專利名稱：高性能芯片載體基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片載體，更具體地說(shuō)涉及使用倒裝芯片技術(shù)等的、性能得到改善的高密度芯片載體。
背景技術(shù)：
由于半導(dǎo)體芯片的端子密度，特別是芯片的輸入/輸出(I/O)連接的密度隨著技術(shù)的進(jìn)步而不斷增加，芯片載體的布線能力成為更重要的問(wèn)題。緊密地?cái)D在一起的端子焊盤的密度使得難以構(gòu)成彼此分開的導(dǎo)體，以將載體線連接到每個(gè)端子焊盤。傳送信號(hào)的端子焊盤和線的負(fù)擔(dān)特別沉重，因?yàn)樗鼈円舜朔珠_，并且與電源和地線也要分開。在芯片載體上的信號(hào)線必須與其它導(dǎo)體具有足夠的電隔離，從而避免不希望的耦合和泄漏通路。
為了能夠在高密度芯片載體中布線，已經(jīng)開發(fā)出微過(guò)孔以及其它技術(shù)。微過(guò)孔芯片載體一般使用多層，以形成所需的互連，特別是在使用倒裝芯片球柵陣列(BGA)技術(shù)的芯片封裝中。在這些高管腳數(shù)的技術(shù)中，層的布線密度和布線能力是至關(guān)重要的，特別是在成本、產(chǎn)量、性能和可靠性方面。在這方面，“布線能力”可以看作是布置布線從而所有的信號(hào)可以從給定的圖形或?qū)又小耙?escape)”(向內(nèi)或向外)的技術(shù)可能性。用于布線的約束考慮包括過(guò)孔密度、布線寬度和間隙、端子焊盤尺寸和所要求的間隙、屏蔽要求以及本領(lǐng)域中已知的其它設(shè)計(jì)約束。
微過(guò)孔芯片載體基板通常建立在具有電鍍通孔(PTH)的核心周圍。這種高密度互連(HDI)芯片載體使用在由環(huán)氧玻璃層制成的核心的每一側(cè)上建立的層。玻璃層由注入環(huán)氧樹脂的玻璃織物制成，并且在升高的溫度下疊置，以制成牢固的尺寸穩(wěn)定的核心。在核心的每一側(cè)上建立的層通常為不加固的環(huán)氧樹脂。在美國(guó)專利No.6,518,516 B2中介紹了一種典型微過(guò)孔芯片載體的例子。
在芯片載體，例如，微過(guò)孔芯片載體中，在芯片下面用于PTH的密度約束和受限的空間限制了在載體的前(芯片側(cè))和后(板側(cè))之間的垂直互連能力。這對(duì)于具有更多I/O數(shù)量、更高功率的芯片的電源分配要求是一個(gè)特殊的問(wèn)題。在信號(hào)分配層中要求的展開布線必然限制在用于電源分配的芯片中間剩余的空間量。結(jié)果，在芯片下面剩余的中間區(qū)域中能夠容納的有限數(shù)量的PTH導(dǎo)致較差的電源分配特性和與電源相關(guān)的噪聲。
雖然存在對(duì)這些問(wèn)題的其它解決方案，但是這種解決方案具有其它缺點(diǎn)。例如，已經(jīng)開發(fā)出陶瓷芯片載體和基于聚四氟乙烯的芯片載體，以提供改進(jìn)的電源分配，但是這些解決方案相當(dāng)昂貴。另外，陶瓷芯片載體在芯片載體與印制布線板(PWB)的互連中存在可靠性問(wèn)題?；诰鬯姆蚁┑妮d體在層數(shù)和布線能力方面僅具有有限的靈活性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種改進(jìn)的多層芯片載體及其布局方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種用于多層芯片載體的改進(jìn)的信號(hào)分配方法和布局。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一種為電源分配增加空間的多層芯片載體。
本發(fā)明的又一個(gè)目的是提供一種為電源分配增加用于額外的PTH的空間的多層芯片載體。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種降低與電源相關(guān)的噪聲的多層芯片載體。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種用于信號(hào)引出的改進(jìn)的展開重新分配布線方案，能夠釋放芯片下面的空間。該布線方案對(duì)于采用兩個(gè)信號(hào)重新分配層用于將信號(hào)引出芯片的情況特別有效。該布線方案重新布線第二重新分配層的布線，從而在第一重新分配層的布線下面基本重疊。結(jié)果，允許電源PTH延伸到否則將作為信號(hào)引出區(qū)的印跡中。
