qiáng)制地氧化半導(dǎo)體晶片的背表面，然后釋放粘附到半導(dǎo)體晶片的電路形成面的壓敏粘結(jié)帶，將切割帶粘附到半導(dǎo)體晶片的背表面，而且通過切割將半導(dǎo)體晶片分別分為各個芯片，以及借助于切割帶按壓芯片的背表面，由此從切割帶釋放芯片。
文檔編號H01L21/306GK1638095SQ200410103430
公開日2005年7月13日 申請日期2004年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月26日
發(fā)明者宮崎忠一, 阿部由之, 植松俊英, 木村稔, 鈴木一成, 小田切政雄, 須賀秀幸, 高田學(xué) 申請人:株式會社瑞薩科技