因此，本發(fā)明的重新分配布線方案為能夠直接連接到基板電源平面中的額外的電源分配PTH釋放了芯片下面的空間，從而允許沿電源總線多次拾取。增加的空間相對(duì)于在常規(guī)兩層信號(hào)重新分配布線中允許的PTH的數(shù)量允許多達(dá)至少兩倍的PTH數(shù)量，由此，在降低與電源相關(guān)的噪聲方面取得了顯著的改善。


圖1示出了在每側(cè)上具有3個(gè)建立層的典型芯片載體的剖面圖；圖2為芯片區(qū)域的頂視圖，虛線表示引出區(qū)；圖3示出了如圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的FC4地層的頂視圖的一部分；圖4示出了如圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的FC3信號(hào)重新分配層的頂視圖的一部分；圖5示出了如圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的FC2電壓層的頂視圖的一部分；圖6示出了如圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的FC1信號(hào)重新分配層的頂視圖的一部分；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的FC3信號(hào)重新分配層的頂視圖的一部分；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的FC2電壓層的頂視圖的一部分；圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的FC1信號(hào)重新分配層的頂視圖的一部分；圖10A示出了導(dǎo)電連接體的頂視圖，圖10B示出了同一個(gè)連接體的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
參考圖1，示出了在芯片側(cè)具有三層建立層，在印制電路板或印制布線板側(cè)具有三層建立層的典型芯片載體的剖面圖。由此，分別對(duì)應(yīng)于FC2、FC3和FC4的層1、3和5作為通過(guò)焊料接觸9與芯片7連接的建立層。分別對(duì)應(yīng)于BC2、BC3和BC4的層11、13和15作為通過(guò)焊料接觸19與板17連接的建立層。顯示為FC3的層3作為從芯片的第一展開信號(hào)重新分配層，顯示為FC1的信號(hào)層21作為從芯片的第二展開信號(hào)重新分配層。例如，這種方案是微過(guò)孔芯片載體的典型。
圖2是典型芯片的印跡。這種芯片具有通常為矩形或正方形的印跡，由邊線23限定芯片的邊緣。內(nèi)部區(qū)25表示在現(xiàn)有技術(shù)方案中形成用于分配電源的大多數(shù)電源PTH的大致區(qū)域，該區(qū)域用線26表示。點(diǎn)27表示印跡的幾何參考點(diǎn)，是芯片印跡的大致中心點(diǎn)。圍繞區(qū)域25并且用線33表示的區(qū)域29表示在現(xiàn)有技術(shù)中從芯片引出的大多數(shù)，如果不是全部，第二組信號(hào)的大致區(qū)域。這出現(xiàn)在圖1中的FC1信號(hào)重新分配層21。圍繞區(qū)域29并且用線23表示的區(qū)域31表示在現(xiàn)有技術(shù)中從芯片引出的大多數(shù)，如果不是全部，第一組信號(hào)的大致區(qū)域。這出現(xiàn)在圖1中的FC3信號(hào)重新分配層3。
如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解，“引出”的意思是傳送信號(hào)的信號(hào)焊盤的層或芯片載體層連接到向外延伸的布線或總線，以分配信號(hào)離開芯片。應(yīng)當(dāng)理解，圖2的排列是用來(lái)更好的理解本發(fā)明的原理。在實(shí)際中，引出區(qū)可以重疊，并且在形狀上可以比圖2所示的區(qū)域更不規(guī)則。同樣，在區(qū)域中的所有信號(hào)焊盤不必要同時(shí)引出。
圖3示出了在圖1中的現(xiàn)有技術(shù)的FC4地/電壓層5的頂視圖的一部分，該層連接到芯片7。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，沒(méi)有必要顯示出通常在該層上可以看到的所有部件。而只顯示那些與理解本發(fā)明有關(guān)的部件。同樣，為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，只顯示出第一象限中的相關(guān)部件。顯然，相同的基本部件圖形在芯片的全部四個(gè)象限中對(duì)稱存在。在圖3中的外部線23表示芯片的邊緣，如圖2所示，虛線22和26表示在圖2中所示的內(nèi)部三角形區(qū)域。線24和28表示在圖2中所示的第一象限。
如在圖3中進(jìn)一步顯示的，在虛線22、24和26中的區(qū)域25對(duì)應(yīng)于在圖2中形成電源PTH的現(xiàn)有技術(shù)的大致區(qū)域的部分。在圖3中的該三角形區(qū)域?qū)?yīng)于圖2中區(qū)域25的八分之一，點(diǎn)27為圖2中所示的同一個(gè)參考點(diǎn)。同樣，在圖3中的虛線26和33之間形成如圖2所示的區(qū)域29的一部分，并且對(duì)應(yīng)于現(xiàn)有技術(shù)中從芯片引出第二組信號(hào)的區(qū)域。在圖3中的區(qū)域31對(duì)應(yīng)于圖2的現(xiàn)有技術(shù)中從芯片引出第一組信號(hào)的區(qū)域。
在圖3所示的FC4地/電壓層5中，垂直導(dǎo)電線35表示地/電壓布線或總線35a-h，周期性的圓形部分36表示地/電壓焊盤。從這些總線引出的箭頭，例如35b，表示在水平方向這些總線的擴(kuò)展。在垂直地/電壓總線兩側(cè)的圓圈列表示導(dǎo)電信號(hào)焊盤37。雖然只顯示出了導(dǎo)電焊盤37的列，但是顯然也存在向右擴(kuò)展的信號(hào)焊盤的行的類似圖形。同樣，在下半?yún)^(qū)，即，低于水平總線35b的區(qū)域(即，第二象限)，具有相應(yīng)的信號(hào)焊盤和地/電壓總線的行和列的鏡像圖像，并且對(duì)于第三和第四象限也是同樣的。所示的焊盤和總線的結(jié)構(gòu)和數(shù)量只是提供這些元件或部件如何排列的一個(gè)例子。也可以采用焊盤和總線的其它結(jié)構(gòu)和數(shù)量。
在圖3的排列中，在總線35a和35c之間顯示出具有八個(gè)信號(hào)焊盤的列37a。同樣，在總線35c和35d之間顯示出具有九個(gè)信號(hào)焊盤的列37b。在總線35d和35e之間顯示出信號(hào)焊盤的第三列37c，等等。正如所看到的，區(qū)域25是沒(méi)有完全被信號(hào)焊盤占據(jù)的區(qū)域，因此是容納用于電源分配的PTH的主要區(qū)域。
重新參考圖3，通常，引出芯片(在圖4的FC3層)的大部分第一組信號(hào)來(lái)自區(qū)域31中的水平線33上方的上信號(hào)焊盤。引出芯片的大部分第二組信號(hào)來(lái)自在線33下方的區(qū)域25和29中的信號(hào)焊盤。在所示的例子中，并不是所有的焊盤與第一組信號(hào)一起從區(qū)域31引出。這在圖4中顯示得更清楚。
圖4示出了在圖1中的現(xiàn)有技術(shù)的FC3信號(hào)重新分配層3的頂視圖的一部分。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，在這里只顯示圖3示出的焊盤和地/電壓總線的部件圖形的一部分。因此，只介紹用于三列焊盤的引出圖形，但是，顯然對(duì)于剩余列的信號(hào)焊盤存在同樣的圖形。正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解，導(dǎo)電過(guò)孔從圖3的FC4層的信號(hào)焊盤37穿過(guò)該層的介質(zhì)延伸到圖4的FC3層的信號(hào)焊盤37。同樣，在這里所介紹的各層中顯示的每一層中，導(dǎo)電過(guò)孔排列用來(lái)將一層上的信號(hào)焊盤與下一層的信號(hào)焊盤互連。在圖10中示出了這種過(guò)孔排列的例子，將在下文中介紹。
在圖4的FC3層，從區(qū)域31中的外部信號(hào)焊盤引出第一組信號(hào)。引出信號(hào)焊盤37的每一個(gè)顯示出連接在其上的導(dǎo)電布線或總線39，并且向上延伸離開芯片。因此，例如，從焊盤列37a中引出的三個(gè)信號(hào)焊盤和從焊盤列37b中引出的四個(gè)信號(hào)焊盤連接到導(dǎo)電布線39，以允許信號(hào)引出到芯片印跡的外部。同樣，其它信號(hào)焊盤列的每一個(gè)焊盤，例如從列37c的五個(gè)信號(hào)焊盤連接到布線39，并向上延伸到芯片印跡的外部。正如所看到的，并不是在區(qū)域31中的所有信號(hào)焊盤與第一組信號(hào)一起引出，在本例子中，只引出80％。因此，留下在區(qū)域31中所示的三個(gè)信號(hào)焊盤與第二組信號(hào)焊盤一起引出。
在圖4中的區(qū)域25和29中所示的信號(hào)焊盤也沒(méi)有在FC3層引出。因此，例如，在信號(hào)焊盤列37c中留下的三個(gè)信號(hào)焊盤沒(méi)有引出。同樣，在列37a和37b的每一個(gè)中的五個(gè)信號(hào)焊盤沒(méi)有引出。這些剩余的信號(hào)焊盤通過(guò)本領(lǐng)域中已知的“狗骨”導(dǎo)電連接器41向左移動(dòng)。狗骨導(dǎo)電連接器41用來(lái)橫向移動(dòng)信號(hào)焊盤到用過(guò)孔連接到下一層的另一個(gè)位置。例如，這種排列可以用于這種設(shè)計(jì)目的，例如，避免制造穿過(guò)芯片載體的連續(xù)層的導(dǎo)電過(guò)孔的困難。在圖4中，狗骨導(dǎo)電連接器41用來(lái)向左移動(dòng)每個(gè)信號(hào)焊盤相同的距離。
圖10A示出了導(dǎo)電連接器41的典型結(jié)構(gòu)的頂視圖。如圖所示，信號(hào)焊盤37通過(guò)導(dǎo)電布線或總線38導(dǎo)電連接到信號(hào)焊盤37A。顯然，布線38可以延伸任意距離。圖10B示出了圖10A的側(cè)視圖，導(dǎo)電過(guò)孔40從圖4的FC3層上的上信號(hào)焊盤37A穿過(guò)該層的介質(zhì)延伸到圖5的FC2層上的下信號(hào)焊盤37A。在這一層，信號(hào)焊盤37A向右連接，如圖5所示。但是，顯然，這種排列可以向任何方向跨過(guò)任何距離。例如，導(dǎo)電過(guò)孔40可以是實(shí)心導(dǎo)電部件或電鍍過(guò)孔，例如，PTH型導(dǎo)體。
圖5的現(xiàn)有技術(shù)的頂視圖顯示出圖1所示的FC2電壓V2層1的部件的一部分。在該層，電壓總線35提供電壓V2，但是不從信號(hào)焊盤37引出信號(hào)。從FC3層向上延伸的信號(hào)焊盤37A向右跨過(guò)相同的距離，以到達(dá)與圖4所示位置基本相同的信號(hào)焊盤37。
圖6的現(xiàn)有技術(shù)的頂視圖顯示出圖1中的FC1信號(hào)重新分配層21的部件的一部分。如上所述，在圖5的FC2層上的信號(hào)焊盤37通過(guò)導(dǎo)電過(guò)孔連接到圖6的FC3層上的信號(hào)焊盤37。在該層，剩余的信號(hào)焊盤37引出芯片。如圖所示，具有足夠的開口空間來(lái)容納電源分配PTH、下面的PTH焊盤43的區(qū)域只有區(qū)域25。這是由于在區(qū)域29和31中的空間被信號(hào)焊盤37和信號(hào)引出布線39占據(jù)的情況。
根據(jù)本發(fā)明，在FC3、FC2和FC1層采用的布線引出方案釋放在所有區(qū)域25、29和31中的空間，來(lái)容納用于電源分配的數(shù)量顯著增加的PTH。在圖7、8和9中，采用與圖3到圖6中采用的相同的地/電壓總線和信號(hào)焊盤排列。同樣，在圖7、8和9中所用的相同的標(biāo)號(hào)與在圖3到6中所用的表示相同的部件。
根據(jù)本發(fā)明，布線引出方案從FC3信號(hào)重新分配層開始，在圖7中示出了其局部頂視圖。該層對(duì)應(yīng)于在圖1中所示的FC3信號(hào)重新分配層3。應(yīng)當(dāng)注意，這里所用的FC4地層5與在圖3中所示的相同，如上所述，因此不再重新顯示出。在圖7中的第一組信號(hào)焊盤以與圖4中介紹的相同的圖形引出。因此，在列37a中的三個(gè)信號(hào)焊盤、在列37b中的四個(gè)信號(hào)焊盤和在列37c中的五個(gè)信號(hào)焊盤在信號(hào)總線39上引出。但是，除了這十二個(gè)信號(hào)焊盤引出之外，在該層中剩下的十三個(gè)信號(hào)焊盤37通過(guò)信號(hào)布線或總線38向芯片邊緣23步進(jìn)到開口區(qū)域，到達(dá)新的焊盤45。
當(dāng)圖7的信號(hào)焊盤排列與圖4的進(jìn)行比較時(shí)，可以看到，作為信號(hào)焊盤步進(jìn)的結(jié)果，只有一個(gè)焊盤留在區(qū)域25中，而不是圖4所示的四個(gè)信號(hào)焊盤。另外，在區(qū)域29中留下四個(gè)信號(hào)焊盤，而不是圖4所示的六個(gè)。留在區(qū)域31中的三個(gè)信號(hào)焊盤進(jìn)一步向芯片邊緣移動(dòng)，在區(qū)域31中總共產(chǎn)生八個(gè)信號(hào)焊盤。顯然，同樣的信號(hào)焊盤的步進(jìn)也可以出現(xiàn)在芯片的其余部分的信號(hào)焊盤列(未示出)中。步進(jìn)的圖形沒(méi)有特殊的限制，在采用該技術(shù)中所使用的特定的基本規(guī)則內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)各種圖形排列。首先，顯然步進(jìn)信號(hào)布線需要沒(méi)有障礙的路線，并且與相鄰的信號(hào)焊盤、布線和總線有足夠的間隙。可以采用各種工藝來(lái)布置步進(jìn)這些信號(hào)焊盤的有效圖形。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的FC2電壓V2層的頂視圖的一部分。如圖所示，在圖8中的信號(hào)焊盤45與圖7中的信號(hào)焊盤45具有相同的位置，并且通過(guò)導(dǎo)電過(guò)孔彼此連接，例如，如圖10A和10B所公開的過(guò)孔排列。如圖所示，在圖7中已經(jīng)步進(jìn)到新信號(hào)焊盤45的信號(hào)焊盤在圖8中分別又向芯片邊緣23導(dǎo)電步進(jìn)，通過(guò)信號(hào)布線48到達(dá)新的焊盤47。注意，信號(hào)布線通常延續(xù)相當(dāng)長(zhǎng)的距離。在該層中，如果信號(hào)路徑能夠穿過(guò)電壓層，則信號(hào)焊盤45也可以引出而不是步進(jìn)到信號(hào)焊盤47。在與圖5的現(xiàn)有技術(shù)中相同的FC2電壓層，每個(gè)信號(hào)焊盤在它們自己的區(qū)域中橫向移動(dòng)相同的短距離。
當(dāng)圖8的信號(hào)焊盤排列與圖5的現(xiàn)有技術(shù)的信號(hào)焊盤排列相比較時(shí)，可以看到，與圖5在區(qū)域25中留下四個(gè)信號(hào)焊盤相比較，在圖8中沒(méi)有留下信號(hào)焊盤。同樣，在圖8中的區(qū)域29中留下一個(gè)信號(hào)焊盤，而在圖5中留下六個(gè)信號(hào)焊盤。
圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的FC1信號(hào)重新分配層的頂視圖的一部分，對(duì)應(yīng)于圖1的層21。這是第二信號(hào)引出層，所有剩余的信號(hào)焊盤47引出芯片。正如所理解的，在該FC1層上的信號(hào)焊盤47的位置與在圖8的FC2層上相應(yīng)的信號(hào)焊盤的位置相同，并且通過(guò)導(dǎo)電過(guò)孔彼此連接。如圖所示，相對(duì)于圖6的現(xiàn)有技術(shù)的FC1信號(hào)重新分配層排列，可用作電源PTH的區(qū)域顯著擴(kuò)大了。具體地說(shuō)，可用作電源PTH的區(qū)域擴(kuò)展到區(qū)域29的全部和區(qū)域31的一部分，與圖6中限制在區(qū)域25中不相同。這允許在焊盤43下形成十三個(gè)電源PTH，而不是圖6所示的六個(gè)。
線51是從區(qū)域25的角部的延長(zhǎng)線，描述所介紹的區(qū)域。應(yīng)當(dāng)理解，沿線22稍稍向末端擴(kuò)展的空間帶也可以為定位電源PTH提供區(qū)域。這對(duì)現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明的布局方案都是可行的。根據(jù)本發(fā)明的布線方案所用的例子，該帶形區(qū)域也增加，以提供電源PTH的數(shù)量增加接近兩倍。
應(yīng)當(dāng)理解，圖7-9中所示的布局圖形只是提供如何實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的布線概念的例子，并且不同的布局圖形、密度、過(guò)孔尺寸、線寬、焊盤尺寸等對(duì)于可用于電源分配的PTH的空間可以提供超過(guò)兩倍的改進(jìn)。還應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明中提供的圖形布局方法的概念可以用在采用兩層或多層引出的任何類型的多層芯片載體方案中。
還應(yīng)當(dāng)理解，移動(dòng)在從第一組焊盤引出第一信號(hào)之后剩下的信號(hào)焊盤組的有效結(jié)果是步進(jìn)這些剩下的焊盤到第一組焊盤的區(qū)域下面的位置。該步進(jìn)以兩個(gè)步驟實(shí)現(xiàn)，第一步驟與引出第一組信號(hào)同時(shí)發(fā)生，即，在同一層。第二步進(jìn)發(fā)生在第一引出層下面的下一層，并且引出出現(xiàn)在第二步進(jìn)層的下一層。
應(yīng)當(dāng)注意，雖然介紹了兩層信號(hào)重新分配，但是也可以采用多于兩層。如果使用多于兩層的信號(hào)重新分配，則也可以以類似的方式采用這些額外的層向芯片邊緣步進(jìn)信號(hào)焊盤并提供信號(hào)焊盤引出。例如，如果采用三層信號(hào)重新分配，則向芯片邊緣步進(jìn)剩下的信號(hào)焊盤可以出現(xiàn)在第一信號(hào)引出和第二信號(hào)引出層，以及任何中間層，最終引出出現(xiàn)在剩下的層中，包括剩下的信號(hào)重新分配層。
通過(guò)上述介紹應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中可以進(jìn)行各種改進(jìn)和變化，只要不脫離其真正的精神。本說(shuō)明書的目的僅僅是為了說(shuō)明，而不應(yīng)當(dāng)理解為限制的意義。本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)僅由附帶的權(quán)利要求書的術(shù)語(yǔ)限定。
權(quán)利要求
1.一種多層芯片載體，包括介質(zhì)材料層，具有在與所述芯片載體上將要安裝的至少一個(gè)芯片的印跡中的信號(hào)焊盤圖形有關(guān)的信號(hào)焊盤圖形中、在其上形成的多個(gè)信號(hào)焊盤，所述多個(gè)信號(hào)焊盤包括靠近所述芯片印跡的邊緣的第一組信號(hào)焊盤和第二組信號(hào)焊盤，所述第一組信號(hào)焊盤的每一個(gè)具有與其連接的導(dǎo)線，該導(dǎo)線延伸超過(guò)所述芯片印跡的邊緣，所述第二組信號(hào)焊盤的每一個(gè)具有與其連接的導(dǎo)線，該導(dǎo)線延伸以連接到位置更接近所述芯片印跡的所述邊緣的各個(gè)信號(hào)焊盤。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層芯片載體，其中在更接近所述芯片印跡的所述邊緣的所述介質(zhì)層上的所述信號(hào)焊盤的至少一部分具有與其連接的導(dǎo)電過(guò)孔，形成穿過(guò)所述介質(zhì)材料層延伸到其相對(duì)表面的導(dǎo)電過(guò)孔組。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層芯片載體，包括在其上具有信號(hào)焊盤的所述介質(zhì)材料層下面的另一個(gè)介質(zhì)材料層，各個(gè)所述信號(hào)焊盤的每一個(gè)連接到所述導(dǎo)電過(guò)孔組的各個(gè)所述導(dǎo)電過(guò)孔的每一個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層芯片載體，其中在所述另一個(gè)介質(zhì)材料層上的所述信號(hào)焊盤的至少一部分每一個(gè)具有與其連接的導(dǎo)線，該導(dǎo)線延伸連接到更接近所述芯片印跡的邊緣的各個(gè)另外的信號(hào)焊盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層芯片載體，其中所述另外的信號(hào)焊盤的至少一部分具有與其連接的導(dǎo)電過(guò)孔，該導(dǎo)電過(guò)孔延伸穿過(guò)所述另一個(gè)介質(zhì)材料層，以連接到在另一個(gè)介質(zhì)材料層上的信號(hào)焊盤，在所述另一個(gè)介質(zhì)材料層上的所述信號(hào)焊盤具有與其連接的導(dǎo)線，該導(dǎo)線延伸超過(guò)所述芯片印跡的邊緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層芯片載體，其中所述多個(gè)信號(hào)焊盤與多個(gè)電源分配總線相鄰排列。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層芯片載體，其中電源PTH連接到在所述信號(hào)焊盤的區(qū)域中的所述電源分配總線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層芯片載體，包括附著在其上的芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層芯片載體，其中所述多層芯片載體電連接到印制布線板。
10.一種多層芯片載體基板，包括一層介質(zhì)材料層，在其上具有多個(gè)信號(hào)焊盤，一部分信號(hào)焊盤形成具有與其連接的導(dǎo)線的第一組信號(hào)焊盤，該導(dǎo)線延伸超過(guò)將要附著到其上的芯片的印跡的邊緣，以及一部分信號(hào)焊盤形成具有與其連接的導(dǎo)線的第二組信號(hào)焊盤，該導(dǎo)線向所述印跡的邊緣延伸，以連接到第三組信號(hào)焊盤，所述第三組信號(hào)焊盤具有與其連接的導(dǎo)電過(guò)孔，所述導(dǎo)電過(guò)孔分別連接到在另一個(gè)介質(zhì)材料層上相應(yīng)的所述信號(hào)焊盤組。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層芯片載體基板，其中在所述另一個(gè)介質(zhì)材料層上的所述相應(yīng)的信號(hào)焊盤組的至少一部分所述信號(hào)焊盤具有與其連接的向所述印跡的邊緣延伸的導(dǎo)線，以分別連接到第四組信號(hào)焊盤。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層芯片載體基板，其中在所述另一層上的所述第四組信號(hào)焊盤的至少一部分所述信號(hào)焊盤連接到導(dǎo)電過(guò)孔，該過(guò)孔連接到在另一個(gè)介質(zhì)材料層上相應(yīng)的信號(hào)焊盤組。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多層芯片載體基板，其中在所述另一個(gè)介質(zhì)材料層上的所述信號(hào)焊盤組的至少一部分所述信號(hào)焊盤具有與其連接的延伸超過(guò)所述芯片的所述印跡的邊緣的導(dǎo)線。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層芯片載體基板，其中所述多個(gè)信號(hào)焊盤的所述信號(hào)焊盤與多個(gè)電源分配總線相鄰排列。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層芯片載體基板，其中電源PTH連接到在所述第一、第二和第三信號(hào)焊盤組的區(qū)域中的所述另一個(gè)介質(zhì)材料層上的所述電源分配總線。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層芯片載體基板，其中所述第一和第二信號(hào)焊盤組通常按列和行排列，以及所述電源分配總線排列在至少一部分所述信號(hào)焊盤的列和行之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層芯片載體基板，包括具有通過(guò)焊料連接電連接到所述芯片載體上的焊盤的接觸陣列的芯片，其中至少一部分焊料連接為所述多個(gè)信號(hào)焊盤提供信號(hào)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的多層芯片載體基板，其中所述芯片載體電連接到印制布線板。
19.一種多層芯片載體，包括第一介質(zhì)材料層，具有在與所述芯片載體上將要安裝的至少一個(gè)芯片的印跡中的信號(hào)焊盤有關(guān)的信號(hào)焊盤的圖形中排列的、在其上形成的多個(gè)信號(hào)焊盤，所述多個(gè)信號(hào)焊盤包括靠近所述芯片印跡的邊緣的第一組信號(hào)焊盤和第二組信號(hào)焊盤，所述第一組信號(hào)焊盤的每一個(gè)具有與其連接的導(dǎo)線，該導(dǎo)線延伸超過(guò)所述芯片印跡的邊緣，所述第二組信號(hào)焊盤的每一個(gè)具有與其連接的導(dǎo)線，該導(dǎo)線延伸以連接到位置更接近所述芯片印跡的邊緣的各個(gè)信號(hào)焊盤，所述信號(hào)焊盤具有與其連接的導(dǎo)電過(guò)孔，延伸穿過(guò)所述第一介質(zhì)材料層；第二介質(zhì)材料層，具有在其上排列的信號(hào)焊盤組，所述信號(hào)焊盤組分別連接到延伸穿過(guò)所述第一介質(zhì)材料層的所述導(dǎo)電過(guò)孔，并具有與其連接的各個(gè)導(dǎo)線，該導(dǎo)線延伸以分別連接到位置更接近所述芯片印跡的邊緣的另外的信號(hào)焊盤，所述另外的信號(hào)焊盤具有與其連接的導(dǎo)電過(guò)孔，該導(dǎo)電過(guò)孔延伸穿過(guò)所述第二介質(zhì)材料層；以及第三介質(zhì)材料層，具有在其上排列的信號(hào)焊盤組，所述信號(hào)焊盤組分別連接到延伸穿過(guò)所述第二介質(zhì)材料層的所述導(dǎo)電過(guò)孔，并具有分別與其連接的導(dǎo)線，該導(dǎo)線延伸超過(guò)所述芯片印跡的邊緣。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的多層芯片載體，包括具有對(duì)應(yīng)于與其電連接的信號(hào)焊盤的所述圖形的電接觸圖形的至少一個(gè)芯片。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的多層芯片載體，其中所述芯片載體電連接到印制布線板。
22.一種在多層芯片載體上展開信號(hào)焊盤的重新分配的方法，包括提供在其中將要安裝的至少一個(gè)芯片的印跡中的信號(hào)焊盤圖形中、在其上形成有多個(gè)信號(hào)焊盤的介質(zhì)材料層；提供連接到靠近所述芯片印跡的邊緣的所述多個(gè)信號(hào)焊盤的第一組信號(hào)焊盤的導(dǎo)線，該導(dǎo)線延伸超過(guò)所述芯片印跡的邊緣，以允許來(lái)自所述第一組信號(hào)焊盤的信號(hào)引出所述芯片印跡；以及移動(dòng)所述多個(gè)信號(hào)焊盤的第二組信號(hào)焊盤更接近所述芯片印跡的邊緣。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，包括如下步驟提供移動(dòng)到更接近所述芯片印跡的邊緣的至少一部分所述信號(hào)焊盤，連接到在所述介質(zhì)材料層下面的另一個(gè)介質(zhì)材料層上的信號(hào)焊盤。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，包括如下步驟移動(dòng)在所述另一個(gè)介質(zhì)材料層上的至少一部分所述信號(hào)焊盤更接近所述芯片印跡的邊緣。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，包括如下步驟提供移動(dòng)到更接近所述芯片印跡的邊緣的在所述另一個(gè)介質(zhì)材料層上的至少一部分所述信號(hào)焊盤，連接到在所述另一個(gè)介質(zhì)材料層下面的再一個(gè)介質(zhì)材料層上的信號(hào)焊盤。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，包括如下步驟提供連接到在所述再一個(gè)介質(zhì)材料層上的至少一部分所述信號(hào)焊盤的導(dǎo)線，該導(dǎo)線延伸超過(guò)所述芯片印跡的邊緣，以允許來(lái)自所述再一層上的所述信號(hào)焊盤的信號(hào)引出所述芯片印跡。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述多個(gè)信號(hào)焊盤與多個(gè)電源分配總線相鄰排列。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中PTH連接到在所述移動(dòng)的信號(hào)焊盤區(qū)域中的所述電源分配總線。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中至少一個(gè)芯片附著在所述多層芯片載體上。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中所述多層芯片載體連接到印制布線板。
全文摘要
一種為電源分配PTH增加空間并且減小與電源有關(guān)的噪聲的多層芯片載體。在具有兩個(gè)信號(hào)重新分配展開層的多層芯片載體中，除了在第一展開層上從靠近邊緣的信號(hào)焊盤引出的信號(hào)之外，移動(dòng)剩余的信號(hào)焊盤更接近芯片印跡的邊緣。在第一展開層下面的電壓層，再次移動(dòng)剩余的信號(hào)焊盤更接近芯片印跡的邊緣。在電壓層下面的第二展開層中，引出剩余的信號(hào)焊盤。信號(hào)焊盤移動(dòng)的區(qū)域?yàn)殡娫碢TH提供增加的空間。
文檔編號(hào)H01L23/12GK1622315SQ200410086860
公開日2005年6月1日 申請(qǐng)日期2004年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月25日
發(fā)明者J·奧德特, I·梅米斯 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司